NL153373B - Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor en transistor vervaardigd volgens deze werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor en transistor vervaardigd volgens deze werkwijze.Info
- Publication number
- NL153373B NL153373B NL666605571A NL6605571A NL153373B NL 153373 B NL153373 B NL 153373B NL 666605571 A NL666605571 A NL 666605571A NL 6605571 A NL6605571 A NL 6605571A NL 153373 B NL153373 B NL 153373B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- transistor
- manufacture
- accordance
- transistor made
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
- H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
- H01L21/2252—Diffusion into or out of group IV semiconductors using predeposition of impurities into the semiconductor surface, e.g. from a gaseous phase
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US450970A US3325707A (en) | 1965-04-26 | 1965-04-26 | Transistor with low collector capacitance and method of making same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL6605571A NL6605571A (nl) | 1966-10-27 |
NL153373B true NL153373B (nl) | 1977-05-16 |
Family
ID=23790269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL666605571A NL153373B (nl) | 1965-04-26 | 1966-04-26 | Werkwijze voor het vervaardigen van een transistor en transistor vervaardigd volgens deze werkwijze. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3325707A (nl) |
JP (1) | JPS4828111B1 (nl) |
FR (1) | FR1508092A (nl) |
GB (1) | GB1135558A (nl) |
NL (1) | NL153373B (nl) |
SE (1) | SE326503B (nl) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3426254A (en) * | 1965-06-21 | 1969-02-04 | Sprague Electric Co | Transistors and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR76389E (fr) * | 1959-01-07 | 1961-10-06 | Dispositifs à semi-conducteur à deux bornes à résistance différentielle négative | |
US3150299A (en) * | 1959-09-11 | 1964-09-22 | Fairchild Camera Instr Co | Semiconductor circuit complex having isolation means |
US3123750A (en) * | 1961-10-31 | 1964-03-03 | Multiple junction semiconductor device | |
US3183128A (en) * | 1962-06-11 | 1965-05-11 | Fairchild Camera Instr Co | Method of making field-effect transistors |
US3253197A (en) * | 1962-06-21 | 1966-05-24 | Amelco Inc | Transistor having a relatively high inverse alpha |
BE636317A (nl) * | 1962-08-23 | 1900-01-01 | ||
US3205373A (en) * | 1962-09-26 | 1965-09-07 | Int Standard Electric Corp | Direct coupled semiconductor solid state circuit having complementary symmetry |
NL297821A (nl) * | 1962-10-08 |
-
1965
- 1965-04-26 US US450970A patent/US3325707A/en not_active Expired - Lifetime
-
1966
- 1966-04-18 GB GB16825/66A patent/GB1135558A/en not_active Expired
- 1966-04-25 SE SE05577/66A patent/SE326503B/xx unknown
- 1966-04-25 FR FR58867A patent/FR1508092A/fr not_active Expired
- 1966-04-25 JP JP41026565A patent/JPS4828111B1/ja active Pending
- 1966-04-26 NL NL666605571A patent/NL153373B/nl unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1135558A (en) | 1968-12-04 |
US3325707A (en) | 1967-06-13 |
DE1564525A1 (de) | 1970-09-24 |
DE1564525B2 (de) | 1971-10-28 |
FR1508092A (fr) | 1968-01-05 |
SE326503B (nl) | 1970-07-27 |
NL6605571A (nl) | 1966-10-27 |
JPS4828111B1 (nl) | 1973-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL150887B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een bevestigingsorgaan, alsmede volgens deze werkwijze vervaardigd bevestigingsorgaan. | |
NL139435B (nl) | Verbinding voor het vervaardigen van een steekverbinding en steekverbinding vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL143482B (nl) | Werkwijze voor het bekleden van een substraat. | |
NL153377B (nl) | Foto-elektrische inrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL159124B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een hydrofiel polysiloxan. | |
NL148654B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL142094B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het elektrolyseren van acrylonitrile. | |
NL161854B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een kogelscharnier, alsmede kogelscharnier vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL147710B (nl) | Werkwijze voor het continu vervaardigen van een schuimglasstreng en schuimglasstreng vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL139079B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een cellulair voorwerp met een relief oppervlak. | |
NL157103B (nl) | Werkwijze voor het vergelijken van een object met een standaard. | |
NL146311B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een dubbelspleets-magneetkop en dubbelspleets-magneetkop volgens deze werkwijze vervaardigd. | |
NL140101B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL152610B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een kunstmatige draad en met deze werkwijze vervaardigde kunstmatige draad. | |
NL151201B (nl) | Spanningsdeler en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL144777B (nl) | Werkwijze voor het gelijktijdig vervaardigen van een aantal in een halfgeleiderlichaam opgenomen halfgeleiderinrichtingen en halfgeleiderlichaam vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL153719B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL139874B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een liksteen en liksteen, vervaardigd met de werkwijze. | |
NL146889B (nl) | Werkwijze voor het strekken en kroezen van kunstmatige draden en draden vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL148189B (nl) | Sterkstroomkryotron en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL155119B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een instelbare spaartransformator, alsmede spaartransformator, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL153950B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een draagstrook voor naalden en draagstrook vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL153017B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een kathode en kathode vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL148086B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een oxymethyleencopolymeer bevattend voorwerp alsmede aldus vervaardigd voorwerp. | |
NL142278B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een bodem van een voor een halfgeleidende inrichting bestemde omhulling en bodem, vervaardigd volgens deze werkwijze. |