KR20240176070A - Polycyclic aromatic compound - Google Patents
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Abstract
[과제] 유기 EL 소자용 재료로서 유용한 신규 화합물을 제공한다.
[해결 수단] 식(1)로 표시되고, 식(X-a-1), 식(X-b-1)로 표시되는 부분 구조를 포함하는 다환 방향족 화합물;
Xa는 C 또는 Si 등, Xb는 N-AR5 등, A~E환, AR1~AR5환은 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환이고, AR1~AR4환 중 1~2개는 단일 결합 혹은 식(X-b-1)의 부분 구조를 통해 A~C환에 결합, 또는 A~C환 또는 A환~C환에 결합되어 있거나, 환을 공유하고 있는 식(X-b-1) 중의 D환, E환 혹은 AR5환과 환을 공유하고, D환, E환 및 AR5환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1~2개는 단일 결합 혹은 식(X-a-1)의 부분 구조를 통해 A~C환에 결합, 또는 A~C환 또는 A~C환에 결합되어 있거나, 환을 공유하고 있는 식(X-a-1) 중의 AR1~AR4환과 환을 공유하고 있다.[Assignment] To provide a novel compound useful as a material for organic EL devices.
[Solution] A polycyclic aromatic compound represented by formula (1) and including partial structures represented by formula (Xa-1) and formula (Xb-1);
X a is C or Si etc., X b is N-AR5 etc., A to E ring, AR1 to AR5 ring are a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring, 1 to 2 of AR1 to AR4 rings are bonded to A to C ring through a single bond or a partial structure of formula (Xb-1), or are bonded to A to C ring or A ring to C ring, or share a ring with D ring, E ring or AR5 ring in formula (Xb-1) that shares a ring, and 1 to 2 selected from the group consisting of D ring, E ring and AR5 ring are bonded to A to C ring through a single bond or a partial structure of formula (Xa-1), or are bonded to A to C ring or A ring to C ring, or share a ring with AR1 to AR4 rings in formula (Xa-1) that share a ring.
Description
본 발명은 다환 방향족 화합물, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자, 유기 전계 효과 트랜지스터 및 유기 박막 태양 전지 등의 유기 디바이스, 및 표시 장치 및 조명 장치에 관한 것이다.The present invention relates to polycyclic aromatic compounds, organic devices such as organic electroluminescent elements, organic field effect transistors, and organic thin film solar cells using the same, and display devices and lighting devices.
종래의 전계 발광하는 발광 소자를 사용한 표시 장치는 소전력화 및 박형화가 가능하므로 다양하게 연구되어 왔으며, 또한 유기 재료로 이루어진 유기 전계 발광 소자는 경량화나 대형화가 용이하므로 활발하게 검토되어 왔다. 특히, 빛의 삼원색 중 하나인 청색, 녹색 등의 발광 특성을 가지는 유기 재료의 개발 및 정공, 전자 등의 전하 수송 능력(반도체나 초전도체가 될 가능성을 가짐)을 구비한 유기 재료의 개발에 대해서는 고분자 화합물, 저분자 화합물을 막론하고 지금까지 활발하게 연구되어 왔다.Conventional display devices using electroluminescent light-emitting elements have been studied in various ways because they can be made thinner and power-saving, and organic electroluminescent elements made of organic materials have been actively examined because they can be made lighter and larger. In particular, the development of organic materials having luminescent properties such as blue and green, which are among the three primary colors of light, and the development of organic materials having charge transport capabilities such as holes and electrons (which have the potential to become semiconductors or superconductors) have been actively studied up to now, regardless of whether they are high-molecular compounds or low-molecular compounds.
유기 EL 소자는 양극 및 음극으로 이루어진 한 쌍의 전극과 당해 한 쌍의 전극 사이에 배치되고, 유기 화합물을 포함하는 한 층 또는 복수의 층으로 이루어진 구조를 가진다. 유기 화합물을 포함하는 층에는 발광층, 정공, 전자 등의 전하를 수송 또는 주입하는 전하 수송/주입층 등이 있는데, 이들 층에 적합한 다양한 유기 재료가 개발되고 있다.An organic EL device has a structure composed of a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode, and one or more layers containing an organic compound, which are arranged between the pair of electrodes. The layers containing the organic compound include a light-emitting layer, a charge transport/injection layer that transports or injects charges such as holes and electrons, etc., and various organic materials suitable for these layers are being developed.
발광층용 발광 재료로는 현재 형광 재료, 인광 재료, 열 활성형 지연 형광(TADF)재료의 3종류가 이용되고 있다. 예를 들면, 형광 재료에서는 아자보린 유도체를 개량한 재료 등이 보고되고 있고(특허문헌 1 및 2), 인광 재료에서는 다좌 배위자를 가지는 귀금속 착체 등이 개발되고 있으며(특허문헌 3), 열 활성형 지연 형광(TADF) 재료에서는 카바조니트릴 화합물 등이 개발되고 있다(비특허문헌 1).Currently, three types of luminescent materials are used for the light-emitting layer: fluorescent materials, phosphorescent materials, and thermally activated delayed fluorescence (TADF) materials. For example, among fluorescent materials, materials that are improved azaborine derivatives have been reported (Patent Documents 1 and 2), among phosphorescent materials, noble metal complexes having polydentate ligands have been developed (Patent Document 3), and among thermally activated delayed fluorescence (TADF) materials, carbazonitrile compounds have been developed (Non-patent Document 1).
어느 재료를 사용한 소자도 효율의 저하로 이어지는 발광층 또는 주변층으로부터의 에너지의 누설을 방지하기 위해 높은 최저 여기 일중항 에너지 또는 최저 여기 삼중항 에너지를 가지는 재료가 발광층의 인접층 또는 호스트에 사용된다.In devices using any material, a material having a high lowest excited singlet energy or lowest excited triplet energy is used in the adjacent layer or host of the emitting layer to prevent energy leakage from the emitting layer or surrounding layers, which would lead to a decrease in efficiency.
상술한 바와 같이 유기 EL 소자에 사용되는 재료로는 다양한 것이 개발되고 있는데, 유기 EL 소자용 재료의 선택의 폭을 넓히기 위해 종래의 것과는 다른 화합물로 이루어진 재료의 개발이 요망되고 있다. 또한, 특허문헌 1 및 2에서는 붕소를 포함하는 다환 방향족 화합물과 이를 이용한 유기 EL 소자가 보고되고 있는데, 소자 특성을 더욱 향상시킬 수 있도록 발광 효율 및 소자 수명을 향상시킬 수 있는 발광층용 재료 및 주변층용 재료가 요구되고 있다.As described above, various materials used in organic EL devices are being developed, and in order to expand the range of choices for materials for organic EL devices, development of materials composed of compounds different from conventional ones is desired. In addition, patent documents 1 and 2 report polycyclic aromatic compounds containing boron and organic EL devices using the same, and materials for light-emitting layers and peripheral layers that can improve luminous efficiency and device lifespan in order to further improve device characteristics are desired.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 신규한 다환 방향족 화합물의 제조에 성공하고, 더 높은 일중항 에너지와 삼중항 에너지를 가지는 재료로서 이 화합물이 유효함을 알아냈다. 그리고, 예를 들어 이러한 다환 방향족 화합물을 호스트 재료 또는 발광층에 인접하는 층의 재료로 하고, 그보다 작은 삼중항 에너지를 가지는 화합물을 도펀트 재료로 한 발광층을 한쌍의 전극간에 배치하여 유기 EL 소자를 구성함으로써, 우수한 유기 EL 소자가 얻어짐을 알아내어 본 발명을 완성시켰다. 즉, 본 발명은 아래와 같은 다환 방향족 화합물, 더 나아가 아래와 같은 다환 방향족 화합물을 포함하는 유기 디바이스용 재료 등을 제공한다.The present inventors have conducted extensive studies to solve the above problems, and have succeeded in producing a novel polycyclic aromatic compound, and have found that this compound is effective as a material having higher singlet energy and triplet energy. In addition, for example, by using this polycyclic aromatic compound as a material for a host material or a layer adjacent to a light-emitting layer, and configuring an organic EL device by disposing a light-emitting layer using a compound having a lower triplet energy as a dopant material between a pair of electrodes, they have found that an excellent organic EL device can be obtained, thereby completing the present invention. That is, the present invention provides the following polycyclic aromatic compound, and further, a material for an organic device including the following polycyclic aromatic compound.
<1> 식(1)로 표시되고, 식(X-a-1)로 표시되는 부분 구조의 1개 이상 및 식(X-b-1)로 표시되는 부분 구조의 1개 이상을 포함하는, 다환 방향족 화합물;<1> A polycyclic aromatic compound represented by formula (1) and comprising at least one partial structure represented by formula (X-a-1) and at least one partial structure represented by formula (X-b-1);
식(1) 중,In equation (1),
A환, B환 및 C환은 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환이고,Ring A, ring B and ring C are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring,
식(X-a-1) 중,Among the formulas (X-a-1),
Xa는 C, Si, Ge 또는 Sn이고, AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환은 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환이고, AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환은 각각 다른 AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환 중 어느 하나와 단일 결합 또는 연결기로 연결되어 있어도 되며,X a is C, Si, Ge or Sn, and the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 ring are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring, and the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 ring may each be connected to any one of the other AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 ring by a single bond or a connecting group,
AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 또는 2개는,One or two selected from the group consisting of AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 ring,
단일 결합을 통해 A환, B환 혹은 C환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 결합되어 있거나,Is bonded to a ring constituent atom of an aryl ring or heteroaryl ring in the A ring, B ring or C ring through a single bond, or
A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있거나, 혹은 A환, B환 혹은 C환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-b-1)에서의 D환, E환 혹은 AR5환의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 단일 결합을 통해 결합되어 있거나,Is bonded to ring A, ring B or ring C, or is bonded to an aryl ring or heteroaryl ring of ring D, ring E or AR5 in formula (X-b-1) that shares one ring with ring A, ring B or ring C, through a single bond,
A환, B환 혹은 C환과 환을 공유하고 있거나, 또는Sharing a ring with Ring A, Ring B or Ring C, or
A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있거나, 혹은 A환, B환 혹은 C환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-b-1) 중의 D환, E환 혹은 AR5환과 환을 공유하고 있고,It is bonded to ring A, ring B or ring C, or shares a ring with ring D, ring E or AR5 among formula (X-b-1) which shares a ring with ring A, ring B or ring C,
식(X-b-1) 중,Among the formulas (X-b-1),
D환 및 E환은 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환이고,D ring and E ring are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring,
Xb는 식(Xb-R5)로 표시되는 2가의 기, >O 또는 >S이고,X b is a divalent group represented by the formula (Xb-R5), >O or >S,
식(Xb-R5) 중,Among the formulas (Xb-R5),
2개의 #는 각각 D환 및 E환과의 결합 위치이고,The two #s are the bonding positions with the D ring and the E ring, respectively.
AR5환은 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환이고, AR5환은 D환 및/또는 E환과 단일 결합 또는 연결기에 의해 연결되어 있어도 되며,The AR5 ring is a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring, and the AR5 ring may be connected to the D ring and/or the E ring by a single bond or a connecting group.
D환, E환 및 AR5환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 또는 2개는,One or two selected from the group consisting of D ring, E ring and AR5 ring,
단일 결합을 통해 A환, B환 혹은 C환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 결합되어 있거나,Is bonded to a ring constituent atom of an aryl ring or heteroaryl ring in the A ring, B ring or C ring through a single bond, or
A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있거나, 혹은 A환, B환 혹은 C환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-a-1)에서의 AR1환, AR2환, AR3환 혹은 AR4환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 단일 결합을 통해 결합되어 있거나,Is bonded to an aryl ring or heteroaryl ring in the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring or AR4 ring in formula (X-a-1) which is bonded to ring A, ring B or ring C, or shares one ring with ring A, ring B or ring C, or is bonded through a single bond,
A환, B환 혹은 C환과 환을 공유하고 있거나, 또는Sharing a ring with Ring A, Ring B or Ring C, or
A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있거나, 혹은 A환, B환 혹은 C환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-a-1) 중의 AR1환, AR2환, AR3환 혹은 AR4환과 환을 공유하고 있으며,It shares a ring with an AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring or AR4 ring among formula (X-a-1) which is bound to ring A, ring B or ring C, or shares a ring with ring A, ring B or ring C,
식(1)에서, 1개 이상의 수소는 중수소로 치환되어 있어도 되고, 1개 이상의 질소는 질소-15(15N)로 치환되어 있어도 되고, 1개 이상의 황은 황-33(33S), 황-34(34S) 또는 황-36(36S)으로 치환되어 있어도 되고, 1개 이상의 산소는 산소-17(17O) 또는 산소-18(18O)로 치환되어 있어도 되고, 1개 이상의 탄소는 탄소-13(13C)으로 치환되어 있어도 되며, 1개 이상의 붕소는 붕소-11(11B)로 치환되어 있어도 된다.In formula (1), one or more hydrogens may be replaced with deuterium, one or more nitrogens may be replaced with nitrogen-15 ( 15 N), one or more sulfurs may be replaced with sulfur-33 ( 33 S), sulfur-34 ( 34 S), or sulfur-36 ( 36 S), one or more oxygens may be replaced with oxygen-17 ( 17 O) or oxygen-18 ( 18 O), one or more carbons may be replaced with carbon-13 ( 13 C), and one or more borons may be replaced with boron-11 ( 11 B).
<2> AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상이 A환, B환 혹은 C환 또는 A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있는 식(X-b-1) 중의 D환, E환 혹은 AR5환과 환을 공유하고 있는 <1>에 기재된 다환 방향족 화합물.<2> A polycyclic aromatic compound described in <1>, wherein at least one ring selected from the group consisting of an AR1 ring, an AR2 ring, an AR3 ring, and an AR4 ring shares a ring with an A ring, a B ring, or a C ring, or a D ring, an E ring, or an AR5 ring in formula (X-b-1) bonded to an A ring, a B ring, or a C ring.
<3> 식(1a), 식(1b) 또는 식(1c)로 표시되고, 식(X-a-2)로 표시되는 부분 구조의 1개 이상 및 식(X-b-2)로 표시되는 부분 구조의 1개 이상을 포함하는 <1>에 기재된 다환 방향족 화합물;<3> A polycyclic aromatic compound described in <1>, which is represented by formula (1a), formula (1b), or formula (1c), and includes at least one partial structure represented by formula (X-a-2) and at least one partial structure represented by formula (X-b-2);
식(1a), 식(1b), 식(1c), 식(X-a-2) 및 식(X-b-2) 중,Among equations (1a), (1b), (1c), (X-a-2), and (X-b-2),
Ar1환, Ar2환, Ar3환 및 Ar4환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 또는 2개는,One or two selected from the group consisting of Ar 1 ring, Ar 2 ring, Ar 3 ring and Ar 4 ring,
단일 결합을 통해 a환, b환 혹은 c환 중의 Z에 결합되어 있거나,is bonded to Z in the a ring, b ring or c ring through a single bond, or
a환, b환 혹은 c환 중의 Z에 결합되어 있는 식(X-b-2)로 표시되는 부분 구조에서의 d환, e환 혹은 AR5환과 결합되어 있거나,In a partial structure represented by formula (X-b-2) that is bonded to Z among the a ring, b ring or c ring, it is bonded to the d ring, e ring or AR5 ring, or
a환, b환 혹은 c환과 환을 공유하고 있거나, 또는Sharing a ring with ring A, ring B or ring C, or
a환, b환 혹은 c환에 결합되어 있거나, 혹은 a환, b환 혹은 c환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-b-2) 중의 d환, e환 혹은 AR5환과 환을 공유하고 있고,is bonded to ring a, ring b or ring c, or shares a ring with ring d, ring e or AR5 among formula (X-b-2) that shares a ring with ring a, ring b or ring c,
d환, e환 및 AR5환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 또는 2개는,One or two selected from the group consisting of d ring, e ring and AR5 ring,
단일 결합을 통해 a환, b환 혹은 c환 중의 Z에 결합되어 있거나,is bonded to Z in the a ring, b ring or c ring through a single bond, or
a환, b환 혹은 c환 중의 Z에 결합되어 있는 식(X-a-2)로 표시되는 부분 구조에서의 Ar1환, Ar2환, Ar3환 혹은 Ar4환 중의 Z에 결합되어 있거나,In the partial structure represented by formula (Xa-2) which is bonded to Z in the a ring, b ring or c ring, or in the Ar 1 ring, Ar 2 ring, Ar 3 ring or Ar 4 ring,
a환, b환 혹은 c환과 환을 공유하고 있거나, 또는Sharing a ring with ring A, ring B or ring C, or
a환, b환 혹은 c환에 결합되어 있거나, 혹은 a환, b환 혹은 c환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-a-2) 중의 Ar1환, Ar2환, Ar3환 혹은 Ar4환과 환을 공유하고 있고,A ring is shared with Ar 1 ring, Ar 2 ring, Ar 3 ring or Ar 4 ring among formula (Xa-2) which is bound to ring a, ring b or ring c, or shares a ring with ring a, ring b or ring c,
Ar1환, Ar2환, Ar3환 및 Ar4환은 각각 다른 Ar1환, Ar2환, Ar3환 및 Ar4환 중 어느 하나와 단일 결합 또는 연결기로 연결되어 있어도 되고,The Ar 1 ring, Ar 2 ring, Ar 3 ring and Ar 4 ring may each be connected to any one of the other Ar 1 ring, Ar 2 ring, Ar 3 ring and Ar 4 ring by a single bond or a connecting group,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 >N-RNY, >C(-RCY)2, >O, >Si(-RIY)2, >S 또는 >Se이고, RNY, RCY 및 RIY는 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환된 아릴, 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환된 알킬 또는 치환 혹은 무치환된 시클로알킬이고, 2개의 RCY는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 되고, 2개의 RIY는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 되며,Y 1 and Y 2 are each independently >NR NY , >C(-R CY ) 2 , >O, >Si(-R IY ) 2 , >S or >Se, and R NY , R CY and R IY are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted aryl, a substituted or unsubstituted heteroaryl, a substituted or unsubstituted alkyl or a substituted or unsubstituted cycloalkyl, and two R CY may be combined with each other to form a ring, and two R IY may be combined with each other to form a ring,
Z는 다른 환과의 결합손를 가지는 탄소 원자이거나, 또는 -C(-RZ)= 혹은 -N=이고, RZ는 수소 또는 치환기이고, 단, 식(X-b-2) 중의 e환을 구성하는 Z 중 인접한 2개는 식(X-b-2-e)의 2개의 *에 각각 결합되어 있는 탄소 원자여도 되고, 식(X-b-2-e) 중 Xb는 식(Xb-R5)로 표시되는 2가의 기, >O, >C(-RCX)2, >Si(-RIX)2, >S 또는 >Se이고, RCX는 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환된 아릴, 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환된 알킬 또는 치환 혹은 무치환된 시클로알킬이고, 2개의 RCX는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 되고, RIX는 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환된 아릴, 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환된 알킬 또는 치환 혹은 무치환된 시클로알킬이고, 2개의 RIX는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 되며,Z is a carbon atom having a bond with another ring, or -C(-R Z )= or -N=, R Z is hydrogen or a substituent, provided that two adjacent Z constituting the e ring in formula (Xb-2) may be carbon atoms each bonded to two * of formula (Xb-2-e), and X b in formula (Xb-2-e) is a divalent group represented by formula (Xb-R5), >O, >C(-R CX ) 2 , >Si(-R IX ) 2 , >S or >Se, and R CX are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted aryl, a substituted or unsubstituted heteroaryl, a substituted or unsubstituted alkyl or a substituted or unsubstituted cycloalkyl, and two R CX may be bonded to each other to form a ring, and R IX are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted aryl, a substituted or unsubstituted Heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and two R IX may be combined with each other to form a ring,
Xb가 식(XB-R5)로 표시되는 2가의 기일 때의 AR5환은 6원환이다.When X b is a divalent group represented by the formula (XB-R5), the AR5 ring is a six-membered ring.
<4> 식(1b) 또는 식(1c)로 표시되는 <3>에 기재된 다환 방향족 화합물.<4> A polycyclic aromatic compound described in <3> represented by formula (1b) or formula (1c).
<5> 식(X-a-2) 중 Xa가 C, Ge 또는 Sn이고, Ar1환, Ar2환, Ar3환 및 Ar4환 중 어느 2개도 서로 연결되어 있지 않은 <3>에 기재된 다환 방향족 화합물.<5> A polycyclic aromatic compound described in <3>, wherein X a in formula (Xa-2) is C, Ge or Sn, and no two of the Ar 1 ring, the Ar 2 ring, the Ar 3 ring and the Ar 4 ring are connected to each other.
<6> 식(X-a-2) 중 Xa가 Si이고, Z의 1개 이상이 -N=인 <3>에 기재된 다환 방향족 화합물.<6> A polycyclic aromatic compound described in <3>, wherein X a in formula (Xa-2) is Si and at least one of Z is -N=.
<7> 식(X-a-2) 중 Xa가 Si이고, Ar1환, Ar2환, Ar3환 및 Ar4환의 2개 이상이 서로 연결되어 있는 <3>에 기재된 다환 방향족 화합물.<7> A polycyclic aromatic compound as described in <3>, wherein X a is Si in formula (Xa-2), and two or more of the Ar 1 ring, the Ar 2 ring, the Ar 3 ring, and the Ar 4 ring are connected to each other.
<8> 식(X-b-2) 중 Z의 1개 이상이 -N=인 <3>에 기재된 다환 방향족 화합물.<8> A polycyclic aromatic compound described in <3>, wherein at least one of Z in formula (X-b-2) is -N=.
<9> 하기 중 어느 하나의 식으로 표시되는 <3>에 기재된 다환 방향족 화합물.<9> A polycyclic aromatic compound described in <3>, represented by any one of the following formulas.
<10> 하기 중 어느 하나의 식으로 표시되는 <3>에 기재된 다환 방향족 화합물.<10> A polycyclic aromatic compound described in <3>, represented by any one of the following formulas.
<11> 하기 중 어느 하나의 식으로 표시되는 <3>에 기재된 다환 방향족 화합물.<11> A polycyclic aromatic compound described in <3>, represented by any one of the following formulas.
<12> 양극 및 음극으로 이루어진 한 쌍의 전극과 당해 한 쌍의 전극 사이에 배치되는 유기층을 가지고, 상기 유기층이 <1>~<11> 중 어느 하나에 기재된 다환 방향족 화합물을 함유하는 유기 전계 발광 소자.<12> An organic electroluminescent device having a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode and an organic layer disposed between the pair of electrodes, wherein the organic layer contains a polycyclic aromatic compound as described in any one of <1> to <11>.
<13> 상기 유기층이 발광층인 <12>에 기재된 유기 전계 발광 소자.<13> An organic electroluminescent device as described in <12>, wherein the organic layer is a light-emitting layer.
<14> 상기 다환 방향족 화합물이 전자 수송성 호스트 재료이고, 상기 발광층이 정공 수송성 호스트 재료와 도펀트 재료를 더 포함하는 <13>에 기재된 유기 전계 발광 소자.<14> An organic electroluminescent device as described in <13>, wherein the polycyclic aromatic compound is an electron-transporting host material, and the light-emitting layer further includes a hole-transporting host material and a dopant material.
<15> 상기 발광층이 열 활성형 지연 형광체 및 인광 재료로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상을 더 포함하는 <14>에 기재된 유기 전계 발광 소자.<15> An organic electroluminescent device as described in <14>, wherein the light-emitting layer further comprises at least one selected from the group consisting of a thermally activated delayed fluorescent material and a phosphorescent material.
<16> <11>~<15> 중 어느 하나에 기재된 유기 전계 발광 소자를 구비한 표시 장치 또는 조명 장치.<16> A display device or lighting device having an organic electroluminescent element described in any one of <11> to <15>.
본 발명의 바람직한 형태에 따르면, 신규한 다환 방향족 화합물을 예를 들어 발광층에서의 호스트 재료, 호스트 재료의 한 성분 또는 발광층에 인접하는 층의 성분으로 사용한 유기 EL 소자를 제작함으로써, 양자 효율이나 소자 수명이 우수한 유기 EL 소자를 제공할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, by manufacturing an organic EL device using a novel polycyclic aromatic compound as, for example, a host material in a light-emitting layer, a component of a host material, or a component of a layer adjacent to the light-emitting layer, an organic EL device having excellent quantum efficiency or device lifespan can be provided.
도 1은 본 실시 형태에 따른 유기 EL 소자를 나타내는 개략 단면도이다.Figure 1 is a schematic cross-sectional view showing an organic EL element according to the present embodiment.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다. 이하에 기재되는 구성 요건의 설명은 대표적인 실시 형태나 구체예에 기초하여 이루어진 경우가 있지만, 본 발명은 이러한 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 있어서 “~”를 사용하여 표시되는 수치 범위는 “~” 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로 포함하는 범위를 의미한다. 또한, 본 명세서에 있어서 구조식의 설명 중 “수소”는 “수소 원자(H)”를 의미한다. 마찬가지로 “탄소 원자(C)” 등의 원자를 나타내는 경우에 "원자"를 생략하는 것(예를 들어 "탄소"라고 하는 경우)가 있다.Hereinafter, the present invention will be described in detail. The description of the constituent elements described below may be made based on representative embodiments or specific examples, but the present invention is not limited to these embodiments. In addition, in this specification, a numerical range indicated using “~” means a range that includes the numerical values described before and after “~” as lower limits and upper limits. In addition, in the description of the structural formula in this specification, “hydrogen” means “hydrogen atom (H).” Similarly, in cases where an atom such as a “carbon atom (C)” is indicated, “atom” may be omitted (for example, “carbon”).
본 명세서에 있어서, “인접하는 기”라고 하는 경우는 구조식 중에서 인접하는 2개의 원자(공유 결합으로 직접 결합하는 2개의 원자)에 각각 결합하고 있는 2개의 기를 의미한다.In this specification, the term “adjacent groups” refers to two groups each bonded to two adjacent atoms (two atoms directly bonded by a covalent bond) in the structural formula.
본 명세서에 있어서, "Me"는 메틸, "Et"는 에틸, "nBu"는 n-부틸(노르말부틸), "tBu"는 t-부틸(터셔리부틸), "iBu"는 이소부틸, "secBu"는 2차 부틸, "nPr"은 n-프로필(노르말프로필), "iPr"은 이소프로필, "tAm"은 t-아밀, "2EH"는 2-에틸헥실, "tOct"는 t-옥틸, "Ph"는 페닐, "Mes"는 메시틸(2,4,6-트리메틸페닐), "Ad"는 1-아다만틸, "Tf"는 트리플루오로메탄술포닐, "TMS"는 트리메틸실릴, "D"는 중수소를 나타낸다.In this specification, "Me" represents methyl, "Et" represents ethyl, "nBu" represents n-butyl (normal butyl), "tBu" represents t-butyl (tert-butyl), "iBu" represents isobutyl, "secBu" represents sec-butyl, "nPr" represents n-propyl (normal propyl), "iPr" represents isopropyl, "tAm" represents t-amyl, "2EH" represents 2-ethylhexyl, "tOct" represents t-octyl, "Ph" represents phenyl, "Mes" represents mesityl (2,4,6-trimethylphenyl), "Ad" represents 1-adamantyl, "Tf" represents trifluoromethanesulfonyl, "TMS" represents trimethylsilyl, and "D" represents deuterium.
본 명세서에 있어서, 유기 전계 발광 소자를 유기 EL 소자라고 하는 경우가 있다.In this specification, an organic electroluminescent device is sometimes referred to as an organic EL device.
본 명세서에 있어서, 화학 구조나 치환기를 탄소수로 표시하는 경우가 있는데, 화학 구조에 치환기가 치환된 경우나 치환기에 치환기가 추가로 치환된 경우 등의 탄소수는 화학 구조나 치환기 각각의 탄소수를 의미하고, 화학 구조와 치환기의 총 탄소수나 치환기와 치환기의 총 탄소수를 의미하는 것은 아니다. 예를 들어 “탄소수 X의 치환기 A로 치환된 탄소수 Y의 치환기 B”란, “탄소수 Y의 치환기 B"에 "탄소수 X의 치환기 A"가 치환하는 것을 의미하고, 탄소수 Y는 치환기 A 및 치환기 B의 총 탄소수가 아니다. 또한, 예를 들어 "치환기 A로 치환된 탄소수 Y의 치환기 B"란, "탄소수 Y의 치환기 B"에 "(탄소수 한정이 없는)치환기 A"가 치환하는 것을 의미하고, 탄소수 Y는 치환기 A 및 치환기 B의 총 탄소수가 아니다.In this specification, there are cases where a chemical structure or a substituent is expressed by carbon number. However, in cases where a substituent is substituted in the chemical structure or where a substituent is additionally substituted, the carbon number refers to the carbon number of each chemical structure or substituent, and does not refer to the total carbon number of the chemical structure and the substituent, or the total carbon number of the substituent and the substituent. For example, “a substituent B having carbon number Y substituted by a substituent A having carbon number X” means that “a substituent A having carbon number X” is substituted for “a substituent B having carbon number Y,” and the carbon number Y is not the total carbon number of substituent A and substituent B. In addition, for example, “a substituent B having carbon number Y substituted by a substituent A” means that “a substituent A (without carbon number limitation)” is substituted for “a substituent B having carbon number Y,” and the carbon number Y is not the total carbon number of substituent A and substituent B.
<환 및 치환기 설명><Explanation of rings and substituents>
우선, 본 명세서에 사용되는 환 및 치환기에 대하여 이하에서 상세히 설명한다.First, the rings and substituents used in this specification are described in detail below.
본 명세서에서 "아릴환"으로는, 예를 들어 탄소수 6~30의 아릴환을 들 수 있고, 탄소수 6~16의 아릴환이 바람직하고, 탄소수 6~12의 아릴환이 보다 바람직하고, 탄소수 6~10의 아릴환이 특히 바람직하다.As used herein, the “aryl ring” includes, for example, an aryl ring having 6 to 30 carbon atoms, preferably an aryl ring having 6 to 16 carbon atoms, more preferably an aryl ring having 6 to 12 carbon atoms, and particularly preferably an aryl ring having 6 to 10 carbon atoms.
구체적인 "아릴환"으로는, 단환계인 벤젠환, 2환계인 비페닐환, 축합 2환계인 나프탈렌환, 인덴환, 3환계인 터페닐환(m-터페닐, o-터페닐, p-터페닐), 축합 3환계인 아세나프틸렌환, 플루오렌환, 페날렌환, 페난트렌환, 안트라센환, 축합 4환계인 트리페닐렌환, 피렌환, 나프타센환, 크리센환, 축합 5환계인 페릴렌환, 펜타센환 등을 들 수 있다. 또한, 플루오렌환, 벤조플루오렌환, 인덴환에는, 각각 플루오렌환, 벤조플루오렌환, 시클로펜탄환 등이 스피로 결합한 구조도 포함된다. 또한, 플루오렌환, 벤조플루오렌환 및 인덴환에는, 그 구조 중의 메틸렌의 2개의 수소 중 2개가 각각 후술하는 제1치환기로서의 메틸 등의 알킬로 치환되어, 디메틸플루오렌환, 디메틸벤조플루오렌환, 디메틸인덴환 등으로 되어 있는 것도 포함된다.Specific examples of "aryl rings" include a monocyclic benzene ring, a bicyclic bicyclic bicyclic bicyclic bicyclic naphthalene ring, an indene ring, a tricyclic terphenyl ring (m-terphenyl, o-terphenyl, p-terphenyl), a fused tricyclic acenaphthylene ring, fluorene ring, phenalene ring, phenanthrene ring, anthracene ring, a fused tetracyclic triphenylene ring, pyrene ring, naphthacene ring, chrysene ring, and a fused pentacyclic perylene ring, pentacene ring, etc. In addition, the fluorene ring, benzofluorene ring, and indene ring also include structures in which a fluorene ring, benzofluorene ring, or cyclopentane ring is spiro-bonded, respectively. In addition, the fluorene ring, benzofluorene ring, and indene ring include those in which two of the two hydrogens of methylene in the structure are each replaced with an alkyl such as methyl as a first substituent described later, thereby forming a dimethylfluorene ring, a dimethylbenzofluorene ring, a dimethylindene ring, etc.
본 명세서에서 “헤테로아릴환”으로는, 예를 들어 탄소수 2~30의 헤테로아릴환을 들 수 있고, 탄소수 2~25의 헤테로아릴환이 바람직하고, 탄소수 2~20의 헤테로아릴환이 보다 바람직하고, 탄소수 2~15의 헤테로아릴환이 더욱 바람직하고, 탄소수 2~10의 헤테로아릴환이 특히 바람직하다. 또한, “헤테로아릴환”으로는, 예를 들어 환 구성 원자로서 탄소 이외에 산소, 황, 질소, 붕소, 셀레늄, 인, 텔루르 중에서 선택되는 헤테로 원자를 1~5개 함유하는 복소환 등을 들 수 있다.As used herein, the “heteroaryl ring” includes, for example, a heteroaryl ring having 2 to 30 carbon atoms, preferably a heteroaryl ring having 2 to 25 carbon atoms, more preferably a heteroaryl ring having 2 to 20 carbon atoms, still more preferably a heteroaryl ring having 2 to 15 carbon atoms, and particularly preferably a heteroaryl ring having 2 to 10 carbon atoms. In addition, the “heteroaryl ring” includes, for example, a heterocycle containing 1 to 5 heteroatoms selected from oxygen, sulfur, nitrogen, boron, selenium, phosphorus, and tellurium as ring constituent atoms in addition to carbon.
구체적인 "헤테로아릴환"으로는, 예를 들어 피롤환, 옥사졸환, 이소옥사졸환, 티아졸환, 이소티아졸환, 이미다졸환, 옥사디아졸환(퓨라잔환 등), 티아디아졸환, 트리아졸환, 테트라졸환, 피라졸환, 피리딘환, 피리미딘환, 피리다진환, 피라진환, 트리아진환, 인돌환, 이소인돌환, 1H-인다졸환, 벤조이미다졸환, 벤조옥사졸환, 벤조티아졸환, 1H-벤조트리아졸환, 퀴놀린환, 이소퀴놀린환, 신놀린환, 퀴나졸린환, 퀴녹살린환, 프탈라진환, 나프티리딘환, 퓨린환, 프테리딘환, 카바졸환, 아크리딘환, 페녹산틴환, 페녹사진환, 페노티아진환, 페나진환, 페나자실린환, 인돌리진환, 퓨란환, 벤조퓨란환, 이소벤조퓨란환, 디벤조퓨란환, 티오펜환, 벤조티오펜환, 디벤조티오펜환, 티안트렌환, 인돌로카바졸환, 벤조인돌로카바졸환, 디벤조인돌로카바졸환, 나프토벤조퓨란환, 디옥신환, 디하이드로아크리딘환, 크산텐환, 티옥산텐환, 디벤조디옥신환, 디옥사보라나프토안트라센환(5,9-디옥사-13b-보라-13bH-나프토[3,2,1-de]안트라센환 등), 벤조셀레노펜환, 디벤조셀레노펜환, 아자카바졸환, 아자디벤조티오펜환, 아자디벤조퓨란환, 아자디벤조셀레노펜환, 아자트리페닐렌환, 이미다조이미다졸환, 인돌로인돌환, 벤조푸로카바졸환, 벤조티에노카바졸환, 인데노카바졸환 및 셀레노페노카바졸환, 스피로[플루오렌-9,9'-크산텐]환, 스피로비[실라플루오렌]환 등을 들 수 있다. 또한, 디하이드로아크리딘환, 크산텐환, 티옥산텐환은, 그 구조 중의 메틸렌의 2개의 수소 중 2개가 각각 후술하는 제1치환기로서의 메틸 등의 알킬로 치환되어, 디메틸디하이드로아크리딘환, 디메틸크산텐환, 디메틸티옥산텐환 등으로 되어 있는 것도 바람직하다. 또한, 2환계인 비피리딘환, 페닐피리딘환, 피리딜페닐환, 3환계인 터피리딜환, 비스피리딜페닐환, 피리딜비페닐환도 "헤테로아릴환"으로서 들 수 있다. 또한, "헤테로아릴환"에는 피란환도 포함되는 것으로 한다.Specific "heteroaryl rings" include, for example, a pyrrole ring, an oxazole ring, an isoxazole ring, a thiazole ring, an isothiazole ring, an imidazole ring, an oxadiazole ring (such as a furazan ring), a thiadiazole ring, a triazole ring, a tetrazole ring, a pyrazole ring, a pyridine ring, a pyrimidine ring, a pyridazine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, an indole ring, an isoindole ring, a 1H-indazole ring, a benzoimidazole ring, a benzoxazole ring, a benzothiazole ring, a 1H-benzotriazole ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a cinnoline ring, a quinazoline ring, a quinoxaline ring, a phthalazine ring, a naphthyridine ring, a purine ring, a pteridine ring, a carbazole ring, an acridine ring, a phenoxanthine ring, a phenoxazine ring, a phenothiazine ring, Phenazine ring, phenazacillin ring, indolizine ring, furan ring, benzofuran ring, isobenzofuran ring, dibenzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, dibenzothiophene ring, thianthrene ring, indolocarbazole ring, benzoindolocarbazole ring, dibenzoindolocarbazole ring, naphthobenzofuran ring, dioxin ring, dihydroacridine ring, xanthene ring, thioxanthene ring, dibenzodioxin ring, dioxabora naphthoanthracene ring (5,9-dioxa-13b-bora-13bH-naphtho[3,2,1-de]anthracene ring, etc.), benzoselenophene ring, dibenzoselenophene ring, azacarbazole ring, azadibenzothiophene ring, azadibenzofuran ring, azadibenzoselenophene ring, Examples thereof include an azatriphenylene ring, an imidazoimidazole ring, an indoloindole ring, a benzofurocarbazole ring, a benzothienocarbazole ring, an indenocarbazole ring, a selenophenocarbazole ring, a spiro[fluorene-9,9'-xanthene] ring, a spirobi[silafluorene] ring, and the like. In addition, it is preferable that a dihydroacridine ring, a xanthene ring, and a thioxanthene ring have two of the two hydrogens of the methylene in the structure each replaced by an alkyl such as methyl as a first substituent described later, thereby forming a dimethyldihydroacridine ring, a dimethylxanthene ring, a dimethylthioxanthene ring, and the like. In addition, bipyridine ring, phenylpyridine ring, pyridylphenyl ring, which are two-ring systems, and terpyridyl ring, bispyridylphenyl ring, and pyridylbiphenyl ring, which are three-ring systems, can also be included as "heteroaryl rings". In addition, a pyran ring is also included as "heteroaryl ring".
본 명세서에서, 치환기는 추가 치환기로 치환되어 있는 경우가 있다. 예를 들어, 특정 치환기에 대하여 "치환 혹은 무치환된"으로 설명되는 경우가 있다. 이는 그 특정 치환기가 1개 이상의 추가 치환기로 치환되어 있거나, 또는 치환되어 있지 않음을 의미한다. 같은 의미로 "치환되어 있어도 된다"라고 하는 경우도 있다. 본 명세서에 있어서, 이때의 상기 특정 치환기를 "제1치환기", 상기 추가 치환기를 "제2치환기"라고 하는 경우가 있다.In this specification, a substituent may be substituted with an additional substituent. For example, a specific substituent may be described as "substituted or unsubstituted." This means that the specific substituent is substituted with one or more additional substituents, or is not substituted. In the same sense, there is also the phrase "may be substituted." In this specification, the specific substituent at this time may be referred to as a "first substituent," and the additional substituent may be referred to as a "second substituent."
본 명세서에 있어서, 치환기군 Zα는 치환기군 Z의 치환기 및 후술하는 식(A30)으로 표시되는 치환기로 이루어진다.In this specification, the substituent group Zα is composed of a substituent of the substituent group Z and a substituent represented by the formula (A30) described below.
본 명세서에 있어서, 치환기군 Z는,In this specification, the substituent group Z is
아릴, 헤테로아릴, 알킬, 시클로알킬, 시아노 및 할로겐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 기로 치환되어 있어도 되는 아릴,Aryl, which may be substituted with one or more groups selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, cycloalkyl, cyano and halogen;
아릴, 헤테로아릴, 알킬, 시클로알킬, 시아노 및 할로겐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 기로 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴,Heteroaryl which may be substituted with one or more groups selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, cycloalkyl, cyano and halogen,
아릴, 헤테로아릴, 알킬, 시클로알킬, 시아노 및 할로겐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 기로 치환되어 있어도 되는 디아릴아미노(2개의 아릴은 서로 연결기를 통해 결합되어 있어도 됨),Diarylamino which may be substituted with one or more groups selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, cycloalkyl, cyano and halogen (two aryls may be connected to each other through a linking group),
아릴, 헤테로아릴, 알킬, 시클로알킬, 시아노 및 할로겐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 기로 치환되어 있어도 되는 디헤테로아릴아미노(2개의 헤테로아릴은 서로 연결기를 통해 결합되어 있어도 됨),Diheteroarylamino which may be substituted with one or more groups selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, cycloalkyl, cyano and halogen (two heteroaryls may be connected to each other through a linking group),
아릴, 헤테로아릴, 알킬, 시클로알킬, 시아노 및 할로겐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 기로 치환되어 있어도 되는 아릴헤테로아릴아미노(아릴과 헤테로아릴은 서로 연결기를 통해 결합되어 있어도 됨),Arylheteroarylamino which may be substituted with one or more groups selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, cycloalkyl, cyano and halogen (aryl and heteroaryl may be bonded to each other through a linking group),
아릴, 헤테로아릴, 알킬, 시클로알킬, 시아노 및 할로겐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 기로 치환되어 있어도 되는 디아릴보릴(2개의 아릴은 단일 결합 또는 연결기를 통해 결합되어 있어도 됨),Diarylboryl which may be substituted with one or more groups selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, cycloalkyl, cyano and halogen (two aryls may be connected through a single bond or a linking group),
아릴, 헤테로아릴, 시클로알킬, 시아노 및 할로겐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 기로 치환되어 있어도 되는 알킬,Alkyl which may be substituted with one or more groups selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, cycloalkyl, cyano and halogen,
아릴, 헤테로아릴, 알킬, 시클로알킬, 시아노 및 할로겐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 기로 치환되어 있어도 되는 시클로알킬,Cycloalkyl which may be substituted with one or more groups selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, cycloalkyl, cyano and halogen,
아릴, 헤테로아릴, 시클로알킬, 시아노 및 할로겐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 기로 치환되어 있어도 되는 알콕시,Alkoxy, which may be substituted with one or more groups selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, cycloalkyl, cyano and halogen,
아릴, 헤테로아릴, 알킬, 시클로알킬, 시아노 및 할로겐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 기로 치환되어 있어도 되는 아릴옥시,Aryloxy which may be substituted with one or more groups selected from the group consisting of aryl, heteroaryl, alkyl, cycloalkyl, cyano and halogen;
치환 실릴, 시아노 및 할로겐으로 이루어진다.It consists of substituted silyl, cyano and halogen.
치환기군 Z의 각 기에 있어서의 제2치환기인 아릴은 아릴, 헤테로아릴, 알킬, 시클로알킬, 시아노 또는 할로겐으로 더 치환되어 있어도 되고, 마찬가지로 제2치환기인 헤테로아릴은 아릴, 헤테로아릴, 알킬, 시클로알킬, 시아노 또는 할로겐으로 치환되어 있어도 된다.In each group of the substituent group Z, the second substituent aryl may be further substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, cycloalkyl, cyano or halogen, and similarly, the second substituent heteroaryl may be substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, cycloalkyl, cyano or halogen.
본 명세서에 있어서, "치환기"라고 하는 경우, 치환기의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 특별히 별도의 설명이 없는 경우에는, 치환기군 Z로부터 선택되는 어느 하나의 기이면 된다. 예를 들어, "치환 혹은 무치환된"이 되는 기가 치환되어 있을 때, 해당 기는 치환기군 Z로부터 선택되는 1개 이상의 기로 치환되어 있으면 된다.In the present specification, when referring to a "substituent", the type of the substituent is not particularly limited, but unless otherwise specifically described, any one group selected from the substituent group Z may be used. For example, when a group that is "substituted or unsubstituted" is substituted, the group may be substituted with one or more groups selected from the substituent group Z.
본 명세서에 있어서, "아릴"은 예를 들어 탄소수 6~30의 아릴이고, 바람직하게는 탄소수 6~20의 아릴, 탄소수 6~16의 아릴, 탄소수 6~12의 아릴 또는 탄소수 6~10의 아릴 등이다.In the present specification, “aryl” is, for example, aryl having 6 to 30 carbon atoms, preferably aryl having 6 to 20 carbon atoms, aryl having 6 to 16 carbon atoms, aryl having 6 to 12 carbon atoms, or aryl having 6 to 10 carbon atoms.
구체적인 "아릴"은, 상술한 "아릴환"으로부터 1개의 수소를 제외한 1가의 기를 들 수 있다. 예를 들어, 단환계인 페닐, 2환계인 비페닐릴(2-비페닐릴, 3-비페닐릴 혹은 4-비페닐릴), 축합 2환계인 나프틸(1-나프틸 혹은 2-나프틸), 3환계인 터페닐릴(m-터페닐-2'-일, m-터페닐-4'-일, m-터페닐-5'-일, o-터페닐-3'-일, o-터페닐-4'-일, p-터페닐-2'-일, m-터페닐-2-일, m-터페닐-3-일, m-터페닐-4-일, o-터페닐-2-일, o-터페닐-3-일, o-터페닐-4-일, p-터페닐-2-일, p-터페닐-3-일 혹은 p-터페닐-4-일), 축합 3환계인 아세나프틸렌-(1-, 3-, 4- 혹은 5-)일, 플루오렌-(1-, 2-, 3-, 4- 혹은 9-)일, 페날렌-(1- 혹은 2-)일, 페난트렌-(1-, 2-, 3-, 4- 혹은 9-)일 혹은 안트라센-(1-, 2- 혹은 9-)일, 4환계인 쿼터페닐릴(5'-페닐-m-터페닐-2-일, 5'-페닐-m-터페닐-3-일, 5'-페닐-m-터페닐-4-일 혹은 m-쿼터페닐), 축합 4환계인 트리페닐렌-(1- 혹은 2-)일, 피렌-(1-, 2- 혹은 4-)일 혹은 나프타센-(1-, 2- 혹은 5-)일 또는 축합 5환계인 페릴렌-(1-, 2- 혹은 3-)일 혹은 펜타센-(1-, 2-, 5- 혹은 6-)일 등이다. 그 밖에, 스피로플루오렌의 1가의 기 등을 들 수 있다.A specific "aryl" may be a monovalent group having one hydrogen removed from the above-mentioned "aryl ring". For example, monocyclic phenyl, bicyclic biphenylyl (2-biphenylyl, 3-biphenylyl or 4-biphenylyl), fused bicyclic naphthyl (1-naphthyl or 2-naphthyl), tricyclic terphenylyl (m-terphenyl-2'-yl, m-terphenyl-4'-yl, m-terphenyl-5'-yl, o-terphenyl-3'-yl, o-terphenyl-4'-yl, p-terphenyl-2'-yl, m-terphenyl-2-yl, m-terphenyl-3-yl, m-terphenyl-4-yl, o-terphenyl-2-yl, o-terphenyl-3-yl, o-terphenyl-4-yl, p-terphenyl-2-yl, p-terphenyl-3-yl or p-terphenyl-4-yl), fused tricyclic acenaphthylene-(1-, 3-, 4- or 5-), fluoren-(1-, 2-, 3-, 4- or 9-)yl, phenalen-(1- or 2-)yl, phenanthren-(1-, 2-, 3-, 4- or 9-)yl or anthracen-(1-, 2- or 9-)yl, a tetracyclic quaterphenylyl (5'-phenyl-m-terphenyl-2-yl, 5'-phenyl-m-terphenyl-3-yl, 5'-phenyl-m-terphenyl-4-yl or m-quaterphenyl), a fused tetracyclic quaternary ... 5- or 6-) etc. In addition, monovalent groups of spirofluorene can be mentioned.
또한, 제2치환기로서의 아릴에는 당해 아릴이 페닐 등의 아릴(구체예는 상술한 기), 메틸 등의 알킬(구체예는 후술하는 기) 및 시클로헥실 혹은 아다만틸 등의 시클로알킬(구체예는 후술하는 기)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 기로 치환된 구조도 포함된다.In addition, aryl as a second substituent also includes a structure in which the aryl is substituted with one or more groups selected from the group consisting of aryl such as phenyl (a specific example is a group described above), alkyl such as methyl (a specific example is a group described below), and cycloalkyl such as cyclohexyl or adamantyl (a specific example is a group described below).
그 일례로는, 제2치환기로서의 플루오레닐의 9번 위치가 페닐 등의 아릴, 메틸 등의 알킬 또는 시클로헥실 혹은 아다만틸 등의 시클로알킬로 치환된 기를 들 수 있다.As an example, a group in which the 9th position of fluorenyl as a second substituent is substituted with an aryl group such as phenyl, an alkyl group such as methyl, or a cycloalkyl group such as cyclohexyl or adamantyl may be mentioned.
"아릴렌"은, 예를 들어 탄소수 6~30의 아릴렌이고, 바람직하게는 탄소수 6~20의 아릴렌, 탄소수 6~16의 아릴렌, 탄소수 6~12의 아릴렌 또는 탄소수 6~10의 아릴렌 등이다."Arylene" is, for example, arylene having 6 to 30 carbon atoms, preferably arylene having 6 to 20 carbon atoms, arylene having 6 to 16 carbon atoms, arylene having 6 to 12 carbon atoms, or arylene having 6 to 10 carbon atoms.
구체적인 "아릴렌"은, 예를 들어 상술한 "아릴"(1가의 기)로부터 1개의 수소를 제외한 2가의 기를 들 수 있다.A specific "arylene" may include, for example, a divalent group in which one hydrogen is removed from the above-mentioned "aryl" (a monovalent group).
"헤테로아릴"은, 예를 들어 탄소수 2~30의 헤테로아릴이고, 바람직하게는 탄소수 2~25의 헤테로아릴, 탄소수 2~20의 헤테로아릴, 탄소수 2~15의 헤테로아릴 또는 탄소수 2~10의 헤테로아릴 등이다. "헤테로아릴"은 환 구성 원자로서 탄소 이외에 산소, 황 및 질소 등으로부터 선택되는 헤테로 원자를 1개 이상, 바람직하게는 1~5개 함유한다."Heteroaryl" is, for example, a heteroaryl having 2 to 30 carbon atoms, preferably a heteroaryl having 2 to 25 carbon atoms, a heteroaryl having 2 to 20 carbon atoms, a heteroaryl having 2 to 15 carbon atoms, or a heteroaryl having 2 to 10 carbon atoms. "Heteroaryl" contains, as a ring constituent atom, at least one, preferably 1 to 5, heteroatoms selected from oxygen, sulfur, and nitrogen, in addition to carbon.
구체적인 "헤테로아릴"로는, 상술한 "헤테로아릴환"으로부터 1개의 수소를 제외한 1가의 기를 들 수 있다. 예를 들어, 피롤릴, 옥사졸릴, 이소옥사졸릴, 티아졸릴, 이소티아졸릴, 이미다졸릴, 옥사디아졸릴, 티아디아졸릴, 트리아졸릴, 테트라졸릴, 피라졸릴, 피리딜, 피리미디닐, 피리다지닐, 피라지닐, 트리아지닐, 인돌릴, 이소인돌릴, 1H-인다졸릴, 벤조이미다졸릴, 벤조옥사졸릴, 벤조티아졸릴, 1H-벤조트리아졸릴, 퀴놀리닐, 이소퀴놀리닐, 신놀리닐, 퀴나졸리닐, 퀴녹살리닐, 페난트롤리닐, 프탈라지닐, 나프티리디닐, 퓨리닐, 프테리디닐, 카바졸릴, 아크리디닐, 페녹사티이닐, 페녹사디닐, 페노티아지닐, 페나지닐, 페나자실리닐, 인돌리지닐, 퓨라닐, 벤조퓨라닐, 이소벤조퓨라닐, 디벤조퓨라닐, 나프토벤조퓨라닐, 티에닐, 벤조티에닐, 이소벤조티에닐, 디벤조티에닐, 나프토벤조티에닐, 벤조포스폴옥사이드환의 1가의 기, 디벤조포스폴옥사이드환의 1가의 기, 퓨라자닐, 티안트레닐, 인돌로카바졸릴, 벤조인돌로카바졸릴, 디벤조인돌로카바졸릴, 이미다졸리닐 또는 옥사졸리닐 등이 있다. 그 밖에, 스피로[플루오렌-9,9'-크산텐]의 1가의 기, 스피로비[실라플루오렌]의 1가의 기, 벤조셀레노펜의 1가의 기를 들 수 있다.A specific "heteroaryl" may include a monovalent group in which one hydrogen is removed from the above-described "heteroaryl ring". For example, pyrrolyl, oxazolyl, isoxazolyl, thiazolyl, isothiazolyl, imidazolyl, oxadiazolyl, thiadiazolyl, triazolyl, tetrazolyl, pyrazolyl, pyridyl, pyrimidinyl, pyridazinyl, pyrazinyl, triazinyl, indolyl, isoindolyl, 1H-indazolyl, benzoimidazolyl, benzoxazolyl, benzothiazolyl, 1H-benzotriazolyl, quinolinyl, isoquinolinyl, cinnolinyl, quinazolinyl, quinoxalinyl, phenanthrolinyl, phthalazinyl, naphthyridinyl, purinyl, pteridinyl, carbazolyl, acridinyl, phenoxathiinyl, phenoxadinyl, phenothiazinyl, phenazinyl, phenaxacillinyl, Examples thereof include indolizinyl, furanyl, benzofuranyl, isobenzofuranyl, dibenzofuranyl, naphthobenzofuranyl, thienyl, benzothienyl, isobenzothienyl, dibenzothienyl, naphthobenzothienyl, a monovalent group of a benzophosphol oxide ring, a monovalent group of a dibenzophosphol oxide ring, furazanyl, thianthrenyl, indolocarbazolyl, benzoindolocarbazolyl, dibenzoindolocarbazolyl, imidazolinyl or oxazolinyl. In addition, a monovalent group of spiro[fluorene-9,9'-xanthene], a monovalent group of spirobi[silafluorene], and a monovalent group of benzoselenophene can be mentioned.
또한, 제2치환기로서의 헤테로아릴에는 당해 헤테로아릴이 페닐 등의 아릴(구체예는 상술한 기), 메틸 등의 알킬(구체예는 후술하는 기) 및 시클로헥실 혹은 아다만틸 등의 시클로알킬(구체예는 후술하는 기)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 기로 치환된 구조도 포함된다.In addition, heteroaryl as a second substituent also includes a structure in which the heteroaryl is substituted with one or more groups selected from the group consisting of aryl such as phenyl (a specific example is a group described above), alkyl such as methyl (a specific example is a group described below), and cycloalkyl such as cyclohexyl or adamantyl (a specific example is a group described below).
그 일례로서, 제2치환기로서의 카바졸릴의 9번 위치가 페닐 등의 아릴, 메틸 등의 알킬 또는 시클로헥실 혹은 아다만틸 등의 시클로알킬로 치환된 기를 들 수 있다. 또한, 피리딜, 피리미디닐, 트리아지닐, 카바졸릴 등의 질소 함유 헤테로아릴이 페닐 또는 비페닐릴 등으로 더 치환된 기도 제2치환기로서의 헤테로아릴에 포함된다.As an example, a group in which the 9th position of carbazolyl as a second substituent is substituted with an aryl such as phenyl, an alkyl such as methyl, or a cycloalkyl such as cyclohexyl or adamantyl is mentioned. In addition, a group in which a nitrogen-containing heteroaryl such as pyridyl, pyrimidinyl, triazinyl, or carbazolyl is further substituted with phenyl or biphenylyl is also included in the heteroaryl as a second substituent.
"헤테로아릴렌"은, 예를 들어 탄소수 2~30의 헤테로아릴렌이고, 바람직하게는 탄소수 2~25의 헤테로아릴렌, 탄소수 2~20의 헤테로아릴렌, 탄소수 2~15의 헤테로아릴렌 또는 탄소수 2~10의 헤테로아릴렌 등을 들 수 있다. 또한, "헤테로아릴렌"은, 예를 들어 환 구성 원자로서 탄소 이외에 산소, 황 및 질소로부터 선택되는 헤테로 원자를 1~5개 함유하는 복소환 등의 2가의 기이다."Heteroarylene" is, for example, a heteroarylene having 2 to 30 carbon atoms, and preferably includes a heteroarylene having 2 to 25 carbon atoms, a heteroarylene having 2 to 20 carbon atoms, a heteroarylene having 2 to 15 carbon atoms, or a heteroarylene having 2 to 10 carbon atoms. In addition, "heteroarylene" is, for example, a divalent group such as a heterocycle containing 1 to 5 heteroatoms selected from oxygen, sulfur, and nitrogen in addition to carbon as ring constituent atoms.
구체적인 "헤테로아릴렌"은, 예를 들어 상술한 "헤테로아릴"(1가의 기)로부터 1개의 수소를 제외한 2가의 기를 들 수 있다.A specific "heteroarylene" may include, for example, a divalent group in which one hydrogen is removed from the above-mentioned "heteroaryl" (a monovalent group).
"디아릴아미노"는 2개의 아릴이 치환된 아미노이고, 이 아릴의 상세에 대해서는 상술한 "아릴"의 설명을 인용할 수 있다."Diarylamino" is an amino substituted with two aryls, and for details on this aryl, the description of "aryl" mentioned above can be cited.
"디헤테로아릴아미노"는 2개의 헤테로아릴이 치환된 아미노기이고, 이 헤테로아릴의 상세에 대해서는 상술한 "헤테로아릴"의 설명을 인용할 수 있다.“Diheteroarylamino” is an amino group substituted with two heteroaryls, and details of this heteroaryl can be referred to the description of “heteroaryl” mentioned above.
"아릴헤테로아릴아미노"는 아릴 및 헤테로아릴이 치환된 아미노기이고, 이 아릴 및 헤테로아릴의 상세에 대해서는 상술한 "아릴" 및 "헤테로아릴"의 설명을 인용할 수 있다."Arylheteroarylamino" is an amino group substituted with aryl and heteroaryl, and details of the aryl and heteroaryl can be referred to the description of "aryl" and "heteroaryl" mentioned above.
제1치환기로서의 디아릴아미노에서 2개의 아릴은 서로 연결기를 통해 결합되어 있어도 되고, 제1치환기로서의 디헤테로아릴아미노에서 2개의 헤테로아릴은 서로 연결기를 통해 결합되어 있어도 되고, 제1치환기로서의 아릴헤테로아릴아미노의 아릴과 헤테로아릴은 서로 연결기를 통해 결합되어 있어도 된다. 여기서 "연결기를 통한 결합"이란, 이하에 표시되는 바와 같이, 예를 들어 디페닐아미노의 2개의 페닐이 연결기로 결합을 형성하는 것을 나타낸다. 또한, 이 설명은 아릴이나 헤테로아릴로 형성된 디헤테로아릴아미노 및 아릴헤테로아릴아미노에도 적용된다.In the diarylamino as the first substituent, two aryls may be bonded to each other via a linking group, in the diheteroarylamino as the first substituent, two heteroaryls may be bonded to each other via a linking group, and the aryl and heteroaryl of the arylheteroarylamino as the first substituent may be bonded to each other via a linking group. Here, "bonding via a linking group" means, as shown below, that two phenyls of diphenylamino form a bond via a linking group. In addition, this description also applies to diheteroarylamino and arylheteroarylamino formed by aryl or heteroaryl.
연결기로는 구체적으로 >O, >N-RX, >C(-RX)2, -C(-RX)=C(-RX)-, >Si(-RX)2, >S, >CO, >CS, >SO, >SO2, >SeO, >SeO2, >PO, >B(-RX) 및 >Se를 들 수 있다. RX는 각각 독립적으로 알킬, 시클로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이고, 이들은 알킬, 시클로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴로 치환되어 있어도 된다. 또한, >C(-RX)2, -C(-RX)=C(-RX)-, >Si(-RX)2 각각에 있어서의 2개의 RX는, 단일 결합 또는 연결기 XY를 통해 서로 결합하여 환을 형성해도 된다. XY로는 >O, >N-RY, >C(-RY)2, >Si(-RY)2, >S, >CO, >CS, >SO, >SO2 및 >Se를 들 수 있고, RY는 각각 독립적으로 알킬, 시클로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이고, 이들은 알킬, 시클로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴로 치환되어 있어도 된다. 단, XY가 >C(-RY)2 및 >Si(-RY)2 인 경우에는, 2개의 RY는 결합하여 추가로 환을 형성하지 않는다. 또한 연결기로는, 알케닐렌도 들 수 있다. 해당 알케닐렌의 임의의 수소는 각각 독립적으로 R2X로 치환되어 있어도 되고, R2X는 각각 독립적으로 알킬, 시클로알킬, 치환 실릴, 아릴 및 헤테로아릴이고, 이들은 알킬, 시클로알킬, 치환 실릴, 아릴로 치환되어 있어도 된다. -C(-RX)=C(-RX)-의 2개의 RX는 서로 결합하여 이들이 결합하는 C=C와 함께 아릴환(벤젠환 등) 또는 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 된다. 즉, -C(-RX)=C(-RX)-는 아릴렌(1,2-페닐렌 등) 또는 헤테로아릴렌이 되어 있어도 된다.Specific examples of linking groups include >O, >NR X , >C(-R X ) 2 , -C(-R X )=C(-R X )-, >Si(-R X ) 2 , >S, >CO, >CS, >SO, >SO 2 , >SeO, >SeO 2 , >PO, >B(-R X ) and >Se. Each R X is independently alkyl, cycloalkyl, aryl or heteroaryl, and these may be substituted with alkyl, cycloalkyl, aryl or heteroaryl. In addition, two R X in each of >C(-R X ) 2 , -C(-R X )=C(-R X )-, >Si(-R X ) 2 may be bonded to each other via a single bond or a linking group X Y to form a ring . X Y includes >O, >NR Y , >C(-R Y ) 2 , >Si(-R Y ) 2 , >S, >CO, >CS, >SO, >SO 2 and >Se, and R Y is each independently alkyl, cycloalkyl, aryl or heteroaryl, which may be substituted with alkyl, cycloalkyl, aryl or heteroaryl. However, when X Y is >C(-R Y ) 2 and >Si(-R Y ) 2 , two R Y do not combine to form an additional ring. In addition, as a linking group, alkenylene can also be mentioned. Any hydrogen of the alkenylene may be each independently substituted with R 2X , and R 2X is each independently alkyl, cycloalkyl, substituted silyl, aryl and heteroaryl, which may be substituted with alkyl, cycloalkyl, substituted silyl or aryl. -The two R X in -C(-R X )=C(-R X )- may be bonded to each other to form an aryl ring (such as a benzene ring) or a heteroaryl ring together with the C=C to which they are bonded. That is, -C(-R X )=C(-R X )- may become arylene (such as 1,2-phenylene) or heteroarylene.
또한, 본 명세서에서 단순히 "디아릴아미노", "디헤테로아릴아미노" 또는 "아릴헤테로아릴아미노"라고 기재되어 있는 경우는, 특별히 언급하지 않는 한, 각각 "디아릴아미노의 2개의 아릴은 서로 연결기를 통해 결합되어 있어도 된다", "상기 디헤테로아릴아미노의 2개의 헤테로아릴은 서로 연결기를 통해 결합되어 있어도 된다" 및 "상기 아릴헤테로아릴아미노의 아릴과 헤테로아릴은 서로 연결기를 통해 결합되어 있어도 된다"라는 설명이 덧붙여 있는 것으로 한다.In addition, in cases where it is simply described as "diarylamino", "diheteroarylamino" or "arylheteroarylamino" in this specification, unless specifically stated otherwise, it is assumed that the explanations "two aryls of the diarylamino may be bonded to each other via a linking group", "two heteroaryls of the diheteroarylamino may be bonded to each other via a linking group" and "the aryl and heteroaryl of the arylheteroarylamino may be bonded to each other via a linking group" are added, respectively.
"디아릴보릴"은 2개의 아릴이 치환된 보릴이고, 이 아릴의 상세에 대해서는 상술한 "아릴"의 설명을 인용할 수 있다. 또한, 이 2개의 아릴은 단일 결합 또는 연결기(예를 들어, -CH=CH-, -CR=CR-, -C≡C-, >N-R, >O, >S, >CO, >C=S, >S=O, >S(=O)2, >Se(=O), >Se(=O)2, >P(=O), >B(-R), >C(-R)2, >Si(-R)2 또는 >Se)를 통해 결합되어 있어도 된다. 여기서, 상기 -CR=CR-의 R, >N-R의 R, >B(-R)의 R, >C(-R)2의 R 및 >Si(-R)의 R은, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 알킬, 알케닐, 알키닐, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시이고, 당해 R에서 1개 이상의 수소는 아릴, 헤테로아릴, 알킬, 알케닐, 알키닐 또는 시클로알킬로 더 치환되어 있어도 된다. 또한, 인접하는 2개의 R끼리가 결합하여 환을 형성하고, 시클로알킬렌, 아릴렌 및 헤테로아릴렌을 형성하고 있어도 된다. 여기에 열거된 치환기의 상세에 대해서는 상술한 "아릴", "아릴렌", "헤테로아릴", "헤테로아릴렌" 및 "디아릴아미노"의 설명 및 후술하는 "알킬", "알케닐", "알키닐", "시클로알킬", "시클로알킬렌", "알콕시" 및 "아릴옥시"의 설명을 인용할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 단순히 "디아릴보릴"이라고 기재되어 있는 경우는, 특별히 언급이 없는 한, "디아릴보릴의 2개의 아릴은 서로 단일 결합 또는 연결기를 통해 결합되어 있어도 된다"라는 설명이 덧붙여 있는 것으로 한다."Diarylboryl" is a boryl substituted with two aryls, and the details of this aryl can be cited from the description of the above-mentioned "aryl". In addition, these two aryls may be bonded via a single bond or a linking group (e.g., -CH=CH-, -CR=CR-, -C≡C-, >NR, >O, >S, >CO, >C=S, >S=O, >S(=O) 2 , >Se(=O), >Se(=O) 2 , >P(=O), >B(-R), >C(-R) 2 , >Si(-R) 2 or >Se). Here, R of the -CR=CR-, R of >NR, R of >B(-R), R of >C(-R) 2 and R of >Si(-R) are aryl, heteroaryl, diarylamino, alkyl, alkenyl, alkynyl, cycloalkyl, alkoxy or aryloxy, and one or more hydrogens in R may be further substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, alkenyl, alkynyl or cycloalkyl. In addition, two adjacent R's may be combined to form a ring, forming cycloalkylene, arylene and heteroarylene. Details of the substituents listed herein may be cited from the descriptions of "aryl", "arylene", "heteroaryl", "heteroarylene", and "diarylamino" described above, and the descriptions of "alkyl", "alkenyl", "alkynyl", "cycloalkyl", "cycloalkylene", "alkoxy", and "aryloxy" described below. In addition, when simply described as "diarylboryl" in this specification, unless otherwise specified, it is understood that the description that "two aryls of the diarylboryl may be bonded to each other via a single bond or a linking group" is added.
"알킬"은 직쇄 및 분지쇄 중 어느 것이어도 되고, 예를 들어 탄소수 1~24의 직쇄 알킬 또는 탄소수 3~24의 분지쇄 알킬이고, 바람직하게는 탄소수 1~18의 알킬(탄소수 3~18의 분지쇄 알킬), 탄소수 1~12의 알킬(탄소수 3~12의 분지쇄 알킬), 탄소수 1~6의 알킬(탄소수 3~6의 분지쇄 알킬), 탄소수 1~5의 알킬(탄소수 3~5의 분지쇄 알킬), 탄소수 1~4의 알킬(탄소수 3~4의 분지쇄 알킬) 등이다."Alkyl" may be either straight-chain or branched-chain, for example, straight-chain alkyl having 1 to 24 carbon atoms or branched-chain alkyl having 3 to 24 carbon atoms, and preferably alkyl having 1 to 18 carbon atoms (branched-chain alkyl having 3 to 18 carbon atoms), alkyl having 1 to 12 carbon atoms (branched-chain alkyl having 3 to 12 carbon atoms), alkyl having 1 to 6 carbon atoms (branched-chain alkyl having 3 to 6 carbon atoms), alkyl having 1 to 5 carbon atoms (branched-chain alkyl having 3 to 5 carbon atoms), alkyl having 1 to 4 carbon atoms (branched-chain alkyl having 3 to 4 carbon atoms), etc.
구체적인 "알킬"은, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, 1-에틸-1-메틸프로필, 1,1-디에틸프로필, 1,1,2-트리메틸프로필, 1,1,2,2-테트라메틸프로필, 1-에틸-1,2,2-트리메틸프로필, n-부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, 2-에틸부틸, 1,1-디메틸부틸, 3,3-디메틸부틸, 1,1-디에틸부틸, 1-에틸-1-메틸부틸, 1-프로필-1-메틸부틸, 1,1,3-트리메틸부틸, 1-에틸-1,3-디메틸부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, t-펜틸(t-아밀), 1-메틸펜틸, 2-프로필펜틸, 1,1-디메틸펜틸, 1-에틸-1-메틸펜틸, 1-프로필-1-메틸펜틸, 1-부틸-1-메틸펜틸, 1,1,4-트리메틸펜틸, n-헥실, 1-메틸헥실, 2-에틸헥실, 1,1-디메틸헥실, 1-에틸-1-메틸헥실, 1,1,5-트리메틸헥실, 3,5,5-트리메틸헥실, n-헵틸, 1-메틸헵틸, 1-헥실헵틸, 1,1-디메틸헵틸, 2,2-디메틸헵틸, 2,6-디메틸-4-헵틸, n-옥틸, t-옥틸(1,1,3,3-테트라메틸부틸), 1,1-디메틸옥틸, n-노닐, n-데실, 1-메틸데실, n-운데실, n-도데실, n-트리데실, n-테트라데실, n-펜타데실, n-헥사데실, n-헵타데실, n-옥타데실 또는 n-에이코실 등이다.Specific "alkyl"s include, for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, 1-ethyl-1-methylpropyl, 1,1-diethylpropyl, 1,1,2-trimethylpropyl, 1,1,2,2-tetramethylpropyl, 1-ethyl-1,2,2-trimethylpropyl, n-butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, 2-ethylbutyl, 1,1-dimethylbutyl, 3,3-dimethylbutyl, 1,1-diethylbutyl, 1-ethyl-1-methylbutyl, 1-propyl-1-methylbutyl, 1,1,3-trimethylbutyl, 1-ethyl-1,3-dimethylbutyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, t-pentyl(t-amyl), 1-methylpentyl, 2-propylpentyl, 1,1-dimethylpentyl, 1-Ethyl-1-methylpentyl, 1-propyl-1-methylpentyl, 1-butyl-1-methylpentyl, 1,1,4-trimethylpentyl, n-hexyl, 1-methylhexyl, 2-ethylhexyl, 1,1-dimethylhexyl, 1-ethyl-1-methylhexyl, 1,1,5-trimethylhexyl, 3,5,5-trimethylhexyl, n-heptyl, 1-methylheptyl, 1-hexylheptyl, 1,1-dimethylheptyl, 2,2-dimethylheptyl, 2,6-dimethyl-4-heptyl, n-octyl, t-octyl (1,1,3,3-tetramethylbutyl), 1,1-dimethyloctyl, n-nonyl, n-decyl, 1-methyldecyl, n-undecyl, n-dodecyl, n-tridecyl, n-tetradecyl, n-pentadecyl, n-hexadecyl, n-heptadecyl, n-octadecyl or n-eicosyl.
"알킬렌"은 "알킬" 중 어느 하나의 수소를 제외하고 얻어지는 2가의 기이고, 예를 들어 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌이 있다."Alkylene" is a divalent group obtained by removing the hydrogen of any one of the "alkyl" groups, examples of which include methylene, ethylene, and propylene.
"알케닐"에 대해서는, 상술한 "알킬"의 설명을 참고로 할 수 있고, "알킬"구조 중의 C-C 단일 결합을 C=C 이중 결합으로 치환한 기이고, 1개만이 아니라 2개 이상의 단일 결합이 이중 결합으로 치환된 기(알카디엔-일 또는 알카트리엔-일이라고도 함)도 포함한다.For "alkenyl", reference can be made to the explanation of "alkyl" mentioned above, and it is a group in which a C-C single bond in the "alkyl" structure is replaced with a C=C double bond, and also includes a group in which not only one but two or more single bonds are replaced with double bonds (also called alkadien-yl or alkatrien-yl).
"알케닐렌"은 "알케닐" 중 어느 하나의 수소를 제외하고 얻어지는 2가의 기이고, 예를 들어 비닐렌을 들 수 있다."Alkenylene" is a divalent group obtained by removing the hydrogen of any one of "alkenyl", and an example is vinylene.
"알키닐"에 대해서는, 상술한 "알킬"의 설명을 참고로 할 수 있고, "알킬" 구조 중의 C-C 단일 결합을 C≡C 삼중 결합으로 치환한 기이고, 1개만이 아니라 2개 이상의 단일 결합이 삼중 결합으로 치환된 기(알카디인-일 또는 알카트리인-일이라고도 함)도 포함한다.For "alkynyl", reference can be made to the explanation of "alkyl" mentioned above, and it is a group in which a C-C single bond in the "alkyl" structure is replaced with a C≡C triple bond, and also includes a group in which not only one but two or more single bonds are replaced with triple bonds (also called alkadiyn-yl or alkatriyn-yl).
"시클로알킬"은, 예를 들어 탄소수 3~24의 시클로알킬이고, 바람직하게는 탄소수 3~20의 시클로알킬, 탄소수 3~16의 시클로알킬, 탄소수 3~14의 시클로알킬, 탄소수 3~12의 시클로알킬, 탄소수 5~10의 시클로알킬, 탄소수 5~8의 시클로알킬, 탄소수 5~6의 시클로알킬 또는 탄소수 5의 시클로알킬 등이다."Cycloalkyl" is, for example, cycloalkyl having 3 to 24 carbon atoms, preferably cycloalkyl having 3 to 20 carbon atoms, cycloalkyl having 3 to 16 carbon atoms, cycloalkyl having 3 to 14 carbon atoms, cycloalkyl having 3 to 12 carbon atoms, cycloalkyl having 5 to 10 carbon atoms, cycloalkyl having 5 to 8 carbon atoms, cycloalkyl having 5 to 6 carbon atoms, or cycloalkyl having 5 carbon atoms.
구체적인 "시클로알킬"은, 예를 들어 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 시클로노닐, 시클로데실 혹은 이들의 탄소수 1~5나 탄소수 1~4의 알킬(특히 메틸) 치환체, 비시클로[1.1.0]부틸, 비시클로[1.1.1]펜틸, 비시클로[2.1.0]펜틸, 비시클로[2.1.1]헥실, 비시클로[3.1.0]헥실, 비시클로[2.2.1]헵틸(노르보르닐), 비시클로[2.2.2]옥틸, 아다만틸, 디아만틸, 데카하이드로나프탈레닐 또는 데카하이드로아줄레닐 등이다.Specific "cycloalkyl"s are, for example, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, cyclononyl, cyclodecyl or C1-5 or C1-4 alkyl (especially methyl) substituents thereof, bicyclo[1.1.0]butyl, bicyclo[1.1.1]pentyl, bicyclo[2.1.0]pentyl, bicyclo[2.1.1]hexyl, bicyclo[3.1.0]hexyl, bicyclo[2.2.1]heptyl(norbornyl), bicyclo[2.2.2]octyl, adamantyl, diamantyl, decahydronaphthalenyl or decahydroazulenyl.
"시클로알킬렌"은, 예를 들어 탄소수 3~24의 시클로알킬렌이고, 바람직하게는 탄소수 3~20의 시클로알킬렌, 탄소수 3~16의 시클로알킬렌, 탄소수 3~14의 시클로알킬렌, 탄소수 3~12의 시클로알킬렌, 탄소수 5~10의 시클로알킬렌, 탄소수 5~8의 시클로알킬렌, 탄소수 5~6의 시클로알킬렌 또는 탄소수 5의 시클로알킬렌 등이다."Cycloalkylene" is, for example, cycloalkylene having 3 to 24 carbon atoms, preferably cycloalkylene having 3 to 20 carbon atoms, cycloalkylene having 3 to 16 carbon atoms, cycloalkylene having 3 to 14 carbon atoms, cycloalkylene having 3 to 12 carbon atoms, cycloalkylene having 5 to 10 carbon atoms, cycloalkylene having 5 to 8 carbon atoms, cycloalkylene having 5 to 6 carbon atoms, or cycloalkylene having 5 carbon atoms.
구체적인 "시클로알킬렌"은, 예를 들어 상술한 "시클로알킬"(1가의 기)로부터 1개의 수소를 제외하여 2가의 기로 한 구조를 들 수 있다.A specific "cycloalkylene" may include, for example, a structure in which one hydrogen is removed from the above-mentioned "cycloalkyl" (a monovalent group) to form a divalent group.
"시클로알케닐"은 상술한 "시클로알킬"에서 1세트 이상의 2개의 탄소 사이의 단일 결합이 이중 결합이 된 구조를 가지는 기(예를 들어, -CH2-CH2-가 -CH=CH-로 치환된 기)로서, 아릴에 해당하지 않는 기를 들 수 있다. 구체적으로는, 1-시클로헥세닐, 1-시클로펜테닐 등을 들 수 있다."Cycloalkenyl" is a group having a structure in which one or more sets of single bonds between two carbons in the above-mentioned "cycloalkyl" become double bonds (for example, a group in which -CH 2 -CH 2 - is replaced with -CH=CH-), and includes groups that do not correspond to aryl. Specific examples include 1-cyclohexenyl and 1-cyclopentenyl.
"알콕시"는 "Alk-O-(Alk는 알킬)"로 표시되는 기이고, 이 알킬의 상세에 대해서는 상술한 "알킬"의 설명을 인용할 수 있다."Alkoxy" is a group represented by "Alk-O-(Alk is alkyl)", and for details on this alkyl, the description of "alkyl" mentioned above can be cited.
"아릴옥시"는 "Ar-O-(Ar은 아릴)"로 표시되는 기이고, 이 아릴의 상세에 대해서는 상술한 "아릴"의 설명을 인용할 수 있다."Aryloxy" is a group represented by "Ar-O-(Ar is aryl)", and for details on this aryl, the description of "aryl" mentioned above can be cited.
"치환 실릴"은, 예를 들어 아릴, 알킬 및 시클로알킬 중 1개 이상으로 치환된 실릴이고, 바람직하게는 트리아릴실릴, 트리알킬실릴, 트리시클로알킬실릴, 디알킬시클로알킬실릴 또는 알킬디시클로알킬실릴이다.“Substituted silyl” is a silyl substituted with one or more of, for example, aryl, alkyl and cycloalkyl, preferably triarylsilyl, trialkylsilyl, tricycloalkylsilyl, dialkylcycloalkylsilyl or alkyldicycloalkylsilyl.
"트리아릴실릴"은 3개의 아릴로 치환된 실릴기이고, 이 아릴의 상세에 대해서는 상술한 "아릴"의 설명을 인용할 수 있다."Triarylsilyl" is a silyl group substituted with three aryls, and the details of this aryl can be referred to the description of "aryl" mentioned above.
구체적인 "트리아릴실릴"은, 예를 들어 트리페닐실릴, 디페닐모노나프틸실릴, 모노페닐디나프틸실릴 또는 트리나프틸실릴 등이다.Specific "triarylsilyls" include, for example, triphenylsilyl, diphenylmononaphthylsilyl, monophenyldinaphthylsilyl or trinaphthylsilyl.
"트리알킬실릴"은 3개의 알킬로 치환된 실릴기이고, 이 알킬의 상세에 대해서는 상술한 "알킬"의 설명을 인용할 수 있다."Trialkylsilyl" is a silyl group substituted with three alkyls, and for details on this alkyl, the description of "alkyl" mentioned above can be cited.
구체적인 "트리알킬실릴"은, 예를 들어 트리메틸실릴, 트리에틸실릴, 트리n-프로필실릴, 트리이소프로필실릴, 트리n-부틸실릴, 트리이소부틸실릴, 트리s-부틸실릴, 트리t-부틸실릴, 에틸디메틸실릴, n-프로필디메틸실릴, 이소프로필디메틸실릴, n-부틸디메틸실릴, 이소부틸디메틸실릴, s-부틸디메틸실릴, t-부틸디메틸실릴, 메틸디에틸실릴, n-프로필디에틸실릴, 이소프로필디에틸실릴, n-부틸디에틸실릴, s-부틸디에틸실릴, t-부틸디에틸실릴, 메틸디n-프로필실릴, 에틸디n-프로필실릴, n-부틸디n-프로필실릴, s-부틸디n-프로필실릴, t-부틸디n-프로필실릴, 메틸디이소프로필실릴, 에틸디이소프로필실릴, n-부틸디이소프로필실릴, s-부틸디이소프로필실릴 또는 t-부틸디이소프로필실릴 등이다.Specific "trialkylsilyls" include, for example, trimethylsilyl, triethylsilyl, tri-n-propylsilyl, triisopropylsilyl, tri-n-butylsilyl, triisobutylsilyl, tri-s-butylsilyl, tri-t-butylsilyl, ethyldimethylsilyl, n-propyldimethylsilyl, isopropyldimethylsilyl, n-butyldimethylsilyl, isobutyldimethylsilyl, s-butyldimethylsilyl, t-butyldimethylsilyl, methyldiethylsilyl, n-propyldiethylsilyl, isopropyldiethylsilyl, n-butyldiethylsilyl, s-butyldiethylsilyl, t-butyldiethylsilyl, methyldi-n-propylsilyl, ethyldi-n-propylsilyl, n-butyldi-n-propylsilyl, s-butyldi-n-propylsilyl, t-butyldi-n-propylsilyl, methyldiisopropylsilyl, Examples include ethyldiisopropylsilyl, n-butyldiisopropylsilyl, s-butyldiisopropylsilyl, and t-butyldiisopropylsilyl.
"트리시클로알킬실릴"은 3개의 시클로알킬로 치환된 실릴기이고, 이 시클로알킬의 상세에 대해서는 상술한 "시클로알킬"의 설명을 인용할 수 있다."Tricycloalkylsilyl" is a silyl group substituted with three cycloalkyls, and for details on this cycloalkyl, the description of "cycloalkyl" mentioned above can be cited.
구체적인 "트리시클로알킬실릴"은, 예를 들어 트리시클로펜틸실릴 또는 트리시클로헥실실릴 등이다.Specific "tricycloalkylsilyl" includes, for example, tricyclopentylsilyl or tricyclohexylsilyl.
"디알킬시클로알킬실릴"은 2개의 알킬 및 1개의 시클로알킬로 치환된 실릴기이고, 이 알킬 및 시클로알킬의 상세에 대해서는 상술한 "알킬" 및 "시클로알킬"의 설명을 인용할 수 있다.“Dialkylcycloalkylsilyl” is a silyl group substituted with two alkyls and one cycloalkyl, and for details of the alkyls and cycloalkyls, the description of “alkyl” and “cycloalkyl” mentioned above can be cited.
"알킬디시클로알킬실릴"은 1개의 알킬 및 2개의 시클로알킬로 치환된 실릴기이고, 이 알킬 및 시클로알킬의 상세에 대해서는 상술한 "알킬" 및 "시클로알킬"의 설명을 인용할 수 있다.“Alkyldicycloalkylsilyl” is a silyl group substituted with one alkyl and two cycloalkyl, and for details of the alkyl and cycloalkyl, the description of “alkyl” and “cycloalkyl” mentioned above can be cited.
"할로겐"은 불소, 염소, 브롬 또는 요오드이고, 바람직하게는 불소, 염소 또는 브롬, 보다 바람직하게는 불소 또는 염소이고, 불소가 더욱 바람직하다.“Halogen” is fluorine, chlorine, bromine or iodine, preferably fluorine, chlorine or bromine, more preferably fluorine or chlorine, and fluorine is even more preferred.
시아노 또는 할로겐이 치환되는 경우, 구조 중의 아릴환이나 헤테로아릴환의 전부 또는 일부의 수소가 시아노 또는 할로겐으로 치환된 형태도 바람직하다.When cyano or halogen is substituted, a form in which all or part of the hydrogen of the aryl ring or heteroaryl ring in the structure is substituted with cyano or halogen is also preferred.
식(A30)로 표시되는 치환기는 이하의 구조를 가진다.The substituent represented by formula (A30) has the following structure.
식(A30) 중,Among the foods (A30),
Ak는 수소, 치환 혹은 무치환된 알킬, 치환 혹은 무치환된 알케닐, 치환 혹은 무치환된 시클로알킬 또는 치환 혹은 무치환된 시클로알케닐이고, 당해 알킬, 시클로알킬 및 시클로알케닐 중의 1개 이상의 -CH2-는 -O- 또는 -S-로 치환되어 있어도 되고,Ak is hydrogen, substituted or unsubstituted alkyl, substituted or unsubstituted alkenyl, substituted or unsubstituted cycloalkyl or substituted or unsubstituted cycloalkenyl, and one or more -CH 2 - among the alkyl, cycloalkyl and cycloalkenyl may be substituted with -O- or -S-,
RAk는 치환 혹은 무치환된 아릴, 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환된 알킬 또는 치환 혹은 무치환된 시클로알킬이고, RAk는 연결기 또는 단일 결합에 의해 Ak와 결합되어 있어도 되고, *는 결합 위치이다.R Ak is a substituted or unsubstituted aryl, a substituted or unsubstituted heteroaryl, a substituted or unsubstituted alkyl, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl, and R Ak may be bonded to Ak by a linking group or a single bond, and * represents a bonding position.
식(A30) 중, Ak가 상기 치환기인 것에 의해 N 상의 비공유 전자쌍과 공액하지 않기 때문에, 비공유 전자쌍을 결합처의 π전자와 공액시킬 수 있고, 같은 위치에 아릴 등이 있는 경우에 비해 보다 큰 파장 변경이 가능하다. 또한, 다중 공명 효과에 대한 영향에 대해서도 마찬가지이고, 열 활성형 지연 형광(TADF)성의 보다 큰 개선이 가능하다.In formula (A30), since Ak is the above substituent and does not conjugate with the unshared electron pair on N, the unshared electron pair can be conjugated with the π electron of the bonding site, and a larger wavelength change is possible compared to the case where aryl, etc. is present at the same position. In addition, the same applies to the influence on the multiple resonance effect, and a larger improvement in thermally activated delayed fluorescence (TADF) properties is possible.
RAk는 알킬 혹은 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 아릴, 알킬 혹은 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬인 것이 바람직하고, 알킬로 치환되어 있어도 되는 아릴, 알킬로 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬인 것이 보다 바람직하고, 알킬로 치환되어 있어도 되는 아릴인 것이 더욱 바람직하고, 메틸로 치환되어 있어도 되는 페닐인 것이 특히 바람직하다.R Ak is preferably an aryl which may be substituted with alkyl or cycloalkyl, a heteroaryl which may be substituted with alkyl or cycloalkyl, an alkyl or cycloalkyl, more preferably an aryl which may be substituted with alkyl, a heteroaryl which may be substituted with alkyl, an alkyl or cycloalkyl, even more preferably an aryl which may be substituted with alkyl, and particularly preferably phenyl which may be substituted with methyl.
식(A30) 중, Ak는 탄소수 1~6의 알킬 또는 탄소수 3~14의 시클로알킬인 것이 바람직하고, 탄소수 1~4의 알킬 또는 탄소수 3~8의 시클로알킬인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1~4의 알킬인 것이 더욱 바람직하고, 메틸인 것이 특히 바람직하다.In formula (A30), Ak is preferably an alkyl having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl having 3 to 14 carbon atoms, more preferably an alkyl having 1 to 4 carbon atoms or a cycloalkyl having 3 to 8 carbon atoms, still more preferably an alkyl having 1 to 4 carbon atoms, and particularly preferably methyl.
RAk와 Ak는 동일해도 상이해도 되고, 상이한 것이 바람직하다.R Ak and Ak may be the same or different, and it is preferable that they be different.
RAk는 연결기 또는 단일 결합에 의해 Ak와 결합되어 있어도 된다. 이때의 연결기로는 >O, >S 또는 >Si(-R)2 등을 들 수 있다. >Si(-R)2의 R은 수소, 탄소수 6~12의 아릴, 탄소수 1~6의 알킬 또는 탄소수 3~14의 시클로알킬이다. RAk가 연결기 또는 단일 결합에 의해 Ak와 결합한 구조의 예로는 이하를 들 수 있다.R Ak may be bonded to Ak by a linking group or a single bond. The linking group at this time can include >O, >S or >Si(-R) 2 . R of >Si(-R) 2 is hydrogen, aryl having 6 to 12 carbon atoms, alkyl having 1 to 6 carbon atoms or cycloalkyl having 3 to 14 carbon atoms. Examples of structures in which R Ak is bonded to Ak by a linking group or a single bond include the following.
상기 각 식 중, *는 결합 위치이다.In each of the above formulas, * indicates a bonding position.
<동일한 원자에 결합하는 2개의 기가 서로 결합하는 경우><When two groups that bind to the same atom bind to each other>
본 명세서에 있어서 동일한 원자에 결합하는 2개의 기에 대하여 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 되는 경우, 단일 결합 또는 연결기(이들을 일괄하여 결합기라고도 함)에 의해 결합되어 있으면 되고, 연결기로는 -CH2-CH2-, -CHR-CHR-, -CR2-CR2-, -CH=CH-, -CR=CR-, -C≡C-, -N(-R)-, -O-, -S-, -C(-R)2-, -C(=O)-, -C(=S)-, -S(=O)-, -S(=O)2-, -Se(=O)-, -Se(=O)2-, -P(=O)-, -B(-R)-, -Si(-R)2- 또는 -Se-를 들 수 있고, 예를 들어 이하의 구조를 들 수 있다. In the present specification, when two groups bonded to the same atom may be bonded to each other to form a ring, they may be bonded by a single bond or a linking group (these are collectively referred to as a linking group), and the linking group may be -CH 2 -CH 2 -, -CHR-CHR-, -CR 2 -CR 2 -, -CH=CH-, -CR=CR-, -C≡C-, -N(-R)-, -O-, -S-, -C(-R) 2 -, -C(=O)-, -C(=S)-, -S(=O)-, -S(=O) 2 -, -Se(=O)-, -Se(=O) 2 -, -P(=O)-, -B(-R)-, -Si(-R) 2 - or -Se-, and examples thereof include the following structures.
또한, 상기 -CHR-CHR-의 R, -CR2-CR2-의 R, -CR=CR-의 R, -N(-R)-의 R, -C(-R)2-의 R, -B(-R)-의 R 및 -Si(-R)2-의 R은 각각 독립적으로 수소, 알킬 혹은 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 아릴, 알킬 혹은 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴, 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 알킬, 알킬 혹은 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 알케닐, 알킬 혹은 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 알키닐 또는 알킬 혹은 시클로알킬로 치환되어 있어도 되는 시클로알킬이다. 또한, 인접하는 2개의 R끼리가 결합하여 환을 형성하고, 시클로알킬렌, 아릴렌 또는 헤테로아릴렌을 형성하고 있어도 된다.In addition, R of the above -CHR-CHR-, R of -CR 2 -CR 2 -, R of -CR=CR-, R of -N(-R)-, R of -C(-R) 2 -, R of -B(-R)- and R of -Si(-R) 2 - are each independently hydrogen, aryl which may be substituted with alkyl or cycloalkyl, heteroaryl which may be substituted with alkyl or cycloalkyl, alkyl which may be substituted with cycloalkyl, alkenyl which may be substituted with alkyl or cycloalkyl, alkynyl which may be substituted with alkyl or cycloalkyl, or cycloalkyl which may be substituted with alkyl or cycloalkyl. In addition, two adjacent R's may be combined to form a ring, thereby forming cycloalkylene, arylene, or heteroarylene.
결합기로는, 단일 결합, 연결기로서의 -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, -S-, -C(-R)2-, -Si(-R)2- 및 -Se-가 바람직하고, 단일 결합, 연결기로서의 -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, -S- 및 -C(-R)2-가 보다 바람직하고, 단일 결합, 연결기로서의 -CR=CR-, -N(-R)-, -O- 및 -S-가 더욱 바람직하고, 단일 결합이 가장 바람직하다.As a bonding group, -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, -S-, -C(-R) 2 -, -Si(-R) 2 - and -Se- are preferable as a single bond or a linking group, -CR=CR-, -N(-R)-, -O-, -S- and -C(-R) 2 - are more preferable as a single bond or a linking group, -CR=CR-, -N(-R)-, -O- and -S- are even more preferable as a single bond or a linking group, and a single bond is most preferable.
결합기에 의해 2개의 R이 결합하는 위치는, 결합 가능한 위치이면 특별히 한정되지 않지만, 가장 인접하는 위치에서 결합하는 것이 바람직하고, 예를 들어 2개의 기가 페닐인 경우, 페닐에 있어서의 "C" 또는 "Si"의 결합 위치(1번 위치)를 기준으로 하여 오르토(2번 위치)의 위치끼리 결합하는 것이 바람직하다(상기 구조식을 참조).The positions at which two R's are bonded by the bonding group are not particularly limited as long as they are bondable positions, but bonding at the most adjacent positions is preferable, and for example, when the two groups are phenyl, bonding at the ortho (2nd position) positions based on the bonding position of "C" or "Si" in phenyl (1st position) is preferable (see the structural formula above).
<입체 이성질체 등><Stereoisomers, etc.>
본 발명의 다환 방향족 화합물은 치환기의 종류 등에 따라, 에난티오머 또는 디아스테레오머가 존재할 수 있는데, 기재되어 있는 구조식에 관계없이 모든 순수한 형태의 임의의 입체 이성질체, 입체 이성질체의 임의의 혼합물, 라세미체 등은 모두 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 한다.The polycyclic aromatic compound of the present invention may exist as an enantiomer or a diastereomer depending on the type of substituent, etc., and regardless of the described structural formula, all pure forms of any stereoisomer, any mixture of stereoisomers, racemates, etc. are all included within the scope of the present invention.
1. 본 발명의 다환 방향족 화합물1. Polycyclic aromatic compound of the present invention
본 발명의 다환 방향족 화합물은 식(1)로 표시되고, 식(X-a-1)로 표시되는 부분 구조의 1개 이상 및 식(X-b-1)로 표시되는 부분 구조의 1개 이상을 포함한다.The polycyclic aromatic compound of the present invention is represented by formula (1) and includes at least one partial structure represented by formula (X-a-1) and at least one partial structure represented by formula (X-b-1).
식(1) 중,In equation (1),
A환, B환 및 C환은 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환이고,Ring A, ring B and ring C are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring,
식(X-a-1) 중,Among the formulas (X-a-1),
Xa는 C, Si, Ge 또는 Sn이고, AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환은 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환이고, AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 임의의 2개는 서로 단일 결합 또는 연결기로 연결되어 있어도 되며,X a is C, Si, Ge or Sn, and the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 ring are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring, and any two selected from the group consisting of the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 ring may be connected to each other by a single bond or a linking group,
AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 또는 2개는, 단일 결합을 통해 A환, B환 혹은 C환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 결합되어 있거나,One or two selected from the group consisting of AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 ring are bonded to a ring constituting atom of an aryl ring or heteroaryl ring in ring A, ring B or ring C through a single bond, or
A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있거나, 혹은 A환, B환 혹은 C환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-b-1)에서의 D환, E환 혹은 AR5환의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 단일 결합을 통해 결합되어 있거나,Is bonded to ring A, ring B or ring C, or is bonded to an aryl ring or heteroaryl ring of ring D, ring E or AR5 in formula (X-b-1) that shares one ring with ring A, ring B or ring C, through a single bond,
A환, B환 혹은 C환과 환을 공유하고 있거나, 또는Sharing a ring with Ring A, Ring B or Ring C, or
A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있거나, 혹은 A환, B환 혹은 C환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-b-1) 중의 D환, E환 혹은 AR5환과 환을 공유하고 있고,It is bonded to ring A, ring B or ring C, or shares a ring with ring D, ring E or AR5 among formula (X-b-1) which shares a ring with ring A, ring B or ring C,
식(X-b-1) 중,Among the formulas (X-b-1),
D환 및 E환은 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환이고,D ring and E ring are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring,
Xb는 후술하는 AR5환을 가지는 2가의 기, >O 또는 >S이고,X b is a divalent group having an AR5 ring as described below, >O or >S,
AR5환은 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환이고, AR5환은 D환 및/또는 E환과 단일 결합 또는 연결기에 의해 연결되어 있어도 되며,The AR5 ring is a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring, and the AR5 ring may be connected to the D ring and/or the E ring by a single bond or a connecting group.
D환, E환 및 AR5환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 또는 2개는,One or two selected from the group consisting of D ring, E ring and AR5 ring,
단일 결합을 통해 A환, B환 혹은 C환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 결합되어 있거나,Is bonded to a ring constituent atom of an aryl ring or heteroaryl ring in the A ring, B ring or C ring through a single bond, or
A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있거나, 혹은 A환, B환 혹은 C환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-a-1)에서의 AR1환, AR2환, AR3환 혹은 AR4환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 단일 결합을 통해 결합되어 있거나,Is bonded to an aryl ring or heteroaryl ring in the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring or AR4 ring in formula (X-a-1) which is bonded to ring A, ring B or ring C, or shares one ring with ring A, ring B or ring C, or is bonded through a single bond,
A환, B환 혹은 C환과 환을 공유하고 있거나, 또는Sharing a ring with Ring A, Ring B or Ring C, or
A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있거나, 혹은 A환, B환 혹은 C환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-a-1) 중의 AR1환, AR2환, AR3환 혹은 AR4환과 환을 공유하고 있으며,It shares a ring with an AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring or AR4 ring among formula (X-a-1) which is bound to ring A, ring B or ring C, or shares a ring with ring A, ring B or ring C,
상기 구조에서 1개 이상의 수소는 중수소로 치환되어 있어도 된다.In the above structure, one or more hydrogen atoms may be replaced with deuterium.
본 발명자들은 방향족환을 산소로 연결한 본 발명의 다환 방향족 화합물이 큰 HOMO-LUMO 갭(박막에서의 밴드갭 Eg)과 높은 삼중항 에너지를 가지는 것을 알아냈다. 이것은 헤테로원소를 포함한 환은 방향족성이 낮기 때문에, 공액계의 확장에 따른 HOMO-LUMO 갭의 감소가 억제되는 것, 분자 내의 왜곡을 이용해 공액계의 확장을 억제함으로써, 큰 HOMO-LUMO 갭을 얻을 수 있는 것이 원인이 되고 있다고 생각된다.The present inventors have found that the polycyclic aromatic compound of the present invention, in which an aromatic ring is connected by oxygen, has a large HOMO-LUMO gap (band gap Eg in a thin film) and high triplet energy. It is thought that this is because the ring including a heteroatom has low aromaticity, so that the decrease in the HOMO-LUMO gap due to the expansion of the conjugated system is suppressed, and a large HOMO-LUMO gap can be obtained by suppressing the expansion of the conjugated system by utilizing distortion within the molecule.
또한, 본 발명에 따른 헤테로원소를 함유하는 다환 방향족 화합물은 높은 삼중항 에너지를 가지는 재료로서, 인광 유기 EL 소자나 열 활성형 지연 형광을 이용한 유기 EL 소자의 호스트 화합물, 발광층에 인접하는 전자 저지층(전자 블로킹층)이나 정공 저지층(정공 블로킹층), 전자 수송층이나 정공 수송층으로도 유용하다. 더욱이, 이들 다환 방향족 화합물은 치환기의 도입에 의해 HOMO와 LUMO의 에너지를 임의로 움직일 수 있기 때문에, 이온화 퍼텐셜이나 전자 친화력을 주변 재료에 따라 최적화하는 것이 가능하다.In addition, the polycyclic aromatic compound containing a heteroatom according to the present invention is a material having high triplet energy, and is useful as a host compound of a phosphorescent organic EL device or an organic EL device using thermally activated delayed fluorescence, an electron-blocking layer (electron-blocking layer) or a hole-blocking layer (hole-blocking layer) adjacent to a light-emitting layer, an electron-transporting layer or a hole-transporting layer. Furthermore, since these polycyclic aromatic compounds can arbitrarily move the energy of HOMO and LUMO by introducing a substituent, it is possible to optimize the ionization potential or electron affinity depending on the surrounding materials.
<화합물 중의 환 구조 설명><Explanation of ring structure in compounds>
식(1)에서, 원 내의 "A", "B" 및 "C"는 원으로 표시되는 환 구조를 나타내는 부호이고, 식(X-a-1)에서, "AR1", "AR2", "AR3" 및 "AR4"는 원으로 표시되는 환 구조를 나타내는 부호이며, 식(X-b-1)에서, "D" 및 "E"는 원으로 표시되는 환 구조를 나타내는 부호이다. 또한, 후술하는 Xb에서의 "AR5"는 원으로 표시되는 환 구조를 나타내는 부호이다.In formula (1), "A", "B", and "C" in the circle are symbols representing a ring structure represented by the circle, in formula (Xa-1), "AR1", "AR2", "AR3", and "AR4" are symbols representing a ring structure represented by the circle, and in formula (Xb-1), "D" and "E" are symbols representing a ring structure represented by the circle. In addition, "AR5" in X b described below is a symbol representing a ring structure represented by the circle.
A환, B환, C환, D환, E환, AR1환, AR2환, AR3환, AR4환 및 AR5환은 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환이다.The A ring, B ring, C ring, D ring, E ring, AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring, AR4 ring and AR5 ring are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring.
A환은 그 구조 중의 아릴환 또는 헤테로아릴환의 환 상에서 연속적인 3개의 원자(바람직하게는 탄소)에 결합손을 가지는 3가의 기를 형성하고 있다. 이 3개의 결합손으로 A환은 2개의 O(산소) 및 B(붕소)에 결합된다. A환이 또 다른 부위에서 후술하는 바와 같이 AR1환, AR2환, AR3환, AR4환, AR5환, D환 혹은 E환과 결합되어 있거나, 또는 AR1환, AR2환, AR3환, AR4환, AR5환, D환 혹은 E환과 아릴환 또는 헤테로아릴환을 공유하고 있는 경우, A환은 4가 또는 5가의 기가 되어 있어도 된다. A환에서 상기 결합손을 가지는 원자를 환 구성 원자로 하는 환은 5원환 또는 6원환인 것이 바람직하고, 6원환인 것이 보다 바람직하다. 이 환은 또 다른 환과 축합되어 있어도 된다. 6원환의 예로는 벤젠환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환 등을 들 수 있다. 6원환이 또 다른 환과 축합되어 있는 예로는 나프탈렌환, 퀴놀린환, 디벤조퓨란환, 디벤조티오펜환, 카바졸환 등을 들 수 있다. 5원환의 예로는 퓨란환, 티오펜환, 피롤환, 티아졸환 등을 들 수 있다. 5원환이 또 다른 환과 축합되어 있는 예로는 벤조퓨란환, 벤조티오펜환, 인돌환 등을 들 수 있다. 또한, 축합환으로는 인덴환도 들 수 있다.The A ring forms a trivalent group having bonds to three consecutive atoms (preferably carbon) on the aryl ring or heteroaryl ring in the structure. The A ring is bonded to two O (oxygen) atoms and B (boron) atoms with these three bonds. When the A ring is bonded to an AR1 ring, an AR2 ring, an AR3 ring, an AR4 ring, an AR5 ring, a D ring or an E ring at another site as described below, or shares an aryl ring or a heteroaryl ring with the AR1 ring, an AR2 ring, an AR3 ring, an AR4 ring, an AR5 ring, a D ring or an E ring, the A ring may be a tetravalent or pentavalent group. The ring having the atom having the above-mentioned bond in the A ring as a ring constituent atom is preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring, and is more preferably a 6-membered ring. This ring may be fused with another ring. Examples of six-membered rings include a benzene ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, and a pyrimidine ring. Examples of six-membered rings fused with another ring include a naphthalene ring, a quinoline ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and a carbazole ring. Examples of five-membered rings include a furan ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, and a thiazole ring. Examples of five-membered rings fused with another ring include a benzofuran ring, a benzothiophene ring, and an indole ring. In addition, an indene ring can also be cited as a condensed ring.
A환 중의 아릴환 또는 헤테로아릴환으로는 벤젠환이 바람직하다.Among the aryl ring or heteroaryl ring in the A ring, a benzene ring is preferable.
B환 및 C환은 모두 그 구조 중의 아릴환 또는 헤테로아릴환의 환 상에서 서로 인접한 2개의 원자(바람직하게는 탄소)에 결합손을 가지는 2가의 기를 형성하고 있다. B환은 상기 2개의 결합손으로 O(산소) 및 B(붕소)에 결합되고, C환은 상기 2개의 결합손으로 O(산소) 및 B(붕소)에 결합되어 있다. B환 및 C환은 각각 또 다른 부위에서 후술하는 바와 같이 AR1환, AR2환, AR3환, AR4환, AR5환, D환 혹은 E환과 결합되어 있거나, 또는 AR1환, AR2환, AR3환, AR4환, AR5환, D환 혹은 E환과 아릴환 또는 헤테로아릴환을 공유하고 있는 경우, B환 및 C환이 각각 3가 또는 4가의 기가 되어 있어도 된다. B환 및 C환 각각에서 상기 2개의 결합손을 가지는 원자를 환 구성 원자로 하는 환은 5원환 또는 6원환인 것이 바람직하고, 6원환인 것이 보다 바람직하다. 이 환은 또 다른 환과 축합되어 있어도 된다. 6원환의 예로는 벤젠환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환 등을 들 수 있다. 6원환이 또 다른 환과 축합되어 있는 예로는 나프탈렌환, 퀴놀린환, 벤조퓨란환, 벤조티오펜환, 인돌환, 벤조셀레노펜환, 디벤조퓨란환, 디벤조티오펜환, 카바졸환, 디벤조셀레노펜환 등을 들 수 있다. 5원환의 예로는 퓨란환, 티오펜환, 피롤환, 티아졸환, 셀레노펜환 등을 들 수 있다. 5원환이 또 다른 환과 축합되어 있는 예로는 벤조퓨란환, 벤조티오펜환, 인돌환, 벤조셀레노펜환 등을 들 수 있다. 또한, 축합환으로는 인덴환도 들 수 있다.Both the B ring and the C ring form a divalent group having bonding hands at two adjacent atoms (preferably carbon) on the aryl ring or heteroaryl ring in the structure. The B ring is bonded to O (oxygen) and B (boron) by the two bonding hands, and the C ring is bonded to O (oxygen) and B (boron) by the two bonding hands. The B ring and the C ring are each bonded to an AR1 ring, an AR2 ring, an AR3 ring, an AR4 ring, an AR5 ring, a D ring or an E ring at another site as described below, or when they share an aryl ring or a heteroaryl ring with an AR1 ring, an AR2 ring, an AR3 ring, an AR4 ring, an AR5 ring, a D ring or an E ring, the B ring and the C ring may each be a trivalent or tetravalent group. In each of the B ring and the C ring, the ring having the atoms having the above two bonding hands as ring constituent atoms is preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring, and is more preferably a 6-membered ring. This ring may be fused with another ring. Examples of 6-membered rings include a benzene ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, etc. Examples of a 6-membered ring fused with another ring include a naphthalene ring, a quinoline ring, a benzofuran ring, a benzothiophene ring, an indole ring, a benzoselenophene ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, a carbazole ring, a dibenzoselenophene ring, etc. Examples of 5-membered rings include a furan ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, a thiazole ring, a selenophene ring, etc. Examples of five-membered rings fused with another ring include the benzofuran ring, benzothiophene ring, indole ring, and benzoselenophene ring. Another example of a fused ring is the indene ring.
B환, C환 중의 아릴환 또는 헤테로아릴환으로는 각각 독립적으로 벤젠환, 벤조퓨란환, 벤조티오펜환 또는 벤조셀레노펜환이 바람직하고, 벤젠환, 벤조퓨란환 또는 벤조티오펜환이 보다 바람직하다.Among the aryl ring or heteroaryl ring in the B ring and the C ring, a benzene ring, a benzofuran ring, a benzothiophene ring or a benzoselenophene ring is each independently preferable, and a benzene ring, a benzofuran ring or a benzothiophene ring is more preferable.
D환 및 E환은 모두 그 구조 중의 아릴환 또는 헤테로아릴환의 환 상에서 서로 인접한 2개의 원자(바람직하게는 탄소)에 결합손을 가지는 2가의 기를 형성하고 있다. D환은 상기 2개의 결합손으로 Xb 및 E환에 결합되고, E환은 상기 2개의 결합손으로 Xb 및 D환에 결합되어 있다. D환 및 E환이 각각 또 다른 부위에서 AR5환과 결합되어 있을 때, D환 및 E환은 각각 3가의 기가 되어 있어도 된다. 또한, D환 및 E환이 각각 또 다른 부위에서 후술하는 바와 같이 AR1환, AR2환, AR3환, AR4환, A환, B환 혹은 C환과 결합되어 있거나, 또는 AR1환, AR2환, AR3환, AR4환, A환, B환 혹은 C환과 아릴환 또는 헤테로아릴환을 공유하고 있는 경우, D환 및 E환은 각각 3가 또는 4가의 기가 되어 있어도 된다. D환 및 E환 각각에서 상기 2개의 결합손을 가지는 원자를 환 구성 원자로 하는 환은 5원환 또는 6원환인 것이 바람직하고, 6원환인 것이 보다 바람직하다. 이 환은 또 다른 환과 축합되어 있어도 된다. 6원환의 예로는 벤젠환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환 등을 들 수 있다. 6원환이 또 다른 환과 축합되어 있는 예로는 나프탈렌환, 퀴놀린환, 벤조퓨란환, 벤조티오펜환, 인돌환, 벤조셀레노펜환, 디벤조퓨란환, 디벤조티오펜환, 카바졸환, 디벤조셀레노펜환 등을 들 수 있다. 5원환의 예로는 퓨란환, 티오펜환, 피롤환, 티아졸환, 셀레노펜환 등을 들 수 있다. 5원환이 또 다른 환과 축합되어 있는 예로는 벤조퓨란환, 벤조티오펜환, 인돌환, 벤조셀레노펜환 등을 들 수 있다.Both the D ring and the E ring form a divalent group having bonding hands at two adjacent atoms (preferably carbon) on the aryl ring or heteroaryl ring in their structure. The D ring is bonded to X b and the E ring with the two bonding hands, and the E ring is bonded to X b and the D ring with the two bonding hands. When the D ring and the E ring are each bonded to the AR5 ring at different sites, the D ring and the E ring may each become a trivalent group. In addition, when the D ring and the E ring are each bonded to an AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring, AR4 ring, A ring, B ring or C ring at different sites as described below, or when they share an aryl ring or heteroaryl ring with an AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring, AR4 ring, A ring, B ring or C ring, the D ring and the E ring may each become a trivalent or tetravalent group. In each of the D ring and the E ring, the ring having the atoms having the above two bonding hands as ring constituent atoms is preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring, and is more preferably a 6-membered ring. This ring may be fused with another ring. Examples of 6-membered rings include a benzene ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, etc. Examples of a 6-membered ring fused with another ring include a naphthalene ring, a quinoline ring, a benzofuran ring, a benzothiophene ring, an indole ring, a benzoselenophene ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, a carbazole ring, a dibenzoselenophene ring, etc. Examples of 5-membered rings include a furan ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, a thiazole ring, a selenophene ring, etc. Examples of five-membered rings fused with another ring include the benzofuran ring, benzothiophene ring, indole ring, and benzoselenophene ring.
D환, E환 중의 아릴환 또는 헤테로아릴환으로는 각각 독립적으로 벤젠환 또는 피리딘환이 바람직하며, 벤젠환이 보다 바람직하다.Among the aryl ring or heteroaryl ring in the D ring and E ring, a benzene ring or a pyridine ring is independently preferred, and a benzene ring is more preferred.
AR1환, AR2환, AR3환, AR4환 및 AR5환은 모두 그 구조 중의 아릴환 또는 헤테로아릴환의 환 상의 1개의 원자(바람직하게는 탄소)에 결합손을 가지는 1가의 기를 형성하고 있다. AR1환, AR2환, AR3환, AR4환은 각각 1개의 결합손으로 Xa에 결합되어 있다. AR5환은 1개의 결합손으로 질소에 결합되어 있는 AR1환, AR2환, AR3환, AR4환이 후술하는 바와 같이 각각 다른 AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환 중 어느 하나와 단일 결합 또는 연결기로 연결되어 있는 경우, 그 환은 2가의 기가 되어 있어도 된다. 또한, AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환 중 후술하는 바와 같이 이하의 (1) 또는 (2) 중 어느 하나의 환은 2가, 3가 또는 4가의 기가 된다.The AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring, AR4 ring and AR5 ring all form a monovalent group having a bonding hand to one atom (preferably carbon) on the aryl ring or heteroaryl ring in the structure. The AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 ring are each bonded to X a by one bonding hand. The AR5 ring may be a divalent group when the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 ring, each of which is bonded to nitrogen by one bonding hand, is connected to any one of the other AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 rings by a single bond or a connecting group as described below. In addition, among the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 ring, any one of the following (1) or (2) is a divalent, trivalent or tetravalent group as described below.
(1) 단일 결합 또는 연결기를 통해 A환, B환, C환, D환, E환 또는 AR5환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 결합되어 있다;(1) It is bonded to a ring constituent atom of an aryl ring or heteroaryl ring among the A ring, B ring, C ring, D ring, E ring or AR5 ring through a single bond or linking group;
(2) A환, B환, C환, D환, E환 또는 AR5환과 환을 공유하고 있다.(2) Sharing a ring with the A ring, B ring, C ring, D ring, E ring or AR5 ring.
AR5환이 또 다른 부위에서 D환 또는 E환과 결합되어 있는 경우, AR5환은 2가 또는 3가의 기가 되어 있어도 된다. 또한, AR5환이 후술하는 바와 같이 AR1환, AR2환, AR3환, AR4환, A환, B환 혹은 C환과 결합되어 있거나, 또는 AR1환, AR2환, AR3환, AR4환, A환, B환 혹은 C환과 아릴환 또는 헤테로아릴환을 공유하고 있는 경우, AR5환은 2가, 3가 또는 4가의 기가 되어 있어도 된다.When the AR5 ring is bonded to the D ring or the E ring at another site, the AR5 ring may be a divalent or trivalent group. In addition, when the AR5 ring is bonded to the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring, AR4 ring, A ring, B ring or C ring as described below, or shares an aryl ring or heteroaryl ring with the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring, AR4 ring, A ring, B ring or C ring, the AR5 ring may be a divalent, trivalent or tetravalent group.
AR1환, AR2환, AR3환, AR4환, AR5환 각각에서 상기 결합손을 가지는 원자를 환 구성 원자로 하는 환은 5원환 또는 6원환인 것이 바람직하고, 6원환인 것이 보다 바람직하다. 이 환은 또 다른 환과 축합되어 있어도 된다. 6원환의 예로는 벤젠환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환 등을 들 수 있다. 6원환이 또 다른 환과 축합되어 있는 예로는 나프탈렌환, 퀴놀린환, 벤조퓨란환, 벤조티오펜환, 인돌환, 벤조셀레노펜환, 디벤조퓨란환, 디벤조티오펜환, 카바졸환, 디벤조셀레노펜환 등을 들 수 있다. 5원환의 예로는 퓨란환, 티오펜환, 피롤환, 티아졸환, 셀레노펜환 등을 들 수 있다. 5원환이 또 다른 환과 축합되어 있는 예로는 벤조퓨란환, 벤조티오펜환, 인돌환, 벤조셀레노펜환 등을 들 수 있다.In each of the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring, AR4 ring, and AR5 ring, the ring having the atom having the above-mentioned bond as a ring constituent atom is preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring, and is more preferably a 6-membered ring. This ring may be fused with another ring. Examples of 6-membered rings include a benzene ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, and a pyrimidine ring. Examples of a 6-membered ring fused with another ring include a naphthalene ring, a quinoline ring, a benzofuran ring, a benzothiophene ring, an indole ring, a benzoselenophene ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, a carbazole ring, and a dibenzoselenophene ring. Examples of 5-membered rings include a furan ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, a thiazole ring, and a selenophene ring. Examples of five-membered rings fused with another ring include the benzofuran ring, benzothiophene ring, indole ring, and benzoselenophene ring.
AR1환, AR2환, AR3환, AR4환의 각 환 중의 아릴환 또는 헤테로아릴환으로는 각각 독립적으로 벤젠환, 벤조퓨란환, 벤조티오펜환 또는 벤조셀레노펜환이 바람직하고, 벤젠환이 보다 바람직하다. AR5환 중의 아릴환 또는 헤테로아릴환으로는 각각 독립적으로 벤젠환, 벤조퓨란환, 벤조티오펜환 또는 벤조셀레노펜환이 바람직하고, 벤젠환이 보다 바람직하다.Among the aryl ring or heteroaryl ring in each of the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 ring, a benzene ring, a benzofuran ring, a benzothiophene ring or a benzoselenophene ring is each independently preferable, and a benzene ring is more preferable. Among the aryl ring or heteroaryl ring in the AR5 ring, a benzene ring, a benzofuran ring, a benzothiophene ring or a benzoselenophene ring is each independently preferable, and a benzene ring is more preferable.
<부분 구조 및 전체 구조 설명><Description of Partial Structure and Overall Structure>
식(X-a-1)로 표시되는 부분 구조는 본 발명의 다환 방향족 화합물에 1개 이상 포함되고, 1개가 포함되는 것이 바람직하다.At least one partial structure represented by formula (X-a-1) is included in the polycyclic aromatic compound of the present invention, and it is preferable that one is included.
식(X-a-1) 중 Xa는 C, Si, Ge 또는 Sn이고, Xa는 C 또는 Si가 바람직하고, Si가 보다 바람직하다.In formula (Xa-1), X a is C, Si, Ge or Sn, and X a is preferably C or Si, and Si is more preferable.
식(X-a-1) 중의 AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환은 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환이고, AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환은 각각 다른 AR1환, AR2환, AR3환 또는 AR4환과 단일 결합 또는 연결기로 연결되어 있어도 된다. 여기서, 연결되어 있다고 할 때, Xa를 통한 연결 이외에 추가적인 단일 결합 또는 연결기로의 연결이 있다는 것을 의미한다. 이러한 연결이 있는 경우, AR1환, AR2환, AR3환 또는 AR4환 중 AR1환 및 AR2환이 연결되어 있거나, 또는 AR1환 및 AR2환, 및 AR3환 및 AR4환이 각각 연결되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 단일 결합, >O 또는 >S로 연결되어 있는 것이 바람직하고, 단일 결합으로 연결되어 있는 것이 보다 바람직하다.In formula (Xa-1), the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 ring are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring, and the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 ring may be connected to another AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring or AR4 ring by a single bond or a connecting group. Here, when it is said to be connected, it means that there is a connection by an additional single bond or connecting group in addition to the connection via X a . In the case where such a connection exists, it is preferable that among the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring or AR4 ring, the AR1 ring and the AR2 ring are connected, or the AR1 ring and the AR2 ring, and the AR3 ring and the AR4 ring are each connected. In this case, it is preferable that they are connected by a single bond, >O or >S, and it is more preferable that they are connected by a single bond.
더 높은 양자 효율과 장수명 소자 제조의 관점에서 Xa가 Si일 때, AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환 중 2개 이상이 서로 연결되어 있는 것이 보다 바람직하다. 특히 단일 결합으로 연결되어 있는 것이 바람직하다. Xa가 C일 때, AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환 중 어느 2개도 서로 연결되어 있지 않은 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of manufacturing higher quantum efficiency and long-life devices, when X a is Si, it is more preferable that two or more of the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring, and AR4 ring are connected to each other. In particular, it is preferable that they are connected by a single bond. When X a is C, it is more preferable that no two of the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring, and AR4 ring are connected to each other.
식(X-b-1)로 표시되는 부분 구조는 본 발명의 다환 방향족 화합물에 1개 이상 포함되고, 1개가 포함되는 것이 바람직하다.At least one partial structure represented by formula (X-b-1) is included in the polycyclic aromatic compound of the present invention, and it is preferable that one is included.
식(X-b-1) 중 Xb는 식(Xb-R5)로 표시되는 2가의 기, >O 또는 >S이다.In formula (Xb-1), X b is a divalent group represented by formula (Xb-R5), >O or >S.
식(Xb-R5) 중 2개의 #는 각각 D환 및 E환과의 결합 위치이다.In the formula (Xb-R5), two #s represent bonding positions with the D ring and the E ring, respectively.
높은 캐리어 수송 및 양호한 캐리어 균형의 관점에서 Xb는 식(Xb-R5)로 표시되는 2가의 기인 것이 바람직하다. 즉, 식(X-b-1)은 이하의 식(X-b-1-R5)인 것이 바람직하다.From the viewpoint of high carrier transport and good carrier balance, it is desirable that X b be a divalent group represented by the formula (Xb-R5). That is, it is desirable that the formula (Xb-1) is the following formula (Xb-1-R5).
AR5환은 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환이고, AR5환은 D환 및/또는 E환과 단일 결합 또는 연결기에 의해 연결되어 있어도 된다. 연결기로는 구체적으로 >O, >N-Rde, >C(-Rde)2, >Si(-Rde)2, >S, >CO, >CS, >SO, >SO2 및 >Se를 들 수 있다. Rde는 각각 독립적으로 알킬, 시클로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이고, 이들은 알킬, 시클로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴로 치환되어 있어도 된다. 또한, >C(-Rde)2 및 >Si(-Rde)2 각각에서 2개의 Rde는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. AR5환이 D환 및/또는 E환과 단일 결합 또는 연결기에 의해 연결되어 있을 때, 단일 결합, >O, >C(-Me)2, >C(-Ph)2, >S 또는 >Se로 연결되어 있는 것이 바람직하다. 또한, >C(-Ph)2에서 2개의 Ph는 서로 단일 결합으로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.The AR5 ring is a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring, and the AR5 ring may be connected to the D ring and/or the E ring via a single bond or a linking group. Specific examples of the linking group include >O, >NR de , >C(-R de ) 2 , >Si(-R de ) 2 , >S, >CO, >CS, >SO, >SO 2 and >Se. Each R de is independently alkyl, cycloalkyl, aryl or heteroaryl, and these may be substituted with alkyl, cycloalkyl, aryl or heteroaryl. In addition, in each of >C(-R de ) 2 and >Si(-R de ) 2 , two R de may be connected to each other to form a ring. When the AR5 ring is connected to the D ring and/or the E ring by a single bond or a connecting group, it is preferable that it is connected by a single bond, >O, >C(-Me) 2 , >C(-Ph) 2 , >S or >Se. Additionally, in >C(-Ph) 2 , two Ph's may be connected to each other by a single bond to form a ring.
식(X-a-1)로 표시되는 부분 구조 및 식(X-b-1)로 표시되는 부분 구조는 각각 식(1) 중의 A환, B환 혹은 C환 및 다른 쪽의 부분 구조와 결합 또는 환의 공유에 의해 연결됨으로써, 식(1)로 표시되는 다환 방향족 화합물의 부분 구조를 구성한다.The partial structure represented by formula (X-a-1) and the partial structure represented by formula (X-b-1) are each connected by bonding or ring sharing with the A ring, B ring or C ring in formula (1) and the other partial structure, thereby forming the partial structure of the polycyclic aromatic compound represented by formula (1).
구체적으로는, 식(X-a-1)에서 AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 또는 2개는:Specifically, in formula (X-a-1), one or two selected from the group consisting of AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 ring are:
단일 결합을 통해 A환, B환 혹은 C환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 결합되어 있거나;Is bonded to a ring constituent atom of an aryl ring or heteroaryl ring in the A ring, B ring or C ring through a single bond;
A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있거나, 혹은 A환, B환 혹은 C환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-b-1)에서의 D환, E환 혹은 AR5환의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 단일 결합을 통해 결합되어 있거나;Or is bonded to an aryl ring or heteroaryl ring of the D ring, E ring or AR5 ring in formula (X-b-1) which is bonded to ring A, ring B or ring C, or shares one ring with ring A, ring B or ring C, through a single bond;
A환, B환 혹은 C환과 환을 공유하고 있거나; 또는Sharing a ring with Ring A, Ring B or Ring C; or
A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있거나, 혹은 A환, B환 혹은 C환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-b-1) 중의 D환, E환 혹은 AR5환과 환을 공유하고 있다.It shares a ring with the D ring, E ring or AR5 ring among the formulas (X-b-1) which is bound to the A ring, B ring or C ring, or shares a ring with the A ring, B ring or C ring.
또한, 식(X-b-1)에서의 D환, E환 및 AR5환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 또는 2개는:In addition, one or two selected from the group consisting of D ring, E ring and AR5 ring in formula (X-b-1) are:
단일 결합을 통해 A환, B환 혹은 C환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 결합되어 있거나;Is bonded to a ring constituent atom of an aryl ring or heteroaryl ring in the A ring, B ring or C ring through a single bond;
A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있거나, 혹은 A환, B환 혹은 C환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-a-1)에서의 AR1환, AR2환, AR3환 혹은 AR4환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 단일 결합을 통해 결합되어 있거나;Or is bonded to an aryl ring or heteroaryl ring among the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring or AR4 ring in formula (X-a-1) which is bonded to ring A, ring B or ring C, or shares one ring with ring A, ring B or ring C, through a single bond;
A환, B환 혹은 C환과 환을 공유하고 있거나; 또는Sharing a ring with Ring A, Ring B or Ring C; or
A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있거나, 혹은 A환, B환 혹은 C환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-a-1) 중의 AR1환, AR2환, AR3환 혹은 AR4환과 환을 공유하고 있다.It shares a ring with an AR1 ring, an AR2 ring, an AR3 ring or an AR4 ring among formula (X-a-1) which is bound to an A ring, a B ring or a C ring, or shares a ring with an A ring, a B ring or a C ring.
AR1환, AR2환, AR3환 또는 AR4환이 단일 결합 혹은 식(X-b-1)로 표시되는 부분 구조를 통해 A환, B환 혹은 C환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 결합할 때, 당해 환(AR1환, AR2환, AR3환 또는 AR4환) 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에서 결합되어 있는 것이 바람직하다.When an AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring or AR4 ring is bonded to an aryl ring or heteroaryl ring ring atom in ring A, ring B or ring C through a single bond or a partial structure represented by formula (X-b-1), it is preferable that it is bonded to a ring constituent atom of an aryl ring or heteroaryl ring in the ring (AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring or AR4 ring).
D환, E환 또는 AR5환이 단일 결합 혹은 식(X-a-1)로 표시되는 부분 구조를 통해 A환, B환 혹은 C환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 결합할 때, 당해 환(D환, E환 또는 AR5환) 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에서 결합되어 있는 것이 바람직하다.When the D ring, E ring or AR5 ring is bonded to an aryl ring or heteroaryl ring ring atom in the A ring, B ring or C ring through a single bond or a partial structure represented by the formula (X-a-1), it is preferable that it is bonded to a ring constituent atom of the aryl ring or heteroaryl ring in the ring (D ring, E ring or AR5 ring).
식(X-a-1)로 표시되는 부분 구조를 1개, 식(X-b-1)로 표시되는 부분 구조를 1개 포함하는 식(1)로 표시되는 다환 방향족 화합물로서, 식(X-a-1) 중의 상기 어느 하나의 환 및 식(X-b-1) 중의 상기 어느 하나의 환이 단일 결합을 통해 다른 환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 결합되어 있는 구조의 예를 이하에 나타낸다.A polycyclic aromatic compound represented by formula (1) which includes one partial structure represented by formula (X-a-1) and one partial structure represented by formula (X-b-1), wherein one of the rings in formula (X-a-1) and one of the rings in formula (X-b-1) are bonded to a ring constituent atom of an aryl ring or heteroaryl ring in another ring via a single bond, the following are examples of structures.
상기와 같이, 예를 들어 B환과 AR1환이 단일 결합으로 결합하고, 또한 C환과 D환이 단일 결합으로 결합한 구조를 B-AR1C-D, B환과 D환이 단일 결합으로 결합하고, 또한 AR5환과 AR1환이 단일 결합으로 결합한 구조를 B-DAR5-AR1로 나타낸다.As described above, for example, a structure in which ring B and ring AR1 are bonded by a single bond, and ring C and ring D are bonded by a single bond is represented as B-AR1C-D, and a structure in which ring B and ring D are bonded by a single bond, and ring AR5 and ring AR1 are bonded by a single bond is represented as B-DAR5-AR1.
이 표기에 따라 나타내면, 각 부분 구조가 단일 결합 A환, B환 혹은 C환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환 또는 다른 쪽 부분 구조 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 결합되어 있는 구조의 기타 예로는 이하의 각 구조를 들 수 있다.According to this notation, other examples of structures in which each partial structure is bonded to an aryl ring or heteroaryl ring in a single-bonded A ring, B ring or C ring, or an aryl ring or heteroaryl ring in another partial structure, include the structures below.
A-AR1B-DA-AR1B-D
A-AR1B-AR5A-AR1B-AR5
A-DB-AR1A-DB-AR1
A-AR5B-AR1A-AR5B-AR1
B-AR1C-AR5B-AR1C-AR5
A-AR1AR2-DA-AR1AR2-D
A-AR1AR3-DA-AR1AR3-D
A-AR1AR2-AR5A-AR1AR2-AR5
A-AR1AR3-AR5A-AR1AR3-AR5
A-DE-AR1A-DE-AR1
A-DAR5-AR1A-DAR5-AR1
A-AR5D-AR1A-AR5D-AR1
B-AR1AR2-DB-AR1AR2-D
B-AR1AR3-DB-AR1AR3-D
B-AR1AR2-AR5B-AR1AR2-AR5
B-AR1AR3-AR5B-AR1AR3-AR5
B-DE-AR1B-DE-AR1
B-AR5D-AR1B-AR5D-AR1
식(X-a-1), 식(X-b-1)로 표시되는 각 부분 구조가 단일 결합을 통해 다른 환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 결합할 때, 공액계가 교차 공액이 되는 치환 위치가 바람직하다.When each partial structure represented by formula (X-a-1) and formula (X-b-1) is bonded to a ring constituent atom of an aryl ring or heteroaryl ring in another ring through a single bond, the substitution position at which the conjugated system becomes cross-conjugated is preferable.
본 명세서에서 A환, B환, C환, AR1환, AR2환, AR3환, AR4환, AR5환, D환, E환에 대해 환을 공유하고 있다고 할 때, 대상이 되는 환이 일체화되어 있는 것을 의미한다.In this specification, when it is said that rings A, B, C, AR1, AR2, AR3, AR4, AR5, D, and E are shared, it means that the target rings are unified.
이러한 구조의 예로서, 식(X-a-1)로 표시되는 부분 구조를 1개, 식(X-b-1)로 표시되는 부분 구조를 1개 포함하는 식(1)로 표시되는 다환 방향족 화합물의 구조의 예를 이하에 나타낸다.As an example of such a structure, an example of the structure of a polycyclic aromatic compound represented by formula (1) including one partial structure represented by formula (X-a-1) and one partial structure represented by formula (X-b-1) is shown below.
예를 들어 이하의 식(AAR5DAR1)로 표시되는 구조는 A환과 AR5환이 환을 공유하고 있는 동시에 AR1환과 D환이 환을 공유하고 있는 구조이다.For example, the structure represented by the following formula (AAR5DAR1) is a structure in which the A ring and the AR5 ring share a ring, and the AR1 ring and the D ring share a ring.
마찬가지로, 예를 들어 이하의 식(AAR1CAR5)로 표시되는 구조는 A환과 AR1환이 환을 공유하고 있는 동시에 AR5환과 C환이 환을 공유하고 있는 구조를 나타낸다.Similarly, for example, the structure represented by the following formula (AAR1CAR5) represents a structure in which the A ring and the AR1 ring share a ring, while the AR5 ring and the C ring share a ring.
마찬가지로, 예를 들어 이하의 식(AAR1AR3AR5)로 표시되는 구조는 A환과 AR1환이 환을 공유하고 있는 동시에 AR5환과 AR3환이 환을 공유하고 있는 구조를 나타낸다.Similarly, for example, the structure represented by the following formula (AAR1AR3AR5) represents a structure in which the A ring and the AR1 ring share a ring, and the AR5 ring and the AR3 ring share a ring.
상기와 같이, 예를 들어 (AAR5DAR1)로 표시되는 구조는 A환과 AR5환이 환을 공유하고 있는 동시에 D환과 AR1환이 환을 공유하고 있는 구조를 나타낸다.As above, for example, a structure represented as (AAR5DAR1) represents a structure in which the A ring and the AR5 ring share a ring, while the D ring and the AR1 ring share a ring.
이 표기에 따라 각 부분 구조가 환을 공유함으로써 결합하고 있는 구조의 예로는, 상기 3개의 예에 더하여 이하의 각 구조를 들 수 있다.As examples of structures in which each substructure is joined by sharing a ring according to this notation, in addition to the three examples above, the structures below can be cited.
AAR1BDAAR1BD
AAR1BAR5AAR1BAR5
ADBAR1ADBAR1
AAR5BAR1AAR5BAR1
BAR1CDBAR1CD
AAR1AR2DAAR1AR2D
AAR1AR3DAAR1AR3D
AAR1AR2AR5AAR1AR2AR5
ADEAR1ADEAR1
ADAR5AR1ADAR5AR1
BAR1AR2DBAR1AR2D
BAR1AR3DBAR1AR3D
BAR1AR2AR5BAR1AR2AR5
BAR1AR3AR5BAR1AR3AR5
BDEAR1BDEAR1
BDAR5AR1BDAR5AR1
BAR5DAR1BAR5DAR1
본 발명의 다환 방향족 화합물은 단일 결합 등을 통해 결합하는 부분 구조와 환을 공유하고 있는 부분 구조를 포함하고 있어도 된다. 이러한 구조의 예로서, 식(X-a-1)로 표시되는 부분 구조를 1개, 식(X-b-1)로 표시되는 부분 구조를 1개 포함하는 식(1)로 표시되는 다환 방향족 화합물의 구조의 예를 이하에 나타낸다.The polycyclic aromatic compound of the present invention may include a partial structure that shares a ring and a partial structure that is bonded through a single bond or the like. As an example of such a structure, an example of the structure of a polycyclic aromatic compound represented by formula (1) that includes one partial structure represented by formula (X-a-1) and one partial structure represented by formula (X-b-1) is shown below.
예를 들어 이하의 식(B-AR1CD)로 표시되는 구조에서는 (X-b-1) 중 D환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환이 단일 결합을 통해 C환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 결합하고 있는 동시에 B환과 AR1환이 환을 공유하고 있다.For example, in the structure represented by the following formula (B-AR1CD), the aryl ring or heteroaryl ring in the D ring in (X-b-1) is bonded to a ring constituent atom of the aryl ring or heteroaryl ring in the C ring through a single bond, and the B ring and the AR1 ring share the ring.
상기 표기에 따라 기타 구조의 예로는 이하의 각 구조를 들 수 있다.As examples of other structures according to the above notation, the following structures can be cited.
A-AR1BDA-AR1BD
A-AR1BAR5A-AR1BAR5
A-DBAR1A-DBAR1
A-AR5BAR1A-AR5BAR1
B-AR1CAR5B-AR1CAR5
A-AR1AR2DA-AR1AR2D
A-AR1AR3DA-AR1AR3D
A-AR1AR2AR5A-AR1AR2AR5
A-AR1AR3AR5A-AR1AR3AR5
A-DEAR1A-DEAR1
A-DAR5AR1A-DAR5AR1
A-AR5DAR1A-AR5DAR1
B-AR1AR2DB-AR1AR2D
B-AR1AR3DB-AR1AR3D
B-AR1AR2AR5B-AR1AR2AR5
B-AR1AR3AR5B-AR1AR3AR5
B-DEAR1B-DEAR1
B-DAR5AR1B-DAR5AR1
B-AR5DAR1B-AR5DAR1
AAR1B-DAAR1B-D
AAR1B-AR5AAR1B-AR5
ADB-AR1ADB-AR1
AAR5B-AR1AAR5B-AR1
BAR1C-DBAR1C-D
BAR1C-AR5BAR1C-AR5
AAR1AR2-DAAR1AR2-D
AAR1AR3-DAAR1AR3-D
AAR1AR2-AR5AAR1AR2-AR5
AAR1AR3-AR5AAR1AR3-AR5
ADE-AR1ADE-AR1
ADAR5-AR1ADAR5-AR1
AAR5D-AR1AAR5D-AR1
BAR1AR2-DBAR1AR2-D
BAR1AR3-DBAR1AR3-D
BAR1AR2-AR5BAR1AR2-AR5
BAR1AR3-AR5BAR1AR3-AR5
BDE-AR1BDE-AR1
BDAR5-AR1BDAR5-AR1
BAR5D-AR1BAR5D-AR1
높은 T1 에너지의 관점에서 (X-b-1) 구조에서의 D환, E환 또는 AR5환이 식(X-a-1)(A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있거나, A환, B환 혹은 C환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-a-1))에 결합되어 있거나, 어느 하나의 환을 공유하고 있는 구조를 가지는 화합물이 바람직하다. 또한, 아릴 또는 헤테로아릴을 연결하는 2개의 sp2 탄소-sp2 탄소 결합이 o위치 또는 m위치인 화합물이 높은 T1을 가지기 때문에, 및 장수명과 고효율이기 때문에 바람직하다.In terms of high T1 energy, compounds having a structure in which the D ring, E ring or AR5 ring in the (X-b-1) structure is bonded to the A ring, B ring or C ring, or shares one ring with the A ring, B ring or C ring (X-a-1)) or shares one ring are preferred. In addition, compounds in which two sp2 carbon-sp2 carbon bonds connecting aryl or heteroaryl are at the o-position or the m-position have high T1 and are therefore preferred because they have a long life and high efficiency.
또한, 높은 TADF성 및 고효율의 관점에서 (X-b-1) 중의 Xb가 식(Xb-R5)로 표시되는 2가의 기로서, AR5환이 A환, B환 또는 C환과 환을 공유하고 있는 것이 바람직하고, AR5환이 B환 또는 C환과 환을 공유하고 있는 것이 보다 바람직하다.In addition, from the viewpoint of high TADF properties and high efficiency, it is preferable that X b in (Xb-1) is a divalent group represented by the formula (Xb-R5), in which the AR5 ring shares a ring with the A ring, the B ring or the C ring, and it is more preferable that the AR5 ring shares a ring with the B ring or the C ring.
<각 환에서의 치환기 설명><Description of substituents in each ring>
A환, B환 및 C환에 대해 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환에 있어서 "치환 혹은 무치환된(치환 또는 무치환된)"이라고 할 때의 치환기로는 식(X-a-1), 식(X-b-1) 또는 식(X-a-1) 및 식(X-b-1)에서 형성되는 치환기를 들 수 있다. 기타 치환기로는 치환기군 Zα로부터 선택되는 1개 이상의 치환기(식(X-a-1), 식(X-b-1) 또는 식(X-a-1) 및 식(X-b-1)에서 형성되는 치환기를 제외함)를 들 수 있다. 기타 치환기로는 페닐, 메틸, t-부틸 또는 시아노가 바람직하다. 전하 수송 기능 향상의 관점에서 A환, B환 및 C환 중 식(X-a-1), 식(X-b-1) 또는 식(X-a-1) 및 식(X-b-1)에서 형성되는 치환기를 가지고 있는 아릴환 또는 헤테로아릴환 이외에는 기타 치환기를 1개 가지고 있거나, 또는 무치환인 것이 바람직하고, 무치환인 것이 보다 바람직하다. 전하 수송 기능 향상의 관점에서 식(X-a-1), 식(X-b-1) 또는 식(X-a-1) 및 식(X-b-1)에서 형성되는 치환기를 가지고 있는 환은 그 이외의 치환기를 가지고 있지 않은 것이 보다 바람직하다.When the term "substituted or unsubstituted (substituted or unsubstituted)" is used in a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring for the A ring, B ring and C ring, the substituent may include a substituent formed by Formula (X-a-1), Formula (X-b-1) or Formula (X-a-1) and Formula (X-b-1). Other substituents may include one or more substituents selected from the substituent group Zα (excluding the substituents formed by Formula (X-a-1), Formula (X-b-1) or Formula (X-a-1) and Formula (X-b-1)). The other substituents are preferably phenyl, methyl, t-butyl or cyano. From the viewpoint of improving the charge transport function, among the A ring, B ring and C ring, it is preferable that the aryl ring or heteroaryl ring having a substituent formed by formula (X-a-1), formula (X-b-1) or formula (X-a-1) and formula (X-b-1) has one other substituent or is unsubstituted, and is more preferably unsubstituted. From the viewpoint of improving the charge transport function, it is more preferable that the ring having a substituent formed by formula (X-a-1), formula (X-b-1) or formula (X-a-1) and formula (X-b-1) does not have any other substituent.
D환, E환, AR1환, AR2환, AR3환, AR4환 및 AR5환에 대해 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환의 "치환 혹은 무치환된(치환 또는 무치환된)"이라고 할 때의 치환기로는 치환기군 Zα로부터 선택되는 1개 이상의 치환기를 들 수 있다. 치환기로는 페닐, 메틸, t-부틸 또는 시아노가 바람직하다. 전하 수송 기능 향상의 관점에서 A환, B환, C환, D환, E환, AR1환, AR2환, AR3환, AR4환 또는 AR5환에서의 각 방향환은 무치환이거나, 또는 치환기는 1개인 것이 바람직하고, 무치환인 것이 보다 바람직하다.When the term "substituted or unsubstituted (substituted or unsubstituted)" of a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring for a D ring, an E ring, an AR1 ring, an AR2 ring, an AR3 ring, an AR4 ring and an AR5 ring is used, the substituent may include one or more substituents selected from the substituent group Zα. The substituent is preferably phenyl, methyl, t-butyl or cyano. From the viewpoint of improving the charge transport function, it is preferable that each aromatic ring in the A ring, B ring, C ring, D ring, E ring, AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring, AR4 ring or AR5 ring is unsubstituted or has one substituent, and it is more preferable that it is unsubstituted.
<바람직한 부분 구조><Desirable Part Structure>
본 발명의 다환 방향족 화합물은 높은 캐리어 수송 및 양호한 캐리어 균형의 관점에서는 카바졸 구조를 가지는 것이 바람직하고, 카바졸 구조를 가지는 화합물은 홀 수송층, 전자 블록층, 호스트의 재료로 바람직하게 이용할 수 있다. 카바졸 구조에 더하여 피리딘 구조 또는 트리아딘 구조를 가지는 화합물은 호스트 재료로 이용하는 것이 바람직하다.The polycyclic aromatic compound of the present invention preferably has a carbazole structure from the viewpoints of high carrier transport and good carrier balance, and a compound having a carbazole structure can be preferably used as a material for a hole transport layer, an electron blocking layer, and a host. In addition to a carbazole structure, a compound having a pyridine structure or a triadine structure is preferably used as a host material.
피리딘 또는 트리아딘을 가지는 본 발명의 화합물은 전자 수송성 호스트, 홀 블록층, 전자 수송층으로 바람직하게 이용할 수 있다.The compound of the present invention having pyridine or triadine can be preferably used as an electron transport host, a hole blocking layer, or an electron transport layer.
<식(1a), 식(1b) 또는 식(1c)로 표시되는 다환 방향족 화합물><Polycyclic aromatic compound represented by formula (1a), formula (1b), or formula (1c)>
식(1)로 표시되는 다환 방향족 화합물은 식(1a), 식(1b) 또는 식(1c)로 표시되는 다환 방향족 화합물인 것이 바람직하고, 이때 식(X-a-1)은 식(X-a-2)로 표시되는 것이 바람직하고, 식(X-b-1)은 식(X-b-2)로 표시되는 것이 바람직하다.The polycyclic aromatic compound represented by formula (1) is preferably a polycyclic aromatic compound represented by formula (1a), formula (1b) or formula (1c), and in this case, formula (X-a-1) is preferably represented by formula (X-a-2), and formula (X-b-1) is preferably represented by formula (X-b-2).
식(X-a-2)로 표시되는 부분 구조 및 식(X-b-2)로 표시되는 부분 구조는 각각 단일 결합을 통해 식(1a), 식(1b) 또는 식(1c) 중 a환, b환 혹은 c환 중의 Z(Z 중의 환 구성 원자, 예를 들어 탄소 원자)에 결합되어 있거나, a환, b환 혹은 c환 중의 Z에 결합되어 있는 다른 쪽은 부분 구조에서의 Z(Z 중의 환 구성 원자, 예를 들어 탄소 원자)에 결합되어 있거나, a환, b환 혹은 c환과 환을 공유하고 있거나, 또는 a환, b환 혹은 c환에 결합되어 있거나, 혹은 a환, b환 혹은 c환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 다른 쪽의 부분 구조와 환을 공유함으로써, 식(1a), 식(1b) 또는 식(1c)로 표시되는 다환 방향족 화합물의 부분 구조를 구성한다.The partial structure represented by the formula (X-a-2) and the partial structure represented by the formula (X-b-2) are each bonded to Z (a ring constituent atom in Z, for example, a carbon atom) in the a ring, the b ring or the c ring in the formula (1a), the formula (1b) or the formula (1c) via a single bond, or the other side bonded to Z in the a ring, the b ring or the c ring is bonded to Z (a ring constituent atom in Z, for example, a carbon atom) in the partial structure, or shares a ring with the a ring, the b ring or the c ring, or shares a ring with the other partial structure bonded to the a ring, the b ring or the c ring, or shares one ring with the a ring, the b ring or the c ring, thereby forming a partial structure of a polycyclic aromatic compound represented by the formula (1a), the formula (1b) or the formula (1c).
구체적으로는, 식(X-a-2) 중 Ar1환, Ar2환, Ar3환 및 Ar4환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 또는 2개는 단일 결합을 통해 a환, b환 혹은 c환 중의 Z에 결합되어 있거나, a환, b환 혹은 c환 중의 Z에 결합되어 있는 식(X-b-2)로 표시되는 부분 구조에서의 d환, e환 혹은 AR5환과 결합되어 있거나, a환, b환 혹은 c환과 환을 공유하고 있거나, 또는 a환, b환 혹은 c환에 결합되어 있거나, 혹은 a환, b환 혹은 c환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-b-2) 중의 d환, e환 혹은 AR5환과 환을 공유하고 있다. 또한, 식(X-b-2) 중 d환, e환 및 AR5환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 또는 2개는 단일 결합을 통해 a환, b환 혹은 c환 중의 Z에 결합되어 있거나, a환, b환 혹은 c환 중의 Z에 결합되어 있는 식(X-a-2)로 표시되는 부분 구조에서의 Ar1환, Ar2환, Ar3환 혹은 Ar4환 중의 Z에 결합되어 있거나, a환, b환 혹은 c환과 환을 공유하고 있거나, 또는 a환, b환 혹은 c환에 결합되어 있거나, 혹은 a환, b환 혹은 c환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-a-2) 중의 Ar1환, Ar2환, Ar3환 혹은 Ar4환과 환을 공유하고 있다. 이러한 구조에 대해서는 상술한 식(X-a-1)로 표시되는 부분 구조 및 식(X-b-1)로 표시되는 부분 구조가 어떻게 식(1)로 표시되는 다환 방향족 화합물의 부분 구조가 되어 있는지에 대한 설명을 참조할 수 있다.Specifically, one or two selected from the group consisting of an Ar 1 ring, an Ar 2 ring, an Ar 3 ring and an Ar 4 ring in the formula (Xa-2) are bonded to Z in the a ring, the b ring or the c ring via a single bond, or are bonded to a d ring, an e ring or an AR5 ring in the partial structure represented by the formula (Xb-2) which is bonded to Z in the a ring, the b ring or the c ring, or share a ring with the a ring, the b ring or the c ring, or are bonded to the a ring, the b ring or the c ring, or share a ring with the d ring, the e ring or the AR5 ring in the formula (Xb-2) which shares any one of the rings with the a ring, the b ring or the c ring. In addition, one or two selected from the group consisting of a d ring, an e ring and an AR5 ring in the formula (Xb-2) are bonded to Z in the a ring, the b ring or the c ring via a single bond, or are bonded to Z in the a ring, the b ring or the c ring in the partial structure represented by the formula (Xa-2), or are bonded to Z in the Ar 1 ring, the Ar 2 ring, the Ar 3 ring or the Ar 4 ring, or are bonded to the a ring, the b ring or the c ring, or are bonded to the a ring, the b ring or the c ring, or are bonded to any one of the a ring, the b ring or the c ring, and are shared by the Ar 1 ring, the Ar 2 ring, the Ar 3 ring or the Ar 4 ring in the formula (Xa-2). For this structure, reference can be made to the explanation of how the partial structure represented by the above-described formula (Xa-1) and the partial structure represented by the formula (Xb-1) become the partial structure of the polycyclic aromatic compound represented by the formula (1).
식(1b) 및 식(1c)의 각 식에서, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 >N-RNY, >C(-RCY)2, >O, >Si(-RIY)2, >S 또는 >Se이다. RNY, RCY 및 RIY는 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환된 아릴, 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환된 알킬 또는 치환 혹은 무치환된 시클로알킬이고, 2개의 RCY는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 되고, 2개의 RIY는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. L이 >N-RNY일 때의 RNY로는 치환 또는 무치환된 아릴이 바람직하고, 알킬로 치환되어 있어도 되는 페닐이 보다 바람직하다. L이 >C(-RCY)2일 때의 RCY로는 메틸 또는 페닐이 바람직하다. L이 >C(-RIY)2일 때의 RIY로는 메틸 또는 페닐이 바람직하다. Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 >N-RNY, >C(-RCY)2, >O 또는 >S가 바람직하고, >O 또는 >S가 보다 바람직하다. Y1, Y2는 동일해도 상이해도 되고, 동일한 것이 바람직하다.In each of formulas (1b) and (1c), Y 1 and Y 2 are each independently >NR NY , >C(-R CY ) 2 , >O, >Si(-R IY ) 2 , >S or >Se. R NY , R CY and R IY are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted aryl, a substituted or unsubstituted heteroaryl, a substituted or unsubstituted alkyl or a substituted or unsubstituted cycloalkyl, and two R CY may be bonded to each other to form a ring, and two R IY may be bonded to each other to form a ring. When L is >NR NY , R NY is preferably a substituted or unsubstituted aryl, and more preferably phenyl which may be substituted with alkyl. When L is >C(-R CY ) 2 , R CY is preferably methyl or phenyl. When L is >C(-R IY ) 2 , R IY is preferably methyl or phenyl. Y 1 and Y 2 are each independently >NR NY , >C(-R CY ) 2 , >O or >S, more preferably >O or >S. Y 1 and Y 2 may be the same or different, and are preferably the same.
식(1a), 식(1b), 식(1c), 식(X-a-2) 및 식(X-b-2)의 각 식 중, Z는 다른 환과의 결합손을 가지는 탄소 원자이거나, 또는 -C(-RZ)= 혹은 -N=이고, RZ는 수소 또는 치환기이다. 단, 식(X-b-2) 중의 e환을 구성하는 Z 중 인접한 2개는 식(X-b-2-e)의 2개의 *에 각각 결합되어 있는 탄소 원자여도 된다. 인접한 2개의 Z 중 어느 하나의 Z가 어느 하나의 *에 결합되어 있어도 된다. 식(X-b-2-e) 중 Xb는 식(Xb-R5)로 표시되는 2가의 기, >O, >C(-RCX)2, >Si(-RIX)2, >S 또는 >Se이고, RCX는 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환된 아릴, 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환된 알킬 또는 치환 혹은 무치환된 시클로알킬이고, 2개의 RCX는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. RCX는 메틸 또는 페닐인 것이 바람직하다. RIX는 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환된 아릴, 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환된 알킬, 또는 치환 혹은 무치환된 시클로알킬이고, 2개의 RIX는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다. RIX는 메틸 또는 페닐인 것이 바람직하다. 식(X-b-2-e)의 Z는 식(X-b-2) 중의 d환을 구성하는 Z와 동의이고, 다른 환과의 결합손을 가지는 탄소 원자이거나, 또는 -C(-RZ)= 혹은 -N=이다.In each of formulas (1a), (1b), (1c), (Xa-2), and (Xb-2), Z is a carbon atom having a bond with another ring, or -C(-R Z )= or -N=, and R Z is hydrogen or a substituent. However, two adjacent Zs constituting the e ring in formula (Xb-2) may be carbon atoms each bonded to two *s of formula (Xb-2-e). Either Z of the two adjacent Zs may be bonded to either *. In formula (Xb-2-e), X b is a divalent group represented by formula (Xb-R5), >O, >C(-R CX ) 2 , >Si(-R IX ) 2 , >S or >Se, and each R CX is independently hydrogen, a substituted or unsubstituted aryl, a substituted or unsubstituted heteroaryl, a substituted or unsubstituted alkyl or a substituted or unsubstituted cycloalkyl, and two R CX may be bonded to each other to form a ring. R CX is preferably methyl or phenyl. R IX is each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted aryl, a substituted or unsubstituted heteroaryl, a substituted or unsubstituted alkyl or a substituted or unsubstituted cycloalkyl, and two R IX may be bonded to each other to form a ring. R IX is preferably methyl or phenyl. Z in formula (Xb-2-e) is synonymous with Z constituting the d ring in formula (Xb-2), and is a carbon atom having a bond with another ring, or -C(-R Z )= or -N=.
식(1a), 식(1b), 식(1c), 식(X-a-2) 및 식(X-b-2)의 각 식의 Z로서, 다른 환과의 결합손을 가지는 탄소 원자가 되어 있는 Z 이외의 기타 Z는 모두 -C(-RZ)=이거나, 또는 1개 또는 2개가 -N=이고, 또한 그 외가 -C(-RZ)=인 것이 바람직하고, 모두 -C(-RZ)=이거나, 또는 1개가 -N=이고, 또한 그 외가 -C(-RZ)=인 것이 보다 바람직하다. 식(1a), 식(1b), 식(1c)의 각 식의 탄소 원자가 되어 있는 Z 이외의 기타 Z는 모두 -C(-RZ)=인 것이 가장 바람직하고, (X-a-2), (X-b-2)의 각 식의 Z는 1개가 -N=이고, 또한 그 외가 -C(-RZ)=인 것이 가장 바람직하다. 식(1a), 식(1b) 및 식(1c)의 각 식에서 RZ가 치환기일 때의 치환기로는 식(X-a-2), 식(X-b-2) 또는 식(X-a-2) 및 식(X-b-2)에서 형성되는 치환기를 들 수 있다. 그 외의 치환기로는 치환기군 Zα로부터 선택되는 1개 이상의 치환기(식(X-a-2), 식(X-b-2) 또는 식(X-a-2) 및 식(X-b-2)에서 형성되는 치환기를 제외함)를 들 수 있다. 그 외의 치환기로는 페닐, 메틸 또는 시아노가 바람직하다. 식(1a), 식(1b) 및 식(1c)의 각 식에서 RZ는 수소인 것이 바람직하다. 식(X-a-2) 및 식(X-b-2)의 각 식에서 RZ가 치환기일 때의 치환기로는 치환기군 Zα로부터 선택되는 1개 이상의 치환기를 들 수 있다. 치환기로는 페닐, 메틸, t-부틸 또는 시아노가 바람직하다. 식(X-a-2) 및 식(X-b-2)의 각 식 중, RZ는 수소인 것이 바람직하다.In each of formulas (1a), (1b), (1c), (Xa-2), and (Xb-2), among Z, other than Z being a carbon atom having a bond with another ring, it is preferable that all are -C(-R Z )=, or one or two are -N=, and the others are -C(-R Z )=, and it is more preferable that all are -C(-R Z )=, or one is -N=, and the others are -C(-R Z )=. Among Z in each of formulas (1a), (1b), and (1c), it is most preferable that all are -C(-R Z )=, and it is most preferable that one of Z in each of formulas (Xa-2) and (Xb-2) is -N=, and the others are -C(-R Z )=. In each of formulas (1a), (1b), and (1c), when R Z is a substituent, examples of the substituent include a substituent formed in formula (Xa-2), formula (Xb-2), or formula (Xa-2) and formula (Xb-2). Examples of other substituents include one or more substituents selected from the substituent group Zα (excluding the substituents formed in formulas (Xa-2), formula (Xb-2), or formulas (Xa-2) and formula (Xb-2)). Examples of other substituents include phenyl, methyl, and cyano. In each of formulas (1a), (1b), and (1c), R Z is preferably hydrogen. Examples of the substituent when R Z is a substituent in each of formulas (Xa-2) and (Xb-2) include one or more substituents selected from the substituent group Zα. As a substituent, phenyl, methyl, t-butyl or cyano is preferable. In each of formulas (Xa-2) and (Xb-2), R Z is preferably hydrogen.
식(X-a-2)에서 Xa는 식(X-a-1)에서의 Xa와 동의이고, 바람직한 범위도 동일하다.In equation (Xa-2), X a is identical to X a in equation (Xa-1), and the desirable range is also the same.
식(X-a-2)에서의 Ar1환, Ar2환, Ar3환 및 Ar4환에 대해서는 각각 식(X-a-1)에서의 AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환의 기재를 참조할 수 있다. 예를 들어 Ar1환, Ar2환, Ar3환 및 Ar4환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 임의의 2개는 서로 단일 결합 또는 연결기로 연결되어 있어도 된다.For the Ar 1 ring, Ar 2 ring, Ar 3 ring and Ar 4 ring in formula (Xa-2), reference may be made to the description of the AR 1 ring, AR 2 ring, AR 3 ring and AR 4 ring in formula (Xa-1), respectively. For example, any two selected from the group consisting of the Ar 1 ring, Ar 2 ring, Ar 3 ring and Ar 4 ring may be connected to each other by a single bond or a connecting group.
식(X-b-2)에서 Xb는 식(X-b-1)에서의 Xb와 동의이다. Xb가 식(XB-R5)로 표시되는 2가의 기일 때의 AR5환은 6원환, 예를 들어 벤젠환 또는 피리딘환인 것이 바람직하다.In formula (Xb-2), X b is synonymous with X b in formula (Xb-1). When X b is a divalent group represented by formula (XB-R5), the AR5 ring is preferably a 6-membered ring, for example, a benzene ring or a pyridine ring.
식(1a), 식(1b), 식(1c), 식(X-a-2), 식(X-a-1)의 바람직한 구조예를 이하에 나타낸다. 또한 식(1a), 식(1b), 식(1c)에 대해서는 식(X-a-2), 식(X-a-1)로 표시되는 각 부분 구조를 제외한 구조를 나타낸다.Preferred structural examples of formulas (1a), (1b), (1c), (X-a-2), and (X-a-1) are shown below. In addition, for formulas (1a), (1b), and (1c), the structures excluding each substructure represented by formulas (X-a-2) and (X-a-1) are shown.
(1a)(1a)
(1b)(1b)
(1c)(1c)
(X-a-2)(X-a-2)
(X-b-2)(X-b-2)
<무거운 안정 동위체로의 치환><Replacement with heavy stable isotopes>
식(1)로 표시되는 다환 방향족 화합물 중의 각 원소는 특별히 기재가 없는 경우, 천연에 존재하는 복수의 동위체가 천연에서의 존재비로 포함되는 것이다. 단, 각 구조식 중 원소의 전부 또는 일부는 천연에서의 존재비를 초과하여(예를 들어, 붕소-11(11B)에서는 90atom% 이상으로) 무거운 안정 동위체를 포함하는 것이어도 된다. 본 명세서에서 이를 단순히 "무거운 안정 동위체"로 "치환한다"라고 한다. 보다 구체적으로는, 1개 이상의 수소는 중수소로 치환될 수 있고, 1개 이상의 질소는 질소-15(15N)로 치환될 수 있고, 1개 이상의 황은 황-33(33S), 황-34(34S) 또는 황-36(36S)으로 치환될 수 있고, 1개 이상의 산소는 산소-17(17O) 또는 산소-18(18O)로 치환될 수 있고, 1개 이상의 탄소는 탄소-13(13C)으로 치환될 수 있으며, 1개 이상의 붕소는 붕소-11(11B)로 치환될 수 있다. 식(1a), 식(1b) 또는 식(1c)로 표시되는 구조도 마찬가지이고, 이 설명은 식(1a), 식(1b) 또는 식(1c)로 표시되는 구조에도 마찬가지로 해당된다. 적어도 일부 원소를 무거운 안정 동위체로 치환함으로써, 특히 1개 이상의 붕소를 붕소-11(11B)로 치환함으로써, 식(1)로 표시되는 다환 방향족 화합물을 사용하는 유기 전계 발광 소자의 장수명화를 도모할 수 있다.Each element in the polycyclic aromatic compound represented by formula (1) includes multiple naturally occurring isotopes in the natural abundance ratio, unless otherwise specified. However, all or part of the elements in each structural formula may include a heavy stable isotope exceeding the natural abundance ratio (for example, 90 atom% or more in boron-11 ( 11 B)). In this specification, this is simply referred to as "substituting" with a "heavy stable isotope." More specifically, one or more hydrogens can be replaced by deuterium, one or more nitrogens can be replaced by nitrogen-15 ( 15 N), one or more sulfurs can be replaced by sulfur-33 ( 33 S), sulfur-34 ( 34 S) or sulfur-36 ( 36 S), one or more oxygens can be replaced by oxygen-17 ( 17 O) or oxygen-18 ( 18 O), one or more carbons can be replaced by carbon-13 ( 13 C), and one or more borons can be replaced by boron-11 ( 11 B). The same applies to a structure represented by Formula (1a), Formula (1b) or Formula (1c), and this description also applies to a structure represented by Formula (1a), Formula (1b) or Formula (1c). By replacing at least some of the elements with heavy stable isotopes, particularly by replacing one or more borons with boron-11 ( 11 B), the lifetime of an organic electroluminescent device using a polycyclic aromatic compound represented by formula (1) can be extended.
<중수소에 의한 치환><Substitution by deuterium>
식(1)로 표시되는 다환 방향족 화합물 중의 수소는 그 전부 또는 일부가 중수소여도 된다. 식(1a), 식(1b) 또는 식(1c)로 표시되는 구조도 마찬가지이고, 이후의 설명은 식(1a), 식(1b) 또는 식(1c)로 표시되는 다환 방향족 화합물에도 마찬가지로 해당된다.In the polycyclic aromatic compound represented by formula (1), all or part of the hydrogen may be deuterium. The same applies to the structure represented by formula (1a), formula (1b), or formula (1c), and the following description also applies to the polycyclic aromatic compound represented by formula (1a), formula (1b), or formula (1c).
예를 들어 A환, B환 및 C환에서 아릴환 또는 헤테로아릴환, 그들의 치환기에서 수소가 중수소로 치환될 수 있으나, 이들 중에서도 아릴환 또는 헤테로아릴환에서 전부 또는 일부의 수소가 중수소로 치환된 형태를 들 수 있다. 식(X-b-1)에서 D환 및 E환 또는 AR1환, AR2환, AR3환, AR4환 또는 AR5환에서 아릴환 및 헤테로아릴환에서 전부 또는 일부의 수소가 중수소로 치환되어 있어도 된다. 또한, 내구성의 관점에서 식(1)로 표시되는 다환 방향족 화합물 중의 수소는 그 전부 또는 일부가 중수소화되어 있는 것도 바람직하다.For example, in the A ring, B ring and C ring, hydrogen in the aryl ring or heteroaryl ring and their substituents may be replaced with deuterium, and among these, a form in which all or part of the hydrogen in the aryl ring or heteroaryl ring is replaced with deuterium may be exemplified. In formula (X-b-1), all or part of the hydrogen in the aryl ring and heteroaryl ring in the D ring and E ring or the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring, AR4 ring or AR5 ring may be replaced with deuterium. Furthermore, from the viewpoint of durability, it is also preferable that all or part of the hydrogen in the polycyclic aromatic compound represented by formula (1) is deuterated.
<본 발명의 다환 방향족 화합물의 구체예><Specific examples of polycyclic aromatic compounds of the present invention>
본 발명의 다환 방향족 화합물의 구체예로는 하기 구조식 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 들 수 있으나, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the polycyclic aromatic compound of the present invention include compounds represented by any one of the structural formulae below, but the present invention is not limited thereto.
2. 다환 방향족 화합물의 제조 방법2. Method for producing polycyclic aromatic compounds
식(1)로 표시되는 다환 방향족 화합물은 기본적으로 먼저 어느 하나의 위치에 할로겐을 가지는 A환(a환), B환(b환) 및 C환(c환)을 O로 결합시킴으로써 중간체를 제조하고(제1 반응), 그 후에 A환(a환), B환(b환) 및 C환을 포함하는 축합환을 붕소로 결합시킴으로써 할로겐을 가지는 부분 구조(1)를 제조한 후(제2 반응), 크로스 커플링 반응에 의해 부분 구조(X-a-1) 및 부분 구조(X-b-1)을 연결함으로써 제조할 수 있다(제3 반응). 제1 반응에서는 친핵성 치환 반응, 울만 반응과 같은 일반적인 반응을 이용할 수 있고, 제2 반응에서는 탠덤 헤테로 프리델 크래프츠 반응(연속적인 방향족 친전자 치환 반응, 이하 동일)을 이용할 수 있다. 제3 반응에서는 스즈키 미야우라 반응, 버치왈드 반응, 골드버그 반응과 같은 일반적인 반응을 이용할 수 있다. 또한, 미리 부분 구조(X-a-1) 및 부분 구조(X-b-1)을 연결한 전구체에 보라 프리델 크래프츠 반응으로 B를 도입하여 최종 생성물을 얻는 것도 가능하다.The polycyclic aromatic compound represented by formula (1) can be basically produced by first bonding an A ring (a ring), a B ring (b ring), and a C ring (c ring) having a halogen at any one position with O (first reaction), then bonding a condensed ring including an A ring (a ring), a B ring (b ring), and a C ring with boron to produce a partial structure (1) having a halogen (second reaction), and then connecting the partial structures (X-a-1) and (X-b-1) by a cross-coupling reaction (third reaction). In the first reaction, a general reaction such as a nucleophilic substitution reaction or a Ullmann reaction can be used, and in the second reaction, a tandem hetero Friedel-Crafts reaction (a sequential aromatic electrophilic substitution reaction, the same applies hereinafter) can be used. In the third reaction, a general reaction such as a Suzuki-Miyaura reaction, a Burchwald reaction, and a Goldberg reaction can be used. Additionally, it is also possible to obtain the final product by introducing B into a precursor that has previously connected partial structures (X-a-1) and partial structures (X-b-1) through the Bora-Friedel-Crafts reaction.
제2 반응은 하기 스킴(1)에 나타내는 바와 같이, A환(a환), B환(b환) 및 C환(c환)을 포함하는 축합환을 결합하는 붕소를 도입하는 반응이다. 먼저 질소 원자 사이의 할로겐 원자를 n-부틸리튬, sec-부틸리튬 또는 t-부틸리튬 등으로 할로겐-메탈 교환한다. 이어서 삼염화붕소나 삼브롬화붕소 등을 첨가하여 리튬-붕소의 금속 교환을 한 후, N,N-디이소프로필에틸아민 등의 브뢴스테드 염기를 첨가함으로써, 탠덤 보라 프리델 크래프츠 반응을 일으켜 목적물을 얻을 수 있다. 제2 반응에서는 반응을 촉진시키기 위해 삼염화알루미늄 등의 루이스산을 첨가해도 된다. 또한, 식 중 Cl인 할로겐 원자는 Cl, Br, I 중 어느 것이어도 되고, 기질의 반응성을 고려하여 적절히 선택할 수 있다.The second reaction is a reaction for introducing boron, which combines a condensed ring including an A ring (a ring), a B ring (b ring), and a C ring (c ring), as shown in the following scheme (1). First, the halogen atom between the nitrogen atoms is subjected to halogen-metal exchange with n-butyllithium, sec-butyllithium, or t-butyllithium. Next, boron trichloride or boron tribromide is added to perform metal exchange of lithium-boron, and then a Brønsted base such as N,N-diisopropylethylamine is added to cause a tandem Bora Friedel-Crafts reaction to obtain the target product. In the second reaction, a Lewis acid such as aluminum trichloride may be added to promote the reaction. In addition, the halogen atom Cl in the formula may be any of Cl, Br, and I, and may be appropriately selected in consideration of the reactivity of the substrate.
사용하는 원료를 적절히 선택함으로써, 원하는 위치에 치환기를 가지는 다환 방향족 화합물을 합성할 수 있다.By appropriately selecting the raw materials to be used, a polycyclic aromatic compound having a substituent at a desired position can be synthesized.
또한, Nature Photonics, 13, 540-546 (2019), Advanced Functional Materials, 2021,31, 2105805에 기재된 방법과 같이 일반적인 커플링 반응을 이용하여 합성할 수 있다.Additionally, it can be synthesized using a general coupling reaction, such as the method described in Nature Photonics, 13, 540-546 (2019), Advanced Functional Materials, 2021,31, 2105805.
이상의 반응에서 이용되는 용매의 구체예는 t-부틸벤젠이나 자일렌 등이다.Specific examples of the solvent used in the above reaction include t-butylbenzene and xylene.
또한, 상기 스킴(1)의 합성법에서는 삼염화붕소나 삼브롬화붕소 등을 첨가하기 전에 질소 원자 사이의 할로겐 원자를 부틸리튬 등으로 할로겐-메탈 교환함으로써, 탠덤 헤테로 프리델 크래프츠 반응을 일으킨 예를 나타냈으나, 할로겐이 수소가 된 전구체로 삼염화붕소나 삼브롬화붕소 등의 첨가에 의해 반응을 진행시킬 수도 있다.In addition, in the synthetic method of the above scheme (1), an example was shown in which a tandem hetero Friedel-Crafts reaction was induced by halogen-metal exchange between nitrogen atoms with butyllithium, etc. before adding boron trichloride or boron tribromide, etc.; however, the reaction can also proceed by adding boron trichloride or boron tribromide, etc. as a precursor in which the halogen becomes hydrogen.
또한, 상기 스킴(1)에서 사용하는 오르토메탈화 시약으로는 메틸리튬, n-부틸리튬, sec-부틸리튬, t-부틸리튬 등의 알킬리튬, 리튬디이소프로필아미드, 리튬테트라메틸피페리지드, 리튬헥사메틸디실라지드, 칼륨헥사메틸디실라지드 등의 유기 알칼리 금속 화합물을 들 수 있다.In addition, as the orthometalation reagent used in the above scheme (1), examples thereof include alkyl lithiums such as methyl lithium, n-butyl lithium, sec-butyl lithium, and t-butyl lithium, and organic alkali metal compounds such as lithium diisopropylamide, lithium tetramethylpiperidide, lithium hexamethyldisilazide, and potassium hexamethyldisilazide.
또한, 상기 스킴(1)에서 사용하는 메탈-붕소의 금속 교환 시약으로는 삼불화붕소, 삼염화붕소, 삼브롬화붕소, 삼요오드화붕소 등 붕소의 할로겐화물, 붕소의 알콕시화물, 붕소의 아릴옥시화물 등을 들 수 있다.In addition, as the metal-boron metal exchange reagent used in the above scheme (1), boron halides such as boron trifluoride, boron trichloride, boron tribromide, and boron triiodide, boron alkoxides, and boron aryloxyoxides can be mentioned.
또한, 상기 스킴(1)에서 사용하는 브뢴스테드 염기로는 N,N-디이소프로필에틸아민, 트리에틸아민, 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘, 1,2,2,6,6-펜타메틸피페리딘, N,N-디메틸아닐린, N,N-디메틸톨루이딘, 2,6-루티딘, 테트라페닐붕산나트륨, 테트라페닐붕산칼륨, 트리페닐보란, 테트라페닐실란, Ar4BNa, Ar4BK, Ar3B, Ar4Si(또한, Ar은 페닐 등의 아릴) 등을 들 수 있다.In addition, the Bronsted bases used in the above scheme (1) include N,N-diisopropylethylamine, triethylamine, 2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 1,2,2,6,6-pentamethylpiperidine, N,N-dimethylaniline, N,N-dimethyltoluidine, 2,6-lutidine, sodium tetraphenylborate, potassium tetraphenylborate, triphenylborane, tetraphenylsilane, Ar 4 BNa, Examples include Ar 4 BK, Ar 3 B, Ar 4 Si (wherein Ar is aryl such as phenyl).
상기 스킴(1)에서 사용하는 루이스 산으로는 AlCl3, AlBr3, AlF3, BF3·OEt2, BCl3, BBr3, BI3, GaCl3, GaBr3, InCl3, InBr3, In(OTf)3, SnCl4, SnBr4, AgOTf, ScCl3, Sc(OTf)3, ZnCl2, ZnBr2, Zn(OTf)2, MgCl2, MgBr2, Mg(OTf)2, LiOTf, NaOTf, KOTf, Me3SiOTf, Cu(OTf)2, CuCl2, YCl3, Y(OTf)3, TiCl4, TiBr4, ZrCl4, ZrBr4, FeCl3, FeBr3, CoCl3, CoBr3 등을 들 수 있다.The Lewis acids used in the above scheme (1) include AlCl 3 , AlBr 3 , AlF 3 , BF 3 OEt 2 , BCl 3 , BBr 3 , BI 3 , GaCl 3 , GaBr 3 , InCl 3 , InBr 3 , In(OTf) 3 , SnCl 4 , SnBr 4 , AgOTf, ScCl 3 , Sc(OTf) 3 , ZnCl 2 , ZnBr 2 , Zn(OTf) 2 , MgCl 2 , MgBr 2 , Mg(OTf) 2 , LiOTf, NaOTf, KOTf, Me 3 SiOTf, Cu(OTf) 2 , CuCl 2 , YCl 3 , Y(OTf) 3 , TiCl 4 , TiBr 4 , ZrCl 4 , Examples include ZrBr 4 , FeCl 3 , FeBr 3 , CoCl 3 , and CoBr 3 .
상기 스킴(1)에서는 탠덤 헤테로 프리델 크래프츠 반응의 촉진을 위해 브뢴스테드 염기 또는 루이스 산을 사용해도 된다. 단, 삼불화붕소, 삼염화붕소, 삼브롬화붕소, 삼요오드화붕소 등 붕소의 할로겐화물을 사용한 경우, 방향족 친전자 치환 반응의 진행과 함께 불화수소, 염화수소, 브롬화수소, 요오드화 수소와 같은 산이 생성되기 때문에, 산을 포착하는 브뢴스테드 염기의 사용이 효과적이다. 한편, 붕소의 아미노화 할로겐화물, 붕소의 알콕시화물을 사용한 경우, 방향족 친전자 치환 반응의 진행과 함께 아민, 알코올이 생성되기 때문에, 많은 경우, 브뢴스테드 염기를 사용할 필요는 없지만, 아미노나 알콕시의 탈리능이 낮기 때문에, 그 탈리를 촉진하는 루이스 산의 사용이 효과적이다.In the above scheme (1), a Bronsted base or a Lewis acid may be used to promote the tandem hetero Friedel-Crafts reaction. However, in the case where a boron halide such as boron trifluoride, boron trichloride, boron tribromide, or boron triiodide is used, acids such as hydrogen fluoride, hydrogen chloride, hydrogen bromide, or hydrogen iodide are generated as the aromatic electrophilic substitution reaction progresses, so the use of a Bronsted base that captures the acid is effective. On the other hand, in the case where an aminated halide of boron or an alkoxy of boron is used, amines and alcohols are generated as the aromatic electrophilic substitution reaction progresses, so in many cases it is not necessary to use a Bronsted base, but since the elimination ability of amino or alkoxy is low, the use of a Lewis acid that promotes the elimination is effective.
또한, 본 발명의 다환 방향족 화합물에는 적어도 일부 수소 원자가 중수소로 치환되어 있는 것 또는 불소나 염소 등의 할로겐으로 치환되어 있는 것도 포함되지만, 이러한 화합물 등은 원하는 부분이 중수소화, 불소화 또는 염소화된 원료를 사용함으로써, 상기와 마찬가지로 합성할 수 있다.In addition, the polycyclic aromatic compounds of the present invention include those in which at least some hydrogen atoms are substituted with deuterium or with halogens such as fluorine or chlorine, and such compounds and the like can be synthesized in the same manner as described above by using a raw material in which a desired portion is deuterated, fluorinated or chlorinated.
3. 유기 전계 발광 소자3. Organic electroluminescent devices
본 발명에 따른 다환 방향족 화합물은 유기 디바이스용 재료로 사용할 수 있다. 유기 디바이스로는, 예를 들어 유기 전계 발광 소자, 유기 전계 효과 트랜지스터 또는 유기 박막 태양 전지 등을 들 수 있다. 본 발명에 따른 다환 방향족 화합물은 특히 유기 전계 발광 소자로 사용할 수 있다.The polycyclic aromatic compound according to the present invention can be used as a material for an organic device. Examples of the organic device include an organic electroluminescent device, an organic field effect transistor, or an organic thin film solar cell. The polycyclic aromatic compound according to the present invention can be used particularly as an organic electroluminescent device.
3-1. 유기 전계 발광 소자의 구조3-1. Structure of organic electroluminescent device
이하, 본 실시형태에 따른 유기 EL 소자에 대해 도면에 기초하여 상세히 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 유기 EL 소자를 나타내는 개략 단면도이다.Hereinafter, an organic EL device according to the present embodiment will be described in detail based on the drawings. Fig. 1 is a schematic cross-sectional view showing an organic EL device according to the present embodiment.
<유기 전계 발광 소자의 구조><Structure of organic electroluminescent device>
도 1에 도시된 유기 EL 소자(100)는 기판(101)과 기판(101) 상에 마련된 양극(102)과 양극(102) 상에 마련된 정공 주입층(103)과 정공 주입층(103) 상에 마련된 정공 수송층(104)과 정공 수송층(104) 상에 마련된 발광층(105)과 발광층(105) 상에 마련된 전자 수송층(106)과 전자 수송층(106) 상에 마련된 전자 주입층(107)과 전자 주입층(107) 상에 마련된 음극(108)을 가진다.The organic EL device (100) illustrated in FIG. 1 has a substrate (101), an anode (102) provided on the substrate (101), a hole injection layer (103) provided on the anode (102), a hole transport layer (104) provided on the hole injection layer (103), an emitting layer (105) provided on the hole transport layer (104), an electron transport layer (106) provided on the emitting layer (105), an electron injection layer (107) provided on the electron transport layer (106), and a cathode (108) provided on the electron injection layer (107).
또한, 유기 EL 소자(100)는 제작 순서를 반대로 하여, 예를 들어 기판(101)과 기판(101) 상에 마련된 음극(108)과 음극(108) 상에 마련된 전자 주입층(107)과 전자 주입층(107) 상에 마련된 전자 수송층(106)과 전자 수송층(106) 상에 마련된 발광층(105)과 발광층(105) 상에 마련된 정공 수송층(104)과 정공 수송층(104) 상에 마련된 정공 주입층(103)과 정공 주입층(103) 상에 마련된 양극(102)을 가지는 구성으로 해도 된다.In addition, the organic EL element (100) may be configured by reversing the manufacturing order, for example, to have a substrate (101), a cathode (108) provided on the substrate (101), an electron injection layer (107) provided on the cathode (108), an electron transport layer (106) provided on the electron injection layer (107), an emitting layer (105) provided on the electron transport layer (106), a hole transport layer (104) provided on the emitting layer (105), a hole injection layer (103) provided on the hole transport layer (104), and an anode (102) provided on the hole injection layer (103).
상기 각 층 모두가 있어야 하는 것은 아니고, 최소 구성 단위를 양극(102)과 발광층(105)과 음극(108)으로 이루어진 구성으로 하고, 정공 주입층(103), 정공 수송층(104), 전자 수송층(106), 전자 주입층(107)은 임의로 마련되는 층이다. 또한, 상기 각 층은, 각각 단일층으로 이루어져도 되고, 복수층으로 이루어져도 된다.It is not necessary to have all of the above layers, and the minimum configuration unit is a configuration consisting of an anode (102), a light-emitting layer (105), and a cathode (108), and the hole injection layer (103), the hole transport layer (104), the electron transport layer (106), and the electron injection layer (107) are layers that are provided arbitrarily. In addition, each of the above layers may be composed of a single layer or may be composed of multiple layers.
유기 EL 소자를 구성하는 층의 형태로는, 상술한 "기판/양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극"의 구성 형태 이외에, "기판/양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극", "기판/양극/정공 주입층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극", "기판/양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극", "기판/양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극", "기판/양극/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극", "기판/양극/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극", "기판/양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극", "기판/양극/정공 주입층/발광층/전자 주입층/음극", "기판/양극/정공 주입층/발광층/전자 수송층/음극", "기판/양극/발광층/전자 수송층/음극", "기판/양극/발광층/전자 주입층/음극"의 구성 형태여도 된다.In the form of the layer constituting the organic EL device, in addition to the above-described "substrate/anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode" configuration, there are also "substrate/anode/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode", "substrate/anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode", "substrate/anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron injection layer/cathode", "substrate/anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode", "substrate/anode/light-emitting layer/electron transport layer/cathode", "substrate/anode/hole transport layer/light-emitting layer/electron injection layer/cathode", It may also have the configuration of "substrate/anode/hole injection layer/light-emitting layer/electron injection layer/cathode", "substrate/anode/hole injection layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode", "substrate/anode/light-emitting layer/electron transport layer/cathode", "substrate/anode/light-emitting layer/electron injection layer/cathode".
유기 EL 소자는 전자 저지층(전자 블로킹층) 및 정공 저지층(정공 블로킹층)으로부터 선택되는 어느 하나 또는 양쪽을 더 가지고 있어도 된다. 전자 저지층은 발광층보다 얕은 LUMO 및 발광층 또는 정공 수송층과 가까운 HOMO를 가지고, 발광층과 정공 수송층 사이에 배치된다. 전자가 발광층 내에 남아 정공 수송층으로 누출되지 않기 때문에, 정공 수송층의 열화에 의한 단수명화와 재결합 효율 저하에 의한 효율 저하를 방지할 수 있다. 정공 저지층은 발광층보다 깊은 HOMO 및 발광층 또는 정공 수송층과 가까운 LUMO를 가지고, 발광층과 전자 수송층 사이에 배치된다. 정공이 발광층 내에 남아 전자 수송층에 누출되지 않기 때문에, 전자 수송층의 열화에 의한 단수명화와 재결합 효율 저하에 의한 효율 저하를 방지할 수 있다. 정공 주입·수송층이 전자 저지층을 겸하고 있어도 된다. 전자 주입·수송층이 정공 저지층을 겸하고 있어도 된다.The organic EL device may further have one or both of an electron-blocking layer (electron-blocking layer) and a hole-blocking layer (hole-blocking layer). The electron-blocking layer has a LUMO shallower than that of the emitting layer and a HOMO close to that of the emitting layer or the hole-transporting layer, and is disposed between the emitting layer and the hole-transporting layer. Since electrons remain in the emitting layer and do not leak to the hole-transporting layer, short lifetime due to deterioration of the hole-transporting layer and decreased efficiency due to decreased recombination efficiency can be prevented. The hole-blocking layer has a HOMO deeper than that of the emitting layer and a LUMO close to that of the emitting layer or the hole-transporting layer, and is disposed between the emitting layer and the electron-transporting layer. Since holes remain in the emitting layer and do not leak to the electron-transporting layer, short lifetime due to deterioration of the electron-transporting layer and decreased efficiency due to decreased recombination efficiency can be prevented. The hole injection/transporting layer may also serve as the electron-blocking layer. The electron injection/transporting layer may also serve as the hole-blocking layer.
유기 EL 소자는 더욱 높은 T1층을 가지고 있어도 된다. 높은 T1층은 발광층에 사용되는 호스트 화합물, 어시스팅 도펀트 화합물 또는 에미팅 도펀트 화합물보다 높은 T1을 가지고, 발광층과 정공 수송층 사이 및/또는 발광층과 전자 저지층 사이에 배치된다. T1 에너지값은 소자의 발광 기구에 따라 다르지만 호스트에 사용되는 화합물보다 높은 T1을 가진다. 발광층 주위에 높은 T1층을 가짐으로써 삼중항 에너지를 가두어, 통상적으로 형광 분자에서는 발광으로 이어지지 않는 삼중항 에너지를 일중항 에너지로 변환하여 높은 효율을 얻을 수 있다. 정공 주입·수송층 또는 전자 저지층이 높은 T1층을 겸하고 있어도 된다. 전자 주입·수송층 또는 정공 저지층이 높은 T1층을 겸하고 있어도 된다.The organic EL device may have a higher T1 layer. The high T1 layer has a higher T1 than the host compound, assisting dopant compound, or emitting dopant compound used in the emitting layer, and is disposed between the emitting layer and the hole transport layer and/or between the emitting layer and the electron blocking layer. The T1 energy value varies depending on the light-emitting mechanism of the device, but has a higher T1 than the compound used in the host. By having the high T1 layer around the emitting layer, triplet energy is trapped, and triplet energy, which normally does not lead to light emission in fluorescent molecules, is converted into singlet energy, thereby achieving high efficiency. The hole injection/transport layer or the electron blocking layer may also serve as the high T1 layer. The electron injection/transport layer or the hole blocking layer may also serve as the high T1 layer.
본 발명의 다환 방향족 화합물은 유기 전계 발광 소자 재료로 사용하는 것이 바람직하다. 일반적으로, 도너 구조를 가지는 화합물은 발광층의 정공 수송성 호스트 재료 및 정공 수송층에 사용될 수 있고, 액셉터 구조를 가지는 화합물은 전자 수송성 호스트 재료 및 전자 수송층에 사용될 수 있으며, 도너 구조 및 액셉터 구조를 모두 가지는 화합물은 정공 수송층, 발광층의 호스트 및 전자 수송층 모두에 사용될 수 있다. 도너 구조 및 액셉터 구조는, 예를 들어 Advanced Functional Materials 2020, 2008332 등을 참고할 수 있다. 보다 구체적으로, 도너 구조는 트리아릴아민 구조 및 카바졸 구조를 들 수 있고, 액셉터 구조는 트리아진 구조, 피리미딘 구조 및 피리딘 구조를 들 수 있다. 본 발명에 따른 다환 방향족 화합물은 가지고 있는 부분 구조에 따라 발광층의 호스트 재료, 정공 수송층 재료, 전자 수송층 재료 등으로 사용할 수 있다.The polycyclic aromatic compound of the present invention is preferably used as an organic electroluminescent device material. In general, a compound having a donor structure can be used as a hole-transporting host material and a hole transport layer of an emitting layer, a compound having an acceptor structure can be used as an electron-transporting host material and an electron transport layer, and a compound having both a donor structure and an acceptor structure can be used as both a hole transport layer, a host and an electron transport layer of an emitting layer. For the donor structure and the acceptor structure, see, for example, Advanced Functional Materials 2020, 2008332. More specifically, the donor structure may include a triarylamine structure and a carbazole structure, and the acceptor structure may include a triazine structure, a pyrimidine structure, and a pyridine structure. The polycyclic aromatic compound according to the present invention can be used as a host material of an emitting layer, a hole transport layer material, an electron transport layer material, etc., depending on the partial structure it has.
3-2. 유기 전계 발광 소자의 기판3-2. Substrate of organic electroluminescent device
기판(101)은 유기 EL 소자(100)의 지지체이고, 통상적으로 석영, 유리, 금속, 플라스틱 등이 사용된다. 기판(101)은 목적에 따라 판형, 필름형 또는 시트형으로 형성되고, 예를 들어 유리판, 금속판, 금속박, 플라스틱 필름, 플라스틱 시트 등이 사용된다. 그 중에서도, 유리판 및 폴리에스테르, 폴리메타크릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리술폰 등의 투명한 합성 수지제의 판이 바람직하다. 유리 기판이면, 소다 석회 유리나 무알칼리 유리 등이 사용되고, 또한 두께도 기계적 강도를 유지하기에 충분한 두께이면 된다. 또한, 기판(101)에는, 가스 배리어성을 높이기 위해, 적어도 한 면에 치밀한 실리콘 산화막 등의 가스 배리어막을 설치해도 되고, 특히 가스 배리어성이 낮은 합성 수지제의 판, 필름 또는 시트를 기판(101)으로 사용하는 경우에는 가스 배리어막을 설치하는 것이 바람직하다.The substrate (101) is a support for the organic EL element (100), and is typically made of quartz, glass, metal, plastic, or the like. The substrate (101) is formed in a plate shape, film shape, or sheet shape depending on the purpose, and for example, a glass plate, a metal plate, a metal foil, a plastic film, a plastic sheet, or the like is used. Among these, a glass plate and a plate made of transparent synthetic resin such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, or polysulfone are preferable. If it is a glass substrate, soda-lime glass or alkali-free glass can be used, and furthermore, the thickness can be sufficient to maintain mechanical strength. In addition, on the substrate (101), a gas barrier film such as a dense silicon oxide film may be provided on at least one surface in order to increase the gas barrier property, and particularly, when a plate, film, or sheet made of synthetic resin with low gas barrier property is used as the substrate (101), it is preferable to provide a gas barrier film.
3-3. 유기 전계 발광 소자의 양극3-3. Anode of organic electroluminescent device
양극(102)은 발광층(105)에 정공을 주입하는 역할을 한다. 또한, 양극(102)과 발광층(105) 사이에 정공 주입층(103) 및 정공 수송층(104) 중 1개 이상의 층이 설치되어 있는 경우에는, 이들을 통해 발광층(105)에 정공을 주입하게 된다.The anode (102) plays a role in injecting holes into the light-emitting layer (105). In addition, when at least one of a hole injection layer (103) and a hole transport layer (104) is installed between the anode (102) and the light-emitting layer (105), holes are injected into the light-emitting layer (105) through these layers.
양극(102)을 형성하는 재료로는, 무기 화합물 및 유기 화합물을 들 수 있다. 무기 화합물로는, 예를 들어 금속(알루미늄, 금, 은, 니켈, 팔라듐, 크롬 등), 금속 산화물(인듐 산화물, 주석 산화물, 인듐-주석 산화물(ITO), 인듐-아연 산화물(IZO) 등), 할로겐화 금속(요오드화 구리 등), 황화동, 카본 블랙, ITO 유리나 네사 유리 등이 있다. 유기 화합물로는, 예를 들어 폴리(3-메틸티오펜) 등의 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린 등의 도전성 폴리머 등을 들 수 있다. 그 외에, 유기 EL 소자의 양극으로 사용되고 있는 물질 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다.Examples of materials forming the anode (102) include inorganic compounds and organic compounds. Examples of inorganic compounds include metals (aluminum, gold, silver, nickel, palladium, chromium, etc.), metal oxides (indium oxide, tin oxide, indium-tin oxide (ITO), indium-zinc oxide (IZO), etc.), halogenated metals (copper iodide, etc.), copper sulfide, carbon black, ITO glass, Nesa glass, etc. Examples of organic compounds include polythiophenes such as poly(3-methylthiophene), conductive polymers such as polypyrrole, and polyaniline, etc. In addition, materials used as anodes of organic EL devices can be appropriately selected and used.
3-4. 유기 전계 발광 소자의 정공 주입층, 정공 수송층3-4. Hole injection layer and hole transport layer of organic electroluminescent device
정공 주입층(103)은 양극(102)으로부터 이동하는 정공을 효율적으로 발광층(105) 내 또는 정공 수송층(104) 내에 주입하는 역할을 한다. 정공 수송층(104)은 양극(102)으로부터 주입된 정공 또는 양극(102)으로부터 정공 주입층(103)을 통해 주입된 정공을 효율적으로 발광층(105)으로 수송하는 역할을 한다. 정공 주입층(103) 및 정공 수송층(104)은 각각 정공 주입·수송 재료의 1종 또는 2종 이상을 적층 또는 혼합하여 형성된다. 또한, 정공 주입·수송 재료에 염화철(III)과 같은 무기염을 첨가하여 층을 형성해도 된다.The hole injection layer (103) plays a role of efficiently injecting holes moving from the anode (102) into the light-emitting layer (105) or the hole transport layer (104). The hole transport layer (104) plays a role of efficiently transporting holes injected from the anode (102) or holes injected from the anode (102) through the hole injection layer (103) to the light-emitting layer (105). The hole injection layer (103) and the hole transport layer (104) are each formed by laminating or mixing one or two or more types of hole injection/transport materials. In addition, an inorganic salt such as iron (III) chloride may be added to the hole injection/transport material to form a layer.
정공 주입·수송성 물질로는, 전계를 주어진 전극 간에서 양극으로부터의 정공을 효율적으로 주입·수송하는 것이 필요하고, 정공 주입 효율이 높고, 주입된 정공을 효율적으로 수송하는 것이 바람직하다. 그러기 위해서는, 이온화 포텐셜이 작고, 또한 정공 이동도가 크고, 더욱이 안정성이 우수하고, 트랩이 되는 불순물이 제조 시 및 사용 시에 발생하기 어려운 물질인 것이 바람직하다. 본 발명의 다환 방향족 화합물을 정공 수송층용 재료로 사용하는 것도 바람직하다.As a hole injection/transport material, it is necessary to efficiently inject and transport holes from the anode between electrodes given an electric field, and it is desirable to have high hole injection efficiency and to efficiently transport the injected holes. To this end, it is desirable to have a small ionization potential, a large hole mobility, excellent stability, and a material that is unlikely to generate trapping impurities during production and use. It is also desirable to use the polycyclic aromatic compound of the present invention as a material for a hole transport layer.
정공 주입층(103) 및 정공 수송층(104)을 형성하는 재료로는, 광도전 재료에 있어서, 정공의 전하 수송 재료로서 종래에 관용되고 있는 화합물, p형 반도체, 유기 EL 소자의 정공 주입층 및 정공 수송층에 사용되고 있는 공지의 화합물 중에서 임의의 화합물을 선택하여 사용할 수 있다. 이들의 구체예는, 카바졸 유도체(N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등), 비스(N-아릴카바졸) 또는 비스(N-알킬카바졸) 등의 비스카바졸 유도체, 트리아릴아민 유도체(방향족 제3급 아미노를 주쇄 또는 측쇄에 가지는 폴리머, 1,1-비스(4-디-p-트릴아미노페닐)시클로헥산, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐, N,N'-디페닐-N,N'-디나프틸-4,4'-디아미노비페닐, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디페닐-1,1'-디아민, N,N'-디나프틸-N,N'-디페닐-4,4'-디페닐-1,1'-디아민, N4,N4'-디페닐-N4,N4'-비스(9-페닐-9H-카바졸-3-일)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민, N4,N4,N4',N4'-테트라[1,1'-비페닐]-4-일)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민, 4,4',4" -트리스(3-메틸페닐(페닐)아미노)트리페닐아민 등의 트리페닐아민유도체, 스타버스트아민 유도체 등), 스틸벤 유도체, 프탈로시아닌 유도체(무금속, 구리프탈로시아닌 등), 피라졸린 유도체, 히드라존계 화합물, 벤조퓨란 유도체나 티오펜 유도체, 옥사디아졸 유도체, 퀴녹살린 유도체(예를 들어, 1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌-2,3,6,7,10,11-헥사카르보니트릴 등), 포르피린 유도체 등의 복소환 화합물, 폴리실란 등이다. 폴리머계에서는 상기 단량체를 측쇄에 가지는 폴리카보네이트나 스티렌 유도체, 폴리비닐카바졸 및 폴리실란 등이 바람직하지만, 발광 소자의 제작에 필요한 박막을 형성하고, 양극으로부터 정공을 주입할 수 있고, 또한 정공을 수송할 수 있는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다.As a material forming the hole injection layer (103) and the hole transport layer (104), any compound can be selected and used from among compounds conventionally used as charge transport materials for holes in photoconductive materials, known compounds used in hole injection layers and hole transport layers of p-type semiconductors, and organic EL devices. Specific examples of these include carbazole derivatives (N-phenylcarbazole, polyvinylcarbazole, etc.), biscarbazole derivatives such as bis(N-arylcarbazole) or bis(N-alkylcarbazole), triarylamine derivatives (polymers having an aromatic tertiary amino in the main chain or side chain, 1,1-bis(4-di-p-triylaminophenyl)cyclohexane, N,N'-diphenyl-N,N'-di(3-methylphenyl)-4,4'-diaminobiphenyl, N,N'-diphenyl-N,N'-dinaphthyl-4,4'-diaminobiphenyl, N,N'-diphenyl-N,N'-di(3-methylphenyl)-4,4'-diphenyl-1,1'-diamine, N,N'-dinaphthyl-N,N'-diphenyl-4,4'-diphenyl-1,1'-diamine, N 4 ,N 4' -Diphenyl- N 4 ,N 4' -Bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine, N 4 ,N 4 ,N 4' ,N 4' -Tetra[1,1'-biphenyl]-4-yl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine, 4,4',4" -Tris(3-methylphenyl(phenyl)amino)triphenylamine, etc. triphenylamine derivatives, starburstamine derivatives, etc.), stilbene derivatives, phthalocyanine derivatives (metal-free, copper phthalocyanine, etc.), pyrazoline derivatives, hydrazone compounds, benzofuran derivatives or thiophene derivatives, oxadiazole derivatives, quinoxaline derivatives (for example, Examples thereof include heterocyclic compounds such as 1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile, porphyrin derivatives, polysilane, etc. In the polymer system, polycarbonate or styrene derivatives having the above monomer in the side chain, polyvinylcarbazole, and polysilane are preferable, but any compound that can form a thin film necessary for producing a light-emitting element, inject holes from the anode, and transport holes is not particularly limited.
또한, 유기 반도체의 도전성은 그 도핑에 의해 강한 영향을 받는 것으로 알려져 있다. 이러한 유기 반도체 매트릭스 물질은 전자 공여성이 양호한 화합물 또는 전자 수용성이 양호한 화합물로 구성되어 있다. 전자 공여 물질의 도핑을 위해, 테트라시아노퀴논디메탄(TCNQ) 또는 2,3,5,6-테트라플루오로테트라시아노-1,4-벤조퀴논디메탄(F4TCNQ) 등의 강한 전자 수용체가 알려져 있다(예를 들어, 문헌 "M.Pfeiffer,A.Beyer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,73(22),3202-3204(1998)" 및 문헌 "J.Blochwitz, M.Pfeiffer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,73(6),729-731(1998)" 참조). 이들은 전자 공여형 베이스 물질(정공 수송 물질)에서의 전자 이동 공정에 의해 소위 정공을 생성한다. 정공의 수와 이동도에 따라 베이스 물질의 전도성이 상당히 크게 변화한다. 정공 수송 특성을 가지는 매트릭스 물질로는, 예를 들어 벤지딘 유도체(TPD 등) 또는 스타버스트아민 유도체(TDATA 등) 또는 특정 금속 프탈로시아닌(특히, 아연프탈로시아닌(ZnPc) 등)이 알려져 있다(일본특허공개공보 제2005-167175호).In addition, it is known that the conductivity of organic semiconductors is strongly affected by their doping. These organic semiconductor matrix materials are composed of compounds having good electron donating properties or compounds having good electron accepting properties. For doping of electron donating substances, strong electron acceptors such as tetracyanoquinone dimethane (TCNQ) or 2,3,5,6-tetrafluorotetracyano-1,4-benzoquinone dimethane (F4TCNQ) are known (see, for example, the literature "M. Pfeiffer, A. Beyer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73(22), 3202-3204(1998)" and the literature "J. Blochwitz, M. Pfeiffer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73(6), 729-731(1998)"). These generate so-called holes by an electron transfer process in an electron-donating base material (hole transport material). The conductivity of the base material changes considerably depending on the number and mobility of holes. As matrix materials having hole transport properties, for example, benzidine derivatives (such as TPD) or starburstamine derivatives (such as TDATA) or specific metal phthalocyanines (particularly, zinc phthalocyanine (ZnPc)) are known (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-167175).
상술한 정공 주입층용 재료 및 정공 수송층용 재료는, 이들에 반응성 치환기가 치환된 반응성 화합물을 모노머로서 고분자화시킨 고분자 화합물 혹은 그 고분자 가교체 또는 주쇄형 고분자와 상기 반응성 화합물을 반응시킨 펜던트형 고분자 화합물 혹은 그 펜던트형 고분자 가교체로도, 정공층용 재료에 사용할 수 있다.The above-described hole injection layer material and hole transport layer material can also be used as a hole layer material, as a polymer compound in which a reactive compound having a reactive substituent substituted therein is polymerized as a monomer, or a polymer crosslinked product thereof, or a pendant polymer compound in which a main chain polymer and the reactive compound are reacted, or a pendant polymer crosslinked product thereof.
3-5. 유기 전계 발광 소자의 발광층3-5. Light-emitting layer of organic electroluminescent device
발광층(105)은, 전계가 부여된 전극 간에서, 양극(102)으로부터 주입된 정공과 음극(108)으로부터 주입된 전자를 재결합시킴으로써 발광하는 층이다. 발광층(105)을 형성하는 재료로는 정공과 전자의 재결합에 의해 여기되어 발광하는 화합물(발광성 화합물)이면 되고, 안정된 박막 형상을 형성할 수 있고, 또한 고체 상태에서 강한 발광(형광) 효율을 나타내는 화합물인 것이 바람직하다. 본 발명의 다환 방향족 화합물은 발광층용 재료로 사용하는 것도 바람직하다.The light-emitting layer (105) is a layer that emits light by recombining holes injected from the anode (102) and electrons injected from the cathode (108) between electrodes to which an electric field is applied. The material forming the light-emitting layer (105) may be a compound (light-emitting compound) that is excited by the recombination of holes and electrons and emits light. It is preferable that the compound be a compound that can form a stable thin film shape and exhibits strong light-emitting (fluorescent) efficiency in a solid state. The polycyclic aromatic compound of the present invention is also preferably used as a material for the light-emitting layer.
발광층은 단일층이나 복수층으로 이루어져 있어도 되고, 각각 발광층용 재료(호스트 재료, 도펀트 재료)에 의해 형성된다. 호스트 재료와 도펀트 재료는 각각 1종류여도 되고, 복수의 조합이어도 된다. 도펀트 재료는 호스트 재료의 전체에 포함되어 있어도 되고, 부분적으로 포함되어 있어도 된다. 도핑 방법으로는 호스트 재료와의 공증착법에 의해 형성될 수 있으나, 호스트 재료와 미리 혼합한 후 동시에 증착하거나, 유기 용매와 함께 호스트 재료와 미리 혼합한 후 습식 성막법에 의해 제막해도 된다.The light-emitting layer may be composed of a single layer or multiple layers, and each is formed by light-emitting layer materials (host material, dopant material). The host material and the dopant material may be one type, or a combination of two or more types. The dopant material may be included in the entirety of the host material, or may be included partially. As a doping method, the dopant material may be formed by a co-deposition method with the host material, but may also be mixed in advance with the host material and then simultaneously deposited, or may be mixed in advance with the host material and then mixed by a wet film formation method.
호스트 재료의 사용량은 호스트 재료의 종류에 따라 다르고, 그 호스트 재료의 특성에 따라 결정하면 된다. 호스트 재료의 사용량의 기준은, 바람직하게는 발광층용 재료 전체 질량 대비 50~99.999질량%이고, 보다 바람직하게는 80~99.95 질량%이며, 더욱 바람직하게는 90~99.9질량%이다.The amount of the host material to be used varies depending on the type of the host material, and can be determined based on the characteristics of the host material. The standard for the amount of the host material to be used is preferably 50 to 99.999 mass%, more preferably 80 to 99.95 mass%, and even more preferably 90 to 99.9 mass%, based on the total mass of the material for the light-emitting layer.
도펀트 재료의 사용량은 도펀트 재료의 종류에 따라 다르고, 그 도펀트 재료의 특성에 따라 결정하면 된다. 도펀트 재료의 사용량의 기준은, 바람직하게는 발광층용 재료 전체 질량 대비 0.001~50질량%이고, 보다 바람직하게는 0.05~20 질량%이며, 더욱 바람직하게는 0.1~10 질량%이다. 상기 범위라면, 예를 들어 농도 소광 현상을 방지할 수 있다는 점에서 바람직하다. 또한, 내구성의 관점에서 도펀트 재료의 수소는 일부 또는 전부가 중수소화되어 있는 것도 바람직하다.The amount of dopant material to be used varies depending on the type of dopant material, and can be determined based on the characteristics of the dopant material. The standard for the amount of dopant material to be used is preferably 0.001 to 50 mass%, more preferably 0.05 to 20 mass%, and even more preferably 0.1 to 10 mass%, based on the total mass of the material for the light-emitting layer. The above range is preferable in that, for example, the concentration quenching phenomenon can be prevented. In addition, from the viewpoint of durability, it is also preferable that some or all of the hydrogen in the dopant material is deuterated.
도펀트 재료로는 에미팅 도펀트 재료와 어시스팅 도펀트 재료를 사용해도 된다. 어시스팅 도펀트 재료로는 열 활성형 지연 형광 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 어시스팅 도펀트 재료를 사용한 유기 전계 발광 소자에서, 에미팅 도펀트 재료의 사용량은 저농도인 것이 농도 소광 현상을 방지할 수 있다는 점에서 바람직하다. 어시스팅 도펀트 재료의 사용량이 고농도인 것이 열 활성형 지연 형광 기구의 효율의 관점에서는 바람직하다. 또한, 열 활성형 지연 형광 어시스팅 도펀트 재료를 사용한 유기 전계 발광 소자에서, 어시스팅 도펀트 재료의 열 활성형 지연 형광 기구의 효율의 관점에서는 어시스팅 도펀트 재료의 사용량에 비해 에미팅 도펀트 재료의 사용량이 저농도인 것이 바람직하다.As the dopant material, an emitting dopant material and an assisting dopant material may be used. It is preferable to use a thermally activated delayed fluorescence material as the assisting dopant material. In an organic electroluminescent device using the assisting dopant material, it is preferable that the amount of the emitting dopant material used is low in that the concentration quenching phenomenon can be prevented. It is preferable that the amount of the assisting dopant material used is high in terms of the efficiency of the thermally activated delayed fluorescence mechanism. Furthermore, in an organic electroluminescent device using a thermally activated delayed fluorescence assisting dopant material, it is preferable that the amount of the emitting dopant material used is low compared to the amount of the assisting dopant material used in terms of the efficiency of the thermally activated delayed fluorescence mechanism of the assisting dopant material.
어시스팅 도펀트 재료가 사용되는 경우에 있어서, 호스트 재료, 어시스팅 도펀트 재료 및 에미팅 도펀트 재료의 사용량의 기준은 각각 발광층용 재료 전체 질량 대비 40~99질량%, 59~1질량% 및 20~0.001질량%이고, 바람직하게는 각각 60~95질량%, 39~5질량% 및 10~0.01질량%이며, 보다 바람직하게는 70~90질량%, 29~10질량% 및 5~0.05질량%이다.In the case where an assisting dopant material is used, the standards for the usage amounts of the host material, the assisting dopant material and the emitting dopant material are 40 to 99 mass%, 59 to 1 mass% and 20 to 0.001 mass%, respectively, based on the total mass of the material for the light-emitting layer, preferably 60 to 95 mass%, 39 to 5 mass% and 10 to 0.01 mass%, respectively, and more preferably 70 to 90 mass%, 29 to 10 mass% and 5 to 0.05 mass%.
<호스트 재료><Host Material>
호스트 재료로는 이전부터 발광체로 알려져 있던 안트라센이나 피렌 등의 축합환 유도체, 비스스티릴안트라센 유도체나 디스티릴벤젠 유도체 등의 비스스티릴 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 플루오렌 유도체, 벤조플루오렌 유도체, N-페닐카바졸 유도체, 카바조니트릴 유도체 등을 들 수 있다.Host materials include condensed ring derivatives such as anthracene or pyrene, which have been previously known as luminescent materials; bistyryl derivatives such as bisstyrylanthracene derivatives or distyrylbenzene derivatives; tetraphenylbutadiene derivatives; cyclopentadiene derivatives; fluorene derivatives; benzofluorene derivatives; N-phenylcarbazole derivatives; and carbazonitrile derivatives.
호스트 재료의 삼중항 에너지는 발광층 내에서 TADF의 발생을 저해하지 않고 촉진시키는 관점에서, 발광층 내에서 가장 높은 삼중항 에너지를 가지는 도펀트 또는 어시스팅 도펀트의 삼중항 에너지에 비해 높은 것이 바람직하고, 구체적으로 호스트 재료의 삼중항 에너지는 0.01eV 이상이 바람직하고, 0.03eV 이상이 보다 바람직하며, 0.1eV 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 호스트 재료에 TADF 활성 화합물을 사용해도 된다.From the viewpoint of promoting rather than inhibiting the generation of TADF in the light-emitting layer, the triplet energy of the host material is preferably higher than the triplet energy of the dopant or assisting dopant having the highest triplet energy in the light-emitting layer, and specifically, the triplet energy of the host material is preferably 0.01 eV or higher, more preferably 0.03 eV or higher, and still more preferably 0.1 eV or higher. In addition, a TADF active compound may be used in the host material.
호스트 재료는 1종류여도 되고, 복수의 조합이어도 된다. 복수의 조합인 경우, 정공 수송성 호스트 재료와 전자 수송성 호스트 재료의 조합인 것이 바람직하다.The host material may be a single type or a combination of multiple types. In the case of a combination of multiple types, it is preferable that it be a combination of a hole-transporting host material and an electron-transporting host material.
본 발명의 다환 방향족 화합물은 호스트 재료로 바람직하게 사용할 수 있다. 본 발명의 다환 방향족 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 정공 수송성 호스트 재료로 사용해도 되고, 전자 수송성 호스트 재료로 사용해도 된다. 본 발명의 다환 방향족 화합물은 특히 전자 수송성 호스트 재료로 사용하는 것이 바람직하다.The polycyclic aromatic compound of the present invention can be preferably used as a host material. The polycyclic aromatic compound of the present invention may be used alone, as a hole-transporting host material, or as an electron-transporting host material. The polycyclic aromatic compound of the present invention is particularly preferably used as an electron-transporting host material.
[정공 수송성 호스트 재료(HH) 및 전자 수송성 호스트 재료(EH)][Hole-transporting host material (HH) and electron-transporting host material (EH)]
정공 수송성 호스트 재료(HH) 및 전자 수송성 호스트 재료(EH)는 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 및 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)에 대하여 다음 관계를 만족한다.The hole-transporting host material (HH) and the electron-transporting host material (EH) satisfy the following relationships for the Highest Occupied Molecular Orbital (HOMO) and the Lowest Unoccupied Molecular Orbital (LUMO).
정공 수송성 호스트 재료(HH)의 HOMO는 전자 수송성 호스트 재료(EH)의 HOMO보다 얕고, 또한 전자 수송성 호스트 재료(EH)의 LUMO는 정공 수송성 호스트 재료(HH)의 LUMO보다 깊다.The HOMO of the hole-transporting host material (HH) is shallower than the HOMO of the electron-transporting host material (EH), and also the LUMO of the electron-transporting host material (EH) is deeper than the LUMO of the hole-transporting host material (HH).
또한, 에미팅 도펀트의 HOMO가 정공 수송성 호스트 재료(HH)의 HOMO보다 얕거나, 또는 에미팅 도펀트의 LUMO가 전자 수송성 호스트 재료(EH)의 LUMO보다 깊은 것이 바람직하다.Additionally, it is preferable that the HOMO of the emitting dopant is shallower than the HOMO of the hole-transporting host material (HH), or that the LUMO of the emitting dopant is deeper than the LUMO of the electron-transporting host material (EH).
또한, 정공 수송성 호스트 재료(HH) 및 전자 수송성 호스트 재료(EH)의 최저 여기 삼중항 에너지 준위(ET1)는 발광층 내에서의 TADF의 발생을 저해하지 않고 촉진시키는 관점에서, 발광층 내에서 가장 높은 ET1을 가지는 에미팅 도펀트 또는 어시스팅 도펀트의 ET1에 비해 높은 것이 바람직하고, 구체적으로 호스트 재료의 ET1은, 상기 에미팅 도펀트 또는 어시스팅 도펀트의 ET1에 비해 0.01eV 이상 높은 것이 바람직하고, 0.03eV 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 0.1eV 이상 높은 것이 더욱 바람직하다. 또한, 호스트 재료의 ET1은 2.47eV 이상이 바람직하고, 2.49eV 이상이 보다 바람직하고, 2.56eV 이상이 더욱 바람직하다.In addition, from the viewpoint of promoting rather than inhibiting the generation of TADF in the emitting layer, the lowest excited triplet energy level (E T1 ) of the hole-transporting host material (HH) and the electron-transporting host material (EH) is preferably higher than the E T1 of the emitting dopant or the assisting dopant having the highest E T1 in the emitting layer, and specifically, the E T1 of the host material is preferably 0.01 eV or higher, more preferably 0.03 eV or higher, and even more preferably 0.1 eV or higher than the E T1 of the emitting dopant or the assisting dopant. In addition, the E T1 of the host material is preferably 2.47 eV or higher, more preferably 2.49 eV or higher, and even more preferably 2.56 eV or higher.
그리고, 발광층에 인접하는 정공 수송층에 정공 수송성 호스트 재료를 사용하고, 또한 이 발광층에 인접하는 전자 수송층에 전자 수송성 호스트 재료를 사용하는 것도 바람직하다. 발광층으로부터 인접층으로의 캐리어 누출·에너지 누출이 일어나기 어려워져서, 높은 효율의 유기 EL 소자가 얻어지기 때문이다. 발광층 중의 호스트 재료(정공 수송성 호스트 재료)와 정공 수송층 재료는 동일해도 상이해도 된다. 또한, 발광층 중의 호스트 재료(전자 수송성 호스트 재료)와 전자 수송층의 재료는 동일해도 상이해도 된다.In addition, it is also preferable to use a hole-transporting host material in the hole-transporting layer adjacent to the light-emitting layer, and to use an electron-transporting host material in the electron-transporting layer adjacent to this light-emitting layer. This is because it becomes difficult for carrier leakage and energy leakage to occur from the light-emitting layer to the adjacent layer, and thus a highly efficient organic EL device can be obtained. The host material (hole-transporting host material) in the light-emitting layer and the material of the hole-transporting layer may be the same or different. In addition, the host material (electron-transporting host material) in the light-emitting layer and the material of the electron-transporting layer may be the same or different.
이하, 본 발명의 다환 방향족 화합물과 함께 사용할 수 있는 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료에 대하여 예시한다.Hereinafter, hole-transporting host materials and electron-transporting host materials that can be used together with the polycyclic aromatic compound of the present invention are exemplified.
[정공 수송성 호스트 재료(HH)][Hole transport host material (HH)]
바람직한 정공 수송성 호스트 재료(HH)의 예로는 식(HH-1)로 표시되거나, 또는 식(HH-1)로 표시되는 부분 구조를 가지고, 아릴환 및 헤테로아릴환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 3개 이상의 환을 포함하는 구조를 가지는 화합물을 들 수 있다. 이 화합물은 이민 구조(-N=C-; 헤테로아릴환의 부분 구조를 포함함), 붕소(>B-) 및 시아노(CN) 중 어느 것도 포함하지 않는 것이 바람직하다.Examples of preferred hole-transporting host materials (HH) include compounds represented by formula (HH-1), or having a partial structure represented by formula (HH-1) and a structure including three or more rings selected from the group consisting of aryl rings and heteroaryl rings. It is preferred that the compound does not include any of an imine structure (-N=C-; including a partial structure of a heteroaryl ring), boron (>B-), and cyano (CN).
식(HH-1)에 있어서,In equation (HH-1),
Q는 >O, >S 또는 >N-AH이고,Q is >O, >S or >NA H ,
식(HH-1)에서의 2개의 페닐 각각에 있어서의 Q가 결합하는 탄소 원자 옆의 1개의 탄소 원자는 서로 L로 결합되어 있어도 되고,In formula (HH-1), one carbon atom next to the carbon atom to which Q is bonded in each of the two phenyls may be bonded to each other as L,
L은 단일 결합, >O, >S 또는 >C(-AH)2이고,L is a single bond, >O, >S or >C(-A H ) 2 ,
AH는 수소, 아릴 또는 헤테로아릴이고, >C(-AH)2에서의 2개의 AH는 서로 결합되어 있어도 된다.A H is Hydrogen, aryl or heteroaryl, and the two A H in >C(-A H ) 2 may be bonded to each other.
정공 수송성 호스트 재료가 식(HH-1)로 표시되는 구조를 부분 구조로 포함하는 경우, 이 부분 구조를 1개 포함하는 것이어도 되지만, 2개 이상 포함하는 것도 바람직하다. 2개 이상 포함하는 경우, 그 2개 이상의 부분 구조는 서로 동일해도 상이해도 된다. 2개 이상의 부분 구조는 서로 단일 결합으로 결합되어 있어도 되고, 부분 구조에 포함된 임의의 환을 공유하도록 결합되어 있어도 되고, 부분 구조에 포함된 임의의 환끼리 축합되도록 하여 결합되어 있어도 된다. 부분 구조는 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노 또는 아릴옥시로부터 선택되는 치환기를 더 가지고 있어도 된다.When the hole-transport host material includes a structure represented by formula (HH-1) as a partial structure, it may include one such partial structure, but it is also preferable to include two or more of them. When it includes two or more, the two or more partial structures may be the same or different. The two or more partial structures may be bonded to each other by a single bond, may be bonded so as to share any ring included in the partial structure, or may be bonded so as to condense any ring included in the partial structure. The partial structure may further have a substituent selected from aryl, heteroaryl, diarylamino, or aryloxy.
상기 식(HH-1)로 표시되거나, 또는 식(HH-1)로 표시되는 부분 구조를 가지는 화합물은 아릴환 및 헤테로아릴환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 3개 이상의 환을 포함하는 구조를 가진다. 포함되는 환의 수는 6 이상인 것이 바람직하고, 8 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 20 이하인 것이 바람직하고, 15 이하인 것이 보다 바람직하고, 10 이하인 것이 더욱 바람직하다. 환의 수는 단환으로서의 수를 의미하고, 축합환에 대해서는 축합환을 구성하는 단환을 카운트한 수로 한다.The compound represented by the above formula (HH-1) or having a partial structure represented by the formula (HH-1) has a structure including three or more rings selected from the group consisting of an aryl ring and a heteroaryl ring. The number of rings included is preferably 6 or more, more preferably 8 or more. In addition, it is preferably 20 or less, more preferably 15 or less, and even more preferably 10 or less. The number of rings means the number as a monocyclic ring, and for a condensed ring, it is the number counting the monocyclic rings constituting the condensed ring.
정공 수송성 호스트 재료는 트리아릴아민 구조, 카바졸환, 디벤조퓨란환, 디벤조티오펜환 및 페녹사진 혹은 페노티아진을 포함하는 축합 다환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 부분 구조를 포함하는 화합물인 것이 바람직하다. 정공 수송성 호스트 재료는, 이러한 부분 구조를 1개 포함하는 것이어도 되지만, 2개 이상 포함하는 것도 바람직하다. 2개 이상 포함하는 경우, 그 2개 이상의 부분 구조는 서로 동일해도 상이해도 된다.The hole-transporting host material is preferably a compound including at least one partial structure selected from the group consisting of a triarylamine structure, a carbazole ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and a condensed polycyclic ring including phenoxazine or phenothiazine. The hole-transporting host material may include one such partial structure, but it is also preferable to include two or more of them. When it includes two or more, the two or more partial structures may be the same or different from each other.
정공 수송성 호스트 재료의 구체예로는, 이하의 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the positive-spot transport host material include the following compounds.
상기 중, HH-1-1, HH-1-2, HH-1-4~HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1-20~HH-1-24, HH-1-82, HH-1-84~HH-1-89, HH-1-91, HH-1-92, HH-1-106~HH-1-108 및 HH-1-109~HH-1-115가 바람직하다.Among the above, HH-1-1, HH-1-2, HH-1-4~HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1-20~HH-1-24, HH-1-82, HH-1-84~HH-1-89, HH-1-91, HH-1-92, HH-1-106~HH-1-108 and HH-1-109~HH-1-115 are preferable.
[전자 수송성 호스트 재료(EH)][Electron Transport Host Material (EH)]
전자 수송성 호스트 재료(EH)의 예로는, 식(EH-1A)~(EH-1D)로 표시되거나, 또는 식(EH-1A)~(EH-1D)로 표시되는 부분 구조를 가지고, 아릴환 및 헤테로아릴환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 3개 이상의 환을 포함하는 구조를 가지는 화합물을 들 수 있다.Examples of electron-transporting host materials (EH) include compounds having a structure represented by formulae (EH-1A) to (EH-1D), or having a partial structure represented by formulae (EH-1A) to (EH-1D) and including three or more rings selected from the group consisting of aryl rings and heteroaryl rings.
식(EH-1A)~(EH-1D)에 있어서,In the case of (EH-1A)~(EH-1D),
Ar은 N=C를 환을 구성하는 부분 구조로 포함하는 헤테로아릴환이고,Ar is a heteroaryl ring containing N=C as a ring-forming substructure,
Z는 단일 결합, -O-, -S- 또는 -N(-AE)-이고,Z is a single bond, -O-, -S- or -N(-A E )-,
Z가 결합하는 탄소 원자 옆의 탄소 원자와 Z가 결합하는 AE는 서로 L로 결합되어 있어도 되고,The carbon atom next to the carbon atom to which Z is bonded and the A E to which Z is bonded may be bonded to each other as L,
L은 단일 결합, >O, >S 또는 >C(-AE)2 이고,L is a single bond, >O, >S or >C(-A E ) 2 ,
AE는 아릴, 헤테로아릴 또는 트리아릴실릴이고, 식(EH-1C)에서 어느 하나의 AE는 디아릴아미노여도 되고,A E is aryl, heteroaryl or triarylsilyl, and in formula (EH-1C), any one of A E may be diarylamino,
같은 원자에 결합하는 2개의 AE는 서로 L을 통해 결합되어 있어도 되고,Two A E 's bonded to the same atom may be bonded to each other through L,
X는 C, P 또는 S이고,X is C, P or S,
X가 C일 때, n=2, m=1이고,When X is C, n=2, m=1,
X가 P일 때, n=3, m=1이고,When X is P, n=3, m=1,
X가 S일 때, n=2, m=1~2이다.When X is S, n=2, m=1~2.
상기 식(EH-1A)~(EH-1D)로 표시되거나, 또는 식(EH-1A)~(EH-1D)로 표시되는 부분 구조를 가지는 화합물은 아릴환 및 헤테로아릴환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 3개 이상의 환을 포함하는 구조를 가진다. 포함되는 환의 수는 4 이상인 것이 바람직하고, 6 이상인 것이 보다 바람직하고, 8 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 20 이하인 것이 바람직하고, 15 이하인 것이 보다 바람직하고, 10 이하인 것이 더욱 바람직하다. 환의 수는 단환으로서의 수를 의미하고, 축합환에 대해서는 축합환을 구성하는 단환을 카운트한 수로 한다.The compound represented by the above formulas (EH-1A) to (EH-1D), or having a partial structure represented by the formulas (EH-1A) to (EH-1D), has a structure including three or more rings selected from the group consisting of an aryl ring and a heteroaryl ring. The number of rings included is preferably 4 or more, more preferably 6 or more, and still more preferably 8 or more. In addition, it is preferably 20 or less, more preferably 15 or less, and still more preferably 10 or less. The number of rings means the number as a monocyclic ring, and for a condensed ring, it is the number counting the monocyclic rings constituting the condensed ring.
전자 수송성 호스트 재료가 식(EH-1A)~(EH-1D)로 표시되는 구조를 부분 구조로 포함할 때, 이 부분 구조를 1개 포함하는 것이어도 되지만, 2개 이상 포함하는 것도 바람직하다. 2개 이상 포함하는 경우, 그 2개 이상의 부분 구조는 서로 동일해도 상이해도 된다. 2개 이상의 부분 구조는 서로 단일 결합으로 결합되어 있어도 되고, 부분 구조에 포함된 임의의 환을 공유하도록 하여 결합되어 있어도 되고, 부분 구조에 포함된 임의의 환끼리가 축합되도록 하여 결합되어 있어도 된다. 부분 구조는 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노 또는 아릴옥시로부터 선택되는 치환기를 더 가지고 있어도 된다.When the electron-transport host material includes a structure represented by formulas (EH-1A) to (EH-1D) as a partial structure, it may include one such partial structure, but it is also preferable to include two or more of them. When including two or more, the two or more partial structures may be the same or different. The two or more partial structures may be bonded to each other by a single bond, may be bonded by sharing any ring included in the partial structure, or may be bonded by condensing any ring included in the partial structure. The partial structure may further have a substituent selected from aryl, heteroaryl, diarylamino, or aryloxy.
전자 수송성 호스트 재료의 구체예로는, 이하의 화합물을 들 수 있다.Specific examples of electron-transporting host materials include the following compounds.
전자 수송성 호스트 재료(식(EH-1)로 표시되는 부분 구조를 가지는 화합물)의 다른 바람직한 예로서, 하기 식(EH-1b)로 표시되는 다환 방향족 화합물 또는 하기 식(EH-1b)로 표시되는 구조를 복수 가지는 다환 방향족 화합물의 다량체를 들 수 있다.As another preferred example of the electron-transporting host material (a compound having a partial structure represented by the formula (EH-1)), a polycyclic aromatic compound represented by the following formula (EH-1b) or a multimer of a polycyclic aromatic compound having multiple structures represented by the following formula (EH-1b) can be mentioned.
식(EH-1b)에 있어서,In the formula (EH-1b),
R1, R2, R3, R4 및 R5(이하, "R1 등"이라고도 함)는 각각 독립적으로 수소 또는 치환기이다. 이 치환기는 치환기군 Z로부터 선택되는 치환기이면 된다.R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 (hereinafter also referred to as “R 1 etc.”) are each independently hydrogen or a substituent. The substituent may be a substituent selected from the substituent group Z.
식(EH-1b)에 있어서, X1 및 X2는 각각 독립적으로 >N-R(아민성 질소), >O, >C(-R)2, >S 또는 >Se이고, X1 및 X2가 모두 >C(-R)2 가 되는 것은 아니며,In formula (EH-1b), X 1 and X 2 are each independently >NR (amine nitrogen), >O, >C(-R) 2 , >S or >Se, and X 1 and X 2 are Not all of them are >C(-R) 2 ,
상기 >N-R 및 >C(-R)2에 있어서의 R은 각각 독립적으로 수소 또는 치환기군 Z로부터 선택되는 치환기이고, 또한 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬(이상, 제2치환기)로 치환되어 있어도 되고, 상기 >N-R 및 >C(-R)2의 R은 각각 독립적으로 연결기 또는 단일 결합에 의해 상기 a환, b환 및 c환의 1개 이상의 환과 결합되어 있어도 된다.In the above >NR and >C(-R) 2, each R is independently hydrogen or a substituent selected from the substituent group Z, and may be substituted with aryl, heteroaryl, alkyl or cycloalkyl (above, the second substituent), and each R in the above >NR and >C(-R) 2 may be independently bonded to one or more rings of the a ring, b ring and c ring via a linking group or a single bond.
Y1, Y2, Y3, Y4, Y5 및 Y6(이하, "Y1 등"이라고도 함)은 각각 독립적으로 =C(-R)- 또는 =N-(피리딘성 질소)이고, 1개 이상은 =N-(피리딘성 질소)이며,Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 , Y 5 and Y 6 (hereinafter also referred to as "Y 1 etc.") are each independently =C(-R)- or =N-(pyridinic nitrogen), and at least one is =N-(pyridinic nitrogen),
상기 =C(-R)-에 있어서의 R은 각각 독립적으로 수소 또는 치환기군 Z로부터 선택되는 치환기이다.In the above =C(-R)-, each R is independently hydrogen or a substituent selected from the substituent group Z.
상기 R1, R2, R3, R4 및 R5, 및 상기 Y1~Y6으로서의 =C(-R)-의 R 중의 인접하는 기끼리가 결합하여 a환, B환 및 C환 중 1개 이상의 환과 함께 아릴환 또는 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 되고, 형성된 환 중 1개 이상의 수소는 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 디아릴보릴(2개의 아릴은 단일 결합 또는 연결기를 통해 결합되어 있어도 됨), 알킬, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시(이상, 제1치환기)로 치환되어 있어도 되고, 이들 중 1개 이상의 수소는 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬(이상, 제2치환기)로 더 치환되어 있어도 된다.The adjacent groups among R in =C(-R)- as the above R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 , and Y 1 to Y 6 may be bonded to form an aryl ring or a heteroaryl ring together with one or more rings among the A ring, the B ring and the C ring, and at least one hydrogen in the formed ring may be substituted with aryl, heteroaryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, diarylboryl (two aryls may be bonded via a single bond or a linking group), alkyl, cycloalkyl, alkoxy or aryloxy (above, a first substituent), and at least one hydrogen among these may be further substituted with aryl, heteroaryl, alkyl or cycloalkyl (above, a second substituent).
식(EH-1b)로 표시되는 화합물 및 구조 중 1개 이상의 수소는 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다.In the compounds and structures represented by the formula (EH-1b), one or more hydrogen atoms may be replaced by cyano, halogen, or deuterium.
식(EH-1b)에서, R1, R2, R3, R4 및 R5는 모두 수소이거나, 또는 R3 및 R4가 모두 수소이고, 또한 R1, R2 및 R5로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상이 수소 이외의 치환기이고, 그 외가 수소인 것이 바람직하다. 치환기로는 알킬, 알킬 혹은 헤테로아릴로 치환되어 있어도 되는 아릴, 알킬 혹은 아릴로 치환되어 있어도 되는 헤테로아릴 또는 알킬 혹은 아릴로 치환되어 있어도 되는 디아릴아미노가 바람직하다. 이때, 알킬로는 탄소수 1~6의 알킬(메틸, t-부틸 등)이 바람직하고, 아릴로는 페닐 또는 비페닐이 바람직하고, 헤테로아릴로는 트리아지닐, 카바졸릴(2-카바졸릴, 3-카바졸릴, 9-카바졸릴 등), 피리미디닐, 피리디닐, 디벤조퓨라닐 또는 디벤조티에닐이 바람직하다. 구체예로는 페닐, 비페닐, 디페닐트리아지닐, 카바졸릴트리아지닐, 모노페닐피리미디닐, 디페닐피리미디닐, 카바졸릴트리아지닐, 피리디닐, 디벤조퓨라닐 및 디벤조티에닐을 들 수 있다.In formula (EH-1b), it is preferred that R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are all hydrogen, or that R 3 and R 4 are both hydrogen, and further that at least one selected from the group consisting of R 1 , R 2 and R 5 is a substituent other than hydrogen, and the others are hydrogen. As the substituent, aryl which may be substituted with alkyl, alkyl or heteroaryl, heteroaryl which may be substituted with alkyl or aryl, or diarylamino which may be substituted with alkyl or aryl is preferred. At this time, alkyl having 1 to 6 carbon atoms (methyl, t-butyl, etc.) is preferable, aryl having phenyl or biphenyl is preferable, and heteroaryl having triazinyl, carbazolyl (2-carbazolyl, 3-carbazolyl, 9-carbazolyl, etc.), pyrimidinyl, pyridinyl, dibenzofuranyl, or dibenzothienyl is preferable. Specific examples include phenyl, biphenyl, diphenyltriazinyl, carbazolyltriazinyl, monophenylpyrimidinyl, diphenylpyrimidinyl, carbazolyltriazinyl, pyridinyl, dibenzofuranyl, and dibenzothienyl.
Y1 등은 각각 독립적으로 =C(-R)- 또는 =N-이고, 1개 이상은 =N-이다. Y1~Y6 중 어느 것이 =N-이어도 된다. 바람직하게는 Y1 및 Y6이 =N-(a환이 피리미딘환), Y1 또는 Y6이 =N-(a환이 피리딘환), Y2 및 Y5가 =N-(b환 및 c환이 피리딘환), Y3 및 Y4가 =N-(b환 및 c환이 피리딘환), Y2~Y5가 =N-(b환 및 c환이 피리미딘환), Y1, Y3, Y4 및 Y6이 =N-(a환이 피리미딘환, b환 및 c환이 피리딘환), Y1, Y2, Y5 및 Y6이 =N-(a환이 피리미딘환, b환 및 c환이 피리딘환), Y1~Y6이 =N-(a환, b환 및 c환이 피리미딘환), Y2 또는 Y5가 =N-(b환 또는 c환이 피리딘환)이다.Y 1 etc. are each independently =C(-R)- or =N-, and at least one is =N-. Any of Y 1 to Y 6 may be =N-. Preferably, Y 1 and Y 6 are =N-(a ring is a pyrimidine ring), Y 1 or Y 6 are =N-(a ring is a pyridine ring), Y 2 and Y 5 are =N-(b ring and c ring are a pyridine ring), Y 3 and Y 4 are =N-(b ring and c ring are a pyridine ring), Y 2 to Y 5 are =N-(b ring and c ring are a pyrimidine ring), Y 1 , Y 3 , Y 4 and Y 6 are =N-(a ring is a pyrimidine ring, b ring and c ring are a pyridine ring), Y 1 , Y 2 , Y 5 and Y 6 are =N-(a ring is a pyrimidine ring, b ring and c ring are a pyridine ring), Y 1 to Y 6 are =N-(a ring, b ring and c ring are a pyrimidine ring), Y 2 or Y 5 are =N-(b ring or c ring is It is a pyridine ring.
또한, 상기 =N-의 배치 관계에 더하여, X1 및 X2가 >O인 것이 바람직하고, 하기 식 중 어느 하나로 표시되는 부분 구조를 포함하는 다환 방향족 화합물이 바람직하다.In addition, in addition to the above arrangement relationship of =N-, it is preferable that X 1 and X 2 are >O, and a polycyclic aromatic compound including a partial structure represented by one of the following formulas is preferable.
특히, 식(EH-1b-N1)로 표시되는 부분 구조를 포함하는 다환 방향족 화합물은 N이 없는 구조와 비교하여, 높은 ES1, 높은 ET1, 작은 △ES1T1을 가진다.In particular, polycyclic aromatic compounds containing a partial structure represented by the formula (EH-1b-N1) have higher E S1 , higher E T1 , compared to structures without N. It has a small △E S1T1 .
식(EH-1b)로 표시되는 다환 방향족 화합물의 구체예를 이하에 나타낸다.Specific examples of polycyclic aromatic compounds represented by the formula (EH-1b) are shown below.
상기 중, EH-1-1~EH-1-4, EH-1-10, EH-1-21~EH-1-25, EH-1-32, EH-1-33, EH-1-51~EH-1-59, EH-1-61, EH-1-66, EH-1-68, EH-1-71, EH-1-72, EH-1-90, EH-1-94~EH-1-99, EH-1-100, EH-1-101, EH-1-104, EH-1-115, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH- 1-123, EH-1-127~EH-1-130이 바람직하다.Among the above, EH-1-1 to EH-1-4, EH-1-10, EH-1-21 to EH-1-25, EH-1-32, EH-1-33, EH-1-51 ~EH-1-59, EH-1-61, EH-1-66, EH-1-68, EH-1-71, EH-1-72, EH-1-90, EH-1-94~EH-1-99, EH-1-100, EH-1-101, EH-1-104, EH-1-115, EH-1-117, EH- 1-120, EH-1-122, EH-1-123, EH-1-127 to EH-1-130 are preferred.
[정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료의 조합][Combination of hole-transporting host materials and electron-transporting host materials]
정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료의 조합은 정공 수송성 호스트 재료, 전자 수송성 호스트 재료 및 도펀트 재료의 HOMO, LUMO 및 최저 여기 삼중항 에너지 준위(ET1)에 의해 선택된다.The combination of the hole-transporting host material and the electron-transporting host material is selected by the HOMO, LUMO and lowest excited triplet energy level (E T1 ) of the hole-transporting host material, the electron-transporting host material and the dopant material.
HOMO 및 LUMO에 대해서는, 정공 수송성 호스트 재료의 HOMO(HH)가 전자 수송성 호스트 재료의 HOMO(EH)보다 얕고, 전자 수송성 호스트 재료의 LUMO(EH)가 정공 수송성 호스트 재료의 LUMO(HH)보다 깊은 조합을 선택하고, 보다 구체적으로는, HOMO(HH)가 HOMO(EH)보다 0.10eV이상 얕고, LUMO(HH)가 HOMO(EH)보다 0.10eV이상 깊은 조합이 바람직하고, HOMO(HH)가 HOMO(EH)보다 0.20eV이상 얕고, LUMO(HH)가 HOMO(EH)보다 0.20eV이상 깊은 조합이 보다 바람직하고, HOMO(HH)가 HOMO(EH)보다 0.25eV 이상 얕고, LUMO(HH)가 HOMO(EH)보다 0.25eV 이상 깊은 조합이 더욱 바람직하다.For HOMO and LUMO, a combination is selected in which the HOMO (HH) of the hole-transporting host material is shallower than the HOMO (EH) of the electron-transporting host material, and the LUMO (EH) of the electron-transporting host material is deeper than the LUMO (HH) of the hole-transporting host material, and more specifically, a combination in which the HOMO (HH) is shallower than the HOMO (EH) by 0.10 eV or more and the LUMO (HH) is deeper than the HOMO (EH) by 0.10 eV or more is preferable, a combination in which the HOMO (HH) is shallower than the HOMO (EH) by 0.20 eV or more and the LUMO (HH) is deeper than the HOMO (EH) by 0.20 eV or more is more preferable, and a combination in which the HOMO (HH) is shallower than the HOMO (EH) by 0.25 eV or more and the LUMO (HH) is deeper than the HOMO (EH) by 0.25 eV or more. Deeper combinations of 0.25 eV or more are more desirable.
정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료는 엑시플렉스(exciplex)라고 불리는 회합체를 형성하는 조합이어도 된다. 엑시플렉스는 비교적 깊은 LUMO 준위를 가지는 재료와 얕은 HOMO 준위를 가지는 재료 사이에서 형성되기 쉽다는 것이 일반적으로 알려져 있다. 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료의 상호 작용, 구체적으로는 엑시플렉스를 형성하고 있는지 아닌지는, 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료만으로 이루어진 단층막을 발광층의 형성 조건과 동일하게 형성하여 발광 스펙트럼(형광, 인광 스펙트럼)을 측정하고, 얻어진 발광 스펙트럼을, 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료 각각이 단독으로 표시되는 발광 스펙트럼과 비교함으로써 판단할 수 있다. 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료를 포함하는 혼합막의 스펙트럼은 정공 수송성 호스트 재료의 막 스펙트럼 및 전자 수송성 호스트 재료의 막 스펙트럼의 어느 것과도 다른 발광 파장을 나타냄으로써 판단할 수 있다. 구체적으로는, 스펙트럼의 피크 파장이 10㎚ 이상 다른 것을 지표로 하면 된다.The hole-transport host material and the electron-transport host material may be a combination that forms an assembly called an exciplex. It is generally known that an exciplex is easily formed between a material having a relatively deep LUMO level and a material having a shallow HOMO level. The interaction of the hole-transport host material and the electron-transport host material, specifically whether or not an exciplex is formed, can be judged by forming a monolayer film composed of only the hole-transport host material and the electron-transport host material under the same conditions for forming a light-emitting layer, measuring an emission spectrum (fluorescence, phosphorescence spectrum), and comparing the obtained emission spectrum with an emission spectrum displayed by each of the hole-transport host material and the electron-transport host material alone. The spectrum of the mixed film including the hole-transport host material and the electron-transport host material can be judged by exhibiting an emission wavelength that is different from either the film spectrum of the hole-transport host material or the film spectrum of the electron-transport host material. Specifically, it is sufficient that the peak wavelengths of the spectra differ by 10 nm or more as an indicator.
엑시플렉스를 형성하지 않는 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료의 조합의 구체예로는 이하의 조합을 들 수 있다. 상기 HOMO, LUMO 및 ET1의 물성치를 만족시키기 위해 정공 수송성 호스트 재료에 있어서는, 카바졸, 디벤조퓨란, 디벤조티오펜, 트리아릴아민, 인돌로카바졸 및 벤조옥사지노페녹사진을 부분 구조로서 가지는 화합물이 바람직하고, 카바졸, 디벤조퓨란 및 디벤조티오펜을 부분 구조로서 가지는 화합물이 보다 바람직하고, 카바졸을 부분 구조로서 가지는 화합물이 더욱 바람직하다. 마찬가지로, 전자 수송성 호스트 재료에 있어서는, 피리딘, 트리아진, 포스핀옥사이드, 벤조플로피리딘 및 디벤조옥사실린을 부분 구조로서 가지는 화합물이 바람직하고, 트리아진, 포스핀옥사이드, 벤조플로피리딘 및 디벤조옥사실린을 부분 구조로서 가지는 화합물이 보다 바람직하고, 트리아진을 가지는 화합물이 더욱 바람직하다.Specific examples of combinations of a hole-transporting host material and an electron-transporting host material that do not form an exciplex include the following combinations. In order to satisfy the physical properties of the above HOMO, LUMO and E T1 , in the hole-transporting host material, compounds having carbazole, dibenzofuran, dibenzothiophene, triarylamine, indolocarbazole and benzoxazinophenoxazine as partial structures are preferable, compounds having carbazole, dibenzofuran and dibenzothiophene as partial structures are more preferable, and compounds having carbazole as partial structures are even more preferable. Likewise, for the electron-transporting host material, compounds having pyridine, triazine, phosphine oxide, benzoflopyridine and dibenzoxacillin as partial structures are preferable, compounds having triazine, phosphine oxide, benzoflopyridine and dibenzoxacillin as partial structures are more preferable, and compounds having triazine are still more preferable.
보다 구체적으로, 정공 수송성 호스트 재료는 HH-1-1, HH-1-2, HH-1-4~HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1-20~HH-1-24, HH-1-82, HH-1-84~HH-1-89, HH-1-91, HH-1-92 및 HH-1-106~HH-1-108로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하고, 전자 수송성 호스트 재료는 EH-1-1~EH-1-4, EH-1-10, EH-1-21~EH-1-25, EH-1-32, EH-1-33, EH-1-51~EH-1-59, EH-1-61, EH-1-71, EH-1-72, EH-1-90, EH-1-100, EH-1-101, EH-1-104, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH-1-123 및 EH-1-127~EH-1-130으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 조합으로서 바람직한 예로는, 화합물 HH-1-1 및 화합물 EH-1-22, 화합물 HH-1-1 및 화합물 EH-1-23, 화합물 HH-1-1 및 화합물 EH-1-24, 화합물 HH-1-2 및 화합물 EH-1-22, 화합물 HH-1-2 및 화합물 EH-1-23, 화합물 HH-1-2 및 화합물 EH-1-24 또는 화합물 HH-1-1 및 화합물 EH-1-128을 들 수 있다.More specifically, the hole transport host material is preferably selected from the group consisting of HH-1-1, HH-1-2, HH-1-4~HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1-20~HH-1-24, HH-1-82, HH-1-84~HH-1-89, HH-1-91, HH-1-92 and HH-1-106~HH-1-108, and the electron transport host material is preferably selected from the group consisting of EH-1-1~EH-1-4, EH-1-10, EH-1-21~EH-1-25, EH-1-32, EH-1-33, EH-1-51~EH-1-59, EH-1-61, EH-1-71, EH-1-72, It is preferable to select from the group consisting of EH-1-90, EH-1-100, EH-1-101, EH-1-104, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH-1-123 and EH-1-127 to EH-1-130. Preferred examples as a combination include compound HH-1-1 and compound EH-1-22, compound HH-1-1 and compound EH-1-23, compound HH-1-1 and compound EH-1-24, compound HH-1-2 and compound EH-1-22, compound HH-1-2 and compound EH-1-23, compound HH-1-2 and compound EH-1-24 or compound HH-1-1 and compound EH-1-128.
엑시플렉스를 형성하는 정공 수송성 호스트 재료 및 전자 수송성 호스트 재료의 조합의 구체예로는 이하의 조합을 들 수 있다. 상기 HOMO, LUMO 및 ET1의 물성치를 만족시키기 위해 정공 수송성 호스트 재료에 있어서는, 카바졸, 트리아릴아민, 인돌로카바졸 및 벤조옥사지노페녹사진을 부분 구조로서 가지는 화합물이 바람직하고, 트리아릴아민, 인돌로카바졸 및 벤조옥사지노페녹사진을 부분 구조로서 가지는 화합물이 보다 바람직하고, 트리아릴아민을 부분 구조로서 가지는 화합물이 더욱 바람직하다. 마찬가지로, 전자 수송성 호스트 재료에 있어서는, 피리딘, 트리아진, 포스핀옥사이드 및 벤조플로피리딘을 부분 구조로서 가지는 화합물이 바람직하고, 트리아진, 포스핀옥사이드, 벤조플로피리딘 및 디벤조옥사실린을 부분 구조로서 가지는 화합물이 보다 바람직하고, 포스핀옥사이드 및 트리아진을 가지는 화합물이 더욱 바람직하다.Specific examples of combinations of a hole-transporting host material and an electron-transporting host material forming an exciplex include the following combinations. In order to satisfy the physical properties of the above HOMO, LUMO and E T1 , for the hole-transporting host material, compounds having carbazole, triarylamine, indolocarbazole and benzoxazinophenoxazine as partial structures are preferable, compounds having triarylamine, indolocarbazole and benzoxazinophenoxazine as partial structures are more preferable, and compounds having triarylamine as partial structures are even more preferable. Similarly, for the electron-transporting host material, compounds having pyridine, triazine, phosphine oxide and benzoflopyridine as partial structures are preferable, compounds having triazine, phosphine oxide, benzoflopyridine and dibenzoxacillin as partial structures are more preferable, and compounds having phosphine oxide and triazine are even more preferable.
보다 구체적으로, 정공 수송성 호스트 재료는 HH-1-1, HH-1-2, HH-1-11, HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1-23, HH-1-24 및 HH-1-115로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하고, 전자 수송성 호스트 재료는 EH-1-1~EH-1-4, EH-1-21~EH-1-25, EH-1-51~EH-1-57, EH-1-59, EH-1-66, EH-1-68, EH-1-90, EH-1-94, EH-1-99, EH-1-100, EH-1-101, EH-1-104, EH-1-117, EH-1-120, EH-1-122, EH-1-123 및 EH-1-127~EH-1-130으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 조합으로서 바람직한 예로는, 화합물 HH-1-1 및 화합물 EH-1-21, 화합물 HH-1-2 및 화합물 EH-1-21, 화합물 HH-1-12 및 화합물 EH-1-94, 화합물 HH-1-12 및 화합물 EH-1-117, 화합물 HH-1-1 및 화합물 EH-1-130, 화합물 HH-1-33 및 화합물 EH-1-117, 화합물 HH-1-48 및 화합물 EH-1-117, 화합물 HH-1-49 및 화합물 EH-1-117, 화합물 HH-1-115 및 화합물 EH-1-99를 들 수 있다.More specifically, the hole transport host material is preferably selected from the group consisting of HH-1-1, HH-1-2, HH-1-11, HH-1-12, HH-1-17, HH-1-18, HH-1-23, HH-1-24 and HH-1-115, and the electron transport host material is preferably selected from the group consisting of EH-1-1 to EH-1-4, EH-1-21 to EH-1-25, EH-1-51 to EH-1-57, EH-1-59, EH-1-66, EH-1-68, EH-1-90, EH-1-94, EH-1-99, EH-1-100, EH-1-101, EH-1-104, EH-1-117, EH-1-120, It is preferred to be selected from the group consisting of EH-1-122, EH-1-123, and EH-1-127 to EH-1-130. Preferred examples as combinations include compound HH-1-1 and compound EH-1-21, compound HH-1-2 and compound EH-1-21, compound HH-1-12 and compound EH-1-94, compound HH-1-12 and compound EH-1-117, compound HH-1-1 and compound EH-1-130, compound HH-1-33 and compound EH-1-117, compound HH-1-48 and compound EH-1-117, compound HH-1-49 and compound EH-1-117, compound HH-1-115 and compound EH-1-99.
그 밖에, 구체적인 정공 수송성 호스트 재료와 전자 수송성 호스트 재료의 조합에 대해서는 Organic Electronics 66(2019) 227-24, Advanced. Functional Materials 25(2015) 361-366., Advanced Materials 26(2014) 4730-4734., ACS Applied Materials and Interfaces 8(2016) 32984-32991., ACS Applied Materials and Interfaces 2016, 8, 9806-9810, ACS Applied Materials and Interfaces, 2016, 8, 32984-32991, Journal of Materials Chemistry C, 2018, 6, 8784-8792, Angewante Chemie International Edition. 2018, 57, 12380-12384, Advanced Functional Materials, 24, 2014, 3970, Advanced Materials, 26, 2014, 5684, Synthetic Metals, 201, 2015, 49 및 Nature Photonics, 16, 212-218(2022) 등의 기재를 참조할 수 있다.In addition, for the combination of specific hole-transporting host materials and electron-transporting host materials, see Organic Electronics 66(2019) 227-24, Advanced. Functional Materials 25(2015) 361-366., Advanced Materials 26(2014) 4730-4734., ACS Applied Materials and Interfaces 8(2016) 32984-32991., ACS Applied Materials and Interfaces 2016, 8, 9806-9810, ACS Applied Materials and Interfaces, 2016, 8, 32984-32991, Journal of Materials Chemistry C, 2018, 6, 8784-8792, Angewante Chemie International Edition. See also 2018, 57, 12380-12384, Advanced Functional Materials, 24, 2014, 3970, Advanced Materials, 26, 2014, 5684, Synthetic Metals, 201, 2015, 49, and Nature Photonics, 16, 212-218(2022).
<도펀트 재료(에미팅 도펀트 재료)><Dopant material (emitting dopant material)>
도펀트 재료로는 공지의 화합물을 사용할 수 있고, 원하는 발광색에 따라 다양한 재료 중에서 선택할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 페난트렌, 안트라센, 피렌, 테트라센, 펜타센, 페릴렌, 나프토피렌, 디벤조피렌, 루브렌 및 크리센 등의 축합환 유도체, 벤조옥사졸 유도체, 벤조티아졸 유도체, 벤조이미다졸 유도체, 벤조트리아졸 유도체, 옥사졸 유도체, 옥사디아졸 유도체, 티아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 티아디아졸 유도체, 트리아졸 유도체, 피라졸린 유도체, 스틸벤 유도체, 티오펜 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 비스스티릴안트라센 유도체 또는 디스티릴벤젠 유도체 등의 비스스티릴 유도체(일본특허공개공보 평1-245087호), 비스스티릴아릴렌 유도체(일본특허공개공보 평2-247278호), 디아자인다센 유도체, 퓨란 유도체, 벤조퓨란 유도체, 페닐이소벤조퓨란, 디메시틸이소벤조퓨란, 디(2-메틸페닐)이소벤조퓨란, 디(2-트리플루오로메틸페닐)이소벤조퓨란, 페닐이소벤조퓨란 등의 이소벤조퓨란 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 7-디알킬아미노쿠마린 유도체, 7-피페리디노쿠마린 유도체, 7-하이드록시쿠마린 유도체, 7-메톡시쿠마린 유도체, 7-아세톡시쿠마린 유도체, 3-벤조티아졸릴쿠마린 유도체, 3-벤조이미다졸릴쿠마린 유도체, 3-벤조옥사졸릴쿠마린 유도체 등의 쿠마린 유도체, 디시아노메틸렌피란 유도체, 디시아노메틸렌티오피란 유도체, 폴리메틴 유도체, 시아닌 유도체, 옥소벤조안트라센 유도체, 크산텐 유도체, 로다민 유도체, 플루오레세인 유도체, 피릴륨 유도체, 카보스티릴 유도체, 아크리딘 유도체, 옥사진 유도체, 페닐렌옥사이드 유도체, 퀴나크리돈 유도체, 퀴나졸린 유도체, 피롤로피리딘 유도체, 퓨로피리딘 유도체, 1,2,5-티아디아졸로피렌 유도체, 피로메텐 유도체, 페리논 유도체, 피롤로피롤 유도체, 스쿠아릴륨 유도체, 비올란트론 유도체, 페나진 유도체, 아크리돈 유도체, 데아자플라빈 유도체, 플루오렌 유도체 및 벤조플루오렌 유도체 등을 들 수 있다.Any known compound can be used as a dopant material, and various materials can be selected depending on the desired emission color. Specifically, for example, condensed ring derivatives such as phenanthrene, anthracene, pyrene, tetracene, pentacene, perylene, naphthopyrene, dibenzopyrene, rubrene and chrysene, benzoxazole derivatives, benzothiazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzotriazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiazole derivatives, imidazole derivatives, thiadiazole derivatives, triazole derivatives, pyrazoline derivatives, stilbene derivatives, thiophene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, cyclopentadiene derivatives, bisstyryl derivatives such as bisstyrylanthracene derivatives or distyrylbenzene derivatives (Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 1-245087), bisstyrylarylene derivatives (Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 2-247278), diazindacene derivatives, furan derivatives, benzofuran derivatives, phenylisobenzofuran, Isobenzofuran derivatives such as dimethicylisobenzofuran, di(2-methylphenyl)isobenzofuran, di(2-trifluoromethylphenyl)isobenzofuran, and phenylisobenzofuran, dibenzofuran derivatives, 7-dialkylaminocoumarin derivatives, 7-piperidinocoumarin derivatives, 7-hydroxycoumarin derivatives, 7-methoxycoumarin derivatives, 7-acetoxycoumarin derivatives, 3-benzothiazolylcoumarin derivatives, 3-benzoimidazolylcoumarin derivatives, 3-benzoxazolylcoumarin derivatives, and coumarin derivatives such as dicyanomethylenepyran derivatives, dicyanomethylenethiopyran derivatives, polymethine derivatives, cyanine derivatives, oxobenzoanthracene derivatives, xanthene derivatives, rhodamine derivatives, fluorescein derivatives, pyrylium derivatives, carbostyril derivatives, acridine derivatives, oxazines Derivatives, phenylene oxide derivatives, quinacridone derivatives, quinazoline derivatives, pyrrolopyridine derivatives, furopyridine derivatives, 1,2,5-thiadiazolopyrene derivatives, pyrromethene derivatives, perinone Examples thereof include derivatives, pyrrolopyrrole derivatives, squarylium derivatives, violanthrone derivatives, phenazine derivatives, acridone derivatives, deazaflavine derivatives, fluorene derivatives, and benzofluorene derivatives.
에미팅 도펀트 재료로는 국제공개공보 제2015/102118호, 국제공개공보 제2020/162600호, 일본특허공개공보 제2021-077890호의 단락 0097~0269 등에 기재된 붕소를 포함하는 다환 방향족 화합물을 사용하는 것도 바람직하다. 붕소 원자를 가지는 다환 방향족 화합물은 형광체여도 되고, TADF 재료(열 활성형 지연 형광체)여도 된다. 붕소 원자를 가지는 다환 방향족 화합물은 청색 발광 화합물인 것이 바람직하다.As an emitting dopant material, it is also preferable to use a polycyclic aromatic compound containing boron as described in paragraphs 0097 to 0269 of International Publication No. 2015/102118, International Publication No. 2020/162600, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2021-077890, etc. The polycyclic aromatic compound having a boron atom may be a fluorescent substance or a TADF material (thermally activated delayed fluorescent substance). It is preferable that the polycyclic aromatic compound having a boron atom is a blue luminescent compound.
붕소를 포함하는 다환 방향족 화합물의 바람직한 예로는 하기 식(12), 식(13) 또는 식(14)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.Preferred examples of polycyclic aromatic compounds containing boron include compounds represented by the following formula (12), formula (13), or formula (14).
A환, B환, C환 및 D환은 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환이고,A ring, B ring, C ring and D ring are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring,
Y는 B(붕소)이고,Y is B (boron),
X1, X2, X3 및 X4는 각각 독립적으로 >O, >N-R, >S 또는 >Se이고, 상기 >N-R의 R은 치환 혹은 무치환된 아릴, 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴 또는 치환 혹은 무치환된 알킬이고, 또한 상기 >N-R의 R은 연결기 또는 단일 결합에 의해 상기 A환, B환, C환 및/또는 D환과 결합되어 있어도 되고,X 1 , X 2 , X 3 and X 4 are each independently >O, >NR, >S or >Se, and R of the >NR is substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl or substituted or unsubstituted alkyl, and further, R of the >NR may be bonded to the A ring, B ring, C ring and/or D ring by a linking group or a single bond,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1~6의 알킬, 탄소수 6~12의 아릴, 탄소수 2~15의 헤테로아릴 또는 디아릴아미노(단, 아릴은 탄소수 6~12의 아릴)이고,R 1 and R 2 are each independently hydrogen, alkyl having 1 to 6 carbon atoms, aryl having 6 to 12 carbon atoms, heteroaryl having 2 to 15 carbon atoms, or diarylamino (provided that aryl is aryl having 6 to 12 carbon atoms),
Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 치환기군 Z로부터 선택되는 어느 하나의 치환기이고, Z1은 연결기 또는 단일 결합으로 상기 A환과 결합해도 되고, Z2는 연결기 또는 단일 결합으로 상기 C환과 결합해도 되고, 그리고Z 1 and Z 2 are each independently any one substituent selected from the substituent group Z, Z 1 may be bonded to the A ring as a linking group or a single bond, Z 2 may be bonded to the C ring as a linking group or a single bond, and
식(12)로 표시되는 화합물에서 1개 이상의 수소는 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다.In the compound represented by formula (12), one or more hydrogen atoms may be replaced with cyano, halogen, or deuterium.
식(12)의 A환, B환, C환 및 D환에서 아릴환 또는 헤테로아릴환이 치환되어 있을 때의 치환기 및 Z1, Z2로는 치환기군 Z로부터 선택되는 치환기를 들 수 있다.When an aryl ring or heteroaryl ring is substituted in the A ring, B ring, C ring and D ring of formula (12), the substituent and Z 1 and Z 2 may be a substituent selected from the substituent group Z.
식(12)에서 X1, X2, X3 및 X4는 각각 독립적으로 >O, >N-R, >S 또는 >Se이고, 상기 >N-R의 R은 각각 독립적으로 탄소수 6~12의 아릴, 탄소수 2~15의 헤테로아릴, 탄소수 3~12의 시클로알킬 또는 탄소수 1~6의 알킬이다.In formula (12), X 1 , X 2 , X 3 , and X 4 are each independently >O, >NR, >S, or >Se, and R of the >NR is each independently an aryl having 6 to 12 carbon atoms, a heteroaryl having 2 to 15 carbon atoms, a cycloalkyl having 3 to 12 carbon atoms, or an alkyl having 1 to 6 carbon atoms.
식(12)로 표시되는 화합물에서는 높은 TADF성의 관점에서, Z1 및 Z2가 치환기를 가져도 되는 디페닐아미노 또는 치환기를 가져도 되는 N-카바졸릴인 것이 바람직하고, 치환기를 가져도 되는 디페닐아미노인 것이 보다 바람직하다. 치환기를 가져도 되는 디페닐아미노로는 무치환된 디페닐아미노 또는 1개 이상의 탄소수 1~4의 알킬을 가지는 디페닐아미노인 것이 바람직하고, 무치환된 디페닐아미노 또는 N에 대해 m위치 또는 o위치에 1개 이상의 메틸을 가지는 디페닐아미노가 보다 바람직하다. 합성의 용이성 및 발광 파장의 관점에서, A환, B환, C환 및 D환에서의 아릴환 또는 헤테로아릴환은 Z1 및 Z2 이외에는 치환기를 가지고 있지 않거나, 탄소수 1~6의 알킬만을 기타 치환기로 가지고 있는 것이 바람직하고, Z1 및 Z2 이외에는 치환기를 가지고 있지 않은 것이 보다 바람직하다. In the compound represented by formula (12), from the viewpoint of high TADF property, it is preferable that Z 1 and Z 2 are diphenylamino which may have a substituent or N-carbazolyl which may have a substituent, and it is more preferable that it is diphenylamino which may have a substituent. As the diphenylamino which may have a substituent, unsubstituted diphenylamino or diphenylamino having at least one alkyl having 1 to 4 carbon atoms is preferable, and unsubstituted diphenylamino or diphenylamino having at least one methyl at the m-position or o-position with respect to N is more preferable. From the viewpoints of ease of synthesis and emission wavelength, it is preferable that the aryl ring or heteroaryl ring in the A ring, B ring, C ring and D ring does not have a substituent other than Z 1 and Z 2 , or only has an alkyl having 1 to 6 carbon atoms as another substituent, and it is more preferable that it does not have a substituent other than Z 1 and Z 2 .
식(12)로 표시되는 화합물의 예를 이하에 나타낸다.An example of a compound represented by Equation (12) is shown below.
식(13) 및 식(14) 중,Among equations (13) and (14),
A11환, A21환, A31환, B11환, B21환, C11환 및 C31환은 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환이고,A 11 ring, A 21 ring, A 31 ring, B 11 ring, B 21 ring, C 11 ring and C 31 ring are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring,
Y11, Y21, Y31은 B(붕소)이고,Y 11 , Y 21 , Y 31 are B (boron),
X11, X12, X21, X22, X31 및 X32는 각각 독립적으로 >O, >N-R, >S 또는 >Se이고, 상기 >N-R의 R은 치환 혹은 무치환된 아릴, 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴 또는 치환 혹은 무치환된 알킬이고, 또한 상기 >N-R의 R은 연결기 또는 단일 결합에 의해 A11환, A21환, A31환, B11환, B21환, C11환 및/또는 C31환과 결합되어 있어도 되고,X 11 , X 12 , X 21 , X 22 , X 31 and X 32 are each independently >O, >NR, >S or >Se, and R of said >NR is substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted heteroaryl or substituted or unsubstituted alkyl, and further, R of said >NR may be bonded to an A 11 ring, an A 21 ring, an A 31 ring, a B 11 ring, a B 21 ring, a C 11 ring and/or a C 31 ring by a linking group or a single bond,
식(13) 및 식(14)로 표시되는 화합물에서 1개 이상의 수소는 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다.In the compounds represented by formulas (13) and (14), one or more hydrogen atoms may be replaced with cyano, halogen, or deuterium.
식(13) 및 식(14)의 A11환, A21환, A31환, B11환, B21환, C11환 및 C31환에서 아릴환 또는 헤테로아릴환이 치환되어 있을 때의 치환기 및 Z1, Z2로는 치환기군 Z로부터 선택되는 치환기를 들 수 있다.When an aryl ring or heteroaryl ring is substituted in the A 11 ring, A 21 ring, A 31 ring, B 11 ring, B 21 ring, C 11 ring and C 31 ring of formulas (13) and (14), the substituent and Z 1 and Z 2 may be a substituent selected from the substituent group Z.
식(13) 및 식(14)에서 X11, X12, X21, X22, X31 및 X32는 각각 독립적으로 >O, >N-R, >S 또는 >Se이고, 상기 >N-R의 R은 각각 독립적으로 탄소수 6~12의 아릴, 탄소수 2~15의 헤테로아릴, 탄소수 3~12의 시클로알킬 또는 탄소수 1~6의 알킬이다.In formulas (13) and (14), X 11 , X 12 , X 21 , X 22 , X 31 , and X 32 are each independently >O, >NR, >S, or >Se, and R of the >NR is each independently an aryl having 6 to 12 carbon atoms, a heteroaryl having 2 to 15 carbon atoms, a cycloalkyl having 3 to 12 carbon atoms, or an alkyl having 1 to 6 carbon atoms.
식(13) 또는 식(14)로 표시되는 화합물의 예를 이하에 나타낸다.Examples of compounds represented by formula (13) or formula (14) are shown below.
<어시스팅 도펀트(열 활성형 지연 형광체 또는 인광 재료)><Assisting dopant (thermally activated delayed phosphor or phosphorescent material)>
발광층은 에미팅 도펀트 및 호스트 재료와 함께 어시스팅 도펀트를 포함하고 있는 것도 바람직하다. 어시스팅 도펀트로는 열 활성형 지연 형광체 또는 인광 재료가 바람직하다.It is also preferred that the light-emitting layer contain an assisting dopant together with the emitting dopant and the host material. The assisting dopant is preferably a thermally activated delayed phosphor or phosphorescent material.
본 실시 형태에서는 호스트로서 정공 수송성 호스트 재료와 전자 수송성 호스트 재료의 조합을 사용하는 것도 바람직하고, 본 발명의 다환 방향족 화합물은 전자 수송성 호스트 재료로 바람직하게 사용할 수 있다.In this embodiment, it is also preferable to use a combination of a hole-transporting host material and an electron-transporting host material as a host, and the polycyclic aromatic compound of the present invention can be preferably used as the electron-transporting host material.
호스트 화합물의 인광 스펙트럼의 피크 단파장측의 숄더로부터 구해지는 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(1, T, Sh)는 발광층 내에서의 TADF의 발생을 저해하지 않고 촉진시키는 관점에서, 발광층 내에서 가장 높은 최저 여기 삼중항 에너지 준위를 가지는 에미팅 도펀트 또는 어시스팅 도펀트의 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(2, T, Sh), E(3, T, Sh)에 비해 높은 것이 바람직하고, 구체적으로는 호스트 화합물의 최저 여기 삼중항 에너지 준위 E(1, T, Sh)는 E(2, T, Sh), E(3, T, Sh)에 비해 0.01eV 이상 높은 것이 바람직하고, 0.03eV 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 0.1eV 이상 높은 것이 더욱 바람직하다.The lowest excited triplet energy level E(1, T, Sh) obtained from the shoulder on the short-wavelength side of the peak of the phosphorescence spectrum of the host compound is preferably higher than the lowest excited triplet energy levels E(2, T, Sh), E(3, T, Sh) of the emitting dopant or assisting dopant having the highest lowest excited triplet energy level in the emitting layer, from the viewpoint of promoting rather than inhibiting the generation of TADF in the emitting layer. Specifically, the lowest excited triplet energy level E(1, T, Sh) of the host compound is preferably 0.01 eV or higher than E(2, T, Sh), E(3, T, Sh), more preferably 0.03 eV or higher, and still more preferably 0.1 eV or higher.
[열 활성형 지연 형광체][Thermo-activated delayed phosphor]
"열 활성형 지연 형광체"란, 열 에너지를 흡수하여 최저 여기 삼중항 상태로부터 최저 여기 일중항 상태로의 역항간 교차를 일으켜, 그 최저 여기 일중항 상태로부터 방사 실활하여 지연 형광을 방사할 수 있는 화합물을 의미한다. 단, "열 활성형 지연 형광"이란, 최저 여기 삼중항 상태로부터 최저 여기 일중항 상태로의 여기 과정에서 고차 삼중항을 거치는 것도 포함한다. 예를 들어, Durham 대학의 Monkman 등에 의한 논문(NATURE COMMUNICATIONS,7:13680,DOI: 10.1038/ncomms13680), 산업기술종합연구소의 호소카이 등에 의한 논문(Hosokai et al., Sci. Adv. 2017;3: e1603282), 교토 대학의 사토 등에 의한 논문(Scientific Reports,7:4820, DOI:10.1038/s41598-017-05007-7), 마찬가지로 교토 대학의 사토 등에 의한 학회 발표(일본 화학회 제98 춘계연회, 발표 번호:2I4-15, DABNA를 발광 분자로서 이용한 유기 전계 발광에 있어서의 고효율 발광의 기구, 교토 대학 대학원 공학 연구과), Bui 등에 의한 리뷰(DOI:10.3762/bjoc.14.18), Duan 등에 의한 리뷰(DOI:10.1063/1.5143501), Ding 등에 의한 리뷰(DOI:10.1088/1674-4926/42/5/050201) 및 Xie 등에 의한 리뷰(DOI:10.1002/adom.202002204) 등을 들 수 있다. 본 발명에서는, 대상 화합물을 포함하는 샘플에 대하여 300K에서 형광 수명을 측정했을 때, 느린 형광 성분이 관측된 것을 가지고 해당 대상 화합물이 "열 활성형 지연 형광체"라고 판정하는 것으로 한다. 여기서, 느린 형광 성분이란, 형광 수명이 0.1μsec 이상인 것을 말한다. 형광 수명의 측정은, 예를 들어 형광 수명 측정 장치(하마마츠 포토닉스사제, C11367-01)를 이용하여 실시할 수 있다.The term "thermally activated delayed fluorescence" refers to a compound that can absorb thermal energy to cause reverse inter-system crossing from the lowest excited triplet state to the lowest excited singlet state, thereby emitting delayed fluorescence by radiative deactivation from the lowest excited singlet state. However, the term "thermally activated delayed fluorescence" also includes a compound that passes through a higher-order triplet during the excitation process from the lowest excited triplet state to the lowest excited singlet state. For example, a paper by Monkman et al. of Durham University (NATURE COMMUNICATIONS, 7:13680, DOI: 10.1038/ncomms13680), a paper by Hosokai et al. of the National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (Hosokai et al., Sci. Adv. 2017;3: e1603282), a paper by Sato et al. of Kyoto University (Scientific Reports, 7:4820, DOI: 10.1038/s41598-017-05007-7), a conference presentation by Sato et al. of Kyoto University (The 98th Spring Meeting of the Chemical Society of Japan, Presentation No.: 2I4-15, Mechanism of High-Efficiency Luminescence in Organic Electroluminescence Using DABNA as a Luminescent Molecule, Graduate School of Engineering, Kyoto University), a review by Bui et al. (DOI: 10.3762/bjoc.14.18), a review by Duan et al. Reviews (DOI:10.1063/1.5143501), reviews by Ding et al. (DOI:10.1088/1674-4926/42/5/050201), and reviews by Xie et al. (DOI:10.1002/adom.202002204) can be cited. In the present invention, when the fluorescence lifetime is measured at 300 K for a sample containing the target compound, it is determined that the target compound is a "thermally activated delayed fluorescent substance" if a slow fluorescence component is observed. Here, the slow fluorescence component means a fluorescence lifetime of 0.1 μsec or longer. The measurement of the fluorescence lifetime can be performed using, for example, a fluorescence lifetime measuring device (C11367-01, manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.).
어시스팅 도펀트로서의 "열 활성형 지연 형광체"를 더 포함하는 발광층에 있어서는, 상술한 붕소를 포함하는 다환 방향족 화합물을 에미팅 도펀트로서 사용하는 것이 바람직하다. 즉, "열 활성형 지연 형광체"는 상술한 붕소를 포함하는 다환 방향족 화합물의 발광을 어시스트하는 어시스팅 도펀트로서 기능시킬 수 있다.In a light-emitting layer further including a "thermally activated delayed phosphor" as an assisting dopant, it is preferable to use the above-described boron-containing polycyclic aromatic compound as an emitting dopant. That is, the "thermally activated delayed phosphor" can function as an assisting dopant that assists the light emission of the above-described boron-containing polycyclic aromatic compound.
본 명세서에서는, 열 활성형 지연 형광체를 어시스팅 도펀트로서 사용하는 유기 전계 발광 소자를 "TAF 소자"(TADF Assisting Fluorescence 소자)라고 하는 경우가 있다.In this specification, an organic electroluminescent device using a thermally activated delayed fluorescent substance as an assisting dopant is sometimes referred to as a “TAF device” (TADF Assisting Fluorescence device).
TAF 소자에서의 "호스트 화합물"이란, 형광 스펙트럼의 피크 단파장측의 숄더로부터 구해지는 최저 여기 일중항 에너지 준위가 어시스팅 도펀트로서의 열 활성형 지연 형광체 및 에미팅 도펀트보다도 높은 화합물을 의미한다.The term "host compound" in a TAF device means a compound having a lowest excited singlet energy level, as determined from a shoulder on the short-wavelength side of the peak of the fluorescence spectrum, higher than that of the thermally activated delayed fluorescent material and the emitting dopant as the assisting dopant.
TAF 소자에서 사용하는 열 활성형 지연 형광체(TADF 화합물)는, 도너라고 불리는 전자 공여성 치환기와 억셉터라고 불리는 전자 수용성 치환기를 사용하여 분자 내의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)와 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)를 국재화시켜, 효율적인 역항간 교차(reverse intersystem crossing)가 일어나도록 설계된 도너-억셉터형 열 활성형 지연 형광체(D-A형 TADF 화합물)인 것이 바람직하다.The thermally activated delayed fluorophore (TADF compound) used in the TAF device is preferably a donor-acceptor type thermally activated delayed fluorophore (D-A type TADF compound) designed to localize the HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) and LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) within the molecule by using an electron-donating substituent called a donor and an electron-accepting substituent called an acceptor to enable efficient reverse intersystem crossing.
여기서, 본 명세서에서의 "전자 공여성의 치환기"(도너)란, 열 활성형 지연 형광체 분자 중에서 HOMO가 국재하는 치환기 및 부분 구조를 의미하고, "전자 수용성 치환기"(억셉터)란, 열 활성형 지연 형광체 분자 중에서 LUMO가 국재하는 치환기 및 부분 구조를 의미하는 것으로 한다.Here, the term “electron-donating substituent” (donor) in the present specification means a substituent and partial structure in which HOMO is localized among thermally activated delayed fluorescent molecules, and the term “electron-accepting substituent” (acceptor) means a substituent and partial structure in which LUMO is localized among thermally activated delayed fluorescent molecules.
일반적으로, 도너나 억셉터를 이용한 열 활성형 지연 형광체는 구조에 기인하여 스핀 궤도 결합(SOC: Spin Orbit Coupling)이 크고, 또한 HOMO와 LUMO의 교환 상호 작용이 작고 △ES1T1가 작기 때문에, 매우 빠른 역항간 교차 속도를 얻을 수 있다. 상술한 붕소를 포함하는 다환 방향족 화합물을 에미팅 도펀트로서, 열 활성형 지연 형광체(TADF 재료)를 어시스팅 도펀트로서 사용함으로써, 높은 효율, 높은 색순도 및 장수명 중 어느 하나 또는 전부를 만족시키는 소자를 제공할 수 있다. 열 활성형 지연 형광체는, 그 발광 스펙트럼이 에미팅 도펀트의 흡수 스펙트럼과 적어도 일부 겹치는 화합물이면 된다. 에미팅 도펀트와 열 활성형 지연 형광체는 모두 동일한 층에 포함되어 있어도 되고, 인접한 층 또는 그 외 근접한 층에 포함되어 있어도 된다.In general, thermally activated delayed phosphors using a donor or an acceptor have a large spin-orbit coupling (SOC) due to their structure, a small exchange interaction between HOMO and LUMO, and a small △E S1T1 , so that they can obtain a very fast inter-system crossing velocity. By using the polycyclic aromatic compound containing the above-mentioned boron as an emitting dopant and a thermally activated delayed phosphor (TADF material) as an assisting dopant, it is possible to provide a device that satisfies one or all of high efficiency, high color purity, and long life. The thermally activated delayed phosphor may be a compound whose emission spectrum at least partially overlaps with the absorption spectrum of the emitting dopant. The emitting dopant and the thermally activated delayed phosphor may both be included in the same layer, or may be included in adjacent layers or other nearby layers.
TAF 소자에서의 열 활성형 지연 형광체로서, 예를 들어 도너 및 억셉터가 직접 또는 스페이서를 통해 결합되어 있는 화합물을 사용할 수 있다. 본 발명의 열 활성형 지연 형광체에 사용되는 전자 공여성 기(도너성의 구조) 및 전자 수용성 기(억셉터성의 구조)로는, 예를 들어 Chemistry of Materials, 2017, 29, 1946-1963에 기재된 구조를 사용할 수 있다. 도너성 구조로는 카바졸, 디메틸카바졸, 디-tert-부틸카바졸, 디메톡시카바졸, 테트라메틸카바졸, 벤조플루오로카바졸, 벤조티에노카바졸, 페닐디하이드로인돌로카바졸, 페닐비카바졸, 비카바졸, 터카바졸, 디페닐카바졸릴아민, 테트라페닐카바졸릴디아민, 페녹사진, 디하이드로페나진, 페노티아진, 디메틸디하이드로아크리딘, 디페닐아민, 비스(tert-부틸페닐)아민, N1-(4-(디페닐아미노)페닐)-N4,N4-디페닐벤젠-1,4-디아민, 디메틸테트라페닐디하이드로아크리딘디아민, 테트라메틸-디하이드로-인데노아크리딘 및 디페닐-디하이드로디벤조아자실린 등을 들 수 있다. 억셉터성의 구조로는 술포닐디벤젠, 벤조페논, 페닐렌비스(페닐메타논), 벤조니트릴, 이소니코티노니트릴, 프탈로니트릴, 이소프탈로니트릴, 파라프탈로니트릴, 벤젠트리카르보니트릴, 트리아졸, 옥사졸, 티아지아졸, 벤조티아졸, 벤조비스(티아졸), 벤조옥사졸, 벤조비스(옥사졸), 퀴놀린, 벤조이미다졸, 디벤조퀴녹살린, 헵타아자페날렌, 티옥산톤디옥사이드, 디메틸안트라세논, 안트라센디온, 5H-시클로펜타[1,2-b:5,4-b']디피리딘, 플루오렌디카르보니트릴, 트리페닐트리아진, 피라진디카르보니트릴, 피리미딘, 페닐피리미딘, 메틸피리미딘, 피리딘디카르보니트릴, 디벤조퀴녹살린디카르보니트릴, 비스(페닐술포닐)벤젠, 디메틸티옥산텐디옥사이드, 티안트렌테트라옥사이드 및 트리스(디메틸페닐)보란을 들 수 있다. 특히, TAF 소자에서의 열 활성형 지연 형광을 가지는 화합물은 부분 구조로서 카바졸, 페녹사진, 아크리딘, 트리아진, 피리미딘, 피라진, 티옥산텐, 벤조니트릴, 프탈로니트릴, 이소프탈로니트릴, 디페닐술폰, 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸 및 벤조페논으로부터 선택되는 1개 이상을 가지는 화합물인 것이 바람직하다.As a thermally activated delayed fluorescent material in a TAF device, for example, a compound in which a donor and an acceptor are bonded directly or through a spacer can be used. As an electron-donating group (donor structure) and an electron-accepting group (acceptor structure) used in the thermally activated delayed fluorescent material of the present invention, for example, a structure described in Chemistry of Materials, 2017, 29, 1946-1963 can be used. Donor structures include carbazole, dimethylcarbazole, di-tert-butylcarbazole, dimethoxycarbazole, tetramethylcarbazole, benzofluorocarbazole, benzothienocarbazole, phenyldihydroindolocarbazole, phenylbicarbazole, bicarbazole, tercarbazole, diphenylcarbazolylamine, tetraphenylcarbazolyldiamine, phenoxazine, dihydrophenazine, phenothiazine, dimethyldihydroacridine, diphenylamine, bis(tert-butylphenyl)amine, N1-(4-(diphenylamino)phenyl)-N4,N4-diphenylbenzene-1,4-diamine, dimethyltetraphenyldihydroacridinediamine, tetramethyl-dihydro-indenoacridine, and diphenyl-dihydrodibenzoazacilline. The acceptor structures include sulfonyldibenzene, benzophenone, phenylenebis(phenylmethanone), benzonitrile, isonicotinonitrile, phthalonitrile, isophthalonitrile, paraphthalonitrile, benzenetricarbonitrile, triazole, oxazole, thiaziazole, benzothiazole, benzobis(thiazole), benzoxazole, benzobis(oxazole), quinoline, benzimidazole, dibenzoquinoxaline, heptaazaphenalene, thioxanthone dioxide, dimethylanthracenone, anthracenedione, 5H-cyclopenta[1,2-b:5,4-b']dipyridine, fluorenedicarbonitrile, triphenyltriazine, pyrazinedicarbonitrile, pyrimidine, phenylpyrimidine, methylpyrimidine, Examples thereof include pyridinedicarbonitrile, dibenzoquinoxalinedicarbonitrile, bis(phenylsulfonyl)benzene, dimethylthioxanthene dioxide, thiandrenetetraoxide, and tris(dimethylphenyl)borane. In particular, it is preferable that the compound having thermally activated delayed fluorescence in a TAF element is a compound having at least one selected from carbazole, phenoxazine, acridine, triazine, pyrimidine, pyrazine, thioxanthene, benzonitrile, phthalonitrile, isophthalonitrile, diphenylsulfone, triazole, oxadiazole, thiadiazole, and benzophenone as a partial structure.
TAF 소자에서의 발광층의 어시스팅 도펀트로서 사용하는 화합물은 열 활성형 지연 형광체이고, 그 발광 스펙트럼이 에미팅 도펀트의 흡수 피크와 적어도 일부 겹치는 화합물인 것이 바람직하다. 이하에서는 TAF 소자에서 발광층의 제2성분(열 활성형 지연 형광체)로 사용할 수 있는 화합물을 예시한다. 단, TAF 소자에서 열 활성형 지연 형광체로 사용할 수 있는 화합물은 아래의 예시 화합물에 의해 한정적으로 해석되지 않는다.The compound used as an assisting dopant of the light-emitting layer in the TAF device is preferably a thermally activated delayed phosphor, and the emission spectrum of which at least partially overlaps with the absorption peak of the emitting dopant is a compound. Hereinafter, compounds that can be used as the second component (thermally activated delayed phosphor) of the light-emitting layer in the TAF device are exemplified. However, the compounds that can be used as the thermally activated delayed phosphor in the TAF device are not limited to the exemplified compounds below.
또한, 열 활성형 지연 형광체로서 하기 식(AD1), (AD2) 및 (AD3) 중 어느 하나로 표시되는 화합물도 사용할 수 있다.Additionally, a compound represented by any one of the following formulae (AD1), (AD2), and (AD3) can also be used as a thermally activated delayed fluorescent material.
상기 식(AD1), (AD2) 및 (AD3) 중 M은 각각 독립적으로 단일 결합, -O-, >N-Ar 또는 >CAr2이고, 형성되는 부분 구조의 HOMO의 깊이 및 최저 여기 일중항 에너지 준위 및 최저 여기 삼중항 에너지 준위의 높이의 관점에서, 바람직하게는 단일 결합, -O- 또는 >N-Ar이다. J는 도너성 부분 구조와 억셉터성 부분 구조를 분리하는 스페이서 구조이고, 각각 독립적으로 탄소수 6~18의 아릴렌이며, 도너성 부분 구조와 억셉터성 부분 구조에서 스며나오는 공액의 크기의 관점에서, 탄소수 6~12의 아릴렌이 바람직하다. 보다 구체적으로 페닐렌, 메틸페닐렌 및 디메틸페닐렌을 들 수 있다. Q는 각각 독립적으로 =C(-H)- 또는 =N-이고, 형성되는 부분 구조의 LUMO의 얕음 및 최저 여기 일중항 에너지 준위 및 최저 여기 삼중항 에너지 준위의 높이의 관점에서, 바람직하게는 =N-이다. Ar은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 6~24의 아릴, 탄소수 2~24의 헤테로 아릴, 탄소수 1~12의 알킬 또는 탄소수 3~18의 시클로알킬이고, 형성되는 부분 구조의 HOMO의 깊이 및 최저 여기 일중항 에너지 준위 및 최저 여기 삼중항 에너지 준위의 높이의 관점에서, 바람직하게는 수소, 탄소수 6~12의 아릴, 탄소수 2~14의 헤테로아릴, 탄소수 1~4의 알킬 또는 탄소수 6~10의 시클로알킬이고, 보다 바람직하게는 수소, 페닐, 트릴, 자일릴, 메시틸, 비페닐, 피리딜, 비피리딜, 트리아지닐, 카바졸릴, 디메틸카바졸릴, 디-tert-부틸카바졸릴, 벤조이미다졸릴 또는 페닐벤조이미다졸릴이고, 더욱 바람직하게는 수소, 페닐 또는 카바졸릴이다. m은 1 또는 2이다. n은 (6-m) 이하의 정수이고, 입체 장애의 관점에서 바람직하게는 4~(6-m)의 정수이다. 또한, 상기 각 식으로 표시되는 화합물에서 1개 이상의 수소는 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다.In the above formulas (AD1), (AD2), and (AD3), M is each independently a single bond, -O-, >N-Ar or >CAr 2 , and from the viewpoints of the depth of the HOMO of the formed partial structure and the height of the lowest excited singlet energy level and the lowest excited triplet energy level, it is preferably a single bond, -O- or >N-Ar. J is a spacer structure separating the donor partial structure and the acceptor partial structure, and is each independently an arylene having 6 to 18 carbon atoms, and from the viewpoint of the size of the conjugation exuding from the donor partial structure and the acceptor partial structure, an arylene having 6 to 12 carbon atoms is preferable. More specifically, phenylene, methylphenylene, and dimethylphenylene can be mentioned. Q is each independently =C(-H)- or =N-, and from the viewpoints of the shallowness of the LUMO of the formed partial structure and the height of the lowest excited singlet energy level and the lowest excited triplet energy level, it is preferably =N-. Ar is independently hydrogen, an aryl having 6 to 24 carbon atoms, a heteroaryl having 2 to 24 carbon atoms, an alkyl having 1 to 12 carbon atoms, or a cycloalkyl having 3 to 18 carbon atoms, and in view of the depth of HOMO of the partial structure formed and the height of the lowest excited singlet energy level and the lowest excited triplet energy level, is preferably hydrogen, an aryl having 6 to 12 carbon atoms, a heteroaryl having 2 to 14 carbon atoms, an alkyl having 1 to 4 carbon atoms, or a cycloalkyl having 6 to 10 carbon atoms, more preferably hydrogen, phenyl, tolyl, xylyl, mesityl, biphenyl, pyridyl, bipyridyl, triazinyl, carbazolyl, dimethylcarbazolyl, di-tert-butylcarbazolyl, benzoimidazolyl or phenylbenzoimidazolyl, and even more preferably hydrogen, phenyl or carbazolyl. m is 1 or 2. n is an integer less than or equal to (6-m), and from the viewpoint of steric hindrance, it is preferably an integer from 4 to (6-m). In addition, in the compounds represented by each formula above, one or more hydrogen atoms may be replaced with halogen or deuterium.
본 실시 형태의 제2성분으로 사용되는 화합물은, 보다 구체적으로 말하면 4CzBN, 4CzBN-Ph, 5CzBN, 3Cz2DPhCzBN, 4CzIPN, 2PXZ-TAZ, Cz-TRZ3, BDPCC-TPTA, MA-TA, PA-TA, FA-TA, PXZ-TRZ, DMAC-TRZ, BCzT, DCzTrz, DDCzTRz, spiroAC-TRZ, Ac-HPM, Ac-PPM, Ac-MPM, TCzTrz, TmCzTrz 및 DCzmCzTrz인 것이 바람직하다.The compound used as the second component of the present embodiment is preferably, more specifically, 4CzBN, 4CzBN-Ph, 5CzBN, 3Cz2DPhCzBN, 4CzIPN, 2PXZ-TAZ, Cz-TRZ3, BDPCC-TPTA, MA-TA, PA-TA, FA-TA, PXZ-TRZ, DMAC-TRZ, BCzT, DCzTrz, DDCzTRz, spiroAC-TRZ, Ac-HPM, Ac-PPM, Ac-MPM, TCzTrz, TmCzTrz and DCzmCzTrz.
본 발명의 제2성분으로 사용하는 화합물은, 1개의 도너 D와 1개의 억셉터 A가 직접 결합 또는 연결기를 통해 결합되어 있는 D-A로 표시되는 도너 억셉터형 TADF 화합물이어도 되지만, 1개의 억셉터 A에 복수의 도너 D가 직접 결합 또는 연결기를 통해 결합되어 있는 하기 식(DAD1)로 표시되는 구조를 가지는 것이 유기 전계 발광 소자의 특성이 보다 우수하기 때문에 바람직하다.The compound used as the second component of the present invention may be a donor-acceptor type TADF compound represented by D-A in which one donor D and one acceptor A are bonded directly or through a linking group, but a compound having a structure represented by the following formula (DAD1) in which a plurality of donors D are bonded directly or through linking groups to one acceptor A is preferable because the characteristics of the organic electroluminescent device are more excellent.
(D1-L1)n-A1 (DAD1)(D 1 -L 1 )nA 1 (DAD1)
식(DAD1)에는 하기 식(DAD2)로 표시되는 화합물이 포함된다.Formula (DAD1) includes a compound represented by the following formula (DAD2).
D2-L2-A2-L3-D3 (DAD2)D 2 -L 2 -A 2 -L 3 -D 3 (DAD2)
식(DAD1) 및 식(DAD2)에서 D1, D2 및 D3은 각각 독립적으로 도너성 기를 나타낸다. 도너성 기로는, 상기 도너성 구조를 채용할 수 있다. A1 및 A2는 각각 독립적으로 억셉터성 기를 나타낸다. 억셉터성 기로는, 상기 억셉터성 구조를 채용할 수 있다. L1, L2 및 L3은 각각 독립적으로 단일 결합 또는 공액 연결기를 나타낸다. 공액 연결기는 도너성 기와 억셉터성 기를 분리하는 스페이서 구조이고, 탄소수 6~18의 아릴렌인 것이 바람직하고, 탄소수 6~12의 아릴렌이 보다 바람직하다. L1, L2 및 L3은 각각 독립적으로 페닐렌, 메틸페닐렌 또는 디메틸페닐렌인 것이 더욱 바람직하다. 식(DAD1)에서 n은 2 이상이고, A1이 치환할 수 있는 최대수 이하의 정수를 나타낸다. n은 예를 들어 2~10의 범위 내에서 선택하거나, 2~6의 범위 내에서 선택해도 된다. n이 2일 때, 식(DAD2)로 표시되는 화합물이 된다. n개의 D1은 동일해도 상이해도 되고, n개의 L1은 동일해도 상이해도 된다. 식(DAD1) 및 식(DAD2)로 표시되는 화합물의 바람직한 구체예로서, 2PXZ-TAZ 또는 하기의 화합물을 들 수 있으나, 본 발명에서 채용할 수 있는 제2성분은 이들 화합물에 한정되지 않는다.In formulas (DAD1) and (DAD2), D 1 , D 2 , and D 3 independently represent a donor group. As the donor group, the above-described donor structure can be adopted. A 1 and A 2 independently represent an acceptor group. As the acceptor group, the above-described acceptor structure can be adopted. L 1 , L 2 , and L 3 independently represent a single bond or a conjugated linking group. The conjugated linking group is a spacer structure separating the donor group and the acceptor group, and is preferably an arylene having 6 to 18 carbon atoms, more preferably an arylene having 6 to 12 carbon atoms. It is more preferable that L 1 , L 2 , and L 3 are each independently phenylene, methylphenylene, or dimethylphenylene. In formula (DAD1), n represents an integer of 2 or more and less than or equal to the maximum number that A 1 can substitute. n may be selected, for example, within the range of 2 to 10, or within the range of 2 to 6. When n is 2, a compound represented by the formula (DAD2) is obtained. n D 1 s may be the same or different, and n L 1 s may be the same or different. Preferred specific examples of the compounds represented by the formulas (DAD1) and (DAD2) include 2PXZ-TAZ or the following compounds, but the second component that can be employed in the present invention is not limited to these compounds.
[인광 재료(어시스팅 도펀트)][Phosphorescent material (assisting dopant)]
발광층에 있어서는, 어시스팅 도펀트로서 인광 재료를 사용해도 된다. 본 명세서에 있어서, 인광 재료를 어시스팅 도펀트로서 사용하는 유기 전계 발광 소자를 인광 어시스트 소자: 인광 증감 형광(phosphor-sensitized fluorescent) 소자, PSF 소자라고 하는 경우가 있다. 인광 재료는 금속 원자에 의한 분자 내 스핀-궤도 상호 작용(중원자 효과)을 이용하여 여기 삼중항 상태로부터의 발광을 얻는다. 이러한 인광 재료로는, 예를 들어 발광성 금속 착체를 사용할 수 있다. 발광성 금속 착체로는, 예를 들어 하기 식(B-1) 및 하기 식(B-2)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.In the light-emitting layer, a phosphorescent material may be used as an assisting dopant. In the present specification, an organic electroluminescent device that uses a phosphorescent material as an assisting dopant is sometimes referred to as a phosphorescent assisted device: a phosphorescent-sensitized fluorescent device, a PSF device. A phosphorescent material obtains luminescence from an excited triplet state by utilizing intramolecular spin-orbit interaction (heavy atom effect) by a metal atom. As such a phosphorescent material, for example, a luminescent metal complex can be used. As the luminescent metal complex, for example, compounds represented by the following formula (B-1) and the following formula (B-2) can be exemplified.
식(B-1)에 있어서, M은 Ir, Pt, Au, Eu, Ru, Re, Ag 및 Cu로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이고, n은 1~3의 정수이고, "X-Y"는 각각 독립적으로 2좌 리간드이다.In formula (B-1), M is at least one selected from the group consisting of Ir, Pt, Au, Eu, Ru, Re, Ag, and Cu, n is an integer from 1 to 3, and “X-Y” are each independently a bidentate ligand.
식(B-2)에 있어서, M은 Pt, Re 및 Cu로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이고, "W-X-Y-Z"는 4좌 리간드이다.In formula (B-2), M is at least one selected from the group consisting of Pt, Re, and Cu, and “W-X-Y-Z” is a four-dentate ligand.
식(B-1)에 있어서, 효율과 수명의 관점에서 M은 Ir이 바람직하고, n은 3이 바람직하다.In equation (B-1), from the viewpoint of efficiency and lifespan, M is preferably Ir, and n is preferably 3.
식(B-2)에 있어서, 효율과 수명의 관점에서 M은 Pt가 바람직하다.In formula (B-2), Pt is preferable for M from the viewpoint of efficiency and lifespan.
식(B-1)에 있어서의 리간드(X-Y)는 이하로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 리간드를 가진다. 식(B-2)에서의 리간드(W-X-Y-Z)는, 이하로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 리간드를 일부로서 가진다.The ligand (X-Y) in formula (B-1) has one or more ligands selected from the group consisting of the following. The ligand (W-X-Y-Z) in formula (B-2) has one or more ligands selected from the group consisting of the following as a part.
식 중,During the meal,
---에 있어서 중심 금속 M과 결합되고,--- is combined with the central metal M,
Y는 각각 독립적으로 BRe, NRe, PRe, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CReRf, SiReRf 또는 GeReRf이고, Y is independently BR e , NR e , PR e , O, S, Se, C=O, S=O, SO 2 , CR e R f , SiR e R f or GeR e R f ,
환에 있어서의 방향족 탄소 C-H는 각각 독립적으로 N으로 치환되어도 되고,In the ring, each aromatic carbon C-H may be independently substituted with N,
Re 및 Rf는 임의로 축합 또는 결합되어 환을 형성해도 되고,R e and R f is They may be arbitrarily condensed or combined to form a ring,
Ra, Rb, Rc 및 Rd는 각각 독립적으로 무치환 또는 1~치환 가능한 최대수까지 치환되어도 되고,R a , R b , R c and R d are each independently unsubstituted or 1~Can be substituted up to the maximum number that can be substituted,
Ra, Rb, Rc, Rd, Re 및 Rf가 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐화물, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 아릴, 헤테로아릴, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐 또는 이들의 조합이고,R a , R b , R c , R d , R e and R f are each independently hydrogen, deuterium, halide, alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, alkenyl, cycloalkenyl, heteroalkenyl, aryl, heteroaryl, nitrile, isonitrile, sulfanyl or a combination thereof,
단, Ra, Rb, Rc 및 Rd에서의 임의의 2개의 인접한 치환기가 축합 또는 결합되어 환을 형성하거나, 또는 다좌 리간드를 형성해도 된다.However, any two adjacent substituents in R a , R b , R c and R d may be condensed or bonded to form a ring, or to form a polydentate ligand.
식(B-1)로 표시되는 화합물로는, 예를 들어 Ir(ppy)3, Ir(ppy)2(acac), Ir(mppy)3, Ir(PPy)2(m-bppy), BtpIr(acac), Ir(btp)2(acac), Ir(2-phq)3, Hex-Ir (phq)3, Ir(fbi)2(acac), fac-Tris(2-(3-p-xylyl)phenyl)pyridine iridium(III), Eu(dbm)3(Phen), Ir(piq)3, Ir(piq)2(acac), Ir(Fliq)2(acac), Ir(Flq)2(acac), Ru(dtb-bpy)3·2(PF6), Ir(2-phq)3, Ir(BT)2(acac), Ir(DMP)3, Ir(Mphq)3 Ir(phq)2tpy, fac-Ir(ppy)2Pc, Ir(dp)PQ2, Ir(Dpm)(Piq)2, Hex-Ir(piq)2(acac), Hex-Ir(piq)3, Ir(dmpq)3, Ir(dmpq)2(acac), FPQIrpic 등을 들 수 있다.Compounds represented by the formula (B-1) include, for example, Ir(ppy) 3 , Ir(ppy) 2 (acac), Ir(mppy) 3 , Ir(PPy) 2 (m-bppy), BtpIr(acac), Ir(btp) 2 (acac), Ir(2-phq) 3 , Hex-Ir (phq) 3 , Ir(fbi) 2 (acac), fac-Tris(2-(3-p-xylyl)phenyl)pyridine iridium(III), Eu(dbm) 3 (Phen), Ir(piq) 3 , Ir(piq) 2 (acac), Ir(Fliq) 2 (acac), Ir(Flq) 2 (acac), Ru(dtb-bpy) 3 2(PF 6 ), Ir(2-phq) 3 , Ir(BT) 2 (acac), Ir(DMP) 3 , Ir(Mphq) 3 Ir(phq) 2 tpy, fac-Ir(ppy) 2 Pc, Ir(dp)PQ 2 , Ir(Dpm)(Piq) 2 , Hex-Ir(piq) 2 (acac), Hex-Ir(piq) 3 , Ir(dmpq) 3 , Examples include Ir(dmpq) 2 (acac), FPQIrpic, etc.
식(B-1)로 표시되는 화합물로는, 그 외에 예를 들어 이하의 화합물을 들 수 있다.As compounds represented by formula (B-1), examples thereof include the following compounds.
또한, 일본특허공개공보 제2006-089398호, 일본특허공개공보 제2006-080419호, 일본특허공개공보 제2005-298483호, 일본특허공개공보 제2005-097263호 및 일본특허공개공보 제2004-111379호, 미국특허출원공개 제2019/0051845호 명세서 등에 기재된 이리듐 착체 또는 Advanced Materials, 26:7116-7121、NPG Asia Materials 13, 53 (2021), Applied Physics Letters, 117, 253301 (2020), Light-Emitting Diode-An Outlook On the Empirical Features and Its Recent Technological Advancements, Chapter 5에 기재된 백금 착체를 사용해도 된다.In addition, iridium complexes described in Japanese Patent Application Publication No. 2006-089398, Japanese Patent Application Publication No. 2006-080419, Japanese Patent Application Publication No. 2005-298483, Japanese Patent Application Publication No. 2005-097263, Japanese Patent Application Publication No. 2004-111379, U.S. Patent Application Publication No. 2019/0051845, etc., or platinum complexes described in Advanced Materials, 26:7116-7121、NPG Asia Materials 13, 53 (2021), Applied Physics Letters, 117, 253301 (2020), Light-Emitting Diode-An Outlook On the Empirical Features and Its Recent Technological Advancements, Chapter 5 may be used.
3-6. 유기 전계 발광 소자의 전자 주입층, 전자 수송층3-6. Electron injection layer and electron transport layer of organic electroluminescent devices
전자 주입층(107)은 음극(108)으로부터 이동하는 전자를 효율적으로 발광층(105) 내 또는 전자 수송층(106) 내로 주입하는 역할을 한다. 전자 수송층(106)은 음극(108)으로부터 주입된 전자 또는 음극(108)으로부터 전자 주입층(107)을 통해 주입된 전자를 효율적으로 발광층(105)으로 수송하는 역할을 한다. 전자 수송층(106) 및 전자 주입층(107)은, 각각 전자 수송·주입 재료의 1종 또는 2종 이상을 적층, 혼합하거나, 전자 수송·주입 재료와 고분자 결착제의 혼합물에 의해 형성된다.The electron injection layer (107) plays a role of efficiently injecting electrons moving from the cathode (108) into the light-emitting layer (105) or the electron transport layer (106). The electron transport layer (106) plays a role of efficiently transporting electrons injected from the cathode (108) or electrons injected from the cathode (108) through the electron injection layer (107) to the light-emitting layer (105). The electron transport layer (106) and the electron injection layer (107) are each formed by laminating or mixing one or two or more types of electron transport/injection materials, or by a mixture of an electron transport/injection material and a polymer binder.
전자 주입·수송층이란, 음극으로부터 전자가 주입되고, 또한 전자를 수송하는 것을 담당하는 층이고, 전자 주입 효율이 높고, 주입된 전자를 효율적으로 수송하는 것이 바람직하다. 이를 위해서는 전자 친화력이 크고, 또한 전자 이동도가 크며, 나아가 안정성이 우수하고, 트랩이 되는 불순물이 제조 시 및 사용 시에 발생하기 어려운 물질인 것이 바람직하다. 그러나, 정공과 전자의 수송 밸런스를 고려했을 때, 양극으로부터의 정공이 재결합하지 않고 음극측으로 흐르는 것을 효율적으로 저지할 수 있는 역할을 주로 하는 경우에는, 전자 수송 능력이 그다지 높지 않더라도, 발광 효율을 향상시키는 효과는 전자 수송 능력이 높은 재료와 동등하게 가진다. 따라서, 본 실시 형태에 있어서의 전자 주입·수송층은, 정공의 이동을 효율적으로 저지할 수 있는 층의 기능도 포함되어도 된다.The electron injection/transport layer is a layer that injects electrons from the cathode and is responsible for transporting the electrons, and it is desirable that the electron injection efficiency be high and that the injected electrons be transported efficiently. To this end, it is desirable that the electron affinity be high, the electron mobility be high, and furthermore, the stability be excellent, and that impurities that become traps are unlikely to occur during manufacturing and use. However, when considering the transport balance of holes and electrons, if the main role is to efficiently prevent holes from the anode from flowing to the cathode without recombination, even if the electron transport ability is not that high, the effect of improving the luminescence efficiency is equivalent to that of a material with a high electron transport ability. Therefore, the electron injection/transport layer in the present embodiment may also include the function of a layer that can efficiently prevent the movement of holes.
전자 수송층(106) 또는 전자 주입층(107)을 형성하는 재료(전자 수송 재료)로는, 광도전 재료에 있어서 전자 전달 화합물로서 종래에 관용되고 있는 화합물, 유기 EL 소자의 전자 주입층 및 전자 수송층에 사용되고 있는 공지된 화합물 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 본 발명의 다환 방향족 화합물을 전자 수송층용 재료로 사용하는 것도 바람직하다.As a material (electron transport material) forming an electron transport layer (106) or an electron injection layer (107), a compound conventionally used as an electron transport compound in a photoconductive material and a known compound used in an electron injection layer and an electron transport layer of an organic EL device can be arbitrarily selected and used. It is also preferable to use the polycyclic aromatic compound of the present invention as a material for an electron transport layer.
전자 수송층 또는 전자 주입층에 사용되는 재료로는, 탄소, 수소, 산소, 황, 규소 및 인 중에서 선택되는 1종 이상의 원자로 구성되는 방향족환 또는 복소 방향족환으로 이루어진 화합물, 피롤 유도체 및 그 축합환 유도체 및 전자 수용성 질소를 가지는 금속 착체 중에서 선택되는 1종 이상을 함유하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 나프탈렌, 안트라센 등의 축합환계 방향족환 유도체, 4,4'-비스(디페닐에테닐)비페닐로 대표되는 스티릴계 방향족환 유도체, 페리논 유도체, 쿠마린 유도체, 나프탈이미드 유도체, 안트라퀴논이나 디페노퀴논 등의 퀴논 유도체, 인옥사이드 유도체, 아릴니트릴 유도체 및 인돌 유도체 등을 들 수 있다. 전자 수용성 질소를 가지는 금속 착체로는, 예를 들어 하이드록시페닐옥사졸 착체 등의 하이드록시아졸 착체, 아조메틴 착체, 트로폴론 금속 착체, 플라보놀 금속 착체 및 벤조퀴놀린 금속 착체 등을 들 수 있다. 이들 재료는 단독으로도 사용되지만, 다른 재료와 혼합하여 사용해도 된다.It is preferable that the material used in the electron transport layer or the electron injection layer contain at least one selected from compounds composed of an aromatic ring or heteroaromatic ring composed of at least one atom selected from carbon, hydrogen, oxygen, sulfur, silicon, and phosphorus, pyrrole derivatives and condensed-ring derivatives thereof, and metal complexes having electron-accepting nitrogen. Specific examples thereof include condensed-ring aromatic ring derivatives such as naphthalene and anthracene, styryl aromatic ring derivatives represented by 4,4'-bis(diphenylethenyl)biphenyl, perinone derivatives, coumarin derivatives, naphthalimide derivatives, quinone derivatives such as anthraquinone and diphenoquinone, phosphorus oxide derivatives, arylnitrile derivatives, and indole derivatives. Metal complexes having electron-accepting nitrogen include, for example, hydroxyazole complexes such as hydroxyphenyloxazole complexes, azomethine complexes, tropolone metal complexes, flavonol metal complexes, and benzoquinoline metal complexes. These materials may be used alone, but may also be used in mixtures with other materials.
또한, 다른 전자 전달 화합물의 구체예로서, 피리딘 유도체, 나프탈렌 유도체, 안트라센 유도체, 페난트롤린 유도체, 페리논 유도체, 쿠마린 유도체, 나프탈이미드 유도체, 안트라퀴논 유도체, 디페노퀴논 유도체, 디페닐퀴논 유도체, 페릴렌 유도체, 옥사디아졸 유도체(1,3-비스[(4-t-부틸페닐)1,3,4-옥사디아졸릴]페닐렌 등), 티오펜 유도체, 트리아졸 유도체(N-나프틸-2,5-디페닐-1,3,4-트리아졸 등), 티아디아졸 유도체, 옥신 유도체의 금속 착체, 퀴놀리놀계 금속 착체, 퀴녹살린 유도체, 퀴녹살린 유도체의 폴리머, 벤자졸류 화합물, 갈륨 착체, 피라졸 유도체, 퍼플루오로화 페닐렌 유도체, 트리아진 유도체, 피라진 유도체, 벤조퀴놀린 유도체(2,2'-비스(벤조[h]퀴놀린-2-일)-9,9'-스피로비플루오렌 등), 이미다조피리딘 유도체, 보란 유도체, 벤조이미다졸 유도체(트리스(N-페닐벤조이미다졸-2-일)벤젠 등), 벤조옥사졸 유도체, 벤조티아졸 유도체, 퀴놀린 유도체, 터피리딘 등의 올리고피리딘 유도체, 비피리딘 유도체, 터피리딘 유도체(1,3-비스(2,2':6',2" -터피리딘-4'-일)벤젠 등), 나프티리딘 유도체(비스(1-나프틸)-4-(1,8-나프티리딘-2-일)페닐포스핀옥사이드 등), 알다진 유도체, 카바졸 유도체, 인돌 유도체, 인옥사이드 유도체, 비스스티릴 유도체 등을 들 수 있다.In addition, as specific examples of other electron transfer compounds, pyridine derivatives, naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthroline derivatives, perinone derivatives, coumarin derivatives, naphthalimide derivatives, anthraquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, diphenylquinone derivatives, perylene derivatives, oxadiazole derivatives (such as 1,3-bis[(4-t-butylphenyl)1,3,4-oxadiazolyl]phenylene), thiophene derivatives, triazole derivatives (such as N-naphthyl-2,5-diphenyl-1,3,4-triazole), thiadiazole derivatives, metal complexes of oxine derivatives, quinolinol-based metal complexes, quinoxaline derivatives, polymers of quinoxaline derivatives, benzazole compounds, gallium complexes, pyrazole derivatives, perfluorinated phenylene derivatives, triazine derivatives, pyrazine derivatives, benzoquinolines Examples thereof include derivatives (2,2'-bis(benzo[h]quinolin-2-yl)-9,9'-spirobifluorene, etc.), imidazopyridine derivatives, borane derivatives, benzimidazole derivatives (tris(N-phenylbenzoimidazol-2-yl)benzene, etc.), benzoxazole derivatives, benzothiazole derivatives, quinoline derivatives, oligopyridine derivatives such as terpyridine, bipyridine derivatives, terpyridine derivatives (1,3-bis(2,2':6',2"-terpyridin-4'-yl)benzene, etc.), naphthyridine derivatives (bis(1-naphthyl)-4-(1,8-naphthyridin-2-yl)phenylphosphineoxide, etc.), aldazine derivatives, carbazole derivatives, indole derivatives, phosphorus oxide derivatives, bisstyryl derivatives, etc.
또한, 전자 수용성 질소를 가지는 금속 착체를 사용할 수도 있고, 예를 들어 퀴놀리놀계 금속 착체나 하이드록시페닐옥사졸 착체 등의 하이드록시아졸 착체, 아조메틴 착체, 트로폴론 금속 착체, 플라보놀 금속 착체 및 벤조퀴놀린 금속 착체 등을 들 수 있다.In addition, metal complexes having electron-accepting nitrogen can be used, and examples thereof include quinolinol-based metal complexes, hydroxyazole complexes such as hydroxyphenyloxazole complexes, azomethine complexes, tropolone metal complexes, flavonol metal complexes, and benzoquinoline metal complexes.
상술한 재료는 단독으로도 사용할 수 있지만, 다른 재료와 혼합하여 사용해도 된다.The materials described above can be used alone, but can also be mixed with other materials.
상술한 재료 중에서도 보란 유도체, 피리딘 유도체, 플루오란텐 유도체, BO계 유도체, 안트라센 유도체, 벤조플루오렌 유도체, 포스핀옥사이드 유도체, 피리미딘 유도체, 아릴니트릴 유도체, 트리아진 유도체, 벤조이미다졸 유도체, 페난트롤린 유도체 및 퀴놀리놀계 금속 착체가 바람직하다.Among the materials described above, borane derivatives, pyridine derivatives, fluoranthene derivatives, BO derivatives, anthracene derivatives, benzofluorene derivatives, phosphine oxide derivatives, pyrimidine derivatives, arylnitrile derivatives, triazine derivatives, benzimidazole derivatives, phenanthroline derivatives, and quinolinol-based metal complexes are preferable.
전자 수송층 또는 전자 주입층에는 전자 수송층 또는 전자 주입층을 형성하는 재료를 환원할 수 있는 물질을 더 포함하고 있어도 된다. 이 환원성 물질은 일정한 환원성을 가지는 물질이면 다양한 물질을 사용할 수 있고, 예를 들어 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 희토류 금속, 알칼리 금속의 산화물, 알칼리 금속의 할로겐화물, 알칼리 토류 금속의 산화물, 알칼리 토류 금속의 할로겐화물, 희토류 금속의 산화물, 희토류 금속의 할로겐화물, 알칼리 금속의 유기 착체, 알칼리 토류 금속의 유기 착체 및 희토류 금속의 유기 착체로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상을 적합하게 사용할 수 있다.The electron transport layer or electron injection layer may further contain a substance capable of reducing the material forming the electron transport layer or electron injection layer. Various substances can be used as the reducing substance as long as it has a certain reducing property, and for example, at least one selected from the group consisting of alkali metals, alkaline earth metals, rare earth metals, oxides of alkali metals, halides of alkaline metals, oxides of alkaline earth metals, halides of alkaline earth metals, oxides of rare earth metals, halides of rare earth metals, organic complexes of alkaline earth metals, and organic complexes of rare earth metals can be suitably used.
바람직한 환원성 물질로는 Na(일함수 2.36eV), K(동 2.28eV), Rb(동 2.16eV) 또는 Cs(동 1.95eV) 등의 알칼리 금속이나, Ca(동 2.9eV), Sr(동 2.0~2.5eV) 또는 Ba(동 2.52eV) 등의 알칼리 토류 금속을 들 수 있고, 일함수가 2.9eV 이하인 물질이 특히 바람직하다. 이들 중에서, 보다 바람직한 환원성 물질은 K, Rb 또는 Cs의 알칼리 금속이고, 더욱 바람직하게는 Rb 또는 Cs이고, 가장 바람직한 것은 Cs이다. 이들 알칼리 금속은 특히 환원 능력이 높고, 전자 수송층 또는 전자 주입층을 형성하는 재료에 비교적 소량을 첨가함으로써, 유기 EL 소자에 있어서의 발광 휘도의 향상이나 장수명화를 도모할 수 있다. 또한, 일함수가 2.9eV 이하인 환원성 물질로서, 이들 2종 이상의 알칼리 금속의 조합도 바람직하고, 특히 Cs를 포함한 조합, 예를 들어 Cs와 Na, Cs와 K, Cs와 Rb 또는 Cs와 Na와 K의 조합이 바람직하다. Cs를 포함함으로써, 환원 능력을 효율적으로 발휘할 수 있고, 전자 수송층 또는 전자 주입층을 형성하는 재료에 첨가함으로써, 유기 EL 소자에서의 발광 휘도의 향상이나 장수명화를 도모할 수 있다.Preferred reducing substances include alkali metals such as Na (work function 2.36 eV), K (Cu 2.28 eV), Rb (Cu 2.16 eV), or Cs (Cu 1.95 eV), or alkaline earth metals such as Ca (Cu 2.9 eV), Sr (Cu 2.0 to 2.5 eV) or Ba (Cu 2.52 eV), and substances having a work function of 2.9 eV or less are particularly preferable. Among these, more preferable reducing substances are alkali metals such as K, Rb, or Cs, even more preferably Rb or Cs, and most preferably Cs. These alkali metals have particularly high reducing ability, and by adding a relatively small amount to a material forming an electron transport layer or an electron injection layer, it is possible to improve the luminance of the organic EL element or extend its lifetime. In addition, as a reducing substance having a work function of 2.9 eV or less, a combination of two or more alkali metals is also preferable, and in particular, a combination including Cs, for example, a combination of Cs and Na, Cs and K, Cs and Rb or Cs, Na and K is preferable. By including Cs, the reducing ability can be efficiently exhibited, and by adding it to a material forming an electron transport layer or an electron injection layer, the luminance of the organic EL element can be improved or the lifetime can be extended.
3-7. 유기 전계 발광 소자의 음극3-7. Cathode of organic electroluminescent device
음극(108)은 전자 주입층(107) 및 전자 수송층(106)을 통해 발광층(105)에 전자를 주입하는 역할을 한다.The cathode (108) serves to inject electrons into the light-emitting layer (105) through the electron injection layer (107) and the electron transport layer (106).
음극(108)을 형성하는 재료로는, 전자를 유기층에 효율적으로 주입할 수 있는 물질이면 특별히 한정되지 않지만, 양극(102)을 형성하는 재료와 동일한 재료를 사용할 수 있다. 그 중에서도 주석, 인듐, 칼슘, 알루미늄, 은, 구리, 니켈, 크롬, 금, 백금, 철, 아연, 리튬, 나트륨, 칼륨, 세슘 및 마그네슘 등의 금속 또는 그들의 합금(마그네슘-은 합금, 마그네슘-인듐 합금, 불화리튬/알루미늄 등의 알루미늄-리튬 합금 등) 등이 바람직하다. 전자 주입 효율을 높여서 소자 특성을 향상시키기 위해서는, 리튬, 나트륨, 칼륨, 세슘, 칼슘, 마그네슘 또는 이들 저일함수 금속을 포함하는 합금이 유효하다. 그러나, 이러한 저일함수 금속은 일반적으로 대기 중에서 불안정한 경우가 많다. 이 점을 개선하기 위해, 예를 들어 유기층에 미량의 리튬, 세슘 또는 마그네슘을 도핑하여 안정성이 높은 전극을 사용하는 방법이 알려져 있다. 다른 도펀트로는, 불화리튬, 불화세슘, 산화리튬 및 산화세슘과 같은 무기염도 사용할 수 있다. 단, 이들에 한정되는 것은 아니다.The material forming the cathode (108) is not particularly limited as long as it is a material capable of efficiently injecting electrons into the organic layer, but the same material as the material forming the anode (102) can be used. Among them, metals such as tin, indium, calcium, aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, platinum, iron, zinc, lithium, sodium, potassium, cesium, and magnesium, or alloys thereof (magnesium-silver alloys, magnesium-indium alloys, aluminum-lithium alloys such as lithium fluoride/aluminum, etc.) are preferable. In order to increase the electron injection efficiency and improve the device characteristics, alloys containing lithium, sodium, potassium, cesium, calcium, magnesium, or these low-work-function metals are effective. However, such low-work-function metals are generally often unstable in the air. To improve this point, for example, a method of using a highly stable electrode by doping a trace amount of lithium, cesium, or magnesium into the organic layer is known. Other dopants that can be used include, but are not limited to, inorganic salts such as lithium fluoride, cesium fluoride, lithium oxide, and cesium oxide.
또한, 전극 보호를 위해 백금, 금, 은, 구리, 철, 주석, 알루미늄 및 인듐 등의 금속 또는 이들 금속을 이용한 합금 및 실리카, 티타니아 및 질화규소 등의 무기물, 폴리비닐알코올, 염화비닐, 탄화수소계 고분자 화합물 등을 적층하는 것을 바람직한 예로 들 수 있다. 이들 전극의 제작 방법도 저항 가열, 전자빔 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅 및 코팅 등, 도통을 할 수 있으면 특별히 제한되지 않는다.In addition, for electrode protection, it is preferable to laminate metals such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum, and indium, or alloys using these metals, inorganic substances such as silica, titania, and silicon nitride, polyvinyl alcohol, vinyl chloride, hydrocarbon-based polymer compounds, etc. The method for manufacturing these electrodes is not particularly limited as long as conductivity is possible, such as resistance heating, electron beam deposition, sputtering, ion plating, and coating.
3-8. 유기 전계 발광 소자의 제작 방법3-8. Method for manufacturing organic electroluminescent devices
유기 EL 소자를 구성하는 각 층은 각 층을 구성할 재료를 증착법, 저항 가열 증착, 전자빔 증착, 스퍼터링, 분자 적층법, 인쇄법, 스핀 코팅법 또는 캐스트법, 코팅법 등의 방법을 통해 박막으로 함으로써 형성할 수 있다. 이와 같이 하여 형성된 각 층의 막 두께에 대해서는 특별히 제한은 없고, 재료의 성질에 따라 적절히 설정할 수 있지만, 통상적으로 2nm~5000nm의 범위이다. 막 두께는 통상적으로 수정 발진식 막 두께 측정 장치 등으로 측정할 수 있다. 증착법을 이용하여 박막화하는 경우, 그 증착 조건은 재료의 종류, 막이 목적으로 하는 결정 구조 및 회합 구조 등에 따라 상이하다. 증착 조건은 일반적으로 보트 가열 온도 +50~+400℃, 진공도 10-6~10-3Pa, 증착 속도 0.01~50nm/sec, 기판 온도 -150~+300℃, 막 두께 2nm~5㎛의 범위에서 적절하게 설정하는 것이 바람직하다.Each layer constituting the organic EL element can be formed by forming a thin film using the material constituting each layer through a method such as vapor deposition, resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, sputtering, molecular stacking, printing, spin coating or casting, or coating. There is no particular limitation on the film thickness of each layer formed in this way, and it can be set appropriately depending on the properties of the material, but is usually in the range of 2 nm to 5000 nm. The film thickness can usually be measured using a crystal oscillation film thickness measuring device, etc. When forming a thin film using the vapor deposition method, the deposition conditions vary depending on the type of material, the crystal structure and association structure that the film is intended for, etc. The deposition conditions are generally boat heating temperature +50 to +400°C, vacuum degree 10 -6 to 10 -3 Pa, deposition speed 0.01 to 50 nm/sec, substrate temperature -150 to +300°C, and film thickness 2 nm to 5 μm. It is preferable to set it appropriately in the range of.
이렇게 하여 얻어진 유기 EL 소자에 직류 전압을 인가하는 경우에는, 양극을 +, 음극을 -의 극성으로서 인가하면 되고, 전압 2~40V 정도를 인가하면, 투명 또는 반투명의 전극측(양극 또는 음극 및 양쪽)에서 발광이 관측될 수 있다. 또한, 이 유기 EL 소자는 펄스 전류나 교류 전류를 인가한 경우에도 발광한다. 그리고, 인가하는 교류의 파형은 임의여도 된다.When applying a direct current voltage to the organic EL element obtained in this way, the polarity should be + for the anode and - for the cathode, and when a voltage of about 2 to 40 V is applied, light emission can be observed from the transparent or semitransparent electrode side (anode or cathode and both sides). In addition, this organic EL element also emits light when a pulse current or an alternating current is applied. In addition, the waveform of the applied alternating current may be arbitrary.
다음으로, 유기 EL 소자를 제작하는 방법의 일례로, 양극/정공 주입층/정공 수송층/호스트 재료와 도펀트 재료로 이루어진 발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극으로 이루어진 유기 EL 소자의 제작 방법에 대하여 설명한다.Next, as an example of a method for manufacturing an organic EL device, a method for manufacturing an organic EL device composed of an anode/hole injection layer/hole transport layer/emission layer composed of a host material and a dopant material/electron transport layer/electron injection layer/cathode is described.
<증착법><Deposition method>
적당한 기판 상에, 양극 재료의 박막을 증착법 등에 의해 형성시켜 양극을 제작한 후, 이 양극 상에 정공 주입층 및 정공 수송층의 박막을 형성시킨다. 이 위에 호스트 재료와 도펀트 재료를 공증착하고 박막을 형성시켜 발광층으로 하고, 이 발광층 위에 전자 수송층, 전자 주입층을 형성시키고, 또한 음극용 물질로 이루어진 박막을 증착법 등에 의해 형성시켜 음극으로 함으로써, 원하는 유기 EL 소자가 얻어진다. 또한, 상술한 유기 EL 소자의 제작에 있어서는, 제작 순서를 반대로 하여 음극, 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층, 양극의 순서로 제작하는 것도 가능하다.On a suitable substrate, a thin film of an anode material is formed by a vapor deposition method or the like to produce an anode, and then thin films of a hole injection layer and a hole transport layer are formed on the anode. A host material and a dopant material are co-deposited thereon to form a thin film to form a light-emitting layer, and an electron transport layer and an electron injection layer are formed on the light-emitting layer, and further, a thin film made of a cathode material is formed by a vapor deposition method or the like to produce a cathode, thereby obtaining a desired organic EL device. Furthermore, in the production of the above-described organic EL device, it is also possible to reverse the production order and produce the device in the order of a cathode, electron injection layer, electron transport layer, light-emitting layer, hole transport layer, hole injection layer, and anode.
<습식 성막법><Wet Tabernacle Method>
습식 성막법은, 유기 EL 소자의 각 유기층을 형성할 수 있는 저분자 화합물을 액상의 유기층 형성용 조성물로서 준비하고, 이것을 사용함으로써 실시된다. 이 저분자 화합물을 용해시키는 적당한 유기 용매가 없는 경우에는, 해당 저분자 화합물에 반응성 치환기를 치환시킨 반응성 화합물로서 용해성 기능을 가지는 다른 모노머나 주쇄형 고분자와 함께 고분자화된 고분자 화합물 등으로부터 유기층 형성용 조성물을 준비해도 된다.The wet film formation method is carried out by preparing a low molecular weight compound capable of forming each organic layer of an organic EL device as a liquid organic layer forming composition and using this. If there is no suitable organic solvent that dissolves the low molecular weight compound, an organic layer forming composition may be prepared from a polymer compound polymerized with another monomer or main chain polymer having a soluble function as a reactive compound in which a reactive substituent is substituted on the low molecular weight compound.
습식 성막법은, 일반적으로 기판에 유기층 형성용 조성물을 도포하는 도포 공정 및 도포된 유기층 형성용 조성물로부터 용매를 제거하는 건조 공정을 거쳐 도막을 형성한다. 상기 고분자 화합물이 가교성 치환기를 가지는 경우(이를 가교성 고분자 화합물이라고도 함)에는, 이 건조 공정에 의해 추가로 가교하여 고분자 가교체가 형성된다. 도포 공정의 차이에 따라, 스핀 코터를 이용하는 방법을 스핀 코팅법, 슬릿 코터를 이용하는 방법을 슬릿 코팅법, 판을 이용하는 방법을 그라비어, 오프셋, 리버스 오프셋, 플렉소 인쇄법, 잉크젯 프린터를 이용하는 방법을 잉크젯법, 안개 모양으로 분무하는 방법을 스프레이법이라고 한다. 건조 공정에는 풍건, 가열, 감압 건조 등의 방법이 있다. 건조 공정은 한 번만 실시해도 되고, 다른 방법이나 조건을 이용하여 여러 번 실시해도 된다. 또한, 예를 들어 감압 하에서의 소성과 같이 다른 방법을 병용해도 된다.The wet film-forming method generally forms a film through a coating process of coating an organic layer-forming composition on a substrate and a drying process of removing a solvent from the coated organic layer-forming composition. When the polymer compound has a crosslinkable substituent (also called a crosslinkable polymer compound), it is further crosslinked by this drying process to form a polymer crosslinked body. Depending on the difference in the coating process, a method using a spin coater is called the spin coating method, a method using a slit coater is called the slit coating method, a method using a plate is called the gravure, offset, reverse offset, or flexographic printing method, a method using an inkjet printer is called the inkjet method, and a method of spraying in the shape of a mist is called the spray method. The drying process includes methods such as air drying, heating, and reduced-pressure drying. The drying process may be performed only once, or may be performed multiple times using different methods or conditions. In addition, other methods, such as baking under reduced pressure, may be used in combination.
습식 성막법이란, 용액을 이용한 성막법이고, 예를 들어 일부 인쇄법(잉크젯법), 스핀 코팅법 또는 캐스트법, 코팅법 등이 있다. 습식 성막법은 진공 증착법과는 달리 고가의 진공 증착 장치를 사용할 필요가 없고, 대기압 하에서 성막할 수 있다. 또한, 습식 성막법은 대면적화 및 연속 생산이 가능하여, 제조 비용의 저감으로 이어진다.The wet film deposition method is a film deposition method using a solution, and examples thereof include some printing methods (inkjet methods), spin coating methods or casting methods, and coating methods. Unlike the vacuum deposition method, the wet film deposition method does not require the use of expensive vacuum deposition equipment, and can be formed under atmospheric pressure. In addition, the wet film deposition method allows for large-area and continuous production, which leads to a reduction in manufacturing costs.
한편, 진공 증착법과 비교한 경우에는, 습식 성막법은 적층화가 어려운 경우가 있다. 습식 성막법을 이용하여 적층막을 제작하는 경우, 상층의 조성물에 의한 하층의 용해를 방지할 필요가 있어, 용해성을 제어한 조성물, 하층의 가교 및 직교 용매(Orthogonal solvent, 서로 용해하지 않는 용매) 등이 구사된다. 그러나, 이들 기술을 사용하더라도, 모든 막의 도포에 습식 성막법을 사용하는 것은 곤란한 경우가 있다.On the other hand, compared to the vacuum deposition method, the wet film deposition method sometimes has difficulty in lamination. When producing a laminated film using the wet film deposition method, it is necessary to prevent the lower layer from dissolving due to the upper layer composition, so a composition with controlled solubility, a lower layer crosslinking, and an orthogonal solvent (solvents that do not dissolve in each other) are used. However, even if these techniques are used, it is sometimes difficult to use the wet film deposition method for all film applications.
그래서, 일반적으로 몇개의 층만을 습식 성막법을 사용하고, 나머지를 진공 증착법으로 유기 EL 소자를 제작하는 방법이 채용된다.Therefore, a method is generally adopted to manufacture organic EL devices by using a wet deposition method for only a few layers and a vacuum deposition method for the rest.
예를 들어, 습식 성막법을 일부 적용하여 유기 EL 소자를 제작하는 순서를 이하에 나타낸다.For example, the procedure for manufacturing an organic EL device by partially applying a wet film deposition method is shown below.
(순서 1) 양극의 진공 증착법에 의한 성막(Sequence 1) Film formation by vacuum deposition method of anode
(순서 2) 정공 주입층용 재료를 포함하는 정공 주입층 형성용 조성물의 습식 성막법에 의한 성막(Order 2) Wet film formation of a composition for forming a hole injection layer including a material for a hole injection layer
(순서 3) 정공 수송층용 재료를 포함하는 정공 수송층 형성용 조성물의 습식 성막법에 의한 성막(Step 3) Wet film formation of a composition for forming a hole transport layer including a material for a hole transport layer
(순서 4) 호스트 재료와 도펀트 재료를 포함하는 발광층 형성용 조성물의 습식 성막법에 의한 성막(Step 4) Wet film deposition of a composition for forming a light-emitting layer including a host material and a dopant material
(순서 5) 전자 수송층의 진공 증착법에 의한 성막(Step 5) Film formation by vacuum deposition of electron transport layer
(순서 6) 전자 주입층의 진공 증착법에 의한 성막(Step 6) Film formation by vacuum deposition of electron injection layer
(순서 7) 음극의 진공 증착법에 의한 성막(Step 7) Film formation by vacuum deposition of cathode
이 과정을 거쳐, 양극/정공 주입층/정공 수송층/호스트 재료와 도펀트 재료로 이루어진 발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극으로 이루어진 유기 EL 소자가 얻어진다.Through this process, an organic EL device composed of an anode/hole injection layer/hole transport layer/emission layer composed of a host material and a dopant material/electron transport layer/electron injection layer/cathode is obtained.
물론, 전자 수송층 및 전자 주입층에 대해서도, 각각 전자 수송층용 재료 및 전자 주입층용 재료를 포함하는 층 형성용 조성물을 사용하여 습식 성막법에 의해 성막해도 된다. 이때, 하층의 발광층의 용해를 방지하는 수단 또는 상기 순서와는 반대로 음극측부터 성막하는 수단을 이용하는 것이 바람직하다.Of course, for the electron transport layer and the electron injection layer, a layer forming composition including a material for the electron transport layer and a material for the electron injection layer may be used to form a film by a wet film forming method, respectively. At this time, it is preferable to use a means for preventing the dissolution of the lower light-emitting layer or a means for forming a film from the cathode side in the opposite order.
<그 밖의 성막법><Other Tabernacle Laws>
유기층 형성용 조성물의 성막화에는, 레이저 가열 묘화법(LITI)을 이용할 수 있다. LITI란, 기재에 부착된 화합물을 레이저로 가열 증착하는 방법으로, 기재에 도포되는 재료에 유기층 형성용 조성물을 사용할 수 있다.For the film formation of an organic layer-forming composition, laser thermal lithography (LITI) can be used. LITI is a method of heating and depositing a compound attached to a substrate with a laser, and an organic layer-forming composition can be used for a material applied to a substrate.
<임의의 공정><Random Process>
성막의 각 공정 전후에, 적절한 처리 공정, 세정 공정 및 건조 공정을 적절히 넣어도 된다. 처리 공정으로는, 예를 들어 노광 처리, 플라즈마 표면 처리, 초음파 처리, 오존 처리, 적절한 용매를 이용한 세정 처리 및 가열 처리 등을 들 수 있다. 또한, 뱅크를 제작하는 일련의 공정도 들 수 있다.Before and after each process of the tabernacle, appropriate treatment processes, cleaning processes, and drying processes may be appropriately included. As the treatment processes, for example, exposure treatment, plasma surface treatment, ultrasonic treatment, ozone treatment, cleaning treatment using an appropriate solvent, and heat treatment may be included. In addition, a series of processes for producing a bank may also be included.
뱅크의 제작에는 포토리소그래피 기술을 사용할 수 있다. 포토리소그래피의 이용 가능한 뱅크 재료로는 포지티브형 레지스트 재료 및 네거티브형 레지스트 재료를 사용할 수 있다. 또한, 잉크젯법, 그라비어 오프셋 인쇄, 리버스 오프셋 인쇄, 스크린 인쇄 등의 패턴 가능한 인쇄법도 사용할 수 있다. 이때에는 영구 레지스트 재료를 사용할 수도 있다.Photolithography technology can be used to produce the bank. Available bank materials for photolithography include positive resist materials and negative resist materials. In addition, patternable printing methods such as inkjet printing, gravure offset printing, reverse offset printing, and screen printing can also be used. Permanent resist materials can also be used at this time.
<습식 성막법에 사용되는 유기층 형성용 조성물><Composition for forming organic layer used in wet film deposition method>
유기층 형성용 조성물은, 유기 EL 소자의 각 유기층을 형성할 수 있는 저분자 화합물 또는 당해 저분자 화합물을 고분자화시킨 고분자 화합물을 유기 용매에 용해시켜 얻어진다. 예를 들어, 발광층 형성용 조성물은 제1성분으로서 1종 이상의 도펀트 재료인 다환 방향족 화합물(또는 그 고분자 화합물)과 제2성분으로서 1종 이상의 호스트 재료와 제3성분으로서 1종 이상의 유기 용매를 함유한다. 제1성분은 당해 조성물로부터 얻어지는 발광층의 도펀트 성분으로서 기능하고, 제2성분은 발광층의 호스트 성분으로서 기능한다. 제3성분은 조성물 중의 제1성분과 제2성분을 용해시키는 용매로서 기능하고, 도포 시에는 제3성분 자체의 제어된 증발 속도에 의해 평활하고 균일한 표면 형상을 제공한다.The composition for forming an organic layer is obtained by dissolving a low-molecular-weight compound capable of forming each organic layer of an organic EL device or a high-molecular-weight compound obtained by polymerizing the low-molecular-weight compound in an organic solvent. For example, the composition for forming a light-emitting layer contains, as a first component, at least one dopant material, a polycyclic aromatic compound (or a high-molecular-weight compound thereof), as a second component, at least one host material, and as a third component, at least one organic solvent. The first component functions as a dopant component of the light-emitting layer obtained from the composition, and the second component functions as a host component of the light-emitting layer. The third component functions as a solvent that dissolves the first and second components in the composition, and, when applied, provides a smooth and uniform surface shape by the controlled evaporation rate of the third component itself.
<유기 용매><Organic solvent>
유기층 형성용 조성물은 1종 이상의 유기 용매를 포함한다. 성막 시에 유기 용매의 증발 속도를 제어함으로써, 성막성 및 도막의 결함 유무, 표면 거칠기, 평활성을 제어 및 개선할 수 있다. 또한, 잉크젯법을 이용한 성막 시에는, 잉크젯 헤드의 핀홀에서의 메니스커스 안정성을 제어하여, 토출성을 제어·개선할 수 있다. 또한, 막의 건조 속도 및 유도체 분자의 배향을 제어함으로써, 당해 유기층 형성용 조성물로부터 얻어지는 유기층을 가지는 유기 EL 소자의 전기 특성, 발광 특성, 효율 및 수명을 개선할 수 있다.The composition for forming an organic layer contains one or more organic solvents. By controlling the evaporation rate of the organic solvent during film formation, the film formation properties and the presence or absence of defects in the film, surface roughness, and smoothness can be controlled and improved. In addition, when film formation using an inkjet method, the meniscus stability in the pinhole of the inkjet head can be controlled and improved to control and improve the discharge properties. In addition, by controlling the drying rate of the film and the orientation of the derivative molecules, the electrical characteristics, luminescence characteristics, efficiency, and lifespan of an organic EL device having an organic layer obtained from the composition for forming an organic layer can be improved.
유기 용매는 성막 후에 진공, 감압, 가열 등의 건조 공정에 의해 도막으로부터 제거된다. 가열을 실시하는 경우, 도포 성막성 개선의 관점에서는, 용질의 1종 이상의 유리 전이 온도(Tg)+30℃ 이하에서 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 잔류 용매의 삭감의 관점에서는, 용질의 1종 이상의 유리 전이점(Tg)-30℃ 이상에서 가열하는 것이 바람직하다. 가열 온도가 유기 용매의 비점보다 낮아도 막이 얇기 때문에, 유기 용매는 충분히 제거된다. 또한, 상이한 온도에서 여러 번 건조를 실시해도 되고, 복수의 건조 방법을 병용해도 된다.The organic solvent is removed from the film after the film formation by a drying process such as vacuum, depressurization, or heating. When heating is performed, from the viewpoint of improving the coating film formation property, it is preferable to perform the heating at a temperature lower than or equal to the glass transition temperature (Tg) of at least one solute +30°C. Furthermore, from the viewpoint of reducing the residual solvent, it is preferable to perform the heating at a temperature higher than or equal to the glass transition point (Tg) of at least one solute -30°C. Even if the heating temperature is lower than the boiling point of the organic solvent, the film is thin, so the organic solvent is sufficiently removed. Furthermore, drying may be performed multiple times at different temperatures, or multiple drying methods may be used in combination.
(2) 유기 용매의 구체예(2) Specific examples of organic solvents
유기층 형성용 조성물에 사용되는 유기 용매로는, 알킬벤젠계 용매, 페닐에테르계 용매, 알킬에테르계 용매, 환상 케톤계 용매, 지방족 케톤계 용매, 단환성 케톤계 용매, 디에스테르 골격을 가지는 용매 및 불소 함유계 용매 등을 들 수 있지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다. 또한, 용매는 단일로 사용해도 되고, 혼합해도 된다.Examples of organic solvents used in the composition for forming an organic layer include, but are not limited to, alkylbenzene solvents, phenyl ether solvents, alkyl ether solvents, cyclic ketone solvents, aliphatic ketone solvents, monocyclic ketone solvents, solvents having a diester skeleton, and fluorine-containing solvents. In addition, the solvents may be used alone or in combination.
<임의 성분><Random ingredients>
유기층 형성용 조성물은, 그 성질을 손상시키지 않는 범위에서 임의 성분을 포함하고 있어도 된다. 임의 성분으로는 바인더 및 계면 활성제 등을 들 수 있다.The composition for forming an organic layer may contain optional components as long as the properties thereof are not impaired. Optional components include binders and surfactants.
<유기층 형성용 조성물의 조성 및 물성><Composition and properties of the composition for forming an organic layer>
유기층 형성용 조성물에 있어서의 각 성분의 함유량은, 유기층 형성용 조성물 중의 각 성분의 양호한 용해성, 보존 안정성 및 성막성, 및 해당 유기층 형성용 조성물로부터 얻어지는 도막의 양질의 막질, 또한 잉크젯법을 이용한 경우의 양호한 토출성, 해당 조성물을 사용하여 제작된 유기층을 가지는 유기 EL 소자의 양호한 전기 특성, 발광 특성, 효율, 수명의 관점을 고려하여 결정된다.The content of each component in the organic layer-forming composition is determined in consideration of the good solubility, preservation stability and film-forming properties of each component in the organic layer-forming composition, the good film quality of a coating film obtained from the organic layer-forming composition, good discharge properties when using an inkjet method, and the good electrical characteristics, luminescence characteristics, efficiency and lifespan of an organic EL device having an organic layer manufactured using the composition.
유기층 형성용 조성물은, 상기한 성분을 공지의 방법으로 교반, 혼합, 가열, 냉각, 용해, 분산 등을 적절히 선택하여 실시함으로써 제조할 수 있다. 또한, 조제 후에 여과, 탈가스(디가스라고도 함), 이온 교환 처리 및 불활성 가스 치환·봉입 처리 등을 적절히 선택하여 실시해도 된다.The composition for forming an organic layer can be prepared by appropriately selecting and performing stirring, mixing, heating, cooling, dissolving, dispersing, etc. of the above-mentioned components by a known method. In addition, after preparation, filtration, degassing (also called degassing), ion exchange treatment, and inert gas substitution/sealing treatment can be appropriately selected and performed.
<유기 전계 발광 소자의 응용예><Application examples of organic electroluminescent devices>
또한, 본 발명은 유기 EL 소자를 구비한 표시 장치 또는 유기 EL 소자를 구비한 조명 장치 등에도 응용할 수 있다.In addition, the present invention can be applied to a display device having an organic EL element, a lighting device having an organic EL element, etc.
유기 EL 소자를 구비한 표시 장치 또는 조명 장치는, 본 실시 형태에 따른 유기 EL 소자와 공지의 구동 장치를 접속하는 등 공지의 방법에 의해 제조할 수 있고, 직류 구동, 펄스 구동, 교류 구동 등 공지된 구동 방법을 적절히 이용하여 구동할 수 있다.A display device or lighting device equipped with an organic EL element can be manufactured by a known method, such as connecting the organic EL element according to the present embodiment to a known driving device, and can be driven by appropriately using a known driving method, such as direct current driving, pulse driving, or alternating current driving.
표시 장치로는, 예를 들어 컬러 플랫 패널 디스플레이 등의 패널 디스플레이, 플렉시블 컬러 유기 전계 발광(EL) 디스플레이 등의 플렉시블 디스플레이 등을 들 수 있다(예를 들어, 일본특허공개공보 평10-335066호, 일본특허공개공보 제2003-321546호, 일본특허공개공보 제2004-281086호 등 참조). 또한, 디스플레이의 표시 방식으로는, 예를 들어 매트릭스 및 세그먼트 방식 등을 들 수 있다. 또한, 매트릭스 표시와 세그먼트 표시는 동일한 패널 중에 공존하고 있어도 된다.As the display device, examples thereof include panel displays such as a color flat panel display, and flexible displays such as a flexible color organic electroluminescence (EL) display (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-335066, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-321546, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-281086, etc.). In addition, as the display method of the display, examples thereof include a matrix method and a segment method. In addition, a matrix display and a segment display may coexist in the same panel.
매트릭스에서는, 표시를 위한 화소가 격자 형상 또는 모자이크 형상 등 2차원적으로 배치되어 있고, 화소의 집합으로 문자나 화상을 표시한다. 화소의 형상이나 크기는 용도에 따라 결정된다. 예를 들어, 컴퓨터, 모니터, 텔레비전의 화상 및 문자 표시에는, 통상적으로 한 변이 300㎛ 이하의 사각형의 화소가 사용되고, 또한 표시 패널과 같은 대형 디스플레이의 경우는, 한 변이 mm 오더의 화소를 사용하게 된다. 흑백 표시의 경우에는 동일한 색의 화소를 배열해도 되지만, 컬러 표시의 경우에는 적색, 녹색, 청색 화소를 나열하여 표시한다. 이 경우, 전형적으로 델타 타입과 스트라이프 타입이 있다. 그리고, 이 매트릭스의 구동 방법으로는, 선 순차 구동 방법이나 액티브 매트릭스 중 어느 것이어도 된다. 선 순차 구동이 구조가 간단하다는 장점이 있지만, 동작 특성을 고려하는 경우, 액티브 매트릭스가 우수할 수 있으므로, 이것도 용도에 따라 구분할 필요가 있다.In a matrix, pixels for display are arranged two-dimensionally, such as in a grid shape or mosaic shape, and characters or images are displayed as a collection of pixels. The shape and size of the pixels are determined according to the purpose. For example, for image and character display of computers, monitors, and televisions, square pixels with a side of 300㎛ or less are usually used, and in the case of large displays such as display panels, pixels with a side of the order of mm are used. In the case of black and white display, pixels of the same color may be arranged, but in the case of color display, red, green, and blue pixels are arranged and displayed. In this case, there are typically delta types and stripe types. And, as a driving method of this matrix, either a line-sequential driving method or an active matrix can be used. Although line-sequential driving has the advantage of a simple structure, an active matrix may be superior when considering operating characteristics, so this also needs to be distinguished according to the purpose.
세그먼트 방식(타입)에서는, 미리 정해진 정보를 표시하도록 패턴을 형성하고, 정해진 영역을 발광시킨다. 예를 들어, 디지털 시계나 온도계에서의 시각이나 온도 표시, 오디오 기기나 전자 조리기 등의 동작 상태 표시 및 자동차의 패널 표시 등을 들 수 있다.In the segment method (type), a pattern is formed to display predetermined information, and a predetermined area is illuminated. Examples include the time or temperature display on a digital clock or thermometer, the operating status display on audio devices or electronic cookers, and the panel display on a car.
조명 장치로는, 예를 들어 실내 조명 등의 조명 장치, 액정 표시 장치의 백라이트 등을 들 수 있다(예를 들어, 일본특허공개공보 제2003-257621호, 일본특허공개공보 제2003-277741호, 일본특허공개공보 제2004-119211호 등 참조). 백라이트는, 주로 자발광하지 않는 표시 장치의 시인성을 향상시키는 목적으로 사용되고, 액정 표시 장치, 시계, 오디오 장치, 자동차 패널, 표지판 및 표지 등에 사용된다. 특히, 액정 표시 장치, 그 중에서도 박형화가 과제가 되고 있는 컴퓨터 용도의 백라이트로는, 종래 방식이 형광등이나 도광판으로 이루어져 있기 때문에 박형화가 곤란하다는 것을 고려하면, 본 실시 형태에 따른 발광 소자를 이용한 백라이트는 얇고 경량인 것이 특징이다.As the lighting device, examples thereof include lighting devices such as indoor lighting, and backlights for liquid crystal displays (see, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2003-257621, Japanese Patent Laid-Open No. 2003-277741, Japanese Patent Laid-Open No. 2004-119211, etc.). Backlights are mainly used for the purpose of improving the visibility of display devices that do not self-luminous, and are used in liquid crystal displays, watches, audio devices, automobile panels, signs, and markers. In particular, considering that it is difficult to make a backlight for liquid crystal displays, and especially for computer use where thinning is an issue, to make it thinner because conventional methods consist of fluorescent lamps or light guide plates, the backlight using a light-emitting element according to the present embodiment is characterized by being thin and lightweight.
4. 기타 유기 디바이스4. Other organic devices
본 발명에 따른 다환 방향족 화합물은 상술한 유기 전계 발광 소자 외에 유기 전계 효과 트랜지스터 또는 유기 박막 태양 전지 등의 제작에 사용할 수 있다.The polycyclic aromatic compound according to the present invention can be used in the manufacture of organic field effect transistors or organic thin film solar cells, in addition to the organic electroluminescent devices described above.
[실시예][Example]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described more specifically by examples, but the present invention is not limited to these.
<<합성예>><<Synthetic example>>
합성예(1):Synthetic example (1):
화합물(1-1)의 합성Synthesis of compound (1-1)
화합물(S-1-1)(0.72g) 및 tert-부틸벤젠(7.0ml)이 들어있는 플라스크에 질소 분위기 하에서 -30℃에서 1.6M의 tert-부틸리튬펜탄 용액(1.6ml)을 첨가하였다. 적하 종료 후, 60℃까지 승온하여 2시간 교반한 후, tert-부틸벤젠으로부터 저비점의 성분을 감압 증류 제거하였다. -30℃까지 냉각하여 삼브롬화붕소(0.63g)를 첨가하고, 실온까지 승온하여 0.5시간 교반하였다. 그 후, 다시 0℃까지 냉각하여 N,N-디이소프로필에틸아민(0.43ml)을 첨가하고, 발열이 가라앉을 때까지 실온에서 교반한 후, 120℃까지 승온하여 3시간 가열 교반하였다. 반응액을 실온까지 냉각하고, 빙욕으로 식힌 아세트산나트륨 수용액, 이어서 헵탄을 첨가하여 분액하였다. 이어서, 실리카겔 쇼트 패스 컬럼(용리액: 톨루엔)으로 정제한 후, 용매를 감압 증류 제거하여 얻어진 고체를 톨루엔에 녹이고 헵탄을 첨가하여 재침전시켜 화합물(1-1)(0.37g)을 얻었다.A 1.6 M tert-butyllithium pentane solution (1.6 ml) was added to a flask containing compound (S-1-1) (0.72 g) and tert-butylbenzene (7.0 ml) at -30°C under a nitrogen atmosphere. After completion of the dropping, the temperature was increased to 60°C and stirred for 2 hours, and then low-boiling-point components were distilled off from tert-butylbenzene under reduced pressure. After cooling to -30°C, boron tribromide (0.63 g) was added, the temperature was increased to room temperature, and stirred for 0.5 hour. Thereafter, the temperature was cooled to 0°C again, N,N-diisopropylethylamine (0.43 ml) was added, and the temperature was stirred at room temperature until the exotherm subsided, and then the temperature was increased to 120°C and stirred with heating for 3 hours. The reaction solution was cooled to room temperature, and an aqueous sodium acetate solution cooled in an ice bath, followed by heptane, was added to perform liquid separation. Subsequently, after purification using a silica gel short pass column (eluent: toluene), the solvent was distilled off under reduced pressure, and the obtained solid was dissolved in toluene and reprecipitated by adding heptane to obtain compound (1-1) (0.37 g).
합성예(1)에 준하는 방법으로 이하의 화합물을 합성하였다.The following compounds were synthesized using a method similar to Synthesis Example (1).
합성예(1)에 준하는 방법으로 상기 화합물(1-286)~화합물(1-494)를 추가로 합성하였다.Compounds (1-286) to (1-494) were additionally synthesized using a method similar to Synthesis Example (1).
MALDI-TOF-MS(매트릭스 지원 레이저 탈리 이온화 비행 시간형 질량 분석법)에 따라 목적물의 생성을 확인하였다.The production of the target product was confirmed by matrix-assisted laser deionization time-of-flight mass spectrometry (MALDI-TOF-MS).
<<유기 EL 소자의 제조와 평가>><<Manufacturing and Evaluation of Organic EL Devices>>
합성한 본 발명의 화합물 및 비교 화합물의 각 화합물을 사용하여 TAF, PSF의 각 유기 EL 소자를 제조하였다.Each organic EL device of TAF and PSF was manufactured using each compound of the present invention and the comparative compound.
<TADF 구성: 실시예 1-1~실시예 1-19 및 비교예 1-1><TADF Composition: Examples 1-1 to 1-19 and Comparative Example 1-1>
ITO(50nm)/HAT-CN(10nm)/HT-1(60nm)/SiCzCz(5nm)/SiCzCz:표 2에 기재된 각 화합물:new-DABNA(60:39:1)(35nm)/mSiTrz(5nm)/mSiTrz:Liq(1:1)(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)ITO(50nm)/HAT-CN(10nm)/HT-1(60nm)/SiCzCz(5nm)/SiCzCz:Each compound listed in Table 2:new-DABNA(60:39:1)(35nm)/mSiTrz(5nm)/mSiTrz:Liq(1:1)(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)
스퍼터링에 의해 200nm의 두께로 제막한 ITO를 50nm까지 연마한 26mm×28mm×0.7mm의 유리 기판((주)옵토사이언스제)을 투명 지지 기판으로 하였다. 이 투명 지지 기판을 시판하고 있는 증착 장치(쇼와진공(주)제)의 기판 홀더에 고정하고, HAT-CN, HT-1, SiCzCz, 표 2에 기재된 각 화합물, new-DABNA, mSiTrz 및 Liq를 각각 넣은 몰리브덴제 증착용 보트, LiF 및 알루미늄을 각각 넣은 텅스텐제 증착용 보트를 장착하였다.A 26 mm × 28 mm × 0.7 mm glass substrate (manufactured by Optoscience Co., Ltd.) on which ITO was sputtered to a thickness of 200 nm and polished to a thickness of 50 nm was used as a transparent support substrate. This transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available deposition device (manufactured by Showa Vacuum Co., Ltd.), and a molybdenum deposition boat containing HAT-CN, HT-1, SiCzCz, each of the compounds listed in Table 2, new-DABNA, mSiTrz, and Liq, and a tungsten deposition boat containing LiF and aluminum, respectively, were mounted.
투명 지지 기판의 ITO막 위에 순차적으로 하기 각 층을 형성하였다. 진공조를 5×10-4Pa까지 감압하고, 먼저 HAT-CN을 가열하여 막 두께 10nm가 되도록 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 다음으로 HT-1을 가열하여 막 두께 60nm가 되도록 증착하여 정공 수송층(1)을 형성하고, 또한 SiCzCz를 가열하여 막 두께 5nm가 되도록 증착하여 정공 수송층(2)를 형성하였다. 다음으로 SiCzCz와 표 2에 기재된 각 화합물과 new-DABNA를 동시에 가열하여 막 두께 35nm가 되도록 증착하여 발광층을 형성하였다. SiCzCz와 표 2에 기재된 각 화합물과 new-DABNA의 질량비가 대략 60:39:1이 되도록 증착 속도를 조절하였다. 다음으로 mSiTrz를 가열하여 막 두께 5nm가 되도록 증착하여 전자 수송층(1)을 형성하고, 또한 mSiTrz와 Liq를 가열하여 막 두께 30nm가 되도록 증착하여 전자 수송층(2)를 형성하였다. SiTrz와 Liq의 질량비가 대략 1:1이 되도록 증착 속도를 조절하였다. 각 층의 증착 속도는 0.01~1nm/sec였다. 그 후, LiF를 가열하여 막 두께 1nm가 되도록 0.01~0.1nm/sec의 증착 속도로 증착하고, 이어서 알루미늄을 가열하여 막 두께 100nm가 되도록 증착하고 음극을 형성하여 유기 EL 소자를 얻었다. 이때, 알루미늄의 증착 속도는 1~10nm/sec가 되도록 조절하였다. 또한, 발광층의 SiCzCz는 정공 수송성 호스트 재료에 해당하고, 표 2에 기재된 각 화합물은 전자 수송성 호스트 재료에 해당한다.The following layers were sequentially formed on the ITO film of the transparent support substrate. The vacuum chamber was decompressed to 5×10 -4 Pa, and first, HAT-CN was heated and deposited to a film thickness of 10 nm to form a hole injection layer. Next, HT-1 was heated and deposited to a film thickness of 60 nm to form a hole transport layer (1), and further, SiCzCz was heated and deposited to a film thickness of 5 nm to form a hole transport layer (2). Next, SiCzCz, each compound listed in Table 2, and new-DABNA were simultaneously heated and deposited to a film thickness of 35 nm to form a light-emitting layer. The deposition rate was controlled so that the mass ratio of SiCzCz, each compound listed in Table 2, and new-DABNA was approximately 60:39:1. Next, mSiTrz was heated and deposited to a film thickness of 5 nm to form an electron transport layer (1), and further, mSiTrz and Liq were heated and deposited to a film thickness of 30 nm to form an electron transport layer (2). The deposition rate was controlled so that the mass ratio of SiTrz and Liq was approximately 1:1. The deposition rate of each layer was 0.01 to 1 nm/sec. Thereafter, LiF was heated and deposited at a deposition rate of 0.01 to 0.1 nm/sec so that the film thickness was 1 nm, and then aluminum was heated and deposited to a film thickness of 100 nm to form a cathode, thereby obtaining an organic EL device. At this time, the deposition rate of aluminum was controlled to 1 to 10 nm/sec. In addition, SiCzCz of the emitting layer corresponds to a hole-transporting host material, and each compound listed in Table 2 corresponds to an electron-transporting host material.
<TAF 구성: 실시예 2-1~실시예 2-19 및 비교예 2-1><TAF Composition: Examples 2-1 to 2-19 and Comparative Example 2-1>
ITO(50nm)/HAT-CN(10nm)/HT-1(60nm)/SiCzCz(5nm)/SiCzCz:표 2에 기재된 각 화합물:TADF-1:new-DABNA(60:26:13:1)(35nm)/mSiTrz(5nm)/mSiTrz:Liq(1:1)(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)ITO(50nm)/HAT-CN(10nm)/HT-1(60nm)/SiCzCz(5nm)/SiCzCz:Each compound listed in Table 2:TADF-1:new-DABNA(60:26:13:1)(35nm)/mSiTrz(5nm)/mSiTrz:Liq(1:1)(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)
발광층 이외에는 TADF 구성과 동일하게 제작하였다. 발광층에서는 SiCzCz와 표 2에 기재된 각 화합물과 (TADF-1)과 new-DABNA를 동시에 가열하여 막 두께 35nm가 되도록 증착하였다. SiCzCz와 표 2에 기재된 각 화합물과 (TADF-1)과 new-DABNA의 질량비가 대략 60:26:13:1이 되도록 증착 속도를 조절하였다.Except for the emitting layer, it was fabricated in the same manner as the TADF composition. In the emitting layer, SiCzCz and each compound listed in Table 2, (TADF-1) and new-DABNA were simultaneously heated and deposited to a film thickness of 35 nm. The deposition rate was controlled so that the mass ratio of SiCzCz and each compound listed in Table 2, (TADF-1) and new-DABNA was approximately 60:26:13:1.
<PSF 구성: 실시예 3-1~실시예 3-228 및 비교예 3-1><PSF Composition: Example 3-1 to Example 3-228 and Comparative Example 3-1>
ITO(50nm)/HAT-CN(10nm)/HT-1(60nm)/SiCzCz(5nm)/SiCzCz:표 2에 기재된 각 화합물:PtON7:new-DABNA(60:26:13:1)(35nm)/mSiTrz(5nm)/mSiTrz:Liq(1:1)(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)ITO(50nm)/HAT-CN(10nm)/HT-1(60nm)/SiCzCz(5nm)/SiCzCz:Each compound listed in Table 2:PtON7:new-DABNA(60:26:13:1)(35nm)/mSiTrz(5nm)/mSiTrz:Liq(1:1)(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)
상기 TAF 구성의 (TADF-1)을 PtON7로 치환하고, 동일하게 소자를 제작하였다.The above TAF configuration (TADF-1) was replaced with PtON7, and the device was fabricated in the same manner.
상기 각 소자의 제조에 사용한 화합물의 화학 구조를 이하에 나타낸다.The chemical structures of the compounds used in the manufacture of each of the above elements are shown below.
[평가][evaluation]
평가 항목으로는 구동 전압(V), 발광 파장(nm), CIE 색도(x, y), 외부 양자 효율(%), 발광 스펙트럼의 최대 파장(nm) 및 반치폭(nm) 등이 있다. 이들 평가 항목은, 예를 들어 1000cd/m2 발광 시의 값을 사용할 수 있다.Evaluation items include driving voltage (V), emission wavelength (nm), CIE chromaticity (x, y), external quantum efficiency (%), maximum wavelength (nm) and half width (nm) of the emission spectrum. For example, values at 1000 cd/m 2 emission can be used for these evaluation items.
발광 소자의 양자 효율에는 내부 양자 효율과 외부 양자 효율이 있는데, 내부 양자 효율은 발광 소자의 발광층에 전자(또는 정공)로서 주입되는 외부 에너지가 순수하게 광자로 변환되는 비율을 나타내고 있다. 한편, 외부 양자 효율은, 이 광자가 발광 소자의 외부까지 방출되는 양에 기초하여 산출되고, 발광층에서 발생한 광자는 그 일부가 발광 소자의 내부에서 흡수되거나 혹은 계속 반사되어 발광 소자의 외부에 방출되지 않기 때문에, 외부 양자 효율은 내부 양자 효율보다 낮아진다.The quantum efficiency of a light-emitting device includes internal quantum efficiency and external quantum efficiency. The internal quantum efficiency represents the rate at which external energy injected as electrons (or holes) into the light-emitting layer of the light-emitting device is purely converted into photons. On the other hand, the external quantum efficiency is calculated based on the amount of these photons emitted to the outside of the light-emitting device, and since some of the photons generated in the light-emitting layer are absorbed inside the light-emitting device or continue to be reflected and are not emitted to the outside of the light-emitting device, the external quantum efficiency is lower than the internal quantum efficiency.
분광 방사 휘도(발광 스펙트럼)와 외부 양자 효율의 측정 방법은 다음과 같다. 어드밴테스트사제 전압/전류 발생기 R6144를 사용하여 소자의 휘도가 1000cd/m2가 되는 전압을 인가하여 소자를 발광시킨다. TOPCON사제 분광 방사 휘도계 SR-3AR을 사용하여 발광면에 대해 수직 방향으로부터 가시광 영역의 분광 방사 휘도를 측정한다. 발광면이 완전 확산면이라고 가정하고, 측정한 각 파장 성분의 분광 방사 휘도의 값을 파장 에너지로 나누어 π를 곱한 수치가 각 파장에서의 포톤수이다. 이어서 관측한 전체 파장 영역에서 포톤수를 적산하고, 소자로부터 방출된 전체 포톤수로 한다. 인가 전류값을 소전하로 나눈 수치를 소자에 주입한 캐리어수로 하고, 소자로부터 방출된 전체 포톤수를 소자에 주입한 캐리어수로 나눈 수치가 외부 양자 효율이다. 또한, 발광 스펙트럼의 반치폭은 극대 발광 파장을 중심으로 하여, 그 강도가 50%가 되는 상하 파장 간의 폭으로 구해진다.The method for measuring spectral radiance (emission spectrum) and external quantum efficiency is as follows. Using a voltage/current generator R6144 manufactured by Advantest, a voltage is applied so that the device's luminance becomes 1000 cd/ m2 to cause the device to emit light. Using a spectroradiometer SR-3AR manufactured by TOPCON, the spectral radiance in the visible region is measured perpendicular to the light-emitting surface. Assuming that the light-emitting surface is a completely diffuse surface, the value of the spectral radiance of each measured wavelength component is divided by the wavelength energy and multiplied by π, which is the number of photons at each wavelength. Then, the number of photons in the entire observed wavelength range is integrated, which is the total number of photons emitted from the device. The number obtained by dividing the applied current value by the small charge is the number of carriers injected into the device, and the number obtained by dividing the total number of photons emitted from the device by the number of carriers injected into the device is the external quantum efficiency. Additionally, the half-width of the emission spectrum is calculated as the width between the upper and lower wavelengths at which the intensity is 50%, centered on the maximum emission wavelength.
ITO 전극을 양극, LiF/알루미늄 전극을 음극으로 하여 직류 전압을 인가하고, 1000cd/m2 발광 시의 특성을 측정하였다. 또한, 초기 휘도의 50% 이상의 휘도를 유지하는 시간(수명)을 측정하였다. 그리고, 소자의 발광 피크는 모두 469~475nm의 범위에 있었다.The ITO electrode was used as the anode and the LiF/aluminum electrode as the cathode, and a DC voltage was applied, and the characteristics at 1000 cd/ m2 luminescence were measured. In addition, the time (lifespan) for maintaining luminance of 50% or more of the initial luminance was measured. In addition, the luminescence peaks of the devices were all in the range of 469 to 475 nm.
결과를 표 2에 나타낸다.The results are shown in Table 2.
얻어진 결과로부터, 실시예의 소자는 대응하는 골격을 가지는 비교예의 소자와 비교하여, 고효율, 장수명인 것을 알 수 있다.From the obtained results, it can be seen that the device of the example has high efficiency and long life compared to the device of the comparative example having a corresponding skeleton.
100 유기 전계 발광 소자
101 기판
102 양극
103 정공 주입층
104 정공 수송층
105 발광층
106 전자 수송층
107 전자 주입층
108 음극100 Organic Electroluminescent Devices
101 substrate
102 Bipolar
103 Hole injection layer
104 hole transport layer
105 luminous layer
106 electron transport layer
107 electron injection layer
108 cathode
Claims (16)
식(1) 중,
A환, B환 및 C환은 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환이고,
식(X-a-1) 중,
Xa는 C, Si, Ge 또는 Sn이고,
AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환은 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환이고, AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환은 각각 다른 AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환 중 어느 하나와 단일 결합 또는 연결기로 연결되어 있어도 되며,
AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 또는 2개는,
단일 결합을 통해 A환, B환 혹은 C환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 결합되어 있거나,
A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있거나, 혹은 A환, B환 혹은 C환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-b-1)에서의 D환, E환 혹은 AR5환의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 단일 결합을 통해 결합되어 있거나,
A환, B환 혹은 C환과 환을 공유하고 있거나, 또는
A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있거나, 혹은 A환, B환 혹은 C환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-b-1) 중의 D환, E환 혹은 AR5환과 환을 공유하고 있고,
식(X-b-1) 중,
D환 및 E환은 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환이고,
Xb는 식(Xb-R5)로 표시되는 2가의 기, >O 또는 >S이고,
식(Xb-R5) 중,
2개의 #는 각각 D환 및 E환과의 결합 위치이고,
AR5환은 치환 혹은 무치환된 아릴환 또는 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴환이고, AR5환은 D환 및/또는 E환과 단일 결합 또는 연결기에 의해 연결되어 있어도 되며,
D환, E환 및 AR5환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 또는 2개는,
단일 결합을 통해 A환, B환 혹은 C환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 결합되어 있거나,
A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있거나, 혹은 A환, B환 혹은 C환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-a-1)에서의 AR1환, AR2환, AR3환 혹은 AR4환 중의 아릴환 혹은 헤테로아릴환의 환 구성 원자에 단일 결합을 통해 결합되어 있거나,
A환, B환 혹은 C환과 환을 공유하고 있거나, 또는
A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있거나, 혹은 A환, B환 혹은 C환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-a-1) 중의 AR1환, AR2환, AR3환 혹은 AR4환과 환을 공유하고 있으며,
식(1)에서, 1개 이상의 수소는 중수소로 치환되어 있어도 되고, 1개 이상의 질소는 질소-15(15N)로 치환되어 있어도 되고, 1개 이상의 황은 황-33(33S), 황-34(34S) 또는 황-36(36S)으로 치환되어 있어도 되고, 1개 이상의 산소는 산소-17(17O) 또는 산소-18(18O)로 치환되어 있어도 되고, 1개 이상의 탄소는 탄소-13(13C)으로 치환되어 있어도 되며, 1개 이상의 붕소는 붕소-11(11B)로 치환되어 있어도 된다.A polycyclic aromatic compound represented by formula (1) and comprising at least one partial structure represented by formula (Xa-1) and at least one partial structure represented by formula (Xb-1);
In equation (1),
Ring A, ring B and ring C are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring,
Among the formulas (Xa-1),
X a is C, Si, Ge or Sn,
The AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 ring are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring, and the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 ring may each be connected to any one of the other AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 ring by a single bond or a connecting group.
One or two selected from the group consisting of AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring and AR4 ring,
Is bonded to a ring constituent atom of an aryl ring or heteroaryl ring in the A ring, B ring or C ring through a single bond, or
is bonded to ring A, ring B or ring C, or is bonded to an aryl ring or heteroaryl ring of ring D, ring E or AR5 in formula (Xb-1) that shares one ring with ring A, ring B or ring C, through a single bond,
Sharing a ring with Ring A, Ring B or Ring C, or
A ring is bonded to ring A, ring B or ring C, or shares a ring with ring D, ring E or AR5 among formula (Xb-1) that shares a ring with ring A, ring B or ring C,
Among the formulas (Xb-1),
D ring and E ring are each independently a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring,
X b is a divalent group represented by the formula (Xb-R5), >O or >S,
Among the formulas (Xb-R5),
The two #s are the bonding positions with the D ring and the E ring, respectively.
The AR5 ring is a substituted or unsubstituted aryl ring or a substituted or unsubstituted heteroaryl ring, and the AR5 ring may be connected to the D ring and/or the E ring by a single bond or a connecting group.
One or two selected from the group consisting of D ring, E ring and AR5 ring,
Is bonded to a ring constituent atom of an aryl ring or heteroaryl ring in the A ring, B ring or C ring through a single bond, or
Is bonded to ring A, ring B or ring C, or is bonded to an aryl ring or heteroaryl ring in the AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring or AR4 ring in formula (Xa-1) that shares one ring with ring A, ring B or ring C, through a single bond,
Sharing a ring with Ring A, Ring B or Ring C, or
A ring is shared with an AR1 ring, AR2 ring, AR3 ring or AR4 ring among formula (Xa-1) which is bound to an A ring, a B ring or a C ring, or shares a ring with an A ring, a B ring or a C ring,
In formula (1), one or more hydrogens may be replaced with deuterium, one or more nitrogens may be replaced with nitrogen-15 ( 15 N), one or more sulfurs may be replaced with sulfur-33 ( 33 S), sulfur-34 ( 34 S), or sulfur-36 ( 36 S), one or more oxygens may be replaced with oxygen-17 ( 17 O) or oxygen-18 ( 18 O), one or more carbons may be replaced with carbon-13 ( 13 C), and one or more borons may be replaced with boron-11 ( 11 B).
AR1환, AR2환, AR3환 및 AR4환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상이 A환, B환 혹은 C환 또는 A환, B환 혹은 C환에 결합되어 있는 식(X-b-1) 중의 D환, E환 혹은 AR5환과 환을 공유하고 있는, 다환 방향족 화합물.In the first paragraph,
A polycyclic aromatic compound in which at least one ring selected from the group consisting of an AR1 ring, an AR2 ring, an AR3 ring and an AR4 ring is bonded to an A ring, a B ring or a C ring, or a D ring, an E ring or an AR5 ring in formula (Xb-1).
식(1a), 식(1b) 또는 식(1c)로 표시되고, 식(X-a-2)로 표시되는 부분 구조의 1개 이상 및 식(X-b-2)로 표시되는 부분 구조의 1개 이상을 포함하는, 다환 방향족 화합물;
식(1a), 식(1b), 식(1c), 식(X-a-2) 및 식(X-b-2) 중,
Ar1환, Ar2환, Ar3환 및 Ar4환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 또는 2개는,
단일 결합을 통해 a환, b환 혹은 c환 중의 Z에 결합되어 있거나,
a환, b환 혹은 c환 중의 Z에 결합되어 있는 식(X-b-2)로 표시되는 부분 구조에서의 d환, e환 혹은 AR5환과 결합되어 있거나,
a환, b환 혹은 c환과 환을 공유하고 있거나, 또는
a환, b환 혹은 c환에 결합되어 있거나, 혹은 a환, b환 혹은 c환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-b-2) 중의 d환, e환 혹은 AR5환과 환을 공유하고 있고,
d환, e환 및 AR5환으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 또는 2개는,
단일 결합을 통해 a환, b환 혹은 c환 중의 Z에 결합되어 있거나,
a환, b환 혹은 c환 중의 Z에 결합되어 있는 식(X-a-2)로 표시되는 부분 구조에서의 Ar1환, Ar2환, Ar3환 혹은 Ar4환 중의 Z에 결합되어 있거나,
a환, b환 혹은 c환과 환을 공유하고 있거나, 또는
a환, b환 혹은 c환에 결합되어 있거나, 혹은 a환, b환 혹은 c환과 어느 하나의 환을 공유하고 있는 식(X-a-2) 중의 Ar1환, Ar2환, Ar3환 혹은 Ar4환과 환을 공유하고 있고,
Ar1환, Ar2환, Ar3환 및 Ar4환은 각각 다른 Ar1환, Ar2환, Ar3환 및 Ar4환 중 어느 하나와 단일 결합 또는 연결기로 연결되어 있어도 되고,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 >N-RNY, >C(-RCY)2, >O, >Si(-RIY)2, >S 또는 >Se이고, RNY, RCY 및 RIY는 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환된 아릴, 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환된 알킬 또는 치환 혹은 무치환된 시클로알킬이고, 2개의 RCY는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 되고, 2개의 RIY는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 되며,
Z는 다른 환과의 결합손를 가지는 탄소 원자이거나, 또는 -C(-RZ)= 혹은 -N=이고, RZ는 수소 또는 치환기이고, 단, 식(X-b-2) 중의 e환을 구성하는 Z 중 인접한 2개는 식(X-b-2-e)의 2개의 *에 각각 결합되어 있는 탄소 원자여도 되고, 식(X-b-2-e) 중 Xb는 식(Xb-R5)로 표시되는 2가의 기, >O, >C(-RCX)2, >Si(-RIX)2, >S 또는 >Se이고, RCX는 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환된 아릴, 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환된 알킬 또는 치환 혹은 무치환된 시클로알킬이고, 2개의 RCX는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 되고, RIX는 각각 독립적으로 수소, 치환 혹은 무치환된 아릴, 치환 혹은 무치환된 헤테로아릴, 치환 혹은 무치환된 알킬 또는 치환 혹은 무치환된 시클로알킬이고, 2개의 RIX는 서로 결합하여 환을 형성하고 있어도 되며,
Xb가 식(XB-R5)로 표시되는 2가의 기일 때의 AR5환은 6원환이다.In the first paragraph,
A polycyclic aromatic compound represented by formula (1a), formula (1b), or formula (1c), and comprising at least one partial structure represented by formula (Xa-2) and at least one partial structure represented by formula (Xb-2);
Among equations (1a), (1b), (1c), (Xa-2), and (Xb-2),
One or two selected from the group consisting of Ar 1 ring, Ar 2 ring, Ar 3 ring and Ar 4 ring,
is bonded to Z in the a ring, b ring or c ring through a single bond, or
In the partial structure represented by formula (Xb-2) which is bonded to Z among the a ring, b ring or c ring, it is bonded to the d ring, e ring or AR5 ring, or
Sharing a ring with ring A, ring B or ring C, or
is bonded to ring a, ring b or ring c, or shares a ring with ring d, ring e or AR5 among formula (Xb-2) that shares a ring with ring a, ring b or ring c,
One or two selected from the group consisting of d ring, e ring and AR5 ring,
is bonded to Z in the a ring, b ring or c ring through a single bond, or
In the partial structure represented by formula (Xa-2) which is bonded to Z in the a ring, b ring or c ring, or in the Ar 1 ring, Ar 2 ring, Ar 3 ring or Ar 4 ring,
Sharing a ring with ring A, ring B or ring C, or
A ring is shared with Ar 1 ring, Ar 2 ring, Ar 3 ring or Ar 4 ring among formula (Xa-2) which is bound to ring a, ring b or ring c, or shares a ring with ring a, ring b or ring c,
The Ar 1 ring, Ar 2 ring, Ar 3 ring and Ar 4 ring may each be connected to any one of the other Ar 1 ring, Ar 2 ring, Ar 3 ring and Ar 4 ring by a single bond or a connecting group,
Y 1 and Y 2 are each independently >NR NY , >C(-R CY ) 2 , >O, >Si(-R IY ) 2 , >S or >Se, and R NY , R CY and R IY are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted aryl, a substituted or unsubstituted heteroaryl, a substituted or unsubstituted alkyl or a substituted or unsubstituted cycloalkyl, and two R CY may be combined with each other to form a ring, and two R IY may be combined with each other to form a ring,
Z is a carbon atom having a bond with another ring, or -C(-R Z )= or -N=, R Z is hydrogen or a substituent, provided that two adjacent Z constituting the e ring in formula (Xb-2) may be carbon atoms each bonded to two * of formula (Xb-2-e), and X b in formula (Xb-2-e) is a divalent group represented by formula (Xb-R5), >O, >C(-R CX ) 2 , >Si(-R IX ) 2 , >S or >Se, and R CX are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted aryl, a substituted or unsubstituted heteroaryl, a substituted or unsubstituted alkyl or a substituted or unsubstituted cycloalkyl, and two R CX may be bonded to each other to form a ring, and R IX are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted aryl, a substituted or unsubstituted Heteroaryl, substituted or unsubstituted alkyl or substituted or unsubstituted cycloalkyl, and two R IX may be combined with each other to form a ring,
When X b is a divalent group represented by the formula (XB-R5), the AR5 ring is a six-membered ring.
식(1b) 또는 식(1c)로 표시되는, 다환 방향족 화합물.In the third paragraph,
A polycyclic aromatic compound represented by formula (1b) or formula (1c).
식(X-a-2) 중 Xa가 C, Ge 또는 Sn이고, Ar1환, Ar2환, Ar3환 및 Ar4환 중 어느 2개도 서로 연결되어 있지 않은, 다환 방향족 화합물.In the third paragraph,
A polycyclic aromatic compound in which X a in formula (Xa-2) is C, Ge or Sn, and no two of the Ar 1 ring, Ar 2 ring, Ar 3 ring and Ar 4 ring are connected to each other.
식(X-a-2) 중 Xa가 Si이고, Z의 1개 이상이 -N=인, 다환 방향족 화합물.In the third paragraph,
A polycyclic aromatic compound in which X a is Si in formula (Xa-2) and at least one of Z is -N=.
식(X-a-2) 중 Xa가 Si이고, Ar1환, Ar2환, Ar3환 및 Ar4환의 2개 이상이 서로 연결되어 있는, 다환 방향족 화합물.In the third paragraph,
A polycyclic aromatic compound in which X a is Si in the formula (Xa-2), and two or more of the Ar 1 ring, the Ar 2 ring, the Ar 3 ring, and the Ar 4 ring are connected to each other.
식(X-b-2) 중 Z의 1개 이상이 -N=인, 다환 방향족 화합물.In the third paragraph,
A polycyclic aromatic compound in which at least one of Z in formula (Xb-2) is -N=.
하기 중 어느 하나의 식으로 표시되는, 다환 방향족 화합물.
In the third paragraph,
A polycyclic aromatic compound represented by any one of the following formulas.
하기 중 어느 하나의 식으로 표시되는, 다환 방향족 화합물.
In the third paragraph,
A polycyclic aromatic compound represented by any one of the following formulas.
하기 중 어느 하나의 식으로 표시되는, 다환 방향족 화합물.
In the third paragraph,
A polycyclic aromatic compound represented by any one of the following formulas.
상기 유기층이 발광층인, 유기 전계 발광 소자.In Article 12,
An organic electroluminescent device, wherein the organic layer is a light-emitting layer.
상기 다환 방향족 화합물이 전자 수송성 호스트 재료이고, 상기 발광층이 정공 수송성 호스트 재료와 도펀트 재료를 더 포함하는, 유기 전계 발광 소자.In Article 13,
An organic electroluminescent device, wherein the polycyclic aromatic compound is an electron-transporting host material, and the light-emitting layer further comprises a hole-transporting host material and a dopant material.
상기 발광층이 열 활성형 지연 형광체 및 인광 재료로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상을 더 포함하는, 유기 전계 발광 소자.In Article 14,
An organic electroluminescent device, wherein the light-emitting layer further comprises at least one selected from the group consisting of thermally activated delayed fluorescent materials and phosphorescent materials.
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