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KR960006957B1 - 반도체 소자 식각장비의 진공 시스템 및 그 운용 방법 - Google Patents

반도체 소자 식각장비의 진공 시스템 및 그 운용 방법 Download PDF

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KR960006957B1
KR960006957B1 KR1019930001636A KR930001636A KR960006957B1 KR 960006957 B1 KR960006957 B1 KR 960006957B1 KR 1019930001636 A KR1019930001636 A KR 1019930001636A KR 930001636 A KR930001636 A KR 930001636A KR 960006957 B1 KR960006957 B1 KR 960006957B1
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valve
less
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torr
pump
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박철수
이상윤
성노영
이재근
Original Assignee
현대전자산업주식회사
김주용
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 소자 식각장비의 진공 시스템 및 그 운용 방법
제1도는 본 발명에 따른 진공 시스템 구성도.
제2도는 본 발명에 따른 공정 챔버를 펌핑방법을 도시한 공정 흐름도.
제3도는 본 발명에 따른 이송 챔버를 펌핑방법을 도시한 공정 흐름도.
제4도는 본 발명에 따른 카세트 교체시의 펌핑방법을 도시한 공정 흐름도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 카세트 챔버 2 : 이송 챔버
3 : 공정 챔버 4,5 : TMP펌프
6,7 : 로터리 베인 펌프 TC1 및 TC2 : 티시 센서
NV1 내지 NV18 : 널프로 센서 MV1 내지 MV7 : 메터링 밸브
P1 내지 P4 : 피라미 센서 CC1 : 콜드 캐소드
HC1 : 핫 캐소드 AT1 및 AT3 : 대기압 캐소드
BR1 : 바라트론 GV1 내지 GV6 : 게이트 밸브
TV1 : 쓰로틀 밸브 SV1 내지 SV3 : 슬루우즈 밸브
D1 및 D2 : 도어 A : 감압단계
본 발명은 반도체 소자 식각장비의 진공 시스템 및 그 운용 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 거의 모든 공정은 불순물에 대한 웨이퍼의 오염을 방지하기 위하여 고진공 상태에서 공정을 실시하게 되는데 이때 진공도를 높이기 위하여 로터리펌프 및 확산펌프를 사용하여 왔다.
특히, 전자의 공정을 이용하여 고집적 소자의 미세패턴을 형성하는 ECR(electron cyclotron resonance; 이하 ECR이라 칭함) 식각장비의 진공펌프는 고진공도를 유지하여야 하며, 이 진공 시스템은 여러 구성요소들의 복합으로 이루어져 작동하게 된다.
그러나 종래의 ECR 식각장비의 진공 시스템은 고진공도를 유지하기 위하여 구성된 진공 장비들이 체적이 크고 소음이 많이 발생하여 진공 장비의 효율적 운용에 여러 문제점들을 발생하여 왔다.
따라서 본 발명은 미세패턴으로 이루어지는 고집적 반도체 소자의 제조에 적합한 ECR 식각장비의 고진공도를 유지할 수 있는 반도체 소자 식각장비의 진공 시스템 및 그 운용 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반도체 소자의 식각장비의 진공 시스템에 있어서, 이송 챔버를 펌핑하는 TMP(Turbomolecular Punp; 이하 TMP라 칭함), 카세트 챔버를 펌핑하되 상기 이송 챔버를 펌핑하는 TMP펌프와 동시에 연결되어 펌핑 축출물을 배출하는 로터리 베인 펌프(Rotary Vane Punp; 이하 RVP펌프라 칭함), 상기 공정 챔버 내를 펌핑하는 TMP펌프와 이 TMP펌프와 연결되어 펌핑 축출물을 배출하는 RVP펌프를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은, 반도체 소자 식각장비의 진공 시스템의 공정 챔버 펌핑방법에 있어서, 슬루우즈 밸브, 게이트 밸브, 널프로 밸브를 닫고, 5분이상이 될때까지 RVP펌프를 온(on)시킨 후에 게이트 밸브를 오픈하는 단계, 상기 게이트 벨브의 오픈은 피라미 센서가 10Torr 이하 일때까지 지속하고, 상기 피라미 센서 10Torr 이하이면 게이트 밸브를 오픈 하는 단계, 쓰로틀 밸브를 완전 오픈하고 피라미 센서가 1Torr 이하가 아니면 설정한 제한시간 20분 보다 긴 경우에는 게이트 밸브를 닫고 진공 시스템에 에러가 발생하였음을 인식하고, 상기 제한시간 20분이 안된 경우에는 계속 피라미 센서가 1Torr 이하가 될때까지 대기하고 이하가 되면 TMP1펌프를 온시키는 단계, 널프로 밸브를 오픈하여 피라미드 센서가 0.5Torr가 되지 않으면 널프로 밸브를 담고 상기 널프로 밸브에 에러가 발생하였음을 인식하고 0.5Torr 이하가 되면 바라트론이 1mTorr 이하가 될때까지 널프로 밸브를 오픈 시켜 공정완료 상태를 준비하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 반도체 소자 식각장비의 진공 시스템의 이송 챔버 펌핑방법에 있어서, 카세트 도어의 개폐 여부를 확인하여 닫고, 게이트 밸브, 슬루우즈 밸브, 널프로 밸브를 닫는 단계, RVP펌프를 5분이상 온 시키고 티시 센서가 10Torr 이하 일때까지 게이트 밸브를 오픈시키는 단계, 상기 티시 센서가 10Torr 이하이면 게이트 밸브를 오픈시키고, 슬루우즈 밸브를 오픈시켜 오픈 결과 티시 센서가 1Torr 이하가 아니면 한계 시간인 20분까지 계속 오픈시키는 단계, 20분이 지나도록 상기 티시 센서가 1Torr 이하로 떨어지지 않으면 상기 게이트 밸브를 닫고 진공 시스템의 에러를 인식하고 상기 티시 센서가 1Torr 이하이면 TMP펌프를 온 시키는 단계, 널프로 밸브를 온시켜 티시 센서가 0.5Torr 이하가 아니면 상기 널프로 밸브를 닫고 널프로 밸브의 에러를 인식하며, 0.5Torr 이하이면 핫 캐소드가 1mTorr 이하인가를 판단하여 아니면 계속 상기 널프로 밸브를 온시키고 이하이면 공정완료 상태를 준비하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 반도체 소자 식각장비의 진공 시스템의 이송 챔버 펌핑방법에 있어서, 카세트 도어를 오픈하여 카세트를 교체하여, 카세트 도어를 닫는 단계, 널프로 밸브를 피라미드 센서가 0.1Torr 이하가 될때까지 닫은 후에 피라미드 센서가 0.1Torr 이하가 되면 게이트 밸브를 닫고 다시 피라미드 센서가 0.5Torr 이하가 되면은 널프로 밸브를 피라미드 센서가 10Torr 이하가 될때까지 오픈하는 단계, 상기 피라미드 센서가 0.5Torr 이하가 되지 않으면 피라미드 센서가 0.1Torr 이하가 되도록 하는 감압단계, 상기 피라미드 센서가 0.5Torr 이하가 되면 널프로 밸브를 피라미드 센서가 10Torr 이하가 될때까지 오픈하여 상기 피라미드 센서가 10Torr 이하가 되기는 하였으나 상기 피라미드 센서가 0.5Torr 이하가 되지 않으면 다시 감압단계를 수행하는 단계, 상기 피라미드 센서가 0.5Torr 이하가 되면 게이트 밸브를 오픈하고 널프로 밸브를 닫아 다시 피라미드 센서가 0.5Torr 이하가 인가를 판단하여 판단 결과 0.5Torr 이하이면 피라미드 센서가 0.1Torr 이하인가를 판단하고 0.5Torr 이하가 아니면 감압단계를 수행하는 단계, 상기 판단결과 피라미드 센서가 0.1Torr 이하가 되면 핫 캐소드가 1mTorr가 될때까지 게이트 밸브를 닫고, 게이트 밸브를 오픈하며, 슬루우즈 밸브를 오픈하여 공정완료 상태를 준비하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면 제 1 도 내지 제 4 도를 참조하여 본 발명에 따른 일실시예를 상세히 설명하면, 도면에서 1은 카세트 챔버, 2는 이송 챔버, 3은 공정 챔버, 4,5는 TMP펌프, 6,7은 로터리 베인 펌프, TC1 및 TC2는 티시 센서, NV1 내지 NV18은 널프로 센서, MV1 내지 MV7은 메터링 밸브, P1 내지 P4는 피라미 센서, CC1은 콜드 캐소드, HC1은 핫 캐소드, AT1 및 AT3은 대기압 캐소드, BR1은 바라트론, GV1 내지 GV6은 게이트 밸브, TV1은 쓰로틀 밸브, SV1 내지 SV3은 슬루우즈 밸브, D1 및 D2는 도어, A는 감압단계를 각각 나타낸다.
먼저 제 2 도를 통하여 본 발명에 따른 진공 시스템의 구성을 상세히 살펴본다.
도면에 도시된 바와 같이 ECR 식각장비는 웨이퍼를 담은 카세트가 위치하는 카세트챔버(1)에서 웨이퍼를 하나씩 꺼내어 공정 챔버(2)로 이송시키는 이송 챔버(3)로 이루어지게 되며 상기 이송 챔버(3)와 공정 챔버(2)에 각각 하나의 TMP (Turbomolecular Punp; 이하 TMP라 칭함)(4,5)펌프가 연결되어 진공상태를 만들게 된다.
그리고 이들 TMP펌프(4,5)와 상기 이송 챔버와 공정 챔버(2,3) 사이에는 펌핑(pumping)을 개폐하는 각각의 게이트 밸브(GV1,GV2)를 형성하며 이 펌프(4,5)를 냉각시키는 냉각수가 흐르도록 형성한다.
또한 상기 TMP펌프(4,5) 작동으로 추출되는 오염물질은 로터리 베인 펌프(Rotary Vane Punp; 이하 RVP라 칭함)(6,7)에 의해 배출되게 된다.
상기 펌프 사이에는 진공 펌핑을 형성하게 되는 펌핑 라인을 개폐하는 밸브와 각 펌프의 펌핑 정도를 측정하는 게이지(Gauge)가 위치하게 되는데 이들 밸브와 게이지는 다음과 같이 형성되어 진다.
먼저, 카세트 챔버(1)와 이송 챔버(3)는 하나의 TMP펌프(4)와 하나의 RVP 펌프(6)에 의해 펌핑을 하게 되며, 또한 공정 챔버(2) 역시 하나의 TMP펌프(5)와 하나의 RVP펌프(7)로 펌핑 작동을 하게 된다.
카세트 챔버(1)와 디셍 챔버(3)의 펌핑을 위한 펌핑 라인은 다음과 같이 구성된다.
상기 카세트 챔버(1)의 펌핑은 펌핑라인을 여닫는 게이트 밸브(GV6)를 통하여 RVP펌프(6)에 연결되고, 이송 챔버(3)의 펌핑은 게이트 밸브(GV4)를 통해 TMP펌프(4)와 연결되는데, 이 TMP펌프(4)는 게이트 밸브(GV5)를 통해 상기 RVP펌프(6)와 연결되어 상기 카세트 챔버(1)와 이송 챔버(3)에서의 펌핑물질을 배출시킨다.
그리고 상기 공정 챔버(2)의 펌핑도 상기 설명한 이송 챔버(3)의 펌핑과 같이 동일하게 실시하게 되는데 공정 챔버(2)는 쓰로틀 밸브(TV1), 게이트 밸브(GV1)를 통하여 펌핑라인이 TMP펌프(5)와 연결되고, 이 TMP펌프(5)는 게이트 밸브(GV2)에 의해 RVP 펌프(7)와 연결되어 펌핑이 이루어지게 된다.
또한 상기 카세트 챔버(1)와 이송 챔버(3)의 펌핑라인에 있어서, 상기 이송 챔버(3)에는 핫 캐소드(HC1), 대기압 센서(AT2), TC센서(TC1)가 형성되어 챔버내의 진공도를 여러 측정범위를 가지는 이들 센서에 의해 측정하게 되고 상기 카세트 챔버(1)는 피라미 센서(P4), 대기압 센서(AT3)로 측정하며 상기 게이트 밸브(GV6)와 병렬로 널프로 밸브(NV16)를 형성한다. 또한 이 펌핑라인에 온-오프 기능을 가지는 널프로 밸브(NV1)를 통해 N₂가스를 불어넣어 펌핑라인을 청결히 유지 가능토록 한다.
또한 공정 챔버(2)에는 진공도를 측정하는 피라미드 센서(P1), 대기압 센서(AT1), 콜드 캐소드(CC1)가 형성되어 있어 챔버내를 측정하게 되고, 상기 TMP펌프(5)와 게이트 밸브(GV2) 사이에는 피라미드 센서(P2)가 형성되어지며 상기 공정 챔버(2)에는 웨이퍼 가공에 필요한 가스를 주입하게 되는 널프로 밸브(NV17)가 형성되어지고, 콘트롤러(8)가 상기 쓰로틀 밸브(TV1) 및 공정 챔버(2)에 형성된 널프로 밸브(NV15)와 연결된 바라톤(BR1)에 연결되어져 공정 챔버(2)와 웨이퍼 가공에 적합한 상태에 도달하도록 펌핑정도를 콘트롤을 한다.
그리고 각 펌프에는 펌핑의 결과물로 인하여 펌프 및 펌핑 라인 존재하는 유해물을 제거하기 위하여 상기 TMP펌프(4), RVP펌프(6), TMP펌프(5), RVP펌프(7)에 각각 널프로 밸브(NV10), 메터링 밸브(MV7), 널프로 밸브(NV12), 메터링 밸브(MV4)를 통해 질소 가스가 주입되게 된다. 또한 상기 TMP펌프(5)와 게이트 밸브(GV1) 사이에 펌핑 라인 세척용 질소를 주입하게 되는 널프로 밸브(NV18)를 형성하며 최종적으로 펌핑 배출은 RVP펌프(6,7)에 의해 배출되게 된다.
상기 본 발명의 구성에 대한 진공 시스템의 운용방법을 제 2 도 내지 제 4 도의 흐름도를 참고하여 살펴본다.
먼저, 공정을 진행하기 위한 공정 챔버의 펌핑방법을 제 2 도의 흐름도를 통하여 상세히 살펴본다.
이송 챔버와 공정 챔버를 연결하여 슬루우즈 밸브(SV1), 게이트 밸브(GV1,GV2), 널프로 밸브(NV12)를 닫고(201), 5분이상이 될때까지(203) RVP펌프를 온(on)시키고(202) 게이트 밸브(GV2)를 오픈한다(204).
그리고 상기 게이트 밸브(GV2)의 오픈은 피라미 센서(P2)가 10Torr 이하일때까지 지속하고(204,205), 상기 피라미 센서(P2)가 10Torr 이하이면 게이트 밸브(GV1)을 오픈한다(205,206). 이어서, 쓰로틀 밸브(TV1)을 완전 오픈하고(207) 피라미 센서(P1)가 1Torr 이하가 아니면 설정한 제한시간 20분 보다 긴 경우(208)에는 게이트 밸브(GV1)를 닫고(209) 진공 시스템에 에러가 발생하였음을 인식하게 된다.
그러나 상기 제한시간 20분이 안된 경우에는 계속 피라미 센서가 1Torr 이하가 될때까지 대기하고 이하가 되면 TMP1펌프(5)을 온시키고(210) 널프로 밸브(NV12)를 오픈(211)하여 피라미드 센서(P2)가 0.5Torr가 되지 않으면 널프로 밸브(NV12)를 닫고 상기 널프로 밸브(NV12)에 에러가 발생하였음을 인삭하고 0.5Torr 이하 212)가 되면 바라트론(BR1) 1mTorr 이하가 될때까지(215) 널프로 밸브(NV15)를 오픈시켜 웨이퍼 공정의 준비를 완료하게 된다.
그리고 제 3 도를 통하여 이송시스템의 펌핑방법을 제 3 도에 도시된 흐름도를 통하여 상세히 살펴보면 다음과 같다.
카세트 도어(1,2)의 개폐 여부를 확인하여 닫고(301,302), 게이트 밸브(GV5,GV6,GV4), 슬루우즈 밸브(SV1,SV2,SV3), 널프로 밸브(NV16,NV10)를 닫는다(303). 이어서 RVP펌프를 5분이상 온시키고(304,305) 티시 센서(TC2)가 10Torr 이하 일때까지 게이트 밸브(GV5)를 오픈 시킨다(306,307). 상기 티시 센서(TC2)가 10Torr 이하이면 게이트 밸브(GV4)를 오픈시키고(308), 슬루우즈 밸브(SV2,SV3)를 오픈시켜(309) 오픈 결과 티시 센서(TC1)가 1Torr 이하(310)가 아니면 한계 시간인 20분까지 계속 오픈시키고 20분이 지나도록(311) 상기 티시 센서(TC1)가 1Torr 이하로 떨어지지 않으면 상기 게이트 밸브(GV4)를 닫고 진공 시스템의 에러를 인식한다(312). 그리고 상기 티시 센서(TC1)가 1Torr 이하이면 TMP펌프를 온시키고(313) 널프로 밸브(NV10)를 온(314)시켜 티시 센서(TC2)가 0.5Torr 이하(315)가 아니면 상기 널프로 밸브(NV10)를 닫고(316) 널프로 밸브(NV10)의 에러를 인식하며, 0.5Torr 이하이면 핫 캐소드(HC1)가 1mTorr 이하인가를 판단하여(317) 아니면 계속 상기 널프로 밸브(NV10)를 온시키고 이하이면 공정진행 준비가 완료되게 된다.
이어서, 반도체 소자의 가공을 필요로 하는 웨이퍼를 담고 있는 웨이퍼 이송 시스템에 웨이퍼를 전달하는 카세트 챔버의 펌핑방법을 제 4 도에 도시된 흐름도를 통하여 상세히 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 슬루우즈 밸브(SV2,SV3), 게이트 밸브(GV6), 널프로 밸브(NV16)를 닫고(401) MFC(Mass Flow Controller; 이하 MFC라 칭함)를 0%로 세팅한다(402). 그리고 널프로 밸브(NV1)를 오픈(405) 시키고 다시 MFC를 5%로 세팅하는데(404) 상기 널프로 밸브(NV1)를 오픈 시간이 10초 이상되게 한다. 이어서 10초 이상 상기 널프로 밸브(NV1)를 오픈시켰으면 MFC를 10%로 세팅하고 대기압이 될때까지 세팅해 놓고 카세트 도어(D1, D2)를 오픈하여 카세트를 교체한다(408).
교체가 끝나면 카세트 도어(D1, D2)를 닫고(409) 널프로 밸브(NV10)를 피라미드 센서(P2)가 0.1Torr이하(411)가 될때까지 닫은(410) 후에 피라미드 센서(P2)가 0.1Torr 이하(411)가 되면 게이트 밸브(GV5)를 닫고(411) 다시 피라미드 센서(P2)가 0.5Torr 이하가 되면(412)은 널프로 밸브(NV16)를 피라미드 센서(P4)가 10Torr 이하가 될때까지 오픈(413)한다.
그리고 상기 피라미드 센서(P2)가 0.5Torr 이하가 되지 않으면 널프로 밸브(NV16), 게이트 밸브(GV6)를 닫고(419) 게이트 밸브(GV5)를 오픈하여 피라미드 센서(P2)가 0.1Torr 이하인가를 판단(411)하는 단계로 복귀한다.
이어서 널프로 밸브(NV16)를 피라미드 센서(P4)가 10Torr 이하가 될때까지 오픈하여(413) 상기 피라미드 센서(P4)가 10Torr 이하가 되기는 하였으나 상기 피라미드 센서(P2)가 0.5Torr 이하가 되지 않으면(415) 다시 널프로 밸브(NV16), 게이트 밸브(GV6)를 닫고(419) 게이트 밸브(GV5)를 오픈(420)하여 피라미드 센서(P2)가 0.1Torr 이하인가를 판단(411)하는 단계로 복귀한다.
상기 피라미드 센서(P2)가 0.5Torr 이하가 되면(415) 게이트 밸브(GV6)를 오픈하고(416) 널프로 밸브(NV16)(417)를 닫아 다시 피라미드 센서(P2)가 0.5Torr 이하가 인가를 판단한다(418). 이때 판단 결과 0.5Torr 이하이면 피라미드 센서(P4)가 0.1Torr 이하인가를 판단한다(419).
상기 피라미드 센서(P2)가 0.5Torr 이하(418)가 아니면 피라미드 센서1(NV16), 게이트 밸브(GV6)를 닫고(419) 게이트 밸브(GV5)를 오픈(420)하여 피라미드 센서(P2)가 0.1Torr 이하인가를 판단(411) 단계로 복귀한다.
또한 상기 판단 결과 피라미드 센서(P4)가 0.1Torr 이하가 아니면 0.1Torr 이하가 될때까지 대기하여 0.1Torr 이하가 되면 핫 캐소드(HC1)가 1mTorr가 될때까지(426) 게이트 밸브(GV6)를 닫고(423), 게이트 밸브(GV5)(424) 오픈하며, 슬루우즈 밸브(SV2,SV3)(425)를 오픈하여 공정중비를 완료하였다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명의 ECR 식각장비의 진공 시스템은 공진기내부에 존재하여 웨이퍼를 식각하게 되는 플라즈마의 양호한 균일도를 얻을 수 있어 반도체 소자의 신뢰성과 수율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (11)

  1. 반도체 소자의 식각장비의 진공 시스템에 있어서, 이송 챔버(3)를 펌핑하는 TMP(Turbomolecular punp; 이하 TMP라 칭함)(4), 카세트 챔버(1)를 펌핑하되 상기 이송 챔버(3)를 펌핑하는 TMP펌프(4)와 동시에 연결되어 펌핑 축출물을 배출하는 로터리 베인 펌프(Rotary Vane punp; 이하 RVP 펌프라 칭함)(6), 상기 공정 챔버(2)내를 펌핑하는 TMP펌프(5)와 이 TMP펌프(5)와 연결되어 펌핑 축출물을 배출하는 RVP펌프(7)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각장비의 진공 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 카세트 챔버(1)의 펌핑은 펌핑라인을 여닫는 게이트 밸브(GV6)를 통하여 RVP펌프(6)에 연결되고, 이송 챔버(3)의 펌핑은 게이트 밸브(GV4)를 통해 TMP펌프(4)와 연결되되, 이 TMP펌프(4)는 게이트 밸브(GV5)를 통해 상기 RVP펌프(6)와 연결되어 상기 카세트 챔버(1)와 이송 챔버(3)에서의 펌핑물질을 배출시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각장비의 진공 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 공정 챔버(2)의 펌핑은 펌핑라인을 여닫는 쓰로틀 밸브(TV1), 게이트 밸브(GV1)를 통하여 TMP펌프(5)와 연결되고, 이 TMP펌프(5)는 게이트 밸브(GV2)에 의해 RVP펌프(7)와 연결되어 지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각장비의 진공 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 TMP펌프(4), RVP펌프(6), TMP펌프(5), RVP펌프(7)에 각각 널프로 밸브(NV10), 메터링 밸브(MV7), 널프로 밸브(NV12), 메터링 밸브(MV4)를 통해 질소 가스가 주입되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각장비의 진공 시스템.
  5. 제2항에 있어서, 상기 카세트 챔버(1)와 이송 챔버(3)의 펌핑라인에 핫 캐소드(HC1), 대기압 센서(AT2), TC센서(TC1)가 형성되어 이송 챔버(3)내의 진공도를 측정하고 또한 피라미 센서(P4), 대기압 센서(AT3)는 상기 카세트 챔버(1)내의 진공도를 측정하며, 상기 카세트 챔버(1)의 펌핑라인은 게이트 밸브(GV6) 그리고 이 게이트 밸브(GV6)와 병렬로 형성된 널프로 밸브(NV16)를 통해 펌핑라인이 여닫는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각장비의 진공 시스템.
  6. 제2항에 있어서, 공정 챔버(2)에는 피라미드 센서(P1), 대기압 센서(AT1), 콜드 캐소드(CC1)가 형성되어 있는 챔버내를 측정하고, 상기 TMP펌프(5)와 게이트 밸브(GV2) 사이에는 피라미드 센서(P2)가 형성되어지며 상기 공정 챔버(2)에는 웨이퍼 가공에 필요한 가스를 주입하게 되는 널프로 밸브(NV17)가 형성되어지고, 콘트롤러(8)가 상기 쓰로틀 밸브(TV1) 밍 공정 챔버(2)에 형성된 널프로 밸브(NV15)와 연결된 바라톤(BR1)에 연결되어져 공정 챔버(2)와 웨이퍼 가공에 적합한 상태에 도달하도록 펌핑정도를 콘트롤 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각장비의 진공 시스템.
  7. 반도체 소자 식각장비의 진공 시스템의 공정 챔버 펌핑방법에 있어서, 슬루우즈 밸브(SV1), 게이트 밸브(GV1,GV2), 널프로 밸브(NV12)를 닫고(201), 5분이상이 될때까지(203) RVP펌프를 온(on)시킨 후에 (202) 게이트 밸브(GV2)를 오픈하는(204) 단계, 상기 게이트 밸브(GV2)의 오픈은 피라미 센서(P2)가 10Torr 이하 일때까지 지속하고(204,205), 상기 피라미드 센서(P2)가 10Torr 이하이면 게이트 밸브(GV1)를 오픈하는(205,206) 단계, 쓰로틀 밸브(TV1)를 완전 오픈하고(207) 피라미드 센서(P1)가 1Torr 이하가 아니면 설정한 제한시간 20분 보다 긴 경우(208)에는 게이트 밸브(GV1)를 닫고(209) 진공 시스템에 에러가 발생하였음을 인식하고, 상기 제한시간 20분이 안된 경우에는 계속 피라미 센서가 1Torr 이하가 될때까지 대기하고 이하가 되면 TMP1펌프(5)를 온시키는 (210) 단계, 널프로 밸브(NV12)를 오픈(211)하여 피라미드 센서(P2)가 0.5Torr가 되지 않으면 널프로 밸브(NV12)를 닫고 상기 널프로 밸브(NV12)에 에러가 발생하였음을 인식하고 0.5Torr 이하 (212)가 되면 바라트론(BR1)이 1mTorr 될때까지(215) 널프로 밸브(NV15)를 오픈시켜 공정완료 상태를 준비하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 식각장비의 진공 시스템의 공정 챔버 펌핑방법.
  8. 반도체 소자 식각장비의 진공 시스템의 이송 챔버 펌핑방법에 있어서, 카세트 도어(1,2)의 개폐 여부를 확인하여 닫고(301,302), 게이트 밸브(GV5,GV6,GV4), 슬루우즈 밸브(SV1,SV2,SV3), 널프로 밸브(NV16,NV10)를 닫는 (303) 단계, RVP펌프를 5분이상 온시키고(304,305) 티시 센서(TC2)가 10Torr 이하 일때까지 게이트 밸브(GV5)를 오픈시키는 (306,307) 단계, 상기 티시 센서(TC2)가 10Torr 이하이면 게이트 밸브(GV4)를 오픈시키고(308), 슬루우즈 밸브(SV2,SV3)를 오픈시켜(309) 오픈 결과 티시 센서(TC1)가 1Torr 이하(310)가 아니면 한계 시간인 20분까지 계속 오픈시키는 단계, 20분이 지나도록(311) 상기 티시 센서(TC1)가 1Torr 이하로 떨어지지 않으면 상기 게이트 밸브(GV4)를 닫고 진공 시스템의 에러를 인식하고(312) 상기 티시 센서(TC1)가 1Torr 이하이면 TMP펌프를 온시키는(313) 단계, 널프로 밸브(NV10)를 온(314)시켜 티시 센서(TC2)가 0.5Torr 이하(315)가 아니면 상기 널프로 밸브(NV10)를 닫고(316) 널프로 밸브(NV10)의 에러를 인식하며, 0.5Torr 이하이면 핫 캐소드(HC1)가 1mTorr 이하 인가를 판단하여(317) 아니면 계속 상기 널프로 밸브(NV10)를 온시키고 이하이면 공정완료 상태를 준비하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 식각장비의 진공 시스템의 이송 챔버 펌핑방법.
  9. 반도체 소자 식각장비의 진공 시스템의 이송 챔버 펌핑방법에 있어서, 카세트 도어(D1,D2)를 오픈하여 카세트를 교체하여(408), 카세트 도어(D1,D2)를 닫는(409) 단계, 널프로 밸브(NV10)를 피라미드 센서(P2)가 0.1Torr 이하(411)가 될때까지 닫은(410) 후에 피라미드 센서(P2)가 0.1Torr 이하 (411)가 되면 게이트 밸브(GV5)를 닫고(411) 다시 피라미드 센서(P2)가 0.5Torr 이하가 되면(412)은 널프로 밸브(NV16)를 피라미드 센서(P4)가 10Torr 이하가 될때까지 오픈(413)하는 단계, 상기 피라미드 센서(P2)가 0.5Torr 이하가 되지 않으면 피라미드 센서(P2)가 0.1Torr 이하가 되도록 하는 감압단계(A), 상기 피라미드 센서(P2)가 0.5Torr 이하가 되면 널프로 밸브(NV16)를 피라미드 센서(P4)가 10Torr 이하가 될때까지 오픈하여(413) 상기 피라미드 센서(P4)가 10Torr 이하가 되기는 하였으나 상기 피라미드 센서(P2)가 0.5Torr 이하가 되지 않으면(415) 다시 감압단계(A)를 수행하는 단계, 상기 피라미드 센서(P2)가 0.5Torr 이하가 되면(415) 게이트 밸브(GV6)를 오픈하고(416) 널프로 밸브(NV16)(417)를 닫아 다시 피라미드 센서(P2)가 0.5Torr 이하가 인가를 판단하여(418) 판단 결과 0.5Torr 이하이면 피라미드 센서(P4)가 0.1Torr 이하인가를 판단하고(419) 0.5Torr 이하가 아니면 감압단계(A)를 수행하는 단계, 상기 판단결과 피라미드 센서(P4)가 0.1Torr 이하가 되면 핫 캐소드(HC1)가 1mTorr가 될때까지(426) 게이트 밸브(GV6)를 닫고(423), 게이트 밸브(GV5)(424) 오픈하며, 슬루우즈 밸브(SV2,SV3)(425)를 오픈하여 공정완료 상태를 준비하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 식각장비의 진공 시스템의 이송 챔버 펌핑방법.
  10. 제9항에 있어서, 카세트 도어(D1,D2)를 오픈하여 카세트를 교체하는 (408) 단계는 슬루우즈 밸브(SV2,SV3), 게이트 밸브(GV6), 널프로 밸브(NV16)를 닫고(410) MFC(Mcss Flow controller; 이하 MFC라 칭함)를 0%로 세팅하는 단계(402)와 10초 이상 널프로 밸브(NV1)를 오픈(405) 시키고 다시 MFC를 5%로 세팅한 후에(404) 10초 이상 상기 널프로 밸브(NV1)를 오픈시켰으면 MFC를 10%로 세팅하고 대기압이 될때까지 세팅해 놓고 카세트 도어(D1,D2)를 오픈시키는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 식각장비의 진공 시스템의 이송 챔버 펌핑방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 감압단계(A)는 피라미드 센서(P2)가 0.1Torr 이하를 유지하기 위하여 널프로 밸브(NV16), 게이트 밸브(GV6)를 닫고(419) 게이트 밸브(GV5)를 오픈하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 식각장비의 진공 시스템의 이송 챔버 펌핑방법.
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