[go: up one dir, main page]

KR940000429B1 - oscillator - Google Patents

oscillator Download PDF

Info

Publication number
KR940000429B1
KR940000429B1 KR1019900001939A KR900001939A KR940000429B1 KR 940000429 B1 KR940000429 B1 KR 940000429B1 KR 1019900001939 A KR1019900001939 A KR 1019900001939A KR 900001939 A KR900001939 A KR 900001939A KR 940000429 B1 KR940000429 B1 KR 940000429B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
integrated circuit
circuit
oscillation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
KR1019900001939A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR900013702A (en
Inventor
요이찌 마쓰다
야스오 에바따
나오유끼 미시마
세이이찌 미또베
모또요시 다까세
히로히사 다나까
Original Assignee
가부시끼가이샤 도시바
아오이 죠이찌
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 도시바, 아오이 죠이찌 filed Critical 가부시끼가이샤 도시바
Publication of KR900013702A publication Critical patent/KR900013702A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR940000429B1 publication Critical patent/KR940000429B1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H03B5/326—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator the resonator being an acoustic wave device, e.g. SAW or BAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

내용 없음.No content.

Description

발진기oscillator

제1도는 제1발명의 한 실시예를 나타낸 모식 평면도.1 is a schematic plan view showing an embodiment of the first invention.

제2도 내지 제11도는 제1의 발명의 다른 실시에를 나타낸 모식 평면도.2 to 11 are schematic plan views showing another embodiment of the first invention.

제12도는 제2발명의 실시예를 나타낸 모식 평면도.12 is a schematic plan view showing an embodiment of the second invention.

제12도는 제3발명을 설명하기 위한 회로도.12 is a circuit diagram for explaining the third invention.

제14도는 제3발명의 한 실시예를 나타낸 모식 사시도.14 is a schematic perspective view showing an embodiment of the third invention.

제15도는 제3발명의 다른 실시예를 나타낸 회로도.15 is a circuit diagram showing another embodiment of the third invention.

제16도는 제3발명외의 실시예를 나타낸 모식 사시도.16 is a schematic perspective view showing an embodiment other than the third invention.

제17도는 제4발명의 한 실시예를 나타낸 모식 평면도.17 is a schematic plan view showing an embodiment of the fourth invention.

제18도 및 제19도는 제4발명의 다른 실시예를 나타낸 모식 평면도.18 and 19 are schematic plan views showing another embodiment of the fourth invention.

제20도는 제5발명의 한 실시예를 나타낸 회로 구성도.20 is a circuit diagram showing an embodiment of the fifth invention.

제21도는 제5발명의 한 실시예를 나타낸 모식 구조도.21 is a schematic structural diagram showing an embodiment of the fifth invention.

제22도는 제5발명의 다른 실시예를 나타낸 회로 구성도.22 is a circuit diagram showing another embodiment of the fifth invention.

제23도는 제5발명의 다른 실시예를 나타낸 모식 구조도.23 is a schematic structural diagram showing another embodiment of the fifth invention.

제24도는 제6발명의 한 실시예를 나타낸 모식 구조도.24 is a schematic structural diagram showing an embodiment of the sixth invention.

제25도는 제4발명과 제5발명을 조합한 경우의 모식 구성도이다.25 is a schematic configuration diagram when the fourth invention and the fifth invention are combined.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1, 20, 30, 40, 101, 206, 216, 303, 409, 410, 411, 430, 440, 602, 603 : 탄성 표면파 소자Surface acoustic wave elements: 1, 20, 30, 40, 101, 206, 216, 303, 409, 410, 411, 430, 440, 602, 603

8, 108, 201, 211, 302, 410, 605 : 집적회로8, 108, 201, 211, 302, 410, 605: integrated circuit

2, 9, 111, 112, 113, 114, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 305, 404-1, 404-1-A, 405-2-B, 420-1, 420-1-A, 420-1-B, 420-2, 420-2-A, 420-1, 421-1, 421-1-A, 421-1-B, 421-2, 421-2-A, 421-2-B : 본딩패드2, 9, 111, 112, 113, 114, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 305, 404-1, 404-1-A, 405-2-B, 420-1, 420-1-A, 420-1-B, 420-2, 420-2-A, 420-1, 421-1, 421-1-A, 421-1-B, 421-2, 421-2- A, 421-2-B: Bonding Pad

7, 10, 191, 192, 193, 194, 204, 205, 214, 215, 304, 420, 421 : 본딩 와이어7, 10, 191, 192, 193, 194, 204, 205, 214, 215, 304, 420, 421: bonding wire

본 발명은 발진회로를 갖는 집적회로소자와 탄성 표면파 소자를 동일 패키지내에 구성한 발진기에 관한 것이다.The present invention relates to an oscillator comprising an integrated circuit element having an oscillation circuit and a surface acoustic wave element in the same package.

종래에, 탄성 표면과 소자를 이용한 발진기는 탄성 표면파 소자와 발진회로가 각각 별도의 외각용기에 마운트되어, 프린트 기판등의 외부 패턴에 의해 전기적으로 접속되어 구성되었다.Background Art [0002] Conventionally, an oscillator using an elastic surface and an element is constructed in which a surface acoustic wave element and an oscillation circuit are mounted in separate outer containers, and electrically connected by an external pattern such as a printed board.

그러나 최근의 반도체 기술의 진전으로 고주파 발진회로의 집적화가 가능하게 되어 탄성 표면파 소자를 이용한 발진기에 있어서도 일본 특허출원 소63-325348호 공보에 나타낸 것처럼 집적화에 적당한 회로가 고안되어 있다.However, recent advances in semiconductor technology make it possible to integrate high-frequency oscillation circuits, so that circuits suitable for integration have been devised, as shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-325348, even in an oscillator using a surface acoustic wave element.

그래서 이들 기술을 이용하여 탄성 표면파 소자를 이용한 발진기의 보다 한층 소형화, 고신뢰성화를 목적으로 해서 탄송 표면파 소자 칩과 집적회로 소자 칩을 동일한 패키지 내에 마운트한 발진기가 검토되고 있다.Therefore, oscillators in which a surface acoustic wave device chip and an integrated circuit device chip are mounted in the same package have been studied for the purpose of further miniaturization and high reliability of the oscillator using surface acoustic wave elements using these techniques.

또한 일본 특허출원 펴1-60162호 공보에 나타낸 것처럼 그 발진기를 복수 내장한 변조기등도 검토되고 있다.In addition, as shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-60162, modulators including a plurality of oscillators are also studied.

이들의 탄성 표면파 소자의 발진회로를 갖는 집적회로소자를 동일의 패키지내에 마운트한 발진기는 최근에 검추가 시작된 것으로 최적의 구성 예를 들면 각 칩의 형상, 칩의 배치, 칩간의 배선 방법등에 대해 충분한 검토가 있지 않았다.Oscillators having integrated oscillating circuits of these surface acoustic wave elements mounted in the same package have recently started inspection, which is sufficient for the optimum configuration, for example, the shape of each chip, the arrangement of the chips, the wiring method between the chips, and the like. There was no review.

때문에 예를들면 칩간의 배선에 대해서는 이른바 본딩 와이어로 접속하는 것이 가장 간단한 방법이라고 생각되나, 각 칩상의 본딩패드의 배치가 부적절한 경우 본딩 와이어가 길어지고, 기생 인덕턴스가 크게 되거나 외부에서의 전자 유도를 받기 쉽게 되기 때문에 발진회로의 동작이 불안정 즉 오동작의 원인으로 되어 버리는 경우도 있었다.Therefore, for example, it is thought that the most simple method is to connect the wiring between chips by using so-called bonding wires. However, when the bonding pads on each chip are inappropriately placed, the bonding wire becomes long, the parasitic inductance increases, or external electromagnetic induction. In some cases, the operation of the oscillation circuit may become unstable, i.e., cause malfunction.

또, 본딩 와이어가 길면 그 무게도 무겁기 때문에 진동시에 본딩 와이어가 절단되거나 이탈해 버리는 경우도 있었다.In addition, when the bonding wire is long, its weight is also heavy, so that the bonding wire may be cut or detached during vibration.

이들 문제는 본딩패드의 배치 뿐아니라 칩의 형상, 칩의 배치가 부적절한 경우도 마찬가지였다.These problems were the same in the case where the shape of the chip and the arrangement of the chips were not only appropriate, but also the arrangement of the bonding pads.

그런데 발진회로를 집적화하는 경우에는 차동증폭회로로 구성하는 것이 적당하다.However, when the oscillator circuit is integrated, it is appropriate to configure the differential amplifier circuit.

차동증폭회로를 이용하므로써 전원라인에서의 잡음이나 외부에서의 전자 유도를 차동동작으로 없앨 수 있다.By using a differential amplification circuit, the noise in the power line and the external electromagnetic induction can be eliminated by differential operation.

이 경우 탄성 표면파 소자와의 사이의 배선은 차동증폭회로의 정(+),부(-) 2개의 입력선과, 정부 2개의 출력선의 합계 4로 된다.In this case, the wiring between the surface acoustic wave elements is a total of four of the positive and negative input lines and the two output lines of the differential amplifier circuit.

그런데 전술의 각 칩의 형상, 배치, 배선방법등이 부적절하면, 차동 입력의 정부의 배선의 길이가 다르게 되거나 차동출력의 정부 배선의 길이가 달라져 버린다.However, if the shape, layout, wiring method, etc. of each chip described above are inadequate, the length of the wiring of the government part of the differential input will be different or the length of the government wiring of the differential output will be different.

때문에 정보의 입력 임피던스가 달라지거나, 정부의 출력 임피던스가 달라져 버려서 이상적인 차동증폭회로로서 동작하지 않고 설계한 대로의 성능이 얻어지지 않거나, 전원 라인에서의 잡음이나 외부에서의 전자 유도에 의해 발진동작이 불안정하게 되어 버리는 일도 있었다.Therefore, the input impedance of the information is different, the output impedance of the government is different, so it does not operate as an ideal differential amplifier circuit, and the performance as designed is not obtained, or the oscillation operation is caused by noise from the power line or external electromagnetic induction. Some have become unstable.

또한, 복수의 발진회로를 동일 집적회로내에 구성한 경우, 각각의 발진회로는 전기적 특성 및 온도 특성등을 일치시키기 위해 가능한한 가까이 배치하는 것이 바람직하다.In the case where a plurality of oscillation circuits are configured in the same integrated circuit, it is preferable to arrange each oscillation circuit as close as possible in order to match electrical characteristics and temperature characteristics.

따라서, 각각의 발진회로에 접속되는 탄성 표면파 소자와의 사이에 배선 즉 본딩 와이어는 근접해서 배치시켜야 된다.Therefore, the wiring, i.e., the bonding wire, should be disposed in close proximity between the surface acoustic wave elements connected to the respective oscillation circuits.

때문에 전자 유도 또는 정전 유도에 의해 본딩 와이어를 통한 발진기 사이의 상호 간섭을 피할 수 없고, 특히 복수의 발진기의 발진 주파수가 다른 경우에에는 인입현상에 의해 다른 발진기의 발진 주파수로 발진해 버리거나 혼 변조에 의해 발진 스펙트럴 스퓨리어스(spurious)가 발생하는 등의 문제작 생기는 경우도 있었다.Therefore, mutual interference between the oscillators through the bonding wires cannot be avoided by electromagnetic induction or electrostatic induction, and in particular, when the oscillation frequencies of a plurality of oscillators are different, the oscillation oscillates at the oscillation frequencies of other oscillators or horn modulation. In some cases, a problem work such as oscillation spectral spurious may occur.

본 발명의 목적은 탄성 표면파 소자 칩과 집적회로 칩을 동일의 패키지내에 마운트하는 발진기에 있어서, 전술한 외부에서의 전자 유도나 본딩 와이어의 기생 인덕턴스등에 의해 발진동작이 불안정하게 되는 문제 및 복수의 발진기간의 상호 간섭에 의한 혼 변조나 인입 발진의 문제를 해결하는 것으로써, 각 칩의 형상, 배치, 칩간의 배선을 최적으로 함으로서 문제를 해결하고자 하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is an oscillator for mounting a surface acoustic wave device chip and an integrated circuit chip in the same package, in which oscillation operation becomes unstable due to external electromagnetic induction or parasitic inductance of a bonding wire, and a plurality of oscillators. The problem is solved by optimizing the shape, arrangement, and wiring of chips between the chips by solving the problems of horn modulation and incoming oscillation caused by mutual interference.

이하, 전술한 문제를 해결하기 위해 본 발명에 있어서는 이하의 여섯 기본 구성을 갖는 것으로 했다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, in order to solve the problem mentioned above, in this invention, it was set as having the following six basic structures.

제1의 기본 구성은 탄성 표면파 소자의 본딩패드를 압전 기판상의 집적회로에 대향하는 한변으로 배열한 구성이다.The first basic configuration is a configuration in which the bonding pads of the surface acoustic wave elements are arranged on one side facing the integrated circuit on the piezoelectric substrate.

제2의 기본 구성은 탄성 표면파 소자와 전기적으로 접촉하는 집적회로의 본딩패드의 반수 이상을 탄성 표면파 소자의 탄성 표면파 전달방향으로 배열한 것을 특징으로 하는 구성이다.The second basic configuration is a configuration in which at least half of the bonding pads of the integrated circuit in electrical contact with the surface acoustic wave elements are arranged in the surface acoustic wave transfer direction of the surface acoustic wave elements.

제3의 기본 구성은 차동증폭기와 탄성 표면파 소자를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어의 배치가 선태칭인 것을 특징으로 하는 구성도이다.The third basic configuration is a configuration diagram in which the arrangement of the bonding wires for electrically connecting the differential amplifier and the surface acoustic wave element is pre-etching.

제4의 기본 구성은 동일의 집적회로상에 구성된 복수의 발진회로와, 이 복수의 발진회로의 각각에 대응하는 복수의 탄성 표면파 소자를 본딩 와이어로 접속하여 하나의 발진회로의 해당 본딩 와이어의 연장선과 다른 발진회로의 해당 본딩 와이어의 연장선과의 이루는 각도가 45도 이상 135도 이하인 것을 특징으로 하는 구성이다.The fourth basic constitution is a plurality of oscillation circuits formed on the same integrated circuit and a plurality of surface acoustic wave elements corresponding to each of the plurality of oscillation circuits by bonding wires, and extending the corresponding bonding wires of one oscillation circuit. And an angle formed by the extension line of the corresponding bonding wire of the oscillation circuit different from that of 45 degrees or more and 135 degrees or less.

제5의 기본 구성은 제1의 발진회로와 제2의 발진회로가 형성된 집적회로와, 전술한 제1의 발진회로에 전기적으로 접속되는 제1의 탄성 표면파 소자와, 전술한 제2의 발진회로에 전기적으로 접속되는 제2의 탄성 표면과 소자를 전술한 집적회로와 동일의 패키지 내에 배치하고, 전술한 제1의 발진회로를 구성하는 제1의 증폭기의 출력 전극 도출부와, 전술한 제2의 발진회로를 형성하는 제2의 증폭기의 출력 전극 도출부를 포함하는 위치에 전술한 제1의 증폭기의 입력 전극 도출부와, 전술한 제2의 증폭기의 입력 전극 도출부를 배치한 것을 특징으로 하는 구성이다.The fifth basic configuration includes an integrated circuit having a first oscillating circuit and a second oscillating circuit, a first surface acoustic wave element electrically connected to the first oscillating circuit described above, and the second oscillating circuit described above. The second elastic surface and the element electrically connected to the same are arranged in the same package as the integrated circuit described above, and the output electrode deriving portion of the first amplifier constituting the first oscillation circuit described above; The input electrode deriving portion of the first amplifier described above and the input electrode deriving portion of the second amplifier described above are disposed at a position including the output electrode deriving portion of the second amplifier forming the oscillation circuit of the second amplifier; to be.

제6의 기본 구성은 발진회로가 형성된 집적회로 기판상에 탄성 표면파 소자를 접속하기 위한 전극을 형성하고, 같은 탄성 표면파 소자가 형성된 압전 기판상에 해당 발진회로를 접속하기 위한 전극을 형성하여 해당 집적회로 기판상의 전극과 해당 압전 기판상의 전극을 직접 접속한 것을 특징으로 하는 구성이다.The sixth basic constitution is to form an electrode for connecting a surface acoustic wave element on an integrated circuit board on which an oscillation circuit is formed, and to form an electrode for connecting the oscillation circuit on a piezoelectric substrate on which the same surface acoustic wave element is formed. It is a structure characterized by connecting the electrode on a circuit board and the electrode on this piezoelectric board directly.

전술한 제1, 제2의 기본 구성을 가지므로 인하여, 발진회로와 탄성 표면파 소자와의 사이의 전기적 접속 예를 들면 본딩 와이어의 길이를 충분히 짧게 할 수 있고, 외부에서의 잡음이나 기생 인덕턴스에 의해 발진동작이 불안정하게 되는 현상을 억제할 수 있다.Due to the above-described first and second basic configurations, the electrical connection between the oscillation circuit and the surface acoustic wave element, for example, the length of the bonding wire can be shortened sufficiently, and due to external noise or parasitic inductance The phenomenon that oscillation operation becomes unstable can be suppressed.

또한, 본딩 와이어가 짧아져서 무게도 가볍게 되기 때문에 진동할 때에 본딩 와이어가 절단되거나 이탈할 가능성도 대단히 대단히 작게 된다.In addition, since the bonding wire becomes shorter and lighter in weight, the possibility that the bonding wire is cut or detached when vibrating is also very small.

그리고 발진회로를 차동증폭기로 구성한 경우에는 제3의 구성을 취함으로서 차동증폭기의 정부의 입력 임피던스를 같게 할 수 있고, 동일하게 정부(+,-)의 출력 임피던스도 같게 할 수 있기 때문에 회로는 이상적인 차동회로로 동작하여 전원 라인에서의 잡음이나 외부에서의 전자 유동등에 의해 발진동작이 불안정하게 되어 버리는 현상을 억제할 수 있다.In the case where the oscillator circuit is composed of a differential amplifier, by adopting the third configuration, the input impedance of the differential amplifier can be the same, and the output impedance of the positive (+,-) can be the same. By operating as a differential circuit, it is possible to suppress the phenomenon that the oscillation operation becomes unstable due to noise in a power line or an external electromagnetic flow.

또 복수의 발진기를 내장한 경우에는 제4, 제5의 기본 구성을 취함으로서 제1의 발진회로와 제1의 탄성 표면파 소자를접속한 본딩 와이어와 제2의 발진회로와 제2의 탄성 표면파 소자를 접속한 본딩 와이어와의 사이의 전자 유도나 정전 유도를 작게 할 수 있고, 본딩 와이어를 통한 발진회로 사이의 상호 간섭을 극소화 할수 있다.In the case where a plurality of oscillators are built-in, the bonding wires connecting the first oscillation circuit and the first surface acoustic wave element, the second oscillation circuit, and the second surface acoustic wave element have a fourth and fifth basic configuration. Electromagnetic induction or electrostatic induction between the bonding wires connected to the wires can be reduced, and mutual interference between the oscillation circuits through the bonding wires can be minimized.

또한 제6의 기본 구성을 취함으로서 발진회로와 탄성 표면과 소자를 접속하는 본딩 와이어를 없앨 수 있기 때문에 외부로 부터의 잡음이나 기생 인덕턴스에 의해 발진동작이 불안정하게 되는 현상을 억제할 수 있다.In addition, since the oscillation circuit and the bonding wire connecting the element with the elastic surface can be eliminated by adopting the sixth basic configuration, the phenomenon that oscillation operation becomes unstable due to noise from outside or parasitic inductance can be suppressed.

이하 제1발명의 한 실시예에 대해 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.Hereinafter, one embodiment of the first invention will be described in detail with reference to the drawings.

제1도에 있어서 ″8″은 증폭회로등에 의해 구성된 발진회로를 갖는 집적회로소자이고, 탄성 표면파 소자(20)와 본딩 와이어등으로 접속되는 본딩패드(9)가 한변에 배열되어 있다.In Fig. 1, " 8 " is an integrated circuit element having an oscillation circuit composed of an amplifying circuit and the like, and bonding pads 9 connected to the surface acoustic wave element 20 and the bonding wires are arranged on one side.

″13″은 탄성 표면파 공진자(20)와 집적회로소자(8)가 마운트되는 패키지의 일부로 되는 스템이다.″ 13 ″ is a stem that becomes part of the package on which the surface acoustic wave resonator 20 and the integrated circuit device 8 are mounted.

″1″은 탄성 표면파 공진자(20)의 압전 기판이고 이 압전 기판상에 인터 디지털 전극(4), 그레팅 반사기(6), 패턴(3), 본딩패드(2)가 형성되어 소위 2포트형의 탄성 표면파 공진자가 구성되어 있다.″ 1 ″ is a piezoelectric substrate of the surface acoustic wave resonator 20, and the interdigital electrode 4, the grading reflector 6, the pattern 3, and the bonding pad 2 are formed on the piezoelectric substrate, so-called two ports. Type surface acoustic wave resonators are constructed.

본딩패드(2)는 집적회로소자(8)에 대향한 압전기판(1)의 한변에 줄지어 배치되어 있다.The bonding pads 2 are arranged in line on one side of the piezoelectric substrate 1 facing the integrated circuit element 8.

그리고 집적회로소자(8)에 대향한 압전기판(1)의 한변에 줄지어 배치되어 있다.And it arrange | positions on one side of the piezoelectric board 1 which opposes the integrated circuit element 8. As shown in FIG.

이상과 같은 구성, 즉 탄성 표면파 공진자(20)의 본딩패드(2)를 집적회로소자(8)에 대향하는 한변에 배치함으로서 본딩패드(2)와 집적회로소자(8)와의 거리를 최소한으로 할 수 있고, 발진루프를 형성하는 본딩 와이어(7)를 최소한 짧게 할 수 있다.The above configuration, i.e., by arranging the bonding pads 2 of the surface acoustic wave resonator 20 on one side facing the integrated circuit elements 8, minimizes the distance between the bonding pads 2 and the integrated circuit elements 8; It is possible to at least shorten the bonding wire 7 forming the oscillation loop.

이 때문에 발진루프내에 기생 인덕턴스를 최소화 할 수 있음과 동시에 외부 잡음등의 영향을 최소한으로 할 수 있다.This minimizes parasitic inductance in the oscillation loop and minimizes the effects of external noise.

그래서 진동에 의해 본딩 와이어(7)가 절단되거나, 이탈할 가능성을 작게 할 수 있다.Therefore, the possibility that the bonding wire 7 is cut | disconnected or disengages by vibration can be made small.

또 본딩 와이어가 인터 디지털 전극(4)이나 그레팅 반사기(6)을 뛰어넘지 않고, 본딩 와이어 끼리 교차하지 않는 구조로 되어 있기 때문에 본딩 와이어 끼리 혹은 와이어(7)가 인터 디지털 전극(4)이나 그레팅 반사기(6)에 닿아서 전기적으로 단락해 버리는 사고를 미연에 방지할 수 있다.In addition, since the bonding wire does not exceed the interdigital electrode 4 or the grading reflector 6 and the bonding wires do not intersect, the bonding wires or the wires 7 are interdigital electrodes 4 or grain. It is possible to prevent the accident of contacting the reflector 6 and electrically shorting it.

따라서 양산에 적합한 구조로 되어 있다.Therefore, the structure is suitable for mass production.

제1의 발명은 제1도의 실시에에 한정된 것은 아니고 여러 가지로 변형해서 실시가능하다.The first invention is not limited to the implementation of FIG. 1 and can be modified in various ways.

이하 제1의 발명의 다른 실시에에 대해 설명한다.Hereinafter, another embodiment of the first invention will be described.

제2도에 탄성 표면파 공진자(20)에 1포트형 탄성 표면파 공진자를 이용한 경우의 실시예를 나타낸다.2 shows an embodiment in which a one-port surface acoustic wave resonator is used for the surface acoustic wave resonator 20.

제1도와 같은 역할을 하는 것에는 같은 번호를 붙였다.The same numbers are assigned to those acting as FIG.

제2도에 있어서도 제1도와 동등한 효과가 얻어진다.Also in FIG. 2, the effect equivalent to FIG. 1 is acquired.

제3도 내지 제8도에 탄성 표면파 공진자(20)에 2포트형 탄성 표면파 공진자를 이용한 경우의 제1도에 나타낸 구조 이외의 실시예를 나타낸다.3 to 8 show embodiments other than the structure shown in FIG. 1 when the two-port surface acoustic wave resonator is used for the surface acoustic wave resonator 20. FIG.

제1도와 같은 역할을 하는것에는 같은 번호를 붙이고 2포트형 탄성 표면파 공진자(20)만을 나타낸다.To play the same role as in FIG. 1, only the two-port surface acoustic wave resonator 20 is given the same number.

제3도 내지 제8도의 실시예에 대해 상세히 설명한다.The embodiment of FIGS. 3 to 8 will be described in detail.

제3도는 입력 또는 출력의 한쪽에 대응하는 2개의 본딩패드를 한쪽의 본딩패드의 내측에 배치한 예이다.3 illustrates an example in which two bonding pads corresponding to one of an input or an output are disposed inside one bonding pad.

제4도는 본딩패드(2)를 배치하는 한변을 탄성 표면파가 울리는 방향과 수직으로 되도록 배치한 예이다.4 shows an example in which one side of the bonding pad 2 is disposed so as to be perpendicular to the direction in which the surface acoustic wave rings.

제5도는 본딩패드(2)를 한변으로 배치시키기 위해서 배선(3)을 인터 디지털 전극(4)과 그레팅 반사기(6)와의 사이를 통하는 예이다.5 is an example in which the wiring 3 is interposed between the interdigital electrode 4 and the grazing reflector 6 in order to arrange the bonding pad 2 in one side.

제6도는 배선(3)을 그레팅 반사기(6)의 일부를 이용해서 구성한 예이다.6 is an example in which the wiring 3 is configured using a part of the grazing reflector 6.

제7도와 제8도는 인터 디지털 전극(4)을 배선(3)을 이용해서 직렬로 접속한 예로서, 제7도는 인접하는 2개의 본딩패드가 각각 입출력의 어느쪽에 대응하는 예이고, 제8도는 양측의 2개와 내측의 2개의 본딩패드가 각각 입출력의 어느것에 대응하는 예이다.7 and 8 show an example in which the interdigital electrodes 4 are connected in series using the wirings 3, and FIG. 7 shows an example in which two adjacent bonding pads correspond to which of input / output, respectively. Two bonding pads on both sides and two bonding pads on the inner side correspond to either of input and output.

이상 제3도 내지 제8도의 실시에에 있어서도 제1도의 실시예와 같은 효과를 얻는다.In the above-described embodiments of FIGS. 3 to 8, the same effects as in the embodiment of FIG. 1 are obtained.

제9도 내지 제11도에 탄성 표면파 공진자(20)에 1포트형 탄성 표면파 공진자를 이용한 경우의 제2도에 나타낸 구조 이외의 실시예를 나타낸다.9 to 11 show embodiments other than the structure shown in FIG. 2 when the one-port surface acoustic wave resonator is used for the surface acoustic wave resonator 20. FIG.

제2도와 동등한 역할을 하는 것에는 같은 부호를 붙이고 탄성 표면파 공진자(20)만의 구조를 나타냈다.The same symbols as those in FIG. 2 are given the same reference numerals, and the structure of only the surface acoustic wave resonator 20 is shown.

이하 제9도 내지 제11도의 실시에에 대해 설명한다.Hereinafter, the implementation of FIGS. 9 to 11 will be described.

제9도는 본딩패드(2)를 탄성 표면파가 울리는 방향과 수직이 되도록 배치한 예이다.9 shows an example in which the bonding pads 2 are disposed perpendicular to the direction in which the surface acoustic wave is ringing.

제10도는 배선(3)을 그레팅 반사기(6)의 일부를 이용해서 구성한 예이다.10 is an example in which the wiring 3 is configured using a part of the grazing reflector 6.

제11도는 인터 디지털 전극(4)을 배선(3)을 이용해서 직렬로 접속함으로서 본딩패드(2)를 한변에 배치한 예이다.11 shows an example in which the bonding pads 2 are arranged on one side by connecting the interdigital electrodes 4 in series using the wirings 3.

이상 제9도 내지 제11도의 실시예에 있어서도 제1도의 실시예와 같은 효과를 얻을 수 있다.Also in the embodiments of FIGS. 9 to 11, the same effects as in the embodiment of FIG. 1 can be obtained.

또 제1도 내지 제11도의 실시에에서는 모두 탄성 표면파 공진자를 이용한 예를 나타냈으나 이것에 한정된 것은 아니고 예를들면 탄성 표면파 지연선, 탄성 표면파 필터등 다른 탄성파 소자를 이용해도 좋다.Although all the examples using surface acoustic wave resonators have been shown in the embodiments of FIGS. 1 through 11, other acoustic wave elements such as surface acoustic wave delay lines and surface acoustic wave filters may be used.

이상 설명한 것처럼 제1의 발명은 탄성 표면파 소자의 본딩패드를 집적회로에 대향하는 한변에 배치한 것을 특징으로 하고 있다.As described above, the first invention is characterized in that the bonding pads of the surface acoustic wave elements are arranged on one side facing the integrated circuit.

제1의 발명에 따르면 본딩패드(2)는 집적회로소자(8)와의 거리를 최소한으로 할 수 있고, 발진루프를 형성하는 본딩 와이어(7)를 최소한 짧게 할 수 있다.According to the first invention, the bonding pad 2 can minimize the distance from the integrated circuit element 8 and at least short the bonding wire 7 forming the oscillation loop.

이 때문에 발진루프내의 기생 인덕턴스를 작게 할 수 있으면서 외부 잡음등의 영향을 최소한으로 할 수 있다.For this reason, the parasitic inductance in the oscillation loop can be made small and the influence of external noise can be minimized.

그래서 진동에 의해 본딩 와이어(7)가 절단되거나 이탈할 가능성을 작게 할 수 있다.Therefore, the possibility that the bonding wire 7 is cut | disconnected or detached by vibration can be made small.

또 본딩 와이어 끼리 또는 본딩 와이어(7)가 인터 디지털 전극(4)이나 그레팅 반사기(6)에 접촉되어 전기적으로 단락해 버리는 사고를 미연에 방지할 수 있어서 양산화에 적합한 구조가 얻어진다.Moreover, the accident that the bonding wires or the bonding wires 7 are in contact with the interdigital electrode 4 or the grading reflector 6 and electrically shorted can be prevented in advance, thereby obtaining a structure suitable for mass production.

다음에, 제2의 발명에 대해 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.Next, the second invention will be described in detail with reference to the drawings.

제12도는 제2의 발명의 실시예를 나타낸 구성이다.12 is a configuration showing an embodiment of the second invention.

도면에서 패키지의 일부로 되는 스템(301)상에는 집적회로소자(302)와 탄성 표면파 소자(303)가 마운트되어 있다.The integrated circuit device 302 and the surface acoustic wave device 303 are mounted on the stem 301 which is a part of the package in the figure.

해당 집적회로소자(302)는 증폭회로등에 의해 구성된 발진회로를 가지고 있다.The integrated circuit element 302 has an oscillation circuit constituted by an amplifier circuit and the like.

집적회로(302)와 탄성 표면파 소자(303)는 본딩 와이어(304)를 통해 전기적으로 접속되고 전체로서 발진기를 구성하고 있다.The integrated circuit 302 and the surface acoustic wave element 303 are electrically connected through the bonding wire 304 and constitute an oscillator as a whole.

또한 집적회로소자(302)와 탄성 표면파 소자(303)의 전극을 본딩 와이어(304)로 접속하기 위해 설치한 집적회로소자(302)측의 본딩패드(305)는 탄성 표면파 소자(303)의 탄서 표면파 전달 방향과 대략 평행으로 배치되어 잇다.In addition, the bonding pad 305 on the side of the integrated circuit element 302, which is provided to connect the electrodes of the integrated circuit element 302 and the surface acoustic wave element 303 with the bonding wire 304, is a sequencer of the surface acoustic wave element 303. It is arranged approximately parallel to the surface wave propagation direction.

통상의 탄성 표면파 소자는 탄성 표면파 전달 방향의 크기가 그 수직 방향의 크기에 비해 크다.In conventional surface acoustic wave elements, the size of the surface acoustic wave transmission direction is larger than that of the vertical direction.

특히 탄성 표면파 공진자의 경우에는 그레팅 반사기가 필요하기 때문에, 더욱 탄성 표면파 전달 방향의 크기가 크게 된다.In particular, in the case of the surface acoustic wave resonator, since the grading reflector is required, the size of the surface acoustic wave transmission direction becomes larger.

따라서 제12도에 나타낸 것처럼 집적회로소자(302)의 본딩패드(305)를 탄성 표면파 소자(303)와 탄성 표면파 소자(303)의 탄성 표면파 전달 방향과 평행으로 배치함으로서 본딩패드(305)와 탄성 표면파 소자(303)의 인터 디지털 전극과의 거리를 최소한으로 할 수 있고, 발진루프를 형성하는 본딩 와이어(304)를 최소한 짧게 할 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 12, the bonding pad 305 of the integrated circuit device 302 is disposed in parallel with the surface acoustic wave transfer directions of the surface acoustic wave element 303 and the surface acoustic wave element 303, thereby providing elasticity with the bonding pad 305. FIG. The distance from the interdigital electrode of the surface wave element 303 can be minimized, and the bonding wire 304 forming the oscillation loop can be at least short.

이 때문에 발진루프내의 기생 인덕턴스를 작게 할 수 있음과 동시에 외부 잡음등의 영향을 최소한으로 할 수 있다.As a result, parasitic inductance in the oscillation loop can be reduced and the influence of external noise can be minimized.

이 때문에 발진루프내의 기생 인덕턴스를 작게 할 수 있음과 동시에 외부 잡음등의 영향을 최소한으로 할 수 있다.As a result, parasitic inductance in the oscillation loop can be reduced and the influence of external noise can be minimized.

그래서 진동에 의해 본딩 와이어(304)가 절단되거나, 벗어지는 가능성도 작게 할 수 있다.Therefore, the possibility that the bonding wire 304 is cut | disconnected or comes off by vibration can also be made small.

또한 본딩 와이어가 인터 디지털 전극(4)이나 그레팅 반사기(6)를 뛰어넘어 본딩 와이어 끼리가 교차하지 않는 구조로 되어 있기 때문에 본딩 와이어 끼리 또는 본딩 와이어(304)나 인터 디지털 전극(4)이나 그레팅 반사기(6)에 닿아 전기적으로 단락해 버리는 사고를 미연에 방지할 수 있으므로, 양산에 적합한 구조로 되어 있다.In addition, since the bonding wire extends beyond the interdigital electrode 4 or the grading reflector 6, the bonding wires do not cross each other, so that the bonding wires or the bonding wire 304, the interdigital electrode 4, or the grain are not crossed. Since the accident which touches the reflecting reflector 6 and electrically shorts can be prevented beforehand, it is a structure suitable for mass production.

제2의 발명은 제12도의 실시예에 한정된 것은 아니고, 예를들면 본딩페드(305)는 반드시 평행으로 배치할 필요없이 오목한 상태 등으로 배치해도 좋다.2nd invention is not limited to the Example of FIG. 12, For example, the bonding pad 305 may be arrange | positioned in a concave state etc., without necessarily arrange | positioning in parallel.

이상 설명한 것처럼 제2의 발명은 집적회로소자의 탄성 표면파 소자와 접속되는 본딩패드를 탄성 표면파소자의 탄성 표면파 전달 장치와 대략 평행으로 배치한 것을 특징으로 하고, 전술한 효과를 갖는다.As described above, the second invention is characterized in that the bonding pads connected to the surface acoustic wave elements of the integrated circuit elements are disposed substantially parallel to the surface acoustic wave transmission apparatus of the surface acoustic wave elements, and have the above-described effects.

다음에 제3의 발명에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.Next, a third invention will be described with reference to the drawings.

제3의 발명은 발진회로를 차동증폭 구성으로 한 경우에 유효하게 되는 발명이다.The third invention is an invention which becomes effective when the oscillation circuit is configured as a differential amplifier.

발진회로를 차동증폭기로 구성한 예로서는 제13도에 나타낸 것같은 회로가 제안되어 있다.As an example in which the oscillation circuit is constituted by a differential amplifier, a circuit as shown in FIG. 13 is proposed.

도면에서 트랜지스터(505)와 (506)은 차동증폭을 행하는 트랜지스터이고, 그 각 콜렉터는 각각 같은 저항 값의 저항(508)과 (509)을 통해 직류 전원(501)의 한쪽 단부에 접속되어 있다.In the figure, the transistors 505 and 506 are transistors that perform differential amplification, and each collector thereof is connected to one end of the DC power supply 501 through the resistors 508 and 509 of the same resistance value, respectively.

또 에미터는 공통의 직류 전원(507)을 통해 직류 전원(501)의 다른쪽 단부에 접속되며, 각 베이스는 각각 같은 저항값의 저항(511)과 (512)을 통해서 바이어스 회로(510)의 출력단자에 접속되어 있다.The emitter is connected to the other end of the DC power supply 501 through a common DC power supply 507, and each base outputs the bias circuit 510 through the resistors 511 and 512 having the same resistance values, respectively. It is connected to the terminal.

또한, 바이어스 회로(510)는 직류 전원(501)에서 전원을 얻고 있다.In addition, the bias circuit 510 obtains a power supply from the DC power supply 501.

이상의 회로로 차동증폭회로가 구성되고 그 출력 즉 트랜지스터(505)와 (506)과 각 콜렉터간에 2포트형 탄성표면파 공진자(502)의 한쪽의 포트(503)가 접속되고, 차동증폭회로의 입력 즉 트랜지스터(505)와 (506)의 베이스 사이에 다른 한쪽의 포트(504)가 접속되어 있다.The circuit described above constitutes a differential amplifier circuit, and one of the ports 503 of the two-port surface acoustic wave resonator 502 is connected between its output, that is, the transistors 505 and 506 and each collector, and the input of the differential amplifier circuit. In other words, the other port 504 is connected between the base of the transistors 505 and 506.

그리고 트랜지스터(505)와 (506)의 각 콜렉터에 각각 출력단자(513)과 (514)가 접속되어 있다.The output terminals 513 and 514 are connected to the respective collectors of the transistors 505 and 506, respectively.

이상과 같은 구성으로 2포트형 탄성 표면파 공진자(502)를 통해서 차동증폭회로의 출력에서 입력으로 정귀한되어 발진한다.In this configuration, the two-port surface acoustic wave resonator 502 is oscillated from the output of the differential amplifier circuit to the input.

발진 출력은 출려간자(513)와 (514)에서 차동 출력으로 도출된다.The oscillation outputs are derived as differential outputs at issuers 513 and 514.

이와 같이 발진회로를 차동증폭기로 구성하면 일본 특허출원 소63-325348호에서도 설명한 것처럼, 직류전원(501)에 고주파 전류가 흐르지 않고, 콘덴서가 필요없기 때문에 집적회로화에 적합한 등의 잇점이 있다.As described above, the oscillation circuit is constituted by a differential amplifier. As described in Japanese Patent Application No. 63-325348, a high frequency current does not flow through the DC power supply 501, and there is an advantage in that it is suitable for integrated circuit because no capacitor is required.

그러나, 직류 전원(501)에 고주파 전류가 흐르지 않는 것은 회로가 이상적인 차동회로로서 동작하지 않는 경우이고, 예를들면 차동증폭회로의 정(+)과 부(-)의 입력 임피던스, 또는 정과 부의 출력 임피던스가 불균형으로 되어 있는 경우에는 이상적인 차동동작은 되지 않고 직류 전원(501)에 고주파 전류가 흘러 버린다.However, the high frequency current does not flow in the DC power supply 501 when the circuit does not operate as an ideal differential circuit, for example, the positive and negative input impedances of the differential amplifier circuits, or the positive and negative outputs. If the impedance is imbalanced, high frequency current flows to the DC power supply 501 without performing an ideal differential operation.

이 전류는 직류 전원(501)에 접속된 다른 회로에 대해 잡음으로 되기 때문에 바람직하지 않다.This current is undesirable because it becomes noise to other circuits connected to the DC power supply 501.

이 때문에 전술한 것같은 회로를 실제로 배치하는 경우 차동증폭회로의 정과 부의 입력 임피던스 및 정과부의 출력 임피더스가 같게 되도록 정측의 회로와 부측의 회로가 대칭으로 되도록 배치하는 것이 좋다.For this reason, when the circuits described above are actually arranged, it is better to arrange the circuits on the positive side and the negative side on the side so that the positive and negative input impedances of the differential amplifier circuit and the output impedances of the positive and negative parts are equal.

이것을 고려한 것이 제3의 발명이다.Considering this is the third invention.

제14도는 제3의 발명의 한 실시예를 나타낸 구성도이고, 도면에서 ″109″는 패키지의 일부로 되는 스템이고 리드핀(141)(142)(171)(172)(181)(182)이 묻혀 있다. 각 리드핀(141)(1442)(171)(172)은 스템(109)과는 전기적으로 절연되어 있다.FIG. 14 is a block diagram showing an embodiment of the third invention, in which ″ 109 ″ is a stem which is a part of a package, and lead pins 141, 142, 171, 172, 181, and 182 Buried Each lead pin 141, 1442, 171, 172 is electrically insulated from the stem 109.

스템(109)에는 탄성 표면파 소자(101)와 집적회로소자(108)가 마운트되어 있다.The stem 109 is mounted with a surface acoustic wave element 101 and an integrated circuit element 108.

탄성 표면파 소자(101)에는 입력 인터 디지털 전극에 접속된 본딩패드(111)(112)와, 출력 인터디지털 전극에 접속된 본딩패드(113)(114)가 형성되어 있다.The surface acoustic wave element 101 is provided with bonding pads 111 and 112 connected to an input interdigital electrode and bonding pads 113 and 114 connected to an output interdigital electrode.

집적회로소자(108)는 차동증폭회로에 의해 구성된 발진회로를 가지고 있고 해당 차동증폭회로의 정부의 입력에 접속된 본딩패드(121)(122)와, 정부의 출력에 접속된 본딩패드(123)(124)가 형성되어 있다.The integrated circuit device 108 has an oscillating circuit constituted by a differential amplifier circuit and is bonded to the input pads of the differential amplifier circuits 121 and 122, and the bonding pads 123 connected to the output of the amplifier. 124 is formed.

집적회로소자에는 그 밖의 발진회로의 정부의 출력단자의 본딩패드(125)(126), 전원 단자의 본딩패드(127), 제어단자의 본딩패드(128), 접지단자의 본딩패드(129)가 형성되어 있다.The integrated circuit device includes bonding pads 125 and 126 of the output terminal of the oscillation circuit, bonding pads 127 of the power supply terminal, bonding pads 128 of the control terminal, and bonding pads 129 of the ground terminal. Formed.

그리고 본딩패드(111)와 (121), (112)와 (122), (113)과 (123), (114)와 (124)가 각각 본딩 와이어(191)(192)(193)(194)에 의해 전기적으로 접속되어 있다.The bonding pads 111, 121, 112, 122, 113, 113, 123, 114, and 124 are bonding wires 191, 192, 193, and 194, respectively. It is electrically connected by.

또 본딩패드(125)와 리드핀(141), 본딩패드(126)와 리드핀(142), 본딩패드(127)와 리드핀(171), 본딩패드(128)와 리드핀(172), 본딩패드(129)와 리드핀(181)(182)이 각각 본딩 와이어로 전기적으로 접속되어 있다.Bonding pads 125 and lead pins 141, bonding pads 126 and lead pins 142, bonding pads 127 and lead pins 171, bonding pads 128 and lead pins 172, and bondings. Pads 129 and lead pins 181 and 182 are electrically connected to each other by bonding wires.

이상과 같은 구성으로 함으로서 집적회로소자(108)의 본딩패드(123)(121)(122)(124)의 배치가 선대칭으로 된다.With the above configuration, the arrangement of the bonding pads 123, 121, 122, and 124 of the integrated circuit device 108 becomes line symmetry.

즉, 발진회로를 구성하는 차동증폭회로의 입출력 단자의 배치가 정(+)의 출력단자, 정의 입력단자, 부(-)의 입력단자, 부의 출력단자의 순서로 되어 선대칭으로 된다.That is, the arrangement of the input / output terminals of the differential amplifier circuit constituting the oscillation circuit is linearly symmetric in the order of the positive output terminal, the positive input terminal, the negative input terminal, and the negative output terminal.

또 본딩 와이어(193)(191)(192)(194)의 배치나 길이도 선대칭으로 된다.In addition, the arrangement and length of the bonding wires 193, 191, 192, and 194 also become line symmetry.

따라서 차동증폭회로의 정부의 입력단자의 임피던스를 같게 할 수 이쏙, 또 정부의 출력단자의 임피던스도 같게 할 수 있다.Therefore, the impedance of the input terminal of the differential amplifier can be equalized, and the impedance of the output terminal of the differential amplifier can be equal.

이에 따라, 회로나 이상적인 차동증폭회로로서 동작시킬 수 있고, 전원 라인에서의 잡음이나 외부에서의 전자 유도의 영향을 극소화 할 수 있고 안정한 발진동작을 행할 수 있다.As a result, it is possible to operate as a circuit or an ideal differential amplifier circuit, to minimize the influence of noise on the power supply line and electromagnetic induction from the outside, and to perform stable oscillation operation.

제3의 발명은 제14도의 실시예에 한정된 것은 아니고 여러 가지로 변형해서 실시할 수 있다.The third invention is not limited to the embodiment of FIG. 14 and can be modified in various ways.

예를들면 차동증폭회로의 입출력의 본딩패드의 배치는 정의 출력단자, 부의 입력단자, 정의 입력단자, 부의 출력단자의 순서 ; 정의 입력단자, 정의 출력단자, 부의 출력단자, 부의 입력단자의 순서 ; 정의 입력단자, 부의 출력단자, 정의 출력단자, 부의 입력단자의 순서등으로 해도 좋다. 말하자면, 차동증폭회로의 입출력의 본딩패드의 배치가 선대칭으로 되면 좋다.For example, the arrangement of the bonding pads of the input / output of the differential amplifier circuit may include the order of the positive output terminal, the negative input terminal, the positive input terminal, and the negative output terminal; Positive input terminal, positive output terminal, negative output terminal, negative input terminal order; The order of the positive input terminal, the negative output terminal, the positive output terminal, and the negative input terminal may be used. In other words, the arrangement of the bonding pads for input and output of the differential amplifier circuit may be linearly symmetrical.

또한, 발진회로를 구성하는 차동증폭회로의 입출력의 본딩패드를 제외한 그 밖의 본딩패드의 수나 배치는 필요에 따라 변화시키면 좋다.The number and arrangement of the bonding pads other than the bonding pads of the input / output of the differential amplifier circuit constituting the oscillation circuit may be changed as necessary.

예를들면 제15도에 나타낸 것처럼 차동증폭회로(102)의 입출력간에 탄성 표면파 소자(101)를 접속함으로서 발진회로를 구성하고, 그 발진 출력을 차동증폭회로(102)와 동일한 집적 회로내에 형성된 불균형 출력의 증폭회로(105)로 증폭해서 출력하는 회로 구성의 경우에는 출력 단자는 하나로 좋다.For example, as shown in FIG. 15, an oscillation circuit is formed by connecting the surface acoustic wave elements 101 between inputs and outputs of the differential amplifier circuit 102, and the oscillation output is imbalanced in the same integrated circuit as the differential amplifier circuit 102. In the case of a circuit structure in which the output is amplified by the amplifying circuit 105, the output terminal is one.

따라서 제14도의 실시에에 비해 본딩 패드 및 리드핀을 줄일 수 있도록 하기 위해 제16도에 나타낸 구성으로 된다.Therefore, in order to reduce the bonding pads and lead pins compared with the embodiment of FIG. 14, the configuration shown in FIG.

이 경우에도 차동증폭회로의 입출력의 본딩 패드(123)(121)(122)(124)의 배열 및 본딩 와이어(193)(191)(192)(194)의 배치나 길이가 탄성 표면파 소자의 중심선(110)을 기준으로 해서 선대칭으로 되기 때문에 제14도의 실시예와 같은 효과가 얻어진다.Even in this case, the arrangement of the bonding pads 123, 121, 122, 124 and the arrangement or length of the bonding wires 193, 191, 192, 194 of the input / output of the differential amplification circuit are the centerlines of the surface acoustic wave elements. Since it becomes line symmetry based on (110), the same effect as the embodiment of FIG. 14 is obtained.

이상 설명한 것처럼 제3의 발명은 발진호로를 구성하는 차동증폭기의 입출력의 본딩 패드를 선대칭으로 배치하는 것을 특징으로 하므로 이상과 같은 효과가 얻어진다.As described above, the third invention is characterized in that the bonding pads of the input / output of the differential amplifier constituting the oscillation arc are arranged in line symmetry, and thus the above effects are obtained.

이사 제1, 제2, 제3의 발명에 대해 설명했다.The first, second, and third inventions of the director were described.

그러나 본 출원인은 복수의 발진기가 내장된 디바이스에 있어서는 발진기간의 상호 간섭이 무시할 수 없는 것을 확인했다.However, the Applicant has confirmed that mutual interference in the oscillation period cannot be ignored in a device having a plurality of oscillators.

그래서 제4의 발명을 했다.So, 4th invention was made.

다음에 제4의 발명에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.Next, a fourth invention will be described with reference to the drawings.

제17도는 제4의 발명의 한 실시예를 나타낸 구성으로, 도면에서 직접회로소자(201)에 형성된 2개의 발진회로와 탄성 표면파 소자(206)에 형성된 2개의 탄성 표면파 소자(206)에 형성된 2개의 탄성 표면파 공진자는 각각 본딩 와이어(204)(205)는 전기적을 접속된다.FIG. 17 is a diagram showing an embodiment of the fourth invention, in which two oscillation circuits formed in the integrated circuit element 201 and two surface acoustic wave elements 206 formed in the surface acoustic wave element 206 are shown in FIG. The four surface acoustic wave resonators are electrically connected to the bonding wires 204 and 205, respectively.

본딩 와이어(204)(205)는 각각 집적회로 소자에 포함하는 두 개의 발진회로의 탄성 표면과 공진자와의 접속 단자에 상당하다.The bonding wires 204 and 205 correspond to the resilient surfaces of the two oscillation circuits and the connection terminals with the resonators, respectively, included in the integrated circuit elements.

두 개의 발진회로에 대응하는 본딩 와이어(204)(205)에는 각각의 발진 주파수의 고주파 전류가 흐른다.Bonding wires 204 and 205 corresponding to the two oscillation circuits flow a high frequency current of each oscillation frequency.

이때 본딩 와이어(204)(205)의 근방에는 유도자계가 발생한다.At this time, an induction magnetic field is generated near the bonding wires 204 and 205.

그러나, 제17도의 실시예에 따르면 본딩 와이어(204)(205)는 서로 직각으로 배치되어 있고 각각의 유도자계는 직교하기 때문에 상대측의 본딩 와이어에 유도기전력을 발생하지 않는다.However, according to the embodiment of FIG. 17, since the bonding wires 204 and 205 are arranged at right angles to each other and each induction magnetic field is orthogonal, no induced electromotive force is generated in the bonding wires on the opposite side.

따라서 본딩 와이어(204)(205)를 통한 발진회로간의 상호 간섭을 극소화 할 수 있다.Therefore, the mutual interference between the oscillation circuits through the bonding wires 204 and 205 can be minimized.

때문에 두 개의 발진회로의 발진 주파수가 다른 경우에도 인입발진을 방지할 수 있고, 혼 변조에 의한 발진 스팩트럴의 스퓨리어스의 발생을 줄일 수 있다.Therefore, even when the oscillation frequencies of the two oscillation circuits are different, the incoming oscillation can be prevented and the generation of the spurious of the oscillation spectral due to the horn modulation can be reduced.

또 발명자들의 실험에 따르면 본딩 패드(210)의 중심점과 본딩 패드(202)의 중심점을 맺는 본딩 와이어(204)(의 연장선)와 본딩 패드(220)의 중심점과 본딩 패드(203)의 중심점을 맺는 직선인 본딩 와이어(205)(의 연장선)의 중심점을 맺는 직선인 본딩 와이어(205)(의 연장선)와의 이루는 각도는 완전한 직각이 아니라도 대략 45도에서 135도의 사이이면, 0도 즉 평행의 경우에 비해 발진기간의 상호 간섭을 충분히 작게 할 수 있다.Further, according to the experiments of the inventors, the bonding wire 204 (an extension line) forming the center point of the bonding pad 210 and the center of the bonding pad 202 and the center point of the bonding pad 220 and the center point of the bonding pad 203 are formed. If the angle formed by the straight bonding wire 205 (extension of the extension line) forming the center point of the straight bonding wire 205 (extension of) is between approximately 45 degrees and 135 degrees, if not a perfect right angle, 0 degrees or parallel Compared with each other, the mutual interference of the oscillation period can be made sufficiently small.

제4의 발명은 제17도의 실시예에 한정된 것은 아니고 여러 가지로 변형 실시할 수 있다.The fourth invention is not limited to the embodiment of FIG. 17 and can be modified in various ways.

제17도의 실시예에서는 집적 회로 소자의 탄성 표면파 소자 접속용 본딩 와이어(202)(203)는 일직선상으로 배열하여 이루어지거나 반드시 일직선일 필요는 없고, 예를 들면 제18도에 나타낸 것처럼 본딩 패드(212)(213)가 오목한 모양으로 배치되어 있어서도 본딩 와이어(의 연장)(214)(215)가 서로 직각을 이루도록 배치하면 제4발명의 목적은 달성된다.In the embodiment of FIG. 17, the bonding wires 202 and 203 for connecting the surface acoustic wave elements of the integrated circuit device are not necessarily formed in a straight line or necessarily have a straight line. For example, as shown in FIG. Even if 212 and 213 are arranged in a concave shape, the purpose of the fourth invention is achieved by arranging the bonding wires 214 and 215 to be perpendicular to each other.

또 제17도의 실시예에서는 본딩 패드(202)(203)와 탄성 표면파 공진자(206)의 본딩 패드와 평행이며 동일 피치로 배열되어 있고, 본딩의 생산성의 향상을 도모하고 있으나 반드시 이와 같이 되어 있을 필요는 없고 본딩 와이어(204)(205)가 직교에 가까운 상태면 제4의 반명의 효과가 생기는 것은 명백하다.In the embodiment of FIG. 17, the bonding pads 202 and 203 are parallel to the bonding pads of the surface acoustic wave resonator 206 and are arranged at the same pitch to improve the productivity of the bonding. There is no need, and it is apparent that the fourth half effect occurs when the bonding wires 204 and 205 are close to orthogonal.

또 제17도에서는 두 개의 2포트형 탄성 표면파 공진자 즉 2개의 인터디지털 전극을 갖는 탄성 표면파 공진자를 이용하고 있으나, 인터 디지털 전극이 하나의 1포트형 탄성 표면파 공진자를 이용해도 좋다.In FIG. 17, two two-port surface acoustic wave resonators, that is, surface acoustic wave resonators having two interdigital electrodes, are used. However, the one-port surface acoustic wave resonator may be used for the interdigital electrodes.

또 제19도에 나타낸 것처럼 탄성 표면파 지연선을 이용해서도 제4의 발명의 요지에 어떤 변화는 없다.Also, as shown in FIG. 19, even if the surface acoustic wave delay line is used, there is no change in the gist of the fourth invention.

이 경우 각 탄성 표면파 지연선에는 기판 단면에서의 반사 및 양 지연선간의 탄성 표면파에 의한 간섭을 피하기 위해 탄성 표면파의 감쇄기로서 동작하는 홉음(sound abosorbing)제 (209)등을 설치하는 것이 좋다.In this case, each surface acoustic wave delay line is preferably provided with a sound abosorbing agent 209 or the like which acts as an attenuator of the surface acoustic wave in order to avoid reflection at the cross section of the substrate and interference by surface acoustic waves between both delay lines.

또 이상의 제4의 발명의 각 실시예에서는 동일 기판상에 복수의 탄성 표면파 공진자등이 구성되어 있으나 각각이 독립한 기판상에 구성되어도 제4의 발명의 요지를 이탈하지 않는 것은 명백하다.Moreover, although each surface acoustic wave resonator etc. are comprised on the same board | substrate in each Example of the above 4th invention, it is clear that the summary of 4th invention is not deviated even if each is comprised on the independent board | substrate.

이상 설명한 것처럼, 제4의 발명은 동일의 집적 회로내에 구성된 복수의 발진회로와, 복수의 탄성 표면파 소자를 전기적으로 접속하는 각각의 본딩 와이어를 직교에 가까운 상태로 하는 것을 특징으로 하고 있다.As described above, the fourth aspect of the invention is characterized in that each of the oscillation circuits formed in the same integrated circuit and each of the bonding wires electrically connecting the plurality of surface acoustic wave elements are in a state close to orthogonal.

이에 따라 복수의 발진회로간의 상호 간섭을 극소화 할 수 있다.As a result, the mutual interference between the plurality of oscillation circuits can be minimized.

인입발진을 방지할 수 있고, 혼 변조에 의한 발진스펙트럴의 스퓨리어스의 발생을 줄일 수 있다.It is possible to prevent the incoming oscillation and to reduce the generation of the spurious of the oscillation spectrum due to the horn modulation.

그러나, 발진기가 복수이면 본딩 와이어 사이에 있어서도 정전 유도가 생길 위험성이 크다.However, when there are a plurality of oscillators, there is a high risk of electrostatic induction even between bonding wires.

이때 잡음, 혼 변조등이 생긴다.Noise, horn modulation, etc. occur at this time.

이것을 방지하기 위해서는 본딩 와이어 사이의 간격을 크게 할 필요가 있다.In order to prevent this, it is necessary to enlarge the space | interval between bonding wires.

그리고 본딩 와이어 간격을 크게 하면 장치가 대형화되어 버리고 집적회로와 탄성 표면파 소자를 같은 패키지 내에 장착하여 소형화 하는 목적을 달성할 수없게 된다.If the bonding wire spacing is increased, the device becomes large and the purpose of miniaturization by mounting the integrated circuit and the surface acoustic wave element in the same package cannot be achieved.

그래서 본 출원인은 이점을 감안해서 제5의 발명을 했다.The present applicant has thus made the fifth invention in view of the advantages.

다음에, 제5의 발명에 대해 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.Next, the fifth invention will be described in detail with reference to the drawings.

제20도 및 제21도는 제5도의 발명의 한 실시예에 관한 것으로, 디지털 변조신호에 다라 발진 주파수가 다른 2개의 발진기의 출력 신호를 바꾸어 FSK(frequency shift keying)변조를 행하는 FSK변조기를 나타내는 것이다.20 and 21 show an embodiment of the invention of FIG. 5, which shows an FSK modulator that performs frequency shift keying (FSK) modulation by changing output signals of two oscillators having different oscillation frequencies according to digital modulation signals. .

제20도는 회로 구성을 나타내고 제21도는 모식적인 구조도를 나타낸 것이다. 집적 회로 소자(401)상에 발진 주파수(f2)를 갖는 제2의 발진회로(403)가 형성되어 있다.20 shows a circuit configuration and FIG. 21 shows a schematic structural diagram. A second oscillation circuit 403 having an oscillation frequency f 2 is formed on the integrated circuit element 401.

각각의 발진회로는 증폭기(404)(405)로 구성되어 있고, 증폭기(404)(405)의 입출력 전극은 압전성 기판(406)상에 형성된 다른 공진 주파수의 탄성 표면파 소자(410)(411)에 전기적으로 접속되어 있다.Each oscillation circuit is composed of amplifiers 404 and 405, and the input / output electrodes of the amplifiers 404 and 405 are connected to surface acoustic wave elements 410 and 411 of different resonant frequencies formed on the piezoelectric substrate 406. It is electrically connected.

두 개의 탄성 표면파 소자는 동일 압전기판상에 만들어져도 좋고, 또 두 개의 압전기판에 분할해서 각각 만들어 져도 좋다.Two surface acoustic wave elements may be made on the same piezoelectric plate, or may be made separately on two piezoelectric plates.

본 실시예에서는 탄성 표면파 소자로서 1포트형 공진자를 이용하고 있다.In this embodiment, a one-port resonator is used as the surface acoustic wave element.

이 두 개의 탄성 표면파 공진자(410)(411)가 각각 발진회로(420)(403)의 발진원으로 되기 위해 다른 발진주파수(f1)(f2)를 설정할 수 있다.The two surface acoustic wave resonators 410 and 411 may set different oscillation frequencies f 1 and f 2 to become oscillation sources of the oscillation circuits 420 and 403, respectively.

두 개의 발진회로의 출력 신호는 같은 IC기판(401)상에 형성된 변환 회로(406)의 출력 신호는 ″407″로부터 출력된다.The output signals of the two oscillation circuits are output from the ″ 407 ″ output signal of the conversion circuit 406 formed on the same IC substrate 401.

전술한 각 회로(402)(403)(406)에는 도시를 생략한 전원 단자에서 전원이 공급되어 있다.Each of the circuits 402, 403, 406 described above is supplied with power from a power supply terminal (not shown).

이상과 같은 구성을 함으로서 변조 입력단자(408)에서 입력되는 디지털 변조 신호에 따라 발진회로(402)(403)의 출력신호 즉 주파수(f0)(f2)의 신호의 어느 것이 변환회로(406)에 의해 선택되어 출력단자(407)에서 출력된다.By the above configuration, any of the output signals of the oscillation circuits 402 and 403, that is, the signals of the frequency f 0 and f 2 , is converted according to the digital modulation signal input from the modulation input terminal 408. ) Is outputted from the output terminal 407.

즉 FSK 변조가 행해진다.That is, FSK modulation is performed.

그런데 발진회로를 구성하는 증폭기(404)(405)와 탄성 표면파 소자(410)(411)를 전기적으로 접속할 때, 제21도에 나타낸 것처럼 집적회로(401)의바깥둘레에 본딩 패드(404-1), (404-2), (405-1), (405-2)를 형성하여 본딩 와이어(420)(421)를 이용해서 탄성 표면파 소자(410)(411)의 본딩 패드(420-1)(420-2)(421-1)(421-2)를 접속하는 것이 보통이다.However, when the amplifiers 404 and 405 constituting the oscillation circuit are electrically connected to the surface acoustic wave elements 410 and 411, the bonding pads 404-1 are provided on the outer circumference of the integrated circuit 401 as shown in FIG. ), (404-2), (405-1), and (405-2) to form the bonding pads (420-1) of the surface acoustic wave elements (410, 411) using the bonding wires (420, 421). It is common to connect 420-2, 421-1 and 421-2.

본 실시예에서는 제1의 증폭기(404)의 출력전극 도출부 즉 본딩 패드(404-2)와 제2의 증폭기(5)의 출력전극 도출부 즉 본딩 패드(405-2)를 서로 인접하는 위치에 배치하고 또 그것을 끼운 위치에 제1의 증폭기의 입력전극 도출부 즉 본딩 패드(404-1)와 제2의 증폭기의 입력 전극 도출부 즉 본딩 패드(405-1)를 배치한다.In the present exemplary embodiment, the output electrode derivation portion of the first amplifier 404, that is, the bonding pad 404-2 and the output electrode derivation portion of the second amplifier 5, that is, the bonding pad 405-2 are adjacent to each other. And the input electrode lead-out portion of the first amplifier, that is, the bonding pad 404-1 and the bond pad 405-1, of the second amplifier.

본 구성에 따르면 본딩 패드(404-2)와 (405-2)는 증폭기의 출력 전극으로 된다.According to this configuration, the bonding pads 404-2 and 405-2 are the output electrodes of the amplifier.

임피던스가 낮은 부분으로 신호레벨도 같은 정도이므로 본딩 패드 및 그것에 접속된 본딩 와이어를 끼운 상호 간섭을 작게 할 수 있다.Since the signal level is the same with the low impedance part, mutual interference between the bonding pads and the bonding wires connected thereto can be reduced.

또 임피던스가 높은 시호레벨의 낮은 입력전극 즉 본딩 패드(404-1), (405-1)를 각각 인접의 발진회로에서 멀리해 놓고 본딩 패드 및 그것에 접속된 본딩 와이어를 통해 인접의 발진회로에서의 전자 유도 또는 정전유도에 의해 신호 레벨의 변동을 극력 억제할 수 있다.In addition, the low impedance electrodes having high signal level, that is, the bonding pads 404-1 and 405-1, are separated from the adjacent oscillating circuits, respectively, and are separated from the adjacent oscillating circuits through the bonding pads and the bonding wires connected thereto. By electromagnetic induction or electrostatic induction, fluctuation in signal level can be suppressed as much as possible.

그리고 이와같은 효과로 FSK변조기로서도 양호한 동작을 행할 수 있다.By this effect, a good operation can be performed also as an FSK modulator.

즉 발진기폭의 상호 간섭을 충분히 작게할 수 있게 하기 위해 출력단자(407)에서 f0의 신호가 출력되어 있는 때에 f1의 신호가 출력되어 있는 때에 f0의 신호가 혼입하거나 하는 좋지 않은 신호의 혼입을 충분히 억제할 수 있다.That is, in order to make the mutual interference of the oscillator width small enough, when the signal of f 0 is output at the output terminal 407, the signal of f 0 is mixed when the signal of f 1 is output. Mixing can be fully suppressed.

제20도 및 제21도의 실시에에 있어서는 탄성 표면파 소자로서 1포트형 탄성 표면파 공진기를 이용한 구성으로 되어 있으나, 같은 효과는 2포트형 탄성 표면파 공진기, 혹은 탄성 표면파 지연선을 이용한 발진회로 구성에서도 발견할 수 있다.20 and 21, a one-port surface acoustic wave resonator is used as the surface acoustic wave element, but the same effect is also found in a two-port surface acoustic wave resonator or an oscillation circuit configuration using the surface acoustic wave delay line. can do.

제22도 및 제23도는 탄성 표면파 소자로서 탄성 표면파 지연선을 이용한 것이고 제20도, 제21도와 같이 FSK변조기를 나타낸 것이다.22 and 23 show surface acoustic wave delay lines as surface acoustic wave elements and show FSK modulators as shown in FIGS. 20 and 21.

제22도는 회로 구성을 나타내고 제23도는 모식적인 구조도를 나타낸 것이다.FIG. 22 shows a circuit configuration and FIG. 23 shows a schematic structural diagram.

두 개의 다른 발진 주파수(f1)(f2)을 발진하는 제1의 발진회로(402) 및 제2의 발진회로(403) 각각의 증폭기(404)(405)의 출력전압 도출부(404-2-A), (404-2-B), (405-2-A), (405-2-B)가 인접하는 위치이고, 4개의 출력전압 도출부를 포함하는 위치에 증폭기(4)의 입력 전극 도출부 즉 본딩 패드(404-1-A),(404-1-B)와, 증폭기(405-의 입력 전극 도출부 즉 본딩 패드(405-1-A), (405-1-B)가 배치되어 있다.Output voltage deriving section 404- of the amplifiers 404 and 405 of each of the first oscillation circuit 402 and the second oscillation circuit 403 oscillating two different oscillation frequencies f 1 and f 2 . 2-A), (404-2-B), (405-2-A), and (405-2-B) are adjacent to each other and the input of the amplifier 4 at a position including four output voltage derivations. The electrode lead-out unit or bonding pads 404-1-A and 404-1-B, and the input electrode lead-out unit of the amplifier 405-, that is, the bonding pads 405-1-A and 405-1-B. Is arranged.

그래서 증폭기(404)의 본딩 패드(404-1-A), (404-1-B), (404-2-A), (404-2-B)는 지연선 (430)의 본딩 패드(404-1-A), (404-1-B), (404-2-A), (404-2-B)에 증폭기(405)의 본딩 패드(405-1-A),(405-1-B), (405-2-A), (405-2-B)는 지연선(440)의 본딩 패드(421-1-A), (421-1-B), (421-2-A), (421-2-B)에 본딩 와이어(420)(421)등에 의해 전기적으로 접속된다.Thus, the bonding pads 404-1-A, 404-1-B, 404-2-A, and 404-2-B of the amplifier 404 are bonded pads 404 of the delay line 430. -1-A), (404-1-B), (404-2-A), and (404-2-B), bonding pads (405-1-A) and (405-1-A) of the amplifier 405. B), (405-2-A), and (405-2-B) denote bonding pads 421-1-A, 421-1-B, and (421-2-A) of the delay line 440. , 421-2-B is electrically connected to each other by bonding wires 420 and 421.

이 경우 각각 증폭기의 입력 전극은 지연성의 입력 인터디지털 전극, 혹은 출력 인터 디지털전극의 한쪽에 접속되고 증폭기의 출력 전극은 지연선의 다른 한쪽의 인터 디지털 전극으로 접속되게 된다.In this case, the input electrodes of the amplifiers are respectively connected to one of the delayed input interdigital electrodes or the output interdigital electrodes, and the output electrodes of the amplifiers are connected to the other interdigital electrodes of the delay lines.

또 ″401″은 집적회로이고, ″406″은 변환 회로, ″408″은 변조 입력단자, ″407″은 출력단자이다."401" is an integrated circuit, "406" is a conversion circuit, "408" is a modulation input terminal, and "407" is an output terminal.

FSK변조기로서의 동작은 제20도 및 제21도의 실시예에서 설명한 것과 같은 효과를 얻고 인접하는 발진회로간의 본딩 와이어를 통한 전자기적 또는 정전적 결합 및 인접하는 발진회로에서의 증폭기 입력 전극에 미치는 신호레벨변동의 영향을 경감할 수 있게 된다.Operation as an FSK modulator achieves the same effects as described in the embodiments of FIGS. 20 and 21, and electromagnetic or electrostatic coupling through bonding wires between adjacent oscillating circuits and signal levels on amplifier input electrodes in adjacent oscillating circuits. The effects of fluctuations can be reduced.

이상 설명한 것처럼, 제5의 발명에 따르면 두 개의 다른 발진주파수를 동시에 발진하는 발진회로에 있어서, 각각의 발진기를 구성하는 증폭기의 출력 전극 도출부를 서로 인접하는 위치에 두고, 그 출력 전극 도출부를 포함한 위치에 증폭기로 입력 전극 도출부를 배치함으로서 본딩 와이어를 통한 두 개의 발진회로사이에 생기는 상호 간섭을 억제하고, 또 신호 레벨이 낮은증폭기 입력측이 인접한 발진회로에 의해 그 신호레벨이 변동하는 것을 경감할 수있다.As described above, according to the fifth aspect of the invention, in the oscillation circuit oscillating two different oscillation frequencies simultaneously, the output electrode deriving portions of the amplifiers constituting each oscillator are placed adjacent to each other, and the position including the output electrode deriving portion By arranging the input electrode derivation part with an amplifier, the mutual interference generated between the two oscillating circuits through the bonding wires can be suppressed, and the signal level of the amplifier input side having the low signal level can be reduced by the adjacent oscillating circuit. .

그에 따라 FSK변조등을 양호하게 행할 수 있다.Thereby, FSK modulation etc. can be performed favorably.

다음에 제6의 발명에 대해 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.Next, the sixth invention will be described in detail with reference to the drawings.

제24도는 제6의 발명의 한 실시에를 나타내는 구성도이다.24 is a configuration diagram showing an embodiment of the sixth invention.

도면에서 패키지의 일부로 되는 스템(601)상에는 압전기판(602)이 장착되어 있다.The piezoelectric plate 602 is mounted on the stem 601 which becomes part of the package in the figure.

압전기판(602)상에는 탄성 표면파 공진자(603) 및 그 접촉단자(604)와 집적회로(605)의 입출력 전극으로 되는 배선 패턴(606)이 형성되어 있다.On the piezoelectric substrate 602, a surface acoustic wave resonator 603 and a wiring pattern 606 serving as an input / output electrode of the contact terminal 604 and the integrated circuit 605 are formed.

그래서 압전기판(602)상에는 발진회로 및 그 접속단자(607)가 구성된 집적회로(605)가 장착되어 있다.Thus, on the piezoelectric substrate 602, an integrated circuit 605 including an oscillation circuit and its connection terminal 607 is mounted.

또 압전기판(602)의 접속단자(604) 및 배선 패턴(606)이 형성된 면과 집적회로(605)의 접속단자(607)가 형성된 면과는 마주보고 있고, 접속단자(604) 및 패턴(606)과 접속단자(607)와는 전기적으로 접속되어 있다.In addition, the surface where the connection terminal 604 and the wiring pattern 606 of the piezoelectric substrate 602 are formed and the surface where the connection terminal 607 of the integrated circuit 605 are formed face each other, and the connection terminal 604 and the pattern ( 606 and connection terminal 607 are electrically connected.

또 배선 패턴(606)과, 스템(601)에 매설된 외부 접속핀(608)과는 본딩 와이어(609)에 의해 전기적으로 접속되어 있다.Moreover, the wiring pattern 606 and the external connection pin 608 embedded in the stem 601 are electrically connected by the bonding wire 609.

외부 접속핀(608)은 발진회로의 전원 단자나 출력단자로 된다.The external connection pins 608 serve as power supply terminals or output terminals of the oscillation circuit.

이상과 같은 구성으로 인하여, 탄성 표면파 공진자(603)와, 집적회로(605)와는 직접접속되기 때문에 본딩 와이어가 불필요하게 된다.Due to the above configuration, since the surface acoustic wave resonator 603 and the integrated circuit 605 are directly connected, the bonding wire is unnecessary.

이 때문에 발진 루프내의 기생 인덕턴스를 극소화 할 수 있음과 동시에 외래 잡음등의 영향도 극소화 할수 있다.This minimizes parasitic inductance in the oscillation loop and minimizes the effects of extraneous noise.

그래서 진동에 의해 탄성 표면파 공진자(603)와, 집적회로(605)와의 배선이 단선될 가능성도 극소화 할 수있다.Therefore, the possibility that the wiring between the surface acoustic wave resonator 603 and the integrated circuit 605 is disconnected by vibration can be minimized.

제6의 발명은 제24도에 나타낸 실시예에 한정되는 것은 아니고 여려가지로 변형해서 실시할 수 있다.The sixth invention is not limited to the embodiment shown in FIG. 24 and can be modified in various ways.

예를 들면 접속단자(604)와 배선 패턴(606)과 접속단자(607)와는 임의로 배치할 수 있다.For example, the connection terminal 604, the wiring pattern 606, and the connection terminal 607 can be arranged arbitrarily.

또 접속단자(604)와 배선 패턴(606)과 접속단자(607)의 수는 필요에 따라 증감할 수 있다.The number of connection terminals 604, wiring patterns 606, and connection terminals 607 can be increased or decreased as necessary.

또 그 형상도 필요에 따라 변형할 수 있다.Moreover, the shape can also be modified as needed.

그리고 발진원으로 되는 탄성 표면파 소자는 탄성 표면파 공진자(603)에 한정되는 것은 아니고 탄성 표면파 지연선등 이라도 물론 성관 없다.The surface acoustic wave element serving as the oscillation source is not limited to the surface acoustic wave resonator 603, and of course, the surface acoustic wave retardation line or the like has no problem.

이상 설명한 것처럼 제6의 발명은 탄성 표면파 소자가 형성된 압전 기판상에 직접회로를 장착한 것을 특징으로 하며, 전술한 것과 같은 효과가 있다.As described above, the sixth invention is characterized in that an integrated circuit is mounted on a piezoelectric substrate on which a surface acoustic wave element is formed, and has the same effect as described above.

이상 본 발명의 여섯 개의 기본 구성에 대해 설명했으나 이들의 기본 구성은 각각으로 독립한 것뿐 아니라 여러 가지로 조합해서 실시할 수있다.Although the six basic configurations of the present invention have been described above, these basic configurations can be implemented in various combinations as well as independent ones.

예를 들면 제1의 발명을 설명한 제1도 및 제2도의 실시에에서는 이미 제2의 발명이 실시되어 있다.For example, in the implementation of FIGS. 1 and 2 in which the first invention has been described, the second invention has already been implemented.

또 제3의 발명을 설명한 제14도 및 제16도의 실시에에서는 이미 제1의 발명과 제2의 발명이 실시되어 있다.In addition, the first invention and the second invention have already been implemented in the implementations of Figs. 14 and 16, which describe the third invention.

또 제4의 발명을 설명한 제17도 내지 제19도의 실시에에서는 이미 제1의 발명과 제2의 발명이 실시되어 있다.In addition, the first invention and the second invention have already been implemented in the implementations of Figs. 17 to 19 in which the fourth invention has been described.

그밖에 제4의 발명을 설명한 제17도 내지 제19도의 실시에에 있어서 집적회로 소자(201)(211)내의 각 발진회로를 구성하는 증폭 회로를 차동 증폭 회로로 하면 각각 발진기에 대해 제3의 발명을 실시할 수 있다.In addition, in the implementations of FIGS. 17 to 19 illustrating the fourth invention, when the amplifier circuits constituting the respective oscillator circuits in the integrated circuit elements 201 and 211 are differential amplifier circuits, the third invention can be applied to the oscillator. Can be carried out.

또 제5의 발명을 설명한 제21도와 제23도의 실시에에 대해 제4의 발명을 실시할 수도 있다.Moreover, 4th invention can also be implemented about implementation of FIG. 21 and FIG. 23 which demonstrated 5th invention.

예를 들면 제4의 발명과 제5의 발명을 조합한 경우의 구성도를 제25도에 나타낸다.For example, the structure diagram at the time of combining 4th invention and 5th invention is shown in FIG.

제25도에 있어서 집적회로(401)는 제23도의 실시에와 같은 구성으로 되어 있고, 제1의 발진회로(402)를 구성하는 증폭기(404)의 출력 전극 즉 본딩 패드(404-2-A)(404-2-B)와, 제2의 발진회로(403)를 구성하는 증폭기(405-2-A)(405-2-B)가 인접하는 위치이고, 4개의 본딩 패드를 포함한 위치에 증폭기(404)의 입력전극 즉 본딩 패드(404-1-A)(404-1-B)와, 증폭기(405)의 입력전극 즉 본딩 패드(405-1-A),(405-1-B)가 배치되어 있다.In FIG. 25, the integrated circuit 401 has the same configuration as in the embodiment of FIG. 23, and the output electrode of the amplifier 404 constituting the first oscillation circuit 402, that is, the bonding pad 404-2-A. 404-2-B and the amplifiers 405-2-A and 405-2-B constituting the second oscillation circuit 403 are adjacent to each other and include four bonding pads. Input electrodes of the amplifier 404, that is, bonding pads 404-1-A and 404-1-B, and input electrodes of the amplifier 405, that is, bonding pads 405-1-A and 405-1-B. ) Is arranged.

또한 탄성 표면파 공진자(216)에는 제17도, 제18도의 실시에와 같이 두 개의 탄성 표면파 공진자가 형성되어 있다.In addition, two surface acoustic wave resonators are formed in the surface acoustic wave resonator 216 as shown in FIGS. 17 and 18.

그래서 증폭 회로에 의해 구성된 집적회로(401)내의 두 개의 발진회로와, 그 두 개의 탄성 표면파 공진자와는 서로 직교해서 배치된 2조의 본딩 와이어(214)와 (215)로 접속되어 있다.Thus, the two oscillation circuits in the integrated circuit 401 constituted by the amplifying circuit and the two surface acoustic wave resonators are connected by two sets of bonding wires 214 and 215 disposed orthogonally to each other.

이와같은 구성으로 이루어지므로, 제4의 발명과 제5의 발명 양쪽의 효과가 얻어지고, 제4의 발명 또는 제5의 발명을 단독으로 실시한 경우에 비해서 두 개의 발진회로간의 상호 간섭을 보다 작게하 수 있다.With such a configuration, the effects of both the fourth invention and the fifth invention can be obtained, and the mutual interference between the two oscillation circuits can be made smaller than that of the fourth invention or the fifth invention alone. Can be.

이상 설명한 이외에 제6의 발명에 대해서도 그 밖의 발명과의 조합이 가능하다.In addition to the above description, the sixth invention can be combined with other inventions.

제6의 발명을 설명한 제24도에는 이미 제1의발명과 제2의 발명이 이용되고 있으나, 제6의 발명에는 이밖에 제3, 제5의 발명을 조합할 수 있다.Although the first invention and the second invention are already used in FIG. 24 for explaining the sixth invention, the third and fifth inventions can be combined with the sixth invention.

이상 설명한 이외에도 몇가지 조합이 생각된다.In addition to the above description, some combinations are conceivable.

이와같이 본 발명의 여섯 개의 기본 구성에 몇 개를 조합함으로서 각 기본 구성에 의한 효과가 가산되기 때문에 보다 높은 효과가 얻어진다.Thus, by combining several of the six basic configurations of the present invention, the effect of each basic configuration is added, so that a higher effect is obtained.

본 발명은 이상 설명한 실시예, 변형예에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 변형하여 실시할 수 있다.This invention is not limited to the Example and modification which were demonstrated above, It can deform and implement in the range which does not deviate from the summary.

전술한 제1 및 제2의 기본구성을 취함으로서 집적회로 소자와 탄성 표면파 소자를 전기적으로 접속하여 본딩 와이어의 길이를 충분히 짧게 할 수 있다.By taking the first and second basic configurations described above, the length of the bonding wire can be shortened sufficiently by electrically connecting the integrated circuit element and the surface acoustic wave element.

따라서, 기생 인덕턴스를 작게 할 수 있으면서, 전자유도의 영향을 작게 할 수 있고, 발진 동작을 안정하게 할 수 있다.Therefore, while the parasitic inductance can be made small, the influence of the electromagnetic induction can be made small, and the oscillation operation can be stabilized.

그래서 본딩 와이어가 절단 되거나 이탈하는 가능성을 극소화 할 수 있다.This minimizes the possibility of the bonding wires being cut or broken off.

또 제6의 기본 구성을 취함으로서 제1 및 제2의 기본 구성보다 더욱 높은 전술한 효과가 얻어진다.In addition, by taking the sixth basic configuration, the above-described effects higher than those of the first and second basic configurations can be obtained.

또 발진회로를 차동 증폭 회로로 구성한 경우에는 제3의 기본 구성을 취함으로서 회로를 이상적인 차동 회로로서 동작시킬 수 있다.In the case where the oscillation circuit is constituted by the differential amplifier circuit, the circuit can be operated as an ideal differential circuit by taking the third basic configuration.

따라서, 전원 라인에서의 접음이나 전자 유도의 영향을 작게 할 수 있고 발진 동작을 안정하게 할 수 있다.Therefore, the influence of folding and electromagnetic induction on the power supply line can be reduced and the oscillation operation can be stabilized.

또 복수의 발진기를 내장한 경우에는 제4도 및 제5도의 기본 구성을 취함으로서 본딩 와이어를 통한 발진기간의 상호 간섭을 극히 작게 할 수 있다.In the case where a plurality of oscillators are incorporated, the basic configuration of FIGS. 4 and 5 can be taken to make the mutual interference of the oscillation period through the bonding wire extremely small.

따라서 혼 변조를 작게 할 수 있고 인입 발진을 방지할 수 있다.Therefore, the horn modulation can be made small and the incoming oscillation can be prevented.

Claims (7)

외각용기내에 배치되고 또 증폭 작용을 갖는 집적회로(8)와, 이 집적회로와 동일한 전술한 외각용기내에 배치되고 또 전술한 집적회로(8)에 전기적으로 접속된 탄성 표면파 소자(20)로 구성된 발진기에 있어서, 전술한 탄성 표면파 소자(20)의 본딩 패드(2)는 전술한 집적회로(8)의 본딩 패드(9)에 대향하도록 전술한 탄성 표면파 소자(20)를 구성하는 압전 기판(1)상의 한변에 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 발진기.An integrated circuit 8 disposed in the outer container and having an amplifying action, and a surface acoustic wave element 20 disposed in the same outer container as the integrated circuit and electrically connected to the integrated circuit 8 described above. In the oscillator, the above-described bonding pads 2 of the surface acoustic wave elements 20 constitute the piezoelectric substrate 1 constituting the aforementioned surface acoustic wave elements 20 so as to face the bonding pads 9 of the integrated circuit 8 described above. An oscillator, characterized in that arranged on one side of the). 외각용기내에 배치된 집적회로(302)와, 이 집적회로와 동일한 전술한 외각용기내에 배치되고 또 전술한 집적회로(302)와 전기적으로 접속된 전술한 집적회로(302)의 본딩 패드(305)의 반수 이상을 전술한 탄성 표면파 소자(303)의 탄성 표면파 전달 방향으로 배열한 것을 특징으로 하는 발진기.Bonding pads 305 of the integrated circuit 302 disposed in the outer container and the aforementioned integrated circuit 302 disposed in the same outer container as the integrated circuit and electrically connected to the integrated circuit 302 described above. An oscillator characterized in that at least half of the array is arranged in the surface acoustic wave transmission direction of the surface acoustic wave element 303 described above. 외각용기내에 배치되고 또 차동 증폭기(102)로 구성된 집적회로(108)와, 이 집적회로와 동일한 전술한 외각용기내에 배치되고 전술한 집적회로(108)에 전기적으로 접속된 탄성 표면파 소자(101)로 구성된 발진기에 있어서, 전술한 차동 증폭기(102)와 전술한 탄성 표면파 소자(101)를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어(191, 192, 193, 194)으 배치가 선대칭적인 것을 특징으로 하는 발진기.An integrated circuit 108 disposed in an outer container and composed of a differential amplifier 102, and a surface acoustic wave element 101 disposed in the same outer container as the integrated circuit and electrically connected to the integrated circuit 108 described above. An oscillator characterized in that the arrangement of bonding wires (191, 192, 193, 194) for electrically connecting the aforementioned differential amplifier (102) and the aforementioned surface acoustic wave element (101) is linearly symmetrical. 복수의 발진회로로 구성된 집적회로(201, 211)와, 이 빌잔회로와 전기적으로 접속된 복수의 탄성 표면파 소자(206, 216)로 구성되어 이루어지는 복수의 발진기가 동일한 외각용기내에 배치되어 이루어지는 발진기에 있어서, 전술한 발진회로의 본딩 패드(202, 203, 212, 223)와 전술한 탄성 표면파 소자의 본딩 패드(210, 220)를 전기적으로 접속하고, 전술한 발진기를 구성하는 각 발진기에 대응하는 본딩 와이어(204, 205, 214, 215)의 상호의 각도는 45도이상 135도 이하인 것을 특징으로 하는 발진기.An oscillator comprising an integrated circuit 201, 211 composed of a plurality of oscillation circuits, and a plurality of oscillators composed of a plurality of surface acoustic wave elements 206, 216 electrically connected to the bilzan circuit are arranged in the same outer container. In this case, the bonding pads 202, 203, 212, and 223 of the oscillation circuit described above and the bonding pads 210 and 220 of the surface acoustic wave element are electrically connected to each other, and the bonding corresponding to each oscillator constituting the oscillator described above. An oscillator, wherein the mutual angles of the wires 204, 205, 214, and 215 are 45 degrees or more and 135 degrees or less. 동일 반도체 기체상에 제1의 발질회로(402)와 제2의 발진회로(403)를 갖춘 반도체 집적회로(401)와, 이 반도체 집적회로와 동일한 외각용기내에 배치되어 전술한 제1의 발진회로(402)에 전기적으로 접속된 제1의 탄성 표면파 소자(410)와 전술한 제2의 발진회로(403)에 전기적으로 접속된 제2의 탄성 표면파 소자(411)를 갖추고, 전술한 제1의 발진회로(402)를 구성하는 제1의 증폭기(404)의 출력 전극 도출부(404-2, 404-2-A, 404-2-B)와 전술한 제2의 발진회로(403)를 구성하는 제2의 증폭기(405)의 출력 전극 도출부(405-2, 405-2-A, 405-2-B)를 포함하는 위치에 전술한 제1의 증폭기(404)의 입력전극 도출부(404-1, 404-1-A, 404-1-B)와 전술한 제2의 증폭기(405)의 입력전국 도출부(405-1, 405-1-A, 405-1-B)를 배치한 것을 특징으로 하는 발진기.A semiconductor integrated circuit 401 having a first oscillation circuit 402 and a second oscillation circuit 403 on the same semiconductor base, and the first oscillation circuit described above disposed in the same outer container as the semiconductor integrated circuit. A first surface acoustic wave element 410 electrically connected to 402 and a second surface acoustic wave element 411 electrically connected to the second oscillation circuit 403 described above, The output electrode deriving parts 404-2, 404-2-A, 404-2-B of the first amplifier 404 constituting the oscillating circuit 402 and the above-described second oscillating circuit 403 are constituted. The input electrode deriving portion of the first amplifier 404 described above at a position including the output electrode deriving portions 405-2, 405-2-A, and 405-2-B of the second amplifier 405 404-1, 404-1-A, 404-1-B) and the input power generation unit 405-1, 405-1-A, 405-1-B of the second amplifier 405 described above An oscillator characterized in that. 발진회로가 구성된 집적회로 기판(605)과, 이 집적회로 기판상에 배치된 전극(607)과, 탄성 표면파 소자(603)가 구성된 압전 기판(602)과, 이 압전 기판(602)상에 배치된 전극(604, 606)을 갖추고, 전술한 집적회로기판(605)의 전극(607)과 전술한 압전기판(602)의 전극(604, 606)은 집적 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 발진기.An integrated circuit board 605 having an oscillation circuit, an electrode 607 disposed on the integrated circuit board, a piezoelectric substrate 602 having a surface acoustic wave element 603, and a piezoelectric substrate 602 disposed thereon. And an electrode (604, 606) of the aforementioned integrated circuit board (605) and an electrode (604, 606) of the piezoelectric board (602) described above. 동일 반도체기체상에 제1의 발진회로(402)와 제2의 발진회로(403)를 갖춘 반도체 집적회로(401)와, 이 반도체 집적회로와 동일한 외각용기내에 배치되어 전술한 제1의 발진회로(402)에 전기적으로 접속된 제1의 탄성 표면파 소자(410, 430)와, 전술한 제2의 발진회로(403)에 전기적으로 접속된 제2의 탄성 표면파소자(411, 440)를 갖추고, 전술한 제1의 발진회로(402)를 구성하는 제1의 증폭기(404)의 출력 전극 도출부(404-2, 404-2-A, 404-2-B)와, 전술한 제2의 발진회로(403)를 구성하는 제2의 증폭기(405)의 출력 전극 도출부(405-2, 405-2-A, 405-2-B)를 포함하는 위치에 전술한 제1의 증폭기의 입력 전극도출부와 전술한 제2의 증폭기의 입력 전극 도출부를 배치하고, 또 전술한 제1의 탄성 표면파 소자(410,430)의 본딩 패드(420-2, 420-2-A, 420-2-B)와 전술한 제1의 증폭기(404)의 출력 전극 도출부(404-2, 404-2-A, 404-2-B)를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어(215)는 전술한 제2의 탄성 표면파 소자(411)의 본딩 패드(421-2, 421-2-A, 421-2-B)와 전술한 제2의 증폭기(405)의 출력전극 도출부(405-2, 405-2-A, 405-2-B)를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어(214)와 45도이상 135도 이하의 각도를 이루는 것을 특징으로 하는 발진기.A semiconductor integrated circuit 401 having a first oscillating circuit 402 and a second oscillating circuit 403 on the same semiconductor substrate, and the first oscillating circuit described above disposed in the same outer container as the semiconductor integrated circuit. First surface acoustic wave elements 410 and 430 electrically connected to 402, and second surface acoustic wave elements 411 and 440 electrically connected to the second oscillation circuit 403 described above, Output electrode deriving parts 404-2, 404-2-A, 404-2-B of the first amplifier 404 constituting the first oscillation circuit 402 described above, and the second oscillation described above. The input electrode of the first amplifier described above at a position including the output electrode deriving portions 405-2, 405-2-A, and 405-2-B of the second amplifier 405 constituting the circuit 403. The lead portion and the input electrode lead portion of the second amplifier described above are disposed, and the bonding pads 420-2, 420-2-A, 420-2-B of the first surface acoustic wave elements 410, 430 described above; Deriving the output electrode of the first amplifier 404 described above The bonding wires 215 for electrically connecting the 404-2, 404-2-A, and 404-2-B are the bonding pads 421-2 and 421-2 of the second surface acoustic wave element 411 described above. Bonding wire 214 for electrically connecting -A, 421-2-B and the output electrode deriving portions 405-2, 405-2-A, 405-2-B of the second amplifier 405 described above. Oscillator characterized in that the () and 45 degrees to 135 degrees.
KR1019900001939A 1989-02-17 1990-02-17 oscillator Expired - Lifetime KR940000429B1 (en)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP??01-036076? 1989-02-17
JP3607689 1989-02-17
JP??01-041685? 1989-02-17
JP??01-036076 1989-02-17
JP??01-041685 1989-02-23
JP4168589 1989-02-23
JP??01-281705? 1989-10-31
JP??01-281705 1989-10-31
JP1281705A JP2930989B2 (en) 1989-02-17 1989-10-31 Oscillator

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900013702A KR900013702A (en) 1990-09-06
KR940000429B1 true KR940000429B1 (en) 1994-01-20

Family

ID=26375104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900001939A Expired - Lifetime KR940000429B1 (en) 1989-02-17 1990-02-17 oscillator

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2930989B2 (en)
KR (1) KR940000429B1 (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007228329A (en) * 2006-02-24 2007-09-06 Seiko Epson Corp Surface acoustic wave device
JP2007228328A (en) * 2006-02-24 2007-09-06 Seiko Epson Corp Surface acoustic wave device
JP2008228347A (en) * 2008-05-26 2008-09-25 Renesas Technology Corp High-frequency power amplifier module
JP6019610B2 (en) * 2012-02-23 2016-11-02 セイコーエプソン株式会社 SAW oscillator and electronic device
JP6606970B2 (en) * 2015-10-26 2019-11-20 セイコーエプソン株式会社 OSCILLATOR CIRCUIT, OSCILLATION MODULE, ELECTRONIC DEVICE, AND MOBILE BODY
US10547274B2 (en) 2015-10-26 2020-01-28 Seiko Epson Corporation Oscillation module, electronic device, and moving object

Also Published As

Publication number Publication date
KR900013702A (en) 1990-09-06
JP2930989B2 (en) 1999-08-09
JPH02290308A (en) 1990-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7095161B2 (en) Piezoelectric resonator
US7283016B2 (en) Balanced acoustic wave filter and acoustic wave filter
US6150904A (en) Surface acoustic wave filter having reference potential package electrode lands which are electrically isolated
US5029267A (en) Oscillator
US7304377B2 (en) Package substrate, integrated circuit apparatus, substrate unit, surface acoustic wave apparatus, and circuit device
US20030058066A1 (en) Surface acoustic wave filter device
CN110875722B (en) High frequency amplifier
KR940000429B1 (en) oscillator
US11881840B2 (en) Radio-frequency module and communication device
US20040075513A1 (en) Elastic surface wave apparatus
JP3983456B2 (en) Multilayer board module
JPH11330298A (en) Package provided with signal terminal and electronic device using the package
JP4102043B2 (en) Module for optical communication
JP3895397B2 (en) Substrate mounting method of SAW filter
JP3885270B2 (en) Filter mounted multilayer board
JP7361343B2 (en) module
JPH02291140A (en) Ultrahigh-frequency band mounting structure
JPH0611618Y2 (en) High frequency oscillator
JP3833426B2 (en) High frequency wiring board
JP2005064868A (en) SAW oscillator
JP3752290B2 (en) High frequency package
JP2003101382A (en) Surface acoustic wave apparatus
JP6019610B2 (en) SAW oscillator and electronic device
JPH09186550A (en) Chip installation table, package using the same, and elastic wave filter device
JPH01190104A (en) High frequency oscillator

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19900217

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19900217

Comment text: Request for Examination of Application

PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 19930726

Patent event code: PE09021S01D

G160 Decision to publish patent application
PG1605 Publication of application before grant of patent

Comment text: Decision on Publication of Application

Patent event code: PG16051S01I

Patent event date: 19931228

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 19940408

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 19940530

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 19940530

End annual number: 3

Start annual number: 1

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19961223

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19971222

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19981223

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19991223

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20001228

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20011231

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20021231

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20031231

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20050103

Start annual number: 12

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060102

Start annual number: 13

End annual number: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20061229

Start annual number: 14

End annual number: 14

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080102

Start annual number: 15

End annual number: 15

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090109

Start annual number: 16

End annual number: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20091229

Year of fee payment: 17

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20091229

Start annual number: 17

End annual number: 17

EXPY Expiration of term
PC1801 Expiration of term