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KR890004156B1 - 저주파수 발진 집적 회로 - Google Patents

저주파수 발진 집적 회로 Download PDF

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KR890004156B1
KR890004156B1 KR1019870006421A KR870006421A KR890004156B1 KR 890004156 B1 KR890004156 B1 KR 890004156B1 KR 1019870006421 A KR1019870006421 A KR 1019870006421A KR 870006421 A KR870006421 A KR 870006421A KR 890004156 B1 KR890004156 B1 KR 890004156B1
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KR
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oscillation
integrated circuit
low frequency
frequency
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KR1019870006421A
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김성인
Original Assignee
삼성전자 주식회사
강진구
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/20Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator
    • H03B5/24Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising resistance and either capacitance or inductance, e.g. phase-shift oscillator active element in amplifier being semiconductor device

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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
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Abstract

내용 없음.

Description

저주파수 발진 집적 회로
제1도는 본 발명의 블럭도.
제2도는 본 발명의 상세회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
M1-M8: 모스트랜지스터 Fosc : 발진주파수
R : 저항 C : 콘덴서
본 발명의 수 mHz까지도 정확하게 발진주파수를 발생시키는 저주파수 발생 집적회로에 관한 것이다.
일반적으로 발진주파수를 발생시킴에 있어서 저항과 콘덴서를 이용하여 발진기를 구성하거나 수정을 이용하여 발진주파수를 발생시키고 있다. 그러나 이러한 종래의 발진회로는 수 mHz까지의 저주파수를 정확하게 발생시키기가 힘들고, 또한 수정을 이용하여 수 mHz의 주파수를 발생시킬 경우에는 가격이 상당히 비사지고, 저항과 콘덴서를 이용할 경우에는 저항값과 콘덴서의 용량이 상당히 커야하므로, 이를 집적화하는데에 어려움이 있었으며, 분주회로를 이용하여 낮은 주파수를 발생시킬 경우에는 분주회로가 추가되어야 하기 때문에 집적회로의 면적이 커지고 원가면에서도 가격이 상승하는 요인이 되었다.
본 발명은 상기한 제반문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로써, 수 mHz까지도 정확하게 발진주파수를 발생시키고 또한 기존의 발진회로에 비하여 집적회로의 면적을 축소함과 동시에 원가절감을 실현할 수 있는 저주파수 발진회로를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
이하 첨부된 도면에 의하여 본 발명을 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명의 블럭도로서 제2도의 상세회로도를 참조하여 설명하면 본 발명은 바이어스회로와 발진회로로 구분되어지며 바이어스 회로는 모스트랜지스터(M1-M6) 및 저항(R)으로 구성되어 발진회로의 P형 모스트랜지스터(M7) 및 N형 모스트랜랜지스터(M8)의 바이어스를 위한 것이다.
상기한 바이어스 회로는 각 트랜지스터의 크기에 의해서 각 바이어스의 전압을 고정시켜 주는 것으로써, 이를 수식에 의하여 설명한다.
우선 본 발명을 설명하기 위한 수식에 사용되는 부호는 다음과 같다.
μn : N모스의 이동도
μP : P모스의 이동도
COX: 산화층의 두께
VDD: 전원전압
VTP: P모스의 드레소울드 전압
VTN: N모스의 드레소울드 전압
W : 트랜지스터의 폭
L : 트랜지스터의 길이
Q : 콘덴서의 충전전하량
T : 주기
Figure kpo00001
본 발명의 바이어스회로에 흐르는 각 전류를 구하면,
Figure kpo00002
이고, (1)식에 의해서 Va와 Vb를 구하면
Figure kpo00003
이고, (1)식 및 (2) 식에 의해서
Figure kpo00004
…………………………………………………………………… (7)
이며, (2)식, (3)식, (4)식에 의해서
Figure kpo00005
이다. 또한 (7)식, (8)식에 의해서
Figure kpo00006
그런데 Q=CVc이고, Q=I4dt이므로
t=이며 ; 따라서 주기 T=2t이므로 T=
Figure kpo00008
이다. 그러므로 발진주파수 Fosc는 다음과 같다.
Figure kpo00009
상기한 (10)식에서 보는 바와같이 발진주파수는
Figure kpo00010
의 비에 따라서 변화하게 되며, 저항(R)과 콘덴서(C)의 값이 고정된 경우
Figure kpo00011
의 비를 조정함으로써 더 낮은 발진주파수를 만들 수 있다.
이상과 같은 본 발명회로의 동작을 이해하기 위하여 일예로서 다음과 같은 경우를 설명하면,
Figure kpo00012
그외의 트랜지스터의 크기(
Figure kpo00013
인 경우에는
Figure kpo00014
이고, (5), (6)식에 의해서 Va=5.19V, Vb=1,925V로서, 이에 따라 (10)식에서
Figure kpo00015
이다.
상기한 바와같이 본 발명에 의하면 트랜지스터의 크기(
Figure kpo00016
에 따라서 주파수를 변환시킴으로써 저주파 발진회로에 있어서 수 mHz까지도 정확히 발진주파수를 발생시킬 수 있고, 기존의 집적회로에 비해 면적을 줄일 수 있음과 동시에 저 가격화를 이룰 수 있는 이점이 있다.

Claims (2)

  1. 전원(VDD)으로부터 직렬로 모스트랜지스터(M1,M2)사이에 저항(R)을 연결하고 상기한 모스트랜지스터(M1,M2)와 병렬로 모스트랜지스터(M3,M4) 및 (M5,M6)을 연결하여 발진회로의 모스트랜지스터(M7,M8)의 바이어스 회로를 구성하고, 상기한 모스트랜지스터(M5)의 게이트 및 소오스단자의 접속점으로부터 발진회로의 모스트랜지스터(M7)의 게이트를 연결하고, 상기한 모스 트랜지스터(M4,M6)의 공통 게이트 접속점으로부터 발진회로의 모스트랜지스터(M8)의 게이트를 연결하는 것을 특징으로 하는 저주파수 발진 집적회로.
  2. 제1항에 있어서, 바이어스회로의 모스트랜지스터(M1,M2,M4)는 집적시에 면적(폭과 길이)을 조정함으로써 발진회로의 발진주파수를 조절하도록 하는 것을 특징으로 하는 저주파수 발진 집적회로.
KR1019870006421A 1987-06-24 1987-06-24 저주파수 발진 집적 회로 Expired KR890004156B1 (ko)

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