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KR930001273A - 마스크 및 이를 사용한 전하 입자 비임 노광 방법 - Google Patents

마스크 및 이를 사용한 전하 입자 비임 노광 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

마스크 및 이를 사용한 전하 입자 비임 노광 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 및 제2b도는 투과마스크 및, 투과마스크의 군영역을 도시한 평면도.
제3a도 내지 제3d도는 여러가지 형상들을 형성하는데 이용되는 투과홀 위에 장방형 단면을 갖는 비임을 방사시킴으로써 퇴적 패턴에 해당하는 소정의 패턴을 노광하는 방법을 설명하기 위한 다이어그램.
제3a도 내지 제3ㅇ도는 여러가지 형상을 형성하는데 이용되는 투과홀에 장방향 단면을 갖는 비임을 방사하여 회로 패턴에 해당하는 소정의 패턴을 노광하는 방법을 설명하기 위한 다이어그램.
제4도는 본 발명의 동작원리를 설명하기 위한 평면도.
제5a도 내지 제5c도는 본 발명에 따른 전하 입자비임 노광방법의 제1실시예를 설명하는 평면도.
제6도는 본 발명에 따른 전하 입자 비임노광방법의 제2실시예를 설명하는 평면도.
제1a도와 제2b도는 본 발명에 따른 전하입자비임 노광방법의 제3실시예를 설명하는 평면도.
제8도는 본 발명에 따른 전하입자비임 노광방법의 제4실시예를 설명하는 평면도.
제9도는 본 발명에 따른 투과 마스크의 제5실시예의 요부를 도시한 평면도.
제10도는 본 발명에 따른 투과마스크의 제6실시예의 요부를 도시한 평면도이다.

Claims (22)

  1. 전하 입자 비임(B1)에 의해 패턴을 노광하는데 이용되는 투과 마스크에 있어서, 판과, 상기 판의 표면에 형성되며 그 위에 방사되는 전하 입자 비임의 단면적과 거의 동일한 면적을 갖는 다수의 장방형 블럭(4b,4i)으로 구성하되, 상기의 블럭(4b,4i)은 적어도 한개의 투과홀(11)이 제공된 제1블럭(4b)과, 투과홀이 제공되지 않은 제2블럭(4i)을 포함하고, 상기 제1블럭(4b)의 투과홀(11)은 조광 패턴의 크기를 변화시킬 경우 전하 입자 비임(B1)에 의해 부분 방사되고, 단일의 제2블럭(4i)은 적어도 2개의 제1블럭(4b)에 인접 제공되어 전하입자 비임(B1)의 방사위치가 상기의 단일 제2블럭으로부터 상기의 2개의 제1블럭에 대해 가변됨을 특징으로 하는 투과마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기의 2개의 제1블럭(4b)내의 투과홀(11)은 저하 입자 이임(B1)의 방사위치가 상기 각각의 개의 제1불럭을 향해 단일 제2블럭(4i)으로부터 이동함에 따라 제1블럭내의 투과홀의 면적이 증되도록 한 방향으로 배치된 형상을 갖음을 특징으로 하는 투과마스크.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기의 2개의 제1블럭(4b)내의 투과홀(11)은 동일 형상을 갖음을 특징으로 하는 투과마스크.
  4. 제3항에 있어서, 상기의 2개의 제1블럭(4b)내의 투과홀(11)은 2개의 투과홀 중 어느 하나의 형상이 다른것에 대해 90°의 정수 승수로 회전되도록 배치됨을 특징으로 하는 투과마스크.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기의 2개의 제1블럭(4b)내의 투과홀(11)은 서로 다른 형상을 갖음을 특징으로 하는 투과마스크.
  6. 제1항에 있어서, 4개의 제1블럭(4b)이 상기의 단일 제2블럭(4i)에 인접 제공됨을 특징으로 하는 투과마스크.
  7. 제6항에 있어서, 상기의 4개의 제1블럭(4b)내의 투과홀(11)은 동일형상을 갖음을 특징으로 하는 투과마스크.
  8. 제7항에 있어서, 상기의 4개의 제1블럭(4b)내의 투과홀(11)은 4개의 투과홀 중 어느 하나의 형상이 서로에 대해 90°의 정수 승수로 회전되도록 배치됨을 특징으로 하는 투과마스크.
  9. 제6항에 있어서, 상기의 4개의 제1블럭(4b)내의 투과홀(11)은 서로 다른 형상을 갖음을 특징으로 하는 투과마스크.
  10. 제1항 또는 제9항중 어느 하나에 있어서, 상기의 2개의 제1블럭(4b)내의 투과홀(11)중 어느 하나는 정렬마크(11f)임을 특징으로 하는 투과마스크.
  11. 제1항 내지 제10항중 어느 하나에 있어서, 상기의 블럭(4b,4i)는 전하 입자 비임(B1)에 의해 전체적으로 항상 방사되는 투과홀(11e)을 갖는 제3블럭(4b)을 또한 포함함을 특징으로 하는 투과마스크.
  12. 적어도 하나의 투과홀(11)이 제공된 제1블럭(4b)과, 투과홀이 제공되지 않은 제2블럭(4i)을 포함하는 다수의 블럭(4b,4i)으로 된 투과마스크를 사용하여 노광면(8)에 패턴을 노광하기 위한 전하입자 비임 노광 방법에 있어서, (a) 전하 입자 비임을 형성수단(2)에 의해 장방형 단면을 갖는 제1비임(B1)으로 형성시키고, (b) 형성수단(2)과 노광면(8) 사이에 투과마스크를 배치시켜 투과마스크상에 방사된 제1비임의 장방형 단면이 블럭(4b,4i)의 면적과 거의 동일하도록 하며, (c) 노광 패턴의 크기를 변화시킬 때 제1비임에 의해 예정딘 제1블럭(4b)의 투과홀(11)을 부분적으로 방사시키기 위해 서로 인접된 2개의 제1 및 제2블럭(4b,4i)사이의 중첩부를 갖는 투과 마스크에 제1비임(B1)을 방사하고, 상기의 제2블럭(4i)은 예정된 제1블럭을 포함하는 적어도 2개의 제2블럭에 인접배치되어 제1비임의 방사위치가 예정된 제2블럭으로부터 2개의 제1블럭에 대해 가변되도록 하고, (d) 제1비임(B1) 이 투과마스크를 통과할 때 형성되는 제2비임(B2)에 의해 노광면(8)을 방사시키는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 전하 입자 비임노광방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기의 단계(b)는 제1비임(B1)의 방사위치가 2개의 제1블럭(4b)의 각각을 향해 예정된 제2블럭(4i)으로부터 이동됨에 따라 제1블럭내의 투과홀의 면적이 증가되도록 한 방향으로 상기 2개의 제1블럭(4b)내의 투과홀(11)이 배치된 형상을 갖도록 투과마스크를 배치함을 특징으로 하는 전하 입자 비임 노광방법.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기의 단계(b)는 2개의 제1블럭(4b)내의 투과홀(11)이 동일형상을 갖도록 투과마스크를 배치함을 특징으로 하는 전하 입자 비임 노광방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기의 단계(b)는 2개의 투과홀중 어느 하나의 형상이 다른 것에 대해 90°의 정수 승수로 회전되도록 하기 위해 상기 2개의 제1블럭(4b)내의 투과홀(11)이 배치되도록 투과 마스크를 배치함을 특징으로 하는 전하 입자 비임 노광방법.
  16. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기의 단계(b)는 2개의 제1블럭(4b) 내의 투과홀(11)이 서로 다른 형상을 갖도록 투과마스크를 배치함을 특징으로 하는 전하 입자 비임 노광방법.
  17. 제12항에 있어서, 상기의 단계(b)는 4개의 제1블럭(4b)이 예정된 제2블럭(4i)에 인접 제공되도록 투과 마스크를 배치함을 특징으로 하는 전하 입자 비임 노광방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기의 단계(b)는 모든 4개의 제1블럭(4b)내의 투과홀(11)이 동일 형상을 갖도록 투과마스크를 배치함을 특징으로 하는 전하 입자 비임 노광방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기의 단계(b)는 4개의 제1블럭(4b)내의 투과홀(11)은 4개의 투과홀 중 어느 하나의 형상이 다른 것에 대해 90°의 정수 승수로 회전되게 배치되도록 투과마스크를 배치함을 특징으로 하는 전하 입자 비임 노광방법.
  20. 제17항에 있어서, 상기의 단계(b)는 4개의 제1블럭(4b)내의 투과홀(11)이 서로 다른 형상을 갖도록 투과마스크를 배치함을 특징으로 하는 전하입자 비임 노광방법.
  21. 제12항 또는 제20항중 어느 하나에 있어서, 상기의 단계(b)는 2개의 제1블럭 내의 투과홀(11)중 하나는 정렬 마크(11f)를 갖도록 투과마스크를 배치함을 특징으로 하는 전하 입자 비임 노광방법.
  22. 제12항 내지 제21항중 어느 하나에 있어서, 상기의 단계(b)는 블럭(4b,4i)이 제1비임(B1)에 의해 전체적으로 항상 방사되는 투과홀(11e)을 갖는 제3블럭(4b)을 또한 포함하도록 투과마스크를 배치함을 특징으로 하는 전하 입자 비임 노광방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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