[go: up one dir, main page]

KR860009304A - 이온 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

이온 센서 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR860009304A
KR860009304A KR1019860004112A KR860004112A KR860009304A KR 860009304 A KR860009304 A KR 860009304A KR 1019860004112 A KR1019860004112 A KR 1019860004112A KR 860004112 A KR860004112 A KR 860004112A KR 860009304 A KR860009304 A KR 860009304A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ion
tip
tube
sensitive gas
gas
Prior art date
Application number
KR1019860004112A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900008847B1 (ko
Inventor
슈이찌로오 야마구찌
다께시 시모무라
노리히꼬 우시자와
Original Assignee
테루모가부시끼가이샤
도자와 미쯔오
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 테루모가부시끼가이샤, 도자와 미쯔오 filed Critical 테루모가부시끼가이샤
Publication of KR860009304A publication Critical patent/KR860009304A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR900008847B1 publication Critical patent/KR900008847B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/28—Electrolytic cell components
    • G01N27/30—Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
    • G01N27/333—Ion-selective electrodes or membranes
    • G01N27/3335—Ion-selective electrodes or membranes the membrane containing at least one organic component

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
  • Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

이온 센서 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 관한 이온 센서의 일부 단면도.
제2도는 제1도에 나타낸 이온센서의 사용예를 나타낸 모식도.
제3도 (a)-(c)는 제1예의 이온센서의 제조 방법 설명도.
* 도면의 주요 부분의 부호의 설명 *
(11) : 저면 (12) : 절연도료
(13) : 이온감응기체(substrate) (14) : 튜브
(15) : 리이드선 (16) : 도전성접착제
(17) : 이온 캐리어 (18) : 절연성 접착제
(19) : 스페이서(spacer) (20) : 이온센서
(21) : 기준 전극 (22) : 시료액
(17a) : 졸(sol)상의 이온 캐리어(ion carrier) 막 조성물
(17b) : 겔(gel)상의 이온캐리어 막 조성물

Claims (27)

  1. 적어도 일단이 개구한 튜브와, 상기 튜브 내에 상기 개구부로부터 후퇴시켜서 형성된 이온 감응기체와, 상기 튜브의 개구부와 이온 감응 기체의 개구부 측의 면과의 사이에 충전된, 목적 이온을 선택적으로 투과시키는 이온 캐리어 막을 구비하여서 됨을 특징으로 하는 이온센서.
  2. 제1항에 있어서, 튜브는 이온 캐리어 막 조성과 같은 조성임을 특징으로 하는 이온센서.
  3. 제1항에 있어서, 튜브는 전기 절연성의 재질로써 됨을 특징으로 하는 이온 센서.
  4. 제1항에 있어서, 이온 감응 기체의 개구부 측의 면을 덮고 있는 이온 캐리어 막의 두께를 50㎛로부터 3mm의 사이로 함을 특징으로 하는 이온센서.
  5. 제1항에 있어서, 이온 캐리어 막 조성이, 이온 케리어와 전해질을 분산시킨 폴리머로써됨을 특징하는 이온센서.
  6. 제1항에 있어서, 이온 캐리어는 테트라도데실아민, 바리노마이신, 크라운 화합물, 인산 에스테르의 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 이온센서.
  7. 제1항에 있어서, 이온 감응 기체는 백금, 은, 은/염화은, 동 니켈 및 파라듐, 상기 물질의
    표면을 피복한 카본 전극, 카본 전극 및 반도체의 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 이온센서.
  8. 이온감응 기체는 이 기체를 삽입할 수 있는 소정 내경을 갖는, 튜브 내에 이 기체의 선단이 이 튜브의 선단으로부터 내부 방향으로 인입된 위치에 삽입유지시키는 공정과, 그 상태에서 이온 캐리어 전해질 및 페이스트·수지를 함유하는 졸상 이온 캐리어 막 조성물을 상기 이온 감응 기체 선단과 튜브 선단과의 사이를 포함하여 상기 이온 감응 기체와 튜브와의 사이에 충전하는 공정과, 이 충전된 졸상 이온 캐리어 막 조성물을 겔화시키는 공정을 구비하여서 됨을 특징으로 하는 이온 센서의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 튜브는 세라믹, 경화 플라스틱 및 연질 플라스틱의 그룹으로 부터 선택됨을 특징으로 하는 이온센서의 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서, 이온 케리어는 테트라도데실아민, 바리노마이신, 크라운 화합물, 인산 에스테르의 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 이온센서의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서, 이온 감응 기체는 산화 환원 막 피복 카본 전극, 은 염화은 전극, 백금전극, 은전극, 니켈전극, 반도체 전극의 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 이온센서의 제조방법.
  12. 제8항에 있어서, 졸상 이온 캐리어 막 조성물의 켈화 공정을 온도 80-200℃에서 행함을 특징으로 하는 이온센서의 제조방법.
  13. 제8항에 있어서, 이온 감응 기체의 선단은, 이온 감응 기체의 선단이 튜브의 선단으로부터 소망의 거리만큼 인입된 위치에 오도록 스페이서의 두께만큼 인입되어 유지됨을 특징으로 하는 이온센서의 제조방법.
  14. 제8항에 있어서, 튜브의 선단은, 이온 감응 기체의 선단으로부터 소망의 거리만큼 인입된 위치에 오도록 절치됨을 특징으로 하는 이온센서의 제조방법.
  15. 이온 감응 기체를, 이 기체를 삽입할 수 있는 소정 내경을 갖는, 튜브내에 삽입하고, 이 기체의 선단과 이 튜브의 선단과의 상태적 위치 관계를 조정하는 이온 캐리어 막의 막 두께를 결정하는 공정과, 그 상태에서 이온 캐리어, 전해질 및 페이스트·수지를 함유하는 졸상 이온 캐리어 막 조성물을 상기 이온 감응 기체와 튜브와의 사이에 충전하는 공정과 이 충전된 졸상 이온 캐리어 막 조성물을 겔화시키는 공정을 구비하여서 됨을 특징으로 하는 이온 센서의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 튜브는 세라믹, 경질 플라스틱 및 연질플라스틱의 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 이온 센서의 제조 방법.
  17. 제15항에 있어서, 이온 캐리어는, 테트라도데실아민, 바리노마이신, 크라운 화합물, 인산 에스테르의 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 이온 센서의 제조 방법.
  18. 제15항에 있어서, 이온 감응 기체는 산화 환원 막 피복 카본 전극, 은 염화은 전극, 백금전극, 은전극, 니켈전극, 반도체 전극의 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 이온 센서의 제조 방법.
  19. 제15항에 있어서, 졸상 이온 캐리어 막 조성물의 켈화 공정을 온도 80-200℃에서 행함을 특징으로 하는 이온 센서의 제조 방법.
  20. 제15항에 있어서, 이온 감응 기체의 선단은, 이온 감응 기체의 선단이 튜브의 선단으로부터 소망의 거리만큼 인입된 위치에 오도록 스페이서의 두께만큼 인입되어 유지됨을 특징으로 하는 이온 센서의 제조 방법.
  21. 제15항에 있어서, 튜브의 선단은, 이온 감응 기체의 선단이 튜브의 선단으로부터 소망의 거리만큼 인입된 위치에 오도록 절치됨을 특징으로 하는 이온 센서의 제조 방법.
  22. 이온 감응 기체를, 이 기체를 삽입할 수 있는 소정 내경을 갖는, 튜브 내에 이 기체의 선단이 이튜브의 선단으로 부터 내부 방향으로 인입된 위치에 삽입 유지시키는 공정과, 그 상태에서 이온 캐리어, 전해질 및 페이스트·수지를 함유하는 졸상 이온 캐리어 막 조성물을 상기 이온 감응 기체 선단과 튜브 선단과의 사이를 포함하여 상기 이온 감응 기체와 튜브와의 사이에 충전하는 공정과, 이 충전된 졸상 이온 캐리어막 조성물을 겔화시키는 공정과, 상기 이온 감응 기체 선단의 겔 상 이온 캐리어 막의 막두께를 결정하는 공정을 구비하여서 됨을 특징으로 하는 이온 센서의 제조 방법.
  23. 제22항에 있어서, 튜브는 세라믹, 경질 플라스틱 및 연질 플라스틱의 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 이온 센서의 제조방법.
  24. 제22항에 있어서, 이온 케리어는, 테트라도데실아민, 바리노마이신, 크라운 화합물, 인산 에스테르의 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 이온 센서의 제조 방법.
  25. 제22항에 있어서, 이온 감응 기체는 산화 환원 막 피복 카본 전극, 은 염화은 전극, 백금전극, 은전극, 니켈전극, 반도체 전극의 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 이온 센서의 제조 방법.
  26. 제22항에 있어서, 졸상 이온 캐리어 막 조성물의 켈화 공정을 온도 80-200。C에서 행함을 특징으로 하는 이온 센서의 제조 방법.
  27. 제22항에 있어서, 겔상 이온 캐리어 막의 막 두께는 겔상 이온 캐리어 막을 충전한 튜브의 선단을 이온 감응 기체 선단과 튜브의 선단이 소망의 거리로 되도록 절취함을 특징으로 하는 이온 센서의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860004112A 1985-05-27 1986-05-26 이온센서 및 그 제조방법 KR900008847B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11366785 1985-05-27
JP113667/1985 1985-05-27
JP125665 1985-05-27
JP113667 1985-05-27
JP125665/1985 1985-06-10
JP12566585 1985-06-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR860009304A true KR860009304A (ko) 1986-12-22
KR900008847B1 KR900008847B1 (ko) 1990-11-30

Family

ID=26452611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019860004112A KR900008847B1 (ko) 1985-05-27 1986-05-26 이온센서 및 그 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4753719A (ko)
EP (1) EP0203864B1 (ko)
JP (1) JPH0668478B2 (ko)
KR (1) KR900008847B1 (ko)
DE (1) DE3671530D1 (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6396453U (ko) * 1986-12-11 1988-06-22
KR900005480B1 (ko) * 1986-07-10 1990-07-30 데루모 가부시끼가이샤 기준전극
JPS63131056A (ja) * 1986-11-20 1988-06-03 Terumo Corp Ｆｅｔ電極
WO1988004425A1 (fr) * 1986-12-10 1988-06-16 Terumo Kabushiki Kaisha Membrane porteuse d'ions et capteur d'ions pourvu de cette membrane
US5156728A (en) * 1987-02-12 1992-10-20 Terumo Kabushiki Kaisha Ion sensor
JPS63238547A (ja) * 1987-03-27 1988-10-04 Terumo Corp イオンセンサ
US5047563A (en) * 1987-09-10 1991-09-10 Miles Inc. Chiral crown ethers
JP2672561B2 (ja) * 1988-01-29 1997-11-05 テルモ株式会社 膜被履センサ
JPH01272957A (ja) * 1988-04-25 1989-10-31 Terumo Corp イオン感応膜、その製造方法及びイオンセンサ
US5213675A (en) * 1988-10-27 1993-05-25 Terumo Kabushiki Kaisha Reference electrode, ion sensor and method of manufacturing the same
US5066383A (en) * 1988-10-27 1991-11-19 Terumo Kabushiki Kaisha Reference electrode, ion sensor and method of manufacturing the same
US5401377A (en) * 1993-08-06 1995-03-28 Biomedix, Inc. Ion-selective sensor with polymeric membrane having phospholipid dispersed therein
GB9402661D0 (en) * 1994-02-11 1994-04-06 Ecossensors Ltd Improvements in and relating to detection of lead in blood
AU4668796A (en) * 1995-02-10 1996-08-27 Ecossensors Limited Measuring metal ions in a solution
US5626331A (en) * 1996-01-03 1997-05-06 Erwin Industries, Inc. Composite spindle
FR2752380B1 (fr) * 1996-08-14 1998-10-30 Dow Corning Sa Procede de fabrication d'un dispositif a liberation controlee
US7695601B2 (en) * 2006-05-09 2010-04-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Electrochemical test apparatus and method for its use
GB2441784A (en) * 2006-09-13 2008-03-19 Rtc North Ltd Device for obtaining and analysing a biological fluid
US20120223457A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 General Electric Company Method to manufacture a sensor

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3926764A (en) * 1971-05-19 1975-12-16 Radiometer As Electrode for potentiometric measurements
US3957612A (en) * 1974-07-24 1976-05-18 General Electric Company In vivo specific ion sensor
US3957613A (en) * 1974-11-01 1976-05-18 General Electric Company Miniature probe having multifunctional electrodes for sensing ions and gases
US4052285A (en) * 1975-03-20 1977-10-04 National Research Development Corporation Ion selective electrodes
US4214968A (en) * 1978-04-05 1980-07-29 Eastman Kodak Company Ion-selective electrode
JPS57142356U (ko) * 1981-02-28 1982-09-07
JPS57196146A (en) * 1981-05-27 1982-12-02 Shimadzu Corp Ion-selective electrode
JPS57196116A (en) * 1981-05-27 1982-12-02 Kamachiyou Seikou Kk Measuring device
US4563263A (en) * 1982-01-15 1986-01-07 Terumo Corporation Selectively permeable film and ion sensor
JPS599550A (ja) * 1982-07-09 1984-01-18 Toshiba Corp イオン選択性電極
JPS5916987A (ja) * 1982-07-20 1984-01-28 Olympus Optical Co Ltd クロ−ルイオン選択性電極の製造方法
JPS5957156A (ja) * 1982-09-28 1984-04-02 Toshiba Corp イオン選択性電極
JPS607357A (ja) * 1983-06-28 1985-01-16 Tokuyama Soda Co Ltd 電極用膜
US4549951A (en) * 1984-09-11 1985-10-29 Sentech Medical Corporation Ion selective electrode
EP0186210B1 (en) * 1984-12-28 1992-04-22 TERUMO KABUSHIKI KAISHA trading as TERUMO CORPORATION Ion sensor
JP2003522397A (ja) * 2000-02-10 2003-07-22 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ スイッチ調光安定器

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6290531A (ja) 1987-04-25
EP0203864B1 (en) 1990-05-23
US4753719A (en) 1988-06-28
EP0203864A2 (en) 1986-12-03
EP0203864A3 (en) 1987-08-05
DE3671530D1 (de) 1990-06-28
KR900008847B1 (ko) 1990-11-30
JPH0668478B2 (ja) 1994-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR860009304A (ko) 이온 센서 및 그 제조 방법
US4354308A (en) Method for manufacture of a selective chemical sensitive FET transducer
US4256561A (en) Electrochemical measuring electrode
US4889612A (en) Ion-selective electrode having a non-metal sensing element
US3911901A (en) In vivo hydrogen ion sensor
CN107957440B (zh) 平面型氨选择性感测电极及其制法
US5186808A (en) Film-coated sensor
Dong et al. An electrochemical microsensor for chloride
KR900005221B1 (ko) 이온측정용 시이트형 전극
GB2237390A (en) Liquid microelectrode
US4182668A (en) Ion selective electrode
KR920016848A (ko) 전위차계 센서에 대한 고체 접촉면 시스템
US3436329A (en) Microelectrode and method of making same
US3835013A (en) Oxygen sensor and electrode device therefor
GB1360846A (en) Sensor and method of manufacture thereof
US5432453A (en) Cartridge-shaped reference element for pontentiometric measuring systems
GB1568644A (en) Combination electrode assemblies
JPH0463340B2 (ko)
JPH0765985B2 (ja) ＩＳＦＥＴ並びにこれを利用したＩＳＦＥＴプローブとＩＳＦＥＴ ｐＨセンサ
JPH09127045A (ja) 溶存酸素センサ
JP3659552B2 (ja) イオン濃度測定電極とその製造方法
Fjeldly et al. Glass electrodes with solid-state membrane contacts and their application in differential potentiometric sensors
JP2861131B2 (ja) イオン電極
US3211640A (en) Encapsulated transducer
EP0393184A1 (en) Ion sensor

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19860526

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19860617

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 19860526

Comment text: Patent Application

PG1501 Laying open of application
E601 Decision to refuse application
E902 Notification of reason for refusal
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 19890119

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 19890119

Patent event code: PE09021S01D

J2X1 Appeal (before the patent court)

Free format text: APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL

PJ2001 Appeal

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Decision date: 19900929

Appeal identifier: 1989201000678

Request date: 19890729

G160 Decision to publish patent application
PG1605 Publication of application before grant of patent

Comment text: Decision on Publication of Application

Patent event code: PG16051S01I

Patent event date: 19901102

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 19910222

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 19910423

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 19910423

End annual number: 3

Start annual number: 1

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19931124

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19941101

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19951129

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19961115

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19971125

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19981116

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19991116

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20001125

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20011122

Start annual number: 12

End annual number: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20021122

Year of fee payment: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20021122

Start annual number: 13

End annual number: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee