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KR970001619A - 결정결함이 균일한 분포를 갖는 실리콘 단결정의 제조방법 및 그 제조장치 - Google Patents

결정결함이 균일한 분포를 갖는 실리콘 단결정의 제조방법 및 그 제조장치 Download PDF

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KR970001619A
KR970001619A KR1019960022379A KR19960022379A KR970001619A KR 970001619 A KR970001619 A KR 970001619A KR 1019960022379 A KR1019960022379 A KR 1019960022379A KR 19960022379 A KR19960022379 A KR 19960022379A KR 970001619 A KR970001619 A KR 970001619A
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Abstract

제안된 것은 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉을 제조하기 위한 방법과 단결정성장 챔버에서의 개선인데, 이것에 따라서 도가니에 포함된 실리콘 용융액 표면과 결정성장 챔버의 상부벽의 내면 사이의 거리가 상기 도가니의 직경과 동일하거나 더 크고 실리콘 용액을 포함하고 있는 도가니와 히터를 둘러싸고 있는 단열 실린더가 챔버의 상부벽 내면에 도달하는 높이를 지님으로써 성장중에 있는 단결정봉가 챔버의 상부벽 내면에 도달할 때까지 700℃ 이하가 되지 않도록 온도를 유지하여 성장시켜서 있는 단결정봉의 종측에서의 BMD 형태의 결정결손의 밀도를 감소시킴으로써 BMD 밀도 분포의 균일성을 단결정봉 전체를 통해 증가시킨다.

Description

결정결함이 균일한 분포를 갖는 실리콘 단결정의 제조방법 및 그 제조장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 단결정 성장의 방향에 따라 실리콘 단결정봉 안에 있는 BMD 밀도의 분포를 나타내는 그래프, 제2A도는 종래의 단결정성장 장치의 내부 구조의 개략적인 수직 단면도, 제2B도는 본 발명의 단결정성장 장치의 내부 구조의 개략적인 수직 단면도, 제3A도는 성장중에 있는 실리콘 단결정봉의 온도를 실리콘 용융액 표면으로부터의 거리의 함수로써 나타내고 있는 그래프이며 제3B도는 성장중의 실리콘 단결정이 50℃의 폭의 온도영역 각각을 통과하는데 걸린 시간 길이를 나타내는 그래프, 제4도는 도가니 직경과 용융액 표면에서 챔버의 상부벽까지의 높이의 상이한 비율을 갖는 두 개의 결정성장 장치 내에서 얻어진 실리콘 단결정봉에서 결정성장의 방향에 따른 BMD의 밀도 분포를 나타내는 그래프, 제5도는 실시예 및 비교예에서 얻어진 실리콘 단결정봉에서 결정성장의 방향에 따른 BMD 밀도 분포를 나타내는 그래프.

Claims (7)

  1. 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉을 제조 방법에 있어서, 성장 공정중에 있는 실리콘 단결정봉이 600℃ 내지 700℃ 범위 내의 온도 영역을 통과하는데 걸리는 시간이 80분 이하로 유지하는 것으로 구성되는 것을 특징으로 하는 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉의 제조 방법.
  2. 결정성장 챔버 내에 유지된 도가니 내에 포함된 실리콘의 융액으로부터 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉의 제조 방법에 있어서, 상기 용융액 표면에서부터 성장중인 상기 단결정봉이 상기 결정성장 챔버의 상부벽 내면에 도달할 때까지 700℃ 이상의 온도로 유지하는 것으로 구성되는 것을 특징으로 하는 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉의 제조 방법.
  3. 결정성장 챔버 내에 유지된 도가니 내에 포함된 실리콘의 융액으로부터 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉의 제조 방법에 있어서, 상기 도가니에 포함된 상기 실리콘 용융액 표면과 상기 결정성장 챔버의 상부벽 내면 사이의 거리가 상기 도가니의 직경과 동일하거나 혹은 더 크며, 상기 실리콘 용융액 표면에서부터 성장중인 단결정봉이 상기 결정성장 챔버의 상부벽 내부에 도달할 때까지 700℃ 이상의 온도로 유지하는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉의 제조 방법.
  4. 히터에 의해서 가열된 도가니 내에 포함된 실리콘 융액으로부터 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉의 제조를 위한 단결정성장 챔버에 있어서, 상기 실리콘 융액을 포함하는 상기 도가니와 상기 도가니 내에 있는 상기 실리콘을 용해시키기 위한 히터를 둘러싸고 있는 단열 실린더가 설치되고, 상기 단열 실린더가 상기 결정성장 챔버의 상부벽 내면에 도달하는 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 쵸크랄스키 방법에 의한 단결정성장 챔버.
  5. 히터에 의해서 가열된 도가니 내에 포함된 실리콘 융액으로부터 쵸크랄스키 방법에 의하면 실리콘 단결정봉의 제조를 위한 단결정성장 챔버에 있어서, 상기 도가니 내에 포함된 상기 실리콘 용융액 표면과 상기 결정성장 챔버의 상부벽 내면 사이의 거리가 상기 도가니의 직경과 동일하거나 혹은 더 크고 상기 실리콘 융액을 포함하는 도가니와 상기 도가니 내의 실리콘을 용해시키기 위한 히터를 둘러싸고 있는 단열 실린더가 설치되고, 상기 단열 실린더가 결정성장 챔버의 상부벽 내면에 도달하는 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 쵸크랄스키 방법에 의한 단결정성장 챔버.
  6. 히터를 이용하여 가열된 도가니 내에 포함된 실리콘 융액으로부터 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉의 제조를 위한 단결정성장 챔버에 있어서, 상기 실리콘 융액을 포함하는 상기 도가니와 상기 도가니 내의 상기 실리콘을 용융시키기 위한 히터를 둘러싸고 있는 단열 실린더를 설치하고, 상기 단열 실리더가 결정성장 챔버의 상부벽 내면에 도달하는 높이를 지님으로써, 상기 도가니 내에 포함된 실리콘 융액의 표면과 상기 챔버의 상부벽의 내면 사이의 영역이 700℃ 이상의 온도로 유지되는 것으로 구성되는 것을 특징으로 하는 쵸크랄스키 방법에 의한 단결정성장 챔버.
  7. 히터에 의해서 가열된 도가니 내에 포함된 실리콘 융액으로부터 쵸크랄스키 방법에 의하여 실리콘 단결정봉의 제조를 위한 단결정성장 챔버에 있어서, 상기 도가니 내에 포함된 상기 실리콘 융액 표면과 상기 결정성장 챔버의 상부벽 내면 사이의 거리가 상기 도가니의 직경과 동일하거나 더 크며, 상기 실리콘 융액을 포함하는도가니와 상기 도가니 내의 실리콘을 용융시키기 위한 히터를 둘러싸고 있는 단열 실린더가 설치되고, 상기단열 실린더가 결정성장 챔버의 상부벽 내면에 도달하는 높이를 지님으로써, 상기 도가니 내에 포함된 실리콘 용융액 표면과 상기 챔버의 상부벽 내면 사이의 영역이 700℃ 이상의 온도를 유지되는 것으로 구성되는 것을 특징으로 하는 쵸크랄스키 방법에 의한 단결정성장 챔버.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5766183A (en) * 1996-10-21 1998-06-16 Lasersurge, Inc. Vascular hole closure
JP3449729B2 (ja) * 1997-04-09 2003-09-22 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 単結晶シリコンウエハを製造する方法
US6379642B1 (en) * 1997-04-09 2002-04-30 Memc Electronic Materials, Inc. Vacancy dominated, defect-free silicon
DE69801903T2 (de) * 1997-04-09 2002-03-28 Memc Electronic Materials, Inc. Freistellenbeherrschendes silicium mit niedriger fehlerdichte
US6328795B2 (en) 1998-06-26 2001-12-11 Memc Electronic Materials, Inc. Process for growth of defect free silicon crystals of arbitrarily large diameters
EP1114454A2 (en) 1998-09-02 2001-07-11 MEMC Electronic Materials, Inc. Silicon on insulator structure from low defect density single crystal silicon
JP4875800B2 (ja) 1998-10-14 2012-02-15 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 単結晶シリコンウエハの製造方法
WO2000022197A1 (en) 1998-10-14 2000-04-20 Memc Electronic Materials, Inc. Epitaxial silicon wafers substantially free of grown-in defects
US6312516B2 (en) 1998-10-14 2001-11-06 Memc Electronic Materials, Inc. Process for preparing defect free silicon crystals which allows for variability in process conditions
JP2000154070A (ja) * 1998-11-16 2000-06-06 Suminoe Textile Co Ltd セラミックス三次元構造体及びその製造方法
UA26951C2 (uk) * 1999-05-12 1999-12-29 Закрите Акціонерне Товариство "Піллар" Спосіб визhачеhhя бездефектhої зоhи моhокристала кремhію
US6635587B1 (en) 1999-09-23 2003-10-21 Memc Electronic Materials, Inc. Method for producing czochralski silicon free of agglomerated self-interstitial defects
JP2003510235A (ja) * 1999-09-23 2003-03-18 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 冷却速度を制御することにより単結晶シリコンを成長させるチョクラルスキー法
US6858307B2 (en) 2000-11-03 2005-02-22 Memc Electronic Materials, Inc. Method for the production of low defect density silicon
US7105050B2 (en) 2000-11-03 2006-09-12 Memc Electronic Materials, Inc. Method for the production of low defect density silicon
US6846539B2 (en) * 2001-01-26 2005-01-25 Memc Electronic Materials, Inc. Low defect density silicon having a vacancy-dominated core substantially free of oxidation induced stacking faults
US20030216755A1 (en) * 2001-10-22 2003-11-20 Oleg Shikhman Wound suturing device
US20030078601A1 (en) * 2001-10-22 2003-04-24 Oleg Shikhman Crimping and cutting device
KR100497968B1 (ko) * 2002-06-05 2005-07-01 김창경 천연 또는 합성 단결정의 발색방법
JP4288652B2 (ja) * 2002-10-22 2009-07-01 ジャパンスーパークォーツ株式会社 溶融シリコンの湯面振動の判定方法
US8216362B2 (en) 2006-05-19 2012-07-10 Memc Electronic Materials, Inc. Controlling agglomerated point defect and oxygen cluster formation induced by the lateral surface of a silicon single crystal during CZ growth
JP4853237B2 (ja) * 2006-11-06 2012-01-11 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルウェーハの製造方法
EP2134267A4 (en) * 2007-04-06 2015-02-25 Interventional Therapies SUTURE, CRIMPING AND CUTTING DEVICE
US20100324597A1 (en) * 2009-06-19 2010-12-23 Oleg Shikhman Crimping and cutting device
DE102010034002B4 (de) * 2010-08-11 2013-02-21 Siltronic Ag Siliciumscheibe und Verfahren zu deren Herstellung
CN104947196A (zh) * 2015-07-24 2015-09-30 福州恒光光电有限公司 一种yvo4晶体生长的退火方法
DE112017003436T5 (de) 2016-07-06 2019-03-21 Tokuyama Corporation Einkristalliner, plattenförmiger Siliziumkörper und Verfahren zu dessen Herstellung
CN111101194A (zh) * 2018-10-29 2020-05-05 上海新昇半导体科技有限公司 一种单晶硅晶棒的长晶方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3961905A (en) * 1974-02-25 1976-06-08 Corning Glass Works Crucible and heater assembly for crystal growth from a melt
US4158038A (en) * 1977-01-24 1979-06-12 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Method and apparatus for reducing residual stresses in crystals
JPH0639352B2 (ja) * 1987-09-11 1994-05-25 信越半導体株式会社 単結晶の製造装置
US4981549A (en) * 1988-02-23 1991-01-01 Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha Method and apparatus for growing silicon crystals
US5264189A (en) * 1988-02-23 1993-11-23 Mitsubishi Materials Corporation Apparatus for growing silicon crystals
JP3016897B2 (ja) * 1991-03-20 2000-03-06 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法及び装置
JP2686223B2 (ja) * 1993-11-30 1997-12-08 住友シチックス株式会社 単結晶製造装置
JP3128795B2 (ja) * 1995-06-09 2001-01-29 信越半導体株式会社 チョクラルスキー法による結晶製造装置および製造方法

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Publication number Publication date
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EP0750057B1 (en) 2001-09-12
DE69615094D1 (de) 2001-10-18
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JPH092891A (ja) 1997-01-07
US5704973A (en) 1998-01-06
DE69615094T2 (de) 2002-06-20

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