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KR950022050A - 하모닉매칭에 의한 전력 증폭기 - Google Patents

하모닉매칭에 의한 전력 증폭기 Download PDF

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Publication number
KR950022050A
KR950022050A KR1019930030964A KR930030964A KR950022050A KR 950022050 A KR950022050 A KR 950022050A KR 1019930030964 A KR1019930030964 A KR 1019930030964A KR 930030964 A KR930030964 A KR 930030964A KR 950022050 A KR950022050 A KR 950022050A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power amplifier
matching unit
coupling line
transmission line
harmonic
Prior art date
Application number
KR1019930030964A
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English (en)
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KR960008218B1 (ko
Inventor
이호형
Original Assignee
이헌조
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이헌조, 엘지전자 주식회사 filed Critical 이헌조
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Publication of KR950022050A publication Critical patent/KR950022050A/ko
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/601—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators using FET's, e.g. GaAs FET's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

본 발명은 하모닉매칭에 의한 전력증폭기를 관한 것으로, 종래의 전력용 증폭기에서 전송선로를 통해 기수하모닉스가 출력되어 효율이 떨어지는 문제점을 해결하기 위해 증폭용 FET의 출력단과 전송선로 사이에 병열결합라인을 추가로 구비하여 밴드패스 매칭부를 구성하고, 전송선로에 인접하여 결합라인을 구비하여 로우패스매칭부를 구성함으로써 밴드패스매칭부에 의해 우수하모닉스를 반사시키고, 로우패스매칭부에서 3fo이상의 기수하모닉스를 반사시킴으로써 2차, 3차하모닉스를 터미네이션시켜 증폭기의 효율이 증가되도록 하였다.

Description

하모닉매칭에 의한 전력증폭기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 전력증폭기 구성도.
제2도는 본 발명의 전력증폭기 구성도.
제3도 및 제4도는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 전력증폭기 구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : FET 2 : 병열결합라인
3 : 전송선로 4 : 결합선로
5,5a : 커패시터 10,10a,10b : 밴드패스매칭부
20,20a : 로우패스매칭부

Claims (5)

  1. 증폭용 FET(1)와, 상기 증폭용 FET(1)의 출력단에 연결된 단자와 일단이 접지된 단자로 이루어진 병열결합라인(2)으로 구성된 밴드패스매칭부(10)와, 상기 병열결합라인(2)의 접지된 단자에 연결되는 전송선로(3)와, 상기 전송선로(3)에 평행하게 인접하여 일단이 접지된 결합선로(4)로 로우패스매칭부(20)가 구성됨을 특징으로 하는 하모닉매칭에 의한 전력증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 밴드패스매칭부(10)의 접지되지 않은 단자에 커패시터(5)를 연결함을 특징으로 하는 하모닉매칭에 의한 전력증폭기.
  3. 제1항에 있어서, 병열결합라인(2)의 길이는 동작주파수에서로 함을 특징으로 하는 하모닉매칭에 의한 전력증폭기.
  4. 제1항에 있어서, 결합선로(4)의 길이는 동작주파수의 3배가 되는 주파수에서로 함을 특징으로 하는 하모닉매칭에 의한 전력증폭기.
  5. 제1항에 있어서, 밴드패스매칭부(10)와 로우패스매칭부(20)의 위치를 바꾸어 출력측을 형성함을 특징으로 하는 하모닉매칭에 의한 전력증폭기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930030964A 1993-12-29 1993-12-29 하모닉매칭에 의한 전력증폭기 KR960008218B1 (ko)

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