[go: up one dir, main page]

KR960008544A - Method and apparatus for selecting multiple memory banks - Google Patents

Method and apparatus for selecting multiple memory banks Download PDF

Info

Publication number
KR960008544A
KR960008544A KR1019950024789A KR19950024789A KR960008544A KR 960008544 A KR960008544 A KR 960008544A KR 1019950024789 A KR1019950024789 A KR 1019950024789A KR 19950024789 A KR19950024789 A KR 19950024789A KR 960008544 A KR960008544 A KR 960008544A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bank
memory
signal
inputs
asynchronous
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1019950024789A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR0174631B1 (en
Inventor
에드워드 부치 로버트
필립 토미 안드레
Original Assignee
윌리엄 티. 엘리스
인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윌리엄 티. 엘리스, 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 filed Critical 윌리엄 티. 엘리스
Publication of KR960008544A publication Critical patent/KR960008544A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR0174631B1 publication Critical patent/KR0174631B1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/12Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/06Addressing a physical block of locations, e.g. base addressing, module addressing, memory dedication
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

메모의 뱅크 선택 시스템은 두 개의 비동기 RAS 핀, 하나의 CAS핀 각 메모리 뱅크에 대한 스위칭 회로, 및 출력이 각 스위칭 회로로 향하는 뱅크 어드레스 디코더를 포함한다. RAS 핀은 모든 스위칭 회로에 사용가능하다. 주어진 스위칭 회로는 액티브인 RAS 핀은 모든 스위칭 회로에 사용가능하다. 주어진 스위칭 회로는 액티브인 RAS 신호가 존재하고 뱅크 어드레스 디코더 출력이 스위칭 회로로 전송되어진 경우에 자신에 연결된 뱅크를 선택한다. 동시에 액티브로 될 수 있는 메모리 뱅크의 수는 RAS 입력의 수에 직접적인 관계를 가진다. 다르게는, CAS 핀의 수는 비동기 RAS 핀의 수와 동일하다.The memo bank selection system includes two asynchronous RAS pins, one CAS pin switching circuit for each memory bank, and a bank address decoder whose output is directed to each switching circuit. The RAS pin is available for all switching circuits. Given a switching circuit, the active RAS pin can be used for any switching circuit. A given switching circuit selects the bank connected to it when there is an active RAS signal and the bank address decoder output is sent to the switching circuit. The number of memory banks that can be active at the same time is directly related to the number of RAS inputs. Alternatively, the number of CAS pins is equal to the number of asynchronous RAS pins.

Description

다중 메모리 뱅크 선택을 위한 방법 및 장치Method and apparatus for selecting multiple memory banks

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.

제3도는 본 발명에 의한 뱅크 선택 시스템의 간략화된 블록도.3 is a simplified block diagram of a bank selection system according to the present invention.

제4도는 제3도의 예시적인 뱅크 선택 시스템의 세부 사항을 도시하는 도면.4 shows details of the example bank selection system of FIG.

제5도는 제3도 및 제4도의 뱅크 선택 시스뎀에 대한 판독 동작의 타이밍 도.5 is a timing diagram of a read operation for the bank select system of FIGS. 3 and 4. FIG.

Claims (16)

복수의 메모리 뱅크 (memory bank); 상기 복수의 메모리 뱅크에 대한 복수의 비동기 인에이블 입력 (asynchronous enable inputs); 뱅크 어드레스를 디코딩하기 위한 디코더(decoder); 및 다중 메모리 뱅크가 동시에 선택되도록 상기 복수의 메모리 뱅크 중에서 선택하기 위하여, 상기 디코더의 출력과 상기 복수의 비동기 인에이블 입력에 응답하는 복수의 스위치를 포함하고, 상기 복수의 메모리 뱅크의 수가 상기 복수의 비동기 인에이블 입력의 수보다 많은 것을 특징으로하는 메모리 뱅크 선택 시스템 (memory bank selection system).A plurality of memory banks; A plurality of asynchronous enable inputs to the plurality of memory banks; A decoder for decoding the bank address; And a plurality of switches responsive to the output of the decoder and the plurality of asynchronous enable inputs for selecting among the plurality of memory banks so that multiple memory banks are simultaneously selected, wherein the number of the plurality of memory banks is selected from the plurality of memory banks. Memory bank selection system, characterized by more than the number of asynchronous enable inputs. 제1항에 있어서, 상기 복수의 메모리 뱅크가 메모리 모듈의 분할 (partitions of a memory module)을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 뱅크 선택 시스템.2. The memory bank selection system of claim 1, wherein the plurality of memory banks comprises partitions of a memory module. 제2항에 있어서, 상기 메모리 모듈이 DRAM 메모리 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 뱅크 선택 시스템.3. The memory bank selection system of claim 2, wherein the memory module comprises a DRAM memory module. 제1항에 있어서, 상기 복수의 스위치가 상기 복수의 메모리 뱅크 각각에 연결된(associated) 스위치를 포함하고, 상기 연결된 스위치의 각각의 주어진 메모리 뱅크로부터 상기 복수의 비동기 인에이블 입력의 각각으로의 접속을 가능하게 하는 것을 특징으로 하는 메모리 뱅크 선택 시스템.2. The method of claim 1, wherein the plurality of switches comprises a switch associated with each of the plurality of memory banks, the connection of each of the plurality of asynchronous enable inputs from each given memory bank of the connected switches. Memory bank selection system, characterized in that possible. 제4항에 있어서, 상기 연결된 스위치가 상기 복수의 비동기 인에이블 입력과 같은 수의 복수의 래치를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 뱅크 선택 시스템.5. The memory bank selection system of claim 4, wherein the connected switch comprises a plurality of latches equal to the plurality of asynchronous enable inputs. 제1항에 있어서, 상기 디코더가 상기 복수의 메모리 뱅크와 같은 수의 복수의 출력을 갖는 이진 디코더를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 뱅크 선택 시스템.2. The memory bank selection system of claim 1 wherein the decoder comprises a binary decoder having a plurality of outputs of the same number as the plurality of memory banks. 복수의 메모리 뱅크; 상기 복수의 메모리 뱅크에 대한 복수의 비동기 뱅크 인에이블 입력(asynchronous bank enable input); 상기 복수의 메모리 뱅크에 대한 하나 이상의 뱅크 출력 인에이블 입력 (bank output enable input); 상기 복수의 메모리 뱅크를 어드레싱(addressing)하기 위한 복수의 뱅크 어드레스 입력; 상기 복수의 뱅크 어드레스 입력에 가해진 어드레싱 신호를 디코딩하기 위한 디코더; 및 상기 복수의 메모리뱅크 중에서 선택하기 위하여 상기 디코더로부터의 출력 신호 및 상기 복수의 비동기 뱅크 인에이블 입력으로부터의 뱅크 인에이블 신호에 응답하는 복수의 스위치를 포함하고, 상기 복수의 메모리 뱅크의 수가 상기 복수의 비동기 뱅크 인에이블 입력의 수보다 많고, 하나 이상의 메모리 뱅크가 동시에 선택될 수 있는 것을 특징으로 하는 메모리 뱅크 선택 시스템.A plurality of memory banks; A plurality of asynchronous bank enable inputs for the plurality of memory banks; One or more bank output enable inputs for the plurality of memory banks; A plurality of bank address inputs for addressing the plurality of memory banks; A decoder for decoding an addressing signal applied to the plurality of bank address inputs; And a plurality of switches responsive to an output signal from the decoder and a bank enable signal from the plurality of asynchronous bank enable inputs for selecting among the plurality of memory banks, wherein the number of the plurality of memory banks is selected from the plurality of memory banks. And wherein more than one memory bank can be selected simultaneously. 제7항에 있어서, 상기 복수의 비동기 뱅크 인에이블 입력이 복수의 행 어드레스 선택 입력을 포함하고, 상기 하나 이상의 뱅크 출력 인에이블 입력이 열 어드레스 선택 입력을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 뱅크 선택 시스템.8. The memory bank selection system of claim 7, wherein the plurality of asynchronous bank enable inputs comprise a plurality of row address select inputs and the one or more bank output enable inputs comprise column address select inputs. 제7항에 있어서, 상기 하나 이상의 뱅크 출력 인에이블 입력이 단일의 뱅크 출력 인에이블 입력인 것을 특징으로 하는 메모리 뱅크 선택 시스템.8. The memory bank selection system of claim 7, wherein the at least one bank output enable input is a single bank output enable input. 제7항에 있어서, 상기 하나 이상의 뱅크 출력 인에이블 입력의 수가 상기 복수의 비동기 뱅크 인에이블 입력의 수와 같은 것을 특징으로 하는 메모리 뱅크 선택 시스템.8. The memory bank selection system of claim 7, wherein the number of one or more bank output enable inputs is equal to the number of the plurality of asynchronous bank enable inputs. 복수의 비동기 인에이블 입력과 복수의 뱅크 어드레스 입력을 포함하는 시스템에서 상기 복수의 비동기 인에이블 입력보다 더 많은 수의 복수의 메모리 뱅크 중에서 선택하는 방법에 있어서, 상기 복수의 비동기 인에이블 입력의 한 입력에 인에이블 신호를 가하는 단계; 입력에 뱅크 어드레스 신호를 가하는 단계; 상기복수의 뱅크 어드레스 입력에 뱅크 어드레스 신호를 가하는 단계; 상기 가해진 뱅크 어드레스 신호를 디코딩하는 단계; 및 상기 가해진 인에이블 신호와 상기 디코딩된 뱅크 어드레스 신호에 기초하여 제1 메모리 뱅크를 자동적으로 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.A method of selecting from a greater number of memory banks than said plurality of asynchronous enable inputs in a system comprising a plurality of asynchronous enable inputs and a plurality of bank address inputs, the input of said plurality of asynchronous enable inputs. Applying an enable signal to the; Applying a bank address signal to the input; Applying a bank address signal to the plurality of bank address inputs; Decoding the applied bank address signal; And automatically selecting a first memory bank based on the applied enable signal and the decoded bank address signal. 제11항에 있어서, 상기 뱅크 어드레스 신호를 가하는 단계가 상기 상기 가해진 인에이블 신호에 응답하여 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.12. The method of claim 11, wherein applying the bank address signal is performed in response to the applied enable signal. 제11항에 있어서, 상기 시스템이 상기 복수의 메모리 뱅크와 상기 복수의 비동기 인에이블 신호 사이에 연결된 복수의 스위치를 더 포함하고, 상기 자동적으로 선택하는 단계가 상기 복수의 비동기 인에이블 입력들 중의 하나와 상기 제1 메모리 뱅크 사이의 접속을 자동적으로 만드는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.12. The system of claim 11, wherein the system further comprises a plurality of switches coupled between the plurality of memory banks and the plurality of asynchronous enable signals, wherein the automatically selecting is one of the plurality of asynchronous enable inputs. And automatically making a connection between the first memory bank and the first memory bank. 제11항에 있어서, 상기 복수의 비동기 인에이블 입력의 또다른 입력에 인에이블 신호를 가하는 단계; 상기 복수의 뱅크 어드레스 입력에 또다른 뱅크 어드레스 신호를 가하는 단계; 상기 가해진 또다른 뱅크 어드레스 신호를 디코딩하는 단계; 및 상기 복수의 비동기 인에이블 입력의 또다른 입력에 가해진 상기 인에이블 신호 및 상기 디코딩된 또다른 뱅크 어드레스 신호에 기초하여 제2 메모리 뱅크를 자동적으로 선택하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 메모리 뱅크와 상기 제2 메모리 뱅크가 동시에 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.12. The method of claim 11, further comprising: applying an enable signal to another input of the plurality of asynchronous enable inputs; Applying another bank address signal to the plurality of bank address inputs; Decoding the applied another bank address signal; And automatically selecting a second memory bank based on the enable signal and the decoded another bank address signal applied to another input of the plurality of asynchronous enable inputs, the first memory bank. And the second memory bank are simultaneously selected. 제1 유형의 메모리 뱅크 선택 신호를 입력하기 위한 복수의 비동기 인에이블 입력, 제2 유형의 메모리 뱅크 선택 신호를 입력하기 위한 하나 이상의 다른 인에이블 입력, 및 뱅크 어드레싱 신호를 입력하기 위한 복수의 뱅크 어드레스 입력을 포함하는 시스템에서 상기 복수의 비동기 인에이블 입력보다 많은 수의 복수의 메모리 뱅크 중에서 선택하는 방법에 있어서, (a) 상기 복수의 비동기 인에이블 입력의 한 입력에 상기 제1 유형의 메모리 뱅크 선택 신호를 가하는 단계; (b) 상기 복수의 뱅크 어드레스 입력에 뱅크 어드레싱 신호를 가하는 단계; (c) 상기 하나 이상의 다른 인에이블 입력에 상기 제2 유형의메모리 뱅크 선택 신호를 가하는 단계; (d) 상기 가해진 뱅크 어드레싱 신호를 디코딩하는 단계; (e) 상기 제1 유형 및 상기 제2 유형의 상기 디코딩된 뱅크 어드레싱 신호 및 상기 가해진 메모리 위치 어드레싱 신호에 기초하여 자동적으로 메모리 뱅크를 선택하는 단계; 및 (f) (a)단계 내지 (e)단계를 반복하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 메모리 뱅크들 중에서 적어도 2개의 메모리 뱅크가 동시에 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.A plurality of asynchronous enable inputs for inputting a first type of memory bank select signal, one or more other enable inputs for inputting a second type of memory bank select signal, and a plurality of bank addresses for inputting a bank addressing signal A method of selecting from a plurality of a plurality of memory banks than the plurality of asynchronous enable inputs in a system comprising an input, the method comprising: (a) selecting the first type of memory bank to one input of the plurality of asynchronous enable inputs; Applying a signal; (b) applying a bank addressing signal to the plurality of bank address inputs; (c) applying the second type of memory bank select signal to the one or more other enable inputs; (d) decoding the applied bank addressing signal; (e) automatically selecting a memory bank based on the decoded bank addressing signal and the applied memory location addressing signal of the first type and the second type; And (f) repeating steps (a) to (e), wherein at least two memory banks are simultaneously selected from among the plurality of memory banks. 제15항에 있어서, 상기 제1 유형의 상기 메모리 뱅크 선택 신호가 행 액세스 선택 신호이고, 상기 제2 유형의 상기 메모리 뱅크 선택 신호가 열 액세스 선택 신호인 것을 특징으로 하는 메모리 뱅크 선택 방법.16. The method of claim 15, wherein said memory bank selection signal of said first type is a row access selection signal and said memory bank selection signal of said second type is a column access selection signal. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019950024789A 1994-08-12 1995-08-11 Method and apparatus for multiple memory bank selection Expired - Fee Related KR0174631B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/289,830 1994-08-12
US8/289,830 1994-08-12
US08/289,830 US5530836A (en) 1994-08-12 1994-08-12 Method and apparatus for multiple memory bank selection

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960008544A true KR960008544A (en) 1996-03-22
KR0174631B1 KR0174631B1 (en) 1999-04-01

Family

ID=23113293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950024789A Expired - Fee Related KR0174631B1 (en) 1994-08-12 1995-08-11 Method and apparatus for multiple memory bank selection

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5530836A (en)
KR (1) KR0174631B1 (en)
TW (1) TW256894B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100485282B1 (en) * 2000-01-19 2005-04-27 인피니언 테크놀로지스 아게 Method and device for alternately operating a write-read-memory in one-memory-operating mode or crossed multi-memory-operating mode

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5717646A (en) * 1996-12-05 1998-02-10 Kyi; Ben-I Random access multiport memory capable of simultaneously accessing memory cells from a plurality of interface ports
US5996042A (en) * 1996-12-16 1999-11-30 Intel Corporation Scalable, high bandwidth multicard memory system utilizing a single memory controller
JPH10222429A (en) * 1997-02-03 1998-08-21 Zexel Corp Selecting method for semiconductor memory cell and semiconductor memory cell selector circuit
US20030096742A1 (en) * 1997-12-03 2003-05-22 Genentech, Inc. Secreted and transmembrane polypeptides and nucleic acids encoding the same
KR100313503B1 (en) * 1999-02-12 2001-11-07 김영환 Semiconductor memory device having a multi-bank memory array
KR100451799B1 (en) * 1999-11-22 2004-10-08 엘지전자 주식회사 Memory module in a operating memory part
US6728159B2 (en) * 2001-12-21 2004-04-27 International Business Machines Corporation Flexible multibanking interface for embedded memory applications
KR100437468B1 (en) 2002-07-26 2004-06-23 삼성전자주식회사 Semiconductor memory device with data input/output organization of a multiple of 9
US6962399B2 (en) * 2002-12-30 2005-11-08 Lexmark International, Inc. Method of warning a user of end of life of a consumable for an ink jet printer
KR100527569B1 (en) * 2003-05-09 2005-11-09 주식회사 하이닉스반도체 Non-volatile ferroelectric memory and controlling device thereof
US7394716B1 (en) 2005-04-01 2008-07-01 Cypress Semiconductor Corporation Bank availability indications for memory device and method therefor
US8077535B2 (en) 2006-07-31 2011-12-13 Google Inc. Memory refresh apparatus and method
US8041881B2 (en) 2006-07-31 2011-10-18 Google Inc. Memory device with emulated characteristics
US20080028136A1 (en) 2006-07-31 2008-01-31 Schakel Keith R Method and apparatus for refresh management of memory modules
US7392338B2 (en) 2006-07-31 2008-06-24 Metaram, Inc. Interface circuit system and method for autonomously performing power management operations in conjunction with a plurality of memory circuits
US8081474B1 (en) 2007-12-18 2011-12-20 Google Inc. Embossed heat spreader
US8090897B2 (en) 2006-07-31 2012-01-03 Google Inc. System and method for simulating an aspect of a memory circuit
US8386722B1 (en) 2008-06-23 2013-02-26 Google Inc. Stacked DIMM memory interface
US8327104B2 (en) 2006-07-31 2012-12-04 Google Inc. Adjusting the timing of signals associated with a memory system
US9542352B2 (en) 2006-02-09 2017-01-10 Google Inc. System and method for reducing command scheduling constraints of memory circuits
US9507739B2 (en) 2005-06-24 2016-11-29 Google Inc. Configurable memory circuit system and method
US8335894B1 (en) 2008-07-25 2012-12-18 Google Inc. Configurable memory system with interface circuit
US8169233B2 (en) 2009-06-09 2012-05-01 Google Inc. Programming of DIMM termination resistance values
US8359187B2 (en) 2005-06-24 2013-01-22 Google Inc. Simulating a different number of memory circuit devices
US8111566B1 (en) 2007-11-16 2012-02-07 Google, Inc. Optimal channel design for memory devices for providing a high-speed memory interface
US9171585B2 (en) 2005-06-24 2015-10-27 Google Inc. Configurable memory circuit system and method
KR101318116B1 (en) 2005-06-24 2013-11-14 구글 인코포레이티드 An integrated memory core and memory interface circuit
US8244971B2 (en) 2006-07-31 2012-08-14 Google Inc. Memory circuit system and method
US8397013B1 (en) 2006-10-05 2013-03-12 Google Inc. Hybrid memory module
US8055833B2 (en) 2006-10-05 2011-11-08 Google Inc. System and method for increasing capacity, performance, and flexibility of flash storage
US7386656B2 (en) 2006-07-31 2008-06-10 Metaram, Inc. Interface circuit system and method for performing power management operations in conjunction with only a portion of a memory circuit
US8438328B2 (en) 2008-02-21 2013-05-07 Google Inc. Emulation of abstracted DIMMs using abstracted DRAMs
US7580312B2 (en) 2006-07-31 2009-08-25 Metaram, Inc. Power saving system and method for use with a plurality of memory circuits
US8796830B1 (en) 2006-09-01 2014-08-05 Google Inc. Stackable low-profile lead frame package
US20080082763A1 (en) 2006-10-02 2008-04-03 Metaram, Inc. Apparatus and method for power management of memory circuits by a system or component thereof
US7609567B2 (en) 2005-06-24 2009-10-27 Metaram, Inc. System and method for simulating an aspect of a memory circuit
US10013371B2 (en) 2005-06-24 2018-07-03 Google Llc Configurable memory circuit system and method
US8089795B2 (en) 2006-02-09 2012-01-03 Google Inc. Memory module with memory stack and interface with enhanced capabilities
US8060774B2 (en) 2005-06-24 2011-11-15 Google Inc. Memory systems and memory modules
US8130560B1 (en) 2006-11-13 2012-03-06 Google Inc. Multi-rank partial width memory modules
US7590796B2 (en) 2006-07-31 2009-09-15 Metaram, Inc. System and method for power management in memory systems
DE112006004263B4 (en) 2005-09-02 2015-05-13 Google, Inc. memory chip
US9632929B2 (en) 2006-02-09 2017-04-25 Google Inc. Translating an address associated with a command communicated between a system and memory circuits
US7724589B2 (en) 2006-07-31 2010-05-25 Google Inc. System and method for delaying a signal communicated from a system to at least one of a plurality of memory circuits
US8209479B2 (en) 2007-07-18 2012-06-26 Google Inc. Memory circuit system and method
US8080874B1 (en) 2007-09-14 2011-12-20 Google Inc. Providing additional space between an integrated circuit and a circuit board for positioning a component therebetween

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5943786B2 (en) * 1979-03-30 1984-10-24 パナフアコム株式会社 Storage device access method
US4797850A (en) * 1986-05-12 1989-01-10 Advanced Micro Devices, Inc. Dynamic random access memory controller with multiple independent control channels
US4908789A (en) * 1987-04-01 1990-03-13 International Business Machines Corporation Method and system for automatically assigning memory modules of different predetermined capacities to contiguous segments of a linear address range
US5179687A (en) * 1987-09-26 1993-01-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device containing a cache and an operation method thereof
JPH01124195A (en) * 1987-11-09 1989-05-17 Sharp Corp Self-refreshing system
US4991110A (en) * 1988-09-13 1991-02-05 Silicon Graphics, Inc. Graphics processor with staggered memory timing
US5159676A (en) * 1988-12-05 1992-10-27 Micron Technology, Inc. Semi-smart DRAM controller IC to provide a pseudo-cache mode of operation using standard page mode draws
US4967397A (en) * 1989-05-15 1990-10-30 Unisys Corporation Dynamic RAM controller
JP2646032B2 (en) * 1989-10-14 1997-08-25 三菱電機株式会社 LIFO type semiconductor memory device and control method therefor
US5005157A (en) * 1989-11-13 1991-04-02 Chips & Technologies, Inc. Apparatus for selectively providing RAS signals or RAS timing and coded RAS address signals
US5392252A (en) * 1990-11-13 1995-02-21 Vlsi Technology, Inc. Programmable memory addressing
US5371866A (en) * 1992-06-01 1994-12-06 Staktek Corporation Simulcast standard multichip memory addressing system
US5396608A (en) * 1993-06-28 1995-03-07 Analog Devices, Inc. Method and apparatus for accessing variable length words in a memory array

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100485282B1 (en) * 2000-01-19 2005-04-27 인피니언 테크놀로지스 아게 Method and device for alternately operating a write-read-memory in one-memory-operating mode or crossed multi-memory-operating mode

Also Published As

Publication number Publication date
US5530836A (en) 1996-06-25
KR0174631B1 (en) 1999-04-01
TW256894B (en) 1995-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960008544A (en) Method and apparatus for selecting multiple memory banks
KR0180929B1 (en) Semiconductor memory device with fast successive read operation
KR970705142A (en) A dual bank memory and systems using it.
KR930018594A (en) Semiconductor memory
KR900015323A (en) Semiconductor memory
KR920003322A (en) Semiconductor memory with improved test mode
KR950030151A (en) Semiconductor memory
KR920008598A (en) Memory controller for accessing memory in direct or interleaved mode and data processing system having same
KR960043187A (en) Semiconductor device
US5229971A (en) Semiconductor memory device
KR930018595A (en) Semiconductor memory
US4763302A (en) Alternatively addressed semiconductor memory array
KR870009384A (en) Semiconductor memory
KR940026948A (en) Fault Remedy Circuit
KR970029077A (en) Memory device using preserved addressing and system and method using same
KR930020678A (en) Semiconductor memory
KR970051152A (en) Semiconductor Memory Device with Data Bus Line Structure Suitable for Fast Burst Read / Write Operation
US5029330A (en) Semiconductor memory device
KR950009279A (en) Semiconductor memory device performing memory test
KR950015399A (en) Semiconductor memory device for input and output of bit unit data
US4979145A (en) Structure and method for improving high speed data rate in a DRAM
US4800535A (en) Interleaved memory addressing system and method using a parity signal
KR960006272B1 (en) Flashlight Circuit of Semiconductor Memory Device
KR910019049A (en) Semiconductor integrated circuit device and digital processing device using the same.
KR970067382A (en) Method and apparatus for parity check logic circuit in dynamic random access memory

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19950811

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19950811

Comment text: Request for Examination of Application

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 19980930

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 19981105

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 19981105

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20010908

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20010908

Start annual number: 4

End annual number: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20030809