[go: up one dir, main page]

KR950030282A - 박막 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents

박막 트랜지스터의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950030282A
KR950030282A KR1019950009475A KR19950009475A KR950030282A KR 950030282 A KR950030282 A KR 950030282A KR 1019950009475 A KR1019950009475 A KR 1019950009475A KR 19950009475 A KR19950009475 A KR 19950009475A KR 950030282 A KR950030282 A KR 950030282A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
channel layer
semiconductor
forming
semiconductor channel
layer
Prior art date
Application number
KR1019950009475A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0180323B1 (ko
Inventor
신 고이데
스스무 오히
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR950030282A publication Critical patent/KR950030282A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0180323B1 publication Critical patent/KR0180323B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
    • H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
    • H10D30/031—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/0312—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] characterised by the gate electrodes
    • H10D30/0316—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] characterised by the gate electrodes of lateral bottom-gate TFTs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
    • H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
    • H10D30/031—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/0321—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT] comprising silicon, e.g. amorphous silicon or polysilicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

액정디스플레이로서 채택되는 박막 트랜지스터의 제조방법은 기판상에 게이트전극을 선택적으로 형성하는 공정과, 게이트전극과 기판을 게이트 절연막으로 덮는 공정과, 게이트 절연막상에 반도체 채널층을 형성하는 공정과, 상기 채널층상에 제1.2 및 3의 부분을 갖는 제1도전형의 반도체 접촉층을 형성하는 공정과, 상기 접촉층의 제1 및 2의 부분상에 소오스와 드레인 전극을 각각 형성하는 공정과, 상기 채널층의 한 부분을 노출시키기 위하여 상기 접촉층의 제3의 부분을 제거하는 공정 및, 상기 채널층의 상기 부분에 제2도전형의 반도체 영역을 형성하는 공정을 포함한다.

Description

박막 트랜지스터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 한 실시예에 따른 방법에 의해서 제조된 박막 트랜지스터를 도시하는 단면도, 제4(a)에서 4(d)도는 본 발명의 실시예에 따른 방법의 각단계를 도시하는 단면도, 제5도는 제1 또는 2도의 박막 트랜지스터와 제3도의 박막 트랜지스터의 소오스-드레인 전류를 비교한 그래프.

Claims (10)

  1. 게이트 절연막상에 반도체 채널층을 형성하는 공정과, 제1의 부분, 제2의 부분, 및 상기 제1과 2의 부분 사이에 있는 제3의 부분을 구비하는 제1도전형의 반도체 접촉층을 상기 반도체 채널층상에 형성하는 공정과, 상기 반도체 접촉층의 상기 제1 및 2의 부분상에 소오스와 드레인 전극을 형성하는 공정과, 상기 반도체 채널층의 한 부분을 노출시키기 위하여 상기 반도체층 접촉층의 상기 제3의 부분을 제거하는 공정 및, 상기 반도체 채널층의 상기 부분에서 제2도전형의 반도체 영역을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 영역상에 보호층을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체 채널층은 비정질 실리콘으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반도체 영역은 불순물 이온을 상기 반도체 채널층의 상기 부분에 이온주입 시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 반도체 영역은 플라즈마 CVD 법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 플라즈마 CVD 법은 소오스 가스로서 B2H6, SiH4를 함유한 혼합가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 반도체 영역은 VPE(vapor-phase epitaxy) 법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 반도체 영역은 소오스 가스로서 B2H6, Si2H6를 함유한 혼합가스를 사용하여 상기 반도체 채널층의 부분상에 선택적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 반도체 채널층은 다결정 실리콘으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
  10. 제2항에 있어서, 상기 보호층은 질화 실리콘으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950009475A 1994-04-22 1995-04-21 박막 트랜지스터의 제조방법 KR0180323B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8422994 1994-04-22
JP94-84229 1994-04-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950030282A true KR950030282A (ko) 1995-11-24
KR0180323B1 KR0180323B1 (ko) 1999-04-15

Family

ID=13824652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950009475A KR0180323B1 (ko) 1994-04-22 1995-04-21 박막 트랜지스터의 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5561074A (ko)
EP (1) EP0678907B1 (ko)
KR (1) KR0180323B1 (ko)
DE (1) DE69525558T2 (ko)
TW (1) TW291597B (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2833545B2 (ja) * 1995-03-06 1998-12-09 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP3082679B2 (ja) * 1996-08-29 2000-08-28 日本電気株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
WO1998057506A1 (en) * 1997-06-12 1998-12-17 Northern Telecom Limited Directory service based on geographic location of a mobile telecommunications unit
JP2001308339A (ja) 2000-02-18 2001-11-02 Sharp Corp 薄膜トランジスタ
JP4118484B2 (ja) * 2000-03-06 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001257350A (ja) 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4118485B2 (ja) 2000-03-13 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4700160B2 (ja) 2000-03-13 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4683688B2 (ja) 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4393662B2 (ja) 2000-03-17 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US6900084B1 (en) 2000-05-09 2005-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a display device
US7071037B2 (en) 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN100477129C (zh) * 2006-02-08 2009-04-08 财团法人工业技术研究院 薄膜晶体管、有机电致发光显示元件及其制造方法
KR101576813B1 (ko) * 2007-08-17 2015-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101452204B1 (ko) * 2007-11-05 2014-10-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터를 구비하는 표시 장치
TWI487104B (zh) * 2008-11-07 2015-06-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61237420A (ja) * 1985-04-13 1986-10-22 Oki Electric Ind Co Ltd Ｐ型アモルフアスシリコン薄膜の製造方法
US4882295A (en) * 1985-07-26 1989-11-21 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making a double injection field effect transistor
US5270224A (en) * 1988-03-11 1993-12-14 Fujitsu Limited Method of manufacturing a semiconductor device having a region doped to a level exceeding the solubility limit
JPH01241175A (ja) * 1988-03-23 1989-09-26 Seikosha Co Ltd 非晶質シリコン薄膜トランジスタの製造方法
JPH01302769A (ja) * 1988-05-30 1989-12-06 Seikosha Co Ltd 逆スタガー型シリコン薄膜トランジスタの製造方法
US5053354A (en) * 1988-05-30 1991-10-01 Seikosha Co., Ltd. Method of fabricating a reverse staggered type silicon thin film transistor
JPH07114285B2 (ja) * 1988-12-16 1995-12-06 日本電気株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
US5109260A (en) * 1989-07-10 1992-04-28 Seikosha Co., Ltd. Silicon thin film transistor and method for producing the same
EP0417457A3 (en) * 1989-08-11 1991-07-03 Seiko Instruments Inc. Method of producing field effect transistor
WO1992006490A1 (en) * 1990-10-05 1992-04-16 General Electric Company Device self-alignment by propagation of a reference structure's topography
JPH04321275A (ja) * 1991-04-19 1992-11-11 Nec Corp 薄膜トランジスタ
JPH04367277A (ja) * 1991-06-14 1992-12-18 Nec Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JPH04367276A (ja) * 1991-06-14 1992-12-18 Nec Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JPH0583197A (ja) * 1991-09-21 1993-04-02 Alpine Electron Inc デイジタルオーデイオ装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR0180323B1 (ko) 1999-04-15
EP0678907A2 (en) 1995-10-25
DE69525558T2 (de) 2002-08-22
EP0678907A3 (en) 1997-08-20
EP0678907B1 (en) 2002-02-27
US5561074A (en) 1996-10-01
TW291597B (ko) 1996-11-21
DE69525558D1 (de) 2002-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950030282A (ko) 박막 트랜지스터의 제조방법
KR930017188A (ko) 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법
KR950021772A (ko) 적어도 하나의 모오스(mos) 트랜지스터를 구비한 집적회로의 제조방법
KR960012564A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 형성방법
KR930006972A (ko) 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
KR960026747A (ko) 반도체 집적회로장치의 제조방법
KR970024305A (ko) 액정표시장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
KR19990006206A (ko) 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
KR960032776A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR960012302A (ko) Soi형 반도체장치 및 그 제조방법
JPH0220060A (ja) 相補型薄膜電界効果トランジスタ
KR950012646A (ko) 트랜지스터의 제조방법
KR970054387A (ko) 모스트랜지스터 제조 방법
KR940012653A (ko) 박막트랜지스터 제조방법
KR940010382A (ko) 트랜지스터 제조방법
KR960019611A (ko) 반도체소자 제조방법
KR970024260A (ko) 채널 영역 아래에 산화막을 가지는 트랜지스터
KR970013422A (ko) 얕은 접합 깊이를 가지는 반도체 장치
KR970018704A (ko) 수직구조의 mos트랜지스터를 갖는 반도체장치 및 그 제조방법
KR950024332A (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR970030278A (ko) 저압화학기상증착법에 의한 에피택셜 실로콘층 형성방법
KR930001377A (ko) Mos 디바이스 및 그 제조방법
KR940016902A (ko) 모스(mos) 트랜지스터 제조방법
KR970053362A (ko) 반도체 장치의 모스 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR880008421A (ko) 다결정 실리콘 산화막 성장억제 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19950421

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19950421

Comment text: Request for Examination of Application

PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 19980528

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 19980929

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 19981201

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 19981201

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20011122

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20021122

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20031120

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20041124

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20051123

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20061124

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20071123

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20081126

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20091123

Start annual number: 12

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20101124

Start annual number: 13

End annual number: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111129

Year of fee payment: 14

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20111129

Start annual number: 14

End annual number: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121129

Year of fee payment: 15

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20121129

Start annual number: 15

End annual number: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20141109