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KR970053869A - 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 서지 바이패스 회로 - Google Patents

유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 서지 바이패스 회로 Download PDF

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KR970053869A
KR970053869A KR1019950055692A KR19950055692A KR970053869A KR 970053869 A KR970053869 A KR 970053869A KR 1019950055692 A KR1019950055692 A KR 1019950055692A KR 19950055692 A KR19950055692 A KR 19950055692A KR 970053869 A KR970053869 A KR 970053869A
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KR
South Korea
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inductive load
circuit
bypass
surge
semiconductor manufacturing
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장대근
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김광호
삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 유도부하 회로를 갖는 반도체 제조장비의 유도부하 회로의 서지 바이패스 회로에 관한 것으로, 유도부하 회로에서 스위치 회로(4)의 온/오프 시에 코일(3)에서 발생하는 역기전력으로 인한 서지를 서지 바이패스 회로(4)에 의해 바이패스 시키므로 서지 발생으로 인한 코일(3), 스위치 회로(4) 등의 소손을 방지할 수 있다.

Description

유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 서지 바이패스 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 유도부하 회로의 서지 바이패스 회로의 실시예를 보이는 회로도.

Claims (3)

  1. 제1전원전압과 제2전원전압 사이에 직렬로 연결되어 기전력을 발생하는 코일과, 상기 코일에 직렬로 연결되는 스위치 수단을 포함하는 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 유도부하 회로에 있어서; 상기 코일에 병렬로 연결되어 상기 코일의 서지를 바이패스 시키는 서지 바이패스 수단을 포함하는, 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 서지바이패스 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 바이패스 수단은 직류회로에서 다이오드를 사용하는 것을 특징으로 하는, 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 서지 바이패스 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 바이패스 수단으로 교류회로에서 바리스터를 사용하는 것을 특징으로 하는, 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 서지 바이패스 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950055692A 1995-12-23 1995-12-23 유도부하를 갖는 반도체 제조장비의 서지 바이패스 회로 Expired - Fee Related KR0162600B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017188489A1 (ko) * 2016-04-26 2017-11-02 주식회사 모스트파워 위상 오프 제어를 위한 유도성 킥백 전압 제거 장치

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WO2017188489A1 (ko) * 2016-04-26 2017-11-02 주식회사 모스트파워 위상 오프 제어를 위한 유도성 킥백 전압 제거 장치

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