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KR940022676A - 액상 에피택셜 성장용 화합물 반도체 단결정 기판 - Google Patents

액상 에피택셜 성장용 화합물 반도체 단결정 기판 Download PDF

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KR940022676A
KR940022676A KR1019940003946A KR19940003946A KR940022676A KR 940022676 A KR940022676 A KR 940022676A KR 1019940003946 A KR1019940003946 A KR 1019940003946A KR 19940003946 A KR19940003946 A KR 19940003946A KR 940022676 A KR940022676 A KR 940022676A
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semiconductor single
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데쓰야 이노우에
마코토 오쓰키
데쓰이치 요코타
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구라우치 노리타가
스미토모덴키코교가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 비교적 가격이 저렴한 동시에 실용성이 우수한 액상 에피택셜 성장용 화합물 반도체 단결정 기판을 제공한다. 당해 기판은 표면 거칠기가 1mm의 선마다 1㎛ 내지 10㎛인 화합물 반도체 단결정 기판이다. 이는 적외선 또는 가시광선의 발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼 기판으로서 사용된다. 기판을 수송할 때에 미끄러짐에 따른 낙하를 방지할 수 있는 동시에 제조공정에 있어서 래핑 및 연마 공정이 불필요하므로 비교적 저렴한 가격으로 액상 에피택셜 성장용 기판을 제공할 수 있다.

Description

액상 에피택셜 성장용 화합물 반도체 단결정 기판
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 화합물 반도체 단결정 기판의 표면 거칠기의 한 가지 예를 도시한 그래프이다.

Claims (11)

  1. 기판 표면의 복수 장소에서 측정한 표면 거칠기의 평균치가 1㎛ 내지 20㎛의 범위내에 있는 액상 에피택셜 성장용 화합물 반도체 단결정 기판.
  2. 제1항에 있어서, 표면 거칠기가, 거의 1cm2의 표면적마다 구분된 기판 표면의 영역 내에서 길이 1mm의 선 위를 따라 측정한 표면의 최대 높이와 최소 높이의 차이이며, 복수 장소에서 측정한 복수 개의 표면 거칠기의 측정치 중에서 50% 이상이 1㎛ 내지 20㎛의 범위내에 있는 액상 에피택셜 성장용 화합물 반도체 단결정 기판.
  3. 제1항에 있어서, 표면 거칠기가, 거의 1cm2의 표면적마다 구분된 기판 표면의 영역 내에서 길이 1mm의 선 위를 따라 측정한 표면의 최대 높이와 최소 높이의 차이이며, 복수 장소에서 측정한 복수 개의 표면 거칠기의 측정치 중에서 50% 이상이 1㎛ 내지 10㎛의 범위내에 있는 액상 에피택셜 성장용 화합물 반도체 단결정 기판.
  4. 제1항에 있어서, 기판이 GaAs계 화합물 반도체로 이루어진 액상 에피택셜 성장용 화합물 반도체 단결정 기판.
  5. 제4항에 있어서, 기판이 적외선 또는 가시광선의 발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼의 기판으로서 사용되는 액상 에피택셜 성장용 화합물 반도체 단결정 기판.
  6. 기판 표면이 거의 1cm2의 표면적 영역마다 1점씩 측정된 복수 개의 표면 거칠기의 측정치 중에서 50% 이상이 1㎛ 내지 20㎛의 범위내에 있으며, 표면 거칠기가 상기한 영역내에서 길이 1mm의 선 위를 따라 측정한 표면의 최대 높이와 최소 높이의 차이인 액상 에피택셜 성장용 화합물 반도체 단결정 기판.
  7. 제6항에 있어서, 기판이 GaAs계 화합물 반도체로 이루어진 액상 에피택셜 성장용 화합물 반도체 단결정 기판.
  8. 제7항에 있어서, 기판이, 적외선 또는 가시광선의 발광다이오드용 μ에피택셜 웨이퍼의 기판으로서 사용되는 액상 에피택셜 성장용 화합물 반도체 단결정 기판.
  9. 기판 표면의 거의 1cm2의 표면적 영역마다 1점씩 측정된 복수 개의 표면 거칠기의 측정치 중에서 50% 이상이 1㎛ 내지 10㎛의 범위내에 있으며, 표면 거칠기가 상기한 영역내에서 길이 1mm의 선 위를 따라 측정한 표면의 최대 높이와 최소 높이의 차이인 액상 에피택셜 성장용 화합물 반도체 단결정 기판.
  10. 제9항에 있어서, 기판이 GaAs계 화합물 반도체로 이루어진 액상 에피택셜 성장용 화합물 반도체 단결정 기판
  11. 제10항에 있어서, 기판이, 적외선 또는 가시광선의 발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼의 기판으로서 사용되는 액상 에피택셜 성장용 화합물 반도체 단결정 기판.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940003946A 1993-03-02 1994-03-02 액상 에피텍셜 성장용 화합물 반도체 단결정 기판 KR0156486B1 (ko)

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