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KR940002919B1 - 전력변환기의 제어장치 - Google Patents

전력변환기의 제어장치

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Publication number
KR940002919B1
KR940002919B1 KR1019830004690A KR830004690A KR940002919B1 KR 940002919 B1 KR940002919 B1 KR 940002919B1 KR 1019830004690 A KR1019830004690 A KR 1019830004690A KR 830004690 A KR830004690 A KR 830004690A KR 940002919 B1 KR940002919 B1 KR 940002919B1
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KR
South Korea
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gate signal
output
gto
current
circuit
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KR1019830004690A
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KR840006886A (ko
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마사또 스즈끼
히로시 나리다
시게도시 오까마쓰
긴고 아베
Original Assignee
가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼
미다 가쓰시게
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Publication date
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Publication of KR840006886A publication Critical patent/KR840006886A/ko
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Abstract

내용 없음.

Description

전력변환기의 제어장치
제1도는 본원 발명의 일실시예에 의한 GTO 인버터장치의 회로도.
제2도는 역시 제어회로와 그 동작설명도.
제3도는 역시 주회로전류로 및 전류파형의 설명도.
제4도∼제6도는 각각 본원 발명의 다른 실시예에 의한 제어회로와 그 과전류 보호시의 동작설명도.
제7도는 본원 발명의 다른 일실시예에 의한 GTO 초퍼장치의 회로도.
제8도는 그 동작설명도.
본원 발명은 전력변환기의 제어장치의 개량에 관한 것이며, 특히 게이트 턴오프 다이리스터(GTO : Gate Turn off thyristor), 정전유도형 다이리스터(SIT : Static Inductive Thyristor) 등의 자기 소호형(自己消弧型) 반도체소자를 사용한 전력변환기에 의해 유도성 부하와 전력을 주고 받는 경우의 제어장치에 관한 것이다.
자기소호형 반도체소자(이하 GTO라고 함)를 이용한 전력변압기로서 교-직변환기, 직-교변환기(인버터), 초퍼 또는 주파수변환기등이 알려져 있다.
이들 GTO 전력변환기는 유도성 부하와의 사이에 전력을 주고 받는 경우가 많고, 이 경우에는 GTO의 온에 의해 통전된 부하전류를 이 GTO가 오프되어도 계속 흐르도록 하기 위한 프리휠회로를 설치할 필요가 있다.
그런데, 전원전압의 변동등의 요인으로 부하전류가 과대해 졌을 경우 부하나 GTO를 보호하기 위해 신속히 이 전류로를 차단할 필요가 있다. 이 때문에, 부하의 과전류를 검출하면 전체 GTO에의 정규의 온오프 게이트신호를 소멸시키는 동시에 고속도 차단기로 전원과 변환기 사이를 차단하는 방법이 알려져 있다. 이 방법에서는 고속도 차단기가 실제로 회로를 차단하기 까지에 일반적으로 십수 msec를 요하며, 이 동안 특정의 GTO의 과전류 부담이 증대해 버린다. 이 과전류 부담을 경감하기 위해, 전체 GTO에 온게이트신호를 부여하는 것도 제안되어 있다. 그러나, 이 방법에 의해서도 고속도 차단기의 동작까지에 전원에서 유입하는 전류가 과대해져 전원이 과부하로 되어 전원 자체를 트립시키는 등의 악영향이 있다. 또, 이 사이에 GTO를 파괴하는 것도 자주 발생한다.
본원 발명의 목적은 부하의 과전류를 신속히 차단할 수 있는 자기소호형 반도체소자를 사용한 전력변환기의 제어장치를 제공하는 것이다.
본원 발명의 일면에 의하면, 자기소호영 반도체소자를 사용한 전력변환기와 유도성 부하와의 사이에 전력을 주고 받으며, 부하전류의 프리휠회로를 구비한 것에 있어서, 부하전류가 소정치를 초과한 것을 검출하여 최소한 도통상태에 있는 자기소호형 반도체소자에 오프게이트신호를 준다.
또, 본원 발명의 바람직한 일실시예에 있어서는 프리휠회로에 대한 리커버리전류를 흐르게 하고 있는 자기소호형 반도체소자를 제외하고, 도통중의 자기소호형 반도체소자에 오프게이트신호를 주도록 구성한다.
제1도는 본원 발명의 일실시예로서, 유도전동기를 구동하는 인버터회로를 나타낸다. 제1도에서는 자기 소호형 반도체소자로서 게이트 턴오프 다이리스터 GTO를 사용한 예를 나타냈으며, 이 GTO 인버터 회로의 구성 및 동작의 개략을 다음에 설명한다.
전원부 Vs는 직규전원 ED에 도시한 바와 같이 필터리액터 FL와 필터콘덴서 FC로 이루어진 필터를 접속하여 구성되며, 이 필터는 GTO 인버터회로 INV의 온오프제어에 따라 주고 받는 단속전류를 평활하는 역할을 한다. 한편, GTO인버터회로 INV는 유도성 부하인 유도전동기 IM의 전류를 환류시키기 위한 프리휠다이오드 D1∼D6를 각각 병렬 접속한 게이트 턴오프 다이리스터 GTO1∼GTO6를 도시한 바와 같이 접속하여 구성된다. 그리고, 각각이 직렬 접속된 GTO1과 GTO2, GTO3과 GTO4 및 GTO5와 GTO6의 각 접속점에 유동전동기 IM가 접속된다. 전원부 Vs와 GTO 인버터회로 INV와의 사이에는 GTO 인버터회로 INV의 전원단락사고시(예를 들면 노이즈등에 의해 GTO1과 GTO2가 모두 도통상태로 되었을 경우)의 과전류를 억제하기 위한 애노드리액터 AL(프리휠다이오드 DAL가 병렬 접속되어 있음)가 도시한 바와 같이 접속된다.
한편, GTO 인버터회로 INV의 게이트신호회로 Sg는 이상기(移相器) APS, 로직회로 LC 및 신호증폭부 AMP로 구성되며, 상기 이상기 APS는 전류지령 IP에 실제의 유동전동기전류 IF(예를 들면 각 상의 전류검출기 CT1∼CT3의 출력을 3상 전파정류회로 D에 의해 정류 평활된 전류)가 추종 제어되도록 동작한다. GTO 인버터회로 INV는 제2도에 나타낸 바와 같은 게이트신호회로 Sg로부터의 신호(과전류 검지기 OCD로부터의 출력 SD이 0이고, NOT회로의 출력이 1인 경우, 과전류검지기 OCD는 제1도에 나타낸 바와 같이 각 상의 전류검출기 CT1∼CT3의 출력과 설정된 과전류레벨 OCL과를 비교함)을 수신하여 온오프 제어된다. 예를 들면, 시각 t1에 있어서 GTO1과 GTO4 및 GTO6이 점호하고 있으면
Vs→ AL→ GTO1→ U→ V→GTO4
W→ GTO6→ Vs
의 폐회로이며, 또 시각 t2에 있어서 GTO1이 소호하고 있으면
U→ V→ GTP4→ D2→ U
W→ GTO6→ D2
(AL의 전류는 DAL에 환류한다.)
의 폐회로에서 각각 유도전동기 IM에 전류 IU, IV및 IW가 흐르게 된다. 이 사이의 GTO 인버터회로 INV의 동작도는 제3도에 나타낸 바와 같이 된다. 이와 같이해서, 각 GTO1∼GTO6은 게이트신호회로 Sg로부터의 신호에 의해 로직회로 LC에서 결정되는 소정의 순서, 소정의 위상차로 온오프제어되어 유동전동기 IM에 가변전압, 가변주파수의 3상교류전류를 공급하는 것이다.
그런데, 제2도에 나타낸 시각 t₁∼t₂ 사이에 어떤 원인에 의해 전원전압 ED이 급상승하는 것을 생각하면 정상시 IU1로 표시되는 유도전동기의 U상의 전류 IU는 도시한 점선 IU2와 같이 상승하여 과전류레벨 OCL에 달하며, 과전류검지기 OCD의 출력이 "1"로 되고, NOT의 출력이 "0" 즉 각 AND회로 AND1∼AND6의 출력이 0으로 되며, 시각 t₃의 곳에서 GTO1, GTO4 및 GTO6에 대해 오프펄스를 발생하도록 동작시킨다. 따라서, 그 때까지 온상태에 있었던 GTO1, GTO4 및 GTO6은 턴오프하며, 오프상태에 있었던 것은 이것을 유지하게 된다.
이와 같이, 제1도 및 제2도에 나타낸 실시예에 의하면 부하의 과전류를 검출하고, 고속도 차단기에 의한 차단시간(예를 들면 십수 msec)에 비해 매우 단시간(예를 들면 수시 μsec)으로 과전류를 차단할 수 있다. 따라서, GTO, 부하 및 전원을 보호할 수 있다.
그런데, 상술한 예에 있어서 GTO1은 시간 t₂후에 턴온한 후에 바로 시각 t₃에서 턴오프하게 된다. 일반적으로, 프리휠다이오드를 병렬 접속한 유도성 부하를 온오프제어하는 GTO에 있어서는 턴온한 직후에 상기 프리휠다이오드를 리커버리하기 위한 커다란 전류가 흐른다. 이 때문에, 상술한 GTO의 턴온 직후의 턴오프신호가 인가되고, 상술한 커다란 전류(과전류레벨의 약 1.5∼2배의 전류)를 턴오프하게 되며, 턴오프펄스전류가 부족하여 GTO소자를 파손시킬 염려가 생긴다. 이 사이의 회로동작과 그 동작파형을 제3도에 나타낸다. 즉, GTO1의 턴온에 의해 도시한 2점쇄선과 같은 경로에서, Vs→GTO1→D2→Vs로 흐르고, 프리휠다이오드 D2에 흐르고 있는 부하전류를 소거하며, 다시 이 다이오드 D2를 리커버리하는 전류가 흐른다. 이 때문에, 제3도에 IGTO1의 전류 파형으로 나타낸 바와 같은 커다란 전류가 흐르고, 이 시점(시간 t3)에서 턴오프펄스가 부여되면 통상의 과전류레벨까지의 전류만을 턴오프할 수 있는 능력을 갖게 하고 있는 게이트회로에서 턴오프펄스전류가 부족하여 GTO소자를 파손할 염려가 생긴다.
다음에, 상술한 점을 개량한 본원 발명의 다른 실시예를 제4도에 따라서 설명한다. 제4도에서는 제2도에 있어서의 로직 LC의 각 AND1∼AND6의 출력을 OR회로 OR(OR12,OR34,OR56)→원쇼트 멀티 바이브레이터회로(이하 원쇼트멀티라고 함) MM(MM12,MM34,MM56)→NAND회로 NAND(NAND1∼NAND6)를 통해서 각각의 AND(AND1∼AND6)의 입력에 귀환하는 회로를 설치하는 동시에, 과전류 검지기 OCD의 출력 SD을 직접 각 NAND(NAND1∼NAND6)의 입력으로 하도록 NOT회로를 생략했다. 그리고, 이 실시예 회로는 AND1∼AND6의 출력어 "0"→"1"이 되면 OR회로 OR12, OR34, OR56를 통해서 원쇼멀티 MM12, MM34, MM56에 입력되지만, 이 원쇼트멀티 MM출력은 일정시간 "0"을 유지하며, 이 일정시간 후에 "1"을 출력하도록 동작한다. 한편, NAND회로는 과전류검지기 OCD의 출력이 "0"일 때 에는 원쇼트멀티 MM의 출력에 관계없이 그 출력은 "1"로 되어, 각 GTO에 소정의 순서, 소정의 위상차를 갖는 온오프펄스를 공급한다. 과전류검지기 OCD의 출력이 "1"이 되면 원쇼트멀티 MM의 출력이 "1"이 되면 원쇼트멀티 MM의 출력이 "1"일 때에만 각 NAND회로 출력이 "0"으로 되며, 그때까지 온기간에 있었던 각 GTO에 오프펄스를 부여하도록 동작한다.
따라서, 제4도에 나타낸 동작파형의 시각 t3에 있어서 과전류검지기 OCD의 출력이 SD이 "1"이 되었을 경우를 생각하면 그때까지 계속 온상태를 유지하고 있었던 GTO4, GTO6에 온펄스를 공급하고 있는 회로의 원쇼트멀티 MM의 출력은 이 "1"로 되어 있으므로, 이들은 즉시 오프펄스가 주어져서 도시한 바와 같이 턴 오프하며, U상 전류 Iu의 과전류를 억제한다. 한편 시각 t3에 있어서 턴온 직후에 있는 GTO1에 온펄스를 공급하고 있는 회로의 원쇼트멀티 MM12의 출력은 일정시간을 제3도의 IGTO1파형에 표시된 시간 t0(턴온직후의 커다란 전류가 부하전류치까지 감소하는데 요하는 시간)에 설정함으로써, 아직 "0"의 상태에 있으므로 NAND1의 출력은 "1", 즉 온펄스를 공급하고 있다. 다음에, 일정시간 t0이 경과하면 원쇼트멀티 MM12의 출력이 "0"→"1", NAND1의 출력이 "1"→"0"으로 되어 GTO1에 오프펄스를 공급하며, 이 GTO1을 턴오프하는 것이다. 따라서, 본 실시예에 의하면 과전류를 검지하여 GTO를 턴오프시키는 보호방식에 있어서 턴온 직후에 커다란 전류가 흐르고 있는 GTO에는 오프펄스를 일정시간 늦추어서 공급할 수 있으므로, GTO소자를 파손시킴이 없이 과전류로부터 보호할 수 있는 효과가 있다. 더욱이, GTO1의 소호가 늦어졌다고 해도 GTO4, GTO6은 신속히 소호되므로, 전원으로부터 부하에 유입하는 전류는 신속히 차단할 수 있다.
다른 실시예를 제5도에 의거하여 설명한다.
제5도의 회로에서는 제4도의 로직회로 LC에 있어서의 각 AND1∼AND2의 전단에 래치회로 LT1∼LT2를 설치하는 동시에, 각 AND1∼AND2의 귀환회로에 삽입한 원쇼트멀티 MM12의 정논리출력 Q을 AND12, 플립프롭 FF12을 통해서 각각의 NAND1, NAND2의 한쪽의 입력단자에 접속하고, 이 NAND1, NAND2의 출력을 상기 각 AND1, AND2에 귀환하도록 구성하고 있다.
한편, 과전류검지기 OCD의 출력 SD는 AND12의 다른 한쪽의 입력에 직접 접속되는 동시에 NOT1, NOT2, 저항 R, 콘덴서 C로 이루어진 보호동작에 영향이 없을 정도의 단시간의 지연을 갖는 지연회로를 통해서 각 NAND의 또 하나의 입력에 접속된다.
본 실시예의 회로에 있어서, AND1 또는 AND2의 출력이 "0"→"1"로 되고, 이 신호 OR12를 통해서 원쇼트멀티 MM12에 입력되면, 이 원쇼트멀티 MM12는 일정시간 "1"로 되는 펄스상의 신호를 출력한다. 그러나, AND12는 과전류검지기 OCD의 출력 SD이 "0"일 경우 원쇼트멀티 MM12의 출력에 관계없이 "0"을 유지한다. 이 때문에, 플립플릅 FF12은 동작하지 않고, 래치회로 LT1 또는 LT2의 게이트단자, G는 "1"그대로이며, 데이터단자 D에 입력된 신호는 그대로 출력 Q에 전달된다. 마찬가지로, 과전류검지기 OCD의 출력 SD이 "0"일 경우 NAND1 및 NAND2의 출력은 "1"을 유지한다. 따라서, GTO1 및 GTO2의 게이트신호는 래치회로 LT1 및 LT2, AND1 및 AND2를 통해서 신호증폭부 AMP에 전달되며, 각 GTO1 또는 GTO2에 소정의 순서, 소정의 위상차를 갖는 온, 오프펄스를 공급한다.
과전류검지기 OCD의 출력 SD이 "1"이 되었을 때 원쇼트멀티 MM12의 출력이 "1"이면 AND12의 출력은 "0"→"1"로 되며, 플립플롭 FF12의 부논리출력
Figure kpo00001
은 "1"→"0"으로 세트된다. 이 때문에, 래치회로 LT1 및 LT2의 게이트단자 G는 "0"으로 되며, 따라서 래치회로 LT1 및 LT2의 출력 Q은 그때까지 데이터단자 D에 입력되어 있던 정보를 유지하게 된다.
한편, 과전류검지기 OCD의 출력신호 SD="1"은 NOT1, NOT2, 저항 R, 콘덴서 C로 이루어진 지연회로를 통해서 NAND1 및 NAND2에 입력되지만, 이것보다도 일순간 신속히 플립플롭 FF12의 출력
Figure kpo00002
은 "1"→"0"으로 되어 있으므로 NAND1 및 NAND2의 출력은변화하지 않으며, "1"그대로이다.
또, 과전류검지기 OCD의 출력 SD이 "1"로 되었을 때, 원쇼트멀티 MM12의 출력이 "0"이면 플립플롭 FF12은 동작하지 않으며, 출력
Figure kpo00003
은 "1"의 상태를 유지한다. 그후, 지연회로를 통해서 NAND1, NAND2의 한쪽의 입력단자에 과전류검지기 OCD의 출력 SD이 "1"로 되어 입력되면 NAND1, NAND2의 출력은 "1"→"0"으로 되므로, AND1∼AND2의 출력이 그때까지 "1"이었던 것은 즉시 "0"으로 되어 도통중인 GTO1 또는 GTO2에 오프펄스를 인가한다. 또, AND1 또는 AND2의 출력이 "0"이었던 것은 이것을 유지한다. 이상은 1상분(相分)의 로직 회로 LCu의 구성과의 작용이지만, 다른 2상 v, w상에 대해서도 마찬가지이다.
이와 같은 동작을 행하는 본 실시예 회로에 있어서, 제5도에 나타낸 바와 같이 예를 들면 U상전류 Iu가 증가하고, 시간 t3에 있어서 과전류 제한치 OCL을 초과하면 과전류 검지기 OCD의 출력은 SD은 "1"로 되어, 상술한 동작에 따라 그때까지 온상태에 있었던 GTO4, GTO6을 즉시 오프하며, 그때까지 오프상태에 있었던 GTO2, GTO3, GTO5는 오프상태를 유지한다. 또, 원쇼트멀티 MM의 출력이 "1"로 되는 일정시간 t0내에 과전류검지기 OCD의 출력 SD이 "1"로 된 GTO1에 대해서는 래치회로 LT가 동작하여 그 때의 상태를 유지한다.
여기서, 시스템리세트신호 RS는 시스템을 재기동할 때에 출력되는 신호이며, 이 신호에 의해 플립플롭 FF12, FF34, FF56은 리셋트 된다.
제6도에 다른 실시예를 나타낸다.
제6도에서는 제5도의 실시예에 있어서, 래치회로 LT1, LT2의 게이트단자 G의 전단에 OR1, OR2를 삽입하고, 이 OR1, OR2의 한쪽의 입력단자에 플립플롭 FF12의 출력
Figure kpo00004
의 신호를, 또 하나의 입력단자에 래치회로 LT1, LT2의 출력은 Q의 신호를 각각 입력한다.
이 때문에, 과전류검지기 OCD의 출력 SD이 "1"로 되었을 때 원쇼트멀티 MM12의 출력 Q이 "1"이며, 플립플롭 FF12의 출력 Q이 "1"→"0"으로 되어도 래치회로 LT1, LT2는 그 출력 Q 이 "1"인 동안은 동작하지 않으며, 래치회로 LT1, LT2의 출력 Q이 "1"→"0"으로 된 시점에서 래치회로의 게이트단자 G에 "0"이 입력된 것에 의해 래치상태로 되며, 래치회로 LT1, LT2의 출력 Q은 "0"을 유지한다.
한편, 과전류검지기 OCD의 출력 SD이 "1"로 되었을 때 원쇼트멀티 MM12의 출력 Q이 "0"일 경우는 제5도의 실시예와 같은 동작을 한다.
본 실시예에 있어서 제5도와 마찬가지로 시간 t₃에 과전류검지기 OCD의 출력 SD이 "1"이 되었다고 하면, GTO2∼GTO6은 상기 제5도에 나타낸 실시예와 마찬가지로 그때까지 온상태에 있었던 GTO4, GTO6의 즉시 오프하며, 오프상태에 있었던 GTO2, GTO3, GTO5는 오프상태를 유지한다. 그러나, 원쇼트멀티 MM12의 출력 Q이 "1"이 되는 일정시간 T0내에 과전류검지기 OCD의 출력 SD이 "1"이 된 GTO1에 대해 서는 플립플롭 FF12의 출력
Figure kpo00005
이 "1"→"0"으로 되며, 계속해서 래치회로 LT의 출력 Q이 "1"→"0"으로 된 시점에서 오프신호가 인가되어 GTO1은 오프한다.
즉, GTO가 온한 후의 일정시간내에 과전류검지기 OCD가 "1"을 출력했을 경우, 정규의 오프신호가 인가되기까지 그 GTO는 온상태를 유지하며, 정류의 오프신호로 오프한 후에는 오프상태를 유지한다.
이상에 기술한 본 실시예에서는 유도전동기를 GTO 인버터로 제어할 경우를 예로 들어 설명했지만, 본원 발명은 이것에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 직류전동기를 GTO초퍼로 제어하도록 프리휠다이오드가 병렬 접속되는 유도성 부하를 저기소호형 반도체소자로 제어하는 것 모두에 적용할 수 있다.
다음에, 제7도, 제8도에 의해 GTO초퍼장치에 있어서의 본원 발명의 실시예에 대해 설명한다.
전원부 Vs는 상기 실시예와 마찬가지로 직류전원 및 리액터와 콘덴서로 이루어진 필터로 구성되며, 초퍼회로 CH는 게이트턴오프 다이리스터 GTO와 이 게이트턴오프 다이리스터 GTO와 역병렬로 접속된 다이오드 DGTO로 이루어진다.
상기 전원부 Vs와 상기 초퍼회로 CH의 사이에는 유도성 부하인 직류직권전동기의 전기자권서 A, 계자권선 F 및 전류리플을 저감하기 위한 평활리액터 MSL가 접속된다.
한편, 프리휠다이오드 DF및 이 프리휠다이오드 DF의 리커버리 전류를 제어하기 위한 리액터 LDF로 이루어진 직렬접속체의 일단이 상기 전원부 Vs의 플러스측으로, 타단이 상기게이트 턴오프 다이리스터 GTO의 애노드측으로 도시한 바와 같이 접속된다.
게이트신호회로 Sg 및 과전류검직 OCD는 상술한 인버터장치에 있어서의 실시예의 1암분으로 한다.
본 실시예 회로에 있어서, GTO가 온하면 전류 ION는 실선으로 나타내는 Vs→F→A→MSL→GTO→Vs의 경로로 흐르며, GTO가 오프하면 전류 IOFF는 점선으로 나타낸 A→MSL→DF→LSF→F→A의 경로로 환류한다. 또, GTO가 온했을 순간에는 프리휠다이오드 DF를 리커버리하기 위한 전류 IR가 도시한 1점쇄선으로 나타낸 Vs→
LDF→DF→GTO→Vs의 경로로 온일 때의 전류 ION에 중첩되어서 GTO에 흐른다.
이때의 전원전압 ED, GTO 전류 IGTO, 전류검출기 CT의 검출전류 ICT및 로직회로 LC 출력은 제8도의 점선으로 나타낸 바와 같이 된다.
이 도면에 있어서, GTO가 온하기 직전 t₁에 어떤 원인에 의해 전원전압 ED이 급변하고, 이어서 GTO가 온하면 GTO전류 IGTO는 실선으로 나타낸 바와 같이 대전류로 된다. 마찬가지로, 전류검출기의 검출전류도 급변하고 시각 t2에 있어서 과전류레벨 OCL에 달한다. 이 때문에, 과전류검지기 OCD가 동작하여 GTO를 오프하려고 하지만, 시간 t2에 있어서의 GTO전류 IGTO는 상술한 바와 같이 대전류로 되어 있으므로, 이 시점에서 GTO를 오프하면 소자를 파괴할 위험성이 있다. 그래서, 인버터장치에 있어서의 실시예에서 설명한 바와 같이 로직회로 LC의 일부를 제4도에 나타낸 바와 같은 화료의 1암분으로 구성함으로서, 제8도에 나타낸 바와 같이 대전류 통전기간 t0경과 후에 안전하게 GTO를 오프할 수 있다.
이상 상술한 바와 같이, 본원 발명에 의하면 과전류를 검지하여 자기소호형 반도체소자를 턴오프시킴으로써, 신속하게 과전류를 억제할 수 있는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 전원과, 유도성 부하와, 상기 전원과 유도성 부하와의 사이에 접속되어 복수의 자기소호형(自己消弧型) 반도체소자를 구비한 전력변환기와, 상기 유도성 부하에 흐르는 전류가 상기 전원을 통하지 않고 환류(還流)하는 전로(電路)를 형성하는 프리휠회로와, 상기 자기소호형 반도체소자를 소정의 순서로 온오프제어하는 게이트신호를 발생하는 수단을 구비한 것에 있어성, 상기 유도성 부하에 흐르는 전류가 예정치를 초과한 것을 검출하는 수단과, 이 검지수단의 출력에 따라 동작하여, 온게이트신호가 주어진 후 소정시간을 경과하고 있지 않은 것을 제외하고, 도통상태에 있는 상기 자기소호형 반도체소자에 오프게이트신호를 공급하는 수단을 설치한 전력변환기의 제어장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 오프게이트신호 공급수단은 상기 온게이트신호가 주어진 수 소정 시간을 경과하고 있지 않은 자기소호형 반도체소자에 대해서 상기 소정 시간의 경과 후에 오프게이트 신호를 공급하도록 구성한 전력변환기의 제어장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 오프게이트신호 공급수단은 상기 온게이트신호가 주어진후 소정 시간을 경과 하고 있지 않은 자기소호형 반도체소자에 대해서 상기 소정의 시간의 경과후에 게이트신호발생수단에 의해 발생되는 정규의 오프게이트신호를 공급하도록 구성한 전력변환기의 제어장치.
  4. 직류전원과, 유도전동기와, 상기 전원과 유도전동기와의 사이에 접속되어 복수의 게이트 턴오프 다이리스터를 구비한 인버터와, 상기 유도전동기에 흐르는 전류가 상기 전원을 통하지 않고 환류하는 전로를 형성하는 프리휠다이오드와, 상기 게이트 턴오프 다이리스터를 소정의 순서로 온오프 제어하는 게이트신호를 발생하는 수단을 구비한 것에 있어서, 상기 유도전동기에 흐르는 전류가 소정치를 초과한 것을 검출 하는 수단과, 이 검지수단의 출력에 따라 동작하여, 온게이트신호가 주어진 후 소정의 시간을 경과하고 있지 않은 것을 제외하고, 도통상태에 있는 상기 게이트 턴오프 다이리스터에 오프게이트신호를 공급하는 수단을 설치하는 전력변화기의 제어장치.
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