NL161921C - Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, omvattende een halfgeleideroppervlaktelaag, die is aan- gebracht op een hoger gedoteerd halfgeleidersubstraat- gebied en halfgeleiderlichaam, vervaardigd volgens de werkwijze. - Google Patents
Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, omvattende een halfgeleideroppervlaktelaag, die is aan- gebracht op een hoger gedoteerd halfgeleidersubstraat- gebied en halfgeleiderlichaam, vervaardigd volgens de werkwijze.Info
- Publication number
- NL161921C NL161921C NL7301042.A NL7301042A NL161921C NL 161921 C NL161921 C NL 161921C NL 7301042 A NL7301042 A NL 7301042A NL 161921 C NL161921 C NL 161921C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- semi
- conductor
- doted
- manufacturing
- semiconductor substrate
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/912—Displacing pn junction
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/914—Doping
- Y10S438/916—Autodoping control or utilization
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB451372*[A GB1420065A (en) | 1972-01-31 | 1972-01-31 | Methods of manufacturing semiconductor bodies |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL7301042A NL7301042A (nl) | 1973-08-02 |
| NL161921C true NL161921C (nl) | 1980-03-17 |
Family
ID=9778633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL7301042.A NL161921C (nl) | 1972-01-31 | 1973-01-25 | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, omvattende een halfgeleideroppervlaktelaag, die is aan- gebracht op een hoger gedoteerd halfgeleidersubstraat- gebied en halfgeleiderlichaam, vervaardigd volgens de werkwijze. |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3865633A (nl) |
| JP (1) | JPS5132528B2 (nl) |
| CA (1) | CA975470A (nl) |
| DE (1) | DE2301384C3 (nl) |
| FR (1) | FR2169976B1 (nl) |
| GB (1) | GB1420065A (nl) |
| IT (1) | IT976262B (nl) |
| NL (1) | NL161921C (nl) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3982967A (en) * | 1975-03-26 | 1976-09-28 | Ibm Corporation | Method of proton-enhanced diffusion for simultaneously forming integrated circuit regions of varying depths |
| US4133701A (en) * | 1977-06-29 | 1979-01-09 | General Motors Corporation | Selective enhancement of phosphorus diffusion by implanting halogen ions |
| US4278475A (en) * | 1979-01-04 | 1981-07-14 | Westinghouse Electric Corp. | Forming of contoured irradiated regions in materials such as semiconductor bodies by nuclear radiation |
| US4391651A (en) * | 1981-10-15 | 1983-07-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of forming a hyperabrupt interface in a GaAs substrate |
| US4837172A (en) * | 1986-07-18 | 1989-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for removing impurities existing in semiconductor substrate |
| JPH0650738B2 (ja) * | 1990-01-11 | 1994-06-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5508211A (en) * | 1994-02-17 | 1996-04-16 | Lsi Logic Corporation | Method of making integrated circuit structure with vertical isolation from single crystal substrate comprising isolation layer formed by implantation and annealing of noble gas atoms in substrate |
| US11257671B2 (en) * | 2018-09-28 | 2022-02-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system of control of epitaxial growth |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3383567A (en) * | 1965-09-15 | 1968-05-14 | Ion Physics Corp | Solid state translating device comprising irradiation implanted conductivity ions |
| US3515956A (en) * | 1967-10-16 | 1970-06-02 | Ion Physics Corp | High-voltage semiconductor device having a guard ring containing substitutionally active ions in interstitial positions |
| US3718502A (en) * | 1969-10-15 | 1973-02-27 | J Gibbons | Enhancement of diffusion of atoms into a heated substrate by bombardment |
| GB1307546A (en) * | 1970-05-22 | 1973-02-21 | Mullard Ltd | Methods of manufacturing semiconductor devices |
| US3756862A (en) * | 1971-12-21 | 1973-09-04 | Ibm | Proton enhanced diffusion methods |
-
1972
- 1972-01-31 GB GB451372*[A patent/GB1420065A/en not_active Expired
- 1972-12-29 IT IT7271176A patent/IT976262B/it active
-
1973
- 1973-01-12 DE DE2301384A patent/DE2301384C3/de not_active Expired
- 1973-01-17 US US324357A patent/US3865633A/en not_active Expired - Lifetime
- 1973-01-25 NL NL7301042.A patent/NL161921C/nl active
- 1973-01-26 CA CA162,358A patent/CA975470A/en not_active Expired
- 1973-01-27 JP JP48010718A patent/JPS5132528B2/ja not_active Expired
- 1973-01-29 FR FR7303009A patent/FR2169976B1/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2301384C3 (de) | 1980-02-07 |
| AU5146673A (en) | 1974-08-01 |
| IT976262B (it) | 1974-08-20 |
| DE2301384A1 (de) | 1973-08-09 |
| JPS4885077A (nl) | 1973-11-12 |
| FR2169976A1 (nl) | 1973-09-14 |
| DE2301384B2 (de) | 1979-06-07 |
| JPS5132528B2 (nl) | 1976-09-13 |
| FR2169976B1 (nl) | 1977-08-26 |
| US3865633A (en) | 1975-02-11 |
| CA975470A (en) | 1975-09-30 |
| NL7301042A (nl) | 1973-08-02 |
| GB1420065A (en) | 1976-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL163059C (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrich- ting, waarbij een op een oppervlak van een halfgeleider- lichaam aangebrachte laag materiaal met ionen wordt ge- bombardeerd. | |
| NL171309C (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, waarbij een laag van siliciumdioxyde wordt gevormd op een oppervlak van een monokristallijn lichaam van silicium. | |
| NL173110C (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, waarbij op een oppervlak van een halfgeleiderlichaam een uit ten minste twee deellagen van verschillend materiaal samengestelde maskeringslaag wordt aangebracht. | |
| BR7303088D0 (pt) | Um processo de fabricar um dispositivo semicondutor | |
| NL180467C (nl) | Halfgeleiderinrichting, omvattende een op een halfgeleidersubstraat aangegroeide epitaxiale laag van halfgeleidermateriaal, die in afzonderlijke eilandzones is verdeeld door een door plaatselijke oxydatie van halfgeleidermateriaal van de laag in de laag gevormd patroon van isolerend materiaal. | |
| NL161305B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
| NL163148C (nl) | Werktuigonderdeel met hoge slijtvastheid, alsmede werkwijze ter vervaardiging van dit voorwerp. | |
| NL7512514A (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL158025B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL7513161A (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL161922C (nl) | Halfgeleiderinrichting bevattende een halfgeleider- lichaam met twee onderling gescheiden delen van een halfgeleiderschakelelement, die grenzen aan een opper- vlak van het halfgeleiderlichaam, en een door een isolerende laag van het oppervlak gescheiden elektrisch geleidende laag tegenover het halfgeleiderlichaam tussen de twee delen. | |
| NL161921C (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, omvattende een halfgeleideroppervlaktelaag, die is aan- gebracht op een hoger gedoteerd halfgeleidersubstraat- gebied en halfgeleiderlichaam, vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| BR7408804D0 (pt) | Metodo de fabricacao de um dispositivo semicondutor | |
| NL155984B (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting voorzien van een metallisatiepatroon en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
| NL158325B (nl) | Halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met een veelvoud van geleidende lagen, met een vooraf bepaald patroon van geleiders. | |
| NL168654B (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleider- lichaam van een eerste geleidingstype met een door dif- fusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede gelei- dingstype. | |
| NL154866B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| IT987430B (it) | Processo perfezionato per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori | |
| NL7413977A (nl) | Aanbrengen van een geleiderlaagpatroon met op een geringe onderlinge afstand gelegen delen, in het bijzonder bij de vervaardiging van half- geleiderinrichtingen. | |
| CA930075A (en) | Method of manufacturing a semiconductor body | |
| CA998778A (en) | Semiconductor manufacturing process | |
| CA991319A (en) | Method of manufacturing a device comprising a semiconductor body | |
| NL155987B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een foto-elektrische halfgeleideromzetter, alsmede foto-elektrische halfgeleideromzetter, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| IT980415B (it) | Metodo per la metallizzazione di substrati | |
| NL160989C (nl) | Schottky-keerlaagdiode en werkwijze voor het vervaar- digen daarvan. |