[go: up one dir, main page]

KR20250011356A - Heat transfer module and canister having the heat transfer module - Google Patents

Heat transfer module and canister having the heat transfer module Download PDF

Info

Publication number
KR20250011356A
KR20250011356A KR1020230091663A KR20230091663A KR20250011356A KR 20250011356 A KR20250011356 A KR 20250011356A KR 1020230091663 A KR1020230091663 A KR 1020230091663A KR 20230091663 A KR20230091663 A KR 20230091663A KR 20250011356 A KR20250011356 A KR 20250011356A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
canister
heat transfer
transfer module
precursor
tube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
KR1020230091663A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
신현국
김대현
이영종
서승호
윤성한
박종언
Original Assignee
(주)지오엘리먼트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)지오엘리먼트 filed Critical (주)지오엘리먼트
Priority to KR1020230091663A priority Critical patent/KR20250011356A/en
Publication of KR20250011356A publication Critical patent/KR20250011356A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4485Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 전구체를 저장하는 캐니스터의 내부에 설치되는 열전달 모듈에 관한 것으로, 일 실시예에 따르면, 캐니스터 내부의 바닥면에 탈착 가능하게 부착되는 플레이트; 및 상기 플레이트의 상부면에 서로 밀착하여 부착된 복수개의 통형상의 튜브;를 포함하고, 상기 캐니스터 외부에서 가해지는 열이 상기 플레이트와 튜브를 통해 캐니스터 내부의 전구체로 전달되도록 하는 열전달 모듈을 개시한다. The present invention relates to a heat transfer module installed inside a canister storing a precursor, and according to one embodiment, comprises: a plate detachably attached to a bottom surface inside the canister; and a plurality of cylindrical tubes attached to an upper surface of the plate in close contact with each other; The present invention discloses a heat transfer module that allows heat applied from the outside of the canister to be transferred to a precursor inside the canister through the plate and the tubes.

Description

열전달 모듈 및 이를 구비한 캐니스터 {Heat transfer module and canister having the heat transfer module}Heat transfer module and canister having the heat transfer module

본 발명은 전구체를 수용하는 캐니스터에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 캐니스터에 설치되는 열전달 모듈 및 이를 구비한 캐니스터에 관한 것이다.The present invention relates to a canister for accommodating a precursor, and more specifically, to a heat transfer module installed in a canister and a canister having the same.

캐니스터는 반도체 제조 공장의 화학기상장치(CVD)나 원자층 증착장치(ALD) 등과 같은 처리설비에 사용되는 각종 원료(전구체)를 가스, 액체, 또는 고체의 형태로 저장하는 용기이다. A canister is a container that stores various raw materials (precursors) used in processing equipment such as chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) equipment in semiconductor manufacturing plants in the form of gas, liquid, or solid.

전구체가 액체 또는 고체인 경우 캐니스터 내의 전구체를 반도체 처리 설비로 공급하기 위해 캐니스터를 가열하여 전구체를 기화시키고 처리 설비로 공급하며 이 때 캐리어 가스를 캐니스터 내부로 주입한 후 기화한 전구체와 함께 처리 설비로 공급하기도 한다. When the precursor is a liquid or solid, the canister is heated to vaporize the precursor and supply it to the processing facility in order to supply the precursor inside the canister to the semiconductor processing facility. At this time, a carrier gas is injected into the canister and supplied to the processing facility together with the vaporized precursor.

종래에는 일반적으로 3리터 내지 5리터 용량의 용기를 주로 사용하였지만 최근에는 반도체 양산량을 늘리면서 캐니스터 용량이 10리터 이상으로 커지고 있고 20리터 또는 40리터 용량의 캐니스터도 사용되고 있다. In the past, containers with a capacity of 3 to 5 liters were mainly used, but recently, as the mass production of semiconductors has increased, canister capacities have increased to 10 liters or more, and canisters with a capacity of 20 or 40 liters are also being used.

반도체 제조의 경우 수율 향상을 위해 항상 일정량의 전구체를 처리 설비로 공급하는 것이 중요한데, 고체(분말) 전구체의 경우 캐니스터 내부에 채워진 고체 전구체의 상부 표면에서만 기화가 일어나지 않고 전구체 내부 전체적으로 기화가 일어나므로 전구체 잔량이 줄어들수록 기화량이 줄어들기 때문에, 캐니스터에 전구체가 어느 정도 남아 있더라도 캐니스터를 교체하고 있다. 그러나 전구체 가격이 매우 비싸기 때문에 가능하면 캐니스터 내의 전구체를 모두 사용하는 것이 경제적으로 바람직하다. 따라서 전구체 양이 줄어들어도 일정한 기화량을 유지함으로써 캐니스터 내의 전구체를 최대한으로 사용할 수 있는 방안이 요구된다. In semiconductor manufacturing, it is important to always supply a certain amount of precursor to the processing equipment to improve the yield. In the case of solid (powder) precursors, vaporization does not occur only on the upper surface of the solid precursor filled inside the canister, but vaporization occurs throughout the entire inside of the precursor. Therefore, as the amount of precursor remaining decreases, the vaporization amount decreases. Therefore, the canister is replaced even if there is some precursor remaining in the canister. However, since the price of precursors is very expensive, it is economically desirable to use all of the precursor in the canister if possible. Therefore, a method is required to maximize the use of the precursor in the canister by maintaining a certain vaporization amount even if the amount of precursor decreases.

특허문헌1: 공개특허공보 제10-2010-0137016호 (2010년 12월 29일 공개)Patent Document 1: Patent Publication No. 10-2010-0137016 (published on December 29, 2010) 특허문헌2: 공개특허공보 제10-2023-0058843호 (2023년 5월 3일 공개)Patent Document 2: Patent Publication No. 10-2023-0058843 (published on May 3, 2023)

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 전구체 잔량이 줄어든 경우에도 전구체 기화량을 초기 상태와 동일 또는 그와 비슷한 수준으로 유지시킴으로써 반도체 처리 설비로 공급하는 전구체 양을 일정하게 유지하고 캐니스터 내의 전구체를 최대한으로 사용할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been devised to solve the above problems, and aims to maintain the precursor vaporization amount at the same level as or similar to the initial state even when the precursor residual amount is reduced, thereby maintaining a constant amount of precursor supplied to a semiconductor processing facility and enabling maximum use of the precursor within the canister.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 전구체를 저장하는 캐니스터의 내부에 설치되는 열전달 모듈로서, 캐니스터 내부의 바닥면에 탈착 가능하게 부착되는 플레이트; 및 상기 플레이트의 상부면에 서로 밀착하여 부착된 복수개의 통형상의 튜브;를 포함하고, 상기 캐니스터 외부에서 가해지는 열이 상기 플레이트와 튜브를 통해 캐니스터 내부의 전구체로 전달되도록 하는 열전달 모듈을 개시한다. According to one embodiment of the present invention, a heat transfer module installed inside a canister storing a precursor, comprising: a plate detachably attached to a bottom surface inside the canister; and a plurality of cylindrical tubes attached to an upper surface of the plate in close contact with each other; and a heat transfer module is disclosed, wherein heat applied from the outside of the canister is transferred to a precursor inside the canister through the plate and tubes.

본 발명의 일 실시예에 따르면 캐니스터 내부에 전구체 양이 줄어들어도 일정한 기화량을 유지할 수 있는 기술적 효과를 가진다. 즉 캐니스터 내에 고체 전구체가 많이 채워져 있는 경우 고체 전구체 전체에 걸쳐 기화가 되므로 소정의 기화량이 발생하고, 고체 전구체가 줄어들어 예컨대 열전달 모듈(200) 정도의 높이까지만 채워진 경우에도 열전달 모듈을 통해 전구체로 열을 더 신속하고 많이 전달할 수 있어 기화량 감소를 막아주며, 따라서 전구체 양이 점차 줄어들어도 일정한 기화량을 유지하거나 기화량 감소율을 낮춤으로써 캐니스터 내의 전구체를 최대한으로 사용할 수 있게 된다. According to one embodiment of the present invention, even if the amount of precursor inside the canister is reduced, it has a technical effect of being able to maintain a constant vaporization amount. That is, when the canister is filled with a large amount of solid precursor, vaporization occurs over the entire solid precursor, so a predetermined vaporization amount occurs, and even when the solid precursor is reduced and filled only to, for example, a height of the heat transfer module (200), heat can be transferred to the precursor more quickly and in greater amounts through the heat transfer module, thereby preventing a decrease in the vaporization amount. Accordingly, even if the amount of precursor gradually decreases, a constant vaporization amount is maintained or the vaporization amount reduction rate is lowered, so that the precursor inside the canister can be used to the maximum extent.

도1은 일 실시예에 따른 캐니스터의 사시도,
도2는 일 실시예에 따른 캐니스터의 내부를 간략히 도시한 단면도,
도3은 일 실시예에 따른 캐니스터의 일부분을 확대한 도면,
도4는 일 실시예에 따른 열전달 모듈의 평면도,
도5는 일 실시예에 따른 열전달 모듈의 일부 사시도,
도6 및 도7은 일 실시예에 따른 열전달 모듈을 제작하는 방법을 설명하는 도면,
도8 및 도9는 대안적 실시예에 따른 열전달 모듈을 설명하는 도면,
도10은 일 실시예에 따라 전구체를 가열하는 방법을 설명하는 흐름도이다.
Figure 1 is a perspective view of a canister according to one embodiment;
Figure 2 is a cross-sectional view schematically illustrating the interior of a canister according to one embodiment;
Figure 3 is an enlarged view of a portion of a canister according to one embodiment;
Figure 4 is a plan view of a heat transfer module according to one embodiment;
Figure 5 is a perspective view of a part of a heat transfer module according to one embodiment;
Figures 6 and 7 are drawings illustrating a method for manufacturing a heat transfer module according to one embodiment;
FIGS. 8 and 9 are drawings illustrating a heat transfer module according to an alternative embodiment;
FIG. 10 is a flow chart illustrating a method of heating a precursor according to one embodiment.

이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 이하에 설명되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상을 충분히 전달할 수 있도록 하기 위해 제공되는 예시적 실시예들이다. The above objects, other objects, features and advantages of the present invention will be readily understood through the following preferred embodiments related to the attached drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. The embodiments described below are exemplary embodiments provided to enable those skilled in the art to sufficiently convey the idea of the present invention.

본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소의 "위"(또는 "아래", "오른쪽", 또는 "왼쪽")에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소의 위(또는 아래, 오른쪽, 또는 왼쪽)에 직접 위치될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. In this specification, when a component is referred to as being “above” (or “below,” “to the right,” or “to the left”) of another component, it means that it can be positioned directly above (or below, to the right, or to the left) of the other component, or that a third component may be interposed between them.

또한 본 명세서에서 구성요소간의 위치 관계를 설명하기 위해 사용되는 '상부', '하부', '좌측', '우측', '전면', '후면' 등의 표현은 절대적 기준으로서의 방향이나 위치를 의미할 수도 있지만 경우에 따라서는 각 도면을 참조하여 본 발명을 설명할 때 해당 도면을 기준으로 설명의 편의를 위해 사용되는 상대적 표현일 수 있다. In addition, expressions such as 'upper', 'lower', 'left', 'right', 'front', and 'rear' used to describe the positional relationship between components in this specification may mean a direction or position as an absolute reference, but in some cases, when describing the present invention with reference to each drawing, they may be relative expressions used for the convenience of explanation based on the drawing.

본 명세서에서 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 연결(또는 결합, 체결, 부착 등)된다고 언급하는 경우 그것은 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소를 개재하여 간접적으로 연결될 수 있다는 것을 의미한다. 또한 본 명세서의 도면들에 있어서 구성요소들의 길이, 두께, 또는 넓이는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이며 어느 한 구성요소와 다른 구성요소의 상대적 크기도 구체적 실시예에 따라 달라질 수 있다. When it is mentioned in this specification that a component is connected (or coupled, fastened, attached, etc.) to another component, it means that it can be directly connected to the other component or indirectly connected by interposing a third component therebetween. In addition, the length, thickness, or width of the components in the drawings of this specification are exaggerated for the effective explanation of the technical contents, and the relative size of one component to another component may also vary depending on the specific embodiment.

본 명세서에서 구성요소의 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '~를 포함한다', '~로 구성된다', 및 '~으로 이루어진다'라는 표현은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. In this specification, the singular form of a component also includes the plural form unless specifically stated otherwise in the phrase. The expressions “including,” “consisting of,” and “consisting of” used in the specification do not exclude the presence or addition of one or more other components in addition to the mentioned components.

본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 구성요소들을 기술하기 위해서 사용된 경우 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 여기에 설명되고 예시되는 실시예들은 그것의 상보적인 실시예들도 포함한다. When terms such as first, second, etc. are used in this specification to describe components, these components should not be limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. The embodiments described and illustrated herein also include complementary embodiments thereof.

이하 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하도록 한다. 아래의 특정 실시예들을 기술하는데 있어서 여러 가지의 특정적인 내용들은 발명을 더 구체적으로 설명하고 이해를 돕기 위해 작성되었다. 하지만 본 발명을 이해할 수 있을 정도로 이 분야의 지식을 갖고 있는 독자는 이러한 여러 가지의 특정적인 내용들이 없어도 사용될 수 있다는 것을 인지할 수 있다. 어떤 경우에는, 발명을 기술하는 데 있어서 흔히 알려졌으면서 발명과 크게 관련 없는 부분들은 본 발명을 설명하는 데 있어 혼돈을 막기 위해 기술하지 않음을 미리 언급해 둔다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In describing specific embodiments below, various specific contents have been written to more specifically describe the invention and help understanding. However, readers who have knowledge of this field enough to understand the present invention can recognize that the invention can be used without these various specific contents. In some cases, it is mentioned in advance that parts that are commonly known but not greatly related to the invention are not described in order to avoid confusion in describing the present invention.

도1은 일 실시예에 따른 캐니스터(100)의 사시도이고 도2는 캐니스터(100)의 내부를 간략히 도시한 단면도이다. Figure 1 is a perspective view of a canister (100) according to one embodiment, and Figure 2 is a cross-sectional view schematically illustrating the interior of the canister (100).

도1과 도2를 참조하면, 캐니스터(100)는 전구체를 저장하며 반도체 처리설비에 전구체를 공급하는 장치이다. 일반적으로 반도체 처리설비는 반도체 웨이퍼나 집적회로 제품을 제조하는 설비일 수 있다. 예를 들어 처리 설비는 화학기상증착(CVD) 장치 또는 이온 주입장치(ion implanter)와 같은 반도체 생산 시설의 공정 챔버(process chamber)와 같은 장치들이 될 수 있으며, 이에 한정되지 않고 전구체를 필요로 하는 임의의 장치나 설비를 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 2, the canister (100) is a device that stores a precursor and supplies the precursor to a semiconductor processing facility. In general, the semiconductor processing facility may be a facility for manufacturing semiconductor wafers or integrated circuit products. For example, the processing facility may be a device such as a process chamber of a semiconductor production facility, such as a chemical vapor deposition (CVD) device or an ion implanter, and may include any device or facility that requires a precursor, without being limited thereto.

캐니스터(100)는 기체, 액체, 또는 고체의 전구체를 수용하고 있다. 전구체가 액체나 고체인 경우 전구체를 가열하여 기화 또는 승화시킨 후 반도체 처리 설비로 공급한다. 이 때 전구체의 상(액체나 고체)에 따라 전구체가 '기화' 또는 '승화'되지만 본 명세서에서는 전구체의 '기화'를 넓은 의미에서 전구체의 기화 및 승화를 포함하는 의미로 사용하기로 한다. The canister (100) accommodates a precursor in the form of a gas, liquid, or solid. If the precursor is a liquid or solid, the precursor is heated to vaporize or sublimate and then supplied to the semiconductor processing equipment. At this time, the precursor is 'vaporized' or 'sublimated' depending on the phase of the precursor (liquid or solid), but in this specification, 'vaporization' of the precursor is used in a broad sense to include vaporization and sublimation of the precursor.

일 실시예에서 캐니스터(100)가 수용하는 전구체가 고체인 경우 '고체'는 예컨대 분말 등과 같이 미세입자 형태인 것도 포함한다. 전구체의 종류로서는, 예를 들어 몰리브덴(Mo), 붕소(B), 인(P), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 비소(As), 루테늄(Ru), 인듐(In), 안티몬(Sb), 란탄(La), 탄탈륨(Ta), 이리듐(Ir), 데카보란(B10H14), 사염화 하프늄(HfCl4), 사염화 지르코늄(ZrCl4), 삼염화 인듐(InCl3), 삼염화 알루미늄(AlCl3), 삼염화 루테늄(RuCl3), 금속 유기 베타-디케토네이트 착물(metal organic βcomplex), 사이클로펜타디에닐 사이클로헵타트리에틸 티타늄(CpTiChT:cyclopentadienyl cycloheptatrienyl titanium), 요오드화 티타늄(TixIy:titanium iodide), 사이클로옥타테트라엔 사이틀로펜타디에닐 티타늄((Cot)(Cp)Ti: cyclooctatetraene cyclopentadienyltitanium), 비스(사이클로펜타디에닐)티타늄 디아지드 [bis(cyclopentadienyl)titanium diazide], 텅스텐 카르보닐(Wx(CO)y)(여기서, x와 y는 자연수), 비스(사이클로펜타디에닐)루테늄(II)[Ru(Cp)2: bis(cyclopentadienyl)ruthenium (II)], 텅스텐 클로라이드(WxCly)(여기서, x와 y는 자연수), 및 몰리브덴 디 클로라이드 이산화물(MoO2Cl2) 중 적어도 하나를 포함하는 물질일 수 있다. In one embodiment, when the precursor accommodated by the canister (100) is a solid, the term ‘solid’ also includes a substance in the form of fine particles, such as a powder. As types of precursors, for example, molybdenum (Mo), boron (B), phosphorus (P), copper (Cu), gallium (Ga), arsenic (As), ruthenium (Ru), indium (In), antimony (Sb), lanthanum (La), tantalum (Ta), iridium (Ir), decaborane (B10H14), hafnium tetrachloride (HfCl4), zirconium tetrachloride (ZrCl4), indium trichloride (InCl3), aluminum trichloride (AlCl3), ruthenium trichloride (RuCl3), metal organic β-diketonate complexes, cyclopentadienyl cycloheptatrienyl titanium (CpTiChT: cyclopentadienyl cycloheptatrienyl titanium), titanium iodide (TixIy: titanium iodide), cyclooctatetraene cyclopentadienyl titanium ((Cot)(Cp)Ti: The substance may include at least one of cyclooctatetraene cyclopentadienyltitanium, bis(cyclopentadienyl)titanium diazide, tungsten carbonyl (Wx(CO)y) (wherein x and y are natural numbers), bis(cyclopentadienyl)ruthenium(II) [Ru(Cp)2: bis(cyclopentadienyl)ruthenium (II)], tungsten chloride (WxCly) (wherein x and y are natural numbers), and molybdenum dichloride dioxide (MoO2Cl2).

일 실시예에서 전구체가 염소(Cl)를 포함하는 고체 전구체로서 MxCly 또는 MxOzCly로 표현되는 화합물일 수 있고, 이 때 x, y, z는 각각 자연수이고 M은 임의의 금속이다. 예를 들어 금속(M)으로는 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 및 티타늄(Ti) 중 적어도 하나일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. In one embodiment, the precursor may be a solid precursor containing chlorine (Cl) and a compound represented by MxCly or MxOzCly, wherein x, y, and z are each natural numbers and M is any metal. For example, the metal (M) may be at least one of aluminum (Al), zirconium (Zr), hafnium (Hf), molybdenum (Mo), tungsten (W), and titanium (Ti), but is not limited thereto.

상기 화학식 MxCly 또는 MxOzCly로 표현되는 화합물의 구체적 예로서 염화 알루미늄(AlCl3), 염화 지르코늄(ZrCl4), 염화 하프늄(HfCl4), 염화 텅스텐(WCl5, WCl6), 몰리브덴 디 클로라이드 이산화물(MoO2Cl2) 등이 있으나 이러한 전구체 종류는 예시적인 것이며 본 발명은 상술한 전구체들에만 한정되는 것이 아님은 물론이다. Specific examples of compounds represented by the chemical formula MxCly or MxOzCly include aluminum chloride (AlCl3), zirconium chloride (ZrCl4), hafnium chloride (HfCl4), tungsten chloride (WCl5, WCl6), molybdenum dichloride dioxide (MoO2Cl2), etc., but these types of precursors are exemplary and the present invention is not limited to the above-described precursors.

일 실시예에서 캐니스터(100)는 캐니스터 본체(110)와 상부 커버(상판)(120)로 구성될 수 있다. 본체(110)는 전구체를 수용하기 위한 수용 공간을 갖는 통 형상의 부재이고, 예를 들어 하부 커버(하판)와 체로 형성된 원통 형상을 가진다. 대안적 실시예에서 원통이 아닌 사각형, 육각형 등의 다각형 단면 형상을 가질 수도 있고 하부 커버가 별개로 제조된 후 조립될 수도 있다. In one embodiment, the canister (100) may be composed of a canister body (110) and an upper cover (top plate) (120). The body (110) is a cylindrical member having a receiving space for receiving a precursor, and has, for example, a cylindrical shape formed by a lower cover (bottom plate) and a body. In an alternative embodiment, it may have a polygonal cross-sectional shape such as a square or hexagon rather than a cylinder, and the lower cover may be manufactured separately and then assembled.

도2에 도시한 것처럼 본체(110)는 본체(110)의 상단부에 커버(120)와의 결합을 위해 내측으로 연장 형성된 결합부(115)를 가질 수 있다. 이에 따라 예컨대 볼트나 체결 나사 등 결합수단을 통해 커버(120)가 본체(110)의 상부에 결합되어 내부 공간을 정의할 수 있다. As illustrated in Fig. 2, the main body (110) may have a connecting portion (115) formed to extend inwardly at the upper portion of the main body (110) for connection with the cover (120). Accordingly, the cover (120) may be connected to the upper portion of the main body (110) through a connecting means such as a bolt or a fastening screw, thereby defining an internal space.

커버(120)는 캐니스터(100)의 내부와 연통하기 위한 하나 이상의 포트를 포함한다. 도1에 도시한 실시예에서 커버(120)는 유입 포트(121)와 배출 포트(122)를 포함한다. 유입 포트(121)는 전구체를 캐니스터(100) 내부에 충진할 때 사용되는 포트이고 배출 포트(122)는 기화된 전구체를 반도체 처리 설비로 공급하기 위해 배출하는 포트이다. The cover (120) includes one or more ports for communicating with the interior of the canister (100). In the embodiment illustrated in FIG. 1, the cover (120) includes an inlet port (121) and a discharge port (122). The inlet port (121) is a port used when filling the precursor into the canister (100), and the discharge port (122) is a port for discharging the vaporized precursor to supply it to a semiconductor processing facility.

커버(120)는 레벨 센서, 온도 센서 등 캐니스터(100) 내부 공간에 설치되는 각종 센서를 연결하는 하나 이상의 연결 포트(123)를 더 포함할 수 있다. 또한 도면에 도시하지 않았지만 커버(120)는 캐리어 가스를 캐니스터(100) 내부로 공급하기 위한 캐리어 가스 주입용 포트를 추가로 더 포함할 수도 있다. The cover (120) may further include one or more connection ports (123) for connecting various sensors installed in the internal space of the canister (100), such as a level sensor and a temperature sensor. In addition, although not shown in the drawing, the cover (120) may additionally include a port for injecting a carrier gas for supplying a carrier gas into the interior of the canister (100).

일 실시예에서 캐니스터(100) 내부 표면은 전구체와의 접촉에 의한 부식을 방지하기 위해 전구체와 반응하지 않는 특정 재질로 코팅될 수 있다. 예를 들어 도3은 일 실시예에 따른 캐니스터(100)의 내부면을 니켈 또는 탄소 등 소정 재질로 코팅한 것을 도시하였다. In one embodiment, the inner surface of the canister (100) may be coated with a specific material that does not react with the precursor to prevent corrosion due to contact with the precursor. For example, FIG. 3 illustrates an embodiment in which the inner surface of the canister (100) is coated with a specific material such as nickel or carbon.

도3을 참조하면, 일 실시예에서 캐니스터(100)의 전구체 수용 공간을 둘러싸는 본체(110)의 내측 표면에 니켈 또는 탄소 코팅층이 형성된다. 예를 들어, 본체(110)의 바닥면과 측면의 적어도 일부에 걸쳐 니켈 또는 탄소 코팅층(140a)을 형성할 수 있다. 추가적으로, 커버(120)의 아래쪽 표면, 즉 전구체 수용 공간을 둘러싸는 커버(120)의 표면에도 니켈 또는 탄소 코팅층(140b)을 형성할 수 있다. 이러한 코팅층(140a, 140b)은 1 마이크로미터 내지 수십 마이크로미터의 두께를 가질 수 있고 CVD나 PVD 또는 ALD 등 공지의 증착 방법에 의해 코팅될 수 있다. Referring to FIG. 3, in one embodiment, a nickel or carbon coating layer is formed on the inner surface of the main body (110) surrounding the precursor receiving space of the canister (100). For example, a nickel or carbon coating layer (140a) may be formed over at least a portion of the bottom surface and side surface of the main body (110). Additionally, a nickel or carbon coating layer (140b) may be formed on the lower surface of the cover (120), that is, the surface of the cover (120) surrounding the precursor receiving space. These coating layers (140a, 140b) may have a thickness of 1 micrometer to several tens of micrometers and may be coated by a known deposition method such as CVD, PVD, or ALD.

한편 본체(110)의 상단부에는 커버(120)와의 결합을 위해 입구 내측으로 연장 형성된 결합부(115)가 형성되고, 결합부(115)의 적어도 일부 영역에도 니켈 또는 탄소 코팅층(140c)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 캐니스터(100)는 본체(110)와 커버(120) 사이에 실링부재(150)가 개재될 수 있다. 실링부재(150)의 일 예로서 단면이 "C" 형상인 메탈 C-실링 부재를 사용할 수 있고 이 때 "C" 형상의 안쪽에는 스프링(155)이 끼워져 배치될 수 있다. 실링부재(150)를 본체(110)와 커버(120) 사이에 안착시키기 위해서는 실링부재(150)를 적어도 부분적으로 수용하는 요홈부가 필요하며, 예컨대 본체(110)의 결합부(115)에 V형 또는 곡면의 요홈부(105)가 형성되고 이와 대응하는 커버(120)의 위치에도 요홈부(125)가 형성될 수 있다. Meanwhile, a joining part (115) is formed at the upper end of the main body (110) to extend inside the inlet for joining with the cover (120), and a nickel or carbon coating layer (140c) may be formed on at least a portion of the joining part (115). For example, the canister (100) may have a sealing member (150) interposed between the main body (110) and the cover (120). As an example of the sealing member (150), a metal C-sealing member having a cross-section in the shape of a "C" may be used, and in this case, a spring (155) may be fitted and arranged inside the "C" shape. In order to secure the sealing member (150) between the main body (110) and the cover (120), a recessed portion that at least partially accommodates the sealing member (150) is required. For example, a V-shaped or curved recessed portion (105) may be formed in the joining portion (115) of the main body (110), and a recessed portion (125) may also be formed in a corresponding position of the cover (120).

특히 전구체를 본체(110)의 수용 공간에 채우거나 본체(110)에 채워져 있던 전구체를 밖으로 배출하는 과정에서 전구체가 결합부(115)에도 접촉할 가능성이 높으며 이 경우 전구체가 요홈부(105)와 접촉하게 되면 요홈부(105)의 표면에 부식이 일어나므로 캐니스터의 밀폐가 완벽하게 이루어지지 않을 가능성이 있다. 따라서 바람직한 일 실시예에서 요홈부(105)의 표면에도 니켈 또는 탄소 코팅층(140c)을 형성한다. In particular, in the process of filling the precursor into the receiving space of the main body (110) or discharging the precursor filled in the main body (110), there is a high possibility that the precursor will come into contact with the joining portion (115), and in this case, if the precursor comes into contact with the grooved portion (105), corrosion may occur on the surface of the grooved portion (105), so that the canister may not be completely sealed. Therefore, in a preferred embodiment, a nickel or carbon coating layer (140c) is formed on the surface of the grooved portion (105).

일 실시예에서 캐니스터(100)의 내부 바닥면에 열전달 모듈(200)이 설치된다. 열전달 모듈(200)은 캐니스터(100)의 주위에 설치된 히터(310,320)로부터 전달되는 열을 캐니스터 내의 전구체에 보다 더 빠르고 효율적으로 전달하기 위한 구조물이다. 열전달 모듈(200)의 높이는 캐니스터 내부 공간의 높이의 대략 2/10 내지 5/10 사이일 수 있다. 열전달 모듈(200)의 예시적 구성에 대해서는 도3 내지 도8을 참조하여 후술하기로 한다. In one embodiment, a heat transfer module (200) is installed on the inner bottom surface of the canister (100). The heat transfer module (200) is a structure for more quickly and efficiently transferring heat transferred from heaters (310, 320) installed around the canister (100) to a precursor within the canister. The height of the heat transfer module (200) may be between approximately 2/10 and 5/10 of the height of the inner space of the canister. An exemplary configuration of the heat transfer module (200) will be described later with reference to FIGS. 3 to 8.

캐니스터(100) 주위로 설치된 히터(310, 320)는 캐니스터(100)를 가열하여 전구체를 기화시킨다. 도시한 실시예에서 제1 히터(310)는 열전달 모듈(200)의 적어도 일부를 둘러싸는 캐니스터 측면 및 캐니스터의 하부면을 가열하는 히터이다. 제2 히터(320)는 제1 히터(310)의 위쪽에 설치되어 캐니스터(100)의 중간 또는 그 이상의 영역을 가열하는 히터이다. 제1 히터(310)와 제2 히터(320)는 동일한 온도로 캐니스터(100)를 가열할 수도 있고 상이한 온도로 가열할 수 있다. 도시한 실시예에서는 두 개의 히터(310, 320)가 캐니스터(100)의 측면을 커버하도록 구성하였지만 이는 예시적인 것이며, 예컨대 3개 또는 4개의 히터가 캐니스터(100)의 측면을 아래쪽에서부터 위쪽으로 차례로 설치되어 측면을 각각 동일한 또는 서로 다른 온도로 가열하도록 구성할 수 있다. Heaters (310, 320) installed around the canister (100) heat the canister (100) to vaporize the precursor. In the illustrated embodiment, the first heater (310) is a heater that heats the side of the canister surrounding at least a portion of the heat transfer module (200) and the lower surface of the canister. The second heater (320) is a heater that is installed above the first heater (310) and heats the middle or higher region of the canister (100). The first heater (310) and the second heater (320) may heat the canister (100) to the same temperature or to different temperatures. In the illustrated embodiment, two heaters (310, 320) are configured to cover the sides of the canister (100), but this is exemplary, and for example, three or four heaters may be installed sequentially from the bottom to the top of the side of the canister (100) to heat the sides at the same or different temperatures.

또한 대안적 실시예에서 캐니스터(100)의 하부면을 가열하는 히터가 제1 히터(310)와 별개인 다른 히터로 구현될 수도 있다. 또한 이러한 하나 이상의 히터의 온/오프와 온도 설정 등을 제어하기 위한 제어부(도시 생략)를 구비할 수 있음은 물론이다. In addition, in an alternative embodiment, the heater for heating the lower surface of the canister (100) may be implemented as a different heater separate from the first heater (310). It goes without saying that a control unit (not shown) for controlling the on/off and temperature setting of one or more of these heaters may be provided.

도4는 일 실시예에 따른 열전달 모듈(200)의 평면도이고 도5는 열전달 모듈(200)의 일부 구성의 사시도이다. FIG. 4 is a plan view of a heat transfer module (200) according to one embodiment, and FIG. 5 is a perspective view of a part of the heat transfer module (200).

도4와 도5를 참조하면, 열전달 모듈(200)은 플레이트(210)와 플레이트(210) 상부면에 부착된 복수개의 통형상의 튜브(220)로 구성될 수 있다. 플레이트(210)는 캐니스터(100) 내부 바닥면에 탈착 가능하게 부착되는 판형상의 부재이다. 일반적으로 캐니스터(100)가 원통 형상인 경우 바닥면이 원형이므로 도4에 도시한 것처럼 플레이트(210)가 원판 형상일 수 있다. 그러나 대안적 실시예에서 플레이트(210)는 사각형 등 다각형의 판상 부재일 수도 있다. 플레이트(210)는 캐니스터(100)의 바닥면과 탈착 가능하게 결합되고 이를 위해 예컨대 볼트나 체결나사가 관통하는 관통구(211)가 하나 이상 형성되어 있다. Referring to FIGS. 4 and 5, the heat transfer module (200) may be composed of a plate (210) and a plurality of cylindrical tubes (220) attached to the upper surface of the plate (210). The plate (210) is a plate-shaped member detachably attached to the inner bottom surface of the canister (100). Generally, when the canister (100) is cylindrical, the bottom surface is circular, so the plate (210) may have a circular shape as illustrated in FIG. 4. However, in an alternative embodiment, the plate (210) may be a polygonal plate-shaped member, such as a square. The plate (210) is detachably connected to the bottom surface of the canister (100), and for this purpose, at least one through-hole (211) is formed through which, for example, a bolt or a fastening screw passes.

일 실시예에서 플레이트(210)는 서로 분리된 적어도 2개의 조각 플레이트로 구성될 수 있다. 도시한 실시예에서 원판형 플레이트(210)는 두 개의 반원형의 조각 플레이트(210a, 210b)로 구성되고 각각의 조각 플레이트(210a, 210b) 위에 복수개의 튜브(220)가 설치됨으로써, 열전달 모듈(200)은 조각 플레이트(210a, 210b) 단위로 둘 이상의 부분 모듈로 구성된다. 도5는 두 개의 조각 플레이트 중 제1 조각 플레이트(210a)와 그 위에 형성된 복수개의 튜브(220)로 구성된 제1 부분 모듈의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다. In one embodiment, the plate (210) may be composed of at least two piece plates that are separated from each other. In the illustrated embodiment, the disc-shaped plate (210) is composed of two semicircular piece plates (210a, 210b), and a plurality of tubes (220) are installed on each piece plate (210a, 210b), so that the heat transfer module (200) is composed of two or more partial modules in units of piece plates (210a, 210b). FIG. 5 schematically illustrates a perspective view of a first partial module composed of a first piece plate (210a) of the two piece plates and a plurality of tubes (220) formed thereon.

플레이트(210)의 상부면에 부착되는 복수개의 튜브(220)는 열전달을 위해 서로 밀착하여 형성된다. 각 튜브(220)는 예컨대 1cm 내지 5cm 사이의 직경을 갖는 원통 형상의 튜브이다. 플레이트(210) 및 각각의 튜브(220)는 전구체와의 반응성이 없고 높은 열전달이 가능한 재질로 구성될 수 있다. 예를 들어 플레이트(210)와 튜브(220)는 스테인리스스틸 또는 하스텔로이 등으로 제작될 수 있으나 이러한 재질에 한정되지 않는다. A plurality of tubes (220) attached to the upper surface of the plate (210) are formed in close contact with each other for heat transfer. Each tube (220) is a cylindrical tube having a diameter of, for example, 1 cm to 5 cm. The plate (210) and each tube (220) may be made of a material that is non-reactive with the precursor and capable of high heat transfer. For example, the plate (210) and the tubes (220) may be made of stainless steel or Hastelloy, but are not limited to such materials.

대안적 실시예에서 각각의 튜브(220)가 사각형, 육각형 등 다각형 단면을 갖는 통형상의 부재일 수도 있다. 예를 들어 육각형 단면을 갖는 경우 복수의 튜브(220)가 밀착하여 형성됨으로써 튜브(220)들을 위에서 볼 때 허니컴 구조가 됨을 이해할 것이다. In an alternative embodiment, each tube (220) may be a cylindrical member having a polygonal cross-section, such as a square or hexagon. For example, in the case of a hexagonal cross-section, it will be understood that when a plurality of tubes (220) are closely formed, the tubes (220) form a honeycomb structure when viewed from above.

일 실시예에서 플레이트(210)의 상부면에 각각의 튜브(220)가 용접에 의해 부착되어 열전달 모듈(200)을 제작할 수 있다. 이 때 바람직하게는, 스팟 용접에 의해 튜브(220)를 플레이트(210)에 부착한다. 튜브(220)의 하단부 둘레를 따라 튜브(220)와 플레이트(210)가 만나는 지점을 용접하게 되면 플레이트(210)가 용접 열에 의해 휘어지는 경향이 있고 이에 따라 플레이트(210)의 하부면 전체가 캐니스터(100)의 하부 바닥면에 밀착하지 않게 되어 열전달이 잘 되지 않는다. 이와 달리 본 발명의 일 실시예에서는 튜브(220)를 스팟 용접에 의해 플레이트(210)에 부착함으로써 플레이트(210)의 휘어짐을 방지하고 이에 따라 플레이트(210)와 캐니스터간 열전달 효율을 높일 수 있다. 플레이트(210)와 튜브(220)의 접합 방법에 대해서는 도6과 도7을 참조하여 후술하기로 한다. In one embodiment, each tube (220) may be attached by welding to the upper surface of the plate (210) to manufacture the heat transfer module (200). In this case, the tube (220) is preferably attached to the plate (210) by spot welding. If the point where the tube (220) and the plate (210) meet along the lower circumference of the tube (220) is welded, the plate (210) tends to bend due to the welding heat, and thus the entire lower surface of the plate (210) does not come into close contact with the lower bottom surface of the canister (100), resulting in poor heat transfer. In contrast, in one embodiment of the present invention, the tube (220) is attached to the plate (210) by spot welding, thereby preventing the bending of the plate (210), and thus increasing the heat transfer efficiency between the plate (210) and the canister. The method of joining the plate (210) and the tube (220) will be described later with reference to FIGS. 6 and 7.

또한 일 실시예에서 캐니스터(100)의 하부면에 온도센서(130)가 부착된다. 예를 들어 도2에 도시한 것처럼 캐니스터(100)의 외측 하부면에서 캐니스터(100)의 중심축에 가까운 위치에 온도센서(130)가 설치될 수 있다. 온도센서(130)는 캐니스터(100) 내부의 전구체의 온도를 측정하기 위한 것으로, 종래에는 일반적으로 캐니스터(100)의 측면이나 설치되는 경우가 많았다. 그러나 고체 전구체의 경우 열전달이 잘 되지 않아 캐니스터 중심부의 전구체의 온도가 캐니스터(100)의 측면에 전달되기까지 시간 지연이 발생하기 때문에 정확한 전구체 온도 측정에 따른 히터(310, 320) 제어가 쉽지 않지만, 본 발명에 따르면 캐니스터 중심부의 전구체의 온도가 열전달 모듈(200)의 상부로 뻗어있는 튜브(210)를 통해 캐니스터(100)의 바닥까지 빠르게 전달되기 때문에 온도센서(130)가 전구체의 현재 온도를 신속히 측정하여 히터(310, 320)를 효과적으로 제어할 수 있다. In addition, in one embodiment, a temperature sensor (130) is attached to the lower surface of the canister (100). For example, as shown in FIG. 2, the temperature sensor (130) may be installed at a position close to the central axis of the canister (100) on the outer lower surface of the canister (100). The temperature sensor (130) is for measuring the temperature of the precursor inside the canister (100), and has been commonly installed on the side or the side of the canister (100) in the past. However, in the case of a solid precursor, heat transfer is not good, so there is a time delay until the temperature of the precursor at the center of the canister is transferred to the side of the canister (100), so it is not easy to control the heater (310, 320) based on accurate precursor temperature measurement. However, according to the present invention, since the temperature of the precursor at the center of the canister is quickly transferred to the bottom of the canister (100) through the tube (210) extending to the top of the heat transfer module (200), the temperature sensor (130) can quickly measure the current temperature of the precursor and effectively control the heater (310, 320).

한편, 일반적으로 캐니스터 내의 전구체를 기준량 이상으로 사용하면 캐니스터를 반도체 설비에서 탈거하고 캐니스터 내부를 세정한 후 다시 전구체를 채워서 재사용한다. 이 때 본 발명에 따른 열전달 모듈(200)을 구비한 캐니스터(100)의 경우, 전구체를 소정량 이상 사용하여 캐니스터를 반도체 설비에서 탈거하면 열전달 모듈(200)을 분리한 후 캐니스터(100)를 세정하고, 세정된 열전달 모듈(200) 또는 새로운 열전달 모듈(200)을 캐니스터 내부에 다시 설치한 후 전구체를 채워 넣어 재사용 하도록 한다. Meanwhile, generally, when the precursor inside the canister is used in excess of the standard amount, the canister is removed from the semiconductor equipment, the inside of the canister is cleaned, and then the precursor is filled again for reuse. At this time, in the case of the canister (100) equipped with the heat transfer module (200) according to the present invention, when the precursor is used in excess of the specified amount and the canister is removed from the semiconductor equipment, the heat transfer module (200) is separated, the canister (100) is cleaned, the cleaned heat transfer module (200) or a new heat transfer module (200) is reinstalled inside the canister, and then the precursor is filled again for reuse.

또한 도시한 실시예와 같이 열전달 모듈(200)을 이와 같이 둘 이상의 부분 모듈로 구성하는 경우 열전달 모듈(200)을 캐니스터에 설치하거나 제거하는 작업이 용이해진다. 일반적으로 캐니스터(100)는 상단부에 커버(120)와의 결합을 위해 내측으로 연장 형성된 결합부(115)가 있기 때문에 캐니스터 입구가 좁다. 따라서 열전달 모듈(200)을 일체로 형성할 경우 캐니스터 내부로 넣기 곤란한 문제가 있다. 그러나 본 발명의 실시예와 같이 플레이트(210)를 둘 이상의 조각 플레이트로 분할하고 각각에 튜브(220)를 형성하여 열전달 모듈(200)을 둘 이상의 부분 모듈로 구성할 경우 부분 모듈을 하나씩 순차적으로 캐니스터(100) 내부로 넣거나 빼낼 수 있어 열전달 모듈(200) 설치가 가능하고 작업의 편리성도 증대된다. In addition, when the heat transfer module (200) is configured as two or more partial modules as in the illustrated embodiment, the work of installing or removing the heat transfer module (200) in the canister becomes easier. In general, the canister (100) has a connecting portion (115) formed inwardly to be connected to the cover (120) at the upper end, so that the canister entrance is narrow. Therefore, when the heat transfer module (200) is formed integrally, there is a problem that it is difficult to put it inside the canister. However, when the plate (210) is divided into two or more piece plates and a tube (220) is formed in each of them to configure the heat transfer module (200) as two or more partial modules as in the embodiment of the present invention, the partial modules can be sequentially put into or taken out one by one from the canister (100), so that the heat transfer module (200) can be installed and the convenience of the work is also increased.

도6 및 도7은 일 실시예에 따른 열전달 모듈을 제작하는 방법을 설명하는 도면이다. 설명의 편의를 위해, 원판형의 플레이트(210)가 반원형의 제1 조각 플레이트(210a)와 제2 조각 플레이트(210b)로 구성되는 것으로 가정하고, 제1 조각 플레이트(210a)에 튜브(220)를 부착하는 방법을 설명하기로 한다. Figures 6 and 7 are drawings explaining a method of manufacturing a heat transfer module according to one embodiment. For convenience of explanation, it is assumed that a circular plate (210) is composed of a first semicircular piece plate (210a) and a second semicircular piece plate (210b), and a method of attaching a tube (220) to the first piece plate (210a) will be explained.

도6을 참조하면, 반원형의 제1 조각 플레이트(210a)는 플레이트 주위를 따라 하나 이상의 체결구멍(211)이 형성되어 있다. 체결구멍(211)을 통해 볼트나 나사 등 체결수단을 삽입하여 열전달 모듈(200)을 캐니스터(100)의 내부 바닥면에 탈착 가능하게 체결할 수 있다. Referring to FIG. 6, the first semicircular piece plate (210a) has one or more fastening holes (211) formed along the periphery of the plate. A fastening means such as a bolt or screw can be inserted through the fastening hole (211) to detachably fasten the heat transfer module (200) to the inner bottom surface of the canister (100).

또한 제1 조각 플레이트(210a)에는 스팟 용접을 위한 다수의 관통구(213)가 형성된다. 관통구(213)는 평면에서 볼 때 다수의 튜브(220)들이 서로 접하는 지점(예컨대 도7에서 W로 표시한 지점)마다 형성된다. In addition, a plurality of through holes (213) for spot welding are formed in the first piece plate (210a). The through holes (213) are formed at each point where a plurality of tubes (220) come into contact with each other when viewed in a plane (for example, at a point indicated by W in FIG. 7).

그 후 도7에 도시한 것처럼 제1 조각 플레이트(210a) 위에 튜브(220)를 배치한다. 일 실시예에서 튜브(220)는 원통형 튜브이고, 도7과 같이 평면에서 볼 때 튜브(220)들을 격자 형태로 서로 밀착하도록 하여 배치할 수 있다. 그러나 이러한 배치는 예시적인 것이며 구체적 실시 형태에 따라 튜브(220)를 다양한 방식으로 배치할 수 있음은 물론이다. Thereafter, as shown in Fig. 7, a tube (220) is placed on the first piece plate (210a). In one embodiment, the tube (220) is a cylindrical tube, and as shown in Fig. 7, the tubes (220) can be placed so that they are in close contact with each other in a grid shape when viewed from a plane. However, this arrangement is exemplary, and it goes without saying that the tubes (220) can be placed in various ways depending on the specific embodiment.

도7에서와 같이 튜브(220)를 서로 격자 형태로 밀착시켜 배치하면 평면상에서 볼 때 각 튜브(220)는 서로 이웃하는 튜브(220)와 점 접촉을 하게 되고 이렇게 서로 접촉하는 지점(즉, 도7의 W로 표시한 지점)(이하 “접촉 지점”이라고도 함)이 곧 제1 조각 플레이트(210a)의 관통구(213)가 형성된 지점이다. As shown in Fig. 7, when the tubes (220) are arranged in a grid shape and closely adhered to each other, each tube (220) makes point contact with the neighboring tubes (220) when viewed on a plane, and the point of contact (i.e., the point indicated by W in Fig. 7) (hereinafter also referred to as “contact point”) is the point where the through hole (213) of the first piece plate (210a) is formed.

그 후 각 접촉 지점(W)마다 스팟 용접을 한다. 즉 관통구(213)를 통해 스팟 용접을 함으로써 각 접촉 지점(W)에서 서로 접촉하는 두 개의 튜브(220)가 서로 결합할 뿐만 아니라 제1 조각 플레이트(210a)와도 결합하며, 이와 같이 전체 접촉 지점(W)에 대해 스팟 용접을 순차적으로 또는 동시에 진행하여 도5에 도시한 것과 같이 제1 조각 플레이트(210a) 위에 다수의 튜브(220)를 부착 설치한다. After that, spot welding is performed at each contact point (W). That is, by spot welding through the through hole (213), the two tubes (220) that come into contact with each other at each contact point (W) are not only joined to each other but also joined to the first piece plate (210a), and in this way, spot welding is performed sequentially or simultaneously for the entire contact point (W) to attach and install a plurality of tubes (220) on the first piece plate (210a) as illustrated in FIG. 5.

한편 대안적 실시예에서 각각의 튜브(220)가 사각형이나 육각형의 통형상을 갖는 경우 튜브(220)들이 밀착하게 되면 서로 이웃하는 튜브(220)들끼리 측면이 면접촉하게 되고 튜브(220)들을 위에서 바라볼 경우 서로 이웃하는 튜브(220)들이 점 접촉이 아닌 선접촉을 한다. 이 경우에는 예를 들어 선과 선이 만나는 지점을 '접촉 지점'이 되고 이 지점에 스팟 용접을 할 수 있다. 예컨대 사각형 튜브인 경우 평면상에서 볼 때 4개의 이웃하는 튜브가 만나는 한 점이 '접촉 지점'이 됨을 이해할 것이다. Meanwhile, in an alternative embodiment, if each tube (220) has a rectangular or hexagonal cylindrical shape, when the tubes (220) are in close contact, the side surfaces of the neighboring tubes (220) come into surface contact with each other, and when the tubes (220) are viewed from above, the neighboring tubes (220) make line contact rather than point contact. In this case, for example, the point where a line meets a line becomes a 'contact point', and spot welding can be performed at this point. For example, in the case of a square tube, it will be understood that one point where four neighboring tubes meet when viewed in a plane becomes a 'contact point'.

일 실시예에서, 서로 이웃하는 튜브(220)의 상부의 접촉 지점에도 스팟 용접을 추가로 할 수 있다. 즉 도5에 W로 표시한 접촉 지점들에 대해서도 스팟 용접에 의해 서로 이웃하는 튜브(220)들끼리 접합시켜 튜브(220) 구조물을 더 견고하게 설치할 수 있다. In one embodiment, spot welding can be additionally performed at the contact points on the upper sides of adjacent tubes (220). That is, the tube (220) structure can be installed more firmly by joining adjacent tubes (220) to each other by spot welding at the contact points indicated by W in Fig. 5.

한편 도면에서는 제1 조각 플레이트(210a)에 튜브(220)를 설치하는 방법을 설명하였지만 제2 조각 플레이트(210b)에 튜브(220)를 설치하는 것도 위와 동일 또는 유사한 방법으로 수행할 수 있음을 이해할 것이다. Meanwhile, although the drawing describes a method of installing a tube (220) on a first piece plate (210a), it will be understood that installing a tube (220) on a second piece plate (210b) can also be performed in the same or similar manner as above.

일 실시예에서 이와 같이 스팟 용접에 의해 플레이트(210)에 튜브(220)를 부착함으로써 플레이트(210)가 열에 의해 휘어지는 것을 방지하고 플레이트(210)를 캐니스터(100)의 내부 바닥면에 보다 밀착시켜 결합할 수 있어 캐니스터(100)로부터 열전달 모듈(200)로의 열 전달 효율을 높일 수 있다. In one embodiment, by attaching the tube (220) to the plate (210) by spot welding in this manner, the plate (210) can be prevented from being warped by heat and the plate (210) can be bonded more closely to the inner bottom surface of the canister (100), thereby increasing the efficiency of heat transfer from the canister (100) to the heat transfer module (200).

상술한 본 발명의 일 실시예에 따르면 캐니스터 내부에 전구체 양이 줄어들어도 일정한 기화량을 유지할 수 있는 기술적 효과를 가진다. 즉 캐니스터(100) 내에 고체 전구체가 많이 채워져 있는 경우 고체 전구체 전체에 걸쳐 기화가 되므로 소정의 기화량이 발생하고, 고체 전구체가 줄어들어 예컨대 열전달 모듈(200) 정도의 높이까지만 채워진 경우에도 열전달 모듈(200)을 통해 전구체로 열을 더 신속하고 많이 전달할 수 있어 기화량 감소를 막아주며, 따라서 전구체 양이 점차 줄어들어도 일정한 기화량을 유지하거나 기화량 감소율을 낮춤으로써 캐니스터 내의 전구체를 최대한으로 사용할 수 있게 된다. According to one embodiment of the present invention described above, there is a technical effect of being able to maintain a constant vaporization amount even if the amount of precursor inside the canister decreases. That is, when the canister (100) is filled with a large amount of solid precursor, vaporization occurs over the entire solid precursor, thereby generating a predetermined vaporization amount, and even when the solid precursor is reduced and filled only to, for example, a height of the heat transfer module (200), heat can be transferred to the precursor more quickly and in greater amounts through the heat transfer module (200), thereby preventing a decrease in the vaporization amount, and therefore, even when the amount of precursor gradually decreases, a constant vaporization amount is maintained or the vaporization amount reduction rate is lowered, thereby enabling maximum use of the precursor inside the canister.

도8 및 도9는 대안적 실시예에 따른 열전달 모듈을 설명하는 도면으로, 플레이트(210) 위에 설치되는 튜브(230,240)가 상부로 갈수록 직경이 작아지는 구조의 열전달 모듈을 개시하였다. FIGS. 8 and 9 are drawings explaining a heat transfer module according to an alternative embodiment, and disclose a heat transfer module having a structure in which tubes (230, 240) installed on a plate (210) have a diameter that decreases as they go upward.

도8은 대안적 실시예의 열전달 모듈로서 도8(a)는 개략적인 측면도이고 도8(b)는 튜브 하나를 위에서 바라본 형상을 개략적으로 도시하였다. 도8을 참조하면, 열전달 모듈은 플레이트(210) 위에 다층의 튜브(230)가 설치된다. FIG. 8 is a schematic side view of a heat transfer module of an alternative embodiment, and FIG. 8(a) is a schematic side view and FIG. 8(b) is a schematic view of a shape of one tube viewed from above. Referring to FIG. 8, the heat transfer module has a multilayer tube (230) installed on a plate (210).

다층 튜브(230)는 하단의 제1단 튜브(231) 및 상단의 제2단 튜브(232)로 구성된다. 제1단 튜브(231)는 예컨대 소정의 제1 직경의 원통형 튜브이고, 제2단 튜브(232)는 제1 직경보다 큰 제2 직경의 원통형 튜브이다. 도시한 실시예에서는 제2단 튜브(232)의 직경이 제1단 튜브(231)의 직경보다 2배 큰 경우이며, 따라서 도8(b)에 도시한 것처럼 서로 이웃한 4개의 제1단 튜브(231) 위에 하나의 제2단 튜브(232)가 올려져서 설치된 구조임을 이해할 것이다. 이 때 제1단 튜브(231)들은 상술한 것처럼 서로 이웃하는 튜브들과의 접촉 지점마다 스팟 용접에 의해 플레이트(210) 위에 설치될 수 있고, 제2 튜브(232)는 도8(b)에 W로 표시한 지점들, 즉 제1단 튜브(231)의 상단부와 만나는 지점마다 스팟 용접을 하여 제1 튜브(231) 위에 설치할 수 있다. The multilayer tube (230) is composed of a first-stage tube (231) at the bottom and a second-stage tube (232) at the top. The first-stage tube (231) is, for example, a cylindrical tube having a predetermined first diameter, and the second-stage tube (232) is a cylindrical tube having a second diameter larger than the first diameter. In the illustrated embodiment, the diameter of the second-stage tube (232) is twice as large as the diameter of the first-stage tube (231), and therefore, it will be understood that the structure is such that one second-stage tube (232) is installed by being placed on four adjacent first-stage tubes (231) as illustrated in FIG. 8(b). At this time, the first stage tubes (231) can be installed on the plate (210) by spot welding at each point of contact with the adjacent tubes as described above, and the second tubes (232) can be installed on the first tube (231) by spot welding at each point indicated by W in Fig. 8(b), i.e., the point where they meet the upper end of the first stage tube (231).

도시한 실시예에서는 튜브(230)를 2단 구조로 도시하였지만 이는 예시적인 것이며, 예를 들어 3단 또는 4단과 같이 다단으로 구성할 수 있다. 이 경우 위쪽 단으로 갈수록 아래쪽 단보다 튜브의 직경이 커지도록 구성한다. In the illustrated embodiment, the tube (230) is illustrated as having a two-stage structure, but this is exemplary and may be configured in multiple stages, such as three or four stages. In this case, the tube diameter is configured to be larger as it goes up the stage than at the lower stage.

도9는 또 다른 대안적 실시예에 따른 열전달 모듈의 개략적인 측면도이다. 도9의 실시예에서 열전달 모듈은 플레이트(210) 및 그 위에 설치된 복수의 튜브(240)로 구성된다. 각각의 튜브(240)는 위로 갈수록 직경이 작아지는 형상, 즉 상부가 절단된 원추형 또는 원뿔형 형상을 가진다. 이 구성의 경우 서로 이웃하는 튜브(240)들과의 접촉 지점마다 스팟 용접을 하여 튜브(240)를 서로 결합시키고 플레이트(210)에 부착할 수 있다. FIG. 9 is a schematic side view of a heat transfer module according to another alternative embodiment. In the embodiment of FIG. 9, the heat transfer module is composed of a plate (210) and a plurality of tubes (240) installed thereon. Each tube (240) has a shape in which the diameter decreases as it goes up, i.e., a cone or a conical shape with a truncated top. In this configuration, the tubes (240) can be joined to each other by spot welding at each contact point with neighboring tubes (240) and attached to the plate (210).

이와 같이 도8 또는 도9와 같이 튜브(230,240)가 상부로 갈수록 직경이 작아지는 구조를 가짐으로써 전구체의 기화량이 한층 더 일정하게 유지할 수 있다. 즉 캐니스터 내부의 상부 공간으로 갈수록 튜브(230,240)와 접촉하는 면적이 점차(선형적으로 또는 선형에 가깝게) 줄어들고 하부 공간으로 갈수록 접촉 면적이 점차 증가하는 구조이기 때문에, 캐니스터 내부의 전구체가 점차 줄어드는 것과 튜브(230,240)와의 접촉 면적이 늘어나는 것이 상쇄되어 일정한 기화량을 유지할 수 있게 된다. In this way, since the tubes (230, 240) have a structure in which the diameter decreases as they go upward, as in Fig. 8 or Fig. 9, the vaporization amount of the precursor can be maintained even more consistently. That is, since the area in contact with the tubes (230, 240) gradually decreases (linearly or nearly linearly) as they go toward the upper space inside the canister and the contact area gradually increases as they go toward the lower space, the gradual decrease in the precursor inside the canister and the increase in the contact area with the tubes (230, 240) are offset, so that a constant vaporization amount can be maintained.

도10은 열전달 모듈(200)을 구비한 캐니스터(100)의 전구체를 기화시켜 반도체 처리 설비로 공급하는 예시적인 방법을 설명하는 흐름도이다. 초기에 고체 전구체가 캐니스터(100)의 내부 공간에 거의 채워져 있는 상태라고 가정한다. 또한 도면에 도시하지 않았지만 예컨대 제어부(도시 생략)가 캐니스터의 하부면에 설치된 온도센서(130)의 온도 측정값을 수신하고 이에 기초하여 도10의 각 단계를 제어한다고 가정한다. Fig. 10 is a flow chart illustrating an exemplary method of vaporizing a precursor in a canister (100) equipped with a heat transfer module (200) and supplying it to a semiconductor processing facility. It is assumed that the solid precursor is initially almost filled in the internal space of the canister (100). In addition, although not shown in the drawing, it is assumed that a control unit (not shown) receives a temperature measurement value of a temperature sensor (130) installed on the lower surface of the canister and controls each step of Fig. 10 based on the temperature measurement value.

우선 단계(S10)에서 제어부가 제1 히터(310)와 제2 히터(320)를 동작시켜 캐니스터(100)를 가열하고 전구체를 기화시킨다. 이 때 제1 히터(310)는 제1 온도(T11)로 가열하고 제2 히터(320)는 제2 온도(T2)로 가열하되 제2 온도(T2)가 제1 온도(T11) 보다 높도록 온도를 설정한다. 전구체가 기화하여 캐니스터 상부로 올라갈 때 상층부 온도가 낮으면 전구체가 다시 응축하는 문제가 발생하기 때문에 이를 방지하기 위해 캐니스터의 아래에서 위로 올라 갈수록 온도가 상승하도록(또는 적어도 온도가 동일하도록) 제1 히터(310)와 제2 히터(320)의 온도를 설정하는 것이 바람직하다. First, in step (S10), the control unit operates the first heater (310) and the second heater (320) to heat the canister (100) and vaporize the precursor. At this time, the first heater (310) heats to a first temperature (T11) and the second heater (320) heats to a second temperature (T2), but the temperatures are set so that the second temperature (T2) is higher than the first temperature (T11). When the precursor vaporizes and rises to the top of the canister, if the upper temperature is low, the precursor may condense again. Therefore, to prevent this, it is preferable to set the temperatures of the first heater (310) and the second heater (320) so that the temperature increases from the bottom to the top of the canister (or at least so that the temperatures are the same).

한편 전구체를 기화하여 반도체 처리 설비로 공급하는 동안 캐니스터(100) 내부에 설치된 레벨 센서를 이용하여 전구체의 잔량을 측정하고(S20), 전구체가 기설정된 소정 높이 이상으로 남아 있으면 제1 및 제2 히터(310, 320)의 상기 온도 설정을 그대로 유지한다(S30_No). 여기서 '소정 높이'는 열전달 모듈(200)의 높이, 즉 튜브(200)의 높이에 따라 결정될 수 있고, 예컨대 튜브(200)의 상단부와 동일한 높이이거나 또는 이보다 약간 높거나 낮은 높이일 수 있다. Meanwhile, while the precursor is vaporized and supplied to the semiconductor processing facility, the remaining amount of the precursor is measured using a level sensor installed inside the canister (100) (S20), and if the precursor remains above a preset height, the temperature setting of the first and second heaters (310, 320) is maintained as is (S30_No). Here, the 'predetermined height' can be determined according to the height of the heat transfer module (200), that is, the height of the tube (200), and for example, can be the same height as the upper end of the tube (200) or a height slightly higher or lower than this.

전구체를 계속 사용함에 따라 전구체 잔량이 감소하여 상기 소정 높이 이하가 되면(S30_Yes) 제어부가 제 히터(310)의 온도 설정을 변경한다. 즉 제1 히터의 온도를 T11에서 T12로 상승시킨다. 이 때 T12온도는 최초 설정 온도(T11) 보다 높고 제2 히터의 온도(T2)보다 낮은 온도이다. 즉 전구체 잔량이 열전달 모듈(200)과 비슷한 높이까지 낮아진 경우 열전달 모듈(200) 주위의 히터(즉, 제1 히터(310))의 온도를 약간 더 상승시킴으로써 열전달 모듈(200) 주위의 전구체 기화량을 증가시키고, 이에 따라 전구체 잔량 감소에 의해 기화량이 감소하는 것을 상쇄하여 일정한 기화량을 유지시킬 수 있다. As the precursor is continuously used, if the precursor residual amount decreases and becomes below the predetermined height (S30_Yes), the control unit changes the temperature setting of the first heater (310). That is, the temperature of the first heater is increased from T11 to T12. At this time, the temperature of T12 is higher than the initial setting temperature (T11) and lower than the temperature of the second heater (T2). That is, when the precursor residual amount decreases to a similar height to the heat transfer module (200), the temperature of the heater (i.e., the first heater (310)) around the heat transfer module (200) is slightly increased to increase the vaporization amount of the precursor around the heat transfer module (200), thereby offsetting the decrease in the vaporization amount due to the decrease in the precursor residual amount, so that a constant vaporization amount can be maintained.

이상과 같이 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상술한 명세서의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다. As described above, those skilled in the art in which the present invention pertains can make various modifications and variations from the description of the above-described specification. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined not only by the claims described below but also by equivalents of the claims.

100: 캐니스터 110: 본체
120: 커버 130: 온도센서
200: 열전달 모듈 210: 플레이트
220, 230, 240: 튜브 310, 320: 히터
100: Canister 110: Body
120: Cover 130: Temperature sensor
200: Heat transfer module 210: Plate
220, 230, 240: Tube 310, 320: Heater

Claims (7)

전구체를 저장하는 캐니스터의 내부에 설치되는 열전달 모듈로서,
캐니스터 내부의 바닥면에 탈착 가능하게 부착되는 플레이트(210); 및
상기 플레이트의 상부면에 서로 밀착하여 부착된 복수개의 통형상의 튜브(220);를 포함하고,
상기 캐니스터 외부에서 가해지는 열이 상기 플레이트와 튜브를 통해 캐니스터 내부의 전구체로 전달되는 것을 특징으로 하는 열전달 모듈.
As a heat transfer module installed inside a canister storing a precursor,
A plate (210) detachably attached to the bottom surface inside the canister; and
It comprises a plurality of cylindrical tubes (220) attached to each other in close contact with the upper surface of the above plate;
A heat transfer module characterized in that heat applied from the outside of the canister is transferred to a precursor inside the canister through the plate and tube.
제 1 항에 있어서,
상기 튜브의 높이는 상기 캐니스터 내부 공간의 높이의 2/10 내지 5/10 사이인 것을 특징으로 하는 열전달 모듈.
In paragraph 1,
A heat transfer module, characterized in that the height of the tube is between 2/10 and 5/10 of the height of the internal space of the canister.
제 1 항에 있어서,
상기 플레이트와 튜브가 스테인리스스틸 또는 하스텔로이로 구성되고,
각각의 튜브의 하단부가 상기 플레이트의 상부면에 용접에 의해 부착된 것을 특징으로 하는 열전달 모듈.
In paragraph 1,
The above plates and tubes are made of stainless steel or Hastelloy,
A heat transfer module characterized in that the lower end of each tube is attached to the upper surface of the plate by welding.
제 1 항에 있어서,
상기 튜브가 상기 플레이트의 상부면에 설치되는 복수개의 제1단 튜브와 상기 제1단 튜브의 상부에 설치되는 제2단 튜브로 구성되고,
제2단 튜브의 각 튜브의 직경은 제1단 튜브의 각 튜브의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 열전달 모듈.
In paragraph 1,
The above tube is composed of a plurality of first-stage tubes installed on the upper surface of the above plate and a second-stage tube installed on the upper portion of the first-stage tubes,
A heat transfer module, characterized in that the diameter of each tube of the second-stage tube is larger than the diameter of each tube of the first-stage tube.
제 1 항에 있어서,
각각의 상기 튜브가 원통 형상이되 상부로 갈수록 직경이 점차 작아지는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 열전달 모듈.
In paragraph 1,
A heat transfer module characterized in that each of the above tubes has a cylindrical shape and a structure in which the diameter gradually decreases toward the top.
전구체를 저장하는 캐니스터로서,
상기 캐니스터의 내부의 바닥면에 탈착 가능하게 설치되는 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 열전달 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐니스터.
As a canister for storing precursors,
A canister characterized by comprising a heat transfer module according to any one of claims 1 to 5, which is detachably installed on a bottom surface inside the canister.
제 6 항에 있어서,
상기 캐니스터의 측면 중 상기 열전달 모듈의 적어도 일부의 둘레를 둘러싸는 측면 및 캐니스터의 하부면을 가열하기 위한 제1 히터(310); 및
상기 제1 히터의 온도를 제어하는 제어부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캐니스터.
In paragraph 6,
A first heater (310) for heating a side of the canister surrounding at least a portion of the heat transfer module and a lower surface of the canister; and
A canister further comprising a control unit for controlling the temperature of the first heater.
KR1020230091663A 2023-07-14 2023-07-14 Heat transfer module and canister having the heat transfer module Pending KR20250011356A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020230091663A KR20250011356A (en) 2023-07-14 2023-07-14 Heat transfer module and canister having the heat transfer module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020230091663A KR20250011356A (en) 2023-07-14 2023-07-14 Heat transfer module and canister having the heat transfer module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20250011356A true KR20250011356A (en) 2025-01-21

Family

ID=94390040

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230091663A Pending KR20250011356A (en) 2023-07-14 2023-07-14 Heat transfer module and canister having the heat transfer module

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20250011356A (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100137016A (en) 2002-07-23 2010-12-29 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 Vaporizer, method utilizing a vaporizer apparatus, container, method for generating vapor for a semiconductor process chamber
KR20230058843A (en) 2021-10-25 2023-05-03 (주)덕산테코피아 Canister of semiconductor product device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100137016A (en) 2002-07-23 2010-12-29 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 Vaporizer, method utilizing a vaporizer apparatus, container, method for generating vapor for a semiconductor process chamber
KR20230058843A (en) 2021-10-25 2023-05-03 (주)덕산테코피아 Canister of semiconductor product device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8951478B2 (en) Ampoule with a thermally conductive coating
CN103031542B (en) For sending the device of source vaporize material
US7846256B2 (en) Ampule tray for and method of precursor surface area
US9469898B2 (en) Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
JP5898624B2 (en) Evaporator
US7666260B2 (en) Vaporizer and semiconductor processing apparatus
JP6462096B1 (en) Solid material container and solid material product in which the solid material container is filled with solid material
JP2008501507A5 (en)
CN101608734B (en) Reagent dispensing apparatus and carrying method
JP2022532794A (en) Vapor accumulator for corrosive gas with purging
EP2108616B1 (en) Delivery method for a reagent using a reagent dispensing apparatus
KR102447291B1 (en) Improved ampoule evaporator and vessel
KR20250011356A (en) Heat transfer module and canister having the heat transfer module
KR20220090435A (en) Precursor capsule, vessel and method
TW202242185A (en) Solids vaporizer
US20190271079A1 (en) Vaporizer and vaporized gas supply unit
KR20240092507A (en) Precursor supplying system with buffer canister
CN101905126B (en) Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
JP2023009028A (en) Container for evaporation raw material and solid vaporization supply system
KR102481023B1 (en) Method for measuring level of precursor by using temperature change in canister
US20240011160A1 (en) Thin film deposition with improved control of precursor
KR20230125656A (en) Canister with carbon coating layer for prevention of high temperature corrosion
US20160358762A1 (en) Semiconductor manufacturing system and semiconductor manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20230714

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20230714

Comment text: Patent Application

PG1501 Laying open of application