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KR940007605B1 - 반도체 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents

반도체 레이저 다이오드 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 레이저 다이오드 제조방법
제 1 도는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 공정사시도.
제 2 도는 제 1 도중 레이저 다이오드 부분의 공정사시도.
제 3 도는 본 발명에 의한 반도체 레이저 다이오드의 사시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : SiO₁ 또는 Si₃N₄
3 : AlGaAs층 4, 5 : GaAs층
6 : DH층 7, 8 : 전극
본 발명은 반도체 제도 기술에 관한것으로 특히 고속변조와 온도변화에도 안정된 단일 모드로 동작하고 다른 소자들과 집적화기 용이한 반도체 레이저 다이오드에 관한것이다.
통신용 레이저 다이오드는 10-20mA 정도의 낮은 전류에서도 동작할수 있는 레이저 구조의 개발이 필요하며 고속변조 및 온도변화에도 안정되게 동작하는 단일 모드 레이저의 개발이 요구된다.
또한 트랜지스터 광검출기등 다른 소자들과의 집적화 실현이 가능해야 한다.
광통신에서 사용되는 광섬유는 레이저 다이오드(LD)광의 장파장영역에서 가장 낮은 손실을 얻을 수 있다.
이러한 최저 손실은 단일 파장만을 내는 단일 모드 레이저에서 최대의 효과를 얻을수 있다.
다중모드 레이저와 길이 여러개의 파장을 포함하는 광펄스를 광섬유로 전파시키면 전송거리가 길어짐에 따라 펄스의 폭이 분사되어 전송하고자 하는 펄스 신호가 앞 혹은 뒤의 펄스와 중첩되게 되므로 결국 전송 거리는 제한되게 된다.
이러한 문제의 극복은 레이저 다이오드(LD)의 단일 모드 구동을 있게 된다.
종래의 레이저 다이오드에서는 단일 모드를 얻기위한 레이저 구조로 레이저의 외부에 레이저 공진기 외부(Distributed Bragg Reflector : DBR) 또는 내부에 레이져 공진기 내부(Distributed Feed Back:DFB)를 가지는 레이저 다이오드가 있다.
레이저 공진기 외부(DBR) 레이저 다이오드 또는 레이저 공진기내부(DFB)레이저 다이오드에서 회절격자는 원하는 파장만을 레이저 공진기 내부도 회절 또는 전파시키고 다른 파장은 억제하는 역활을 한다.
그리고 제작이 간단하고 낮은 문턱 전류를 얻으며 안정화된 단일 모드를 얻을수 있고 집적화에 수월한 작은 칩 사이즈(chip size)를 가진 패브리-퍼로트(fabry-perot)형 미러면을 가진 레이저 다이오드가 최근 활발하게 연구되고 있는데 이러한 형의 레이저 다이오드 미러면 형성은 다이오드의 저동작 전류와 수명에 중요한 요인이 된다.
레이저 다이오드의 반사면 형성 기술은 크리빙(cleaving)에 의해 200-300㎛의 공진기 길이를 가진 패브리-퍼리트 형태로 만들어진다.
그러나, 크리빙법은 공진기 길이에 제한을 주므로 집적화에는 어렵고, DBR 또는 DFB 레이저 다이오드는 칩 사이즈가 회절격차에 의해 커지며 회절격차의 제작은 기판의 방향성에 제한을 주며 제작이 어려울 뿐만아니라 패브리-퍼로트형 보다 문턱 전류가 1.5배 정도 크며, 그 결과 집적화가 어렵다.
본 발명은 이와같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로써, 패브리-퍼로트형 공진기(미러면)를 가진 레이저 다이오드 구조로 레이저 다이오드 사이즈에 영향을 받지않는 초음파 진동에 의한 크리빙으로 공진기를 형성하고, 쇼트-캐비티(shot-cavity)레이저 다이오드는 공진기기 200-400㎛인것에 비해 본 발명의 공진기 길이를 약 50㎛ 정도로 짧게하여 공진기 모드 간격이 넓어져 반도체 레이저의 이득 폭안에 한개의 모드만을 갖게하여 고속변조에도 단일 모드로 동작하며, 온도변화에 대해서도 안정된 단일 모드 동작특성을 보일 뿐만아니라, 트랜지스터 및 광검출기등 다른 소자들과의 집적화가 가능하고, 초음파에 의한 미러면 형성이 용이한 레이저 다이오드를 제공하는데 그 목적이 있다.
이와같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예를 첨부된 제 1 도 내지 제 3 도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
즉, 제 1 도는 다른 소자들과의 집적화가 가능하도록 레이저 다이오드의 공정을 나타낸 것이고, 제 2 도는 제 1 도의 레이저 다이오드 부분만을 공정을 나타낸 것으로 제 1 도a 및 제 2 도 a와 같이 n형 기판(1) 중앙부위에 마스크(2)와 식각공정으로 리지(Ridge)를 형성한다.
이때 리지의 폭은 캐피티를 결정하는 것으로 30㎛, 50㎛ 혹은 200㎛등으로 만들수 있고, 마스크로는 SiO₂ 또는 Si₃N₄등을 사용한다.
그리고 제 1 도 b 및 제 2 도 b와 같이 리지양면에 MOCVD(metal Organic Chemical Va-pour Deposition)법으로 알루미늄이 0.4 이상인 p형 AlGaAs층(3)파 0.8㎛-1.0㎛ 두께의 P형 GaAs층(4)을 리지 깊이만큼 선택적으로 성장한 다음 마스크(2)를 제거한다.
그후 제 1 도 c 및 제 2 도 c와 같이 전표면에 P형 GaAs층(5)을 1㎛두께로 성장하고 제 1 도 d 및 제 2 도 d와 같이 P형 GaAS층(5)을 포토/에치하여 리지의 길이방향에 수직한 전류 주입 채널을 형성한뒤 그위에 제 1 도 e 및 제 2 도 e와 같이 DH(Doubie H-etero Structure)층(6)을 성장한다.
그리고 제 1 도 f와 같이 마스크 공정으로 제 2 도 f와 같은 레이저 다이오드 부분을 정의하여 식각한다.
이때, 레이저 다이오드의 공진기 길이(ℓ)가 최대 50㎛정도 가지도록 한다.
그후 전표면에 전극(7)을 형성하면 레이저 다이오드 영역은 제 2 도 g와 같이된다.
여기서 부터 제 2 도만을 참조하여 설명하면, 제 2 도 h와 같이 레이저 다이오드의 캐비티 부분을 제외하고 전극(7)를 제거한뒤 HF(80℃)용액으로 P형 AlGaAs층(3)을 선택적으로 에칭하여 제거하여 기판(1)과 완전히 분리시키므로 초음파에 의해 미러면 형성을 용이하게 한뒤 제 2 도 i와 같이 초음파에 의해 불필요한 부분을 절단 제거한다.
그리고 미러면에 미러 코팅을 하고 기판아래에 전극(8)을 형성하여 제 3 도와 같은 작은 캐비티 길이(length)를 가지는 레이저 다이오드로 완성한다.
이상에서 설명한 바와같이 본 발명은 낮은 문턱 전류(75mA 이하)와, 고속변조 및 온도 변화에도 안정된 단일 모드 동작을 가장 간단한 방법으로 얻을수 있고 칩사이즈를 최대한 줄일수 있고 수광소자 및 트랜지스터 광검출기등의 다른 소자들과의 결합이 쉽고 한 기판상에 간단한 공정으로 집적화가 가능할 뿐만아니라 동시에 많은 칩들을 쉬운 공정을 통해 대량 생산할 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 제 1 도전형의 기판(1)에 마스크와 식각 공정으로 캐비티를 결정하는 리지를 형성하는 공정과 , 제 2 도 전형의 AlGaAs층(3)과 제 2 도전형의 GaAs층(4)을 리지 깊이만큼 성장하는 공정과, 전표면에 제 2 도전형의 GaAs층(5)을 형성하며 포토 에치공정으로 리지의 길이 방향에 수직한 전류주입 채널을 형성하는 공정과, 전표면에 DH층(6)을 성장하고 채널을 중심으로 레이저 다이오드의 공진기 길이를 설정하여 기판 표면까지 에칭하는 공정과, 전극(7)을 형성하고 초음파에 의해 레이저 다이오드의 미러면 형성이 용이하도록 상기 AlGaAs층(3)을 선택적으로 에칭하고, 초음파에 의해 절단 제거하고, 미러코팅을 하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 공진기 길이가 최대 50㎛가 되도록하고, 제 2 도전형 GaAs층(4)과 제 2 도전형 GaAs층(5)을 각각 0.8㎛-1.0㎛와, 1㎛의 두께로 함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 제 2 도전형 AlGaAs층(2)의 에칭시 HF용액을 사용하여 에칭함을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07111357A (ja) * 1993-10-05 1995-04-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザの製造方法
DE69511810T2 (de) * 1994-09-28 2000-05-18 Nippon Telegraph And Telephone Corp., Tokio/Tokyo Optische Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren
KR0178492B1 (ko) * 1995-12-21 1999-04-15 양승택 기울어진 공진기로 편광특성이 제어된 표면방출 레이저 다이오드 제조방법
SE516784C2 (sv) * 1999-07-08 2002-03-05 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande för effektivt urval av DFB-lasrar
KR100374516B1 (ko) * 2001-04-04 2003-03-03 임경화 마이크로 미러의 제조방법
EP1282208A1 (en) * 2001-07-30 2003-02-05 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Semiconductor laser structure and method of manufacturing same
US6759309B2 (en) * 2002-05-28 2004-07-06 Applied Materials, Inc. Micromachined structures including glass vias with internal conductive layers anodically bonded to silicon-containing substrates
US7284913B2 (en) * 2003-07-14 2007-10-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Integrated fiber attach pad for optical package

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56162896A (en) * 1980-05-20 1981-12-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Manufacture of semiconductor device
EP0043222B1 (en) * 1980-06-26 1990-01-10 Texas Instruments Incorporated Data processing memory system
JPS5897888A (ja) * 1981-12-08 1983-06-10 Nec Corp 半導体レ−ザ
US4466696A (en) * 1982-03-29 1984-08-21 Honeywell Inc. Self-aligned coupling of optical fiber to semiconductor laser or LED
JPS59155981A (ja) * 1983-02-25 1984-09-05 Nec Corp 埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法
JPS59197184A (ja) * 1983-04-25 1984-11-08 Nec Corp 半導体レ−ザ
JPS59220985A (ja) * 1983-05-31 1984-12-12 Toshiba Corp 半導体レ−ザ装置
CA1247947A (en) * 1984-07-31 1989-01-03 Masaru Wada Method of manufacturing semiconductor device
US4716570A (en) * 1985-01-10 1987-12-29 Sharp Kabushiki Kaisha Distributed feedback semiconductor laser device
GB2172141B (en) * 1985-03-08 1988-11-16 Stc Plc Single heterostructure laser chip manufacture
JPS6242532A (ja) * 1985-08-20 1987-02-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 化合物半導体の表面処理方法
JPH0210842A (ja) * 1988-06-29 1990-01-16 Fujitsu Ltd リセスゲートを有する半導体装置の製造方法
JPH0257691A (ja) * 1988-08-22 1990-02-27 Kurita Water Ind Ltd 一価金属塩の晶析防上剤
EP0361153A3 (de) * 1988-09-29 1991-07-24 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung zum Koppeln einer optischen Faser an ein Koppelfenster eines planar integriert optischen Bauteils und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung
US5159603A (en) * 1991-06-05 1992-10-27 United States Of America As Represented By The Administrator, National Aeronautics And Space Administration Quantum well, beam deflecting surface emitting lasers

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KR930011350A (ko) 1993-06-24
US5570385A (en) 1996-10-29
US5346854A (en) 1994-09-13

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