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KR970026960A - 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법 - Google Patents

매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법 Download PDF

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KR970026960A
KR970026960A KR1019950040089A KR19950040089A KR970026960A KR 970026960 A KR970026960 A KR 970026960A KR 1019950040089 A KR1019950040089 A KR 1019950040089A KR 19950040089 A KR19950040089 A KR 19950040089A KR 970026960 A KR970026960 A KR 970026960A
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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
분산이동광섬유에서 특히, 코아 주위에 코아 보다 굴절율이 낮은 환상고리형 굴절율을 갖는 형태이며, 제조 공법상에는 석영관 내부에 화학가스를 공급하여 외부열원에 의해 가열, 증착하는 엠씨브이디(MCVD)방법에 의한 코아의 굴절율을 매끄럽게 하여 광섬유 상태에서의 기하구조를 균일하게 하는 방법에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
환상고리형 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 모재는 그 코아의 굴절율 형태가 원뿔형태인데, 상기 코아중심에서 최대 굴절율을 갖기 위해 상기 코아중심으로 갈수록 GeO2의 양이 많아져야 한다. 이때, 상기 GeO2의 양을 증가시키는 과정에서 증착패스간의 굴절율이 떨어지고, 상기 코아중심의 굴절율이 떨어지는 센터 딥(center dip)현상이 나타나는 문제점과, 종래의 단일모드 광섬유에 비해 코아경이 작아서 모재를 광섬유로 인출했을때 광섬유 모재길이별로 광특성의 편차가 많이 발생하는 문제점을 해결한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
모재증착시 증착온도와 증착유량을 조절하여 리플이 없는 굴절율을 만들고, 모재제조시 고온에 의해 코아중심에서 증발되는 GeO2가 차지했던 부분에 소정양의 SF6와 CF4를 사용하여 상기 GeO2가 차지했던 부분을 식각하여 센터딥을 줄이는 방법과, 모재의 외경을 크게하여 코아경을 균일하게 하는 방법을 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법.

Description

매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 적용되는 일반적인 엠씨이브이디 방법에 의한 제조공정을 보여주는 개략도.
제2도는 종래의 환상고리형 프로파일.
제3도는 종래 환상고리형 프로파일의 제조공정을 나타내는 파라미터.
제4도는 본 발명의 환상고리형 프로파일.
제5도는 본 발명의 환상고리형 프로파일의 제조공정을 나타내는 파라미터.

Claims (6)

  1. 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법에 있어서, 석영관 외부에 산소와 수소버너로 1875도에서 1903도까지의 온도로 가열하고 원료인 SiCl45200mg/m, GeCl 430mg/m, POCl330mg/m, CF49cc/m를 공급하여 증착클래드를 증착하는 제1증착과정과, 상기 증착클래드부를 증착한 후 온도를 1900도로 일정하게 유지하고 원료인 SiCl43300mg/m, GeCl41150mg/m, POCl 20mg/m, O21500cc/m로 공급하여 환상 고리부를 증착하는 제2증착과정과, 상기 환상고리부를 증착한 후 온도를 1890도에서 1897도로 증가시키고 원료인 SiCl43800mg/m, GeCl4430mg/m, POCl410mg/m, CF47cc/m를 공급시켜 증착클래드부를 다시 증착하는 제3증착과정과, 상기 증착클래드부를 증착한 후 온도를 1920도에서 1890도로 9패스로 나누어 낮추어 가열할시 원료중 SiCl4유량을 9패스로 감소시켜 380mg/m에서 260mg/m으로 공급하고, GeCl4유량을 9패스로 증가시켜 20mg/m에서 195mg/m으로 공급하며 O2의 유량은 1500cc/m를 일정하게 공급시켜 코어부를 증착하는 제4증착과정과, 상기 코어부를 증착한 후 온도를 2300-2360도로 상기 증착 완성된 광섬유를 응축하여 밀봉직전에 CF430-40cc/m을 석영관에 공급하며, 2220-2250도에서 에칭한후 2350-2370도로 가열하면서 Cl2100cc/m를 석영관에 공급하여 밀봉하는 밀봉과정으로 이루어짐을 특징으로 하는 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 코아부 증착 과정은, 온도를 1920도, 1916도, 1913도, 1909도, 1906도, 1901도, 1897도, 1894도, 1890도의 9패스로 감소시키고, 원료인 SiCl4를 380mg/m, 365mg/m, 350mg/m, 335mg/m, 320mg/m, 305mg/m, 290mg/m, 275mg/m, 260mg/m으로 9패스로서 상기 온도에 맞추어 감소시키고, GeCl4를 20mg/m, 52mg/m, 82mg/m, 109mg/m, 134mg/m, 156mg/m, 175mg/m, 191mg/m, 195mg/m으로 증가시킴을 특징으로 하는 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법.
  3. 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법에 있어서, 석영관 외부에 산소와 수소버너로 1875도에서 1903도까지의 온도로 가열하고 원료인 SiCl45200mg/m, GeCl4430mg/m, POCl330mg/m, CF49cc/m를 공급하여 증착클래드부를 증착하는 제1증착과정과, 상기 증착클래드부를 증착한 후 온도를 1900도로 일정하게 유지하고 원료인 SiCl43300mg/m, GeCl41150mg/m, POCl420mg/m, O21500cc/m로 공급하여 환상고리부를 증착하는 제2증착과정과, 상기 환상고리부를 증착한 후 온도를 1890도에서 1897도로 증가시키고 원료인 SiCl43800mg/m, GeCl4430mg/m, POCl210mg/m, CF47cc/m를 공급시켜 증착클래드부를 다시 증착하는 제3증착과정과, 상기 증착클래드부를 증착한 후 온도를 1905도에서 1890도로 9패스로 나누어 낮추어 가열할시 원료중 SiCl4유량을 9패스로 감소시켜 300mg/m에서 260mg/m으로 공급하고, GeCl4유량을 9패스로 증가시켜 20mg/m에서 195mg/m으로 공급하며 O2의 유량은 1500mg/m 200mg/m를 일정하게 공급시켜 코어부를 증착하는 제4증착과정과, 상기 코어부를 증착한 후 온도를 2300-2360도로 상기 증착 완성된 광섬유를 응축하여 밀봉직전에 CF430-40cc/m을 석영관에 공급하며, 2220-2250도에서 에칭한후 2350-2370도로 가열하면서 Cl4100cc/m를 석영관에 공급하며 밀봉하는 밀봉과정으로 이루어짐을 특징으로 하는 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 코아부 증착 과정은, 온도를 1905도, 1903도, 1900도, 1898도, 1895도, 1893도, 18907도, 1890도, 1890도의 9패스로 감소시키고, 원료인 SiCl4를 300mg/m, 295mg/m, 290mg/m, 285mg/m, 280mg/m, 275mg/m, 270mg/m, 265mg/m, 260mg/m으로 9패스로서 상기 온도에 맞추어 감소시키고, GeCl4를 20mg/m, 42mg/m, 67mg/m, 92mg/m, 116mg/m, 138mg/m, 160mg/m, 182mg/m, 195mg/m으로 증가시킴을 특징으로 하는 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법.
  5. 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법에 있어서, 석영관 외부에 산소와 수소버너로 1875도에서 1903도까지의 온도로 가열하고 원료인 SiCl45200mg/m, GeCl4430mg/m, POCl330mg/m, CF49cc/m를 공급하여 증착클래드를 증착하는 제1증착과정과, 상기 증착클래드부를 증착한 후 온도를 1900도로 일정하게 유지하고 원료인 SiCl43300mg/m, GeCl41150mg/m, POCl₃ 20mg/m, O21500cc/m로 공급하여 환상고리부를 증착하는 제2증착과정과, 상기 환상고리부를 증착한 후 온도를 1890도에서 1897도로 증가시키고 원료인 SiCl₄3800mg/m, GeCl₄ 430mg/m, POCl310mg/m, CF47cc/m를 공급시켜 증착클래드부를 다시 증착하는 제3증착과정과, 상기 증착클래드부를 증착한 후 온도를 1905도에서 1890도로 9패스로 나누어 낮추어 가열할시 원료중 SiCl4유량을 9패스로 감소시켜 300mg/m에서 260mg/m으로 공급하고, GeCl4유량을 9패스로 증가시켜 30mg/m에서 195mg/m으로 공급하며 O4의 유량은 1500cc/m 200mg/m를 일정하게 공급시켜 코어부를 증착하는 제4증착과정과, 상기 코어부를 증착한 후 온도를 2300-2360도로 상기 증착 완성된 광섬유를 응축하여 밀봉직전에 CF430-40cc/m을 석영관에 공급하며, 2220-2250도에서 에칭한후 2350-2370도로 가열하면서 Cl2100cc/m를 밀봉하는 밀봉과정으로 이루어짐을 특징으로 하는 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 코아부 증착 과정은, 온도를 1905도, 1903도, 1900도, 1898도, 1895도, 1893도, 18907도, 1890도, 1890도의 9패스로 감소시키고, 원료인 SiCl₄를 300mg/m, 295mg/m, 290mg/m, 285mg/m, 280mg/m, 275mg/m, 270mg/m, 265mg/m, 260mg/m으로 9패스로서 상기 온도에 맞추어 감소시키고, GeCl4를 30mg/m, 55mg/m, 78mg/m, 101mg/m, 123mg/m, 144mg/m, 165mg/m, 184mg/m, 195mg/m으로 증가시킴을 특징으로 하는 매끄러운 환상고리 굴절율 프로파일을 갖는 분산이동광섬유의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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