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KR950021462A - 온도 검출 회로를 갖는 반도체 집적 장치 및 그 동작 방법 - Google Patents

온도 검출 회로를 갖는 반도체 집적 장치 및 그 동작 방법 Download PDF

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KR950021462A
KR950021462A KR1019940038134A KR19940038134A KR950021462A KR 950021462 A KR950021462 A KR 950021462A KR 1019940038134 A KR1019940038134 A KR 1019940038134A KR 19940038134 A KR19940038134 A KR 19940038134A KR 950021462 A KR950021462 A KR 950021462A
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diode
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가즈미 야마구찌
마사미 사와다
마나부 야마다
게이죠 하기모또
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가네꼬 히사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
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Publication date
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Abstract

절연 필름에 의하여 반도체 소자에서 분리된 다결정질 실리콘층내에 형성된 두 방향 도전성 방향 회로는 한 방향으로 바이어스되어 상기 반도체 소자의 온도를 검출한다. 상기 방향성 회로는, 상기 반도체 소자의 온도를 검출하기 위하여 다른 도전 방향으로 바이어스되게 하기전에, 상기 반도체 소자의 온도를 검출하기 위하여 양쪽의 도전 방향으로 바이어스되게 제공된다.

Description

온도 검출 회로를 갖는 반도체 집적 장치 및 그 동작 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명 반도체 장치의 단면도.
제4a도는 제3도 반도체 장치의 주요 부분의 등가회로를 도시하는 회로도.
제4b도는 제4a도의 주요 부분의 수정된 예를 도시하는 회로도.
제5도는 각기 연관된 온도 계수를 갖는 다양한 순방향 전류에 대한 단일 다이오드의 전압 대 온도의 관계를 도시하는 그래프.
제6도는 각기 연관된 온도 계수를 갖는 다양한 순방향 전류에 대한 서로 반대로 병렬 연결된 한쌍의 다이오드의 전압 대 온도의 관계를 도시하는 그래프.

Claims (4)

  1. 반도체 집적 장치에 있어서, 반도체 집적 장치내에 형성된 반도체 소자와, 상기 반도체 소자상에 형성된 절연막과, 상기 절연막상에 형성된 다결정질 실리콘막과, 상기 실리콘막 내에 형성된 두 방향 도전성 방향 회로와, 상기 반도체 소자의 온도 검출용으로서 한 방향으로 바이어스된 상기 방향 회로로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 두 방향 도전성 방향 회로는, 상기 반도체 소자의 온도를 검출하는 제1다이오드와 축적된 정전하를 중성화하기 위한 제2다이오드를 갖는 한 쌍의 다이오드 회로를 구비함을 특징으로 하는 반도체 집적 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 두 방향 도전성 방향 회로는, 상기 방향 회로의 한 방향으로 바이어스된 방향과 일치하여 그 순방향으로 형성된 제1다이오드를 갖는 한쌍의 다이오드 회로와, 상기 방향 회로의 상기 한 방향으로 바이어스된 방향에 역 방향을 순방향으로 하여 형성된 제2다이오드를 갖는 다른 한 쌍의 다이오드 회로를 구비함을 특징으로 하는 반도체 집적 장치.
  4. 반도체 소자와 두 방향 도전성 방향 회로를 포함하는 반도체 집적장치 동작 방법에 있어서, 상기 반도체 소자의 온도 검출을 위하여 양 쪽의 도전 방향으로 바이어스되는 상기 방향 회로를 제공하는 단계와, 상기 반도체 소자의 온도 검출을 위하여 다른 도전 방향으로 바이어스되는 상기 방향 회로를 제공하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 반도체 집적 장치 동작 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940038134A 1993-12-28 1994-12-28 온도 검출 회로를 갖는 반도체 집적 장치 및 그 동작 방법 KR0145640B1 (ko)

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