[go: up one dir, main page]

NL8303316A - Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting voor het uitzenden van licht. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting voor het uitzenden van licht. Download PDF

Info

Publication number
NL8303316A
NL8303316A NL8303316A NL8303316A NL8303316A NL 8303316 A NL8303316 A NL 8303316A NL 8303316 A NL8303316 A NL 8303316A NL 8303316 A NL8303316 A NL 8303316A NL 8303316 A NL8303316 A NL 8303316A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
lens
layer
window
semiconductor device
light
Prior art date
Application number
NL8303316A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8303316A priority Critical patent/NL8303316A/nl
Priority to DE8484201341T priority patent/DE3470364D1/de
Priority to EP84201341A priority patent/EP0137555B1/en
Priority to JP59199671A priority patent/JPS6092688A/ja
Priority to US06/654,834 priority patent/US4692208A/en
Publication of NL8303316A publication Critical patent/NL8303316A/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/855Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

. · * ....... i*.
* W
·» PHN 10.785 1 N.V. Philips' Gleeilampenfahrieken te Eindhoven.
Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting voor het uitzenden-------- van licht.
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het ver-__ vaardigen van een inrichting voor het uitzenden van licht, waarbij qp een drager, die een licht emitterende halfgeleider inrichting draagt, een kap met een vlak, doorzichtig venster geplaatst wordt, welke kap her-5 metisch met de drager verbonden wordt, en welk venster voorzien wordt van een lens. De uitvinding heeft tevens betrekking op een met de werkwijze vervaardigde inrichting voor het uitzenden van licht, bevattende een drager waarop een licht emitterende halfgeleider inrichting is aangebracht, en een op de drager geplaatste, hermetisch daarmee verbonden kap 10 net een van een lens voorzien venster.
Uit het US octrooischrift 3.816.847 is een werkwijze bekend, waarbij op een door een vlakke glasplaat gevormd venster een halfbol-vormige lens bevestigd wordt met behulp van een geschikt hechtmateriaal. Bezwaren van de bekende werkwijze zijn, dat het goed justeren van de 15 lens ten opzichte van de zich in de omhulling bevindende halfgeleider inrichting moeilijk en tijdrovend is en dat aan het hechtmateriaal zeer hoge eisen gesteld moeten worden cm te voor kanen, dat het cp den duur verkleurt of in bechtkracht achteruit gaat.
De uitvinding heeft tot deel een werkwijze aan te geven, die 20 de zekerheid geeft, dat de lens automatisch de juiste plaats ten opzichte van de halfgeleider inrichting inneemt, en waarbij geen hechtmiddel tussen de lens en het venster behoeft te warden aangebracht.
De werkwijze volgens de uitvinding heeft daartoe het kenmerk, dat het venster en de lens gevormd werden door in de kap een doorzichtige 25 plaat aan te brengen, waarvan tenminste een naar de halfgeleider inrichting toegekeerde binnenste laag bestaat uit een materiaal met een hoge brekingsindex, en dat na het verbinden van de kap met de drager op de buitenzijde van de plaat een laag lichtgevoelige lak wordt aangebracht, waarna een deel van de laklaag belicht wordt met door de halfgeleider in-30 richting uitgezonden licht en ontwikkeld wordt, zodat slechts het tegenover de halfgeleider inrichting gelegen, belichte deel achterblijft, welk belichte deel vervolgens verhit wordt tot het snelt en een lakdruppel vormt, waarna de buitenste laag van de plaat en de lakdruppel door middel 83 033 13 ....................... ~............~ ' é ^ % PHN 10.785 2 van een niet-selektieve etsirethode verwijderd worden, zodat tegelijk de tegenover de halfgeleider inrichting gelegen lens en een de lens aragevend vlak venster gevormd worden. Onder een hoge brekingsindex wordt een brekingsindex verstaan, die voor het door de halfgeleider inrichting uitge-5 zonden licht ten minste 1,7 bedraagt. Doordat de lichtgevoelige lak door de halfgeleider inrichting zelf wordt belicht, wordt de lens automatisch gevormd op de plaats, waar het licht van de inrichting uit het venster treedt. Als gevolg van de verhitting smelt de lak, hetgeen in dit verband wil zeggen, dat de lak zodanig vloeibaar wordt of verweekt, dat 10 hij zich als gevolg van de oppervlaktespanning samentrekt tot een ongeveer koepelvormige druppel. Doordat de lens en het venster uit hetzelfde stuk materiaal gevormd zijn, is er voor de verbinding tussen het venster en de lens geen afzonderlijk hechtmiddel nodig.
Een voorkeursvorm van de werkwijze volgens de uitvinding heeft 15 het kenmerk, dat de plaat, waaruit het venster en de lens gevormd worden, aan de naar de buitenzijde van de kap gekeerde zijde, bestaat uit een laag van materiaal met een lagere brekingsindex dan het materiaal van de laag aan de binnenzijde, en dat de etsbewerking tenminste zo lang voortgezet wordt, dat de buitenste laag ter plaatse van de lens geheel ver-20 wijderd wordt. Door de brekingsindex en de dikte van de laag met lage brekingsindex geschikt te kiezen kan men de afmetingen van de lens beïnvloeden. Deze variant van de werkwijze is verwant met een eerder door Aanvraagster voorgestelde werkwijze voor het aanbrengen van een lens op het oppervlak van een niet omhulde halfgeleider laser (NL octrooi-25 aanvrage 8204273, PHN 10.484).
De inrichting volgens de uitvinding heeft het kenmerk, dat de lens en het venster als één geheel uit een laag materiaal met een hoge brekingsindex gevormd zijn. De halfgeleider inrichting is bij voorkeur een halfgeleider laser.
30 De uitvinding zal nu nader worden toegelicht aan de hand van de tekening. Hierin is figuur 1 een doorsnede van een halfgeleider laser in een hermetische omhulling gedurende een eerste fase van de werkwijze volgens de uitvinding, 35 figuur 2 een vergrote weergave van een detail van figuur 1, figuur 3 tot en met 5 weergaven van het met figuur 2 overeenkomende detail gedurende verdere fasen van de werkwijze, en figuur 6 een met figuur 1 overeenkomende doorsnede nadat de w*** λ —t «f? ·» 8 V V -J -J 1 * --- k v « β PHN 10.785 3 werkwijze voltooid is.
De in figuur 1 af geheelde inrichting bevat een metalen drager 1 met een verhoging 3 waarop een licht emitterende halfgeleider inrichting 5, in dit voorbeeld een halfgeleider laser, is aangebracht. Een elektrode 5 van de laser 5 is via de verhoging 3 en een verbindingsdraad 7 verbonden met een eerste aansluitpen 9. De tweede elektrode is via een verbindingsdraad 11 verbonden met een tweede aansluitpen 13. De aansluitpen 13 verloopt via een glazen doorvoer 17 naar de buitenzijde van de drager 1.
Op de drager 1 is een metalen kap 19 geplaatst die hermetisch met de 10 drager verbonden is door middel van een laserverbinding 21. Een hermetische cmhulling van deze soort is bekend uit bijvoorbeeld het ÜS octrooischrift 4.295.152.
De kap 19 heeft tegenover de laser 5 (aan de bovenzijde in figuur 1) een opening die hermetisch is afgesloten door een doorzichtige 15 plaat 23, waardoor licht van de laser kan uittreden. Tijdens de in figuur 1 weergegeven fase van de werkwijze is de plaat 23 aan de buitenzijde (de van de laser 1 afgekeerde zijde) voorzien van een laag lichtgevoelige lak 25. Wanneer de laser 5 een lichtbundel 27 uitzerdt,wordt het onmiddelijk boven de laser gelegen deel van de laklaag 25 belicht.
20 Figuur 2 geeft een vergrote weergave van het onmiddelijk boven de laser 5 gelegen deel van de plaat 23 met de laklaag 25. In figuur 2 is het aktieve deel van de laser 5 met 29 aangegeven. De laklaag 25 bestaat uit een lak die gevoelig is voor het door de laser 5 uitgezonden licht, dat bijvoorbeeld een golflengte van 850 nm heeft. Zulke lak-25 soorten zijn bijvoorbeeld onder de namen Kodak 747 en Solvarist 6000 in de handel verkrijgbaar. Door het belichten wordt de lak minder oplosbaar in de ontwikkelaar.
De plaat 23 bestaat in het weergegeven voorbeeld uit twee lagen, en wel een eerste, aan de.binnenzijde van de omhulling gelegen 30 (naar de laser 5 tcegekeerde) laag 31 van materiaal met een hoge brekingsindex en een tweede, buitenste laag 33 met een lagere brekingsindex.
Het materiaal van de eerste laag 31 heeft een brekingsindex van ten minste 1,7 bij het door de laser 5 uitgezonden licht. Geschokte materialen voor deze laag zijn bijvoorbeeld Y2°3' ^2^3' °^2°3' ^2°3' 35 Yb^, Ga^Qy HfC^, ZnS. Voorts zijn er ook verschillende geschikte glassoorten met een hoge brekingsindex in de handel verkrijgbaar. De . tweede laag bestaat uit materiaal met een lagere brekingsindex zoals bijvoorbeeld SiC^, MgF^ of * e r: r: ’ PHN '10.785 4
De door de laser 5 uitgezonden lichtbundel 27 divergeert in de eerste laag 31 aanzienlijk minder sterk dan in de ruimte tussen de laser en de eerste laag. In de tweede laag 33, waar de brekingsindex lager is, is de divergentie weer groter. Daardoor is de dikte van de 5 buitenste laag 33 in hoge mate bepalend voor de breedte van de bundel 27 ter plaatse van de laklaag 25. De keuze van deze dikte (en uiteraard ook van de brekingsindex) bepaalt dus in hoge mate de zijdelingse uitgestrektheid van het belichte deel 35 van de laklaag 25. Het zal duidelijk zijn, dat de buitenste laag 33 achterwege gelaten kan worden, warneer een 10 vergroting van de breedte van het. belichte deel 35 van de laklaag niet nodig geacht wordt.
Na het belichten wordt de laklaag 25 qp de voorgeschreven wijze ontwikkeld, waarbij het belichte deel 35 achterblijft. De dan ontstane situatie is in figuur 3 weergegeven.
15 Het belichte deel 35 van de lak wordt nu zo ver verhit, dat het smelt. De hiervoor benodigde temperatuur ligt bij de meeste lak-soorten beneden 100° C. Het verhitten kan bijvoorbeeld gebeuren door de gehele inrichting in een oven te plaatsen of door het deel 35 met infrarood licht te bestralen. Bij het smelten gaat het belichte deel 20 over in een lakdruppel 37. De oppervlaktespanning zorgt ervoor, dat het oppervlak van de lakdruppel 37 bol. gaat staan, zoals in figuur 4. te zien is. De vorm en afmetingen van de lakdruppel 37 zijn afhankelijk van de vorm en afmetingen van het belichte deel 35 en worden dus mede bepaald door de dikte van de buitenste laag 33.
25 Nadat de lakdruppel 37 gestold is warden de lakdruppel, de buitenste laag 33 en een deel van de binnenste laag 31 verwijderd door middel van een niet-selektieve etsmethode, waardoor het in figuur 5 getoonde eindresultaat ontstaat. Onder een niet-selektieve etsmethode wordt in dit verband een etsmethode verstaan, die voor de drie materialen van 30 de lagen 25, 33, 31 ongeveer dezelfde etssnelheid heeft, zodat in de laag 31 uiteindelijk een lens 39 ontstaat van ongeveer de vorm. die de lakdruppel 37 had. Een geschikte etsmethode is bijvoorbeeld reactief ionenetsen. Het naast de lens 39 gelegen deel van de laag 31 vormt een vlak venster 41. Uit figuur 5 blijkt duidelijk, dat de lens 39 dank zij 35 de toegepaste werkwijze automatisch precies boven het aktieve deel 29 van de laser 5 gevormd is.
In figuur 6 is de gehele inrichting voor het uitzenden van licht na het beëindigen van de werkwijze nog eens weergegeven in een 8 o 0 ·.> -i * ·> • « EHN 10.785 5 net figuur 1 overeenkcnende doorsnede. Hieruit blijkt, dat tijdens de ets-bewerking nagenoeg geen materiaal van de kap 19 is verwijderd. Dit kan bereikt warden door een etsmethode te kiezen, die weliswaar nagenoeg geen onderscheidt maakt tussen de materialen van de laklaag 25 en de plaat 23, 5 maar het metaal van de kap 19 nagenoeg niet aantast. Ook kan de kap 19 tijdens het etsen door een (niet getekende) laklaag beschermd worden, die de opening in de kap vrijlaat.
10 15 20 25 30 35 Γ·* - --- ^ V r · ; .s ' ’

Claims (5)

1. Werkwijze voor hst vervaardigen van een inrichting voor hst uit zenden van licht, waarbij op een drager (1), die een licht emitterende halfgeleider inrichting (5) draagt, een kap (19) met een vlak, doorzichtig venster geplaatst wordt, welke kap hermetisch'met de drager verbonden 5 wordt, en welk venster voorzien wordt van een lens, met het kenmerk, dat het venster (41) en de lens (39) gevormd worden door in de kap (19) een doorzichtige plaat (23) aan te brengen, waarvan tenminste een naar de halfgeleider inrichting (5) toegekeerde binnenste laag (31) bestaat uit een materiaal met een hoge brekingsindex, en dat na het verbinden van de 10 kap (19) net de drager (1) pp de buitenzijde van de plaat(23) een laag lichtgevoelige lak (25) wordt aangebracht, waarna een deel (35) van de laklaag (25) belicht wordt net door de halfgeleider inrichting (5) uitgezonden licht en ontwikkeld wordt, zodat slechts het tegenover de halfgeleider inrichting (5) gelegen, belichte deel (35) achterblijft, welk 15 belichte deel vervolgens verhit wordt tot het smelt en een lakdruppel (37) vormt, waarna de buitenste laag van de plaat (23) en de lakdruppel (37) door middel van een niet-selektieve etsmethode verwijderd worden, zodat tegelijk de tegenover de halfgeleider inrichting (5) gelegen lens (39) en een de lens omgevend vlak venster (41) gevormd worden.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de plaat (23), waaruit het venster (41) en de lens (39) gevormd warden, aan de naar de buitenzijde van de kap (19) gekeerde zijde bestaat .uit een laag (33) van materiaal net een lagere brekingsindex dan het materiaal van de laag (31) aan de binnenzijde, en dat de etsbewerking tenminste zo lang voort-20 gezet wordt, dat de buitenste laag (33) ter plaatse van de lens (39) geheel verwijderd wordt.
3. Inrichting voor het uitzenden van licht, bevattende een drager (1) waarop een licht emitterende halfgeleider inrichting (5) is aangebracht, en een op de drager geplaatste, hermetisch daarmee verbonden 30 kap (19) met een van een lens (39) voorzien venster (41) vervaardigd met de werkwijze volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat de lens (39) en het venster (41) als één geheel uit een laag materiaal (31) met een hoge brekingsindex gevormd zijn.
4. Inrichting volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat de half-35 geleider inrichting (5) een halfgeleider laser is. o " n ” 7. 1 3 O U *--· V»
5 W
NL8303316A 1983-09-28 1983-09-28 Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting voor het uitzenden van licht. NL8303316A (nl)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8303316A NL8303316A (nl) 1983-09-28 1983-09-28 Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting voor het uitzenden van licht.
DE8484201341T DE3470364D1 (en) 1983-09-28 1984-09-14 Method of manufacturing a light-emitting device
EP84201341A EP0137555B1 (en) 1983-09-28 1984-09-14 Method of manufacturing a light-emitting device
JP59199671A JPS6092688A (ja) 1983-09-28 1984-09-26 発光装置の製造方法
US06/654,834 US4692208A (en) 1983-09-28 1984-09-26 Method of manufacturing a light-emitting device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8303316A NL8303316A (nl) 1983-09-28 1983-09-28 Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting voor het uitzenden van licht.
NL8303316 1983-09-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8303316A true NL8303316A (nl) 1985-04-16

Family

ID=19842460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8303316A NL8303316A (nl) 1983-09-28 1983-09-28 Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting voor het uitzenden van licht.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4692208A (nl)
EP (1) EP0137555B1 (nl)
JP (1) JPS6092688A (nl)
DE (1) DE3470364D1 (nl)
NL (1) NL8303316A (nl)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5432526A (en) 1970-12-28 1995-07-11 Hyatt; Gilbert P. Liquid crystal display having conductive cooling
US5398041A (en) 1970-12-28 1995-03-14 Hyatt; Gilbert P. Colored liquid crystal display having cooling
US4758764A (en) * 1985-06-05 1988-07-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting device for automatic focus adjustment apparatus
JP2593395Y2 (ja) * 1991-04-19 1999-04-05 ローム株式会社 半導体レーザ装置
ES2101074T3 (es) * 1992-10-14 1997-07-01 Ibm Diodo emisor de luz encapsulado y metodo para encapsular el mismo.
FR2713401B1 (fr) * 1993-09-29 1997-01-17 Mitsubishi Electric Corp Dispositif à semiconducteurs optique.
JPH0799368A (ja) * 1993-09-29 1995-04-11 Mitsubishi Electric Corp 光半導体装置
US6090642A (en) * 1996-11-12 2000-07-18 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser diode assembly and method of manufacturing the same
DE10135872A1 (de) * 2001-07-24 2003-02-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Linse
TW200509329A (en) 2003-08-26 2005-03-01 Yung-Shu Yang LED package material and process
US9869464B2 (en) 2015-09-23 2018-01-16 Cooper Technologies Company Hermetically-sealed light fixture for hazardous environments

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1128439A (en) * 1967-07-25 1968-09-25 Associated Semiconductor Mft Improvements in and relating to methods of manufacturing semiconductor device containers
US3733258A (en) * 1971-02-03 1973-05-15 Rca Corp Sputter-etching technique for recording holograms or other fine-detail relief patterns in hard durable materials
DE2117199C3 (de) * 1971-04-08 1974-08-22 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Verfahren zur Herstellung geätzter Muster in dünnen Schichten mit definierten Kantenprofilen
US3806365A (en) * 1971-08-20 1974-04-23 Lee Corp Process for use in the manufacture of semiconductive devices
US3795557A (en) * 1972-05-12 1974-03-05 Lfe Corp Process and material for manufacturing semiconductor devices
JPS5422115B2 (nl) * 1972-05-19 1979-08-04
US3981023A (en) * 1974-09-16 1976-09-14 Northern Electric Company Limited Integral lens light emitting diode
JPS5946434B2 (ja) * 1978-01-10 1984-11-12 キヤノン株式会社 半導体レ−ザ装置
NL178376C (nl) * 1978-06-19 1986-03-03 Philips Nv Koppelelement met een lichtbron en een lens.
JPS55148482A (en) * 1979-05-08 1980-11-19 Canon Inc Semiconductor laser device
DE3227263C2 (de) * 1982-07-21 1984-05-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur Herstellung einer planaren Avalanche-Fotodiode mit langwelliger Empfindlichkeitsgrenze über 1,3 μ

Also Published As

Publication number Publication date
EP0137555A1 (en) 1985-04-17
US4692208A (en) 1987-09-08
JPS6092688A (ja) 1985-05-24
EP0137555B1 (en) 1988-04-06
DE3470364D1 (en) 1988-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8303316A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting voor het uitzenden van licht.
US5604635A (en) Microlenses and other optical elements fabricated by laser heating of semiconductor doped and other absorbing glasses
CN106461891A (zh) 光纤子组件到光电装置的基于视觉的被动对准
EP1048085B1 (en) Led module and luminaire
US7932190B2 (en) Flow control of photo-polymerizable resin
CA2090591A1 (en) Laser light beam generating apparatus
CN107000634A (zh) 用于车辆的反射器
JP2002531361A (ja) ガラス物体にマークを付ける方法
NL7903915A (nl) Informatieregistratieelement.
WO2003069407A1 (en) Display screen and its method of production
AU663081B2 (en) Method of attaching a haptic to an optic of an intraocular lens
US5118452A (en) Method of attaching a haptic to an optic of an intraocular lens
CA2146809A1 (fr) Lunette de vision binoculaire et son procede de montage
JPH11501230A (ja) 触覚子を眼内レンズの光学素子に取付ける方法
EP0826162A1 (en) Fabrication of microlenses and devices that include microlenses
KR20170014768A (ko) 형광필름을 커팅하는 레이저 장비
JPH08330672A (ja) 半導体レーザ装置
US10429022B2 (en) Headlight for a motor vehicle
EP1659641B1 (en) Process for manufacturing light emitting devices and device thereof
JP7457018B2 (ja) 車輌用前照灯の製造方法
JPS6119051A (ja) 医療用反射鏡ハロゲン電球
TW202003294A (zh) 紅外線燈
JPH1039120A (ja) 光学部品接着方法および光ピックアップ装置
JP2004170696A (ja) 光フィルタの固定方法
JPH11160640A (ja) 走査光学装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed