KR960009083A - 볼 그리드 어레이용 땜납 페이스트 - Google Patents
볼 그리드 어레이용 땜납 페이스트 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960009083A KR960009083A KR1019950023486A KR19950023486A KR960009083A KR 960009083 A KR960009083 A KR 960009083A KR 1019950023486 A KR1019950023486 A KR 1019950023486A KR 19950023486 A KR19950023486 A KR 19950023486A KR 960009083 A KR960009083 A KR 960009083A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- alloy powder
- tin
- lead
- solder paste
- ball grid
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
Description
Claims (15)
- 조성이 각기 다르고, 그의 액상선 온도가 재유동 온도보다 낮은 두가지 이상의 합금 분말로 이루어지고, 여기서 상기 합금 분말 중 적어도 한가지는 액상선 온도와 고상선 온도차가 10℃ 이상이며, 전체 합금 분말의 평균조성이 58-65중량%의 주석과 35-42중량%의 납으로 이루어진 합금 분말과 융재와의 혼합물로 된 볼 그리드 어레이용 돌기-형성 땜납 페이스트.
- 제1항에 있어서, 상기 합금 분말 혼합물이 45-60중량%의 주석과 40-55중량%의 납을 함유하는 합금 분말과 70-100중량%의 주석과 0-30중량%의 납을 함유하는 합금 분말로 이루어진 것이 특징인 볼 그리드 어레이용 돌기-형성 땜납 페이스트.
- 제1항에 있어서, 상기 합금 분말 혼합물이 50-60중량%의 주석과 40-50중량%의 납을 함유하는 합금 분말과 70-85중량%의 주석과 15-30중량%의 납을 함유하는 합금 분말로 이루어진 것이 특징인 볼 그리드 어레이용 돌기-형성 땜납 페이스트.
- 제1항에 있어서, 상기 합금 분말 혼합물이 45-60중량%의 주석과 40-55중량%의 납을 함유하는 합금 분말, 70-100중량%의 주석과 0-30중량%의 납을 함유하는 합금 분말 및 58-65중량%의 주석과 35-42중량%의 납을 함유하는 합금 분말로 이루어진 것이 특징인 볼 그리드 어레이용 돌기-형성 땜납 페이스트.
- 제1항에 있어서, 상기 합금 분말 혼합물이 50-60중량%의 주석과 40-50중량%의 납을 함유하는 합금 분말, 70-85중량%의 주석과 15-30중량%의 납을 함유하는 합금 분말 및 58-65중량%의 주석과 35-42중량%의 납을 함유하는 합금 분말로 이루어진 것이 특징인 볼 그리드 어레이용 돌기-형성 땜납 페이스트.
- 제1항 내지 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 재유동 온도가 210℃ 내지 240℃ 범위인 것이 특징인 볼그리드 어레이용 돌기-형성 땜납 페이스트.
- 제6항에 있어서, 상기 재유동 온도가 약230℃인 것이 특징인 볼 그리드 어레이용 돌기-형성 땜납 페이스트.
- 조성이 서로 다르고, 그의 액상선 온도가 재유동 온도보다 낮은 두가지 이상의 합금 분말로 이루어지고, 여기서 상기 합금 분말 중 적어도 한가지는 액상선 온도와 고상선 온도차가 10℃ 이상이며, 전체 합금 분말의 평균조성이 60-65중량%의 주석, 34-38중량%의 납, 및 1-3중량%의 은으로 이루어진 합금 분말과 융제와의 혼합물로 된 볼 그리드 어레이용 돌기-형성 땜납 페이스트.
- 제8항에 있어서, 상기 합금 분말 혼합물이 45-60중량%의 주석, 40-55중량%의 납 및 0-3중량%의 은을 함유하는 합금 분말과 70-100중량%의 주석, 0-30중량%의 납과 0-3중량%의 은을 함유하는 합금 분말로 이루어진 것이 특징인 볼 그리드 어레이용 돌기-형성 땜납 페이스트.
- 제8항에 있어서, 상기 합금 분말 혼합물이 50-60중량%의 주석, 40-50중량%의 납 및 0-3중량%의 은을 함유하는 함금 분말과 70-85중량%의 주석, 15-30중량%의 납 및 0-3중량%의 은을 함유하는 합금 분말로 이루어지진 것이 특징인 볼 그리드 어레이용 돌기-형성 땜납 ㅍ이스트.
- 제8항에 있어서, 상기 합금 분말 혼합물이 45-60중량%의 주석, 40-55중량%의 납 및 0-3중량%의 은을 함유하는 합금 분말, 70-100중량%의 주석, 0-30중량%의 납 및 0-3중량%의 은을 함유하는 합금 분말 및 60-65중량%의 주석과 34-38중량%의 납 및 1-3중량%의 은을 함유하는 합금 분말로 이루어진 것이 특징인 볼 그리드 어레이용 돌기-형성 땜납 페이스트.
- 제8항에 있어서, 상기 합금 분말 혼함물이 50-60중량%의 주석, 40-50중량%의 납 및 0-3중량%의 은을 함유하는 합금 분말, 70-85중량%의 주석, 15-30중량%의 납 및 0-3중량%의 은을 함유하는 합금 분말 및 60-65중량%의 주석, 34-38중량%의 납 및 1-3중량%의 은을 함유하는 합금 분말로 이루어진 것이 특징인 볼 그리드 어레이용 돌기-형성 땜납 페이스트.
- 제8항 내지 12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 재유동 온도가 210℃ 내지 240℃ 범위인 것이 특징인 볼 그리드 어레이용 돌기-형성 땜납 페이스트.
- 제13항에 있어서, 상기 재유동 온도가 약 230℃인 것이 특징인 볼 그리드 어레이용 돌기-형성 땜납 페이스트.
- 제1항 내지 14항에 따른 땜납 페이스트 중 어느 하나를 이용하여 형성된 돌기를 갖는 볼 그리드 어레이.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP181582/1994 | 1994-08-02 | ||
JP18158294 | 1994-08-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960009083A true KR960009083A (ko) | 1996-03-22 |
KR0179709B1 KR0179709B1 (ko) | 1999-04-15 |
Family
ID=16103332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950023486A KR0179709B1 (ko) | 1994-08-02 | 1995-07-31 | 볼 그리드 어레이용 땜납 페이스트 및 이를 이용한 볼 그리드 어레이 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0179709B1 (ko) |
CN (1) | CN1052179C (ko) |
SG (1) | SG38859A1 (ko) |
TW (1) | TW311894B (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100867871B1 (ko) * | 2005-01-11 | 2008-11-07 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 솔더 페이스트, 및 전자장치 |
CN102642096A (zh) * | 2011-02-18 | 2012-08-22 | 苏州宇邦新型材料有限公司 | 一种焊料和采用该焊料的涂锡焊带及其制备方法 |
FR3049155B1 (fr) * | 2016-03-15 | 2018-04-13 | Alstom Transport Technologies | Carte electronique comprenant un circuit intercalaire a demi-trous metallises |
CN106024363B (zh) * | 2016-08-04 | 2018-11-09 | 重庆金籁科技股份有限公司 | 一种smd贴片电感的制作方法及smd贴片电感 |
CN113182726A (zh) * | 2021-04-07 | 2021-07-30 | 河南鸿昌电子有限公司 | 一种焊接半导体所用的焊锡和焊锡的使用方法 |
CN116275687A (zh) * | 2023-03-27 | 2023-06-23 | 通威太阳能(成都)有限公司 | 焊锡膏、太阳电池组件的制备方法及太阳电池组件 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4739917A (en) * | 1987-01-12 | 1988-04-26 | Ford Motor Company | Dual solder process for connecting electrically conducting terminals of electrical components to printed circuit conductors |
JPH01274491A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-02 | Aiwa Co Ltd | 非共晶ハンダを使用した基板装置 |
JP2512108B2 (ja) * | 1988-10-26 | 1996-07-03 | 松下電器産業株式会社 | クリ―ム半田 |
-
1995
- 1995-07-31 KR KR1019950023486A patent/KR0179709B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-08-01 SG SG1995001023A patent/SG38859A1/en unknown
- 1995-08-01 TW TW084108009A patent/TW311894B/zh active
- 1995-08-02 CN CN95116335A patent/CN1052179C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0179709B1 (ko) | 1999-04-15 |
SG38859A1 (en) | 1997-04-17 |
CN1052179C (zh) | 2000-05-10 |
CN1126647A (zh) | 1996-07-17 |
TW311894B (ko) | 1997-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2134377A1 (en) | Solder Paste Mixture | |
KR960009083A (ko) | 볼 그리드 어레이용 땜납 페이스트 | |
JPH06344180A (ja) | 無含鉛半田合金 | |
DE102006005271A1 (de) | Lötlegierung und eine unter Verwendung derselben hergestellte Halbleitervorrichtung | |
US4179288A (en) | Palladium base dental alloy | |
US2658846A (en) | Soldering flux | |
JPS5572046A (en) | Solder for semiconductor | |
JPS57121896A (en) | Solder alloy | |
JPS5794537A (en) | Cu alloy having high heat resistance and high conductivity | |
JPS5696844A (en) | Semiconductor element | |
US2374183A (en) | Silver solder | |
JPS5447845A (en) | Low melting point copper alloys for welding and soldering | |
JPS5633142A (en) | Clad wire including brazing filler for personal ornament | |
JPS56144893A (en) | Solder alloy for fitting lead on silver electrode | |
RU93018209A (ru) | Припой для пайки преимущественно меди и сплавов на основе меди | |
JPS56127742A (en) | Cu-mn alloy solder material free from generation of pinhole deficiency | |
JPS5290627A (en) | Agricultural and horticulatural solid fungicide composition | |
US2584774A (en) | Silver solder alloy | |
JPS5692959A (en) | Electrically conductive composition | |
JPS5486275A (en) | Manufacture of semiconductor | |
RU93019133A (ru) | Припой на основе никеля | |
JPS5794538A (en) | Cu alloy having high heat resistance and high conductivity | |
JPS5798643A (en) | Grade enhancing agent for tin-lead alloy | |
SU803280A1 (ru) | Металлокерамический припой для бесфлюсовой пайки | |
JPS5552227A (en) | Semiconductor electrode structure |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19950731 |
|
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 19950731 Comment text: Request for Examination of Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 19980716 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 19981030 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 19981128 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 19981128 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20020813 |