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KR950034474A - 이물검사장치 및 이물검사방법 - Google Patents

이물검사장치 및 이물검사방법 Download PDF

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KR950034474A
KR950034474A KR1019950006646A KR19950006646A KR950034474A KR 950034474 A KR950034474 A KR 950034474A KR 1019950006646 A KR1019950006646 A KR 1019950006646A KR 19950006646 A KR19950006646 A KR 19950006646A KR 950034474 A KR950034474 A KR 950034474A
Authority
KR
South Korea
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laser
wavelength
laser light
light
detecting
Prior art date
Application number
KR1019950006646A
Other languages
English (en)
Inventor
도시유끼 이시마루
Original Assignee
오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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Filing date
Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust

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  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

예를 들면 레티클 등의 피검출물 표면의 이물(異物)의 존재를 높은 정밀도로 또한 확실하게 검출한다.
이물검사장치는, (가)1㎞ 이상의 가간섭(可干涉)거리를 가지는 레이저광을 산출하는 레이저광원(1)과, (나)이 레이저광으로 피검사물(71)의 표면을 주사(走査)하는 주사장치(50)와, (다)피검사물(71)의 표면에서 반사ㆍ회절된 광을 검출하는 광검출장치(60)와, (라)피검사물(71)을 재치하여 소정의 방향으로 이동시키기 위한 스테이지(70)와, (마)피검사물(71)이 배치된 분위기를 고순도 불활성가스분위기로 하기 위한 가스공급수단(80)으로 이루어진다. 이물검사방법은, 피검사물이 배치된 분위기를 고순도 불활성가스분위기로 하고, 그리고 피검사물은 소정의방향으로 이동시키면서, 파장 λ을 가지며 또한 1㎞ 이상의 가간섭거리를 가지는 레이저광으로 피검사물의 표면을 주사하여, 그 표면에서 반사ㆍ회절된 광을 검출함으로써 피검사물 표면에 존재하는 이물질을 검출한다.

Description

이물검사장치 및 이물검사방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실시예 1의 이물검사장치의 원리를 나타낸 도면, 제2도는 실시예 1의 이물검사장치의 개요를 나타낸 도면, 제3도는 실시예1의 이물검사장치에서의 사용에 적합한 레이저광원의 개요를 나타낸 모식도.

Claims (9)

  1. (가)1㎞ 이상의 가간섭(可干涉)거리를 가지는 레이저광을 사출하는 레이저광원과, (나)이 레이저광원으로부터 사출된 레이저광으로 피검사물 표면을 주사(走査)하는 주사장치와, (다)피검사물 표면에서 반사ㆍ회절된 광을 검출하는 광검출장치와, (라)피검사물을 재치하고, 피검사물을 소정의 방향으로 이동시키기 위한 스테이지와, (마)피검사물이 배치된 분위기를 고순도 불활성가스분위기로 하기 위한 가스공급수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 피검사물 표면에 존재하는 이물(異物)을 검출하기 위한 이물검사장치.
  2. 제1항에 있어서, 레이저광원은, (A)레이저다오드, Nd : YAG로 이루어지는 고체레이저매질 및 비선형(非線型)광학결정소자로 구성된, 제2고조파(高調波)를 사출할 수 있는 LD여기(勵起) 고체레이저와, (B)비선형 광학결정소자 및 광공진기로 이루어지는 제2고조파발생장치와, (C)이 광공진기의 공진기길이를 제어하기 위한 공진기길이제어장치로 이루어지고, 이 I.D 여기 고체레이저로부터 사출된 광이 제2고조파발생장치에 입사되고, 그리고 이 광의 제2고조파에 따른 파장을 가지는 광이 제2고조파발생장치로부터 사출되는 것을 특징으로 하는 이물검사장치.
  3. 제2항에 있어서, LD여기 고체레이저로부터 사출된 레이저광의 일부를 주사장치에 입사시키기 위한 광로분할수단이 레이저광원에 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 이물검사장치.
  4. 제3항에 있어서, 광로분할수단과 주사장치와의 사이에 가간섭거리감소수단이 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 이물검사장치.
  5. 제2항에 있어서, 제2고조파발생장치로부터 사출된 레이저광의 일부를 분할하기 위한 광로분할수단, 및 이 광로분할수단과 주사장치와의 사이에 배설된 가간섭거리감소수단을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 이물검사장치.
  6. 피검사물이 배치된 분위기를 고순도 불활성가스분위기로 하고, 그리고 피검사물을 소정의 방향으로 이동 시키면서, 파장 λ을 가지며, 또한 1㎞이상의 가간섭거리를 가지는 레이저광으로 피검사물의 표면을 주사하여, 이 피검사물의 표면에서 반사ㆍ회절된 광을 검출함으로써 피검사물 표면에 존재하는 이물을 검출하는 것을 특징으로 하는 이물검사방법.
  7. 제6항에 있어서, 파장 λ을 가지며 또한 1㎞ 이상의 가간섭거리를 가지는 레이저광으로 피검사물의 표면을 주사한 결과, 이 피검사물의 표면에서 반사ㆍ회절된 광의 광강도에 이상(異常)이 발견된 피검사물의 영역을 다른 파장 λ′을 가지며 또한 1㎞ 이상의 가간섭거리를 가지는 레이저광으로 주사하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로하는 이물검사방법.
  8. 제7항에 있어서, 파장 λ 및 파장 λ가지는 레이저광은 동일한 레이저광원으로부터 사출되고, 이 레이저광원은, (A)레이저다이오드, Nd : YAG로 이루어지는 고체레이저매질 및 비선형 광학결정소자로 구성된, 제2고조파를 사출할 수 있는 LD여기 고체레이저와, (B)비선형 광학결정소자 및 광공진기로 이루어지는 제2고조파발생장치와, (C)이 광공진기의 공진기길이를 제어하기 위한 공진기길이제어장치와, (D)LD 여기 고체레이저로부터 사출된 레이저광의 일부를 주사장치에 입사시키기 위한 광로분할수단 으로, 이루어지고, 이 LD 여기 고체레이저로부터 사출된 파장 λ 또는 파장 λ′의 광이 제2고조파발생장치에 입사되고, 그리고 이 광의 제2고조파에 따른 파장 λ′또는 λ을 가지는 광이 제2고조파발생장치로서 사출되는 것을 특징으로 하는 이물검사방법.
  9. 제6항에 있어서, 파장 λ을 가지며 또한 1㎞ 이상의 가간섭거리를 가지는 레이저광으로 피검사물의 표면을 주사한 결과, 이 피검사물의 표면에서 반사ㆍ회절된 광의 광강도에 이상이 발견된 피검사물의 영역을 1㎞ 미만의 가간섭거리를 가지는 레이저광으로 주사하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이물검사방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950006646A 1994-03-30 1995-03-28 이물검사장치 및 이물검사방법 KR950034474A (ko)

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