[go: up one dir, main page]

KR940020303A - 경사형 교환 바이어스를 이용하여 안정화된 자기 저항성 트랜스듀서 및 이의 제조 방법 - Google Patents

경사형 교환 바이어스를 이용하여 안정화된 자기 저항성 트랜스듀서 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940020303A
KR940020303A KR1019940002529A KR19940002529A KR940020303A KR 940020303 A KR940020303 A KR 940020303A KR 1019940002529 A KR1019940002529 A KR 1019940002529A KR 19940002529 A KR19940002529 A KR 19940002529A KR 940020303 A KR940020303 A KR 940020303A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
transducer
end regions
active region
central active
Prior art date
Application number
KR1019940002529A
Other languages
English (en)
Inventor
마오-민 첸
조셰프 갈라게르 티모시
포-강 왕
Original Assignee
윌리엄 티. 엘리스
인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윌리엄 티. 엘리스, 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 filed Critical 윌리엄 티. 엘리스
Publication of KR940020303A publication Critical patent/KR940020303A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
    • G11B5/3932—Magnetic biasing films
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
    • G11B5/3935—Flux closure films not being part of the track flux guides
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/399—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures with intrinsic biasing, e.g. provided by equipotential strips

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

본 발명은 자기 저항성(MR) 판독 트랜스듀서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 소프트 자성막층 및 MR층은 트랜스듀서의 중심 활성 영역 및 수동 단부 영역들 위에서 연장된다. 비자성 스페이서층은 소프트 자성막층과 MR층을 분리시키고 중심 활성 영역과 수동 단부 영역들 중 최소한 일부분 위헤서 연장된다. 반강자성층은 단부 영역들에서만 MR층에 직접 접촉되고, 선정된 예각으로 트랜스듀서의 세로 방향으로 배향되는 반강자성층과 MR층 사이에 교환 바이어스 자계를 생성한다. 이로인해, MR층은 선정된 예각으로 배향되고 수동 단부 영역들 내의 소프트 자성막층은 MR층에 정자기 결합되므로써 가로 방향으로 배향된다. 트랜스듀서를 제조하기 위해서는, 반강자성층은 닐(NeeL) 온도 이상으로 외부 자계 내에서 어닐링되어 경사형 교환 바이어스 자계를 생성한다. 이 경사의 결과로, 중심 활성 영역과 수동 단부 영역들이 자기 모멘트들은 판독 동작 중에 정합된다.

Description

경사형 교환 바이어스를 이용하여 안정화된 자기 저항성 트랜스듀서 및 이의 제조방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 실시예가 적용된 패턴화 스페이서층을 갖는 MR 트랜스듀서의 단면도, 제2도는 MR층 및 소프트 자성막층에서 자기 모멘트의 방향을 나타내는 제1도의 선 2-2를 따라 절단하여 도시한 단면도, 제3도는 본 발명의 다른 실시예가 적용된 연속 스페이서층을 갖는 MR 트랜스듀서의 단면도.

Claims (10)

  1. 2개의 수동 단부 영역들을 분리시키는 중심 활성 영역을 갖는 자기 저항성(MR) 판독 트랜스듀서에 있어서, 상기 중심 활성 영역 및 상기 2개의 수동 단부 영역들 위에서 연장되는 소프트 자성층; 상기 중심 활성 영역 및 상기 2개의 수동 단부 영역들 위에서 연장되는 MR층; 상기 소프트 자성층과 MR층을 분리시키고 상기 중심 활성 영역과 상기 2개의 수동 단부 영역들 중 적어도 일부분 위에서 연장되는 비자성 스페이서층; 및 상기 트랜스듀서의 세로 방향으로 선정된 예각으로 배향되는 교환 바이어스 자계를 상기 MR층과 반강자성층과의 사이에 생성하여, 상기 /MR층을 상기 선정된 예각으로 배향시키고 상기 수동 단부 영역들 내의 상기 소프트 자성층을 상기 MR층과의 정자기 결합에 의해 가로 방향으로 배향시키는 상기 수동 단부 영역들 내에서만 상기 MR층과 직접 접촉되어 있는 반강자성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항성(MR) 판독 트랜스듀서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 선정된 각도가 40도 내지 45도인 것을 특징으로 하는 자기저항성 (MR) 판독 트랜스듀서.
  3. 제1항에 있어서, 상기 중심 활성 영역과 수동 단부 영역들의 자성 모멘트들이 상기 트랜스듀서의 판독 동작 중에 정합되는 것을 특징으로 하는 자기 저항성(MR)판독 트랜스듀서.
  4. 제1항에 있어서, 상기 스페이서층이 2개의 수동 단부영역들의 전체 길이만큼 연장되어 연속 스페이서층을 구성하는 것을 특징으로 하는 자기 저항성(MR)판독 트랜스듀서.
  5. 제1항에 있어서, 상기 스페이서층이 상기 중심 활성 영역에 근접한 각각의 수동 단부 영역의 일부만을 덮은 패턴화 스페이서층인 것을 특징으로 하는 (MR) 트랜스듀서 .
  6. 2개의 단부 영역들을 분리시키는 중심 활성 영역을 갖는 MR트랜스듀서를 제조하는 방법에 있어서, 상기 중심 활성 영역과 상기 2개의 단부 영역들 위에서 연장되며, 상기 중심 활성 영역 위에서 연장되고 상기 2개의 단부 영역들 중 적어도 일부분 위에서 연장되는 비자성 스페이서층에 의해 분리되는 소프트 자성막층 및 MR층을 제공하는 단계; 상기 단부 영역들 내에서만 상기 MR층과 직접 접촉되어 있는 반강자성 교환층을 제공하는 단계; 및 상기 트랜스듀서의 세로 방향으로 선정된 예각으로 배향되는 교환 바이어스자계를 상기 소프트 자성막층과 상기 MR층 사이에 생성하기 위해서 외부 자계 내의 반강자성층을 닐(Neel) 온도 이상으로 어닐링시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MR 트랜스듀서 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 선정된 각도 40도 내지 45도인 것을 특징으로 하는 MR 트랜스듀서 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 반강자성층이 MnFe/NiFe 다층 구조를 포함하고 상기 어닐링 온도가 섭씨 160도 내지 180도인 것을 특징으로 하는 MR 트랜스듀서 제조 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 어닐링 단계 중에 그리고 그 결과로서, 상기 MR층을 상기 선정된 예각으로 배향시키고 상기 소프트 자성막층을 상기 MR층과의 정자기 결합에 의한 상기 트랜스듀서의 가로 방향으로 배향시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MR 트랜스듀서 제조 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 어닐링 단계의 결과로서, 상기 중심 활성 영역과 수동 단부 영역들의 자기 모멘트들이상기 트랜스듀서의 판독 동작 중에 정합되는 것을 특징으로 하는 MR 트랜스듀서 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940002529A 1993-02-17 1994-02-14 경사형 교환 바이어스를 이용하여 안정화된 자기 저항성 트랜스듀서 및 이의 제조 방법 KR940020303A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/018,612 1993-02-17
US08/018,612 US5325253A (en) 1993-02-17 1993-02-17 Stabilization of magnetoresistive transducer using canted exchange bias

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR940020303A true KR940020303A (ko) 1994-09-15

Family

ID=21788845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940002529A KR940020303A (ko) 1993-02-17 1994-02-14 경사형 교환 바이어스를 이용하여 안정화된 자기 저항성 트랜스듀서 및 이의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5325253A (ko)
JP (1) JPH06243439A (ko)
KR (1) KR940020303A (ko)
GB (1) GB2275360B (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3106541B2 (ja) * 1991-04-15 2000-11-06 日本電気株式会社 磁気ヘッド駆動回路
US5682284A (en) * 1992-08-25 1997-10-28 Seagate Technology, Inc. Read sensitivity function for barberpole bias design magnetoresistive sensor having curved current contacts
JP3208906B2 (ja) * 1993-03-24 2001-09-17 松下電器産業株式会社 磁気抵抗効果型磁気ヘッド
CN1195294C (zh) * 1994-03-10 2005-03-30 国际商业机器公司 边缘偏置的磁阻传感器、其制作方法及包括它的磁存储系统
US6256222B1 (en) 1994-05-02 2001-07-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetoresistance effect device, and magnetoresistaance effect type head, memory device, and amplifying device using the same
US5841611A (en) * 1994-05-02 1998-11-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect type head, memory device, and amplifying device using the same
US5434826A (en) * 1994-09-26 1995-07-18 Read-Rite Corporation Multilayer hard bias films for longitudinal biasing in magnetoresistive transducer
JPH08153310A (ja) * 1994-11-28 1996-06-11 Sony Corp 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
KR100234172B1 (ko) * 1995-01-27 1999-12-15 이형도 박막 자기헤드의 자기 저항소자
US6510031B1 (en) * 1995-03-31 2003-01-21 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor with magnetostatic coupling to obtain opposite alignment of magnetic regions
JP3990751B2 (ja) * 1995-07-25 2007-10-17 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
US6230390B1 (en) 1998-10-30 2001-05-15 Headway Technologies, Inc. Canted longitudinal patterned exchange biased dual-stripe magnetoresistive (DSMR) sensor element and method for fabrication thereof
US6447935B1 (en) 1999-11-23 2002-09-10 Read-Rite Corporation Method and system for reducing assymetry in a spin valve having a synthetic pinned layer
US6594124B2 (en) 2001-11-06 2003-07-15 Headway Technologies, Inc. Canted adjacent layer stabilized SV heads
US7196881B2 (en) * 2004-03-08 2007-03-27 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Adaptive domain stabilization for magnetic recording read sensors

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4663685A (en) * 1985-08-15 1987-05-05 International Business Machines Magnetoresistive read transducer having patterned longitudinal bias
US4785366A (en) * 1987-07-09 1988-11-15 International Business Machine Corporation Magnetoresistive read transducer having patterned orientation of longitudinal bias
JP2790811B2 (ja) * 1988-04-20 1998-08-27 シャープ株式会社 薄膜磁気ヘッド
JPH0664719B2 (ja) * 1989-11-29 1994-08-22 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 磁気抵抗性の読み出しトランスジユーサ・アセンブリ
JPH05135332A (ja) * 1991-09-05 1993-06-01 Hitachi Ltd 磁気抵抗効果再生ヘツドおよびそれを用いた磁気記録装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06243439A (ja) 1994-09-02
US5325253A (en) 1994-06-28
GB2275360A (en) 1994-08-24
GB9401189D0 (en) 1994-03-16
GB2275360B (en) 1996-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940020303A (ko) 경사형 교환 바이어스를 이용하여 안정화된 자기 저항성 트랜스듀서 및 이의 제조 방법
EP0298417B1 (en) A magnetoresistive read transducer
BR9405159A (pt) Sensor magnetorresistivo de múltiplas camadas,método de fabricação do mesmo e sistema magnético de armazenamento que o utiliza
US6073338A (en) Thin film read head with coplanar pole tips
EP0558237A3 (en) Magnetoresistive read transducer having improved bias profile
MY113475A (en) Spin valve magnetoresistive sensor with free layer exchange biasing, process for making the sensor, and magnetic recording system using the sensor
KR940012688A (ko) 개선된 바르크하우젠 잡음억제를 갖는 자기 저항 장치 및 방법
EP0953849A3 (en) Spin tunnel magneto-resistance effect type magnetic sensor and production method thereof
EP1930739A2 (en) Magnetic detector and method for making the same
WO2002073226A3 (en) Tunnel junction and charge perpendicular-to-plane magnetic recording sensors and method of manufacture
EP0797187A3 (en) Spin valve magnetoresistive transducers having permanent magnets
KR960011854A (ko) 자기저항효과 박막 및 그 제조방법
KR960702148A (ko) 자성재료의 몸체에서 자화방향의 국부적 변화를 위한 장치 및 방법 (A method and a device for locally altering the magnetization)
DE60139682D1 (de) Magnetische mehrschichtstruktur mit verbessertem magnetfeldbereich
KR970067114A (ko) 자기 저항 효과 헤드 및 그 제조 방법
KR950033430A (ko) 지자기방위센서
KR970002892A (ko) 자기 저항 소자 및 그 제조 방법
JP2000049029A (ja) 人工反強磁性システムを含む層構造の製造方法並びに磁気抵抗センサシステム
WO1999008117A3 (en) Thin-film magnetoresistive magnetic field sensor
FR2698965B1 (fr) Structure et capteur magnétiques multicouches à forte magnétorésistance et procédé de fabrication de la structure.
KR970007836A (ko) 자기 저항 헤드
US7336452B2 (en) Patterned exchange bias GMR using metallic buffer layer
JP2008224486A (ja) 磁気式圧力センサ
US5822158A (en) Giant magnetoresistance effect device with magnetically sensitive portion of a size large than playback track width
KR980004395A (ko) 자기 저항 효과 자기 헤드 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19940214

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19940214

Comment text: Request for Examination of Application

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 19970825

NORF Unpaid initial registration fee
PC1904 Unpaid initial registration fee