[go: up one dir, main page]

NL8602669A - Reference electrode e.g. for catheter tip has cavity for chemfet - as ion-selective electrode in electrolyte and with capillary to outside formed in plate sandwiched between FET substrate and polymer layer - Google Patents

Reference electrode e.g. for catheter tip has cavity for chemfet - as ion-selective electrode in electrolyte and with capillary to outside formed in plate sandwiched between FET substrate and polymer layer Download PDF

Info

Publication number
NL8602669A
NL8602669A NL8602669A NL8602669A NL8602669A NL 8602669 A NL8602669 A NL 8602669A NL 8602669 A NL8602669 A NL 8602669A NL 8602669 A NL8602669 A NL 8602669A NL 8602669 A NL8602669 A NL 8602669A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
reference electrode
capillary
chemfet
ion
electrode
Prior art date
Application number
NL8602669A
Other languages
Dutch (nl)
Original Assignee
Sentron V O F
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sentron V O F filed Critical Sentron V O F
Priority to NL8602669A priority Critical patent/NL8602669A/en
Publication of NL8602669A publication Critical patent/NL8602669A/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403Cells and electrode assemblies
    • G01N27/414Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/28Electrolytic cell components
    • G01N27/30Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
    • G01N27/301Reference electrodes

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)

Abstract

Reference electrode element (10) comprises a cavity (12) contg. a ChemFET (Field Effect Transistor) chip as an ion-selective electrode within an electrolyte with constant concn. of the ion concerned, a capillary (13) to permit pre-determined liq. diffusion via an opening (11) connecting with a liq. outside the element, and terminals (22,23) to connect the FET in a measuring circuit. The cavity (12) and the capillary (13) form an integral hollow space in a plate (4) of electrically insulating material which is sandwiched between the FET (on silicon substrate 1) and a polymer layer (7) secured on the plate and contg. the opening (11). The plate (4) may comprise SiO2 or Si3N4 but pref. comprises poly-imide.

Description

VV

i .►* VO 8441 ' Uitvinders:-Hendrikus Cornells Geerti .► * VO 8441 'Inventors: -Hendrikus Cornells Geert

Ligtenberg -Rutger_Jan Reddingius________Ligtenberg -Rutger_Jan Reddingius________

Titel: Op een ChemFET gebaseerde referentie-elektrodeTitle: ChemFET based reference electrode

De uitvinding heeft betrekking op een referentie-elektrode omvattende een houder; een binnen de houder opgestelde ChemFET chip als 5 een ion-selectieve electrode; een in de houder aangebraehte elektrolyt met een constante concentratie aan het ion waarvoor de elektrode selektief gevoelig is; een capillair waarmee via een opening in de wand 10 van de houder een diffusie-beheerste vloeistofverbinding met een rond de referentie-elektrode aan te brengen vloeistof kan worden onderhouden, en middelen voor het elektrisch geleidend opnemen van de referentie-elektrode in een elektrisch circuit.The invention relates to a reference electrode comprising a holder; a ChemFET chip disposed within the container as an ion-selective electrode; an electrolyte applied in the container with a constant concentration of the ion to which the electrode is selectively sensitive; a capillary with which a diffusion-controlled liquid connection with a liquid to be applied around the reference electrode can be maintained via an opening in the wall 10 of the holder, and means for electrically conducting the reference electrode in an electric circuit.

15 Een dergelijke referentie-elektrode is geopenbaard in een artikel van Pierre A. Comte en Jiri Janata in Analytica Chimica Acta 101 (1978) 247-252, getiteld "A Field Effect Transistor as a Solid State Reference Electrode".Such a reference electrode is disclosed in an article by Pierre A. Comte and Jiri Janata in Analytica Chimica Acta 101 (1978) 247-252 entitled "A Field Effect Transistor as a Solid State Reference Electrode".

De constructie van deze bekende referentie-elektrode 20 kan aan de hand van de vervaardigingswijze ervan worden omschreven als een ISFET chip die omhuld is met een harsmateriaal zoals een epoxy-hars waarbij voorts rond de ISFET gate in het omhulsel uit epoxy-hars een reservoir en daarna over de gate een voor H+ ionen selectief gevoelige 25 laag worden aangebracht, vervolgens het reservoir wordt voorzien van een 1% agarosegel, beschikbaar gesteld met een geschikte buffer, waarna een capillair (lengte 200 jam, diameter ca. 20 ^im) in de gel wordt gestoken. Tenslotte wordt het reservoir gesloten, eveneens met epoxy-hars.The construction of this known reference electrode 20 can be described by its method of manufacture as an ISFET chip coated with a resin material such as an epoxy resin further including a reservoir around the ISFET gate in the epoxy resin shell and then a H + ion selectively sensitive layer is applied over the gate, then the reservoir is provided with a 1% agarose gel, made available with a suitable buffer, after which a capillary (length 200 µm, diameter approx. 20 µm) is placed in the gel is put. Finally, the reservoir is closed, also with epoxy resin.

30 Doel van de uitvinding is de verschaffing van 6602668 "¥ -2- een referentie-elektrode van de in de aanhef vermelde soort waarbij geen capillair als een afzonderlijk los orgaan wordt toegepast.The object of the invention is to provide 6602668 "-2" a reference electrode of the type mentioned in the preamble, in which no capillary is used as a separate separate member.

Volgens de uitvinding zijn daartoe de houder en 5 het capillair uitgevoerd als een integrale holle ruimte, aangebracht binnen een plaat uit een elektrisch isolerend materiaal, die is samengesteld tot een sandwichconstructie met aan de ene zijde de ChemFET chip en aan de andere zijde een deklaag uit een op de plaat uit elektrisch isolerend mate- 10 riaal te hechten polymeermateriaal, in welke deklaag een opening is aangebracht als een wandopening waardoor het capillair via de diffusie-beheerste vloeistofverbinding met de rond de referentie-elektrode aan te brengen vloeistof in elektrochemisch contact kan worden gebracht.According to the invention, the holder and the capillary are designed for this purpose as an integral hollow space, arranged within a plate of an electrically insulating material, which is assembled into a sandwich construction with the ChemFET chip on one side and a coating on the other side. a polymer material to be bonded to the plate of electrically insulating material, in which cover layer an opening is arranged as a wall opening through which the capillary can be electrochemically contacted via the diffusion-controlled liquid connection with the liquid to be applied around the reference electrode brought.

15 Voorbeelden van het elektrisch isolerende materiaal zijn SiC>2 (CVP), Si^N^ (PECVP) en polyimideraater iaal. Van deze elektrisch isolerende materiaal heeft polyimide-materiaal de voorkeur.Examples of the electrically insulating material are SiC> 2 (CVP), Si ^ N ^ (PECVP) and polyimide material. Of this electrically insulating material, polyimide material is preferred.

De referentie-elektrode volgens de uitvinding is ten 20 opzichte van de bekende op ISFET basis vervaardigde referen-tie-elektrode, geplanariseerd met als een van de voordelen dat de vervaardiging ervan past binnen de IC-technologie zoals die gebruikelijkerwijze bij de vervaardiging van FETs wordt toegepast.The reference electrode according to the invention, compared to the known ISFET-based reference electrode, is planarized with one of the advantages that its manufacture fits within the IC technology as conventionally used in the manufacture of FETs applied.

25 De uitvinding wordt aan de hand van de tekening, die een uitvoeringsvoorbeeld van een referentie-elektrode toont, nader toegelicht. In de tekening toont figuur 1 in doorsnede een bekende, op een pH ISFET gebaseerde referentie-elektrode; 30 figuur 2 in doorsnede een referentie-elektrode volgens de uitvinding; figuur 3 perspectivisch in bovenaanzicht en gedeeltelijk weggebroken de referentie-elektrode volgens figuur 2 , en 35 figuur 4 in bovenaanzicht afzonderlijk de houderThe invention is explained in more detail with reference to the drawing, which shows an exemplary embodiment of a reference electrode. In the drawing, figure 1 shows in cross-section a known reference electrode based on a pH ISFET; Figure 2 shows in cross section a reference electrode according to the invention; figure 3 is a perspective view in top view and partly broken away of the reference electrode according to figure 2, and figure 4 in top view separately the holder

8 6 0 2 6 6 S8 6 0 2 6 6 S

% l \ ► -3- of reservoir en het capillair, samengesteld tot een integrale eenheid.% l \ ► -3- or reservoir and the capillary, assembled into an integral unit.

De in figuur 1 getoonde bekende referentie-elektrode 100 is samengesteld uit een ISFET chip, omvattende een sub-5 straat 101 uit silicium halfgeleidermateriaal waarin, gescheiden, een drain 102 en een source 103 zijn gediffundeerd met een aan die van het substraat tegengestelde polariteit waarbij het gate gebied van de ISFET chip is bekleed met een selectief voor H+ ionen gevoelige 10 laag zoals schematisch door 108 is aangegeven.The known reference electrode 100 shown in Figure 1 is composed of an ISFET chip, comprising a substrate 101 of silicon semiconductor material in which, separately, a drain 102 and a source 103 are diffused with a polarity opposite to that of the substrate, wherein the gate region of the ISFET chip is coated with a selective H + ion sensitive layer as indicated schematically by 108.

Door 105 is een reservoir aangegeven, omgeven door wand 104 uit epoxy-materiaal. Het reservoir is gevuld met een pH buffer. Het reservoir is aan de bovenzijde afgesloten door een deklaag 107 uit 15 het epoxy-materiaal. Door de deklaag 107 is een capillair 106 gestoken door tussenkomst waarvan de referentie-elektrode via langzame diffusie van ionen in elektrisch geleidende verbinding kan worden gebracht met de te onderzoeken vloeistof waarin de referentie-elektrode, 20 opgenomen in een meetcircuit, wordt aangebracht.105 denotes a reservoir surrounded by wall 104 of epoxy material. The reservoir is filled with a pH buffer. The reservoir is closed at the top by a coating 107 of the epoxy material. A capillary 106 is passed through the covering layer 107, through which the reference electrode can be introduced into an electrically conductive connection via slow diffusion of ions with the liquid to be examined, in which the reference electrode, incorporated in a measuring circuit, is applied.

Het uitvoeringsvoorbeeld van een referentie-elektrode volgens de uitvinding zoals weergegeven in figuren 2-4, is eveneens de bekende referentie-elektrode gebaseerd op een FET, in het bijzonder een 25 ChemFET met een Ag/AgCl gate en derhalve selectief gevoelig voor Cl ionen.The exemplary embodiment of a reference electrode according to the invention as shown in Figures 2-4 is also the known reference electrode based on an FET, in particular a ChemFET with an Ag / AgCl gate and therefore selectively sensitive to Cl ions.

De referentie-elektrode volgens de uitvinding 10 is wederom samengesteld uit een silicium substraat 1 met daarin gediffundeerd drain en source gebieden 30 2 respectievelijk 3. Door 6 is een Ag/AgCl gate aangegeven met een kern 8 uit zilver en een buitenste laag uit AgCl 9.The reference electrode according to the invention 10 is again composed of a silicon substrate 1 with diffused drain and source regions 30 2 and 3 respectively. Through 6 an Ag / AgCl gate is indicated with a core 8 of silver and an outer layer of AgCl 9 .

Met 5 is een reservoir aangegeven dat is uitgespaard in een plaat 4 uit een poiyimide-materiaal waarmee 8602668 -4- Λ het substraat 1 is bekleed, in welk reservoir een chloride-houdende elektrolyt in gelvorm is aangebracht.5 denotes a reservoir recessed in a plate 4 of a polyimide material with which the substrate 1 is coated, in which reservoir a chloride-containing electrolyte in gel form is arranged.

Elektrochemisch contact met de vloeistof, waarin de referentie-elektrode bij meting is aangebracht, 5 vindt plaats via effusie-opening 11 in de deklaag 7 waarmee het reservoir is afgesloten.Electrochemical contact with the liquid in which the reference electrode has been applied during measurement takes place via effusion opening 11 in the cover layer 7 with which the reservoir is closed.

Uit figuur 3 en figuur 4 blijkt dat het reservoir 5 is samengesteld als een integrale eenheid uit een elektrode-compartiment 12 en een capillair 13. De 10 capillair 13 bevat een verwijding die dient als een bufferreservoir 14, dat uiteraard eveneens voorzien is van de chloride-ionen houdende elektrolyt en waardoor een extra beveiliging wordt verkregen in handhaving van de chloride-concentratie in het elektrodecompartiment 15 12 bij het eventueel in of uit diffunderen via de opening 11 van chloride ionen naar of van dé de referentie-elektrode omgevende vloeistof. De drain en source 2, 3 zijn via de aansluitelementen 22 respectievelijk 23 elektrisch geleidend in een meetcircu.it op te nemen.It can be seen from figure 3 and figure 4 that the reservoir 5 is composed as an integral unit of an electrode compartment 12 and a capillary 13. The capillary 13 contains a widening which serves as a buffer reservoir 14, which of course also contains the chloride ions containing electrolyte and whereby an additional protection is obtained in maintaining the chloride concentration in the electrode compartment 12 when diffusing into or out of chloride ions via orifice through the opening 11 to or from the liquid surrounding the reference electrode. The drain and source 2, 3 can be electrically conductively incorporated in a measuring circuit via the connecting elements 22 and 23 respectively.

20 Bij de keuze van de afstand van het elektrode compartiment 12 tot de opening 11 die samenhangt met de diffusieweerstand van het capillair 13, anders gezegd de lengte van het diffusiepad voor diffunderende ionen, wordt rekening gehouden met de samenstelling van de 25 te meten vloeistof in het bijzonder de chlorideconcentratie daarvan zodanig, dat gedurende de meting de chlorideconcentratie van de met de Ag/AgCl gate in aanraking zijnde elektrolyt niet noemenswaardig verandert.When choosing the distance from the electrode compartment 12 to the opening 11, which is related to the diffusion resistance of the capillary 13, in other words the length of the diffusion path for diffusing ions, the composition of the liquid to be measured in account is taken into account. in particular the chloride concentration thereof such that during the measurement the chloride concentration of the electrolyte in contact with the Ag / AgCl gate does not change significantly.

De deklaag 7 is gevormd uit een polymeermateriaal 30 waarmee een hechte verbinding met het polyimide kan worden verkregen. Een voorbeeld hiervan is een door UV polymeriserende acrylaatpolymeer. Het polyimidemateriaal op zijn beurt heeft ten opzichte van het siliciumsubstraat uitstekende hechteigenschappen. Overigens kan men 8602665 $ -5- voor het vervaardigen van de referentie-elektrode, bijvoorbeeld voor het aanbrengen in het polyimide-materiaal van de voor elektrodecompartiment 12 en capillair 13 bestemde holten, het hechten van het 5 polyimidemateriaal op het siliciumsubstraat en het afsluiten ervan met een deksel uit een polymeermateriaal, te werk gaan op een wijze zoals beschreven is in de Nederlandse octrooiaanvrage 8602569.The cover layer 7 is formed from a polymer material 30 with which a close connection with the polyimide can be obtained. An example of this is a UV polymerizing acrylic polymer. The polyimide material, in turn, has excellent adhesion properties to the silicon substrate. Incidentally, one can use 8602665 $ -5- for the manufacture of the reference electrode, for example for arranging in the polyimide material the cavities intended for electrode compartment 12 and capillary 13, adhering the polyimide material to the silicon substrate and sealing it off. with a lid of a polymer material, proceed in the manner described in Dutch patent application 8602569.

Meer in het bijzonder kan een referentie-elektrode 10 volgens de uitvinding, op basis van een ChemFET met een Ag/AgCl gate van een in de tekening, figuren 2-4, getoonde uitvoeringsvorm als volgt worden vervaardigd.More specifically, a reference electrode 10 according to the invention, based on a ChemFET with an Ag / AgCl gate of an embodiment shown in the drawing, Figures 2-4, can be manufactured as follows.

Op het substraat van een ChemFET met een Ag/AgCl gate wordt ter plaatse van de te vormen capillair 15 een strook uit bijvoorbeeld aluminium gelegd. Over de strook wordt een laag siliciumoxyde aangebracht die ter weerszijden van de langsranden van de aluminium strook op het substraat is gehecht. De afmeting van de laag SiO^ wordt zodanig gekozen dat de kopeinden 20 van aluminium strook onbedekt blijven. Het geheel wordt vervolgens in een etsmiddel voor aluminium, dat bij het etsen geen gas vormt, gelegd en de aluminium strook weggeëtst onder vorming van een capillair met bijvoorbeeld een lengte van 200 ji, een breedte van 25 10 ji en een hoogte van 500 Ü. ·A strip of, for example, aluminum is placed on the substrate of a ChemFET with an Ag / AgCl gate at the location of the capillary to be formed. A layer of silicon oxide is applied over the strip, which is adhered to the substrate on either side of the longitudinal edges of the aluminum strip. The size of the SiO 2 layer is chosen such that the head ends 20 of aluminum strip remain uncovered. The whole is then placed in an etchant for aluminum, which does not form a gas during etching, and the aluminum strip is etched away to form a capillary with, for example, a length of 200 µl, a width of 25 µl and a height of 500 µl. ·

De open uiteinden van het capillair worden afgesloten door middel van kappen uit een wegetsbaar materiaal, bijvoorbeeld wederom uit aluminium. Vervolgens wordt over het substraat aan de zijde van de Ag/AgCl 30 gate en het capillair een relatief dikke laag uit polyimidemateriaal aangebracht. Aan het ene uiteinde van het capillair ter plaatse van de Ag/AgCl gate en aan het tegenover liggende uiteinde van het capillair worden in de polyimidelaag de gewenste holten voor 860 2 6 65 * * -6- respectievelijk het elektrode-compartiment en de effusie-opening geëtst. Vervolgens worden de aluminium kappen waarmee de uiteinden van de capillair zijn afgesloten, weggeëtst en is de aldus geprepareerde ChemFET zover 5 gereed dat de in de polyimidelaag aangebrachte holten respectievelijk het capillair met de chloride houdende elektrolyt kunnen worden gevuld. Het vullen van het capillair vindt daarbij vanuit een holte automatisch plaats onder invloed van de capillaire werking. De 10 chloride houdende elektrolyt is van een samenstelling die na enige tijd leidt tot geleren of door middel van UV polymerisatie tot gelering kan worden gebracht.The open ends of the capillary are closed by caps of a etchable material, for instance again of aluminum. A relatively thick layer of polyimide material is then applied over the substrate on the side of the Ag / AgCl 30 gate and the capillary. At one end of the capillary at the location of the Ag / AgCl gate and at the opposite end of the capillary, in the polyimide layer the desired cavities for 860 2 6 65 * * -6-, respectively, the electrode compartment and the effusion- etched opening. The aluminum caps with which the ends of the capillary are closed are then etched away and the ChemFET thus prepared is ready to such an extent that the cavities provided in the polyimide layer or the capillary can be filled with the chloride-containing electrolyte. The filling of the capillary takes place automatically from a cavity under the influence of the capillary action. The chloride-containing electrolyte is of a composition which after some time leads to gelling or can be gelled by means of UV polymerization.

Over de polyimide laag wordt tenslotte een deklaag uit een op het polyimide hechtend polymeer door toepassing 15 van fotolithografische technieken aangebracht waarin ter plaatse van de daaronder liggende holte in de polyimide laag eveneens een opening wordt uitgespaard met een kleinere doorsnede dan die van de holte in de polyimide laag. Aldus vindt er een fysieke opsluiting 20 van de elektrolyt gel in de holte plaats.Finally, a covering layer of a polymer adhering to the polyimide is applied over the polyimide layer by the use of photolithographic techniques, in which an opening with a smaller diameter than that of the cavity in the polyimide layer is also recessed at the location of the cavity below it in the polyimide layer. polyimide layer. Thus, there is a physical confinement of the electrolyte gel in the cavity.

De vervaardigingswijze van de referentie-elektrode volgens de uitvinding, die geheel past in de IC-technologie, en de geplanariseerde vorm daarvan dragen bij tot de mogelijkheid van een vergaande miniaturisatie van 25 de elektrode die zich daarom goed leent te worden ondergebracht in de tip van een katheter in combinatie met een op een FET gebaseerde sensor, waarmee een katheter kan worden verkregen die bijvoorbeeld in een bloedbaan kan worden gebracht voor in-vivo onderzoek.The manufacturing method of the reference electrode according to the invention, which is fully in line with the IC technology, and the planarized form thereof contribute to the possibility of a far-reaching miniaturization of the electrode, which therefore lends itself well to the tip of a catheter in combination with a FET-based sensor, with which a catheter can be obtained which can, for example, be introduced into a bloodstream for in vivo examination.

30 Uiteraard kunnen aan de referentie-elektrode zoals in het voorgaande beschreven en in de tekening getoond is wijzingen worden aangebracht zonder dat men het kader van de uitvinding verlaat.Naturally, changes can be made to the reference electrode as described above and shown in the drawing without departing from the scope of the invention.

8 6 0 2 6 6 98 6 0 2 6 6 9

Claims (3)

1. Referentie-elektrode, omvattende een houder; een binnen de houder opgestelde ChemFET chip als een voor een ion selectief gevoelige elektrode; 5 een in de houder aangebrachte elektrolyt met een constante concentratie aan het ion waarvoor de elektrode selectief gevoelig is; een capillair waarmee via een opening in de wand van de houder een diffusie-beheerste open vloeistof-10 verbinding met een rond de referentie-elektrode aan te brengen vloeistof kan worden onderhouden, en middelen voor het elektrisch geleidend opnemen van de referentie-elektrode in een elektrisch circuit, m et het kenmerk, dat de houder en het 15 capillair zijn uitgevoerd als een integrale holle ruimte, aangebracht binnen een plaat uit een elektrisch isolerend materiaal, die is samengesteld tot een sandwichconstructie met aan de ene zijde de ChemFET en aan de andere zijde een deklaag uit een op de plaat uit elektrisch isolerend 20 materiaal te hechten polymeermateriaal, in welke deklaag een opening is gebracht als de wandopening waardoor het capillair via de diffusie-beheerste vloeistofverbinding met de rond de referentie-elektrode aan te brengen vloeistof in elektrochemisch contact kan worden gebracht.Reference electrode, comprising a holder; a ChemFET chip disposed within the container as an ion selectively sensitive electrode; 5 an electrolyte provided in the container with a constant concentration of the ion to which the electrode is selectively sensitive; a capillary with which a diffusion-controlled open liquid connection with a liquid to be applied around the reference electrode can be maintained via an opening in the wall of the holder, and means for electrically conducting the reference electrode in a electrical circuit, characterized in that the container and the capillary are designed as an integral hollow space, arranged within a plate of an electrically insulating material, which is assembled into a sandwich construction with the ChemFET on one side and the ChemFET on the other side a covering layer of a polymer material to be bonded to the plate of electrically insulating material, in which covering layer an opening is introduced as the wall opening, through which the capillary, via the diffusion-controlled liquid connection, with the liquid to be applied around the reference electrode in electrochemical contact can be brought. 2. Referentie-elektrode volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het elektrisch isolerende materiaal een polyimidemateriaal is.Reference electrode according to claim 1, characterized in that the electrically insulating material is a polyimide material. 3. Referentie-elektrode volgens conclusies 1- 2, met het kenmerk, dat de capillair plaatselijk 8602668 % -Βίε verwijd ter vorming van een extra elektrolyt-houdend reservoir. 8602666Reference electrode according to Claims 1 to 2, characterized in that the capillary dilates locally 8602668% to form an additional electrolyte-containing reservoir. 8602666
NL8602669A 1986-10-24 1986-10-24 Reference electrode e.g. for catheter tip has cavity for chemfet - as ion-selective electrode in electrolyte and with capillary to outside formed in plate sandwiched between FET substrate and polymer layer NL8602669A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8602669A NL8602669A (en) 1986-10-24 1986-10-24 Reference electrode e.g. for catheter tip has cavity for chemfet - as ion-selective electrode in electrolyte and with capillary to outside formed in plate sandwiched between FET substrate and polymer layer

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8602669A NL8602669A (en) 1986-10-24 1986-10-24 Reference electrode e.g. for catheter tip has cavity for chemfet - as ion-selective electrode in electrolyte and with capillary to outside formed in plate sandwiched between FET substrate and polymer layer
NL8602669 1986-10-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8602669A true NL8602669A (en) 1988-05-16

Family

ID=19848711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8602669A NL8602669A (en) 1986-10-24 1986-10-24 Reference electrode e.g. for catheter tip has cavity for chemfet - as ion-selective electrode in electrolyte and with capillary to outside formed in plate sandwiched between FET substrate and polymer layer

Country Status (1)

Country Link
NL (1) NL8602669A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0597203A2 (en) * 1992-09-14 1994-05-18 Siemens Aktiengesellschaft Reference electrode
EP1392860A1 (en) * 2001-04-23 2004-03-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Molecular detection chip including mosfet, molecular detection device employing the chip, and molecular detection method using the device
WO2017009510A1 (en) * 2015-07-13 2017-01-19 Consejo Superior De Investigaciones Científicas (Csic) Ion sensor with differential measurement

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0597203A2 (en) * 1992-09-14 1994-05-18 Siemens Aktiengesellschaft Reference electrode
EP0597203A3 (en) * 1992-09-14 1995-12-13 Siemens Ag Reference electrode.
EP1392860A1 (en) * 2001-04-23 2004-03-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Molecular detection chip including mosfet, molecular detection device employing the chip, and molecular detection method using the device
EP1392860A4 (en) * 2001-04-23 2006-11-29 Samsung Electronics Co Ltd Molecular detection chip including mosfet, molecular detection device employing the chip, and molecular detection method using the device
US7781167B2 (en) 2001-04-23 2010-08-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Molecular detection methods using molecular detection chips including a metal oxide semiconductor field effect transistor
US7863140B2 (en) 2001-04-23 2011-01-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of making a molecular detection chip having a metal oxide silicon field effect transistor on sidewalls of a micro-fluid channel
WO2017009510A1 (en) * 2015-07-13 2017-01-19 Consejo Superior De Investigaciones Científicas (Csic) Ion sensor with differential measurement
US10254243B2 (en) 2015-07-13 2019-04-09 Consejo Superior De Investigaciones Cientificas (Csic) Ion sensor with differential measurement

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9651514B2 (en) Integrated pH and conductivity sensor and manufacturing method thereof
JP4312379B2 (en) Reference electrode
KR0152426B1 (en) Reference electrode
US4534825A (en) Method of making an electrochemical sensing cell
US4133735A (en) Ion-sensitive electrode and processes for making the same
US3957612A (en) In vivo specific ion sensor
US11029278B2 (en) Ion sensor based on differential measurement, and production method
GB2236903A (en) "FET sensor apparatus of flow-cell adaptive type and method of manufacturing the same"
ES2402370T3 (en) Improved adhesion of membranes on a nitride layer in electrochemical sensors by fixing them to an underlying oxide layer
US5384031A (en) Reference electrode
US8394247B2 (en) Anion concentration measuring device and anion concentration measuring element
US5039390A (en) Chemically sensitive transducer
JP3318405B2 (en) Reference electrode
US10739305B1 (en) Biosensing systems and methods using a FET
NL8602669A (en) Reference electrode e.g. for catheter tip has cavity for chemfet - as ion-selective electrode in electrolyte and with capillary to outside formed in plate sandwiched between FET substrate and polymer layer
NL8602569A (en) Miniaturised Clark cell type sensor - has chamber with polyimide walls formed on semiconductor substrate and covered with membrane permeable to component to be detected
Juang et al. A fully compatible CMOS-based hydrogen ion sensor using natural forming sensing membrane for urea detecting application
ES2542927B1 (en) Ion sensor based on differential measurement, manufacturing method and measurement method
SU281588A1 (en) SENSITIVE ELEMENT OF CONCENTRATIONION SENSOR
WO2023126225A1 (en) Reference electrode
KR910006275B1 (en) Micro Probe for Ion Concentration Measurement Using Deionized Field Effect Transistor
JP3011964B2 (en) Electrochemical sensor device
Huang et al. A new structured isfet with integrated Ti/Pd/Ag/AgCl electrode and micromachined back‐side P+ contacts
JP2999522B2 (en) Ion sensor
Schöning et al. Microfabricated semiconductor structures—Advances in (bio-) chemical sensing

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed