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KR970072164A - 유성 마그넷 소스 어셈블리를 가진 플라즈마 처리 챔버 - Google Patents

유성 마그넷 소스 어셈블리를 가진 플라즈마 처리 챔버 Download PDF

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Publication number
KR970072164A
KR970072164A KR1019970013127A KR19970013127A KR970072164A KR 970072164 A KR970072164 A KR 970072164A KR 1019970013127 A KR1019970013127 A KR 1019970013127A KR 19970013127 A KR19970013127 A KR 19970013127A KR 970072164 A KR970072164 A KR 970072164A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
shaft
axis
gear
magnetron source
assembly
Prior art date
Application number
KR1019970013127A
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English (en)
Inventor
데이비드 데이통 휴
Original Assignee
조셉 제이. 스위니
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 조셉 제이. 스위니, 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 조셉 제이. 스위니
Publication of KR970072164A publication Critical patent/KR970072164A/ko

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H01J37/3408—Planar magnetron sputtering

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract

스퍼터링 챔버내에서 타겟으로 사용하기 위한 마그네트론 소스는 제1축을 가진 제1샤프트와; 상기 제1축에 평행하면서 오프셋되는 제2축을 가진 제2샤프트와; 상기 제샤프트에 설치된 자기 어셈블리; 및 상기 제1샤프트의 회전에 응답하여 상기 제1샤프트가 회전하도록 하고 또한 상기 제2측이 상기 제1축둘레에서 회전하는 동안 상기 마그넷 어셈블리가 상기 제2축에 관하여 회전되도록 하는 기어 어셈블리를 포함하는데, 동작중에 상기 자기 어셈블리는 Rmax의 제1축에 관해 최대 크기를 가진 영역에 걸쳐 스위프되며, 상기 마그넷 어셈블리는 rmax의 제2축에 대해 최대 유효 반경 크기를 가지며, 또한 rmax＞Rmax가 된다.

Description

유성 마그 넷 소스 어셈블리를 가진 플라즈마 처리 챔버
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 마그네트론 소스 어셈블리를 가진 플라즈마 처리 챔버, 제2도는 제1도에 도시한 상기 마그네트론소스 어셈블리의 단면도, 제2a도는 유성 기어를 스핀들에 설치한 제2도의 베어링 어셈블리의 더 상세한 도면, 제3도는 제1도에 나ㅏㅌ낸 마그네트론 소스 어셈블리의 평면도, 제4도는 상기 마그 넷 어셈블리의 경계 외부에서 점의 이동을 나타내는 도면.

Claims (28)

  1. 스퍼터링 챔버내에서 타겟을 이용하기 위한 마그네트론 소스에 있어서, 제1축을 가진 제1샤프트; 상기제1축으로부터 오프 셋에 평행한 제2축을 가진 제2샤프트; 상기 제2샤프트에 설치된 마그 넷 어셈블리; 및 상기 제1샤프트의 회전에 응답으로 상기 제2샤프트가 회전하도록, 상기 제2측이 상기 제1축 둘레에서 회전하는동안 상기 마그 넷 어셈블리가 제2축에 관해 회전 하도록 하는 기어 어셈블리를 포함하는데, 동작중에 상기마그 넷 어셈블리는 Rmax의 제1축에 대해 최대 크기를 가진 영역을 통해 스위프되고, 상기 마그 넷 어셈블리는rmax의 제2축에 대해 최대 유효 반경을 가지며, rmax＞Rmax인 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  2. 제1항에 있어서, rmax＞0.9Rmax인 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기어 어셈블리는 상기 마그 넷 어셈블리가 상기 제2축에 관해 회전하는 것보다 더 빠른 속도로 상기 제2축이 상기 제1축 둘레에서 회전할 수 있도록 기어 속도에 의해 특징되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  4. 제1항에 있어서, 상기 마그 넷 어셈블리, 제1 및 제2샤프트, 그리고 상기 기어 어셈블리를 포함하는 내부 캐비티를 한정하는 하우징을 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  5. 제4항에 있어서, 상기 하우징은 동작중에 냉각제가 상기 내부 캐비티를 통해 순환되는 입구 포트와 출구 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기어 어셈블리는, 링 기어; 및 상기 링 기어의 내부에 위치되어 연동하는 유성기어를 포함하는데, 상기 제2샤프트는 상기 유성 기어에 결합되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스
  7. 제6항에 있어서, 상기 기어 어셈블리는 상기 제1샤프트에 결합되고 이곳에 결합된 제3샤프트를 갖는 아암을 더 포함하는데, 상기 제3샤프트는 상기 제1샤프트와 평행하고 상기 제1샤프트로부터 오프셋 되는 축을 가지며 상기 유성 기어는 상기 제3샤프트에 회전 가능하게 설치되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제3샤프트는 서로 축 방향으로 정렬되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  9. 제8항에 있어서, 상기 아암은 상기 제3샤프트에 반대측에 있는 상기 제1샤프트의 일측에 위치된 균형추를 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  10. 제7항에 있어서, 상기 링 기어는 내부 경계상에서 기어 티드를 가지며 상기 유성 기어는 상기 링 기어의 기어 티드와 연동하는 외부 경계상에서 기어 티드를 갖는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  11. 제10항에 있어서, 상기 하우징은 타겟을 유지하기 위한 후면 플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  12. 제11항에 있어서, 상기 후면 플레이트에 설치된 타겟을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  13. 제1항에 있어서, 상기 마그 넷 어셈블리는 내부 극부, 외부 극부 및, 상기 제1 및 제2극부를 각각 갖는 다수의 마그 넷을 포함하는데, 이중 하나는 상기 제1극부에 결합되고 다른 것은 상기 제2극부에 결합되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  14. 스퍼터링 챔버내에서 타겟을 이용하기 위한 마그네트론 소스에 있어서, 제1축을 가진 제1샤프트; 상기제1축으로부터 오프 셋에 평행한 제2축을 가진 제2샤프트; 상기 제2샤프트에 설치된 마그 넷 어셈블리를 포함하는데, 상기 마그 넷 어셈블리는 rmax의 제2축에 대해 최대 반경 크기를 가지며, 상기 오프 셋은 rmax보다 더 작으며; 및 상기 제1샤프트의 회전에 응답으로 상기 제2샤프트가 회전하도록 하고, 상기 제2축이 상기 제1축둘레에서 회전하는 동안 상기 마그 넷 어셈블리가 상기 제2축에 관해 회전하도록 하는 기어 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  15. 제14항에 있어서, 상기 오프 셋은 rmax보다 더 작은 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  16. 재료를 기판에 스퍼터링하기 위한 플라즈마 처리 시스템에 있어서, 상기 시스템은 처리 캐비티를 한정하는 챔버 본체; 상기 처리 캐비티내에 위치되어 처리중에 상기 기판을 유지하는 패디스틀; 및 마그네트론 소스를 포함하며; 상기 마그네트론 소스는 제1축을 가진 제1샤프트; 상기 제1축으로부터 오프 셋에 평행한 제2축을 가진 제2샤프트; 상기 제2샤프트에 설치된 마그 넷 어셈블리; 및 상기 제1샤프트의 회전에 응답으로 상기 제2샤프트가 회전하도록 하고, 상기 제2축이 상기 제1축 둘레에서 회전하는 동안 상기 마그 넷 어셈블리가 상기 제2축에 관해 회전하도록 하는 기어 어셈블리를 포함하는데, 동작중에 상기 마그 넷 어셈블리는 Rmax의 제1축에 대해 최대 크기를 가진 영역을 통해 스위프되고, 상기 마그넷 어셈블리는 rmax의 제2축에 대해 최대 유효 반경을 가지며, rmax〉Rmax인 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  17. 제16항에 있어서, rmax〉0.9 Rmax인 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  18. 제16항에 있어서, 상기 기어 어셈블리는 상기 마그 넷 어셈블리가 상기 제2축에 관해 회전하는 것보다 더 빠른 속도로 상기 제2축이 상기 제1축 둘레에서 회전할 수 있도록 기어 속도에 의해 특징되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  19. 제16항에 있어서, 상기 마그 넷 어셈블리, 제1 및 제2샤프트, 및 상기 기어 어셈블리를 포함하는 내부 캐비티를 한정하는 하우징을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  20. 제16항에 있어서, 상기 하우징은 동작중에 냉각제가 상기 내부 캐비티를 통해 순환되는 입구 포트와 출구 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  21. 제16항에 있어서, 상기 기어 어셈블리는 링 기어; 및 상기 링 기어의 내부에 위치되어 연동하는 유성 기어를 포함하는데, 상기 제2샤프트는 상기 유성 기어에 결합되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  22. 제21항에 있어서, 상기 기어 어셈블리는 상기 제1샤프트에 결합되고 이곳에 결합된 제3샤프트를 갖는 아암을 더 포함하는데, 상기 제3샤프트는 상기 제1샤프트와 평행하고 상기 제1샤프트로부터 오프셋 되는 축을 가지며 상기 유성 기어는 상기 제3샤프트에 회전 가능하게 설치되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  23. 제22항에 있어서, 상기 제1 및 제3샤프트는 서로 축 방향으로 정렬되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  24. 제23항에 있어서, 상기 아암은 상기 제3샤프트에 반대측에 있는 상기 제1샤프트의 일측에 위치된 균형추를 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  25. 제24항에 있어서, 상기 링 기어는 내부 경계상에 기어 티드를 가지며 상기 유성 기어는 상기 링 기어의 기어 티드와 연동하는 외부 경계상에 기어 티드를 갖는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  26. 제25항에 있어서, 상기 하우징은 타겟을 유지하기 위한 후면 플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  27. 제26항에 있어서, 상기 후면 플레이트에 설치된 타겟을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
  28. 제16항에 있어서, 상기 마그 넷 어셈블리는 내부 극부, 외부 극부 및 상기 제1 및 제2극부를 각각 갖는 다수의 마그 넷을 포함하는데, 이중 하나는 상기 제1극부에 결합되고 다른 것은 상기 제2극부에 결합되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 소스.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970013127A 1996-04-10 1997-04-10 유성 마그넷 소스 어셈블리를 가진 플라즈마 처리 챔버 KR970072164A (ko)

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US63021996A 1996-04-10 1996-04-10
US08/630,219 1996-04-10

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Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19970410

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid