Claims (6)
기판(1) 위에 게이트전극(2)과 게이트 절연막(3')이 형성되고 그 게이트전극(2)을 제외한 영역의 상기 기판(1) 위에 상기 게이트 절연막(3')와 동일한 두께의 양극산화막(3)이 형성되며, 그 양극산화막(3)과 게이트 절연막(3') 위에 절연층(4)과 패턴을 형성한 비정질 실리콘층(5)과 화소전극(6)이 형성되고 그 위에 소스/드레인 전극(7)이 형성되며 그 소스/드레인 전극(7) 위에 보호막(10)이 구비된 구조의 액정표시소자.A gate electrode 2 and a gate insulating film 3 ′ are formed on the substrate 1, and an anodized film having the same thickness as the gate insulating film 3 ′ is formed on the substrate 1 in a region excluding the gate electrode 2. 3), an amorphous silicon layer 5 and a pixel electrode 6 having an insulating layer 4 and a pattern formed thereon are formed on the anodization film 3 and the gate insulating film 3 ', and the source / drain is formed thereon. A liquid crystal display device having a structure in which an electrode (7) is formed and a protective film (10) is provided on the source / drain electrode (7).
제1항에 있어서, 절연층(4)은 수평구조를 갖는 액정표시소자.The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the insulating layer (4) has a horizontal structure.
기판(1) 위에 게이트전극(2)과 게이트 절연막(3')이 형성되고 그 게이트전극(2)을 제외한 부분의 기판(1) 위에 기판보호 절연층(11)이 형성되며, 상기 게이트 절연막(3')과 기판보호 절연층(11) 위에 절연층(4)과 패턴을 형성한 비정질 실리콘층(5)과 화소전극(6)이 형성되고 그 위에 소스/드레인 전극(7)과 보호막(10)이 구비된 구조의 액정표시소자.A gate electrode 2 and a gate insulating film 3 ′ are formed on the substrate 1, and a substrate protective insulating layer 11 is formed on the substrate 1 except for the gate electrode 2. 3 ') and the amorphous silicon layer 5 and the pixel electrode 6 having the insulating layer 4 and the pattern formed thereon are formed on the substrate protective insulating layer 11 and the source / drain electrode 7 and the protective film 10 thereon. ) Is provided with a liquid crystal display device.
기판(1) 위에 게이트전극(2)을 증착 후 패턴을 형성하고 그 게이트전극(2) 위에 금속층(8)을 증착 후 산화하여 양극산화막(3)을 형성한 다음 그 양측산화막(3)을 포토레지스터(9)로 선택적 식각하여 상기 게이트전극(2) 상부를 노출시킨 후 그 포토레지스터(9)를 제거한 다음 게이트전극(2)을 일부 산화하여 게이트 절연막(3')을 형성하고 이후 절연층(4)과 비정질 실리콘층(5)을 연속 증착 후 그 비정질 실리콘층(5)을 선택적 식각으로 패턴을 형성하고 화소부위가 될 상기 절연층(5)과 화소전극(6) 위에 소스/드레인 전극(7)을 증착 후 패턴을 형성한 다음 보호막(10)을 증착하여 제조하는 액정표시소자 제조방법.After depositing the gate electrode 2 on the substrate 1 to form a pattern, the metal layer 8 is deposited on the gate electrode 2 and then oxidized to form an anodized film 3 and then the both side oxide film 3 Selective etching with a resistor 9 exposes the upper portion of the gate electrode 2, then removes the photoresist 9, and then partially oxidizes the gate electrode 2 to form a gate insulating film 3 ′, and then an insulating layer ( 4) After the continuous deposition of the amorphous silicon layer (5) and the amorphous silicon layer (5) to form a pattern by selective etching and the source / drain electrode on the insulating layer (5) and the pixel electrode (6) to be a pixel region ( 7) A method of manufacturing a liquid crystal display device by forming a pattern after deposition and then depositing a protective film (10).
제4항에 있어서, 금속층(8)은 금속(Al, Ta, Nb, Ti, Hf, Si, V)과 그 합금으로 제조하는 액정표시소자 제조방법.5. A method according to claim 4, wherein the metal layer (8) is made of metal (Al, Ta, Nb, Ti, Hf, Si, V) and alloys thereof.
제4항에 있어서, 포토레지스터(9) 페턴시 상기 게이트전극(2)을 마스크로 사용한 자기정합빔으로 제조하는 액정표시소자 제조방법.5. A method according to claim 4, wherein a photoresist (9) pattern is fabricated from a self-aligned beam using the gate electrode (2) as a mask.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.