KR910003836B1 - 초전도장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

초전도장치

제 1 도는 본 발명에 따른 준입자(quasiparticle) 콜렉터 접합을 가진 초전도장치의 원리를 설명하는 에너지 다이어그램.

제 2a 도는 본 발명에 따른 준입자 에미터 접합과 준입자 콜렉터 접합을 가진 초전도장치의 원리를 설명하는 다이어그램.

제 2b 는 제 2a 도의 동작원리를 설명하는 에너지 다이어그램.

제 2c 도는 장벽높이(barrier height)를 설명하는 에너지 다이어그램.

제 2d 도는 바이어스(bias)가 없는 상태에서의 에너지 다이어그램.

제 3 도는 에미터영역과 베이스영역이 초전도체로 만들어진 구조를 설명하는 에너지 다이어그램.

제 4 도는 본 발명의 실시예의 단면도.

제 5 도는 본 발명의 다른 실시예의 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

3 : 준입자 주입전극 4 : 베이스 바이어스전극

2 : 초전도체 박막 C : 콜렉터영역

E : 에미터영역 7 : 콜렉터전극

본 발명은 초전도장치, 특히 신호 증폭효과와 스위칭동작이 반도체 트랜지스터에서와 유사한 초전도장치에 관한 것이다.

초전도성을 이용한 전형적인 전자장치로는 크라이오트론(cyotron)과 조셉슨(Josephson) 터널 소자가 있다. 크라이오트론에서, 박막의 초전도갭(Δ)은 임계전류보다 더 큰 전류를 박막을 통하여 통과시키고, 그것에 외부자계를 가하고, 박막을 가열하거나 박막의 초전도 상태를 파괴시킴으로써 제거 가능하다.

그러나, 크라이오트론은 낮은 스위칭속도(예컨데 수 μsec)를 갖고 있어 상업적으로 이용되지 않고 있다.

조셉슨 터널소자에서는, 제로볼트의 전류는 초전도체로 전류를 통과시키고 거기에 외부자계를 가하는 단계에 의하여 초박막 터널장벽으로 분리된 2개의 초전도체 사이를 통과한다.

조셉슨 터널소자(이하 조셉슨 소자라 함)는 고속으로 동작가능하므로, 스위칭소자에 대한 장치의 적용가능성에 대하여 연구되어 왔다.

조셉슨 소자에서는 회로의 복잡성으로 인해 고신호 증폭율 및 반도체 트랜지스터회로의 분리된 입출력 특성을 갖는 회로를 형성하는 것이 극히 어렵다.

그러므로 대규모의 복합 회로를 실현하는 것은 반도체트랜지스터 보다 조셉슨 소자에 있어서 더욱 여렵다. 트랜지스터와 유사한 신호증폭효과와 스위칭동작을 실현하는 공지의 초전도장치는 그레이(Gray)의 초전도 트랜지스터(참조 ; 예컨대 Gray, Appl. Phys. lett. Vol 132 No. 6 pp392 to 395)와 파리스(Faris)의 퀴테론(Quiteron)(참고 일본공개특허공보소 57-12575, 이것의 대응출원 USP No. 4334158)을 포함한다.

그레이와 파리스의 초전도장치는 구조상 근본적으로 유사하다. 즉 3개의 층 : 1개의 초전도 박막과 초전도 박막위와 아래에 제공된 2개의 터널접합으로 구성된다. 터널접합중 1개는 준입자를 초전도 박막에 주입하는데 사용되며 나머지는 출력신호를 얻기 위해 사용된다.

그러나, 그레이와 파리스의 장치는 소증폭율을 갖는다. 예컨대 공개된 실험에서 그레이 트랜지스터는 약 4의 전류이득과 약 1의 전력이득 특성을 가지며 퀴테론은 약 8의 전류이득과 약 2의 전력이득 특성을 보이고 있다. 더욱이 이들 실험에서 전압은 각 경우에서 불리하게 감쇠하고 있다.

더욱이 그레이 트랜지스터와 파리스 퀴테론은 상당히 긴 스위칭시간(예컨데 퀴테론의 경우 300psec)을 갖는다. 스위칭시간은 준입자의 주입에 의하여 발생되는 준입자의 과잉상태(over-populated stage)가 완화되는 시간에 따른다.

본 발명의 목적은 종래기술의 상기 단점을 제거하고 상당히 큰 신호증폭율과 고스위칭 속도를 갖는 초전도장치를 제공하는데 있다.

절연기판, 상기 절연기판상에 형성되고 그곳에 형성된 윈도우를 갖는 활성반도체층, 상기 활성반도체층의 상기 윈도우에서 초전도체로 형성되는 베이스영역, 상기 윈도우의 상부에 상기 초전도체로 형성되는 터널산화층, 상기 터널산화층상에 형성되는 초전도체 전극, 상기 베이스영역과 접촉하고, 준입자를 상기 초전도체로 주입하며, 상기 활성반도체층의 제 1 부로 형성된 에미터 영역을 포함하는 수단, 및 준입자를 베이스영역으로부터 포획하는 콜렉터영역으로 구성되며, 상기 콜렉터영역이 실질적으로 코퍼페어를 봉쇄하며 준입자가 통과하는 장벽높이를 갖는 것을 특징으로 하는 초전도장치이다.

본 발명의 바람직한 실시예를 기술하기 전에 높은 투과율의 준입자를 갖는 준입자 콜렉터가 본 발명에서 사용되는 이유를 설명하겠다.

그레이 트랜지스터와 퀴테론은 본 발명의 준입자 콜렉터에 대응되는 부분에서의 장벽층으로서 절연체를 갖는 터널접합을 이용한다. 준입자가 상기 터널접합에 입사될 때 터널효과로 인하여 장벽을 통과하는 준입자의 투과율은 일반적으로 상당히 적다(예컨대 대략 10^-5내지 10^-10).

그러므로, 주입전극으로부터 주입되는 준입자 전류가 출력장벽에서 흐르는 준입자 전류와 실제로 동일레벨로 되기 위하여 단위시간당 터널접합에 준입자의 입사수는 단위시간당 주입 준입자수보다 10⁵내지 10¹⁰배가 되어야 한다. 준입자의 입사수를 증가시키기 위해 초전도체내의 준입자 밀도가 증가되어야 할 것이다.

그래서 그레이 초전도 트랜지스터와 퀴테론은 주입전류에 의하여 초전도체에서 준입자밀도를 가능한한 효율적으로 높게 하도록 설계되어 왔다.

그레이 초전도 트랜지스터는 준입자의 완화시간(relaxation time)이 긴 알루미늄을 사용한다. 고 에너지 준입자가 주입되면 1개의 준입자가 다수의 준입자를 여기시키는 준입자 증배효과(multiplication effect)를 이용하여 준입자밀도를 증가시킨다.

상기 경우에서 입력전류대 출력전류의 증폭률은 준입자의 증폭율을 초고할 수 없다. 또한 에너지 갭(gap)의 변화효과는 매우 적어 준입자의 증배율은 입력전압대 에너지 갭 전압비보다 더 적다. 전류등폭율을 얻기 위해 갭전압의 2배 내지 3배 또는 그 이상의 전압이 바이어스 되어야만 한다.

한편 부하로서 사용되는 전압이 갭전압보다 더 작으므로 그레이 트랜지스터의 출력은 다른 장치를 구동시킬 수 없다. 퀴테론 준입자 주입에 의한 에너지 갭의 감소를 이용한다. 에너지 갭 변화를 이용함으로써 큰 준입자 증배율의 효율적인 획득이 가능하다. 그 때문에 퀴테론은 그레이 트랜지스터보다 더 큰 전류증폭율을 갖는 특성이 있다.

이 경우에 일본 특개소 57-12575에 기술된 바와 같이 금제대를 유효하게 변화시키기 위해서는 준입자 에너지가 높아야 한다.

이것은 그레이 트랜지스터에서와 같이 고입력 바이어스 전압이 필요하다는 것을 의미한다. 퀴테론에서 출력전압은 실제로 에너지 갭 전압과 동일하므로 퀴테론과 그레이 트랜지스터에서는 동작속도가 준입자의 재력합 시간에 의하여 결정된다는 문제가 있다.

상기 문제는 터널접합내에서 효율적인 준입자 투과율이 극히 낮으므로 초전도체에서 준입자밀도의 완화속도가 실제로 준입자 재결합시간과 동일하게 되기 때문이다. 준입자의 시제 재결합시간은 통상적으로 수백psec이상이다.

한편 본 발명의 초전도장치는 준입자 콜렉터 접합을 사용한다. 포획율 즉 준입자의 투과율은 터널접합에 비교해서 더 크다. 실제로 10^-3이상의 포획율이 필요하다. 준입자 콜렉터 접합의 투과율은 이상적으로는 터널접합의 그것보다 10⁵내지 10⁷배가 된다.

본 발명의 준입자 콜렉터 접합은 높은 준입자 투과율만을 갖는 것이 아니다. 단지 고투과율이 필요하다면 극히 얇은 장벽두께를 갖는 터널접합이 사용될 수 있었을 것이다.

그러나 그러한 터널접합에 바이어스가 인가된다면 초전도체내 준입자가 터널접합을 빠져나갈뿐만 아니라 대량의 준입자 전류가 초전도체속으로 흘러들어갈 것이다. 준입자 전류는 준입자 주입용 전극으로부터의 준입자 주입과 관계없이 존재한다.

더욱이 투과율이 높은 터널접합이면 극히 큰 준입자 전류가 소전압에 의해서도 발생된다. 따라서 출력용 접합으로서 얇은 터널장벽을 갖는 장치에서 출력신호는 입력신호에 의하여 제어될 수 없다.

본 발명의 준입자 콜렉터 접합의 다른 특성은 콜렉터 접합으로부터 초전도체로 준입자 주입이 통상의 바이어스 조건하에서는 거의 발생하지 않는다는 점이다.

상기 특성으로 인하여 본 발명의 준입자 콜렉터 접합이 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터 접합과 실제로 동일한 기능을 갖는 것이 가능하게 된다.

준입자 주입을 위한 접촉부(이하에서 준입자 에미터라 명명함)로부터 주입된 준입자는 초전도체(이하 베이스라함)와 준입자 콜렉터를 통과하여 그 다음에 외부전극으로 흐른다.

이 동작은 반도체 바이폴라 트랜지스터의 동작과 유사하다. 준입자 콜렉터의 투과율이 본 발명의 초전도체에서 높기 때문에 본 장치의 동작시간은 준입자 재결합시간으로 제한되지 않는다.

그 이유는 주입되는 준입자의 거의 모두가 극히 짧은 시간후에 준입자 콜렉터 접합에 도달하여 외부전극으로 흘러나가기 때문이다.

준입자가 대략 페르미속도(Fermi Velocity)(약 10⁶m/sec)로 달리기 때문에 통상적으로 100에서 200nm의 폭을 갖는 베이스층을 통과하는데 단지 약 0.1psec가 필요하다.

본 발명의 특징은 장벽높이가 낮은 반도체-초전도체 접촉 또는 장벽높이가 낮은 터널접합이 고효율로 준입자를 포획하는 준입자 콜렉터 접합으로서 사용된다는 점이다.

다음에, 신호증폭은 이러한 트랜지스터에 의해 얻어질 수 있다는 설명될 것이다. 먼저, 베이스접지 경우의 전류전달계수가 설명될 것이다. 이후에 언급되는 바와 같이, 초전도 베이스로 주입되는 준입자가 콜렉터로 흘러들어가는데 필요한 시간은 약 0.1ps이다. 이러한 짧은 시간은 이하에서 1ι_p로 표시한다. 준입자들은 일정한 확률로 재결합되어 쿠퍼페어가 되며, 준입자들이 쿠퍼페어로 될 때는 콜렉터로 이동될 수 없으므로 콜렉터 전류는 감소될 수 있다. 단위시간당 준입자의 재결합 가능성은 이하에서 1/1ι_re로 나타낸다.

1ι_re는 준입자들이 제한된 범위의 크기를 가진 베이스물질내에 있을 때 평균수명이다. 1ι_re의 값은 명세서에서 언급된 바와 같이 수 psec 내지 수 nsec이다. 준입수자들이 1ι_re보다 더욱 짧은 1ι_d에서만 머물기 때문에, 준입자들이 베이스에서 재결합되는 확률은 상기 1ι_d와 1/1ι_re를 곱한 1ι_d/1ι_re로 제공될 수 있다.

그러므로, 준입자들이 재결합 없이 콜렉터로 흐르는 확률은 1-1ι_d/1ι_re로 주어질 수 있으며 그것은 1에 매우 가깝다. 명세서에 기재된 "α"는 상기 1-1ι_d/1ι_re에 대응한다.

상기 설명처럼, 1에 가까운 전류전달계수가 실현될 수 있다. 비록 베이스접지 경우의 전류전달계수가 설명되어지지만, 에미터 잡지회로 형태의 증폭률도 상기 α값에서 쉽게 얻을 수 있다. 에미터단자로부터 흐르는데 필요한 전류값은 에미터 전류의 (1-α)배이다.

콜렉터전류(출력전류)가 에미터전류의 α배이기 때문에 출력전류는 입력전류의 α/(1-α)배만큼 얻어질수 있다. α가 1에 가까운 값이기 때문에 에미터접지의 경우 전류증폭률은 1보다 큰 충분한 값이 된다.

일반적으로 에미터로부터 준입자의 주입에 필요한 전압은 예를들어 수밀리볼트의 매우 작은 값이다. 한편, 최소한 수십밀리볼트의 전압이 콜렉터와 베이스간에 인가될 수 있다. 그래서 전류증폭 및 전압증폭 모두가 얻어질 수 있다.

제 1 도는 본 발명에 따른 준입자 콜렉터 접합을 가진 초전도장치의 원리를 설명하는 에너지 다이어그램이다.

제 1 도에 보인 바와 같이 초전도체는 반도체와 접해있으며 페르미 준위로부터 측정하여 높이(ψ)를 갖는 장벽이 접속부에 형성된다.

이 경우에 에너지 갭(△)이 단순화하기 위해 (ψ)대신 사용된다. 지금 초전도체에 비교해서 양전압이 반도체에 인가된다. 초전도체에서 준입자 상태로 있는 전자가 반도체에 입사되는 과정을 아래에서 설명하겠다.

이 전자는 초전도체의 페르미 준위보다 (E)만큼 더 높은 에너지 준위로 유지되며, (E)는 에너지(△)보다 더 크며 준입자의 여기 에너지이다.

따라서 전자는 자유로이 장벽을 넘어 반도체로 흘러들어간다. 한편 반도체중에는 접합으로부터 전자를 끌어내는 방햐응로 전계가 존재한다. 콜렉터 접합에 입사하는 준입자상태에 있는 전자가 포획되며 반도체로 흘러나간다.

초전도체중의 초전도 쿠퍼페어(cooper pair)가 파괴되어 준입자 상태로 유지되는 획득된 전자가 반도체에 전송되는 과정을 설명하겠다.

우선 제 1 도에서 L₁은 반도체의 전도대의 하한을 나타내며, L₂는 가전자대의 상한을 나타내고, 그 사이의 영역은 금지대이다. 전자는 L₁과 L₂사이의 범위에서는 에너지에 의해 반도체로 확산될 수 없다.

초전도체에서는, 전자는 쿠퍼페어상태 또는 준입자 상태를 가지고 있다. 준입자 상태를 형성하기 위해, E값을 가진 활성 에너지가 필요하며 이활성에너지(E)는 DCS원리(Bardeen-Cooper-Schrieffer theory)에서 잘 알려진 바와 같이 최저값(△)을 갖는다.

초전도체로부터 반도체로 전자가 이동할 때 2가지 경우가 존재하는데, 그 하나는 초전도체내의 준입자들이 사라지고 전자들이 반도체로 이동되는 경우이며, 다른 하나는 쿠퍼페어가 깨지고 준입자들이 초전도체에 잔류한 후, 전자들이 반도체로 이동되는 경우이다.

전자의 경우, 전자들은 E만큼의 페르미 준위보다 낮은 에너지를 가지고 있다. 활성에너지가 최저에서도 △이기 때문에, 반도체로 이동된 전자는 △ 이상 또는 △이하의 에너지를 가진다.

즉, 페르미 준위가 제1도에 도시된 바와 같이 파선으로 도시되어 있을 경우, 상부와 하부에서 △의 2배만큼의 폭을 가진 영역은 일종의 금지대로 된다. 반도체대역과 초전도대역이 제 1 도에 도시된 것처럼 접속되어 있을 때, 전자들은 L₁과 L₂사이에 있는 영역으로 이동되지 않으며, 초전도체의 준입자가 사라지고 전자들이 반도체로 이동되는 경우에만 알 수 있다.

그러므로, 제1도의 고조는 준입자들이 이동될때에만 준입자를 통과시켜 콜렉터로서 작용한다.

반도체에 전송된 전자는 페르미 준위보다 (E)만큼 더 낮은 에너지 준위에 유지된다. 만약 상기 준위가 금지대에 있거나 장벽높이가 이 준위보다 더 높다면 그와 같은 전자이동 과정은 일어나지 않는다. 따라서 소위 초전도체내에 다수 캐리어로서 존재하느 쿠퍼페어는 준입자 콜렉터 접합의 전류에는 공헌하지 않는다. 준입자 콜렉터 접합의 전류를 일으키게 하는 것은 준입자 에미티 접합으로부터 주입되는 준입자와 베이스영역내의 광자에 의해 여기되어 발생되는 준입자이다.

제 2a도는 본 발명에 따른 준입자가 에미터 접합과 준입자 콜렉터 접합을 갖느 초전도장치의 원리를 설명하는 다이어그램이다.

제 2a도에 보인 바와 같이 예컨대 Nb로 구성된 얇은 초전도베이스층(B)이 준입자 콜렉터 접합과 준입자 에미터 접합 사이에 끼어 있다.

제 2b도는 제2a도의 동작원리를 설명하는 에너지 다이어그램이다. 여기서 L₃은 전도체의 하한을 나타내며, L₄는 가전자대의 상단을 나타낸다. L₃와L₄사이의 영역은 금지대이므로, 이영역내에 에너지를 가지고 있는 전자들은 반도체로 확산될 수 없다.

따라서, L₃(즉, 준입자) 보다 더 높은 에너지를 가지고 있는 전자들만이 확산될 수 있다.

준입자 에미터(E)는 반도체 측에서 약 1.5 내지 2mV의 부전압(V_EB)으로 바이어스 된다.

콜렉터-베이스전압(V_CB)은 약 4mev이다. 준입자 에미터(E)로부터 주입되는

준입자 상태에서 거의 모든 전자가 준입자 콜렉터 접합으로 흘러간다. 이중 일부는 재결합되어 쿠퍼페어를 형성하여 베이스전극(도시하지 않음) 밖으로 흘러나간다.

따라서 준입자 에미터 전류를 I_E로 나타내면 준입자 콜렉터전류(I_C)는 식(1)로 나타낼 수 있다.

I_C= αI_E+ I_sat(1)

여기서 α는 전류전달율이다. 주입된 준입자가 준입자 콜렉터 접합에 의하여 포획되기 전에 베이스영역에 체류하는 시간은 준입자가 베이스영역을 통괄하는 시간에 의하여 결정된다.

이 시간은 위에서 언급한 바와 같이 약 0.1pecs인 것으로 추정된다. 베이스영역에서 체류시간은 베이스영역에서 준입자의 산란 또는 준입자 코렉터 접합의 투과율(이때 그것의 인자는 1 이하임)에 의하여 약간 증가한다.

한편 준입자 지결합시간은 적어도 수백psec이며 베이스영역에서의 체류시간보다 2 내지 3차 수가 더 크다. 결과적으로 거의 모든 준입자가 재결합없이 준입자 콜렉터(C)로 흘러간다고 추정된다.

식(1)은 본 발명에 따른 초전도장치가 반도체 바이폴라 트랜재스터와 유사한 기능을 갖는다는 것을 나타내고 있다. α가 거의 1에 가까우므로 에미터 접지회로 시스템에서 큰 전류증폭율을 얻을 수 있다.

위에서 설명한 바와 같이 본 발명의 초전도장치는 동작을 위한 에너지 갭의 변화를 필수적으로 필요하지는 않다. 더욱이 준입자가 베이스영역에 체류하는 시간은 매우 짧아서 고속도로 동작하는 것이 가능하다.

동작 전압은 수 mV이므로 전력은 상당히 적다.

제 2c 도는 장벽높이를 설명하는 에너지 다이어그램이다. 제 2c 도에서의 L₅는 전도대의 하한을 표시한다. 즉, L₅보다 높은 에너지를 가진 전자들만이 반도체로 확산될 수 있으며, 따라서 제 2c 도는 L₅선의 최고점(A)보다 더 큰 에너지를 가진 준입자가 확산될 수 있다는 것을 나타낸다. 장벽높이(ø)는 간단히 하기 위해 제 1 도 및 제 2b 도에서 페르미 준위로부터 에너지 갭(△)으로서 도시하고 있으나 장벽높이의 실제 상태는 제 2c 도에 도시된다.

제 1 도에서 곡선(L₁)과 제 2b 도에서 곡선(L₃)은 실제로 제 2c 도에서 곡선(L₅)과 대응한다. 제 2c 도에서 장벽높이 페르미 준위로부터 곡선(L₅)에서 최고점인 A 부분까지 높이로서 정의된다. 최고점(A)은 에너지갭(△)준위보다 더 낮다.

더욱이 준입자 콜렉터접합과 점(A)을 지나는 사직선 사이의 폭(W)이 반도체에서 평균 자유행로보다 더 작아야만 준입자를 콜렉터영역(C)에 묶어둘 수 있다.

제 2d 도는 바이어스가 없는 경우의 에너지 다이어그램이다.

제 2d 도는 L₆도 전도대의 하한을 나타내며, L₇은 가전자대의 상단을 나타낸다. 또한, 제 3 도의 L₈은 전도대의 하한을, L₉는 가전자대의 상단을 나타낸다.

가전자대의 상단선과 전도대의 하한선 사이의 에너지 범위는 금지대내에 있으며, 이 범위의 에너지를 가진 전자들은 반도체로 확산될 수 있다.

이것에 준입자상태의 전자들만이 반도체축으로 이동될 수 있는 이유인 것이다. 제 2d 도에 도시된 바와 같이 에미터(E)에서 에너지 준위는 콜렉터(C)에서의 것과 실제로 동일하다.

제 3 도는 에미터(E)와 베이스영역(B)이 초전도체로 제조된 구조로 설명하는 에너지 다이어그램이다. 제 3 도에서 베이스-에미터 바이어스(V_E)가 인가된다.

본 발명의 실시예를 기술하겠다.

제 4 도는 본 발명의 실시예에 대한 단면도이다. 제 4 도에서 예컨대 GaAs, InP, InAs, 또는 InSb로 제조된 반도체기판(1)에 예컨대 Pb 합금 Nb 또는 NbN의 초전도체 박막(2)이 형성되어 있다,

초전도체-반도체 접촉부의 장벽높이는 상당히 낮다. 초전도체 박막(2) 위에 터널산화막(5)이 예컨대 기상성장(CVD)처리, 스퍼터링(sputtering)처리 또는 처리법에 의하여 증착되는 증착된 SiO 막 또는 증착된 SiO 막인 절연층(6)내에 형성된 창(window)을 통하여 형성된다.

더욱이 그 위에, 터널산화막(5)이 준입자주입용 전극(3)과 베이스 바이어스용 전극(4)이 형성된다. 전극(3)은 정상 전도금속인 알루미늄, 몰리브덴 또는 다른 것으로 형성되며, 전극(4)은 초전도체 예컨대 Pb 합금 또는 Nb 등으로 형성된다.

전극(4)의 초전도체와 베이스로서 동작하는 초전도체 박막(2) 사이에 조셉슨 접합이 형성된다. 전위는 통상의 베이스전류에 의하여 발생되지 않는다. 콜렉터전극(7)은 오오믹 접촉에 의하여 반도체기판(1)에 연결된다.

상기 실시예에서 베이스영역의 두께가 쉽게 줄어든다. 따라서 고전류 전도율과 적은 베이스-접지 포화전류(Isat)가 실현가능하다. 또한 터널접합이 베이스 바이어스 전극과 베이스영역 사이에 존재함으로 베이스 바이어스 전극으로부터 베이스영역으로의 준입자의 전송이 감소됨으로 Isat이 낮아지는 장점이 있다.

제 4 도 실시예에서 준입자 포획율은 약10^-2이다.

제 5 도는 본 발명의 또다른 실시예를 보인다. 제 5 도에 도시된 바와 같이 베이스영역으로 동작하는 초전도체(12)가 반도체기판(11)에 형성된 폭이 좁은 홈안에 매입된다. 반도체기판(11)은 동작온도 약 1.2k에서 절연특성을 갖는 층(11a)과 활성층(active layer)(11b)를 갖고 있다.

반도체기판(11)내에 형성된 홈은 활성층(11b)을 분리한다. 초전도체(14)는 터널산화층(15)을 통하여 초전도체(12)에 접속되어 조셉슨 접합을 형성한다. 초전도체(14)는 이 장치에서 베이스전극이 된다. 오오믹전극(17,18)은 반도체기판(11) 표면에 에미터전극과 콜렉터전극으로서 제공된다.

제 5 도 장치에서 준입자 포획율은 약10^-2이다.

제 5 도 실시예에서 초전도체-반도체 접촉은 준입자 에미터로 이용된다. 초전도체-반도체 접속은 적은 용량을 가지며 에미터의 충전과 방전시간이 짧으므로 장치를 고속도로 동작시키는 것이 가능하다.

본 발명에서 베이스영역으로 이용되는 초전도체는 금속층을 포함하는 초전도층으로 구성되었다.

Claims (6)

1. 절연기판(11a) ; 상기 절연기판(11a)상에 형성되고 그곳에 형성된 윈도우를 갖는 활성반도체층(11b) ; 상기 활성반도체층(11b)의 상기 윈도우에서 초전도체로 형성되는 베이스영역(12), 상기 윈도우의 상부에 상기 초전도체로 형성되는 터널산화층(15) ; 상기 터널산화층(15)상에 형성되는 초전도체 전극(14) ; 상기 베이스영역(12)과 접촉하고, 준입자를 상기 초전도체로 주입하며 상기 활성반도체층(11b)의 제 1 부로형성된 에미터영역을 포함하는 수단; 및 준입자를 베이이스영역(12)으로부터 포착하는 콜렉터영역918)으로 구성되며,상기 콜렉터영역이 실질적으로 쿠퍼페어를 봉쇄하며 준입자가 통과하는 장벽높이를 갖는 것을 특징으로 하는 초전도장치.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 준입자 주입수단은 상기 초전도체를 1개의 전극으로 하는 턴털접합인 것을 특징으로 하는 초전도장치.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 준입자 주입수단은 상기 초전도체를 1개의 전극으로 하는 반도체-초전도체 접촉인 것을 특징으로 하는 초전도장치.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 준입자 주입수단은 상기 초전도체를 1개의 전극으로 하고 장벽층을 통하여 초전도체에 정상 전도전극을 제공하며, 페르미 준위로부터의 장벽층의 장벽높이가 상기 초전도체의 에너지 갭(gap)과 실제로 동일한 것을 특징으로 하는 초전도장치.
5. 제 1 항에 있어서, 상기 콜렉터영역(18)은 상기 초전도체를 1개의 전극으로 하는 반도체-초전도체 접촉인 것을 특징으로 하는 초전도장치.
6. 제 1 항에 있어서, 상기 콜렉터영역(18)은 상기 초전도체를 1개의 전극으로 하고, 초전도체에 장벽층을 통하여 정상 전도전극을 제공하며, 페르미 준위로부터의 장벽층의 장벽높이가 상기 초전도체의 에너지 갭과 실제로 동일한 것을 특징으로 하는 초전도장치.

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