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KR970004883B1 - 액정표시패널 - Google Patents

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KR970004883B1
KR970004883B1 KR1019930005645A KR930005645A KR970004883B1 KR 970004883 B1 KR970004883 B1 KR 970004883B1 KR 1019930005645 A KR1019930005645 A KR 1019930005645A KR 930005645 A KR930005645 A KR 930005645A KR 970004883 B1 KR970004883 B1 KR 970004883B1
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KR
South Korea
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display panel
gate
data line
line
drain electrode
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KR1019930005645A
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배병성
김경섭
윤원봉
이석열
Original Assignee
삼성전자 주식회사
김광호
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Publication date
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Priority to US08/221,962 priority patent/US5535028A/en
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Abstract

내용 없음.

Description

액정표시패널
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 표시패널의 일부를 나타낸 평면도.
제2(a)도는 제1도의 A-A'선 단면도.
제2(b)도는 제1도의 일개 화소부위를 확대 도시한 평면도.
제3도는 본 발명의 제2실시예에 따른 표시패널의 스위칭소자 형성부를 확대 도시한 평면도.
제4도는 본 발명의 제3실시예에 따른 화소모양을 갖는 표시패널의 일부를 도시한 평면도.
제5도는 종래의 델타형 구조 표시패널의 일부 평면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
12n,32n,42n : 데이터 라인 13n,33n,43n : 게이트 라인
14,34,44 : 소스전극부 15,35,45 : 드레인 전극
16,36,56 : 반도체층 17,37,47 : 화소전극
산업상의 이용분야
본 발명은 박막트랜지스터를 액티브 소자로 이용하는 액정표시장치 등의 표시패널에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 표시패널의 각 구성요소, 예컨대 데이터 라인, 게이트 라인, 박막트랜지스터, 및 하소를 효율적으로 배치, 설계하여 개구율을 증가시키고 화소의 구동 능력을 향상시킨 표시패널에 관한 것이다.
발명의 배경 및 종래 기술의 문제점
화상 정보시대에 있어서, 정보전달의 매개인 화상 표시장치에 많은 관심이 모아지고 있다. 이로인해 지금까지의 음극선관을 대신한 각종 평판형 표시장치가 개발되어 급속히 보급되기 시작하고 있다.
그중에서도 박형, 경량, 저전압 구동, 저소비전력 등의 특징을 갖는 액정표시장치의 기술진전은 현저하며, 특히 액정기술과 반도체기술을 융합한 액티브 매트릭스형 액정표시장치가 크게 주목받고 있다.
액티브 매트릭스 구동방식은 매트릭스 형태로 배열된 각 화소에 비선형 특성을 갖춘 스위칭 소자를 부가하여 표시특성을 향상시킨 것이다. 이러한 스위칭 소자에는 비정질 실리콘이나 다결정 실리콘을 채용한 박막트랜지스터가 이용되고 있다. 비정질 실리콘은 면적이 넓은 투명유리 기판과의 정합성이 좋고 대화면 대응, 재현성, 저온퇴적 등의 장점때문에 널리 이용되고 있다.
표시패널의 고품질화를 위해서는 이러한 스위칭 소자의 특성개량과 더불어 개구율을 증가시키고 공정여유를 확보할 수 있는 최적의 데이타 라인, 게이트 라인, 및 스위칭 소자 전극의 배치 설계가 중요하다.
개구율의 증가, 즉 화소중 빛이 통과하는 부분을 최대로 하기 위해 게이트 라인위에 직접 박막트랜지스터를 형성한 표시패널이 제안되었는데, 이러한 종래의 델타형 구조 표시패널은 Sharp사의 2.8 설계에 이미 제품화된 제5도에 나타낸 바와 같은 구조가 일반적으로 사용되고 있다.
제5도에 나타낸 바와 같이, 게이트 라인(53n)(단, n=1,2,…,n)과 데이터 라인(52n)(단, n=1,2,…,n)이 유리기판(50)상에 매트릭스 형태로 배열되고, 이들의 각 교차점에 인접하여 박막트랜지스터가 배치되어 있다. 이 박막트랜지스터는 게이트 전극의 형성없이 게이트 라인(52n)에 연결된 소스전극(54) 및 화소전극(57)을 매개로 액정셀에 연결된 드레인 전극(55)을 구비하고 있다.
게이트 라인(53n)에 겹치는 형태를 취하는 데이터 라인(52n)은 게이트 라인(53n)상에 형성되는 박막트랜지스터의 구조에 따라 이 박막트랜지스터의 전극 배치의 최적화, 즉 소자형성영역 및 화소전극(57)의 확보를 위해 데이터 라인(52n)을 게이트 라인(53n)을 따라 수평되게 유지하고 다시 수직되게 하여 다음 게이트 라인(53n) 부근에서 다시 수평이 유지되게 형성되어 있다.
상기 수평부분의 데이터 라인(52n)에 소스전극(54)이 일체 형성되고, 또한 드레인 전극(55)이 상기 소스전극(54)과 이격되어 배치된 형태를 하게 된다. 상기 게이트 라인(53n)의 소자형성부와 소스 및 드레인 전극(54)(55)간에는 도시하지 않은 절연층과 반도체층(46)이 개재된다.
이와 같은 구조의 표시패널은 소자영역을 게이트 라인(53n)에 직접 위치시킴으로써 화소전극(57)의 확보면적이 다소 개선되긴 했지만, 소스전극(54)이 형성되고 게이트 라인(53n)과 수평으로 유지되는 데이터 라인(52n)영역은 화소전극(57) 영역을 잠식하고 있어 최적의 개구율을 확보하지 못하고 있다.
또한 쉽게 이해되는 바와 같이, 소스-드레인 전극(54)(55)이 소자형성영역에 배선되고 소스전극(54)으로부터의 신호는 그 하부에 배치된 채널층 즉, 반도체층(56)을 경유하여 드레인 전극(55)으로 전달되는데, 이 채널층(56)의 폭은 소스-드레인 전극(54)(55)의 폭에 의해 제한되므로 채널폭의 개선은 결국 전극패턴의 형태에 좌우된다.
그러나, 채널폭의 개선은 우선적으로는 보다 큰 구동전류를 요구하는 화소전극(57)에 만족할만한 온(on) 전류를 공급하려는 의도에서 출발하지만 이를 위해 게이트 전극의 폭을 무작정 크게 할 수 없는 것이다. 즉, 게이트 폭의 개선은 게이트 라인(53n)의 폭을 크게 하지 않으면 않되는 것이고 보면 게이트 폭의 개선은 소자의 크기 또는 전체 배열상으로도 바람직한 것이 아니며 오프 전류도 동시에 증가한다. 특히, 매트릭스상으로 배열되는 소자는 스트립 타입의 게이트 라인(53n)상에 직접 소자형성을 함으로 채널폭 및 소스, 드레인 전극(54)(55)의 미스얼라인이 없는 형성을 고려할 경우 게이트 라인(53n)은 어느 정도의 넓은 폭을 요구하게 된다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 동일한 표시면적에 소자의 개구율을 크게 향상시킬 수 있을뿐만 아니라 스위칭 소자의 경사배치로 채널 폭을 충분히 확보할 수 있다. 또한, 게이트와 소스 및 드레인 전극간의 오버랩 면적의 감소는 기생용량에 의한 신호전압 강하를 줄일 수 있으며, 화소부의 곡률 반경을 줄여 액정의 배향성을 향상시킬 수 있다.
이 발명은 상기와 같은 기술적 배경하에서 안출된 것으로서, 데이터 라인과 게이트 라인을 효율적으로 배치하여 최적의 개구율을 갖는 표시패널을 제공하는데 그 목적이 있다.
이 발명의 또다른 목적은 스위칭 소자의 채널폭을 증가시켜 높은 구동력을 구비한 표시패널을 제공하고자 하는 것이다.
발명의 구성
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1실시예에 따른 표시패널은 유리기판과, 이 유리기판상에 수평라인으로 형성된 복수개의 게이트 라인과, 상기 복수개의 게이트 라인 위에 절연층을 개재하여 소정간격을 두고 형성된 복수개의 반도체층 패턴과, 상기 복수개의 반도체층 패턴 위에 복수개의 게이트 라인과 서로 교차되게 형성하되 게이트 라인상에서 교차되는 부분이 경사지게 형성된 복수개의 데이터 라인과, 상기 데이터 라인과 게이트 라인과의 교차부분에 상기 데이터 라인과 이격되어 그 일변이 데이터 라인과 평행하게 형성되는 복수개의 드레인 전극패턴과, 상기 복수개의 드레인 전극패턴에 접속되는 복수개의 화소전극으로 구성됨을 특징으로 한다.
본 발명의 제2실시예에 따른 표시패널의 특징은 유리기판과, 상기 유리기판상에 매트릭스 형태로 배열되는 복수개의 데이터 라인과 게이트 라인을 서로 교차되게 형성하되 그 교차부분에서 상기 데이터 라인이 게이트 라인의 일부분을 평행하게 겹치도록 경사배치된 복수개의 게이트 라인 및 복수개의 데이터 라인과, 상기 데이터 라인과 게이트 라인과의 교차부분에 상기 데이터 라인과 이격되어 상기 데이터 라인과 평행하게 형성되는 복수개의 드레인 전극패턴과, 상기 교차부분에 게이트 라인과 데이터 라인 및 드레인 전극패턴 사이에 형성된 복수개의 반도체층 패턴과, 상기 드레인 전극패턴에 접속되는 복수개의 화소전극으로 구성되며, 상기 교차부분에 스위칭 소자가 형성된다.
본 발명의 제3실시예에 따른 액정표시패널은, 6각형 테두리 형상을 가지며 그 상부가 순차적으로 상호 연결된 복수의 게이트 라인과, 상기 인접한 6각형 테두리 사이의 공간을 통하여 상기 6각형 테두를 상호 연결하는 각각의 게이트라인과 교차되도록 연장된 복수의 데이터 라인과, 상기 게이트 라인가 데이터 라인의 각 교차부분에 인접하여 형성된 복수의 스위칭 소자와, 상기 각 스위칭 소자의 드레인 전극에 접속되며 상기 각 6각형 테두리 내에 형성된 복수의 화소전극으로 구성됨을 특징으로 한다.
작용
상술한 구성을 갖는 본 발명의 표시패널에 의하면, 표시패널을 구성하는 각 신호선, 스위칭 소자, 및 화소 등을 공간을 효율적으로 이용할 수 있도록 배치하여 즉, 게이트 라인을 게이트 전극으로 활용하고, 데이터 라인의 경사영역을 소스전극으로 이용하며, 특히 기본적인 화소모양이 육각으로 된 별집형 구조를 갖게 하여 최적의 개구율을 확보할 수 있도록 한 것이다.
또한, 스위칭 소자의 채널폭 대응부에 대해서 경사라인을 갖도록 하고 있어 개구율의 향상 뿐만 아니라 온 전류의 향상효과도 있게 된다. 즉, 채널폭은 데이터 라인의 경사부인 소스전극부에 의해 정의되고, 경사구조에 따른 채널폭의 증가로 온 전류의 증가효과를 얻을 수 있다. 또한, 이 발명의 데이터 라인의 경사구조의 경우 종래의 투명전극에 비해 더욱 넓은 투명전극의 점유면적을 확보할 수 있어 개구율을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다.
제1실시예
1도는 이 발명의 제1실시예에 따른 표시패널의 일부를 나타낸 평면 배치도이고, 제2(a)도는 제1도의 A-A'선 단면도이며, 제2(b)도는 화소의 확대 평면도이다.
제1도의 평면 배치도에 나타낸 바와 같이, 이 발명의 표시패널은 게이트 라인(13n)과 데이터 라인(12n)이 유리기판(10)상에 매트릭스 형태로 배열된다. 그런데 게이트 라인(13n)은 수평으로 직선배열을 하고, 데이터 라인(12n)은 게이트 라인(13n)과 교차되게 배열하되, 소자형성 영역의 게이트 라인상(13n)에서 경사구조를 갖게 형성된다. 그리고 게이트 라인(13n)과 데이터 라인(12n)의 각 교차점에 박막트랜지스터가 배치되어 있는데, 이는 제2(b)도에 나타낸 화소의 확대 평면도에서 더욱 명확히 이해된다.
제2(b)도에서, 상기 박막트랜지스터는 게이트 라인(131)상에 직접 형성된다. 언급하였듯이 게이트 라인(131)상에 경사지게 교차되는 데이터 라인(122)이 소스전극부(14)를 구성하고, 이 소스전극부(14)와 같은 경사면을 갖는 드레인 전극(15)이 화소전극(17)과 전기적으로 연결되어 있다. 물론 소자형성을 위한 게이트 라인(131)위에는 전극간 전기적 분리를 위한 절연층(11)과, 채널 형성을 위한 전도층, 예를 들면 비정질 실리콘층으로 형성되는 반도체층(16)이 마련된다. 이는 제2(a)도의 A-A'선 단면도에서 더욱 명확히 이해된다.
이러한 구성을 갖는 표시패널의 제작방법을 이 발명과 관련한 제1도, 제2도(a) 및 (b)를 참조하여 설명한다.
먼저, 제2도(a)에서, 투명유리기판(10)상에 A1막을 스퍼터링법으로 적층하고 그 결과적인 구조를 사진 석판공정으로 패턴닝하여 게이트 라인(13n)을 형성한다. 실제 게이트 라인(13n)은 300∼500nm 정도의 두께를 갖는다. 이어서, 상기 게이트 라인(13n)을 양극 산화하고 질화막을 형성하여 Al2O5/Si3N4의 2층 구조로 된 게이트 절연막(11)을 형성한다. 그후 불순물이 주입되지 않은 비정질 실리콘(a-Si)막(16)과 n+형 비정질 실리콘(n+a-Si)막으로 오믹층(19)을 차례로 형성한다.
다음에는 각 화소에 대한 투명전극(17)이 ITO막에 의해 형성되고, 마지막 공정으로 상기 공정의 결과적인 구조에 데이터 라인(12n)과 드레인 전극(15)이 연속적으로 형성되도록 하기 위하여 Al막을 적층하여 패터닝해주게 된다. 이때, 소스전극부(14)는 데이터 라인(12n)과 일체로 형성되고, 단지 이 소스전극부(14)는 게이트 라인상에 경사 교차하는 부분에 해당된다. 그리고, 드레인 전극(15)은 화소전극(17)과 연결되게 상기 소스전극부(14)와 이격되게 형성된다.
이와 같이 형성디는 이 표시패널은 게이트 라인(13n)상에 스위칭 소자인 박막트랜지스터가 형성디는 것 즉, 게이트 라인(13n)을 게이트 전극으로 활용하여 된 구조이기 때문에 구조의 단순화 및 개구율의 증가 효과가 있다.
특히, 게이트 라인(13n)에서 별도의 게이트 전극이 없어지면 게이트 라인(13n)을 일부 양극 산화하는 등의 공정시에는 수율면에서 매우 유리한 것이다. 글나 이러한 구조하에서는 온 전류가 악화되는 채널폭 감소의 영향이 있기 때문에 제2도(b)와 같이 데이터 라인(122)의 경사영역을 소스전극부(14)로 이용하여 박막트랜지스터의 채널폭(W) 대응부에 대해서 경사라인을 갖도록 하고 있다.
채널폭(W)은 경사부, 즉 소스전극부(14)에 의해 정의되고 경사구조에 의해 온 전류의 증가를 갖게 하며, 이 소스전극부(14)의 형상은 설계에 따라 온 전류, 적용예 등을 고려하여 그 폭을 다양하게 할 수 있다. 이 경사 소스전극부(14)에 맞추어 드레인 전극(15) 또는 동일 윤곽을 갖도록 형성하여 구동력 있는 표시패널을 가능케 한다.
또한, 액정 디스플레이 장치에서의 화소의 구성은 박막트랜지스터를 스위칭 소자로 구성하므로 이 발명에 의한 표시패널에서 화소전극을 구동시킬때 제2도(b)와 같이 온 전류의 증가에 따른 드레인 전극(15)의 일측상에 넓은 면적을 확보한 투명전극(17)을 무리없이 구동할 수 있다.
개구율의 향상 측면에서 볼때, ITO 전극의 넓은 면적화보는 종래의 경우와 대비하여 나타낸 제2도(b)에서 명확히 알 수 있다. 즉, 도면에서 점선으로 표현된 종래의 데이터 라인 구조의 경우 투명전극(17a)의 점유면적은 이 발명의 경사구조의 경우 투명전극(17b)에 비해 더욱 좁은 것을 알 수 있다.
제2실시예
본 발명의 제2실시예에 따른 표시패널은 제3도에 도시된 바와 같이, 스위칭 소자가 형성되는 데이터 라인과의 교차부분을 지니는 게이트 라인을 데이터 라인과 동일하게 경사 배치한 것이다.
이 실시예는 제조방법에 있어서 제1실시예와 크게 다를바가 없다. 그러나 그 구조에 있어서는 데이터 라인과 게이트 라인을 서로 교차되게 형성하되, 데이터 라인이 경사지게 지나가는 부분의 게이트 라인을 데이터 라인과 평행하게 배치함으로써 각 전극들 사이에 불필요하게 오버랩되는 면적을 줄인다는 것이 다른점이다.
이러한 특징을 갖는 제2실시예의 표시패널에 대한 제조방법은 생략한다. 다만, 구조를 설명함에 있어서 제1실시예와 동일한 부분에 대해서는 생략하고 다른 부분만을 설명한다.
제3도의 평면배치도에 도시한 바와같이, 제2실시예에 따른 표시패널은 유리기판(30)상에 게이트 라인(33n)과 데이터 라인(32n)들이 매트릭스 형태로 배열된다. 이때, 상기 게이트 라인(33n)은 제1실시예에 따라 경사영역을 갖도록 형성된 데이터 라인(12n)과 마찬가지로 경사구조를 갖게 배열하되, 상기 데이터 라인(32n)과 평행한 구조가 되도록 한다. 그리고 경사구조를 갖는 소스전극부(34) 및 게이트 라인(33n)에 따라 드레인 전극(35)은 동일한 윤곽을 갖도록 형성한다. 제3도에서 미설명부호 36 및 37은 각각 반도체층 및 화소전극을 표시한다.
이 실시예에서 제시하는 표시패널은 제1실시예에 의한 표시패널이 갖는 효과에 더하여 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극이 서로 겹침이 없이 형성됨으로 각 전극들간의 오버랩 면적을 상당히 줄일 수 있다.
제3실시예
본 발명의 제3실시예는 표시패널이 최적의 개구율을 갖을 수 있도록 기본적인 화소모양을 육각으로 한 벌집형 구조를 갖는다. 이러한 벌집형의 화소 배치로 공간의 효율적인 이용과 더불어 액정 공정의 능률을 향상시킬 수 있다.
제4도는 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따라 벌집형 화소모양을 구비한 액정표시패널의 일부를 도시한 평면도로서, 마찬가지로 동일한 부분에 대한 설명은 약하기로 한다.
효율적인 공간 활용을 위하여 일정 간격으로 배열되는 게이트 라인(43n)은 다수의 6각형 테두리 형상을 가지며, 상기 6각형 테두리의 상부는 수평 방향으로 순차적으로 상호 연장되어 있다. 그리고, 상기 인접한 6각형 테두리 사이의 공간을 가로지르는 복수의 데이터 라인(42n)들은 상기 6각형 테두리를 상호 연결하는 각 게이트 라인(43n) 부분과 교차되도록 수직방향으로 연장되어 배치된다. 이때, 상기 데이터 라인(42n)과 6각형 테두리 상부의 게이트 라인(43n)과의 교차부분에서, 상기 데이터 라인은 도시되지 않은 절연층과 반도체층을 개재하여 게이트 라인의 일부분을 평행하게 겹치도록 경사 배치된다. 스위칭 소자는 상기 각 교차부에 인접한 경사부분에 형성되어 전술한 실시예에서와 같이 보다 넓은 채널 폭을 확보할 수 있다. 벌집형 화소전극(47)은 상기 스위칭 소자의 드레인 전극(45)에 접속되어 상기 6각형 테두리 내에 형성된다.
상술한 바와 같이, 본 실시예는 기본적인 화소모양이 6각형을 이루며, 신호선이 각 화소에 대하여 반피치(pitch)씩 어긋나는 구조를 갖는다. 상기 벌집형 화소를 둘러싸는 6각형 테두리 형상을 갖는 게이트 라인(43n)에는 데이터 라인(42n)을 통하여 입력된 신호 전압을 다음 입력시까지 일정시간 동안 유지시켜 주기 위하여, 상기 각 화소전극(47)으로부터 연장형성되는 캐패시터용 제1전극 또는 ITO 전극(49)이 소정 부분 중첩되도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 6각형 테두리 형상의 게이트 라인(43n)은 인접한 게이트 라인과 전기적으로 서로 연결될 수 있도록 용장(redundancy) 연결구(46)를 포함할 수 있다.
따라서, 벌집형 화소모양을 갖는 본 실시예는 제1실시예를 도시한 제1도의 D부분들, 다시말해 스위칭 소자 사이사이의 게이트 라인 부분들까지도 개구면적으로 확보할 수 있으며, 별도의 소스전극이 필요없이 경사진 데이터 라인 자체를 전극으로 활용하였다. 또한, 화소가 4각형일때 나타나는 코너부분의 곡률 반경을 줄여줌으로써, 후속의 배향공정을 용이하게 할 수 있다.
또한, 본 실시예는 6각형 테두리 형상의 게이트 라인을 축적 캐패시터로 이용한 것에 한정되지 않으며, 공통라인을 형성하여 축적 캐퍼시터를 독립적으로 구성하는 경우에도 실시 가능하다. 더욱이, 채널이 경사지게 형성됨으로써 정렬을 위한 공정 마진이 커진다.

Claims (10)

  1. 유리 기판, 상기 유리 기판 상에 가로로 형성되어 있는 다수의 게이트 라인, 절연층을 개재하여 상기 각 게이트 라인 위에 형성되어 있는 다수의 반도체층 패턴, 상기 반도체층 패턴 위에 형성되어 있으며 상기 게이트 라인에 대하여 경사지게 교차하는 일변을 가지고 있는 다수의 데이터 라인, 상기 데이터 라인과 이격되어 형성되어 있으며, 상기 데이터 라인의 경사지게 교차하는 일변과 평행하게 마주보는 일변을 가지고 있는 다수의 드레인 전극패턴, 그리고 상기 각 드레인 전극패턴과 접속되어 있는 다수의 화소전극을 포함하며, 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인, 상기 반도체층 패턴, 그리고 상기 드레인 전극패턴은 상기 교차 부분에서 박막트랜지스터를 이루는 액정표시패널.
  2. 제1항에서, 상기 드레인 전극패턴의 타변은 상기 게이트 라인의 길이 방향과 평행하게 형성되어 있는 액정표시패널.
  3. 유리 기판, 상기 유리 기판 상에 가로로 형성되어 있는 다수의 게이트 라인, 상기 게이트 라인과 교차하며 세로로 형성되어 있는 다수의 데이터 라인, 상기 데이터 라인과 상기 게이트 라인이 교차하는 부분에서 상기 데이터 라인과 이격되어 형성되어 있으며, 상기 데이터 라인과 마주보는 일변이 상기 데이터 라인과 평행하게 형성되어 있는 다수의 드레인 전극패턴, 상기 교차 부분에서 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인 및 드레인 전극패턴 사이에 형성되어 있는 다수의 반도체층 패턴, 그리고 상기 드레인 전극패턴에 접속되어 있는 다수의 화소전극을 포함하며, 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인은 교차하는 부분에서 가로 및 세로 방향에 대하여 각각 경사져 있으며, 서로 평행하게 겹쳐져 있는 액정표시패널.
  4. 다수의 6각형 테두리 형상을 가지며 상기 6각형 테두리의 상부가 서로 연결되어 있는 다수의 게이트 라인, 상기 인접한 6각형 테두리 사이의 공간을 통하여 상기 6각형 테두리를 서로 연결하는 각각의 상기 게이트 라인 부분과 교차되도록 형성되어 있는 다수의 데이터 라인, 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 각 교차 부분에 인접하여 형성되어 있으며 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지고 있는 다수의 스위칭 소자, 그리고 상기 각 스위칭 소자의 드레인 전극에 접속되어 있으며, 상기 각 6각형 테두리 내에 형성되어 있는 다수의 화소전극을 포함하는 액정표시패널.
  5. 제4항에서, 상기 각 화소전극으로부터 연장되어 상기 6각형 테두리의 게이트 라인과 부분적으로 중첩되도록 형성된 캐패시터용 제1전극을 더 포함하며, 상기 캐패시터용 제1전극이 절연막을 개재하여 상기 화소전극과 대향되는 액정표시패널.
  6. 제4항에서, 상기 6각형 테두리의 게이트 라인이 인접한 6각형 테두리의 게이트 라인과 전기적으로 연결하기 위한 용장 연결부를 더 포함하는 액정표시패널.
  7. 제4항에서, 상기 게이트 라인과 교차되는 데이터 라인 부분은 경사져 있는 액정표시패널.
  8. 제7항에서, 상기 경사진 데이터 라인이 상기 스위칭 소자의 소스전극인 액정표시패널.
  9. 제7항에서, 상기 스위칭 소자의 드레인 전극의 일변은 상기 경사진 데이터 라인과 평행한 액정표시패널.
  10. 제7항에서, 상기 스위칭 소자의 드레인 전극의 타변은 상기 경사진 데이터 라인과 평행한 액정표시패널.
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