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KR890008953A - 반도체 기판의 표면처리방법 - Google Patents

반도체 기판의 표면처리방법 Download PDF

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KR890008953A
KR890008953A KR1019880015696A KR880015696A KR890008953A KR 890008953 A KR890008953 A KR 890008953A KR 1019880015696 A KR1019880015696 A KR 1019880015696A KR 880015696 A KR880015696 A KR 880015696A KR 890008953 A KR890008953 A KR 890008953A
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모리야 미야시타
아야코 마에다
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아오이 죠오치
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 기판의 표면처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 한 실시형태에 따라 처리방법을 실시하는데 사용되는 처리장치의 제1구성예를 설명하기 위한 정면도,
제 2 도는 상기 제1도에 나타낸 처리장치의 평면도,
제 3 도는 본 발명의 처리방법을 실시하는데 사용되는 처리장치의 제2구성예를 나타낸 정면도.

Claims (15)

  1. 초음파를 발생시키는 공정과, 상기 초음파를 처리액(11)을 매개하여 반도체 기판(15)의 한쪽면에 전파 시킴으로써 상기 반도체(15)의 한쪽면에만 기계적인 디스토션이 일어나게 함과 동시에 세정하는 공정을 구비하여 이루어진 반도체 기판의 표면처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 초음파의 출력을 50W∼500W의 범위내에서 선택하고, 상기 초음파의 주파수를 10KHZ~100KHZ의 범위내에서 선택하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면처리방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 처리액(11)을 순수 및 초순수를 포함하는 그룹에서 선택하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면처리방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판(15)의 한쪽면은 다음 공정에서 반도체소자가 형성될 면의 이면인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면처리방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기계적인 디스토션을 주는 동시에 세정을 행하는 공정은 순수로 가득채워진 용기(10)내에 그 한쪽면에 순수와 접하도록 상기 반도체 기판(15)을 놓고, 이 용기(10)의 아랫부분에 초음파 발생수단(12,13)을 배치하여 상기 순수속에 초음파를 전파시키는 것에 의해 이루어지도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면처리방법.
  6. 초음파를 발생시키는 공정과, 상기 초음파를 처리액(27,29)을 매개하여 반도체 기판(24,36)의 표면에 전파시킴으로써 상기 반도체 기판(25,36)의 한쪽면에만 기계적인 디스토션을 주는 동시에 상기 반도체 기판(25,36)의 양면을 세정하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면처리방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 초음파의 출력을 50W∼500W의 범위내에서 선택하고, 상기 초음파의 주파수를 10KHZ∼100KHZ의 범위내에서 선택하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면처리방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 처리액(27,29)을 순수 및 초순수를 포함하는 그룹에서 선택하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면처리방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 반도체 기판(25,36)의 한쪽면은 다음의 공정에서 반도체소자가 형성될 면의 이면인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면처리방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 기계적인 디스토션을 주는 동시에 세정을 행하는 공정은 순수로 가득채워진 용기(20)내에 상기 반도체 기판(25)을 집어놓고, 이 용기(20)내에 상기 반도체 기판(25)의 한쪽면과 대향되도록 초음파를 발생시키는 초음파 발생수단(22,23)을 배치하여 상기 처리액(27)중에 초음파를 전파시키는 것에 의해 이루어지도록 하는것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면처리방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 초음파 발생수단(22,23)을 상기 용기(20)의 아랫부분에 배치하고, 상기 기계적인 디스토션이 생기는 상기 반도체 기판(25)의 한쪽면에 대해 반대측에 있는 면을 상기 처리액(27)의 표면에서 반사되는 반사파로 세정하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면처리방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 초음파 발생수단(22,23)을 상기 용기(20)의 측벽면에 배치하고, 상기 기계적인 디스토션이 생기는 상기 반도체 기판(25)의 한쪽면에 대해 반대측에 있는 면을 상기 용기(20)의 반대측 벽면에서 반사되는 반사파로 세정하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면처리방법.
  13. 제6항에 있어서, 상기 기계적인 디스토션을 주는 동시에 세정을 행하는 공정은 순수로 가득채워진 용기(30)내에 그 한쪽면이 순수와 접하도록 상기 반도체 기판(36)을 설치하고, 상기 용기(30)의 아랫부분에 초음파를 발생시키는 초음파 발생수단(33,34)을 배치하여 처리액(29)속에 초음파를 전파시키는 것에 의해 상기 반도체 기판(36)의 한쪽면에 기계적인 디스토션을 주는 동시에 상기 한쪽면의 세정을 행하고, 또한 상기 반도체 기판(36)의 다른쪽면위에 노즐(38,41)을 설치하여 이 노즐(38,41)에서 세정액을 분사함으로써 상기 반도체 기판(36)의 다른쪽면을 세정하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면처리방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 반도체 기판(36)을 회전시키는 상태에서 처리를 하도록 한 것을 특징으로 한 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면처리방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 노즐(38,41)을 이동시켜서 상기 반도체 기판(36)의 다른쪽면을 세정하도록 한것을 특징으로 하는 반도체 기판의 표면처리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880015696A 1987-11-28 1988-11-28 반도체기판의 표면처리방법 KR920003879B1 (ko)

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