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KR940006428A - 플라즈마 발생방법 및 발생장치 - Google Patents

플라즈마 발생방법 및 발생장치 Download PDF

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KR940006428A
KR940006428A KR1019930011564A KR930011564A KR940006428A KR 940006428 A KR940006428 A KR 940006428A KR 1019930011564 A KR1019930011564 A KR 1019930011564A KR 930011564 A KR930011564 A KR 930011564A KR 940006428 A KR940006428 A KR 940006428A
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plasma
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이찌로 나카야마
노보루 노무라
토꾸히코 타마오키
미쯔히로 오오쿠니
미사부미 쿠보타
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모리시타 요이찌
마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤
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Abstract

본 발명은, 반도체 및 박막회로의 제조과정에 이용하는 플라즈마발생장치의 플라즈마발생방법 및 발생장치에 관한 것으로서, 적당한 교류전계하에서는 전자가 회전운동한다고 하는 현상을 이용해서 고진공하에에서 고밀도 플라즈마를 발생시켜, 균일성이 양호하고, 가공물에의 손상이 적은 플라즈마발생방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한것이며, 그 구성에 있어서, 절연물로 구성한 체임버(1)에, 3개 이상의 전극을 배치하고, 상기 전극에 위상이 배치순으로 상이하는 고주파를 인가하여 플라즈마를 발생시킬때, 플라즈마발생부의 전자를 회전시키는 것과,상기 3개이상의 전극이외에 피쳐티물을 얹어놓는 시료대를 가진것과, 상기 플라즈마 발생부에서 발생한 반응생성물에 의해서 상기 피처리물을 플라즈마처라하는 것을 특징으로 한 것이다.
이로써, 적당한 복수의 교류전계하에서 전자가 회전운종한다고 하는 현상을 이용해서, 고진공하에서 고밀도 프라즈마를 발생시키는 것이며, 미세가공성에 뛰어나고 또한 양산성이 높고, 게이트화막파괴등의 디바이스에의 손상도 극히 적인 플라즈마세스를 실현할 수 있는 효과를 가진다.

Description

플라즈마 발생방법 및 발생장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 플라즈마발생기술을 적용한 제1,제2,제3의 실시예의 플라즈마발생장치의 구조를 표시한 모식도,
제2도는 본 발명의 프라즈마발생기술을 적용한 제4의 실시예의 플라즈마발생장치의 구조를 표시한 모식도.

Claims (11)

  1. 절열물로 구성한 체인버에, 3개이상의 전극을 배치하고, 상기 전극에 위상이 배치순으로 상이하는 고주파를 인가하여 플라즈마를 발생시킬때, 플라즈마발생부의 전자를 회전시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생방법.
  2. 제1항에 있어서, 체임버의 3개이상의 전극의 위치가 대략 동일원주상에 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생방법.
  3. 절염물로 구성한 체임버에, 3개이상의 전극을 배치하고, 상기 전극에 위상이 배치순으로 상이하는 고주파를 인가하여 플라즈마를 발생시킬때, 플라즈마발생부의 전자를 회전시키고, 상기 3개이상의 전극이외에 피처리물을 얹어놓는 시료대를 배치하는 동시에 상기 플라즈마발생부에서 발생한 반응생성물에 의해서 상기 피처리물을 에칭하는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  4. 제3항에 있어서, 시료대에 바이어스를 인가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  5. 제3항에 있어서, 시료대의 위치가 체임버의 3개이상의 전극과 대략 동일한 높이인것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  6. 절연물로 구성한 체임버에, 3개이상의 전극을 배치하고, 상기 전극에 위상이 배치순으로 상이하는 고주파를 인가하여 플라즈마를 발생시킬때, 플라즈마발생부의 전자를 회전시키고, 상기 3개이상의 전극 이외에 피처리물을 얹어놓는 시료대를 배치하는 동시에 상기 플라즈마발생부에서 발생한 반응생성물에 의해 상기 피처리물을 CVD하는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  7. 제6항에 있어서, 시료대에 바이어스를 인가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  8. 제6항에 있어서, 시료대의 위치가 체임버의 3개이상의 전극파 대략 동일한 높이인것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  9. 절열물로구성한 체임버에 3개이상의 전극을 배치하고, 상기 전극에 위상이 배치순으로 상이하는 고주파를 인가하여 플라즈마를 발생시킬때, 플라즈마발생부의 전지를 회전시키는 것과, 상기 3개이상의 전극이외에 피처리물을 얹어놓는 시료대를 가진것과, 상기 플라즈마발생부에서 발생한 반응생성물에 의해서 상기 피처리물을 도핑하는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  10. 제9항에 있어서, 시료대에 바이어스를 인가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
  11. 제9항에 있어서, 시료대와 플라즈마 발생부의 사이에 전위치를 발생시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마발생장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930011564A 1992-06-25 1993-06-24 플라즈마발생방법 및 플라즈마발생장치 Expired - Fee Related KR0139402B1 (ko)

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