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KR960025335A - 자기저항 헤드와 자기저항 헤드에서의 정전하 축적으로 인한 싱글 및 더블 비트 오류를 감소시키는 방법 - Google Patents

자기저항 헤드와 자기저항 헤드에서의 정전하 축적으로 인한 싱글 및 더블 비트 오류를 감소시키는 방법 Download PDF

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KR960025335A
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노엘 카화티 빈센트
루비오 안토니오
마틴 쉬말호르스트 죠셉
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윌리암 티. 엘리스
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Abstract

자기저항(MR) 헤드는 추가적 프로세싱 단계를 도입하지 않고 정전기 방전으로부터의 보호장치를 포함한다.
MR 센서는 2개의 높은 비저항 자기 재료 사이에 샌드위치된 소프트 필름 바이어스된(SFB) 자기 판독 센서를 포함한다. MR 센서는 2개의 MR 시일드 사이에 위치되고, 각각의 MR 시일드는 저항기에 의해 MR 센서 접지 신호 리이드에 접속된다. 저항기는 MR 센서와 동일한 프로세스 단계에서 증착되도록 높은 비저항 자기 재료로 부터 구성된다.

Description

자기저항 헤드와 자기저항 헤드에서의 정전하 축적으로 인한 싱글 및 더블 비트 오류를 감소시키는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 자기 헤드와 함께 사용하기에 유용한 테이프 드라이브와 콘트롤러의 개략도, 제2도는 한 길이의 자기 테이프와, 인터리브된(interleaved) 자기 헤드에 대한 그 관계를 도시하는 평면도, 제3도는 인터리브된 헤드의 부분 단면도.

Claims (15)

  1. 외부 소스는 MR 헤드(magneto-resistive head) 상에 정전하 축적(static charge buildup)을 발생시키고, 상기 MR 헤드는 신호 리이드와 접지 리이드를 포함하는데, 상기 MR 헤드의 외부에 있고 상기 MR 헤드에 인접한 소스에 의해 제공되는 자속 신호(magnetic flux signals)를 감지하기 위한 자기저항(MR) 헤드에 있어서; 자속 신호를 판독하기 위한 하나 이상의 MR 판독 변환기와; 상기 자속 신호가 상기 MR 판독 변환기의 예정된 거리내에 올 때까지 자속 신호를 상기 하나 이상의 MR 판독 변환기로부터 차폐시키기 위한 하나 이상의 MR 시일드(MR shield)와; 상기 MR 헤드로부터 정전기 축적을 방지하기 위해 상기 하나 이상의 MR 시일드와 접지 신호 리드 사이에 커플링된 저항기를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기저항 헤드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 MR 판독 변환기는, 제1 및 제2단부를 가진 소프트 필름 바이어스 자석(soft film bias magnet)과; 각각 상기 제1 및 제2단부에 접속된 제1 및 제2 높은 비저항 영구자석을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기저항 헤드.
  3. 제2항에 있어서, 상기 저항기는 높은 비저항 영구자석 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기저항 헤드.
  4. 제3항에 있어서, 상기 외부 소스에 인가하기 위해 자속 신호를 발생하기 위한 하나 이상의 기록 갭을 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 자기저항 헤드.
  5. 제4항에 있어서, 상기 저항기는 상기 제2 높은 비저항 영구자석과 상기 접지 리이드 사이에 커플링되고, 상기 저항기는 상기 제2 높은 비저항 영구자석과 유사한 재료로 되며, 상기 저항기는 상기 제2 높은 비저항 영구자석과 동일한 프로세싱 단계에서 가공되는 것을 특징으로 하는 자기저항 헤드.
  6. 제1항에 있어서, 상기 외부 소스는 자기 테이프인 것을 특징으로 하는 자기저항 헤드.
  7. MR 헤드 위를 통과하는 자기 테이프로부터 발생되는 정전하 축적을 접지 리이드로 분류(shunting)하므로써 상기 정전하 축적으로부터의 정전기 보호를 제공하며, 높은 비저항 자기 테이프에 데이타를 기록 및 판독하기 위한 자기저항(MR) 헤드에 있어서: 다수의 기록 변환기와; 각각 소프트 필름 바이어스(SFB) 자석과, 상기 SFB 자석을 샌드위치하고 있는(sandwiching) 제1 및 제2 높은 비저항 영구자석을 포함하는 다수의 MR 판독 변환기와; 상기 다수의 MR 판독 변환기의 각각의 MR 판독 변환기의 위와 아래에 있는 제1 및 제2시일드와; 각각의 MR 시일드를 접지 리이드에 커플링시키는 저항기를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기저항 헤드.
  8. 제7항에 있어서, 각각의 저항기는 상기 제1 및 제2높은 비저항 자석과 유사한 재료인 것을 특징으로 하는 자기저항 헤드.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2시일드는 자기 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기저항 헤드.
  10. 자기 테이프 드라이브에 있어서 MR 헤드는 다수의 MR 판독 변환기와 그에 대응되는 다수의 기록 변환기를 포함하는데, MR 헤드를 통과하는 자기 기억 매체로 인한 자기저항 헤드에서의 정전하 축적으로 인한 싱글 및 더블 비트 오류(single and double bit errors)를 감소시키는 방법에 있어서, 가) 각각의 MR 판독변환기를 제1 및 제2 MR 시일드로 차폐시키는 단계와; 나) 상기 다수의 MR 판독 변환기중의 각각의 MR 판독 변환기의 각각의 MR 시일드로부터 접지 리이드로 저항 경로(a resistive path)를 제공하는 단계와; 다) 상기 자기 기억 매체를 상기 MR 헤드를 지나서 통과시키는 단계와; 라) 상기 MR 헤드상의 정전하 축적을 각각의 MR 시일드로부터 상기 저항 경로를 통해 분류시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기저항 헤드에서의 정전하 축적으로 인한 싱글 및 더블 비트 오류를 감소시키는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 MR 판독 변환기는 높은 비저항 영구자석 재료를 사이에 샌드위치된 소프트 필름 바이어스 재료로 구성되고, 또한 상지 저항 경로는 높은 비저항 영구자석 재료를 형성된 저항기에 의해 실현되는 것을 특징으로 하는 자기저항 헤드에서의 정전하 축적으로 인한 싱글 및 더블 비트 오류를 감소시키는 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 MR 헤드가 통과하는 상기 자기 기억 매체는 금속 입자 자기 테이프인 것을 특징으로 하는 자기저항 헤드에서의 정전하 축적으로 인한 싱글 및 더블 비트 오류를 감소시키는 방법.
  13. 외부 소스에 의해 발생되고 MR 헤드상에 형성되는 정전하 축적으로부터 하나 이상의 MR 판독 센서를 위해 정전기 보호를 제공하며, 하나 이상의 MR 판독 센서와 하나 이상의 기록 갭을 가진 자기저항(MR) 헤드에 있어서; 상기 MR 센서 위에 위치된 제1 MR 시일드와; 상기 MR 센서 아래에 위치된 제2 MR 시일드와; 상기 MR 판독 센서의 제1 및 제2단부에 위치된 제1 및 제2영구자석과; 상기 제1 및 제2영구자석에 각각 커플링된 제1 및 제2얇은 금의 리이드와; 상기 제1 및 제2얇은 금의 리이드에 각각 커플링되고, 신호 및 접지 리이돌과 각각 접촉하기 위해 제공된 제 1 및 제2두꺼운 금의 신호 리이드와; 상기 제1 및 제2영구자석과 동일한 영구자석 재료를 포함하며; 상기 제1 MR 시일드와 상기 제2두꺼운 금의 리이드 사이에 커플링되고, 상기 MR 헤드상의 정전하 축적을 소산하기 위해 접지로의 경로를 제공하는 저항기를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기저항 헤드.
  14. 제13항에 있어서, 상기 저항기는 실질적으로 상기 제1 및 제2두꺼운 금의 리이드 사이에 위치되는 것을 특징으로 하는 자기저항 헤드.
  15. 제13항에 있어서, 상기 외부 소스는 자기 테이프인 것을 특징으로 하는 자기저항 헤드.
    ※ 참조사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950046639A 1994-12-08 1995-12-05 자기 저항 헤드와 자기 저항 헤드에서의 정전하 축적으로 인한 싱글 및 더블 비트 오류를 감소시키는 방법 KR100227955B1 (ko)

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