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KR980006024A - 더미 웨이퍼 - Google Patents

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Info

Publication number
KR980006024A
KR980006024A KR1019970027140A KR19970027140A KR980006024A KR 980006024 A KR980006024 A KR 980006024A KR 1019970027140 A KR1019970027140 A KR 1019970027140A KR 19970027140 A KR19970027140 A KR 19970027140A KR 980006024 A KR980006024 A KR 980006024A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
silicon
wafer
dummy wafer
silicon carbide
thin film
Prior art date
Application number
KR1019970027140A
Other languages
English (en)
Inventor
가즈오 사이토
야스시 모치쓰키
세이지 야마모토
Original Assignee
모치쓰키 아키히로
닛신보세키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 모치쓰키 아키히로, 닛신보세키 가부시키가이샤 filed Critical 모치쓰키 아키히로
Publication of KR980006024A publication Critical patent/KR980006024A/ko

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
더미웨이퍼
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래기술의 난점을 해소하고, 꺽임이 발생하거나, 반도체의 오염원인 금속을 함유하는 일이 없어, 불산이나 염산 등에 대한 내산성이나, 내열성, 또는 반복내열성을 가지며, 또한 염가인 더미웨이퍼를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명의 더미 웨이퍼는 웨이퍼에 대한 박막형성과정에서 사용되는 더미웨이퍼로서, 글래스 상태의 카본을 규소 또는 규소를 포함하는 가스와 반응시킴으로써 얻는 탄화규소로 이루어지는 것을 특징으로 하거나, 혹은 글래스 상태의 카본을 규소 또는 규소를 포함하는 가스와 반응시킴으로써 얻는 탄화규소로 이루어짐과 함께, 그 표면상에 CVD 법에 의하여 탄화규소층을 형성한 것을 특징으로 함.
4. 발명의 중요한 용도
실리콘 웨이퍼나 화합물 반도체 웨이퍼에 대한 박막형성과정에 사용됨.

Description

더미 웨이퍼
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (2)

  1. 웨이퍼상에 박막을 형성하는 과정에서 사용되는 더미웨이퍼로서, 글래스 상태의 카본과 규소 또는 규소를 포함하는 가스와 반응시킴으로써 얻는 탄화규소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 더미웨이퍼.
  2. 웨이퍼상에 박막을 형성하는 과정에서 사용되는 더미웨이퍼로서, (1)글래스상태의 카본을 규소 또는 규소를 포함하는 가스와 반응시킴으로써 얻는 탄화규소 및 (2)그 표면상에 CVD법에 의하여 형성된 탄화규소층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 더미 웨이퍼.
    ※ 참고상항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970027140A 1996-06-25 1997-06-25 더미 웨이퍼 KR980006024A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-185581 1996-06-25
JP8185581A JPH1012692A (ja) 1996-06-25 1996-06-25 ダミーウエハ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR980006024A true KR980006024A (ko) 1998-03-30

Family

ID=16173319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970027140A KR980006024A (ko) 1996-06-25 1997-06-25 더미 웨이퍼

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5853840A (ko)
EP (1) EP0817255A3 (ko)
JP (1) JPH1012692A (ko)
KR (1) KR980006024A (ko)
TW (1) TW364163B (ko)

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JPH1012692A (ja) 1998-01-16
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US5853840A (en) 1998-12-29
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Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19970625

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid