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KR890002729B1 - 전자레인지의 턴테이블 샤프트 보호장치 - Google Patents

전자레인지의 턴테이블 샤프트 보호장치 Download PDF

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KR890002729B1
KR890002729B1 KR1019860009049A KR860009049A KR890002729B1 KR 890002729 B1 KR890002729 B1 KR 890002729B1 KR 1019860009049 A KR1019860009049 A KR 1019860009049A KR 860009049 A KR860009049 A KR 860009049A KR 890002729 B1 KR890002729 B1 KR 890002729B1
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point
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microwave
turntable shaft
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진석웅
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주식회사 금성사
구자학
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Abstract

내용 없음.

Description

전자레인지의 턴테이블 샤프트 보호장치
제1도는 종래 기술의 종단면도.
제2도는 본 발명의 종단면도.
제3도는 웨이브 가이드 시스템의 임피던스 해석용 설명도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 저판 12 : 샤프트
13 : 턴테이블 14 : 보호막
14a, 14b : 직립면 14c : 수평면
15 : 보조캐비티 16 : 쵸크캐비티
본 발명은 전자레인지용 턴테이블 샤프트 보호장치에 관한 것으로, 특히 수지물로 형성된 턴테이블 사프트의 용융방지에 적합하도록 하여 내열도가 낮은 수지물로서도 턴테이블 샤프트를 형성할 수 있게한 턴테이블 샤프트 보호장치에 관한 것이다.
본원 출원인에 의하여 실용신안등록출원 제 86-11620호에 선출원된 바 있는 종래 기술은 제1도에 도시한 바와같이, 전자레인지의 내부 저판(1)위에 위치하는 턴테이블(2)에 재질이 수지물인 턴테이블 샤프트(3)가 일체로 형성되어 있으며, 그 둘레에는 금속재질의 보호막(4)이 부착되어 있다.
이와같은 구조에서는 기존의 다른 턴테이블 시스템에 비해서는 샤프트(3)의 용융 또는 샤프트(3) 부근의 스파크 발생이 방지되는 효과가 있었으나, 완벽한 효과는 기할수 없게 되어 샤프트(3) 부근의 온도가 상승되므로 내열도가 높은 고가의 수지물로 샤프트(3)을 형성하여야 하는 문제점이 있었다. 또한 λ/4개념에 의하여 쵸크 실(choke seal)구조를 적용하였으나 그 치수범위가 정확히 설정되지 아니하여 실제 제품제작시 어려움이 있었다.
본 발명은 이와같은 종래의 문제점을 해소하기 위하여 창안한 것으로 턴테이블의 저면에 입구에서의 임피던스가 최대인 보조캐비티와 입구에서의 임피던스가 최소인 쵸크캐비티가 형성되도록 보호막을 형성하고 보조캐비티와 쵸크캐비티의 각 점간 치수범위를 정확히 설정하여 내열도가 낮은 저가의 수지물로서도 샤프트를 형성할 수 있게 한 것인바, 이를 첨부도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 기본구성은 제2도에 설치되고 중앙에 수지물 샤프트(12)가 고정되는 턴테이블(13)의 저면에 " "형 단면을 가지는 보호막(14)을 샤프트(12)를 중심으로 환상으로 고정설치하여 그 보호막(14)의 직립면(14a)(14b)과 수평면(14c)에 의하여 쵸크케비티(16)와 보조케비티(15)가 형성되게 한 것이다.
이와같은 구성을 가지는 본 발명은 마이크로 가이드 시스템의 임피던스 해석용 설명도인 제3도를 참조하여 보다 구체적으로 설명되어질 것이다.
제3도에서, 전체길이가 L이고 특성 임피던스가 Zo인 임의의 마이크로 가이드에서 쇼트 서키트 플레인(Short Circuit Plane)(P)으로부터 거리가 1인 지점의 임피던스는 다음식(1)과 같이 표시된다.
ZI=j·Zo·tanβ1 …………………………………………… (1)
여기서, j : 복소수기호( -1)
Zo : 특성 임피던스
β : 전파상수(Propagation Constant ;
Figure kpo00001
λ : 에너지원으로 사용되는 마이크로파의 파장
식 (1)을 l에 대하여 정리하면,
ZI=j·Zo·
Figure kpo00002
즉, ZI은 탄제트 함수가 된다.
ZI
Figure kpo00003
…………………………………………… (2)
식 (2)에서 ZI이 최소가 되는 점은
Figure kpo00004
이 최소가 되는 점으로써, 이때의 l을 구해보면
Figure kpo00005
이나, l은 양수이므로,
Figure kpo00006
이다.
즉, 쇼트 서키트 플레인(P)을 포함하여 그 쇼트 서키트 플레인(P)으로부터의 거리가
Figure kpo00007
, λ등인 지점에서는 임피던스가 최소가 됨을 알 수 있다.
마이크로웨이브 공학에서 마이크로웨이브의 성질은 진행 경로상에 임피던스가 낮은 지점이 있으면 반사되고 임피던스가 높은 지점에서는 통과한다고 알려져 있다.
이러한 성질을 이용한 본 발명의 원리는 제2도에서
Figure kpo00008
Figure kpo00009
,
Figure kpo00010
Figure kpo00011
로 하면 쇼트 서키트 플레인(P)으로 되는 A지점으로부터 C지점까지는
Figure kpo00012
가 됨으로써, C지점에서 점파를 반사하게 된다. 즉, 쵸크캐비티(16)내부로 마이크로웨이브 에너지가 유입되지 않는다. 또한, C점으로부터 샤프트(12)가 위치한 B지점까지가 약
Figure kpo00013
가 되면 B지점에서는 전류치가 영(0)으로 되므로 샤프트(12)방향으로 진행하려는 마이크로웨이브 에너지는 없게 되어 샤프트(12)에 마이크로웨이브 에너지의 영향이 미치지 않게 된다. 다음에 D점을 쇼트 서키트 플레인(P)으로 하고
Figure kpo00014
Figure kpo00015
로 하면 E점은 임피던스가 높아지게 된다. 그러므로 마이크로웨이브는 D점과 C점을 비교할때 D점 쪽으로 향하게 되어 쵸크캐비티(16)내부로 들어가려는 마이크로웨이브가 효과적으로 방지된다.
이와같이 된 본 발명을 적용함으로써 마이크로웨이브 내부에 부하를 넣지않고 동작시키거나 소량의 부하를 넣고 장시간 동안 동작시킬때 유발되는 턴테이블 샤프트의 용융현상이 완전히 제거할 수 있으며 샤프트의 온도가 높히 올라가지 않기 때문에 내열도가 낮은 저가의 수지물로 샤프트를 형성할 수 있게 되어 원가가 절감되는 이점이 있다.

Claims (2)

  1. 균열가열장치로서 턴테이블 방식을 사용한 전자레인지에 있어서, 턴테이블(13)의 저면에 " "형 단면을 갖는 보호면(14)을 설치하여 입구에서의 임피던스가 최대인 보조캐비티(15)와 입구에서의 임피던스가 최소인 쵸크캐비티(16)가 형성되게 한 것을 특징으로 하는 전자레인지의 턴테이블 샤프트 보호장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 쵸크캐비티(16)의 A,B점간의 거리가
    Figure kpo00016
    이하이고, B,C점간의 거리가
    Figure kpo00017
    이하이며 보조캐비티(15)의 D,E점간의 거리가
    Figure kpo00018
    이하인 것(λ는 전자레인지 내부에서 부하의 가열에 사용되는 마이크로웨이브의 파장)을 특징으로 하는 전자레인지의 턴테이블 샤프트 보호장치.
KR1019860009049A 1986-10-28 1986-10-28 전자레인지의 턴테이블 샤프트 보호장치 Expired KR890002729B1 (ko)

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