KR970013333A - 특성 개선을 위한 반도체소자 및 제조 방법 - Google Patents
특성 개선을 위한 반도체소자 및 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (3)
- 소오스/드레인, 게이트의 NMOS와 PMOS를 구비한 반도체 소자에 있어서, 브레이크다운 특성을 개선하기 위하여 상기 게이트 형성 후 채널저지용 이온을 주입하여 상기 게이트 직하부에 상기 채널 저지용 이온이 분포하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 소오스/드레인, 게이트의 NMOS와 PMOS를 구비한 반도체 소자에 있어서, 브레이크다운 특성을 개선하기 위하여 상기 게이트 형성 후 채널 저지용 이온을 주입하여 상기 게이트 직하부에 상기 채널 저지용 이온이 분포하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 채널 저지용 이온 주입시 상기 소오스/드레인 이온을 함께 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
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| KR1019950028488A KR0176158B1 (ko) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 특성 개선을 위한 반도체소자의 제조방법 |
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| KR1019950028488A KR0176158B1 (ko) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 특성 개선을 위한 반도체소자의 제조방법 |
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| KR0176158B1 KR0176158B1 (ko) | 1999-03-20 |
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| KR (1) | KR0176158B1 (ko) |
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1995
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| KR0176158B1 (ko) | 1999-03-20 |
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