NL8802927A

NL8802927A - SCREEN MATERIAL FROM METAL OBTAINED BY PHOTO BUTTONS, METHOD FOR FORMING STARTING MATERIAL THEREFOR, AND ETCHING METHOD.

Info

Publication number: NL8802927A
Application number: NL8802927A
Authority: NL
Original assignee: Stork Screens Bv
Priority date: 1988-11-28
Filing date: 1988-11-28
Publication date: 1990-06-18
Also published as: CA2003950A1; WO1990006381A1; EP0445209A1; JPH04502036A; ZA898560B; AU4805390A; KR900702078A

Description

Zeefmateriaal uit metaal verkregen door fotoëtsen, werkwijze voor het vormen van uitgangsmateriaal daarvoor en etswerkwijze.Screening material of metal obtained by photo-etching, method for forming starting material therefor and etching method.

De onderhavige uitvinding heeft in de eerste plaats betrekking op een zeefmateriaal uit metaal dat door fotoëtsen verkregen is uitgaande van een ongeperforeerd materiaal.The present invention relates primarily to a metal screen material obtained by photo-etching from an unperforated material.

Het door fotoëtsen vervaardigen van metalen geperforeerde produkten is algemeen bekend. Een dergelijk geperforeerd materiaal wordt verkregen door op een metalen ondergrond een fotolakpatroon aan te brengen en vervolgens met behulp van een etsmiddel, zoals FeCl^, de niet door het fotolakpa troon afgedekte delen weg te etsen.The production of metal perforated products by photo-etching is generally known. Such a perforated material is obtained by applying a photoresist pattern to a metal substrate and then etching away the parts not covered by the photoresist by means of an etchant, such as FeCl 2.

Bij de vorming van dergelijke bekende produkten bestaat er het nadeel dat de fijnheid ervan over het algemeen betrekkelijk beperkt is aangezien tijdens de etswerkwijze niet alleen een etsing in diepterichting van het metaalsubstraat optreedt, doch ook een etsing in zijwaartse richting, d.w.z. onder het fotolakpatroon. Dit verschijnsel beperkt bij een nagestreefde gatgrootte het z.g. doorlaat percentage.In the formation of such known products, there is a drawback that their fineness is generally relatively limited since during the etching process, not only a deep-etching of the metal substrate occurs, but also a side-etching, i.e., under the photoresist pattern. With a target hole size, this phenomenon limits the so-called transmission percentage.

In verband met de stevigheid van het eindprodukt is het noodzakelijk om de openingen in het fotolakpatroon niet al te dicht bij elkaar te zetten zodat na afloop van de etsbewerking de dambreedte tussen de verschillende perforaties nog voldoende is.Due to the firmness of the end product, it is necessary not to place the openings in the photoresist pattern too close together so that after the etching operation has finished the check width between the different perforations is still sufficient.

Met name indien het door te etsen substraat een grotere dikte bezit zal dit probleem ernstiger vormen aannemen en zal slechts een materiaal met betrekkelijk geringe fijnheid kunnen worden vervaardigd.Particularly if the substrate to be etched has a greater thickness, this problem will take on more serious shapes and only a material of relatively low fineness can be manufactured.

De onderhavige uitvinding heeft ten doel een zeefmateriaal van de in de aanhef bedoelde soort te verschaffen van hoge fijnheid bij grote dikte.The object of the present invention is to provide a sieve material of the type referred to in the preamble of high fineness at great thickness.

Volgens de uitvinding wordt een diergelijk materiaal gekenmerkt doordat het doorsnedeoppervlak van elk der openingen van het zeefmateriaal over de dikte varieert volgens een voorafbepaald patroon in overeenstemming met een verhouding tussen de etsingseinddiepte en de lengte van de zijdelingse etsing onder de rand van een etspatroon (de etsfactor) tussen 1 en 5.According to the invention, such a material is characterized in that the cross-sectional area of each of the openings of the sieve material varies over the thickness according to a predetermined pattern in accordance with a ratio between the etching end depth and the length of the side etching below the edge of an etching pattern (the etching factor ) between 1 and 5.

Gebleken is dat, zoals later nog uitvoerig zal worden toegelicht, het mogelijk is om het te etsen materiaal zodanig te formuleren dat etsfactoren veel groter dan 1 worden verkregen.It has been found that, as will be explained in detail later, it is possible to formulate the material to be etched in such a way that etching factors much greater than 1 are obtained.

De etsfactor is gedefinieerd als de verhouding tussen de etseinddiepte en de lengte van zijdelingse etsing onder een fotolakpatroon en is in het algemeen gelijk aan 1,5 d.w.z. dat bij een etsing van 50 micron in diepterichting ook een etsing van ongeveer 33 micron in zijdelingse richting optreedt.The etching factor is defined as the ratio between the etching depth and the length of lateral etching under a photoresist pattern and is generally equal to 1.5 ie, at an etching of 50 microns in depth, etching of about 33 microns also occurs in the lateral direction .

Gevonden is nu dat het mogelijk is om door de samenstelling van het te etsen metaal een beïnvloeding van de etsfactor tot stand te brengen die zodanig is dat de diepteëtsing sneller verloopt dan de zijdelingse etsing met andere woorden dat een etsfactor groter dan 1,5 wordt bereikt.It has now been found that it is possible to effect an influence on the etching factor by the composition of the metal to be etched, such that the depth etching proceeds faster than the side etching, in other words that an etching factor greater than 1.5 is achieved. .

In het bijzonder varieert het doorsnede-oppervlak in overeenstemming met een etsfactor tussen 1,8 en 4,0.In particular, the cross-sectional area varies according to an etching factor between 1.8 and 4.0.

Indien een zeefmateriaal wordt gevormd door tweezijdig etsen kan doelmatig de materiaalsamenstelling zodanig zijn dat twee door etspatronen verkregen worden waarbij elk der patronen zich van één zijde van het materiaal over een deel van de dikte van het materiaal uitstrekt.If a sieve material is formed by two-sided etching, the material composition can expediently be such that two by etching patterns are obtained, each of the patterns extending from one side of the material over part of the thickness of the material.

Met voordeel zijn de bij tweezijdig etsen verkregen etspatronen spiegelbeeldig en sluiten op elkaar aan en strekken zich elk over een gelijk deel van de dikte van het materiaal uit, bijvoorbeeld de helft. Ook kan echter zoals hierna zal worden aangegeven, het uitgangsmateriaal voor het zeefmateriaal zodanig zijn opgebouwd dat er een centrale materiaallaag is welke geen stoffen bevat die de etsfactor beïnvloeden of een vaste concentratie daarvan, terwijl bedoelde centrale laag bekleed is met materiaal dat wel een patroonvormig concentratieverloop aan stoffen bevat die de etsfactor beïnvloeden. Genoemde materiaal-lagen kunnen verschillende dikte bezitten doch ook van gelijke dikte zijn. Voorts kunnen de concentratiepatronen aan stof die de etsfactor beïnvloedt in beide bekledingslagen ter weerszijde van de centrale laag gelijk of verschillend zijn.Advantageously, the etching patterns obtained in two-sided etching are mirror-like and match one another and each extend over an equal part of the thickness of the material, for example half. However, as will be indicated below, the starting material for the sieve material can also be constructed in such a way that there is a central material layer which does not contain substances that influence the etching factor or a fixed concentration thereof, while the said central layer is coated with material which does have a pattern-like concentration course contains substances that influence the etching factor. Said material layers can have different thicknesses, but they can also be of equal thicknesses. Furthermore, the concentration patterns of dust affecting the etching factor in both coatings on either side of the central layer may be the same or different.

Het zal duidelijk zijn dat zeefmateriaal volgens de uitvinding velerlei vormen kan bezitten waarbij het doorsnedeoppervlak van de openingen over de dikte van het materiaal naar wens kan worden gevarieerd.It will be clear that the screen material according to the invention can take many forms, the cross-sectional area of the openings varying over the thickness of the material as desired.

Op deze wijze is een zeefmateriaal uit metaal te verkrijgen dat een grote dikte paart aan een hoge fijnheid.In this way a sieve material of metal is obtained which combines a great thickness with a high fineness.

De uitvinding heeft eveneens betrekking een werkwijze voor het vormen van een metalen uitgangsmateriaal voor toepassing bij door fotoëtsing vervaardigen van een zeefmateriaal waarin het uitgangsmateriaal wordt gevormd door electrolytisch neerslaan van metaal op een matrijs gevolgd door afnemen van een metaalneerslag van de matrijs die wordt gekenmerkt het metaalneerslag wordt verkregen door toepassing van een electrolytisch bad waarin zich één of meer stoffen bevinden die de etsfactor van het gevormde metaalneerslag beïnvloeden en de concentratie aan etsfactor beïnvloedende stof volgens een voorafbepaald patroon tijdens het vormen van het neerslag wordt gevarieerd.The invention also relates to a method of forming a metal stock material for use in photo-etching a screen material in which the stock material is formed by electrolytically depositing metal on a mold followed by removing a metal deposit from the mold characterized by the metal deposit is obtained by using an electrolytic bath containing one or more substances which influence the etching factor of the metal deposition formed and the concentration of etching factor influencing substance is varied according to a predetermined pattern during the formation of the precipitate.

Gebleken is namelijk dat er stoffen zijn die bij inbouw in een elektrolytisch gevormd metaalneerslag de etsfactor in hoge mate beïnvloeden en die met name er voor zorgen dat de bij een bepaalde mate van diepteëtsing behorende mate van zijdelingse etsing significant kleiner is dan de diepteëtsing. Dit houdt in dat in dergelijke gevallen de etsfactor veel groter is dan 1.It has been found that there are substances which, when incorporated into an electrolytically formed metal deposit, have a high influence on the etching factor and which in particular ensure that the degree of lateral etching associated with a certain degree of depth etching is significantly smaller than the depth etching. This means that in such cases the etching factor is much greater than 1.

Zoals eerder is besproken kan door kiezen van een geschikt concentratieverloop aan etsfactor beïnvloedende stof de etsfactor naar wens worden ingesteld tussen 1,5 en 5, in het bijzonder tussen 1,8 en 4.As discussed earlier, by choosing an appropriate concentration course of etching factor influencing substance, the etching factor can be adjusted as desired between 1.5 and 5, in particular between 1.8 and 4.

Wat betreft de soort stof die kan worden toegepast voor het beïnvloeden van etsfactor voldoen met name stoffen die eigenschappen vertonen van glansmiddelen der eerste en tweede klasse, terwijl ook andere organische additieven die gebruikelijk worden toegepast in elektrolytische baden de eigenschap hebben dat ze de etssnelheid beïnvloeden.As for the type of material that can be used to influence etching factor, particularly those which exhibit properties of first and second class brighteners are satisfactory, while other organic additives commonly used in electrolytic baths also have the property of affecting etching rate.

Een aantal van dergelijke additieven wordt genoemd in het boek Modern Electro Plating, 3e editie, 1973, John Whiley & Sons, Incorporated, blz. 296 e.v.A number of such additives are mentioned in the book Modern Electro Plating, 3rd edition, 1973, John Whiley & Sons, Incorporated, p. 296 ff.

In het bijzonder zijn goede resultaten verkregen wanneer de stof die de etsfactor beïnvloedt is gekozen uit butyndiol, ethyleencyanohydrine en dinatriummeta-benzeendisulfonzuur.In particular, good results have been obtained when the substance affecting the etching factor is selected from butyn diol, ethylene cyanohydrin and disodium meta benzene disulfonic acid.

Met name voor het verkrijgen van grote fijnheden is het van belang dat de concentratie aan etsfactor beïnvloedende stof in het metaalneerslag in een richting die tegengesteld is aan de etsrichting toeneemt. Op die wijze wordt verkregen dat de bovenzijde van een perforatie slechts weinig groter wordt dan de opening in het betreffende ets-patroon en dat zelfs een gat kan worden verkregen met nagenoeg evenwijdig aan de etsrichting verlopende wanden of zelfs in de etsrichting wijkende wanden.It is important, in particular for obtaining large finenesses, that the concentration of etching factor-influencing substance in the metal deposition increases in a direction opposite to the etching direction. In this way it is obtained that the top side of a perforation becomes only slightly larger than the opening in the respective etching pattern and that a hole can even be obtained with walls extending substantially parallel to the etching direction or even walls that deviate in the etching direction.

In het bijzonder wordt in de werkwijze volgens de uitvinding een uitgangsmateriaal gevormd door het elektro-lytisch neerslaan van een basisneerslag waarin zich geen stof bevindt die de etsfactor beïnvloedt dan wel een vaste concentatie daarvan en dat bedoeld basisneerslag wordt verdikt in één bad of een reeks van opvolgende baden en waarbij men in bedoeld bad of in bedoelde reeks van opvolgende baden de concentratie aan de etsfactor beïnvloedende stof volgens een voorafbepaald patroon varieert.In particular, in the method according to the invention, a starting material is formed by the electrolytic deposition of a base precipitate in which there is no substance which influences the etching factor or a solid concentration thereof, and that said basic precipitate is thickened in one bath or a series of successive baths and in which in said bath or in said series of successive baths the concentration of the etching factor influencing substance varies according to a predetermined pattern.

Bij de opbouw van een metaalneerslag kan tijdens het opgroeien de concentratie aan etsfactor beïnvloedende stof bijvoorbeeld in de tijd worden verhoogd, om er voor te zorgen dat de hoogste concentratie aan etsfactor beïnvloedende stof zich aan het oppervlak bevindt dat het eerst met de etsvloeistof in aanraking komt.For example, during the build-up of a metal deposit, the concentration of etching factor influencing substance may be increased over time during growth to ensure that the highest concentration of etching factor influencing substance is on the surface that comes into contact with the etching liquid first .

Uiteraard kan ook een dergelijk concentratieverloop in een reeks van opvolgende baden aanwezig zijn waarin steeds een deel van de verdikkingsbewerking wordt uitgevoerd.Naturally, such a course of concentration can also be present in a series of successive baths in which part of the thickening operation is always carried out.

In een voordelige uitvoeringsvorm van de werkwijze voor het vormen van een uitgangsmateriaal wordt het basisneerslag van de matrijs waarop het is gevormd afgenomen waarna bedoeld basisneerslag, na opspanning, wordt onderworpen aan een verdikkingsbewerking of een serie op elkaar volgende verdikkingsbewerkingen in een serie baden met een oplopende concentratie aan etsfactor beïnvloedende stof.In an advantageous embodiment of the method of forming a starting material, the base deposit of the mold on which it is formed is taken off, after which said base deposit, after clamping, is subjected to a thickening operation or a series of successive thickening operations in a series of ascending baths concentration of etching factor influencing substance.

In het bad of de reeks van baden dient de concentratie aan etsfactor beïnvloedende stof enerzijds verhoogd te worden om te compenseren voor het verlies aan bedoelde stof door inbouw in het neerslag terwijl anderzijds een extra verhoging nodig is om te zorgen voor het gewenste concentratieprofiel aan etsfactor beïnvloedende stof gedurende de opbouw van de metaallaag.In the bath or series of baths, the concentration of etching factor influencing substance must be increased on the one hand to compensate for the loss of the intended substance by incorporation into the precipitate, while on the other hand an additional increase is required to ensure the desired concentration profile of etching factor influencing dust during the build-up of the metal layer.

In een zeer voordelige uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding wordt het van een matrijs afgenomen basisneerslag aan twee zijden in een verdikkingsbewerking voorzien van een metaalneerslag waarbij in bedoeld metaalneer-slag een geschikt, voorafbepaald concentratieverloop aan etsfactor beïnvloedende stof wordt gevormd.In a very advantageous embodiment of the method according to the invention, the base deposited from a mold is provided with a metal deposition on two sides in a thickening operation, in which a suitable predetermined concentration course of etching factor-influencing substance is formed in said metal deposition.

Uiteraard kan een dergelijk aan twee zijden bekleed basisneerslag ook voor de bekleding aan één zijde op de matrijs gelaten worden, waarna het aldus éénzijdig verdikt basisneerslag van de matrijs wordt afgenomen en de andere zijde van een neerslag wordt voorzien; deze werkwijze is met name toepasbaar bij vlakke, velvormige zeefmaterialen.Of course, such a base layer coated on two sides can also be left on the mold for the coating on one side, after which the base layer thus thickened on one side is removed from the mold and the other side is provided with a precipitate; this method is particularly applicable to flat, sheet-shaped sieve materials.

De uitvinding heeft tenslotte betrekking op een etswerk-wijze voor het vormen van een metalen zeefmateriaal waarin een metalen uitgangsmateriaal wordt voorzien van een etsweer-standspatroon waarna wordt geëtst die wordt gekenmerkt dat als uitgangsmateriaal een uitgangsmateriaal wordt toegepast dat is verkregen met behulp van de werkwijze volgens de uitvinding zoals hiervoor is beschreven.The invention finally relates to an etching process for forming a metal screen material in which a metal starting material is provided with an etching resistance pattern, after which etching is characterized, characterized in that a starting material obtained using the method according to the method is used as the starting material. the invention as described above.

De uitvinding zal nu worden toegelicht aan de hand van de tekening waarin:The invention will now be elucidated on the basis of the drawing, in which:

Figuur 1 een grafiek voorstelt van het normale concentratieverloop aan etsfaktor beïnvloedende stof over de dikte van een neerslag als gevolg van uitputting van het elektrolyse-bad.Figure 1 presents a graph of the normal concentration trend of etching factor influencing substance over the thickness of a precipitate due to depletion of the electrolysis bath.

Figuur 2 een concentratieverloop voorstelt aan etsfaktor beïnvloedende stof als gevolg van extra toevoegingen tijdens de opgroeibewerking.Figure 2 shows a concentration variation of etching factor influencing substance as a result of additional additives during the growing-up operation.

Figuur 3 schematisch een door etsen gevormd gat in een metaalneerslag laat zien.Figure 3 schematically shows an etched hole in a metal deposit.

Figuur 4 schematisch het verloop van het etsingsproces toont bij vorming van een zeefmateriaal volgens de uitvinding.Figure 4 schematically shows the course of the etching process when a sieve material according to the invention is formed.

Figuur 5 schematisch een doorsnede toont van een opening die is geëtst in een aan twee zijden met metaal bekleed basisneerslag.Figure 5 schematically shows a cross-section of an opening etched in a two-sided metal coated base deposit.

In figuur 1 is te zien het concentratieverloop aan de etsfactor beïnvloedende stof over de dikte van een galvanisch gevormd metaalneerslag. Het metaalneerslag kan bijvoorbeeld uit nikkel bestaan terwijl als etsfaktor beïnvloedende stof butyndiol is toegepast. Te zien is dat als gevolg van uitputtingsverschijnselen in het bad de concentratie aan butyndiol afneemt over de dikte van het gevormde neerslag? de concentratie verloopt van CB naar CE zodat de laatst neergeslagen metaallaag de laagste concentratie aan etsfaktor beïnvloedende stof bezit. De concentratie aan etsfaktor beïnvloedende stof is hier in arbitraire eenheden aangegeven.Figure 1 shows the course of concentration of the etching factor influencing substance over the thickness of a galvanically formed metal deposit. The metal precipitate can for instance consist of nickel, while butyndiol is used as the etching factor influencing substance. It can be seen that due to exhaustion phenomena in the bath the concentration of butyndiol decreases over the thickness of the precipitate formed? the concentration ranges from CB to CE so that the last deposited metal layer has the lowest concentration of etching factor influencing substance. The concentration of etching factor influencing substance is indicated here in arbitrary units.

In figuur 2 is het concentratieverloop in een metaalneerslag getoond bij toepassing van de werkwijze volgens de uitvinding waarbij men gedurende het opgroeien van het neerslag de badconcentratie gecontroleerd verhoogt om te compenseren voor uitputting en om zorg te dragen voor een concentratieverhoging in het metaalneerslag gedurende de afzetting ervan.Figure 2 shows the concentration course in a metal deposition using the method according to the invention, in which the bath concentration is increased in a controlled manner during the growth of the precipitate in order to compensate for exhaustion and to ensure an increase in concentration in the metal deposition during its deposition. .

Te zien is dat bij de einddikte de concentratie is gestegen naar Cg.It can be seen that at the final thickness the concentration has increased to Cg.

In beide figuren is er van uitgegaan dat het uitgangsmateriaal is gevormd door op een basisneerslag met een dikte D_ een verdikkende metaallaag te vormen zodat deIn both figures it is assumed that the starting material is formed by forming a thickening metal layer on a base deposit with a thickness D_ so that the

BB

totale dikte van het materiaal na het neerslagproces uitkomt op De·total thickness of the material after the precipitation process amounts to De

In figuur 3 is aangegeven dat een holte is geëtst in een metaalneerslag, b.v. uit nikkel of koper, 1 waarop zich een lakpatroon 2 bevindt met een opening erin waardoorheen etsvloeistof, b.v. FeCl^,, het metaal kan bereiken.Figure 3 indicates that a cavity is etched in a metal deposit, e.g. of nickel or copper, 1 on which there is a lacquer cartridge 2 with an opening therein through which etching liquid, e.g. FeCl 3,, can reach the metal.

Te zien is dat bij de etseinddiepte D een onderetsing plaats heeft gevonden over een lengte 0.It can be seen that at etching end depth D an under-etching has taken place over a length 0.

De etsfaktor wordt nu aangegeven als D/0 waarbij onder normale omstandigheden zonder speciale maatregelen een factor 1 a 2 gebruikelijk is terwijl volgens de uitvinding waarden tussen 2 a 5 op elk punt over de etsdiepte kunnen worden gerealiseerd.The etching factor is now indicated as D / 0, under normal circumstances a factor of 1 to 2 is usual without special measures, while according to the invention values between 2 to 5 can be realized at any point over the etching depth.

Opgemerkt wordt overigens dat het in de techniek bekend is om zogenaamde "Flankenschutzmittel" in de etsvloei-stof op te nemen in een poging om tijdens het etsen de zijdelingse etsing af te remmen.It is noted, incidentally, that it is known in the art to incorporate so-called "Flankenschutzmittel" into the etching liquid in an attempt to inhibit lateral etching during etching.

Over het inbouwen van speciale de zijdelingse etsing remmende middelen in het metaal dat doorgeëtst moet worden zijn ceen gegevens te ontlenen aan de literatuur die de toepassing van dergelijke "Flankenschutzmiddel" gedurende het etsen beschrijven.As regards the incorporation of special side etch inhibitors into the metal to be etched, data can be gleaned from the literature describing the use of such "Flank protective agent" during etching.

In figuur 4 is schetsmatig het etsverloop weergegeven wanneer een metaalsubstraat wordt doorgeëtst onder toepassing van een fotolakpatroon.Figure 4 shows a sketch of the etching course when a metal substrate is etched using a photoresist pattern.

Bij de vorming van het uitgangsmateriaal werd eerst een basisneerslag 40 gevormd op een matrijs waarna op het basisneerslag een verdikkingsneerslag 41 werd gevormd onder toepassing van een bad of een serie van baden om te waarborgen dat er een vooraf gewenst concentratieverloop aan etsfaktor beïnvloedende stof in het neerslag aanwezig is waarbij de hoogste concentratie etsfaktor beïnvloedende stof zich aan de zijde van het neerslag zal bevinden die tegen het basisneerslag 40 ligt, en die de bovenzijde van het verdikkingsneerslag vormt.In the formation of the starting material, a base deposit 40 was first formed on a mold, and then a thickening deposit 41 was formed on the base deposit using a bath or a series of baths to ensure that there was a pre-desired concentration course of etching factor-affecting substance in the precipitate. is present wherein the highest concentration of etching factor influencing substance will be on the side of the precipitate which is against the base deposit 40, and which forms the top of the thickening deposit.

Voor het uitvoeren van de etsbewerking wordt een fotolakpatroon 42 aangebracht op de bovenzijde van het metaalneerslag met openingen 46 daarin. Met behulp van een etsvloeistofbron 43 wordt een etsvloeistof, bijvoorbeeld FeCl^/ gespoten tegen het fotolakpatroondragend oppervlak aan waarbij de spuitende etsvloeistof schematisch is aangeduid met 44. Door de etsbewerking wordt een opening 47 gevormd waarbij het verloop van het etsingsproces is aangegeven met de gestippelde lijnen. Te zien is dat een grote etsdiepte in dit geval wordt gecombineerd met een betrekkelijk geringe onderetsing van het fotolakpatroon 42.To perform the etching operation, a photoresist pattern 42 is applied to the top of the metal deposit with openings 46 therein. Using an etching liquid source 43, an etching liquid, for example FeCl 2, is sprayed against the photoresist-pattern-bearing surface, the spraying etching liquid being schematically indicated by 44. The etching operation forms an opening 47, the course of the etching process being indicated by the dotted lines. . It can be seen that a large etching depth in this case is combined with a relatively low undercutting of the photoresist pattern 42.

In figuur 5 is in doorsnede getoond een gat dat is gevormd in een metaalneerslag onder toepassing van een tweezijdige etsbewerking. Het metaalneerslag bestaat uit een basisneerslag 50 waarop aan twee zijden metaalneerslagen 51 en 52 zijn gevormd en waarbij het basisneerslag 50 geen etsfaktor beïnvloedende stof bevat terwijl in de verdikkings- neerslagen 51 en 52 een gewenst concentratieverloop aan etsfaktor beïnvloedende stof is aangebracht.Figure 5 is a sectional view of a hole formed in a metal deposit using a two-sided etching operation. The metal deposit consists of a base deposit 50 on which metal deposits 51 and 52 are formed on two sides and wherein the base deposit 50 does not contain an etching factor influencing substance, while in the thickening precipitates 51 and 52 a desired concentration course of etching factor influencing substance is applied.

Aan beide zijden wordt een fotolakpatroon 53 resp.A photoresist pattern 53 resp.

54 gevormd waarin tegenover elkaar liggende openingen 55 en 56 aanwezig zijn. Door etsing wordt nu de opening 57 gevormd waarbij het concentratieverloop aan etsfaktor beïnvloedende stof in de lagen 51 en 52 zodanig is ingesteld dat een zeer geringe mate van onderetsing wordt gecombineerd met een grote diepte-etsing.54 in which opposed openings 55 and 56 are provided. The opening 57 is now formed by etching, the concentration course of etching factor-influencing substance in the layers 51 and 52 being adjusted such that a very small degree of under-etching is combined with a large depth etching.

) Het in figuur 5 gevormde zeefmateriaal heeft een totale dikte van b.v. 1300 micron waarbij het basisneerslag 100 micron dik was waarop aan beide zijden een neerslag van 600 micrometer dikte is opgegroeid. De steekafstand van de openingen 55 en 56 bedroeg in een typisch geval * 1000 micron zodat de uiteindelijke fijnheid van het verkregen zeefmateriaal + 25 mesh bedraagt (het mesh-getal geeft aan het aantal openingen in een zeefmateriaal per strekkende inch).The screen material formed in Figure 5 has a total thickness of e.g. 1300 microns with the base deposit being 100 microns thick on which a precipitate of 600 microns thickness grew on both sides. The pitch distance between the openings 55 and 56 was typically * 1000 microns so that the final fineness of the screen material obtained is + 25 mesh (the mesh number indicates the number of openings in a screen material per linear inch).

Het zeefmateriaal bestond in dit geval uit nikkel terwijl de, de etsfaktor beïnvloedende stof, in de lagen 51 en 52 butyndiol was. Tijdens het vormen van de lagen 51 en 52 liet men de concentratie aan butyndiol in het toegepaste bad toenemen van 0 mg/1 naar 180 mg/1. De gerealiseerde etsfaktor bij het eind der etsing bedroeg aan beide zijden 2,7.The screen material in this case consisted of nickel, while the etching factor influencing substance was butyndiol in layers 51 and 52. During the formation of layers 51 and 52, the concentration of butyndiol in the bath used was increased from 0 mg / l to 180 mg / l. The etching factor realized at the end of the etching was 2.7 on both sides.

Opgemerkt wordt nog dat de hier beschreven substraten zowel een vlakke vorm kunnen bezitten als ook een cilindervorm.It should also be noted that the substrates described here can have both a flat shape and a cylindrical shape.

De toegepaste basismaterialen kunnen bij cilindervormige substraten een dikte bezitten tot ongeveer 200 micron Vervolgens wordt een goed hechtende verdikkingslaag aangebracht.The base materials used can have a thickness of up to about 200 microns for cylindrical substrates. Then a well-adhering thickening layer is applied.

De vorming van het fotolakpatroon wordt gedaan op basis van algemene bekende fotolithografische methoden voor de vorming van een etsweerstandspatroon, bijvoorbeeld onder toepassing van een fotolak.The formation of the photoresist pattern is done on the basis of well-known photolithographic methods for the formation of an etching resistance pattern, for example using a photoresist.

Voor de vorming van een etsweerstandspatroon kan echter ook gebruik gemaakt worden van een lasergravure-werkwijze waarbij met behulp van een laser die gedeelten van een gesloten laklaag worden weggebrand waar doorheen later in de etsbewerking de etsvloeistof in aanraking moet komen met de metalen ondergrond. Bovendien is een laser-belichtingsmethode eveneens toepasbaar waarin selectief delen van een gesloten lichtgevoelige laag worden doorgehard resp. chemisch oplosbaar worden gemaakt, onder toepassing van een daartoe geëigende negatief resp. positief werkende fotolak.For the formation of an etching resistance pattern, however, use can also be made of a laser engraving method in which, with the aid of a laser, those parts of a closed lacquer layer are burned away through which the etching liquid must come into contact with the metal substrate later in the etching operation. In addition, a laser exposure method can also be used in which parts of a closed photosensitive layer are selectively cured or cured. chemically soluble, using an appropriate negative or. positive working photoresist.

Ook voor het nauwkeurig positioneren van de openingen in een etsweerstandspatroon aan beide zijden van een substraat zal met voordeel van een lasergraverings- of laserbelichtings-werkwijze gebruik gemaakt kunnen worden aangezien dergelijke werkwijzen een zeer nauwkeurige positionering mogelijk maken. Voor een dergelijke nauwkeurige positionering wordt verwezen naar de gelijktijdig met de onderhavige aanvrage ingediende Nederlandse octrooiaanvrage nr. (doss.885158/Ba) van Aanvraagster.It is also advantageous to use a laser engraving or laser exposure method for accurately positioning the openings in an etching resistance pattern on both sides of a substrate, since such methods make possible a very accurate positioning. For such precise positioning, reference is made to the applicant's Dutch patent application no. (File 885158 / Ba) filed simultaneously with the present application.

Claims

Screening material of metal obtained by photo-etching from an unperforated material, characterized in that the cross-sectional area of each of the openings (47, 56) of the screen material varies over the thickness according to a predetermined pattern in accordance with a ratio of the etching end depth (D) and the length of side etching (0) below the edge of an etching pattern (2) (the etching factor) between 1.5 and 5.

Screen material according to claim 1, characterized in that the cross-sectional area varies according to an etching factor between 1.8 and 4.0.

Sieve material according to claims 1-2, characterized in that two patterns are obtained by two-sided etching in which the cross-sectional area varies, each of the patterns extending over a part of the thickness.

Sieve material according to claim 3, characterized in that the two cartridges are mirror-image-wise and connect to each other.

A method of forming a metal stock material for use in photo-etching a screen material in which the stock material is formed by electrolytic deposition of metal on a mold followed by removing the metal deposit from the mold, characterized in that the metal deposit is obtained by using an electrolytic bath containing one or more substances which influence the etching factor of the metal deposition formed and the concentration of etching factor influencing substance is varied according to a predetermined pattern during the formation of the precipitate.

Method according to claim 5, characterized in that the substance which influences the etching factor is a substance or a mixture of substances with properties of brighteners of the I and He class.

Process according to claim 6, characterized in that the substance or mixture of substances is selected from butyne diol, ethylene cyanohydrin and disodium metabenzene disulfonic acid.

Method according to claims 5-7, characterized in that during the formation of the precipitate the concentration of etching factor influencing substance is increased according to a predetermined pattern.

Method according to one or more of the preceding claims, characterized in that the metal deposit is formed by electrolytic deposition of a base deposit, in which there is no substance affecting the etching factor or a fixed concentration thereof, and the base deposit is thickened in one bath or a The series of subsequent baths and the concentration of the etching factor influencing substance according to a predetermined pattern is varied.

A method according to claim 9, characterized in that the base deposit is taken from the mold on which it is formed, after which the base deposit is suitably clamped for the subsequent thickening operation.

Method according to claim 10, characterized in that the base deposit is provided with a metal deposit on two sides in a thickening operation.

An etching process for forming a metal screen material in which a metal starting material is provided with an etching resistance pattern and etched, characterized in that the starting material used is a starting material obtained by the method according to one or more of claims 5- 11.