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KR970001600A - 금속막의 전착 방법 및 이를 위한 장치 - Google Patents

금속막의 전착 방법 및 이를 위한 장치 Download PDF

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KR970001600A
KR970001600A KR1019950016561A KR19950016561A KR970001600A KR 970001600 A KR970001600 A KR 970001600A KR 1019950016561 A KR1019950016561 A KR 1019950016561A KR 19950016561 A KR19950016561 A KR 19950016561A KR 970001600 A KR970001600 A KR 970001600A
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metal
ion generator
cathode
plating liquid
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슈마허 롤프
마이어 발터
담스 울프강
슈나이더 라인하르트
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위르겐 크라케·디터 베크베르트
아토테크 도이취란트 게엠베하
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Publication date
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Abstract

특정의 물리적-기게적 특성을 지닌, 바람직하게는 구리로 된 균일한 금속막의 전착을 위해, 전착을 통해 기하학적 형태가 변하고 전해조 내에서 자기장 분포가 연속적으로 변하기 때문에 용해성 양극을 사용하지 않는다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 도금액에 첨가되는 산화 환원 시스템의 화합물을 불용성 양극에 전착시키는 동안 전환시키는 방법을 제시하였다. 여기서, 생성된 화합물은 전착에 의해 소모된 금속 이온을 다시 보충하기 위하여, 전착될 금속 부분을 함유하는 용기로부터 신규의 금속 이온을 용해시킨다.
본 발명은, 선행 기술과는 달리 추가 화합물이 파기되지 않는 방법을 제시하고 있다.

Description

금속막의 전착 방법 및 이를 위한 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 액침 처리용 장치의 원리를 나타내고, 제2도는 격막을 갖거나 갖지 않는 장치의 원리를 나타내며, 제3도는 전해액의 직련식 유도에 의한 장치의 원리를 나타낸다.

Claims (18)

  1. 음극; 불용성의 치수 안정성 양극; 양극 산화에 의해 형성된 산화 환원 시스템의 산화 화합물을 함유하는 도금액을 통과시켜 상응하는 금속 부분을 용해시켜 금속 이온을 형성시키는 금속 이온 발생기; 및 음극 바로 인접부에서 산화 화합물의 농도를 최저화, 바람직하게는 약 0.015Mol/ℓ미만으로 유지시키는 수단을 사용함을 특징으로 하여, 부착된 금속의 이온, 전기화학적으로 가역적인 산화 환원 시스템의 화합물 및 금속막의 물리적-기계적 특성의 조절을 위한 추가 화합물을 함유하는 도금액으로부터 높은 전류 효율로 특성 물리적-기계적 특성의 균일한 금속막, 특히 구리막을 전착시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 산화 환원 시스템의 화합물의 농도가 금속 이온 농도를 유지하는데 필요한 값보다 약간 낮게 유지됨을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 금속 이온 발생기를 통과할때, 산화 화합물의 농도가 약 0의 값으로 저하되도록 금속 부분의 표면적을 크게 선택함을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 도금액이 빠른 유속으로 양극쪽으로 유동하고 여기서부터 빠른 속도로 금속 이온 발생기로 이동함을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 제2산화 화합물, 바람직하게는 산소가 금속 이온 발생기에 추가로 도입됨을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 있어서, 음극에 존재하는 용액의 일부가 양극에 공급되지 않고 금속 이온 발생기로 직접 공급됨을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 금속 이온 발생기를 통해 도입된 도금액의 직접 음극으로 유동되고 유동 방향이 바뀌어 양극으로 유동됨을 특징으로 하는 방법.
  8. 양극과 음극 사이에 배치된 전해질실(1), 도금액을 음극과 양극으로 공급하기 위한 수단, 금속 이온 발생기(2,21,44,66), 양극으로 공급된 도금액을 금속 이온 발생기로 이동시키는 제1수단 및 금속 이온 발생기에서 나온 도금액을 전해질실로 이동시키는 제2수단을 포함하며, 두 수단이 양극과 금속 이온 발생기 사이의 작은 공간을 연결함을 특징으로 하여, 음극(6,24,69) 및 불용성의 바람직하게는 천공된 치수 안정성 음극(5,23,74)과 접촉하고 있는 도금액으로부터 높은 전류 효율로 특정 물리적-기계적 특성의 균일한 금속막, 특히 구리막을 전착시키기 위한 장치.
  9. 제8항에 있어서, 양극 부근에 존재하는 도금액을 빠른 유속으로 흡입하거나 유출구(4,61,77)를 통해 제거하고 금속 이온 발생기(2,21,44,66)로 이동시키는 수단(31,62,76)이 존재함을 특징으로 하는 장치.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 전해질실(1)이 이온 투과성 격벽(17,38,80)에 의해 다수의 격실로 분리되어 있음을 특징으로 하는 장치.
  11. 제8항 내지 제10항 중의 어느 한 항에 있어서, 음극 부근에 존재하는 도금액을 전해질실(1)로부터 제거하고 금속 이온 발생기(2,21,44,66)로 도입할 수 있는 유출구(18,75)가 구비되어 있음을 특징으로 하는 장치.
  12. 제8항 내지 제11항 중의 어느 한 항에 있어서, 금속 이온 발생기로서 상부로부터 충전시킬 수 있고 하부 영역에 바닥이 갖추어져 있고 도금액 유입용으로 측구를 갖는 파이프 연결부(49)가 하나 이상 갖추어져 있으며. 상부 영역에 전해질 용기(45,67)로 배출시키는 오버플로우(54,78)가 갖추어져 있는 관상 장치가 제공되어 있음을 특징으로 하는 장치.
  13. 제8항 내지 제12항 중의 어느 한 항에 있어서, 금속 이온 발생기(2,21,44,66) 내부에 경사지게 설치된,
    바람직하게는 천공된 판(55)을 특징으로 하는 장치.
  14. 제8항 내지 제13항 중의 어느 한 항에 있어서, 금속 이온 발생기(2,21,44,66) 하단에 배치되어 있는
    공기 주입용 수단(56)을 특징으로 하는 장치.
  15. 제8항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 있어서, 수평방향으로 붙잡고, 전기적으로 접촉시키고, 음극을 수평방향으로 움직이는 수단(26,70,82)을 특징으로 하는 장치.
  16. 회로판을 금속 피복시키기 위한, 제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 따르는 방법의 용도.
  17. 각각 또는 모든 신규의 특징 또는 공지된 특징의 조합을 특징으로 하는 금속의 전착 방법.
  18. 각각 또는 모든 신규의 특징 또는 공지된 특징의 조합을 특징으로 하는 금속의 전착 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950016561A 1995-06-17 1995-06-17 금속막의전착방법및이를위한장치 KR100426159B1 (ko)

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