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KR970051166A - 반도체 메모리 장치 - Google Patents

반도체 메모리 장치 Download PDF

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Publication number
KR970051166A
KR970051166A KR1019950059457A KR19950059457A KR970051166A KR 970051166 A KR970051166 A KR 970051166A KR 1019950059457 A KR1019950059457 A KR 1019950059457A KR 19950059457 A KR19950059457 A KR 19950059457A KR 970051166 A KR970051166 A KR 970051166A
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KR
South Korea
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memory array
array groups
memory
sub
Prior art date
Application number
KR1019950059457A
Other languages
English (en)
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KR100350700B1 (ko
Inventor
장현순
오승철
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Filing date
Publication date
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Publication of KR970051166A publication Critical patent/KR970051166A/ko
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    • G—PHYSICS
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    • G11C—STATIC STORES
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 불필요한 컬럼디코더를 줄임으로써 레이아웃상의 칩 면적을 축소하는 반도체 메모리 장치를 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 로우어드레스에 의하여 워드라인을 선택하여 동작시키고 컬럼 어드레스에 의하여 컬럼 프리디코더를 거쳐 컬럼디코더의 출력신호인 컬럼선택라인에의하여 비트라인을 선택하고 메모리 셀을 엑세스하여 데이타를 라이트 하거나 리이드 동작을 수행하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 서브 메모리 어레이가 두개이상 다수개가 존재하고, 상기 두개 이상 다수개의 서브 메모리 어레이는 다수개의 메모리 어레이 그룹으로 나누어지고, 상기 컬럼선택라인은 서브 메모리 어레이 위에 배치되어 다수개의 서브 메모리 어레이의 비트라인을 제어하며 다수개의 메모리 어레이 그룹으로 나우어진 그룹은 두개의 메모리 어레이 그룹으로 서로 짝을 이루어 동작하며 상기 두개로 짝을 이룬 메모리 어레이 그룹사이에는 컬럼디코더만이 배치되고, 상기 컬럼디코더에는 컬럼선택 라인을 구동하는 구동단이 두개 존재하여 상기 두개의 메모리 어레이 그룹을 각각 제어하며 상기 컬럼디코더를 제어하는 프리디코딩 라인은 양쪽의 컬럼선택라인을 구동하는 구동단을 동시에 제어함을 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 반도체 메모리 장치에 적합하게 사용된다.

Description

반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 칩내의 컬럼디코더의 배치 구성을 보여주는 블럭도.

Claims (2)

  1. 로우어드레스에 의하여 워드라인을 선택하여 동작시키고 컬럼어드레스에 의하여 컬럼 프리디코더를 거쳐 컬럼디코더의 출력신호인 컬럼선태라인에 의하여 비트라인을 선택하고 메모리 셀을 액세스하여 데이타를 라이트하거나 리이드 동작을 수행하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 서브 메모리 어레이가 두개이상 다수개가 존재하고, 상기 두개이상 다수개의 서브 메모리 어레이는 다수개의 메모리 어레이 그룹으로 나누어지고, 상기 컬럼선택라인은 서브 메모리 어레이 위에 배치되어 다수개의 서브 메모리 어레이의 비트라인을 제어하며 다수개의 메모리 어레이 그룹으로 나우어진 그룹은 두개의 메모리 어레이 그룹으로 서로 짝을 이루어 동작하며 상기 두개의 짝을 이룬 메모리 어레이 그룹사이에는 컬럼디코더만이 배치되고, 상기 컬럼디코더에는 컬럼선택 라인을 구동하는 구동단이 두개 존재하여 상기 두개의 메모리 어레이 그룹을 각각 제어하며 상기 컬럼디코더를 제어하는 프리디코딩 라인은 양쪽의 컬럼선택라인을 구동하는 구동단을 동시에 제어함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 로우어드레스 의하여 워드라인을 선택하여 동작시키고 컬럼어드레스에 의하여 컬럼 프리디코더를 거쳐 컬럼디코더의 출력라인인 컬럼선택라인에 의하여 비트라인을 선택하고 메모리 셀을 엑세스하여 데이타를 라이트 하거나 리이드 동작을 수행하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 서브 메모리 어레이가 두개이상 다수개가 존재하고, 상기 두개이상 다수개의 서브 메모리 어레이는 다수개의 메모리 어레이 그룹으로 나누어지고, 상기 컬럼선택라인은 서브 메모리 어레이 위에 배치되어 다수개의 서브 메모리 어레이의 비트라인을 제어하며 다수개의 메모리 어레이 그룹으로 나누어진 그룹은 두개의 메모리 어레이 그룹으로 서로 짝을 이루어 동작하며 상기 두개의 짝을 이룬 메모리 어레이 그룹사이에는 컬럼디코더만이 배치되고, 상기 컬럼디코더에는 컬럼선택 라인을 구동하는 구동단이 한개 존재하여 상기 두개의 뱅크 메모리 어레이 그룹을 하나의 구동단으로 제어하며 상기 컬럼디코더에 컬럼선택라인을 구동하여 동시에 제어함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR100574242B1 (ko) * 1997-09-29 2006-07-21 지멘스 악티엔게젤샤프트 계층형칼럼선택라인구조를갖는공간효율적반도체메모리

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