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KR900003182A - 나프탈로시아닌 유도체, 그의 제조방법 및 그를 사용하는 광기록 매체 - Google Patents

나프탈로시아닌 유도체, 그의 제조방법 및 그를 사용하는 광기록 매체 Download PDF

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KR900003182A
KR900003182A KR1019890012554A KR890012554A KR900003182A KR 900003182 A KR900003182 A KR 900003182A KR 1019890012554 A KR1019890012554 A KR 1019890012554A KR 890012554 A KR890012554 A KR 890012554A KR 900003182 A KR900003182 A KR 900003182A
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노부유끼 하야시
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히데오 하기와라
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Abstract

내용 없음

Description

나프탈로시아닌 유도체, 그의 제조방법 및 그를 사용하는 광기록 매체
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 6-브로도-2,3-디시아노나프탈렌의 NMR 스펙트럼이다.
제 2도는 6-브로도-2,3-디시아노나프탈렌의 IR 스펙트럼이다.
제 3도는 6-브로도-1,3-디이미노벤즈[f]이소인돌린의 IR 스펙트럼이다.

Claims (34)

  1. 하기 일반식(I)으로 표시되는 나프탈로시아닌 유도체.
    상기식중, k,l,m 및 n은 동일 또는 상이할 수 있고, 0 또는 정수 1 내지 4이고, k+l+m+n은 정수 1이상이고; 수 k+l+m+n중의 R1은 동일 또는 상이할 수 있고, 알킬기, 치환된 알킬기, 또는 아릴기이고;M이 Si,Ge 또는 Sn이고;두개의 Y은 동일 또는 상이할 수 있고 할로겐원자, 히드록시기, 아릴옥시기, 알콕시기, 트리알킬실록시기, 트리아릴실록시기, 트리알콕시실록시기, 트리아릴옥시실록시기, 트리틸옥시기, 또는 아실옥시기이다.
  2. 제1항에 있어서, 일반식(I)에서, M이 Si 또는 Ge인 나프탈로시아닌 유도체.
  3. 제1항에 있어서, 일반식(I)에서, k,l,m 및 n이 각각 1인 나프탈로시아닌 유도체.
  4. 제1항에 있어서, 일반식(I)에서, 두개의 Y가 트리알킬실록시기인 나프탈로시아닌 유도체.
  5. 제1항에 있어서, 일반식(I)에서, 모든 R1이 탄소수 1 내지 22의 알킬기인 나프탈로시아닌 유도체.
  6. 제1항에 있어서, 일반식(I)에서, 모든 R1이 치환된 알킬기인 나프탈로시아닌 유도체.
  7. 하기 일반식(Ⅱ)로 표시되는 나프탈로시아닌 유도체를 하기 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 클로로실란, 하기 일반식(Ⅳ)로 표시되는 실란을, 하기 일반식(Ⅴ)로 표시되는 알코올, 또는 하기 일반식(Ⅵ)으로 표시되는 화합물과 반응시키는 하기 일반식(I)의 나프탈로시아닌 유도체의 제조방법.
    상기식중, k,l,m 및 n은 동일 또는 상이할 수 있고, 0 또는 정수 1 내지 4이고, k+l+m+n은 정수 1이상이고; 수 k+l+m+n중의 R1은 동일 또는 상이할 수 있고, 알킬기, 치환된 알킬기, 또는 아릴기이고; M은 Si, Ge 또는 Sn이고;두개의 Y은 동일 또는 상이할 수 있고, 할로겐 원자, 히드록시기, 아릴옥시기, 알콕시기, 트리알킬실록시기, 트리아릴실록시기, 트리알콕시실록시기, 트리아릴옥시실록시기, 트리틸옥시기, 또는 알릴옥시기이고;각각의 R2및 R3은 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 또는 아릴옥시기 이고;R4는 알킬기 또는 아릴기이고; R5는 알킬기이고;X는 할로겐 원자, 히드록시기 또는 아실옥시기이다.
  8. 하기 일반식(Ⅶ)으로 표시되는 나프탈로시아닌 유도체를 산화제로 산화시키는 일반식(I)으로 표시되는 나프탈로시아닌 유도체의 제조방법.
    상기식중, k,l,m 및 n은 동일 또는 상이할 수 있고, 0 또는 정수 1 내지 4이고, k+l+m+n은 정수 1이상이고; 수 k+l+m+n중의 R1은 동일 또는 상이할 수 있고, 알킬기, 치환된 알킬기, 또는 아릴기이고; M은 Si, Ge 또는 Sn이고;두개의 Y은 동일 또는 상이할 수 있고, 할로겐 원자, 히드록시기, 아릴옥시기, 알콕시기, 트리알킬실록시기, 트리아릴실록시기, 트리알콕시실록시기, 트리아릴옥시실록시기, 트리틸옥시기, 또는 아실옥시기이다.
  9. 제7항에 있어서, 일반식(I) 및 (Ⅱ)에 있어서, M이 Si 또는 Ge인 나프탈로시아닌 유도체의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 일반식(I) 및 (Ⅱ)에 있어서, k,l,m 및 n이 각각 1인 나프탈로시아닌 유도체의 제조방법.
  11. 제7항에 있어서, 일반식(Ⅲ) 및 (Ⅳ)에 있어서, R2및 R3이 알킬기이고, 일반식(I)에 있어서, 두개의 Y가 트리알킬실록시기인 나프탈로시아닌 유도체의 제조방법.
  12. 제7항에 있어서, 일반식(I) 및 (Ⅱ)에 있어서, 모든 R1이 탄소수 1 내지 22의 알킬기인 나프탈로시 아닌 유도체의 제조방법.
  13. 제7항에 있어서, 일반식(I) 및 (Ⅱ)에 있어서, 모든 R1이 치환된 알킬기인 나프탈로시아닌 유도체의 제조방법.
  14. 제8항에 있어서, 일반식(I) 및 (Ⅶ)에 있어서, M이 Si 또는 Ge인 나프탈로시아닌 유도체의 제조방법.
  15. 제8항에 있어서, 일반식(I) 및 (Ⅶ)에 있어서, k,l,m 및 n이 각각 1인 나프탈로시아닌 유도체의 제조방법.
  16. 제8항에 있어서, 일반식(I) 및 (Ⅶ)에 있어서, 두개의 Y가 트리알킬실록시기인 나프탈로시아닌 유도체의 제조방법.
  17. 제8항에 있어서, 일반식(I) 및 (Ⅶ)에 있어서, 모든 R1이 탄소수 1 내지 22의 알킬기인 나프탈로시 아닌 유도체의 제조방법.
  18. 제8항에 있어서, 일반식(I) 및 (Ⅶ)에 있어서, 모든 R1이 치환된 알킬기인 나프탈로시아닌 유도체의 제조방법.
  19. 하기 일반식(I)으로 표시되는 나프탈로시아닌 유도체로 주로 구성되고, 지지체의 표면상에 형성된 기록층 및 지지체로 이루어진 광기록 매체.
    상기식중, k,l,m 및 n은 동일 또는 상이할 수 있고, 0 또는 정수 1 내지 4이고, k+l+m+n은 정수 1이상이고; 수 k+l+m+n중의 R1은 동일 또는 상이할 수 있고, 알킬기, 치환된 알킬기, 또는 아릴기이고; M은 Si, Ge 또는 Sn이고;두개의 Y은 동일 또는 상이할 수 있고, 할로겐 원자, 히드록시기, 아릴옥시기, 알콕시기, 트리알킬실록시기, 트리아릴실록시기, 트리알콕시실록시기, 트리아릴옥시실록시기, 트리틸옥시기, 또는 아실옥시기이다.
  20. 제19항에 있어서, 기록층이 M이 Si 또는 Ge인 일반식(I)의 나프탈로시아닌 유도체로 주로 구성되는 광기록 매체.
  21. 제19항에 있어서, 기록층이 k,l,m 및 n이 각각 1인 일반식(I)의 나프탈로시아닌 유도체로 주로 구성되는 광기록 매체.
  22. 제19항에 있어서, 기록층이 두개의 Y가 트리알킬실록시기인 일반식(I)의 나프탈로시아닌 유도체로 주로 구성되는 광기록 매체.
  23. 제19항에 있어서, 기록층이 모든 R1이 탄소수 1 내지 22의 알킬기인 일반식(I)의 나프탈로시아닌 유도체로 주로 구성되는 광기록 매체.
  24. 제19항에 있어서, 기록층이 모든 R1이 치환된 알킬기인 일반식(I)의 나프탈로시아닌 유도체로 주로 구성되는 광기록 매체.
  25. 유기 용매중에 주성분으로서, 하기 일반식(I)으로 표시되는 나프탈로시아닌 유도체를 용해시켜 제조된 용액을 사용하여 지지체표면 상에 기록 층을 형성하는 광기록 매체의 제조방법.
    상기식중, k,l,m 및 n은 동일 또는 상이할 수 있고, 0 또는 정수 1 내지 4이고, k+l+m+n은 정수 1이상이고; 수 k+l+m+n중의 R1은 동일 또는 상이할 수 있고, 알킬기, 치환된 알킬기, 또는 아릴기이고; M은 Si, Ge 또는 Sn이고;두개의 Y은 동일 또는 상이할 수 있고, 할로겐 원자, 히드록시기, 아릴옥시기, 알콕시기, 트리알킬실록시기, 트리아릴실록시기, 트리알콕시실록시기, 트리아릴옥시실록시기, 트리틸옥시기, 또는 아실옥시기이다.
  26. 제25항에 있어서, 나프탈로시아닌 유도체가 M이 Si 또는 Ge인 일반식(I)으로 표시되는 광기록 매체의 제조방법.
  27. 제25항에 있어서, 나프탈로시아닌 유도체가 k,l,m 및 n이 각각 1인 일반식(I)으로 표시되는 광기록 매체의 제조방법.
  28. 제25항에 있어서, 나프탈로시아닌 유도체가 두개의 Y이 트리알킬실록시기인 일반식(I)으로 표시되는 광기록 매체의 제조방법.
  29. 제25항에 있어서, 나프탈로시아닌 유도체가 모든 R1이 탄소수 1 내지 22의 알킬기인 일반식(I)으로 표시되는 광기록 매체의 제조방법.
  30. 제1항에 있어서, 하기 식으로 표시되는 나프탈로시아닌 유도체.
  31. 제1항에 있어서, 하기 식으로 표시되는 나프탈로시아닌 유도체.
  32. 제1항에 있어서, 하기 식으로 표시되는 나프탈로시아닌 유도체.
  33. 제1항에 있어서, 하기 식으로 표시되는 나프탈로시아닌 유도체.
  34. 제1항에 있어서, 하기 식으로 표시되는 나프탈로시아닌 유도체.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890012554A 1988-08-31 1989-08-31 나프탈로시아닌 유도체, 그의 제조방법 및 그를 사용하는 광 기록 매체 KR920008343B1 (ko)

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