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KR940022179A - 방사선-민감성 혼합물, 및 콘트라스트가 개선된 릴리이프 구조의 제조방법 - Google Patents

방사선-민감성 혼합물, 및 콘트라스트가 개선된 릴리이프 구조의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 콘트라스트가 개선된 릴리이프 구조의 제조를 위해 적합한, (a1) 산-불안정성 그룹을 함유하고, 산의 첨가에 의해 알칼리 수용액중에 가용성이 되는 수-불용성 유기 결합체, 또는 (a2.1) 물에 불용성이지만 알칼리 수용액에는 가용성인 중합체 결합체 및 (a2.2) 산의 첨가에 의해 수성 알칼리 현상액중에서 증가하는 용해도를 갖는 유기 화합물, 및 (b) 활성 방사선의 작용하에 산을 생성시키는 유기 화합물로 구성되며, (c) 수산화물, 알콕시화물 및 페녹시화물 음이온을 갖는 적어도 하나의 강염기성 유기 화합물이 부가적으로 존재하는, 포지티브-작용 방사선-민감성 혼합물에 관한 것이다.

Description

방사선-민감성 혼합물, 콘트라스트가 개선된 릴리이프 구조의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (19)

  1. (a1) 산-불안정성 그룹을 함유하고, 산의 첨가에 의해 알칼리 수용액중에 가용성이 되는 수-불용성 유기 결합체, 또는 (a2.1) 물에 불용성이지만 알칼리 수용액에는 가용성인 중합체 결합체 및 (a2.2) 산의 첨가에 의해 수성 알칼리 현상액중에서 증가하는 용해도를 갖는 유기 화합물, 및 (b) 활성 방사선의 작용하에 산을 생성시키는 유기 화합물로 구성되며, (c) 수산화물, 알콕시화물 및 페녹시화물 음이온을 갖는 적어도 하나의 강염기성 유기 화합물이 부가적으로 존재하는, 포지티브-작용 방상선-민감성 혼합물.
  2. 제1항에 있어서, 사용되는 염기 화합물(c)이 2.5 미만의 pKb를 갖는 유기 화합물임을 특징으로 하는 방사선-민감성 혼합물.
  3. 제1항에 있어서, 사용되는 염기 화합물(c)이 4차 암모늄 수산화물, 알콕시화물 또는 페녹시화물임을 특징으로 하는 방사선-민감성 혼합물.
  4. 제1항 내지 3항중 어느 한 항에 있어서, 성분(c)가 성분(b)에 대해, 0.01 내지 50몰%의 양으로 존재함을 특징으로 하는 방사선-민감성 혼합물.
  5. 제1항 내지 4항중 어느 한 항에 있어서, 사용되는 성분(b)가 하기 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 술포늄 또는 요오도늄 염임을 특징으로 하는 방사선-민감성 혼합물.
    상기식에서, Xθ는 비친핵성 대이온이고, R1, R2, 및 R3는 서로 같거나 또는 다르며, 각각 알킬, 옥사알킬, 아릴, 알킬-또는 알콕시-치환 아릴, 또는 하기식의 라디칼이다:
    상기식에서, R4, R5, 및 R6는 서로 같거나 또는 다르며, 각각 H, OH, 할로겐, 알킬 또는 알콕시이다.
  6. 제1항 내지 4항중 어느 한 항에 있어서, 사용되는 성분(b)가 하기 일반식(Ⅲ)의 술포늄염임을 특징으로 하는 방사선 민감성 혼합물.
    상기식에서, R7및 R8은 서로 같거나 또는 다르며, 각각 H, OH, 알킬 또는 알콕시킬 또는, R9및 R10은 서로 같거나 또는 다르며, 각각 C1-C18-알킬이고, Xθ는 비친핵성 대이온이다.
  7. 제1항 내지 4항중 어느 한 항에 있어서, 사용되는 성분(b)가 하기 일반식(Ⅳ)의 술포늄염임을 특징으로 하는 방사선-민감성 혼합물.
    상기식에서, R11, R12및 R13은 서로 같거나 또는 다르며, 각각 알킬, 옥사알킬, 아릴 또는, 알킬-또는 알콕시-치환 아릴 또는 아릴킬이거나, 또는 라디칼 R11내지 R13중 2개는 서로 결합하여 고리를 형성하며, 단, 라디칼 R11내지 R13중 적어도 하나는 적어도 하나의 산-분해성 그룹을 함유하며; 필요하다면 산-분해성 그룹을 경유하여 R11내지 R13중 하나가 하나이상의 추가의 술포늄염 라디칼에 결합될 수 있으며, Xθ는 비친핵성 대이온이다.
  8. 제1항 내지 7항중 어느 한 항에 있어서, 성분(a1) 또는 (a2.1) 및 (a2.2)가 산-불안정성 에테르, 에스테르, 아세탈, 케탈 또는 탄산염 그룹을 함유함을 특징으로 하는 방사선-민감성 혼합물.
  9. 제1항 내지 8항중 어느 한 항에 있어서, 단량체 단위로서 3차-부톡시스티렌, 2차-부톡시카르보닐 옥시스티렌, 테트라히드로피란일옥시스티렌, 3차-부틸디메틸실릴옥시티렌, 트리메틸실릴옥시스티렌 또는 4-메톡시테트라히드로피란일옥시스티렌을 함유하는 중합체 또는 공중합체가 성분(a1) 또는 (a2.1)로서 사용됨을 특징으로 하는 방사선-민감성 혼합물.
  10. 제1항 내지 9항중 어느 한 항에 있어서, 성분(a1) 또는 (a2.1)로서, 페놀성 단위와 비방향족 고리형 알코올 단위를 둘 모두 함유하는 중합체 또는 공중합체가 사용됨을 특징으로 하는 방사선-민감성 혼합물.
  11. 제10항에 있어서, 중합체 또는 공중합체중의 페놀성 단위가 비방향족 고리형 알코올 단위 보다 많음을 특징으로 하는 방사선-민감성 혼합물.
  12. 제1항 내지 11항중 어느 한 항에 있어서, 성분(b)로서 술폰산염이 존재함을 특징으로 하는 방사선-민감성 혼합물.
  13. 제1항 내지 11항중 어느 한 항에 있어서, 성분(b)로서 2개 이상의 페놀성 수산기를 갖는 화합물의 알킬 술폰산염이 존재함을 특징으로 하는 방사선-민감성 혼합물.
  14. 제1항 내지 11항중 어느 한 항에 있어서, 성분(b)로서 디술폰이 존재함을 특징으로 하는 방사선-민감성 혼합물.
  15. 제1항 내지 11항중 어느 한 항에 있어서, 성분(a) 및 (b)의 총 중량에 대해, 성분(a)가 80 내지 99.5중량%의 양으로 존재하고, 성분(b)가 0.5 내지 20중량%의 양으로 존재함을 특징으로 하는 방사선-민감성 혼합물.
  16. 제1항 내지 15항중 어느 한 항에 있어서, 부가적으로 2중량% 이하의 점착 촉진제, 계면활성제 또는 착색제를 함유함을 특징으로 하는 방사선-민감성 혼합물.
  17. 제1항 내지 16항중 어느 한 항에 있어서, 부가적으로 방사선을 흡수하고 이것을 성분(b)에 전달하는 광감제를 함유함을 특징으로 하는 방사선-민감성 혼합물.
  18. 제1항 내지 17항중 어느 한 항에 따르는 방사선-민감성 혼합물을 사용하는, 감광성 피복재료의 제조방법.
  19. 방사선-민감성 혼합물을 통상적인 방법으로 사전 처리된 기판에 0.1 내지 5㎛의 두께로 도포하고, 70 내지 140℃에서 건조시키고, 영상적으로 노출시키고, 필요하다며, 140 내지 160℃로 가열하고 알칼리 수용액으로 현상시키는 것으로 이루어지고, 제1항 내지 17항중 어느 한 항에 따르는 방사선-민감성 혼합물이 사용되는, 릴리이프 구조의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4408318C2 (de) * 1993-03-12 1999-09-09 Toshiba Kk Positiv arbeitende Lichtempfindliche Zusammensetzung
DE19533607A1 (de) * 1995-09-11 1997-03-13 Basf Ag Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen
DE19533608A1 (de) * 1995-09-11 1997-03-13 Basf Ag Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen
US6187504B1 (en) * 1996-12-19 2001-02-13 Jsr Corporation Radiation sensitive resin composition
SG78412A1 (en) 1999-03-31 2001-02-20 Ciba Sc Holding Ag Oxime derivatives and the use thereof as latent acids
TW502133B (en) 1999-06-10 2002-09-11 Wako Pure Chem Ind Ltd Resist composition, agent and method for reducing substrate dependence thereof
US6677390B1 (en) * 1999-08-02 2004-01-13 Nippon Soda Co., Ltd. Photocurable composition containing iodonium salt compound
US6383715B1 (en) * 2000-06-28 2002-05-07 Infineon Technologies Ag Strongly water-soluble photoacid generator resist compositions
US6737169B2 (en) * 2001-01-31 2004-05-18 Jsr Corporation Polymer composition, cured product, laminate and method for producing the cured product
US7192681B2 (en) 2001-07-05 2007-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photosensitive composition
KR20040020069A (ko) * 2001-07-18 2004-03-06 소니 가부시끼 가이샤 광학 기록 재생 매체용 기판, 광학 기록 재생 매체 제조용스탬퍼의 제조 방법 및 광학 기록 재생 매체 제조용스탬퍼
JP3849486B2 (ja) * 2001-10-19 2006-11-22 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP4612999B2 (ja) 2003-10-08 2011-01-12 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4524154B2 (ja) 2004-08-18 2010-08-11 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
TWI473796B (zh) * 2009-11-18 2015-02-21 Sumitomo Chemical Co 鹽及含有該鹽之光阻組成物
TWI476172B (zh) * 2009-11-18 2015-03-11 Sumitomo Chemical Co 鹽及含有該鹽之光阻組成物
CN102781911B (zh) 2010-02-24 2015-07-22 巴斯夫欧洲公司 潜酸及其用途
JP5953670B2 (ja) 2010-08-27 2016-07-20 住友化学株式会社 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6214134B2 (ja) 2011-04-13 2017-10-18 住友化学株式会社 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US10527934B2 (en) * 2012-10-31 2020-01-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresists comprising ionic compound
KR102537349B1 (ko) 2015-02-02 2023-05-26 바스프 에스이 잠재성 산 및 그의 용도
WO2024122346A1 (ja) * 2022-12-07 2024-06-13 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4442197A (en) * 1982-01-11 1984-04-10 General Electric Company Photocurable compositions
IT1169682B (it) * 1983-11-08 1987-06-03 I M G Ind Materiali Grafici Sp Composizione per fotoriproduzioni
US4603101A (en) * 1985-09-27 1986-07-29 General Electric Company Photoresist compositions containing t-substituted organomethyl vinylaryl ether materials
US4775609A (en) * 1987-05-18 1988-10-04 Hoescht Celanese Corporation Image reversal
DE3837513A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-10 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
JPH0451243A (ja) * 1990-06-20 1992-02-19 Hitachi Ltd パターン形成方法
JPH0480758A (ja) * 1990-07-23 1992-03-13 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
DE4025959A1 (de) * 1990-08-16 1992-02-20 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
US5258257A (en) * 1991-09-23 1993-11-02 Shipley Company Inc. Radiation sensitive compositions comprising polymer having acid labile groups
DE4136213A1 (de) * 1991-11-02 1993-05-06 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen, De Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
KR100355254B1 (en) * 1993-02-15 2003-03-31 Clariant Finance Bvi Ltd Positive type radiation-sensitive mixture
JPH07140666A (ja) * 1993-06-04 1995-06-02 Internatl Business Mach Corp <Ibm> マイクロリトグラフィックレジスト組成物、酸不安定化合物、マイクロリトグラフィックレリーフ画像形成方法及び酸感知性ポリマー組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0728247A (ja) 1995-01-31
US5914219A (en) 1999-06-22
DE4306069A1 (de) 1994-09-08
CA2116624A1 (en) 1994-09-02
KR100284362B1 (ko) 2001-03-02
TW448341B (en) 2001-08-01
DE59402794D1 (de) 1997-06-26
EP0616258B1 (de) 1997-05-21
EP0616258A1 (de) 1994-09-21

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