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KR960002755A - 반도체 집적장치의 전원전압 변환회로 - Google Patents

반도체 집적장치의 전원전압 변환회로 Download PDF

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KR960002755A
KR960002755A KR1019940014755A KR19940014755A KR960002755A KR 960002755 A KR960002755 A KR 960002755A KR 1019940014755 A KR1019940014755 A KR 1019940014755A KR 19940014755 A KR19940014755 A KR 19940014755A KR 960002755 A KR960002755 A KR 960002755A
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supply voltage
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transistor
voltage
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 외부에서 인가되는 전원전압을 내부전원접압으로 변환하여 내부전원전압을 발생하는 반도체 집적장치의 전원전압 변환회로에 있어서, 프리차아지 동작시 디스에이블되고 액티브 동작시 인에이블되며 제1입력 노드 및 제2입력 노드에 각각 기준전압 및 상기 내부전원전압을 입력하여 상기 기준전압 및 상기 내부전원전압의 차이를 증폭하는 차동증폭수단과, 상기 차동증폭수단의 출력에 대응하여 상기 외부전원전압으로부터 상기 내부전원전압으로 전류를 공급하는 드라이버 수단과, 상기 프리차아지시 상기 드라이버수단의 구동 신호를 소정 레벨로 프리차아지시킨 후 상기 차동증폭수단이 상기 액티브 동작으로 진입함과 동시에 상기 드라이버수단을 동작시키는 제어수단을 구비함을 특징으로 한다. 본 발명에 의하여 외부전원전압을 변환하여 내부전원전압을 원하는 소정의전압레벨로 빨리 설정될 수 있을뿐만 아니라, 외부전원전압과 내부전원전압 사이의 전류 경로를 빠르게 형성하여 내부전원전압 노이즈에 의한 내부전원전압의 전압 강하를 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 집적장치의 전원전압 변환회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 전원전압 변환회로를 보이는 도면.
제4도는 제3도에 따른 전원전압 변환회로의 특성을 보이는 도면.

Claims (4)

  1. 외부에서 인가되는 전원전압을 내부전원전압으로 변환하여 내부전원전압을 발생하는 반도체 집적장치의 전원전압 변환회로에 있어서, 프리차아지 동작시 디스에이블되고 액티브 동작시 인에이블되며 제1입력 노드 및 제2입력 노드에 각각 기준전압 및 상기 내부전원전압을 입력하여 상기 기준전압 및 상기 내부전원전압의 차이를 증폭하는 차동증폭수단과, 상기 차동증폭수단의 출력에 대응하여 상기 외부전원전압으로부터 상기 내부전원전압으로 전류를 공급하는 드라이버 수단과, 상기 프리차아지시 상기 드라이버수단의 구동 신호를 소정 레벨로 프리차아지시킨 후 상기 차동증폭수단이 상기 액티브 동작으로 진입함과 동시에 상기 드라이버 수단을 동작시키는 제어수단을 구비함을 특징으로 하는 전원전압 변환회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 외부전원전압을 소오스 전압을 사용하는 제1트랜지스터와, 상기 제1트랜지스터와 상기 드라이버 수단 사이에 접속하며 상기 프리차아지시 동작하고 상기 액티브시 비동작되는 제2트랜지스터를 구비하고 있음을 특징으로 하는 전원전압 변환회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1트랜지스터는 다이오드 접속 피모오스 트랜지스터이며, 상기 제2트랜지스터 그리고 상기 드라이버 수단은 각각 피모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 전원전압 변환회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1트랜지스터의 드레쉬홀드 전압은 상기 드라이버 트랜지스터의 드레쉬홀드 전압보다 작음을 특징으로 하는 전원전압 변환회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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