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KR930001004A - 디-프 자외선(Deep UV)을 이용하는 포토리소그래피용 포토레지스트 조성물 - Google Patents

디-프 자외선(Deep UV)을 이용하는 포토리소그래피용 포토레지스트 조성물 Download PDF

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KR930001004A
KR930001004A KR1019910009771A KR910009771A KR930001004A KR 930001004 A KR930001004 A KR 930001004A KR 1019910009771 A KR1019910009771 A KR 1019910009771A KR 910009771 A KR910009771 A KR 910009771A KR 930001004 A KR930001004 A KR 930001004A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carbon atoms
photolithography
group
deep
alkyl
Prior art date
Application number
KR1019910009771A
Other languages
English (en)
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KR940005612B1 (ko
Inventor
김광태
김정락
김진열
Original Assignee
서주인
제일합섬 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서주인, 제일합섬 주식회사 filed Critical 서주인
Priority to KR1019910009771A priority Critical patent/KR940005612B1/ko
Publication of KR930001004A publication Critical patent/KR930001004A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940005612B1 publication Critical patent/KR940005612B1/ko

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/04—Chromates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

디-프 자외선(Deep UV)을 이용하는 포토리소그래피용 포토레지스트 조성물.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (1)

  1. 디-프 자외선(Deep UV)을 이용하는 포토리소그래프용 포토레지스트의 조성물에 있어서, 일반식(Ⅰ)의 폴리비닐계 공중합체를 광가교성 고분자 수지로 사용하고, 가교체로는 일반식(Ⅱ)의 멜라민 유도체를 혼합함을 특징으로 하는 디-프 자외선을 이용하는 포토리소그래피용 포토 레지스트의 조성물.
    여기서 n은 1,000 이상의 정수이며, R'는 수소원자 또는 탄소원자 4~6개의 질소고리 화합물이고, R"는 수소원자 또는 탄소원자 4~10개의 알킬기 및 탄소원자 2~10개의 알킬기가 치환된 아릴기로서, R'와 R"는 동일한 치환체가 아니며, 적어도 1개는 탄소원자 4~10개의 알콕시케톤기일 수 있다. R는 할로겐 원자가 1~3개 치환된 알킬기로서 탄소수 1~3개를 포함하며 3개의 R가 각기 서로 다를 수도 있다. 또한 S는 황원자를 의미하나 질소원자가 대신 치환될 수 있으며 이 경우 R는 탄소수 4~10개의 알킬기일 수 있으며 또한 R치환기가 헥사에톡시기의 알킬기인 경우 황(S)은 질소원자가 된다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910009771A 1991-06-13 1991-06-13 디-프 자외선(Deep UV)을 이용하는 포토리소그래피용 포토레지스트 조성물 KR940005612B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100421034B1 (ko) * 1999-04-21 2004-03-04 삼성전자주식회사 레지스트 조성물과 이를 이용한 미세패턴 형성방법

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KR100421034B1 (ko) * 1999-04-21 2004-03-04 삼성전자주식회사 레지스트 조성물과 이를 이용한 미세패턴 형성방법

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