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KR970051375A - 플래쉬 메모리 장치 - Google Patents

플래쉬 메모리 장치 Download PDF

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Publication number
KR970051375A
KR970051375A KR1019950065662A KR19950065662A KR970051375A KR 970051375 A KR970051375 A KR 970051375A KR 1019950065662 A KR1019950065662 A KR 1019950065662A KR 19950065662 A KR19950065662 A KR 19950065662A KR 970051375 A KR970051375 A KR 970051375A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bit line
latch circuit
signal
data latch
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1019950065662A
Other languages
English (en)
Inventor
김주영
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950065662A priority Critical patent/KR970051375A/ko
Publication of KR970051375A publication Critical patent/KR970051375A/ko
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Abstract

본 발명은 플래쉬 메모리 장치(Flash Memory device)에 관한 것으로서, 모든 메모리셀의 비트라인에 대이타 래치회로를 구성하여 상기 데이타 래치회로에 저장되는 프로그램 데이타에 따라 프로그램 및 프로그램 확인 동작을 시행하도록 한 플래쉬 메모리 장치에 관한 것이다.

Description

플래쉬 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 장치의 회로도.

Claims (3)

  1. 워드라인 및 비트라인간에 접속되는 메모리셀과, 상기 비트라인에 접속되어 상기 비트라인을 프로그램을 데이타로 래치 시키도록 하는 데이타 래치회로와, 상기 비트라인에 접속되어 상기 데이타 래치회로로부터 출력되는 확인신호 및 프로그램 인에이블신호에 따라 상기 비트라인을 디스챠지 시키기 위한 비트라인 바이어스회로와, 상기 비트라인 및 센스앰프간에 접속되어 어드레스 버퍼를 통해 입력되는 어드레스를 Y-디코더를 통해 입력으로 하는 Y- 먹스와, 데이타 입출력 버퍼를 통해 입력되는 데이타가 인버터를 통해 상기 Y-먹스 및 상기 센스앰프의 접속점으로 공급되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 데이타 래치회로는 상기 비트라인 및 노드 C간에 병렬 접속되며 그 출력이 반대인 제1 및 제1인버터와, 상기 비트라인 및 프로그램 인에이블신호를 각각 입력으로 하는 노아게이트와, 상기 노드C및 접지단자간에 접속되며 상기 노아게이트의 출력신호를 입력으로 하는 NMOS 트랜지스터와, 전원단자로부터 공급되는 전원전압을 상기 제1인버터의 전원전압으로 공급하기 위해 인버터를 통해 상기 프로그램 인에이블신호를 입력으로 하는 PMOS 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 비트라인 바이어스회로는 상기 데이타 래치회로로부터 출력되는 확인신호 및 프로그램 인에이블신호를 각각 입력으로 하는 노아게이트와, 상기 비트라인 및 접지단자간에 접속되며 상기 노아게이트의 출력신호인 프로그램 종료신호를 입력으로 하는 NMOS 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019950065662A 1995-12-29 1995-12-29 플래쉬 메모리 장치 Ceased KR970051375A (ko)

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KR1019950065662A KR970051375A (ko) 1995-12-29 1995-12-29 플래쉬 메모리 장치

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KR1019950065662A KR970051375A (ko) 1995-12-29 1995-12-29 플래쉬 메모리 장치

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KR970051375A true KR970051375A (ko) 1997-07-29

Family

ID=66624179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950065662A Ceased KR970051375A (ko) 1995-12-29 1995-12-29 플래쉬 메모리 장치

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KR (1) KR970051375A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100753400B1 (ko) * 2001-05-10 2007-08-30 주식회사 하이닉스반도체 래치를 갖는 반도체 메모리 장치의 센스 앰프
US7672170B2 (en) 2007-01-25 2010-03-02 Samsung Electronics Co., Ltd Flash memory device and program method thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100753400B1 (ko) * 2001-05-10 2007-08-30 주식회사 하이닉스반도체 래치를 갖는 반도체 메모리 장치의 센스 앰프
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Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19951229

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19951229

Comment text: Request for Examination of Application

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E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 19980928

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 19990127

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 19980928

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I