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KR950007271A - 초퍼형 차동증폭기 - Google Patents

초퍼형 차동증폭기 Download PDF

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KR950007271A
KR950007271A KR1019940019388A KR19940019388A KR950007271A KR 950007271 A KR950007271 A KR 950007271A KR 1019940019388 A KR1019940019388 A KR 1019940019388A KR 19940019388 A KR19940019388 A KR 19940019388A KR 950007271 A KR950007271 A KR 950007271A
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KR
South Korea
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differential amplifier
mos gate
gate capacitance
mosfet
voltage
Prior art date
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KR1019940019388A
Other languages
English (en)
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KR0146914B1 (ko
Inventor
히로유끼 고바따께
Original Assignee
가네꼬 하사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
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Publication date
Application filed by 가네꼬 하사시, 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 하사시
Publication of KR950007271A publication Critical patent/KR950007271A/ko
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K5/249—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using field effect transistors using clock signals
    • H—ELECTRICITY
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Abstract

입력신호의 전위에 의하여 입력 임피던스의 언발란스가 생기는 일이 없고, 동상 노이즈가 인가된 경우에는 오동작하는 일이 없는 내 노이즈성에 뛰어난 초피형 차동증폭기를 구성한다. 입력 신호VI(+)와 VI(-)가 MOS 게이트 용량 CG1과 CG2를 통하여 차동증폭기(1)의 2개의 입력단(2,3)에 인가되는 초피형 차동증폭기에 있어서, 샘플링기간중, MOS게이트 용량 CG1,CG2의 게이트 전극 차동증폭기(1)의 2개의 입력단(2,3)을 차동증폭기(1)의 전원 전압 Vdd와 같은지 아니면 그이상으로 프리차아지하여 MOS게이트 용량 CG1과 CG2가 항상 어큐물레이션 상태에 있도록 한다. 용량 CG1, CG2의 프리차이지는, 프리차아지 전압 단자(4)에 주어진 전압VP(VP Vdd)를 샘플링 신호 S11에 의하여 온ㆍ오프되는 n채널형 MOS-FETQN11, QN12를 통하여 주어짐으로써 행한다.

Description

초퍼형 차동증폭기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(a)도는, 본 발명의 제1실시예의 회로도이다
제2(a)도는, 본 발명의 제2실시예의 회로도이다

Claims (4)

  1. 차동증폭기와, 각각 상기 차동증폭기의 제1입력단 및 제2입력단의 각각에 접속된 제1MOS 게이트 용량 및 제2MOS 게이트 용량과, 외부로부터 입력되는 샘플링 신호에 따라서 상기 제1MOS 게이트 용량과 제2MOS 게이트 용량을 프리차이지 전업단지에 주어진 전압에 의하여 미리 소정전압으로 프리차아지 하기 위한 프리차아지 수단을 포함하고, 프리차아지된 상기 제1MOS 게이트 용량과 제2MOS 게이트 용량을 통하여 입력되는 제1입력신호와 제2입력신호의 레벨 변화를 2치화하여 상기 차동증폭기의 출력단으로부터 취출하도록 구성된 초피형 차동증폭기에 있어서, 상기 제1MOS 게이트 용량과 제2MOS 게이트 용량을, 이들 2개의 MOS 게이트 용량이 어큐물레이션 상태로 되도록 프리차이지하도록 구성함을 특징으로 하는 초피형 차동증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 프리차아지 수단을 상기 차동증폭기의 제1입력단과 상기 프리차아지 전압단자의 사이 및 상기 차동증폭기의 제2입력단과 상기 프리차아지 전업단자의 사이에 각각 전류경로를 이루도록 형성되고, 도통상태가 상기 샘플링 신호에 의하여 제어되는 제1MOSFET 및 제2MOSFET로 구성하고, 상기 프리차아지 전업단지에 상기 차동증폭기의 전원 전압치 이상의 전압을 주도록 구성함을 특징으로 하는 초피형 차동증폭기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 프리차아지 수단의 상기 제1MOSFET 및 상기 제2MOSFET에 더하여, 일방의 단자에 제2샘플링 신호가 입력되는 용량과, 상기 용량의 타방의 전극과 상기 차동증폭기의 제1입력단과의 사이에 이 방향으로 순방향이 되도록 형성한 다이오드 접속의 제3MOSFET와, 상기 용량의 타방의 전극과 상기 차동증폭기의 제2입력단과의 사이에 이 방향으로 순방향이 되도록 형성되고 다이오드 접속의 제4MOSFET와, 상기 용량의 타방의 전극과 상기 프리차아지 전업 단자와의 사이에 전류 경로를 이루도록 형성하고, 도통상태가 상기 샘플링 신호에 의하여 제어되는 제5MOSFET를 형성하고, 상기 프리차아지 전압단자에 상기 차동증폭기의 전원 전압치 이상의 전압을 주는 대신에 상기 전원 전압파 이하의 전압을 주고, 상기 샘플링 신호 및 상기 제2샘플링 신호에의하여 상기 프리차이지 전압단자에 주어진 전압을 상기 차응증폭기의 전원 전압치 이상으로 승압하고, 그 승압한 전압으로 상기 제1MOS 게이트 용량 및 상기 제2MOS 게이트 용량을 프리차아지 하도록 구성함을 특징으로 하는 초피형 차동증폭기.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 차동증폭기의 제1입력단 및 제2입력단의 사이에 전류경로를 이루도록 접속되고, 도통상태가 제3샘플링 신호에 의하여 제어되는 이퀄라이즈용의 제6MOSFET를 형성하고, 상기 샘플링 신호 및 제2샘플링 신호에 의하여 상기 제1MOS 게이트 용량과 제2MOS 게이트 용량이 프리차아지 되어있는 기간에 있어서의 상기 차동증폭기의 양 입력단 전위가 동등하게 되도록 구성함을 특징으로 하는 초피형 차동증폭기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940019388A 1993-08-05 1994-08-05 초퍼형 차동증폭기 KR0146914B1 (ko)

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KR0146914B1 KR0146914B1 (ko) 1998-12-01

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