[go: up one dir, main page]

MX2013010285A - Metodo para obtener un sustrato provisto con un recubrimiento. - Google Patents

Metodo para obtener un sustrato provisto con un recubrimiento.

Info

Publication number
MX2013010285A
MX2013010285A MX2013010285A MX2013010285A MX2013010285A MX 2013010285 A MX2013010285 A MX 2013010285A MX 2013010285 A MX2013010285 A MX 2013010285A MX 2013010285 A MX2013010285 A MX 2013010285A MX 2013010285 A MX2013010285 A MX 2013010285A
Authority
MX
Mexico
Prior art keywords
substrate
coating
laser radiation
radiation
process according
Prior art date
Application number
MX2013010285A
Other languages
English (en)
Other versions
MX359230B (es
Inventor
Matthieu Bilaine
Li-Ya Yeh
Original Assignee
Saint Gobain
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Saint Gobain filed Critical Saint Gobain
Publication of MX2013010285A publication Critical patent/MX2013010285A/es
Publication of MX359230B publication Critical patent/MX359230B/es

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/483Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B23K26/0608Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams in the same heat affected zone [HAZ]
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/001General methods for coating; Devices therefor
    • C03C17/002General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/06Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
    • C03C17/09Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals by deposition from the vapour phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3417Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3657Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having optical properties
    • C03C17/366Low-emissivity or solar control coatings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/0025Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by a laser beam
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04Coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04Coating
    • C08J7/06Coating with compositions not containing macromolecular substances
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58After-treatment
    • C23C14/5806Thermal treatment
    • C23C14/5813Thermal treatment using lasers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56After-treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/34Coated articles, e.g. plated or painted; Surface treated articles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/10Deposition methods
    • C03C2218/15Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/154Deposition methods from the vapour phase by sputtering
    • C03C2218/156Deposition methods from the vapour phase by sputtering by magnetron sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00Methods for coating glass
    • C03C2218/30Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32After-treatment
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02TCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T50/00Aeronautics or air transport
    • Y02T50/60Efficient propulsion technologies, e.g. for aircraft

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

El objetivo de la invención es un proceso para obtener un sustrato (1) provisto sobre al menos uno de sus lados con un recubrimiento (2), que comprende el paso de depositar el recubrimiento (2) y entonces un paso de tratar con calor el recubrimiento usando una radiación láser principal (4), caracterizándose el proceso porque al menos una porción (5, 14) de la radiación láser principal (4) transmitida a través del sustrato (1) y/o reflejada por el recubrimiento (2) redirigida en la dirección del sustrato para formar al menos una radiación láser secundaria (6, 7, 18).

Description

MÉTODO PARA OBTENER UN SUSTRATO PROVISTO CON UN CAMPO DE LA INVENCIÓN ! La invención se relaciona con el tratamiento con calor de sustratos provistos con recubrimientos usando una radiación láser. ¡ Se conocen métodos de las solicitudes WO 2008/096089, WO 2010/139908 o también la WO 2010/142926 para el tratamiento con calor de recubrimientos depositados sobre sustratos, en particular sustratos de vidrio!, por radiación láser. Los recubrimientos tratados comprenden, por ejemplo, capas delgadas de plata, de óxido de titanio o también de óxidos eléctricamente conductores transparentes (TCO) . La radiación láser hace posible calentar rápidamente esas capas para mejorar su conductividad electrónica; o su i emisividad (para las capas de plata o TCO) o también su actividad fotocatalitica (para las capas de óxido de i titanio) . El calentamiento rápido de las capas no calienta I i sustancialmente el sustrato, el cual no es objeto de esfuerzos termomecánicos altos, y puede ser manejado y almacenado inmediatamente, sin el paso de enfriamiento lento o controlado, como es el caso para los tratamientos I i de recocido convencionales. ! BREVE DESCRIPCION DE LA INVENCION El objetivo de la invención es mejorar; este proceso para poder usar láseres que sean menos peligrosos y por lo tanto menos caros para uno y con la misma velocidad de tratamiento, o para poder tratar los recubrimientos más rápidamente para uno y con la misma potencia del láser, y también para poder, a la misma velocidad del tratamiento y misma potencia láser, mejorar aún más las propiedades de los recubrimientos tratados.
Para este propósito, un aspecto de la invención es un proceso para obtener un sustrato provisto sobre al menos uno de sus lados con un recubrimiento, que comprende un paso de depositar el recubrimiento y entonces un paso de tratar con calor el recubrimiento usando una radiación láser principal, caracterizándose el proceso porque al menos una porción de la radiación láser principal transmitida a través del sustrato y/o reflejada por el recubrimiento se dirige en la dirección del sustrato para formar al menos una radiación láser secundaria.
Los inventores han podido demostrar el hecho de que, dependiendo de la naturaleza de los recubrimientos y la longitud de onda de la radiación láser, la mayoría 1 de la radiación láser fue transmitida a través del sustrato o reflejada por el recubrimiento, y por lo tanto no .usada para el tratamiento del recubrimiento. Recuperando al menos una porción de esta radiación pérdida y redirigiendó ésta hacia el sustrato, se encontró que el tratamiento fnejoró considerablemente por lo tanto. La elección de usar la porción de la radiación principal transmitida a través del sustrato (modo de "transmisión") o la porción de la radiación principal reflejada por la pila multicapa : (modo de "reflexión"), u opcionalmente usar ambas, depende ', de la naturaleza de la capa y la longitud de onda de la radiación láser. Típicamente, el modo de "reflexión" será elegido si, a la longitud de onda del láser, la reflexión por l pila multicapa es mayor que el cuadrado de la transmisión a través del sustrato. | De acuerdo con una primera modalidad ("modo de reflexión"), se forma una sola radiación secundaria, a partir de la porción de la radiación láser principal reflejada por el recubrimiento. Este es típicamente eí caso cuando el recubrimiento comprende al menos una capa de plata y cuando la longitud de onda del láser está dentro de i un intervalo que se extiende de 500 (en particular 700) a 2000 nm. ! De acuerdo con una segunda modalidad ("modo de transmisión"), se forma una sola radiación secundaria, a partir de la porción de la radiación láser principal transmitida a través del sustrato.
De acuerdo con una tercera modalidad cual combina los modos de "reflexión" y "transmisión"), se forman dos radiaciones secundarias, una de la porción reflejada por la pila multicapa, otra de la porción transmitida a través del sustrato.
El modo de "reflexión" preferiblemente será usado para recubrimientos que son altamente reflectores a la longitud de onda del láser, típicamente la reflexión de la cual es al menos 20%. I El recubrimiento puede ser una capa delgada individual, o, con mucha frecuencia, una pila multicapa de capas delgadas, al menos una de las cuales ve sus propiedades mejoradas por el tratamiento térmico.
Dentro del contexto del modo de "reflexión", es preferible que la reflexión de la radiación principal por el recubrimiento se deba a la capa incluida ^n el recubrimiento y las propiedades del cual son mejoradas por el tratamiento térmico. Esto evita tener deliberadamente en las capas de la pila multicapa, el único propósito el cual es reflejar la radiación principal sino la presencia de la cual sería finalmente indeseable en el producto terminado.
Por el contrario, se prefiere tomar ventaja de la reflexión "natural" de la capa a ser tratada. A manera de ejemplo, cuando la pila multicapa contiene una capa reflectora (típicamente una capa de plata) las propiedades de cristalización de la cual se desea mejorar, es preferible redirigir a la pila multicapa la porción de la radiación principal reflejada por la capa reflectora en si, más que por las capas colocadas debajo de esta capa reflectora.
El sustrato es preferiblemente hecho de vidrio o de material orgánico polimérico. Este es preferiblemente transparente, incoloro (éste es entonces un vidrio claro o extraclaro) o coloreado, por ejemplo azul, gris, verde o bronce. El vidrio es preferiblemente del tipo de sosa-cal-sílice, pero también puede ser vidrio de borosilicato; o del tipo de alumino-borosilicato . Los materiales orgánicos poliméricos preferidos son policarbonato, metacrilato de polimetilo, tereftalato de polietileno (PET), naftalato de polietileno (PEN), o también fluoropolímeros como etilentetrafluoroetileno (ETFE) . El sustrato tiene ventajosamente al menos una dimensión mayor o igual a 1 m, o 2m y aún 3 m. El espesor del sustrato generalmente varía entre 0.5 mm y 19 mni, preferiblemente entre 0.7 y 9 mm, en * i particular entre 2 y 8 mm, o entre 4 y 6 mm. El sustrato puede ser plano o curvo, o aún flexible.
El sustrato de vidrio es preferiblemente del tipo de vidrio flotante, es decir, capaz de haber sido obtenido por un proceso que consiste de verter vidrio fundido sobre un baño de estaño fundido (baño "flotante") . En este caso. la capa a ser tratada puede ser igualmente depositada sobre el lado del "estaño" como sobre el lado "hacia la atmósfera" del sustrato. Debe comprenderse que los términos "atmósfera" y "del lado del "estaño" significan los lados del sustrato que han estado respectivamente en contacto con la atmósfera en el baño flotante y en contacto con el estaño fundido. El lado del estaño contiene una cantidad superficial menor de estaño que se ha difundido hacia la estructura del vidrio. El sustrato del vidrio también! puede ser obtenido caminando entre dos rodillos, una técnica que hace posible en particular imprimir patrones sobre la superficie del vidrio.
El recubrimiento tratado preferiblemente comprende una capa delgada elegida de capas de plata, capas de óxido de titanio y capas eléctricamente conductoras transparentes. El recubrimiento es, de manera ventajosa, un recubrimiento de baja emisividad, en particular la emisividad del cual es a lo más del 20% o 10%, por ejemplo que comprende al menos una capa de plata. < Esos recubrimientos generalmente tienen una alta reflexión a longitudes de onda láser entre 700 y 2000 mm, de modo que la efectividad del tratamiento mejora en gran medida debido a la invención. ¡ Preferiblemente, el paso de tratamiento térmico no usa fusión, e incluso fusión parcial, de las capas presentes en la pila multicapa. El tratamiento térmico entonces hace posible proporcionar suficiente energía para promover la cristalización de la capa delgada ppr un mecanismo fisicoquimico de crecimiento cristalino alrededor de los núcleos ya presentes en la capa, permaneciendo a la vez en la fase sólida. Este tratamiento no usa el mecanismo i de cristalización por enfriamiento partiendo de un material fundido, por un lado debido a que requeriría temperaturas extremadamente altas y, por otro lado debido a que j sería capaz de modificar el espesor o los índices de refracción de las capas, y por lo tanto sus propiedades, modificando, por ejemplo, su apariencia óptica. Las capas eléctricamente conductoras transparentes se basan típicamente en óxidos de indio y estaño mezclados (referidos como "ITO"), basaclas en óxidos de indio y zinc mezclados (referidos como "IZO"), ? basadas en óxido de zinc modificado con galio o modificado con aluminio, basadas en óxido de titanio modificado con I niobio, basadas en estanato de cadmio o zinc, o basadas en óxido de estaño modificado con flúor y/o con antimonio.
Esas diferentes capas tienen la característica distintiva de ser capas que son transparentes y no obstante conductoras y semiconductoras, y ser usadas en rtmchos sistemas donde esas dos propiedades son necesarias: pantallas de cristal líquido (LCD) , colectores solares o fotovoltaicos, dispositivos electrocrómicos ! o electroluminiscentes (en particular LED, OLED), etp. Su espesor, generalmente controlado por la resistencia laminar deseada, se encuentra típicamente entre 50 y 1000 nm, incluidos los límites.
Para las capas ITO, preferiblemente se hará uso del modo de "transmisión" (reutilizando la porción jde la radiación principal transmitida de la porción a través del í sustrato) con una longitud de onda dentro de un intervalo que se extiende de 400 a 1200 nm, en particular de ¡800 a 1000 nm. En el caso de capas de óxido de zinc o estaño, se hará uso ventajosamente del modo de "transmisión" con una longitud de onda dentro de un intervalo que se extiefide de 400 nm a 12 micrómetros, en particular de 1 ! a 12 micrómetros . ; Las capas delgadas basadas en plata metálica, pero también basadas en molibdeno metálico o niobio metálico, tienen propiedades de conducción eléctrica y reflexión de radiación infrarroja, consecuencia a su uso en acristalamiento solar controlado, en particular I acristalamiento de protección solar (con el propósito de reducir la cantidad de energía solar entrante) o i acristalamiento de baja emisividad (con el propósito de reducir la cantidad de energía disipada hacia el exterior de un edificio o vehículo) . Su espesor típico es típicamente de entre 4 y 20 nm (incluidos los límites j . Las pilas multicapa de baja emisividad pueden con frecüencia comprender varias capas de plata, típicamente 2 o 3.¡ La o cada capa de plata es generalmente rodeada por capas dieléctricas que protegen a esta contra la corrosión y hacen posible ajustar la apariencia del recubrimiento en reflexión. Para las capas de plata que tienen un espesor de al menos 11 nm, preferiblemente se hará uso del módo de "reflexión"), con una longitud de onda de 40Ó (en particular 700) a 2000 nm, o aún de 800 a 1200 nm (en particular 1000 nm) . En el caso de las capas de plata que tienen un espesor de menos de 11 nm y en el caso de las capas de niobio preferiblemente se hará uso del modo de "transmisión", con una longitud de onda que va de 400 (en particular 700) a 2000 nm o aún de 800 a 1200 nm (en particular 1000 nm) .
Las capas delgadas basadas en óxido de titanio tienen las características distintas de ser autolimpiables, facilitando la degradación de compuestos orgánicos bajo la acción de la radiación ultravioleta y la remoción de suciedad mineral (polvo) bajo la acción de agua corriente. El espesor físico es preferiblemente de entre 2 y 50 nm, en particular de entre 5 y 20 nm, incluido los límites ¡. Para las capas de este tipo, preferiblemente se hará uso del modo "transmisión", con una longitud de onda dentro de un intervalo que se extiende de 400 nm a 12 micrómetros, en particular de 500 a 1000 nm. ; Las diferentes capas mencionadas tienen la característica distintiva común de ver sus propiedades mejoradas cuando están en un estado al menos parcialmente cristalizado. Generalmente se busca maximizar el grado de cristalización de esas capas (la proporción de material cristalizado en peso o en volumen) y el tamaño de los granos cristalinos (o el tamaño de los dominios de difracción coherente medidos por métodos de difracción de rayos X) o aún en ciertos casos a favor de una , forma cristalográfica particular. .
En el caso del óxido de titanio, se sabe que el óxido de titanio cristalizado en forma de anatasa es mucho más efectivo en términos de la degradación de compuestos orgánicos a diferencia del óxido de titanio amorfo ü óxido de titanio cristalizado en forma de rutilo o brooquita .
También se sabe que las capas de plata que tienen un alto grado de cristalización y en consecuencia bajo contenido residual de plata amorfo tienen una emisividad menor y una resistividad menor que las capas de plata predominantemente amorfas. Las propiedades de conductividad eléctrica y las propiedades de baja emisividad de estas capas son de este modo mejoradas.
Igualmente, las capas conductoras transparentes anteriormente mencionadas, especialmente aquéllas basadas en óxido de zinc modificado o capas de óxido del indio modificadas con estaño tienen una conductividad eléctrica aún mayor cuando su grado de cristalización es alto. ' Preferiblemente, cuando el recubrimiento es conductor, su resistencia laminar se reduce en al menps 10% o 15% o aún 20% por el tratamiento térmico. Aquí esto es í cuestión de una reducción relativa, con respecto al i valor de la resistencia laminar antes del tratamiento. I El uso de radiación láser tiene la ventaja de obtener temperaturas generalmente menores de 100°C,i pero incluso con frecuencia menores de 50°C en el lado opuesto al lado del sustrato (es decir, en el lado no recubiérto) . Esta característica particularmente ventajosa se debe al hecho de que el coeficiente de intercambio de calor es muy alto, típicamente mayor de 400 W/ (m2-s) . La densidad de energía superficial de la radiación láser en la{ pila multicapa a ser tratada es preferiblemente mayor o igual a 20 o 30 kW/cm2. Esta densidad de energía muy alta1 hace posible lograr, en el recubrimiento, la temperatura deseada extremadamente rápida (en general en un tiempo de menos o igual a 1 segundo) , y en consecuencia limitar el tiempo de tratamiento, no teniendo el calor generado el tiempo para difundirse dentro del sustrato. De este j modo, cada punto del recubrimiento es preferiblemente sujeto al tratamiento de acuerdo con la invención (y en particular se busca una temperatura mayor o igual a 300°C) durartte un tiempo generalmente menor o igual a 1 segundo, o aún de 0.5 segundos. Por el contrario, puesto que las lámparas infrarrojas convencionalmente usadas (sin un dispositivo de enfoque de radiación) no hace posible lograr esas altas energías por unidad de área superficial, el tiempo de tratamiento debe ser más prolongado para alcanzar las temperaturas deseadas (con frecuencia varios segundos), y el sustrato es entonces inevitablemente llevado a temperaturas altas por difusión del calor, aún ¡si la longitud de onda de la radiación es adaptada de moqlo que únicamente sea absorbida por el recubrimiento y no por el sustrato .
Debido al coeficiente de intercambio de calor muy alto, asociado con un proceso de acuerdo con la invención, la porción del vidrio localizado a 0.5 mi del recubrimiento generalmente no es sometida a las temperaturas de más de 100°C. La temperatura del lado del sustrato opuesto al lado tratado por al menos una radiación láser preferiblemente no excede de 100°C, en particular 50°C y aún 30°c durante el tratamiento con calor.
Para simplificar aún más la implementacióri, los láseres empleados en el contexto de la invención puedan ser fibrizados, lo cual significa que la radiación lás'ér es inyectada en una fibra óptica y entonces liberada cerca de la superficie a ser tratada vía un cabezal de enfoqüe. El láser también puede ser un láser de fibra, en el sentido de que el medio amplificador es en si una fibra óptica.
El haz láser puede ser un haz láser puntual', caso en el cual es necesario proporcionar un sistema paraj mover el haz del láser en el plano del sustrato. ; i Preferiblemente sin embargo, la radiación ¡ láser i principal es emitida por al menos un haz láser que forma una linea llamada "linea de láser" en el resto del texto, el cuál irradia simultáneamente todo o parte del ancho de i sustrato. Esta modalidad es preferida puesto que evita el I uso de sistemas de movimientos caros, los cuales son generalmente voluminosos y difíciles de mantener. El haz de láser línea puede ser obtenido especialmente jasando j sistemas de diodos láser de alta energía combinados con dispositivos ópticos de enfoque. El espesor de la líhea es I preferiblemente de entre 0.01 y 1 mm. La longitud jde la I línea es típicamente de entre 5 mm y 1 rnrn. El perfil ! de la i línea puede ser especialmente el de una curva Gaussiana o i tener una configuración de onda cuadrada. j I La línea láser que irradia simultáneamente todo o parte del ancho del sustrato puede estar constituida cié una sola línea (caso en el cual irradia todo lo anch'o del sustrato) o una pluralidad de líneas opcionalmente separadas. Cuando es usada una pluralidad de líneas, es preferible que cada línea sea colocada que toda el áirea de i la pila multicapa sea tratada. La o cada línea es colocada i i preferiblemente de modo que sea perpendicular a la dirección de tratamiento del sustrato o colocada oblicuamente. Las diferentes lineas pueden tratar el sustrato simultáneamente o en una forma retardada. El! punto importante es que toda la superficie sea tratada.
Para tratar toda la superficie de la capa, es preferible emplear un movimiento relativo entre, por un lado, el sustrato y, por el otro lado la o cada; linea láser. El sustrato puede de este modo moverse, especialmente para desplazarse traslacionalmente a lo largo de la linea láser estacionaria, generalmente debajo de ésta, pero opcionalmente encima de la linea del láser. Esta modalidad es particularmente ventajosa para un tratamiento continuo. De manera alternativa, el sustrato puede ser estacionario y el láser puede ser móvil. Preferiblemente, la diferencia entre las velocidades respectivas del sustrato y el láser es mayor o igual a 1 metro por minuto, o 4 metros por minuto o aún 6, 8, 10 o 15 metrbs por minuto, para asegurar una velocidad de tratamiento alta.
Cuando sea el sustrato el que se mueve, especialmente de manera traslacional , éste puede moverse usando cualesquier medios de transportes mecánicos, por ejemplo, bandas, rodillos o bandejas que se desplacen traslacionalmente. El sistema de transporte es usado para controlar y regular la velocidad de desplazamiento. Si el sustrato es hecho de un material orgánico polimérico flexible, puede moverse usando un sistema de avance de película en forma de una sucesión de rodillos.
El láser también puede moverse para ajustar su distancia desde el sustrato, lo cual puede en particular ser útil cuando el sustrato sea doblado, pero no únicamente en ese caso. En realidad, es preferible que el haz de láser sea enfocado sobre el recubrimiento a ser tratado dé modo que este último se localice a una distancia menor o igual a 1 mm del plano focal. Si el sistema para mover el sustrato o mover el láser no es suficientemente preciso con respecto a la distancia entre el sustrato y el plano focal, es preferible poder ajustar la distancia entre el láser y el sustrato. Este ajuste puede ser automático, especialmente regulado usando una medición de distancia corriente arriba del tratamiento.
Cuando la línea de láser esté en movimiento, es necesario proporcionar un sistema para mover el láser, localizado encima o debajo del sustrato. La duración del tratamiento regulada por la velocidad de desplazamiento de la línea láser.
Por supuesto, todas las posiciones relativas del sustrato y el láser son posibles siempre que la superficie del sustrato pueda ser irradiada de manera adecuada. De manera más general, el sustrato es colocado horizontalmente, pero también puede ser colocado verticalmente, o en cualquier inclinación posible. Cuando el sustrato sea colocado horizontalmente, el láser es colocado generalmente para irradiar el lado superior del sustrato. El láser también puede irradiar el lado inferior del sustrato. En este caso, es necesario el sistema de soporte de sustrato, y opcionalmente el sistema de transporte del sustrato cuando el sustrato esté en movimiento, para permitir que la radiación en la zona sea irradiada. Este es el caso por ejemplo cuando sean usados rodillos de transporte. Puesto que los rodillos son entidades separadas, es posible colocar el láser en una zona localizada entre dos rodillos sucesivos.
Cuando ambos lados del sustrato van a ser tratados, es posible emplear un número de láser localizado sobre cualquier lado del sustrato, ya sea que el láser esté en una posición horizontal, vertical o inclinada. Esos láseres pueden ser idénticos o diferentes, en particular sus longitudes de onda pueden ser diferentes, especialmente adaptadas para cada uno de los recubrimientos á ser tratado. A manera de ejemplo, un primer recubrimiento (por ejemplo un recubrimiento de baja emisividad) localizado sobre un primer lado del sustrato puede ser tratado por una primera radiación láser que emita, por ejemplo, en el visible o infrarrojo cercano, mientras que un segundo recubrimiento .(por ejemplo un recubrimiento fotocataiitico) localizado sobre el segundo lado del sustrato ser tratado por una segunda radiación láser que por ejemplo en el infrarrojo lejano. ' El dispositivo de radiación, por ejemplo elj láser en linea puede ser integrado en una linea de deposición de capa, por ejemplo una linea de electrodepoisición magnetrónica o una linea de deposición por vapor químico (CVD) , especialmente una línea mejorada con plasma (PECVD), bajo vacío o a presión atmosférica (AP-PECVD) . En general, la línea incluye dispositivos que manejan sustratos, una unidad de deposición, dispositivos de control ¡óptico dispositivos de apilamiento . Por ejemplo, los sustratos se desplazan sobre rodillos de transporte, y sucesión; a lo largo de cada dispositivo o cada unidad. ¡ I El dispositivo de radiación, por ejemplo elj láser en línea, se localiza preferiblemente justo después ¡ de la unidad de deposición por recubrimiento, por ejemplo! en la salida de la unidad de deposición. El sustrato recubierto I puede de este modo ser tratado en línea después de que el recubrimiento haya sido depositado, en la salida ¡de la unidad de deposición y antes de los dispositivos de control óptico, o después de los dispositivos de control óptico y antes de los dispositivos de apilamiento del sustrato^ ! El dispositivo de radiación también puede ser integrado a la unidad de deposición. Por ejemplo, el1 láser puede ser introducido en una de las cámaras de una unidad de electrodeposición, especialmente en una cámara en la cual la atmósfera sea rarificada, especialmente a una presión de entre 0.0001 Pa (10~6 mbar) y lPa (10~2 mbar) . El láser también puede ser colocado fuera de la unidad de deposición, pero para tratar un sustrato localizado dentro de la unidad. Para este propósito, todo lo que se requiere es proporcionar una ventana transparente a la longitud de onda de la radiación usada, a través de la cual el haz del láser pase para tratar la capa. De este modo es posible tratar una capa (por ejemplo una capa de plata) antea; de la deposición posterior de otra capa en la misma unidad.
Ya sea que el dispositivo de radiación este fuera de la unidad de deposición o integrado a ese, esos procesos "en linea" son preferibles a un proceso que implique operaciones fuera de linea, en los cuales seria necesario apilar sustratos de vidrio entre el paso de deposición y el tratamiento con calor.
Sin embargo, los procesos que implican operaciones fuera de linea pueden tener una ventaja en casos en los cuales el tratamiento con calor de acuerdo a la invención sea llevado a cabo en un lugar diferente! donde es llevada a cabo la deposición, por ejemplo en un lugar donde tome lugar la conversión del vidrio. El dispositivo de radiación puede por lo tanto ser integrado en lineas diferentes a las lineas de deposición de la capa. Por ejemplo, puede ser integrado en una linea de fabricación de acristalamiento múltiple (especialmente un acristalamiento doble o triple) o en una linea de fabricación de acristalamiento laminado. En esos diferentes casos, el tratamiento con calor de acuerdo a la invención es llevado a cabo preferiblemente antes de gue sea producido el acristalamiento múltiple o acristalamiento laminado.
La pila multicapa puede ser depositada sobre el sustrato por cualquier tipo de proceso, en particular procesos que generen capas predominantemente amorfas o nanocristalinas , como el proceso de electrodeposición, especialmente electrodeposición magnetronica, el procéso de deposición por vapor químico mejorado con plasma (PECVD), el proceso de evaporación al vacío o el proceso sol-gel.
Preferiblemente, la pila multicapa es depositada por electrodeposición, especialmente electrodeposición magnetronica.
Para mayor simplicidad, el tratamiento con , láser de la capa preferiblemente toma lugar en el aire ¡y/o a presión atmosférica. Sin embargo, es posible que el tratamiento térmico de la capa sea llevado a cabo dentro de la cámara de deposición al vacío real, por ejemplo antes de una deposición subsecuente.
La longitud de onda de la radiación láser es preferiblemente de entre 500 y 2000 nm, en particular, entre 700 y 1100 nm. Este intervalo de longitudes de onda es particularmente muy adecuado para el caso de las capas de plata, La absorción del recubrimiento a la longitud de onda de láser, usualmente definida como si fuese el resto hasta el 100% de la reflexión y de la transmisión es, de manera ventajosa, al menos 20 % en particular 30% . Por el contrario, el vidrio (especialmente el vidrio claro o extraclaro) y la mayoría de los plásticos sólo absorben una pequeña cantidad en este intervalo de longitud de onda, de modo que el sustrato es sólo calentado ligeramente por la radiación. Preferiblemente se hace uso de diodos láser que emiten por ejemplo a una longitud de onda del orden de 808 nm, 880 nm, 915 nm o también 940 nm o 980 nm. En forma de sistemas de diodos, pueden ser obtenidos niveles de energía muy altos, que pueden alcanzar densidades de energía superficial en la pila multicapa a ser tratada a mayores de 20 kW/cm2, o a un 30 k /cm2. ; i La radiación láser secundaria es fórmada preferiblemente reflejando la porción de la radiación láser principal transmitida a través del sustrato y/o reflejada por al menos un recubrimiento con la ayuda de al menos un espejo o al menos un prisma, y opcionalmente al menos una lente.
Preferiblemente, la formación de la o cada radiación láser secundaria usa un montaje óptico que comprende sólo elementos ópticos elegidos de espejos, prismas y lentes, preferiblemente un montaje que consiste de dos espejos y una lente, o de un prisma y una lente. De esta manera, el montaje óptico es completamente independientemente de la longitud de onda de láser, a diferencia del caso donde el montaje comprende elementos como divisores o retardadores de haz (placas de un puarto de onda, placas de media onda, etc. ) . De este modo es posible usar uno y el mismo montaje óptico para las diferentes capas.
La radiación láser secundaria preferiblemente no es polarizada. El montaje óptico usado para formar y redirigir la radiación láser secundaria es de este modo simplificado considerablemente, evitando elementos como divisores o retardadores de haz (placas de un cuarto de onda, placas de media onda, etc.), los cuales pueden operar únicamente para una longitud de onda muy especifica, y conducir a pérdidas de energía.
El ángulo formado por la radiación principal (y/o la radiación secundaria) y la normal al sustrato es preferiblemente diferente de cero, típicamente menor de 45°, en particular de entre 8o y 13°, para evitar cualquier daño del láser por la reflexión de la radiación principal o secundaria. Por las mismas razones, es preferible que el ángulo formado por la radiación principal y la normal al sustrato sea diferente del ángulo formado por la radiación secundaria (en el modo "transmisión") o por la porción reflejada de la radiación secundaria (en el modo de "reflexión) y la normal al sustrato.
Para mejorar la efectividad del tratamiento, la radiación láser secundaria preferiblemente tiene el mismo perfil que la radiación láser principal.
Para incrementar la efectividad del tratamiento, es preferible que la radiación láser secundaria impacte con el sustrato en el mismo lugar que la radiación láser principal. Debe comprenderse que la expresión "misma ubicación" significa que las dos radiaciones se encuentran en una distancia a lo más de 0.1 nm, o a un 0 J 05 nm (distancia medida sobre la superficie tratada) . Para optimizar la efectividad del tratamiento, la profundidad del foco de la radiación láser secundaria es ventajosamente la misma que la de la radiación láser principal. ¡ Varios montajes ópticos que hacen posible implementar el proceso de acuerdo con la invención son ilustrados por las figuras 1 a 3.
En un primer montaje (no representado);, una porción de la radiación principal es reflejada por el recubrimiento, y un solo espejo es colocado para reflejar esta radiación hasta el sustrato. Preferiblemente, la radiación principal y la radiación secundaria impactan í sobre el recubrimiento en el mismo lugar. Este montaje muy simple comprende solo un espejo. El ángulo formado por la radiación principal y la normal al sustrato es preferiblemente diferente de cero, para evitar daño del láser por la reflexión de la radiación principal.! Este ángulo es preferiblemente menor que 45°, típicamente de entre 2 ° y 20°, y en particular de entre 8o y 13°.; Este montaje es usado de manera ventajosa para pilas multicapa altamente reflectoras, como las pilas multicapa que contienen al menos una capa de plata. ! Un segundo montaje, de uso también, pero no único, para recubrimientos altamente reflectores, es ilustrado en la figura 1. Este consiste en colocar un primer espejo 8 que refleja la radiación principal I reflejada hacia un espejo secundario 10, el cual forma, por reflexión, la radiación secundaria 6, 7. Una lente! hace í opcionalmente posible ajustar la radiación secundaria 7 y enfocar ésta en el lugar preciso donde la radiación i principal 4 impacta sobre el recubrimiento 2 (nuevamente con una tolerancia a lo más de 0.1 nm, o aún de 0.05 rim) . i De manera más específica, un láser 3 emitíe una radiación principal 4 (típicamente un láser en línea) hacia el sustrato 1 recubierto con su pila multicajpa 2, ! I t I formando la radiación 4, con la normal al sustrato 1, un ángulo T1. ; Una porción de esta radiación principal 4 es reflejada por la capa multicapa 2, en forma de una radiación 5, la cual también forma, con la normal al sustrato, el mismo ángulo T1. El ángulo T1 es diferente de cero en particular de entre 5° y 15°, o aún de entré 8° y 13°, para evitar que la radiación 5 dañe al láser 3. La porción reflectora 5 es entonces, a su vez, reflejada por un primer espejo 8 y entonces por un segundo espejo 10, para formar una radiación secundaria 6, 7 la cual es enfocada usando una lente 11 hacia el recubrimiento 2. Las radiaciones 5 y 9 forman, con la normal al primer espejo 8, un ángulo T2 diferente de cero, típicamente de entre 5° y 15°, en particular de entre 8° y 13°. ' Este montaje es ligeramente más complejo que el primer montaje, pero es ventajoso debido a que la porción 12 de la radiación secundaria reflejada por el recubrimiento 2 no puede dañar el láser 3 debido al hecho de que el ángulo T4 entre la radiación secundaria 7 y la normal al sustrato 2 es mayor que el ángulo T1. El ángulo T4 es preferiblemente de entre 10° y 20°, en particular de entre 13° y 18°. Mediante un ajuste simple de la orientación de los espejos 8 y 10, y por los tanto de los ángulos T2 y T3, la radiación secundaria 7 puede impactar sobre el recubrimiento 2 exactamente en el mismo lugar que la radiación principal 4.
De acuerdo con una variante de este segundo montaje, ilustrado por la figura 2, el primer y segundo espejos son reemplazados por un prisma 13 el cual tiene la ventaja de una mayor facilidad de ajuste.
La Figura 3 ilustra un tercer montaje, que usa el modo de "transmisión" del proceso de acuerdo cpn la invención, útil para el tratamiento de recubrimientos que no son muy reflectores. En esta modalidad la porción 14 de la radiación principal 4 transmitida a través del sustrato 1 reflejada por un primer espejo 15, entonces por un segundo espejo 17, para formar una radiación secundaria 18, la cual después del enfoque con la ayuda de la lente 19 impactará sobre el recubrimiento 2 en el mismo lugar que la radiación principal 4. El uso de dos espejos hace posible elegir ángulos T5 y T6 diferentes de cero (entre la radiación 16 y las normales a los espejos, respectivamente 15 y 17), lo cual da como resultado un ángulo T4 entre la porción transmitida de la radiación secundaria 18 i y la normal al sustrato 1 que es diferente del ángulo T1. Ese 1 montaje una vez más hace posible evitar el daño al láser 3 por la reflexión directa de la radiación transmitida 1 .
De acuerdo con una variante que no es representada, el sustrato 1 puede ser provisto sobre el lado opuesto que contiene el sustrato 2, con un recubrimiento 2' , idéntico o diferente, el cual también puede ser tratado al mismo tiempo como el recubrimiento 2.
Para mejorar aún más las propiedades finales del recubrimiento, el sustrato puede ser sometido a un paso de templado después el paso de tratamiento con calor de acuerdo con la invención. El templado térmico generalmente será llevado a cabo después de cortar el vidrio a las dimensiones finales deseadas.
Cuando el recubrimiento a ser tratado sea una pila multicapa de baja emisividad, esta preferiblemente comprende, partiendo del sustrato, un primer recubrimiento que comprende al menos una primera capa dieléctrica, al menos una capa de plata, opcionalmente una capa bloqueadora superior y segundo recubrimiento que comprende al menos una segunda capa dieléctrica.
Preferiblemente, el espesor físico de la 0 cada capa de plata es de entre 6 y 20 nm.
La capa bloqueadora superior pretende proteger la capa de plata durante la deposición de una capa subsecuente (por ejemplo, si esta última es depositada en una atmósfera oxidante o nitrante) y durante un tratamiento con! calor opcional del tipo de templado o doblez.
La capa de plata también puede ser depositada sobre y en contacto con una capa bloqueadora inferipr. La pila multicapa puede por lo tanto comprender una capa bloqueadora superior o una capa bloqueadora inferior flanqueando la o cada capa de plata.
Las capas bloqueadoras (bloqueadora inferior y/o bloqueadora superior) generalmente se basan en un 1 metal elegido de níquel, cromo, titanio, niobio, o de una aleación de esos diferentes metales. Puede hacerse mención particular de aleaciones de níquel-titanio (especialmente aquéllos que contienen aproximadamente 50% en peso dé cada metal) y aleaciones de níquel-cromo (especialmente aquéllos que contienen 80% en peso de níquel y 20% en peso de cromo) . La capa bloqueadora superior también puede consistir de varias capas superpuestas, por ejemplo, moviéndose alejándose del sustrato, una capa de titanio y entonces una capa de aleación de níquel (especialmente una aleación de níquel-cromo), o viceversa. Los diferentes metales o aleaciones citados también pueden ser parcialmente oxidados, y pueden ser especialmente subestequiométricos en oxígeno (por ejemplo, TiOx, o NiCrOx) . ; Esas capas bloqueadoras (bloqueadora superibr y/o bloqueadora inferior) son muy delgadas, teniendo normalmente un espesor de menos de 1 nm, para afectar la transmisión de luz de la pila multicapa, y pueden ser oxidadas parcialmente durante el tratamiento con calor de acuerdo con la invención. En general, las ; capas bloqueadoras son capas de sacrificio capaces de captutar el oxígeno proveniente de la atmósfera o del sustrato, evitando de este modo que la capa de plata se oxide. J La primera y/o la segunda capa dieléctrica es i típicamente un óxido (especialmente óxido de estaño) , o preferiblemente un nitruro, especialmente nitruro de silicio (en particular en el caso de la segunda; capa dieléctrica las más alejada del sustrato) . En general, el nitruro de silicio puede ser modificado, por ejemplo con aluminio o boro para hacer más fácil depositar este por técnicas de electrodeposición. El grado de modificación (correspondiente al porcentaje atómico con relación! a la cantidad de silicio) generalmente no excede del 2%. La función de esas capas dieléctricas es proteger la capa de plata contra el ataque químico o mecánico y también influencia en las propiedades ópticas, especialmente en reflexión de la pila multicapa, a través de fenómenos de i interferencia.
El primer recubrimiento puede comprender uná capa dieléctrica, o una pluralidad, típicamente de 2 a' 4 de capas dieléctricas. El segundo recubrimiento ; puede comprender una capa dieléctrica, o una pluralidad, típicamente de 2 a 3, capas dieléctricas. Esas capas dieléctricas son hechas preferiblemente de un material elegido de nitruro de silicio, óxido de titanio, óxido de estaño y óxido de zinc, o cualquiera de sus mezclas o soluciones sólidas, por ejemplo un óxido de zinc y estaño, o un óxido de titanio y zinc. El espesor físico de la capa dieléctrica, o el espesor físico de la capa total de todas las capas dieléctricas, ya sea en el primer recubrimi,ento o en el segundo recubrimiento, es preferiblemente de entre 15 y 60 nm, especialmente de entre 20 y 50 nm.
El primer recubrimiento preferiblemente comprende, inmediatamente debajo de la capa de plata o debajo de la capa bloqueadora inferior opcional, una capa humectante, función de la cual es incrementar la humectación y unión de la capa de plata. El óxido de zinc, especialmente cuando es modificado con aluminio, prueba ser particularmente ventajoso a este respecto.
El primer recubrimiento también puede contener, directamente debajo de la capa humectante, una capa más: lisa, la cual es un óxido mezclado parcial o completamente amqrfo (y por lo tanto tiene una rugosidad muy baja) , la función del cual es promover el crecimiento de la capa humectante en una orientación preferentemente cristalográfica, promoviendo por lo tanto la cristalización de la plata a través de fenómenos epitaxiales. La capa lisa está preferiblemente compuesta de un óxido mezclado de al menos dos métales elegidos de Sn, Zn, In, Ga, y Sb. Un óxido preferido es el óxido de indio y estaño modificado con antimonio.
En el primer recubrimiento, la capa humectante o la capa lisa opcional es depositada de manera preferible, directamente sobre la primera capa dieléctrica. La primera capa dieléctrica es depositada de preferencia directamente sobre el sustrato. Para adaptar opcionalmente las propiedades ópticas (especialmente la apariencia en la reflexión) , de la pila multicapa, la primera capa dieléctrica, puede como alternativa ser depositada ; sobre una capa de óxido o nitruro, por ejemplo, una capa de óxido de titanio.
Dentro del segundo recubrimiento, la segunda capa dieléctrica puede ser depositada directamente sobre la capa de plata, o preferiblemente sobre un bloqueador superior o también sobre otra capa de óxido o nitruro que se pretenda sirva para adaptar las propiedades ópticas de la pila multicapa. Por ejemplo, puede ser colocada una capa de óxido de zinc, especialmente una modificada con aluminio, o una capa de óxido de estaño, entre un bloqueador superior y la segunda capa dieléctrica, la cual está preferiblemente! hecha de nitruro de silicio. El óxido de zinc, especialmente el óxido de zinc modificado con aluminio, ayuda a mejorar la adhesión entre la plata y las capas superiores.
De este modo, la pila multicapa tratada de acuerdo con la invención preferiblemente comprende al menos una sucesión de ZnO / Ag / ZnO. El óxido de zinc puede ser modificado con aluminio. Una capa bloqueadora inferior puede ser colocada entre la capa de plata y la capa subyacente. De manera alternativa o adicional, la capa bloqueadora superior puede ser colocada entre la capa de plata y la capa suprayacente.
Finalmente, el segundo recubrimiento puede ser coronado por una capa superior, algunas veces referida como "recubrimiento superior" en la técnica. Esa última capa de la pila multicapa, la cual es por lo tanto la que e$tá en contacto con el aire del ambiente, depende proteger la pila multicapa contra cualquier ataque mecánico (rayaduras, etc.) o ataque químico. Este recubrimiento superior es generalmente muy delgado para no perturbar la aparición en la reflexión de la pila multicapa (su espesor es típicamente de entre 1 y 5 nm) . Esta preferiblemente se basa en óxido de titanio o un óxido de estaño y zinc mezclado, especialmente uno modificado con antimonio depositado en forma subestequiométrica .
La pila multicapa puede comprender una o más capas de plata, especialmente dos o tres capas de plata. Donde esté presente más de una capa de plata, la arquitectura general presentada anteriormente puede ser repetida. En este caso, el segundo recubrimiento relacionado con una capa de plata dada (por lo ¡tanto localizada encima de esta capa de plata) generalmente coincidente con el primer recubrimiento relacionado con la siguiente capa de plata.
Los sustratos recubiertos obtenidos de acuerdo con la invención pueden ser usados en acristalamientos simples, múltiples o laminados, espejos, y recubrimientos de pared de vidrio. Si el recubrimiento es una: pila multicapa de baja emisividad, y en el caso de un acristalamiento múltiple que comprende al menos dos. hojas de vidrio separadas por una cavidad llena con gas, es preferible que la pila multicapa sea colocada sobre el lado en contacto de la cavidad llena con gas, especialmente sobre el lado 2 con relación con el exterior (es decir sobre el lado del sustrato en contacto con el exterior del edificio, que se encuentre sobre el lado opuesto al lado volteado hacia el exterior) sobre el lado 3 (es ¿iecir, sobre aquel lado del segundo sustrato partiendo del exterior del edificio volteado hacia el exterior) . Si el recubrimiento es una capa fotocatalitica, éste es colocado preferiblemente sobre el lado 1, por lo tanto en contacto con el exterior del edificio.
Los sustratos recubiertos obtenidos de acuerdo con la invención también pueden ser usados en células o acristalamientos fotovoltaicos o paneles solares, siendo el recubrimiento tratado de acuerdo con la invención, por ejemplo, un electrodo basado en ZnO: Al o ZnO:Ga en una pila multicapa basada en calcopirita (en particular del tipo CIS, es decir CuInSe2) o basada en silicio amorfo y/o policristalino, o también basada en CdTe.
Los sustratos recubiertos obtenidos de acuerdo con la invención también pueden ser usados en pantallas de visualización del tipo LCD (Pantalla de Cristal Liquido) , o OLED (Diodo Emisor de Luz Orgánicos) o FED (Pantalla de Emisión de Campo) , siendo el recubrimiento tratado de acuerdo con la invención, por ejemplo, una ! capa eléctricamente conductora de ITO. También pueden ser usados en acristalamiento electrocrómico, siendo la capa delgada tratada de acuerdo con la invención, por ejemplo, la capa eléctricamente conductora transparente, como es enseñado en la solicitud FR-A-2 833 107.
DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LA INVENCIÓN La invención es ilustrada con la ayuda de las siguientes modalidades ejemplares no limitantes. ' EJEMPLO 1 Una pila multicapa de baja emisividad es depositada sobre un sustrato de vidrio claro de 4 'rom de espesor vendido bajo el nombre SGG Planilux por la solicitante. La pila multicapa es depositada en una forma conocida, sobre una linea de electrodeposición (proceso magnetrónico) en la cual el sustrato se desplaza debajo de varios objetivos.
La Tabla 1 indica el espesor físico de las capas, expresado en nm. La primera línea corresponde a la capa más alejada del sustrato, en contacto con el aire abierto.
Tabla 1 La siguiente Tabla 2 resume los parámetros de deposición usados para las diferentes capas Las muestras son tratadas usando una radiación que emite un láser en linea con una longitud de onda de 980 nm, a lo largo de la cual el sustrato recubierto se desplaza de manera traslacional . La potencia lineal es de 40 W/mm y el espesor del haz es de 63 micrómetrós . La densidad de energía superficial es por lo tanto de 63 kW/cm2. La velocidad de desplazamiento del sustrato es de 5 m/min.
El recubrimiento tiene, a la longitud de onda del láser, una reflexión de 65% y una transmisión de 25%. '¦ De acuerdo con una primera configuración, es colocado un espejo opuesto al recubrimiento lo que hace posible reflejar la radiación principal para formar una radiación secundaria que impacta sobre el recubrimiento precisamente en el mismo lugar que la radiación principal. La pérdida de resistencia laminar después del tratamiento es entonces del 20 al 21% en términos relativos.
De acuerdo con una segunda configuración1, son colocados dos espejos y una lente opuestos al recubrimiento. La porción de la radiación principal que es reflejada por el recubrimiento es a su vez reflejado por el primer espejo, entonces por el segundo espejo a una lente colocada para enfocar la radiación secundaria en el lugar preciso donde la radiación principal impacta sobre el recubrimiento. La pérdida de resistencia laminar después del tratamiento con calor es entonces de 21% a 23% en términos relativos.
Sin reutilizar la porción reflejada de la porción principal, la pérdida de resistencia laminar es del 18%.
La mejor efectividad del tratamiento asociada con esta ganancia en la pérdida de resistencia laminar hace posible incrementar la velocidad de tratamiento en aproximadamente 30% a una pérdida igual.
EJEMPLO 2 ! Se deposita una pila multicapa de baja emisividad sobre un sustrato de vidrio claro de 4 mm de espesor vendido bajo el nombre de SGG Planilux por la solicitante. La pila multicapa es depositada, en una forma conocida, sobre una linea de electrodeposición (proceso magnetrónico) en la cual el sustrato se desplaza debajo de varios objetivos.
? La siguiente Tabla 3 indica el espesor físico de las capas de la pila multicapa, expresado en nm. La primera linea corresponde a la capa más lejana del sustrato, en contacto con el aire abierto.
TABLA 3 Los parámetros de deposición usados para las diferentes capas son aquéllos de la Tabla 2.
Las muestras son tratadas usando una radiación de emisión láser en línea con una longitud de onda de 980 nm, a lo largo de la cual el sustrato recubierto se desplaza traslacionalmente . La potencia lineal es de 40 W/mm! y el espesor del haz es de 63 micrómetros. La energía superficial es por lo tanto de 63 kW/cm2. La velocidad del sustrato es de 7.5 m/min.
El recubrimiento tiene, a la longitud de onda de láser, una reflexión de 9% y una transmisión del 73%. [ Se coloca un espejo opuesto al recubrimiento que hace posible reflejar la radiación principal para formar una radiación secundaria que se impacta sobre el recubrimiento precisamente en el mismo lugar que la radiación principal. La pérdida de resistencia laminar después del tratamiento con calor es entonces del 21.3% en términos relativos.
Sin reutilizar la porción reflejada de la radiación principal. La pérdida de la resistencia laminar es del 18%.
La mejor efectividad del tratamiento asociada con esta ganancia en la pérdida de resistencia laminar hace posible incrementar la velocidad del tratamiento en aproximadamente 30% a una pérdida igual.
EJEMPLO 3 Una capa de óxido de zinc modificado con aluminio, el espesor de la cual es de 190 nm, es depositada sobre un sustrato de vidrio claro de 4 nm de espesor vendido bajo el nombre de SGG Planilux por la solicitante, La pila multicapa es depositada en una forma conocida, en una linea de electrodeposición (proceso magnetrónico) : Las muestras son tratadas usando una emisión de láser de C02( en forma de una linea de láser, una radiación principal, la longitud de onda de la cual es de 10.6 micrometros . La potencia del láser es de 300 W y el ancho de la línea es del orden de 0.5 mm. ! A la longitud de onda de láser, el recubrimiento tiene una reflexión del 18.5% y una transmisión de 74¡.4%.
En una prueba comparativa, únicamente es usada la radiación principal para tratar el recubrimiento. Para una velocidad del desplazamiento del sustrato debajo del láser de 1.6 m/s, la ganancia en la resistividad es dé 57%, siendo el valor final de 7.7 x 10~4 Q.cm.
En una prueba usando el proceso de acuerdo con la invención, es colocado un montaje óptimo debajo del sustrato que consiste de dos espejos y una lente, como se representa en la figura 3, para reflejar hacia el sustrato la porción transmitida de la radiación principal (modo "transmisión") . La radiación secundaria así formada impacta sobre el sustrato precisamente en el mismo lugar que la radiación principal.
El uso del proceso de acuerdo con la invención hace posible lograr la misma ganancia en la resistividad pero con una velocidad del desplazamiento del sustrato de 1.73 m/s, es decir una ganancia del 8% en la productividad.
EJEMPLO 4 Una capa de 20 nm de espesor de sílice y entonces una capa delgada de óxido de titanio que tiene un espesor de 10 nm y finalmente una capa delgada de titanio que tiene un espesor de 5 nm son depositadas sobre un sustrato de vidrio claro de 4 nm de espesor vendido bajo el nombre de SGG Planilux por la solicitante. La pila multicapa es depositada, en una forma conocida, sobre una líijiea de electrodeposición (proceso magnetrónico) en la cual el sustrato se desplaza debajo de varios objetivos (en este caso particular objetivos hechos de silicio y titanio modificados con aluminio) .
Entre la salida de la linea magnetrónica y el dispositivo de almacenamiento, un dispositivo de emisión láser basado en diodos láser que emiten a una longitud de onda de 808 nm produce una radiación láser principal enfocada sobre la capa de titanio, a lo largo de una linea correspondiente al ancho del sustrato.
En una prueba comparativa, únicamente la radiación principal es usada para tratar el recubrimiento. Para una velocidad de desplazamiento del sustrato debajo del láser de 4 m/minuto, la actividad fotocatalitica, medida de acuerdo con la prueba descrita en la solicitud WO 2011/039488 (verificando la degradación del [ ácido estéarico) es de 22 x 10"4 cnf1. min"1. La potencia lineal del láser es de 37.5 W/nm.
En una prueba usando el procedimiento de acuerdo con la invención, un montaje óptico que consiste de un prisma y una lente, de acuerdo a lo representado en la figura 2, es colocado debajo del sustrato para reflejar hacia el sustrato la porción reflectora de la radiación principal (modo "reflexión") . La radiación secundaria asi formada impacta sobre el sustrato precisamente en el mismo lugar que la radiación principal.
El uso del proceso de acuerdo a la invención hace posible obtener como resultado el mismo nivel de actividad fotocatalitica, a la misma potencia del láser, pero c;on una velocidad de desplazamiento mayor de 4.2 m/min, es decir una ganancia en la productividad del 4%.
Por el contrario, para una misma velocidad de desplazamiento para la prueba comparativa (4 m/min), se obtuvo el mismo nivel de actividad fotocatalitica,' pero para una potencia de láser menor, de sólo 36.8 W/nm. ,

Claims (15)

REIVINDICACIONES
1. El proceso para obtener un sustrato provisto sobre al menos uno de sus lados con un recubrimiento, que comprende un paso de depositar el recubrimiento, entonces un paso de tratar con calor el recubrimiento usando una radiación láser principal, el proceso se caracteriza porque al menos una porción de la radiación láser principal transmitida a través del sustrato y/o reflejado por el recubrimiento es redirigido en la dirección del sustrato para formar al menos una radiación láser secundaria.
2. El proceso de conformidad con la reivindicación precedente, caracterizado porque el sustrato es hecho de vidrio o de material orgánico polimérico.
3. El proceso de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque el recubrimiento comprende al menos una capa delgada elegida de capas de plata, capas de óxido de titanio y capas eléctricamente conductoras transparentes.
4. El proceso de conformidad con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la temperatura del lado del sustrato opuesta al lado tratado por al menos una radiación láser no excede de 100°C, en particular 50°C y aún 30°C durante el tratamiento con calor .
5. El proceso de conformidad con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la radiación láser principal resulta de al menos un haz láser que forma una linea la cual irradia simultáneamente todo o algo del ancho del sustrato.
6. El proceso de conformidad con la reivindicación precedente caracterizado porque un movimiento relativo entre el sustrato y la o cada; línea láser se lleva a cabo de modo que la diferencia entre las velocidades respectivas del sustrato y del láser sea mayor o igual a 4 metros por minuto, en particular 6 metros por minuto .
7. El proceso de conformidad con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la longitud de onda de la radiación láser es de entre 500 y 2000 nm, en particular de entre 700 y 1100 nm. ;
8. El proceso de conformidad con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la radiación láser secundaria es formada reflejando la porción de la radiación láser principal transmitida a través del sustrato y/o reflejada por al menos un recubrimiento, usando al menos un espejo.
9. El proceso de conformidad con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la radiación láser secundaria impacta sobre el sustrato en el mismo lugar que la radiación láser principal.
10. El proceso de conformidad con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la radiación láser secundaria tiene el mismo perfil ,que la radiación láser principal. 1
11. El proceso de conformidad con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la profundidad del foco de la radiación láser secundaria es la misma que la radiación láser principal.
12. El proceso de conformidad con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque el ángulo formado por la radiación principal y/o la radiación secundaria y la normal al sustrato es diferente de cero, típicamente menor de 45°C, en particular de entre 8°C y 13°C.
13. El proceso de conformidad con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque la formación de la o cada radiación láser secundaria usa un montaje óptico que comprende únicamente elementos ópticos elegidos de espejos, prismas y lentes.
14. El proceso de conformidad con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque el montaje óptico consiste de dos espejos y de una lente; o de un prisma y de una lente.
15. El proceso de conformidad con una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque al menos un recubrimiento es depositado por electrodeposicion magnetrónica.
MX2013010285A 2011-03-08 2012-03-07 Método para obtener un sustrato provisto con un recubrimiento. MX359230B (es)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1151897A FR2972447B1 (fr) 2011-03-08 2011-03-08 Procede d'obtention d'un substrat muni d'un revetement
PCT/FR2012/050476 WO2012120238A1 (fr) 2011-03-08 2012-03-07 Procede d'obtention d'un substrat muni d'un revêtement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MX2013010285A true MX2013010285A (es) 2013-10-01
MX359230B MX359230B (es) 2018-09-20

Family

ID=45930908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MX2013010285A MX359230B (es) 2011-03-08 2012-03-07 Método para obtener un sustrato provisto con un recubrimiento.

Country Status (17)

Country Link
US (1) US9580807B2 (es)
EP (1) EP2683669B1 (es)
JP (1) JP6054890B2 (es)
KR (1) KR101982357B1 (es)
CN (1) CN103402940B (es)
AU (1) AU2012226643B2 (es)
BR (1) BR112013017834A8 (es)
CA (1) CA2823906C (es)
DK (1) DK2683669T3 (es)
EA (1) EA025255B1 (es)
ES (1) ES2645936T3 (es)
FR (1) FR2972447B1 (es)
MX (1) MX359230B (es)
NO (1) NO2683669T3 (es)
PL (1) PL2683669T3 (es)
PT (1) PT2683669T (es)
WO (1) WO2012120238A1 (es)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10060180B2 (en) 2010-01-16 2018-08-28 Cardinal Cg Company Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology
US10000411B2 (en) 2010-01-16 2018-06-19 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology
US10000965B2 (en) 2010-01-16 2018-06-19 Cardinal Cg Company Insulating glass unit transparent conductive coating technology
US8815059B2 (en) * 2010-08-31 2014-08-26 Guardian Industries Corp. System and/or method for heat treating conductive coatings using wavelength-tuned infrared radiation
DE102011089884B4 (de) * 2011-08-19 2016-03-10 Von Ardenne Gmbh Niedrigemittierende Beschichtung und Verfahren zur Herstellung eines niedrigemittierenden Schichtsystems
FR3002768B1 (fr) * 2013-03-01 2015-02-20 Saint Gobain Procede de traitement thermique d'un revetement
FR3021967B1 (fr) * 2014-06-06 2021-04-23 Saint Gobain Procede d'obtention d'un substrat revetu d'une couche fonctionnelle
CN105448681B (zh) * 2014-07-04 2018-11-09 上海微电子装备(集团)股份有限公司 激光退火装置
AP2017009793A0 (en) * 2014-09-09 2017-03-31 Aurora Labs Pty Ltd 3d printing method and apparatus
KR101617019B1 (ko) * 2015-03-12 2016-04-29 주식회사 코윈디에스티 유리 기판 어닐링 장치
WO2016205855A1 (en) 2015-06-23 2016-12-29 Aurora Labs Pty Ltd 3d printing method and apparatus
FR3048244B1 (fr) * 2016-02-26 2018-03-16 Saint-Gobain Glass France Procede de gravure selective d'une couche ou d'un empilement de couches sur substrat verrier
WO2018081848A1 (en) 2016-11-02 2018-05-11 Aurora Labs Limited 3d printing method and apparatus
US11148228B2 (en) * 2017-07-10 2021-10-19 Guardian Glass, LLC Method of making insulated glass window units
DE102017007939A1 (de) * 2017-08-21 2019-02-21 Ernst-Abbe-Hochschule Jena Vorrichtung und Verfahren zur Rekuperation elektromagnetischer Strahlung
JPWO2019082309A1 (ja) * 2017-10-25 2020-11-19 株式会社ニコン 加工装置、塗料、加工方法、及び、移動体の製造方法
CN108793766B (zh) * 2018-06-12 2021-05-25 西安理工大学 一种有效调制中红外透射率的电致变色薄膜及其制备方法
KR102148013B1 (ko) * 2018-07-24 2020-08-25 (주) 큐알에스 레이어 분리장치
KR102061424B1 (ko) * 2018-07-27 2019-12-31 주식회사 코윈디에스티 로이 유리 어닐링 장치
US10822270B2 (en) * 2018-08-01 2020-11-03 Guardian Glass, LLC Coated article including ultra-fast laser treated silver-inclusive layer in low-emissivity thin film coating, and/or method of making the same
US11028012B2 (en) 2018-10-31 2021-06-08 Cardinal Cg Company Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same
CN111945115A (zh) * 2019-05-17 2020-11-17 常州星宇车灯股份有限公司 一种车灯零件表面膜的处理方法
US11081343B2 (en) 2019-07-19 2021-08-03 International Business Machines Corporation Sub-stoichiometric metal-oxide thin films
KR102208057B1 (ko) * 2019-08-29 2021-01-27 주식회사 코윈디에스티 열 차단 챔버를 구비하는 유리 기판 어닐링 장치
FR3111891A1 (fr) * 2020-06-24 2021-12-31 Saint-Gobain Glass France Materiau comportant un empilement a sous-couche dielectrique fine d’oxide a base de zinc et procede de depot de ce materiau
FR3111892B1 (fr) * 2020-06-24 2022-07-22 Saint Gobain Materiau comportant un empilement a sous-couche dielectrique fine d’oxide a base de zinc et procede de depot de ce materiau

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7217605B2 (en) 2000-11-29 2007-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method and method of manufacturing a semiconductor device
JP2002261013A (ja) * 2000-11-29 2002-09-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射方法並びに半導体装置の作製方法
US6844523B2 (en) * 2001-09-07 2005-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser apparatus, laser irradiation method, manufacturing method for a semiconductor device, semiconductor device and electronic equipment
FR2833107B1 (fr) 2001-12-05 2004-02-20 Saint Gobain Electrode de dispositifs electrochimiques/electrocommandables
JP4387099B2 (ja) * 2001-12-28 2009-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の生産方法
EP1326273B1 (en) * 2001-12-28 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4660074B2 (ja) * 2003-05-26 2011-03-30 富士フイルム株式会社 レーザアニール装置
US7098155B2 (en) * 2003-09-29 2006-08-29 Ultratech, Inc. Laser thermal annealing of lightly doped silicon substrates
KR100577795B1 (ko) * 2003-12-30 2006-05-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 다결정 실리콘막 형성방법
FI20050216A0 (fi) * 2005-02-23 2005-02-23 Ruuttu Jari Menetelmä valmistaa timanttia, muita jalokiviä, kuten safiiria, rubiinia jne. ja suorittaa näillä pinnoituksia sekä suorittaa pinnoituksia muilla aineilla, kuten boriideillä, oksideillä, nitrideillä jne.
FR2911130B1 (fr) * 2007-01-05 2009-11-27 Saint Gobain Procede de depot de couche mince et produit obtenu
FR2946335B1 (fr) * 2009-06-05 2011-09-02 Saint Gobain Procede de depot de couche mince et produit obtenu.
FR2946639B1 (fr) 2009-06-12 2011-07-15 Saint Gobain Procede de depot de couche mince et produit obtenu.
FR2950878B1 (fr) 2009-10-01 2011-10-21 Saint Gobain Procede de depot de couche mince
FR2969391B1 (fr) 2010-12-17 2013-07-05 Saint Gobain Procédé de fabrication d'un dispositif oled

Also Published As

Publication number Publication date
EA201391292A1 (ru) 2014-01-30
CN103402940A (zh) 2013-11-20
NO2683669T3 (es) 2018-01-13
AU2012226643A1 (en) 2013-10-10
PL2683669T3 (pl) 2018-01-31
FR2972447B1 (fr) 2019-06-07
DK2683669T3 (en) 2017-10-23
US20140106088A1 (en) 2014-04-17
KR20140052965A (ko) 2014-05-07
EP2683669B1 (fr) 2017-08-16
CA2823906A1 (fr) 2012-09-13
JP6054890B2 (ja) 2016-12-27
JP2014515719A (ja) 2014-07-03
WO2012120238A1 (fr) 2012-09-13
AU2012226643B2 (en) 2015-10-29
BR112013017834A8 (pt) 2018-09-04
KR101982357B1 (ko) 2019-05-27
EA025255B1 (ru) 2016-12-30
US9580807B2 (en) 2017-02-28
EP2683669A1 (fr) 2014-01-15
PT2683669T (pt) 2017-10-31
FR2972447A1 (fr) 2012-09-14
CA2823906C (fr) 2019-09-03
BR112013017834A2 (pt) 2016-10-11
CN103402940B (zh) 2016-09-28
MX359230B (es) 2018-09-20
ES2645936T3 (es) 2017-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU2012226643B2 (en) Method for obtaining a substrate provided with a coating
KR101675252B1 (ko) 투명 전도성 산화물 필름을 포함하는 스택으로 코팅된 기판의 제조 방법
KR101913871B1 (ko) 코팅이 구비된 기판을 포함하는 재료의 생산 방법
JP6022935B2 (ja) 薄膜層堆積方法及び得られる製品
JP6204454B2 (ja) コーティングされた基材の製造方法
CN105452519B (zh) 用于获得被提供有包含不连续的薄金属层的涂层的基材的方法
KR102289587B1 (ko) 코팅을 열처리하기 위한 방법
EA022242B1 (ru) Способ получения подложки
US20160010212A1 (en) Process for obtaining a substrate equipped with a coating
KR20130129979A (ko) Oled 장치 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
FG Grant or registration