KR20240166486A - Protective tape, manufacturing method of semiconductor chips - Google Patents
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Abstract
기재와 점착제층을 갖고, 반도체 웨이퍼에 접착하여 사용되는 보호 테이프로서, 신장하기 쉽고, 요철 추종성도 우수한 것을 제공한다. 기재(2)와 점착제층(3)을 갖고, 반도체 웨이퍼에 접착하여 사용되는 보호 테이프(1)로서, 기재(2)는, 점착제층(3)측의 면에 형성된 제1 수지층(21)과, 제1 수지층(21)의 점착제층(3)과는 반대의 면에 형성된 제2 수지층(22)을 구비하고, 제1 수지층(21)은, 50℃ 이상 90℃ 이하의 범위의 어느 온도에서의 저장 탄성률이 1.000KPa 이상 200KPa 이하이고, 제2 수지층(22)은, DSC법으로 측정된 융점이 80℃ 이상 230℃ 이하이고, 테이프 전체에서의 영률이 1000㎫ 이하이다.A protective tape having a substrate and an adhesive layer and used for bonding to a semiconductor wafer is provided, which is easy to stretch and has excellent unevenness following properties. A protective tape (1) having a substrate (2) and an adhesive layer (3) and used for bonding to a semiconductor wafer, wherein the substrate (2) has a first resin layer (21) formed on a surface on the side of the adhesive layer (3) and a second resin layer (22) formed on a surface of the first resin layer (21) opposite to the adhesive layer (3), and the first resin layer (21) has a storage elastic modulus of 1.000 KPa or more and 200 KPa or less at any temperature in a range of 50°C or more and 90°C or less, and the second resin layer (22) has a melting point measured by the DSC method of 80°C or more and 230°C or less, and a Young's modulus of 1000 MPa or less for the entire tape.
Description
본 발명은, 보호 테이프 및 이것을 이용한 반도체 칩의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a protective tape and a method for manufacturing a semiconductor chip using the same.
일반적인 반도체 칩의 제조 방법에서는, 포토리소그래피 및 에칭 기술에 의해, 반도체 웨이퍼 상에 다수의 반도체 칩을 형성한 후에, 각 반도체 칩의 사이에 형성한 절단선을 따라 반도체 웨이퍼에 절목을 넣어, 반도체 웨이퍼를 복수의 반도체 칩으로 절단하는 것이 행해지고 있다.In a typical semiconductor chip manufacturing method, a plurality of semiconductor chips are formed on a semiconductor wafer by photolithography and etching techniques, and then the semiconductor wafer is cut along a cutting line formed between each semiconductor chip to cut the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips.
이 절단 공정은, 반도체 웨이퍼를 링 프레임(반도체 웨이퍼의 외측에 배치되어 반도체 웨이퍼를 지지하는 프레임)에 끼워, 반도체 웨이퍼의 소자 형성면과 링 프레임에 보호 테이프를 접착한 상태로 행해진다. 또한, 절단 공정의 후에, 보호 테이프와는 반대측으로부터 반도체 웨이퍼를 눌러, 복수의 반도체 칩을 취출하는 공정(픽업 공정)이 행해진다.This cutting process is performed by inserting a semiconductor wafer into a ring frame (a frame that is placed on the outside of the semiconductor wafer and supports the semiconductor wafer) and attaching a protective tape to the element formation surface of the semiconductor wafer and the ring frame. In addition, after the cutting process, a process (pickup process) is performed by pressing the semiconductor wafer from the side opposite to the protective tape to extract a plurality of semiconductor chips.
이 용도의 보호 테이프로서는, 예를 들면 특허문헌 1에 기재된 점착성 필름을 들 수 있다. 이 점착성 필름은, 기재층(基材層), 중간층 및 점착성 수지층을 이 순번으로 구비하고, 기재층의 두께 X1이 중간층의 두께 X2보다 작고, 기재층의 85℃에 있어서의 저장 탄성률 E'가 50㎫ 이상 10㎬ 이하이고, 중간층의 85℃에 있어서의 저장 탄성률 E'가 1㎫ 이상 50㎫ 미만이다. 구체적으로는, 기재층은 폴리에틸렌나프탈레이트인 것이 특히 바람직하고, 중간층은 에틸렌·아세트산 비닐 공중합체인 것이 특히 바람직하다고 기재되어 있다.As a protective tape for this purpose, there is, for example, an adhesive film described in Patent Document 1. This adhesive film has a substrate layer, an intermediate layer, and an adhesive resin layer in this order, the thickness of the substrate layer X 1 is smaller than the thickness of the intermediate layer X 2 , the storage elastic modulus E' of the substrate layer at 85°C is 50 MPa or more and 10 GPa or less, and the storage elastic modulus E' of the intermediate layer at 85°C is 1 MPa or more and less than 50 MPa. Specifically, it is described that the substrate layer is particularly preferably polyethylene naphthalate, and the intermediate layer is particularly preferably an ethylene-vinyl acetate copolymer.
그러나, 특허문헌 1에 기재된 점착성 필름에서는, 기재(기재층+중간층)가 단단하여 변형성이 나쁘기 때문에, 링 프레임을 개재하여 반도체 웨이퍼의 소자 형성면에 접착할 때에 잘 신장시킬 수 없는 점에서, 접착을 할 수 없다. 또한, 붙일 수 있었다고 해도 시간이 경과하면 수축하여 벗겨져 버린다. 또한, 픽업 공정에서 필름을 신장하여 반도체 칩 사이에 거리를 발생시키고자 해도, 기재가 신장하기 어렵기 때문에 잘 되지 않고, 필름을 신장하고자 하는 힘을 가함으로써 필름이 링 프레임으로부터 벗겨져 버린다.However, in the adhesive film described in Patent Document 1, since the substrate (substrate layer + intermediate layer) is hard and has poor deformability, it cannot be stretched well when bonded to the element formation surface of the semiconductor wafer via a ring frame, and thus bonding is not possible. Furthermore, even if it can be bonded, it shrinks and peels off over time. Furthermore, even if the film is stretched in the pick-up process to create a distance between the semiconductor chips, it does not work well because the substrate is difficult to stretch, and by applying a force to stretch the film, the film is peeled off from the ring frame.
또한, 반도체 웨이퍼의 소자에 범프가 형성되어 있는 경우, 반도체 웨이퍼의 소자 형성측의 면은, 고저차의 최대값이 10㎛ 이상 300㎛ 이하인 요철을 갖는 면으로 되어 있지만, 특허문헌 1에 기재된 점착성 필름에는, 이러한 요철면에 접착할 때의 요철 추종성의 점에서도 개선의 여지가 있다.In addition, when a bump is formed on an element of a semiconductor wafer, the surface of the semiconductor wafer on the element formation side is a surface having unevenness with a maximum height difference of 10 µm or more and 300 µm or less, but the adhesive film described in Patent Document 1 also has room for improvement in terms of unevenness followability when bonding to such an uneven surface.
본 발명의 과제는, 기재와 점착제층을 갖고, 반도체 웨이퍼에 접착하여 사용되는 보호 테이프로서, 신장하기 쉽고, 요철 추종성도 우수한 것을 제공하는 것이다.The object of the present invention is to provide a protective tape having a substrate and an adhesive layer, which is used by adhering to a semiconductor wafer, and which is easy to stretch and has excellent unevenness following properties.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 태양은, 기재와 점착제층을 갖고, 반도체 웨이퍼에 접착하여 사용되는 보호 테이프로서, 상기 기재는, 상기 점착제층측의 면에 형성된 제1 수지층과, 상기 제1 수지층의 상기 점착제층과는 반대의 면에 형성된 제2 수지층을 구비하고, 상기 제1 수지층은, 50℃ 이상 90℃ 이하의 범위의 어느 온도에서의 저장 탄성률이 1.000KPa 이상 200KPa 이하이고, 상기 제2 수지층은, DSC법으로 측정된 융점이 80℃ 이상 230℃ 이하이고, 사용 시(세퍼레이터를 갖는 경우는 세퍼레이터를 벗긴 상태로)의 테이프 전체에서의 영률이 1000㎫ 이하인 보호 테이프를 제공한다.In order to solve the above problem, one aspect of the present invention provides a protective tape having a substrate and an adhesive layer, and used by adhering to a semiconductor wafer, wherein the substrate has a first resin layer formed on a surface on the adhesive layer side, and a second resin layer formed on a surface of the first resin layer opposite to the adhesive layer, wherein the first resin layer has a storage elastic modulus of 1.000 KPa or more and 200 KPa or less at any temperature in a range of 50°C or more and 90°C or less, and the second resin layer has a melting point measured by the DSC method of 80°C or more and 230°C or less, and a Young's modulus of 1000 MPa or less for the entire tape when in use (in a state where a separator is provided, the separator is peeled off).
본 발명의 보호 테이프는, 기재와 점착제층을 갖고, 반도체 웨이퍼에 접착하여 사용되는 보호 테이프로서, 기재를 구성하는 제1 수지층 및 제2 수지층과 사용 시의 테이프 전체에서의 물성이 특정되어 있음으로써, 신장하기 쉽고 요철 추종성도 우수한 것이 되는 것을 기대할 수 있다.The protective tape of the present invention is a protective tape having a substrate and an adhesive layer, and used by bonding to a semiconductor wafer, and since the physical properties of the first resin layer and the second resin layer constituting the substrate and the entire tape at the time of use are specified, it can be expected to be easy to stretch and have excellent unevenness following properties.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 상당하는 보호 테이프를 나타내는 단면도이다.Fig. 1 is a cross-sectional view showing a protective tape corresponding to an embodiment of the present invention.
(발명을 실시하기 위한 형태)(Form for carrying out the invention)
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명하지만, 본 발명은 이하에 나타내는 실시 형태에 한정되지 않는다. 이하에 나타내는 실시 형태에서는, 본 발명을 실시하기 위해 기술적으로 바람직한 한정이 이루어져 있지만, 이 한정은 본 발명의 필수 요건은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described, but the present invention is not limited to the embodiments shown below. In the embodiments shown below, technically preferable limitations are made for carrying out the present invention, but these limitations are not essential requirements of the present invention.
[보호 테이프의 구성][Composition of protective tape]
도 1에 나타내는 바와 같이, 이 실시 형태의 보호 테이프(1)는, 기재(2)와 점착제층(3)과 세퍼레이터(4)로 구성되어 있다.As shown in Fig. 1, the protective tape (1) of this embodiment is composed of a substrate (2), an adhesive layer (3), and a separator (4).
기재(2)는, 점착제층(3)측의 면에 형성된 제1 수지층(21)과, 제1 수지층(21)의 점착제층(3)과는 반대의 면에 형성된 제2 수지층(22)으로 구성되어 있다. 제1 수지층(21)과 제2 수지층(22)이 접촉하고 있다.The substrate (2) is composed of a first resin layer (21) formed on the surface of the adhesive layer (3) side, and a second resin layer (22) formed on the surface opposite to the adhesive layer (3) of the first resin layer (21). The first resin layer (21) and the second resin layer (22) are in contact.
제1 수지층(21)은, 50℃ 이상 90℃ 이하의 범위의 어느 온도(예를 들면, 50℃, 70℃, 80℃, 90℃)에서의 저장 탄성률이 1.000KPa 이상 200KPa 이하이다. 이 저장 탄성률의 바람직한 범위는 1.000KPa 이상 200.000KPa 이하이고, 보다 바람직한 범위는 10.000KPa 이상 180000㎩ 이하이고, 특히 바람직한 범위는 40.000KPa 이상 160.000KPa 이하이다.The first resin layer (21) has a storage elastic modulus of 1,000 KPa or more and 200 KPa or less at a temperature in the range of 50°C or more and 90°C or less (for example, 50°C, 70°C, 80°C, 90°C). The storage elastic modulus is preferably in the range of 1,000 KPa or more and 200,000 KPa or less, more preferably in the range of 10,000 KPa or more and 180,000 kPa or less, and particularly preferably in the range of 40,000 KPa or more and 160,000 KPa or less.
제2 수지층(22)은, DSC법에 의해, 승온 속도 1℃/분에서 측정된 융점이 80℃ 이상 230℃ 이하이다. 제2 수지층(22)의 융점의 바람직한 범위는 80℃ 이상 180℃ 이하이고, 특히 바람직한 범위는 80℃ 이상 150℃ 이하이다.The second resin layer (22) has a melting point of 80°C or more and 230°C or less, as measured by the DSC method at a heating rate of 1°C/min. The preferred range of the melting point of the second resin layer (22) is 80°C or more and 180°C or less, and a particularly preferred range is 80°C or more and 150°C or less.
제2 수지층(22)을 구성하는 수지는, EVA(에틸렌아세트산 비닐 공중합체), α올레핀 수지, LDPE(저밀도 폴리에틸렌), HDPE(고밀도 폴리에틸렌), PP(폴리프로필렌), PP/SEPS(폴리프로필렌/스티렌-수소 첨가 이소프렌-스티렌 블록 공중합체) 및, COC(환상 올레핀·코폴리머)의 어느 것인 것이 바람직하다.The resin constituting the second resin layer (22) is preferably one of EVA (ethylene vinyl acetate copolymer), α-olefin resin, LDPE (low density polyethylene), HDPE (high density polyethylene), PP (polypropylene), PP/SEPS (polypropylene/styrene-hydrogenated isoprene-styrene block copolymer), and COC (cyclic olefin copolymer).
세퍼레이터(4)를 벗긴 상태에서의 보호 테이프(1)의 영률, 즉, 사용 시의 테이프 전체에서의 영률이 1000㎫ 이하이다. 테이프 전체에서의 영률의 바람직한 범위는 30㎫ 이상 1000㎫ 이하이고, 보다 바람직한 범위는 30㎫ 이상 950㎫ 이하이고, 더욱 바람직한 범위는 30㎫ 이상 500㎫ 이하이고, 특히 바람직한 범위는 30㎫ 이상 200㎫ 이하이다.The Young's modulus of the protective tape (1) when the separator (4) is peeled off, i.e., the Young's modulus of the entire tape when used, is 1000 MPa or less. The preferable range of the Young's modulus of the entire tape is 30 MPa or more and 1000 MPa or less, a more preferable range is 30 MPa or more and 950 MPa or less, a still more preferable range is 30 MPa or more and 500 MPa or less, and a particularly preferable range is 30 MPa or more and 200 MPa or less.
제1 수지층(21)의 두께는, 예를 들면, 100㎛ 이상 500㎛ 이하인 것이 바람직하고, 150㎛ 이상 400㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 200㎛ 이상 350㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.The thickness of the first resin layer (21) is preferably 100 µm or more and 500 µm or less, more preferably 150 µm or more and 400 µm or less, and even more preferably 200 µm or more and 350 µm or less.
제2 수지층(22)의 두께는, 예를 들면, 30㎛ 이상 150㎛ 이하인 것이 바람직하고, 40㎛ 이상 120㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 50㎛ 이상 100㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.The thickness of the second resin layer (22) is preferably 30 µm or more and 150 µm or less, more preferably 40 µm or more and 120 µm or less, and even more preferably 50 µm or more and 100 µm or less.
제2 수지층(22)은 제1 수지층(21)보다 얇은 것이 바람직하다. 제1 수지층(21)과 제2 수지층(22)의 두께의 비는, 「제1 수지층(21)의 두께/제2 수지층(22)의 두께」로 2.0 이상 5.0 이하인 것이 바람직하고, 2.5 이상 4.0 이하인 것이 보다 바람직하고, 2.5 이상 3.5 이하인 것이 더욱 바람직하다.The second resin layer (22) is preferably thinner than the first resin layer (21). The ratio of the thicknesses of the first resin layer (21) and the second resin layer (22) is preferably 2.0 or more and 5.0 or less (thickness of the first resin layer (21)/thickness of the second resin layer (22)), more preferably 2.5 or more and 4.0 or less, and even more preferably 2.5 or more and 3.5 or less.
[보호 테이프의 제조 방법][Method for manufacturing protective tape]
보호 테이프(1)는, 예를 들면, 이하에 나타내는 방법으로 제조할 수 있다.Protective tape (1) can be manufactured, for example, by the method shown below.
먼저, 제1 수지층(21)을 형성하는 재료인 열 가소성 수지와 제2 수지층(22)을 형성하는 재료인 열 가소성 수지를, 각각 압출기에 넣어, 공(共)압출 가공을 행한다. 이에 따라, 기재(2)를 공압출 필름으로서 얻는다.First, the thermoplastic resin, which is the material forming the first resin layer (21), and the thermoplastic resin, which is the material forming the second resin layer (22), are each placed in an extruder and co-extrusion processed. Accordingly, the base material (2) is obtained as a co-extruded film.
또는, 제1 수지층(21)을 준비하여, 제1 수지층(21)의 일면에, 제2 수지층(22)을 형성하는 재료인 열 가소성 수지를 층상으로 압출한 후에, 냉각한다. 이에 따라, 기재(2)를 압출 라미네이트 필름으로서 얻는다.Alternatively, a first resin layer (21) is prepared, and a thermoplastic resin, which is a material for forming a second resin layer (22), is extruded in layers on one surface of the first resin layer (21), and then cooled. Accordingly, the substrate (2) is obtained as an extruded laminate film.
다음으로, 세퍼레이터(4)의 일면에 점착제를 도공함으로써 점착제층(3)을 형성하여, 점착층 부착 세퍼레이터를 얻는다.Next, an adhesive layer (3) is formed by coating an adhesive on one surface of a separator (4), thereby obtaining a separator with an adhesive layer attached.
다음으로, 점착층 부착 세퍼레이터를, 기재(2)의 제1 수지층(21)에 점착제층(3)을 향하여 접합하여, 점착제층(3)을 제1 수지층(21)에 전사시킨다.Next, the adhesive layer attachment separator is bonded to the first resin layer (21) of the substrate (2) toward the adhesive layer (3), thereby transferring the adhesive layer (3) to the first resin layer (21).
[보호 테이프의 작용, 효과][The function and effect of protective tape]
이 실시 형태의 보호 테이프(1)는, 기재(2)가, 50℃ 이상 90℃ 이하의 범위의 어느 온도에서의 저장 탄성률이 1.000KPa 이상 200KPa 이하인 제1 수지층(21)과, DSC법에 의해 측정된 융점이 80℃ 이상 230℃ 이하인 제2 수지층(22)으로 구성되고, 사용 시의 테이프 전체에서의 영률이 1000㎫ 이하로 되어 있다. 이에 따라, 이 실시 형태의 보호 테이프(1)는, 이하의 작용, 효과를 발휘한다.The protective tape (1) of this embodiment is composed of a first resin layer (21) having a storage elastic modulus of 1,000 KPa or more and 200 KPa or less at a temperature in the range of 50°C or more and 90°C or less, and a second resin layer (22) having a melting point of 80°C or more and 230°C or less as measured by the DSC method, and the Young's modulus of the entire tape at the time of use is 1,000 MPa or less. Accordingly, the protective tape (1) of this embodiment exhibits the following functions and effects.
보호 테이프(1)는, 사용 시의 테이프 전체에서의 영률이 1000㎫ 이하임으로써, 변형성이 우수한 점에서, 반도체 웨이퍼의 소자 형성면과 링 프레임에 접착할 때에 잘 접착할 수 있다. 또한, 보호 테이프(1)는 신장하기 쉽기 때문에, 픽업 공정에서 보호 테이프(1)를 신장하여 반도체 칩 사이에 거리를 발생시킬 수 있다. 또한, 상기 영률이 30㎫ 미만이면, 보호 테이프가 지나치게 변형하기 쉬워져, 열이 가해졌을 때에 신장이 완료될 가능성이 있기 때문에, 상기 영률은 30㎫ 이상 1000㎫ 이하인 것이 바람직하다.The protective tape (1) has excellent deformability since the Young's modulus of the entire tape at the time of use is 1000 MPa or less, and thus can adhere well when bonded to the element formation surface of a semiconductor wafer and the ring frame. In addition, since the protective tape (1) is easy to elongate, the protective tape (1) can be elongated in the pick-up process to create a distance between semiconductor chips. In addition, if the Young's modulus is less than 30 MPa, the protective tape is easy to deform excessively, and there is a possibility that elongation will be completed when heat is applied, and therefore the Young's modulus is preferably 30 MPa or more and 1000 MPa or less.
또한, 제1 수지층(21)의 상기 저장 탄성률이 200KPa 이하임으로써, 기재(2)가 요철 추종성이 우수하기 때문에, 반도체 웨이퍼의 소자에 범프가 형성되어, 반도체 웨이퍼의 소자 형성측의 면이, 고저차의 최대값이 10㎛ 이상 300㎛ 이하의 요철을 갖는 면이 되어 있는 경우에서도, 보호 테이프(1)를 깔끔하게 접착할 수 있다. 이 경우, 제1 수지층(21)의 두께는, 이 최대값과 동일한 값 이상 10배의 값 이하의 범위의 치수로 하는 것이 바람직하다. 또한, 제1 수지층의 상기 저장 탄성률이 1.000KPa 미만이면, 보호 테이프의 상태가 불안정해질(예를 들면, 보호 테이프를 적층 상태로 수송할 때에 제1 수지층이 비어져나와 적층 방향으로 서로 이웃하는 보호 테이프끼리가 접합 상태가 됨) 가능성이 있다.In addition, since the storage elastic modulus of the first resin layer (21) is 200 KPa or less, and the substrate (2) has excellent unevenness following properties, even when a bump is formed on an element of a semiconductor wafer and the surface on the element formation side of the semiconductor wafer has an unevenness of a maximum height difference of 10 µm or more and 300 µm or less, the protective tape (1) can be neatly adhered. In this case, the thickness of the first resin layer (21) is preferably a dimension in a range equal to or greater than the maximum value and less than or equal to 10 times the value. In addition, if the storage elastic modulus of the first resin layer is less than 1.000 KPa, there is a possibility that the state of the protective tape becomes unstable (for example, when transporting the protective tapes in a laminated state, the first resin layer may bulge out and the protective tapes adjacent to each other in the laminated direction may become bonded).
더하여, 제2 수지층(22)의 상기 융점이 80℃ 이상 230℃ 이하임으로써, 사용 시의 테이프 전체에서의 영률을 30㎫ 이상 1000㎫ 이하로 할 수 있다.In addition, since the melting point of the second resin layer (22) is 80℃ or more and 230℃ or less, the Young's modulus of the entire tape during use can be 30㎫ or more and 1000㎫ or less.
제2 수지층의 상기 융점이 230℃를 초과하면, 사용 시의 테이프 전체에서의 영률이 1000㎫을 크게 초과하여, 변형하기 어려워지는 점에서, 보호 테이프를 반도체 웨이퍼의 소자 형성면과 링 프레임에 접착할 때에, 잘 접착할 수 없게 된다.If the melting point of the second resin layer exceeds 230°C, the Young's modulus of the entire tape during use greatly exceeds 1000 MPa, making it difficult to deform, and thus making it difficult to adhere the protective tape well to the element formation surface of the semiconductor wafer and the ring frame.
또한, 제2 수지층의 상기 융점이 80℃ 미만이면, 사용하는 장치 내의 온도보다도 제2 수지층의 상기 융점이 낮을 가능성이 높기 때문에, 사용 시에 용융하여 장치 내에 접착될 우려가 있다.In addition, if the melting point of the second resin layer is lower than 80°C, there is a high possibility that the melting point of the second resin layer is lower than the temperature within the device being used, and therefore there is a risk that it will melt during use and adhere within the device.
즉, 이 실시 형태의 보호 테이프(1)는, 보호 테이프를 반도체 웨이퍼와 링 프레임(반도체 웨이퍼의 외측에 배치되어 반도체 웨이퍼를 지지하는 프레임)에 접착하는 공정과, 보호 테이프측으로부터 절단선을 따라 반도체 웨이퍼에 절목을 넣어, 반도체 웨이퍼를 복수의 반도체 칩으로 절단하는 공정과, 보호 테이프와는 반대측으로부터 반도체 웨이퍼를 눌러, 복수의 반도체 칩을 취출하는 공정(픽업 공정)을 갖는 반도체 칩의 제조 방법에서, 적합하게 사용된다.That is, the protective tape (1) of this embodiment is suitably used in a method for manufacturing a semiconductor chip, which comprises a step of adhering a protective tape to a semiconductor wafer and a ring frame (a frame that is arranged on the outside of the semiconductor wafer and supports the semiconductor wafer), a step of cutting the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips by making a cut along a cutting line from the protective tape side, and a step of pressing the semiconductor wafer from the side opposite to the protective tape and taking out the plurality of semiconductor chips (pickup step).
실시예Example
〔점착제 조성물의 조제〕〔Preparation of adhesive composition〕
<점착제 조성물 A><Adhesive composition A>
모노머의 질량비를, 2-에틸헥실아크릴레이트:2-하이드록시아크릴레이트:메타크릴산=80:15:5로 하여 얻어진 공중합체 100질량부에 대하여, 콜로네이트 L(상품명, 닛폰폴리우레탄코교 가부시키가이샤 제조) 1.0질량부를 더하여 혼합함으로써, 점착제 조성물 A를 얻었다.By adding 1.0 part by mass of Coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Kogyo Co., Ltd.) to 100 parts by mass of a copolymer obtained by setting the mass ratio of monomers to 2-ethylhexyl acrylate:2-hydroxyacrylate:methacrylic acid = 80:15:5 and mixing the mixture, an adhesive composition A was obtained.
〔제1 수지층을 구성하는 수지의 준비〕〔Preparation of the resin constituting the first resin layer〕
<저장 탄성률의 측정><Measurement of storage elastic modulus>
하기의 수지 A∼E로 이루어지는 두께 300㎛의 필름을 직경 8㎜의 원판 형상으로 펀칭하여 시험 샘플을 제작하고, 각 시험 샘플을 패러렐 플레이트로 사이에 끼우고, 점탄성 측정 장치(레오메트릭스·사이언티픽·에프·이 가부시키가이샤 제조, 상품명 ARES)를 이용하여, 측정 주파수 0.1∼10㎐, 설정 온도 23℃의 조건에서 작동시켰다. 얻어진 점탄성을 나타내는 데이터로부터, 70℃에 있어서의 동적 전단 저장 탄성률 G'를 특정하고, 이 값을 저장 탄성률의 측정값으로 했다.A film having a thickness of 300 ㎛ composed of the following resins A to E was punched into a disk shape having a diameter of 8 mm to produce a test sample, and each test sample was sandwiched between parallel plates, and a viscoelasticity measuring device (product name: ARES, manufactured by Rheometrics Scientific F.E., Ltd.) was operated under the conditions of a measurement frequency of 0.1 to 10 Hz and a set temperature of 23°C. From the data representing the obtained viscoelasticity, the dynamic shear storage modulus G' at 70°C was specified, and this value was taken as the measured value of the storage modulus.
<수지 A><Suzy A>
수지 A로서, 부틸아크릴레이트 함유율이 30%이고, 중량 평균 분자량이 100000인 에틸렌-부틸아크릴레이트 공중합체(EBA)를 준비했다. 상기 방법으로 측정한 수지 A의 70℃에 있어서의 저장 탄성률은 9.0×104㎩(90KPa)이고, MFR은 30g/10min, 분자량 분포는 5.8이었다.As resin A, an ethylene-butylacrylate copolymer (EBA) having a butylacrylate content of 30% and a weight average molecular weight of 100000 was prepared. The storage elastic modulus of resin A at 70°C measured by the above method was 9.0×10 4 ㎩ (90 KPa), the MFR was 30 g/10 min, and the molecular weight distribution was 5.8.
<수지 B><Suzy B>
수지 B로서, 아세트산 비닐 함유율이 40%이고, 중량 평균 분자량이 40000인 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA)를 준비했다. 상기 방법으로 측정한 수지 B의 70℃에 있어서의 저장 탄성률은 4.0×104㎩(40KPa)이고, MFR은 70g/10min, 분자량 분포는 6.5였다.As resin B, an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) having a vinyl acetate content of 40% and a weight average molecular weight of 40000 was prepared. The storage elastic modulus of resin B at 70°C measured by the above method was 4.0×10 4 ㎩ (40 KPa), the MFR was 70 g/10 min, and the molecular weight distribution was 6.5.
<수지 C><Suzy C>
수지 C로서, 밀도가 0.89, 중량 평균 분자량이 40000인 α올레핀 수지를 준비했다. 상기 방법으로 측정한 수지 C의 70℃에 있어서의 저장 탄성률은 1.6×105㎩(160KPa)이고, MFR은 40g/10min, 분자량 분포는 2.4였다.As resin C, an α-olefin resin having a density of 0.89 and a weight average molecular weight of 40,000 was prepared. The storage elastic modulus of resin C at 70°C measured by the above method was 1.6×10 5 ㎩ (160 KPa), the MFR was 40 g/10 min, and the molecular weight distribution was 2.4.
<수지 D><Suzy D>
수지 D로서, 아세트산 비닐 함유율이 42%이고, 중량 평균 분자량이 40000인 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA)를 준비했다. 상기 방법으로 측정한 수지 D의 70℃에 있어서의 저장 탄성률은 900㎩(0.900KPa)이고, MFR은 70g/10min, 분자량 분포는 6.5였다.As Resin D, an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) having a vinyl acetate content of 42% and a weight average molecular weight of 40,000 was prepared. The storage elastic modulus of Resin D at 70°C measured by the above method was 900㎩ (0.900KPa), the MFR was 70 g/10 min, and the molecular weight distribution was 6.5.
<수지 E><Suzy E>
수지 E로서, 밀도가 0.90, 중량 평균 분자량이 40000인 α올레핀 수지를 준비했다. 상기 방법으로 측정한 수지 E의 70℃에 있어서의 저장 탄성률은 2.2×105㎩(220KPa)이고, MFR은 40g/10min, 분자량 분포는 2.0이었다.As Resin E, an α-olefin resin having a density of 0.90 and a weight average molecular weight of 40000 was prepared. The storage elastic modulus of Resin E at 70°C measured by the above method was 2.2×10 5 ㎩ (220 KPa), the MFR was 40 g/10 min, and the molecular weight distribution was 2.0.
〔제2 수지층을 구성하는 수지의 준비〕〔Preparation of the resin constituting the second resin layer〕
<HDPE><HDPE>
고밀도 폴리에틸렌(HDPE)으로서, 토소(주) 제조 「니포론하드 2500」을 준비했다.As a high-density polyethylene (HDPE), “Nippon Hard 2500” manufactured by Tosoh Co., Ltd. was prepared.
<α올레핀 수지><α-olefin resin>
α올레핀 수지(폴리α올레핀)로서, 닛폰폴리에틸렌(주) 제조의 「커넬(상표) KS260」을 준비했다. 이 수지는, 메탈로센계 올레핀 수지로서, DSC 융점은 92℃, 쇼어 A 경도는 90, 밀도는 0.902g/㎤이다.As an α-olefin resin (poly α-olefin), "Kernel (trademark) KS260" manufactured by Nippon Polyethylene Co., Ltd. was prepared. This resin is a metallocene olefin resin, has a DSC melting point of 92°C, a Shore A hardness of 90, and a density of 0.902 g/cm3.
<PP/SEPS 혼합 수지(엘라스토머)><PP/SEPS mixed resin (elastomer)>
호모폴리프로필렌(PP) 수지로서, 우베코산(주) 제조의 「J-105G」를 준비하고, 스티렌-수소 첨가 이소프렌-스티렌 블록 공중합체(SEPS)로서, (주)쿠라레 제조의 「하이브라(등록상표) 7125」를 준비했다. 이들 수지를 질량비 50:50으로 혼합함으로써, PP/SEPS 혼합 수지를 얻었다.As a homopolypropylene (PP) resin, "J-105G" manufactured by Ube Kosan Co., Ltd. was prepared, and as a styrene-hydrogenated isoprene-styrene block copolymer (SEPS), "Hybra (registered trademark) 7125" manufactured by Kuraray Co., Ltd. was prepared. By mixing these resins at a mass ratio of 50:50, a PP/SEPS mixed resin was obtained.
<LDPE><LDPE>
저밀도 폴리에틸렌(LDPE)으로서, 토소(주) 제조의 「페트로센(등록상표) 231F」를 준비했다.As a low-density polyethylene (LDPE), “Petrosene (registered trademark) 231F” manufactured by Tosoh Co., Ltd. was prepared.
<EVA><EVA>
에틸렌아세트산 비닐 공중합체(EVA)로서, 토소(주) 제조의 「울트라센(등록상표) 640」을 준비했다.As an ethylene vinyl acetate copolymer (EVA), “Ultracen (registered trademark) 640” manufactured by Tosoh Co., Ltd. was prepared.
<COC><COC>
환상 올레핀·코폴리머(COC)로서, 폴리플라스틱스(주) 제조의 「TOPASS(등록상표) 8007F-600」을 준비했다.As a fantasy olefin copolymer (COC), “TOPASS (registered trademark) 8007F-600” manufactured by Polyplastics Co., Ltd. was prepared.
〔보호 테이프의 제작〕〔Making protective tape〕
[실시예 1][Example 1]
도 1의 구성의 보호 테이프(1)를 이하와 같이 하여 제작했다.A protective tape (1) of the configuration of Fig. 1 was manufactured as follows.
먼저, 상기 HDPE와 상기 수지 A를 각각 다른 압출기에 넣어, 공압출 가공을 행함으로써, 상기 HDPE로 이루어지고 두께 120㎛의 제2 수지층(22)의 위에, 상기 수지 A로 이루어지고 두께 300㎛의 제1 수지층(21)이 형성된 기재(2)를 제작했다.First, the HDPE and the resin A were each placed in different extruders and co-extrusion was performed to produce a substrate (2) in which a first resin layer (21) made of the resin A and having a thickness of 300 ㎛ was formed on top of a second resin layer (22) made of the HDPE and having a thickness of 120 ㎛.
다음으로, 제1 수지층(21)의 상면(제2 수지층(22)과는 반대측의 면)에 코로나 처리를 실시했다.Next, corona treatment was performed on the upper surface of the first resin layer (21) (the surface opposite to the second resin layer (22)).
다음으로, 두께 40㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)로 이루어지는 세퍼레이터(4) 상에, 건조 후의 막두께가 10㎛가 되도록 점착제 조성물 A를 도포하고, 도막을 건조시켜 점착제층(3)으로 했다. 이에 따라, 점착제층(3) 부착 세퍼레이터(4)를 얻었다.Next, adhesive composition A was applied onto a separator (4) made of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 40 ㎛ so that the film thickness after drying was 10 ㎛, and the film was dried to form an adhesive layer (3). Accordingly, a separator (4) with an adhesive layer (3) attached was obtained.
다음으로, 점착제층(3) 부착 세퍼레이터(4)를, 기재(2)의 제1 수지층(21)에 점착제층(3)을 향하여 접합함으로써, 점착제층(3)을 제1 수지층(21)에 전사시켰다.Next, the adhesive layer (3) attachment separator (4) was attached to the first resin layer (21) of the substrate (2) toward the adhesive layer (3), thereby transferring the adhesive layer (3) to the first resin layer (21).
이와 같이 하여, 실시예 1의 보호 테이프(1)를 얻었다.In this way, the protective tape (1) of Example 1 was obtained.
실시예 1의 보호 테이프(1)로부터 세퍼레이터(4)를 제거한 것으로부터, JIS K7127에서 규정하는 「두께 1㎜ 이하의 플라스틱 필름 및 시트의 인장 특성의 시험 방법」에 준거하여, 시험편을 제작했다. 이 시험편을 이용하여 인장 시험을 행함으로써, 영률을 측정했다. 이 시험은 5개의 시험편을 이용하여 행하고, 그의 평균값을, 실시예 1의 보호 테이프(1)의 「테이프 전체에서의 영률」로 했다.From the protective tape (1) of Example 1, a separator (4) was removed, and a test piece was produced in accordance with the “Test method for tensile properties of plastic films and sheets having a thickness of 1 mm or less” specified in JIS K7127. The Young’s modulus was measured by performing a tensile test using this test piece. This test was performed using five test pieces, and the average value thereof was taken as the “Young’s modulus of the entire tape” of the protective tape (1) of Example 1.
[실시예 2][Example 2]
도 1의 구성의 보호 테이프(1)를 이하와 같이 하여 제작했다.A protective tape (1) of the configuration of Fig. 1 was manufactured as follows.
먼저, 상기 α올레핀 수지와 상기 수지 B를 각각 다른 압출기에 넣어, 공압출 가공을 행함으로써, 상기 α올레핀 수지로 이루어지고 두께 100㎛의 제2 수지층(22)의 위에, 상기 수지 B로 이루어지고 두께 300㎛의 제1 수지층(21)이 형성된 기재(2)를 제작했다.First, the above-mentioned α-olefin resin and the above-mentioned resin B were each placed in different extruders and co-extrusion was performed to produce a substrate (2) in which a first resin layer (21) made of the above-mentioned resin B and having a thickness of 300 ㎛ was formed on a second resin layer (22) made of the above-mentioned α-olefin resin and having a thickness of 100 ㎛.
다음으로, 실시예 1과 동일한 방법으로 얻은 점착제층(3) 부착 세퍼레이터(4)를, 기재(2)의 제1 수지층(21)에 점착제층(3)을 향하여 접합하여, 실시예 1과 동일한 방법을 실시함으로써, 점착제층(3)을 제1 수지층(21)에 전사시켰다.Next, the adhesive layer (3) attached separator (4) obtained in the same manner as Example 1 was bonded to the first resin layer (21) of the substrate (2) toward the adhesive layer (3), and the adhesive layer (3) was transferred to the first resin layer (21) by performing the same manner as Example 1.
이와 같이 하여, 실시예 2의 보호 테이프(1)를 얻었다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 실시예 2의 보호 테이프(1)의 「테이프 전체에서의 영률」을 측정했다.In this way, the protective tape (1) of Example 2 was obtained. In addition, the “Young’s modulus of the entire tape” of the protective tape (1) of Example 2 was measured in the same manner as in Example 1.
[실시예 3][Example 3]
도 1의 구성의 보호 테이프(1)를 이하와 같이 하여 제작했다.A protective tape (1) of the configuration of Fig. 1 was manufactured as follows.
먼저, 상기 PP/SEPS와 상기 수지 C를 각각 다른 압출기에 넣어, 공압출 가공을 행함으로써, 상기 PP/SEPS로 이루어지고 두께 100㎛의 제2 수지층(22)의 위에, 상기 수지 C로 이루어지고 두께 300㎛의 제1 수지층(21)이 형성된 기재(2)를 제작했다.First, the PP/SEPS and the resin C were each placed in different extruders and co-extrusion was performed to produce a substrate (2) in which a first resin layer (21) made of the resin C and having a thickness of 300 ㎛ was formed on a second resin layer (22) made of the PP/SEPS and having a thickness of 100 ㎛.
다음으로, 실시예 1과 동일한 방법으로 얻은 점착제층(3) 부착 세퍼레이터(4)를, 기재(2)의 제1 수지층(21)에 점착제층(3)을 향하여 접합하여, 실시예 1과 동일한 방법을 실시함으로써, 점착제층(3)을 제1 수지층(21)에 전사시켰다.Next, the adhesive layer (3) attached separator (4) obtained in the same manner as Example 1 was bonded to the first resin layer (21) of the substrate (2) toward the adhesive layer (3), and the adhesive layer (3) was transferred to the first resin layer (21) by performing the same manner as Example 1.
이와 같이 하여, 실시예 3의 보호 테이프(1)를 얻었다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 실시예 3의 보호 테이프(1)의 「테이프 전체에서의 영률」을 측정했다.In this way, the protective tape (1) of Example 3 was obtained. In addition, the “Young’s modulus of the entire tape” of the protective tape (1) of Example 3 was measured in the same manner as in Example 1.
[실시예 4][Example 4]
도 1의 구성의 보호 테이프(1)를 이하와 같이 하여 제작했다.A protective tape (1) of the configuration of Fig. 1 was manufactured as follows.
먼저, 상기 LDPE와 상기 수지 C를 각각 다른 압출기에 넣어, 공압출 가공을 행함으로써, 상기 LDPE로 이루어지고 두께 100㎛의 제2 수지층(22)의 위에, 상기 수지 C로 이루어지고 두께 300㎛의 제1 수지층(21)이 형성된 기재(2)를 제작했다.First, the LDPE and the resin C were each placed in different extruders and co-extrusion was performed to produce a substrate (2) in which a first resin layer (21) made of the resin C and having a thickness of 300 ㎛ was formed on top of a second resin layer (22) made of the LDPE and having a thickness of 100 ㎛.
다음으로, 실시예 1과 동일한 방법으로 얻은 점착제층(3) 부착 세퍼레이터(4)를, 기재(2)의 제1 수지층(21)에 점착제층(3)을 향하여 접합하여, 실시예 1과 동일한 방법을 실시함으로써, 점착제층(3)을 제1 수지층(21)에 전사시켰다.Next, the adhesive layer (3) attached separator (4) obtained in the same manner as Example 1 was bonded to the first resin layer (21) of the substrate (2) toward the adhesive layer (3), and the adhesive layer (3) was transferred to the first resin layer (21) by performing the same manner as Example 1.
이와 같이 하여, 실시예 4의 보호 테이프(1)를 얻었다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 실시예 4의 보호 테이프(1)의 「테이프 전체에서의 영률」을 측정했다.In this way, the protective tape (1) of Example 4 was obtained. In addition, the “Young’s modulus of the entire tape” of the protective tape (1) of Example 4 was measured in the same manner as in Example 1.
[비교예 1][Comparative Example 1]
먼저, 상기 HDPE와 상기 수지 D를 각각 다른 압출기에 넣어, 공압출 가공을 행함으로써, 상기 HDPE로 이루어지고 두께 100㎛의 제2 수지층(22)의 위에, 상기 수지 D로 이루어지고 두께 300㎛의 제1 수지층(21)이 형성된 기재(2)를 제작했다.First, the HDPE and the resin D were each placed in different extruders and co-extrusion was performed to produce a substrate (2) in which a first resin layer (21) made of the resin D and having a thickness of 300 ㎛ was formed on top of a second resin layer (22) made of the HDPE and having a thickness of 100 ㎛.
다음으로, 제1 수지층(21)의 상면(제2 수지층(22)과는 반대측의 면)에 코로나 처리를 실시했다.Next, corona treatment was performed on the upper surface of the first resin layer (21) (the surface opposite to the second resin layer (22)).
다음으로, 실시예 1과 동일한 방법으로 얻은 점착제층(3) 부착 세퍼레이터(4)를, 기재(2)의 제1 수지층(21)에 점착제층(3)을 향하여 접합하여, 실시예 1과 동일한 방법을 실시함으로써, 점착제층(3)을 제1 수지층(21)에 전사시켰다.Next, the adhesive layer (3) attached separator (4) obtained in the same manner as Example 1 was bonded to the first resin layer (21) of the substrate (2) toward the adhesive layer (3), and the adhesive layer (3) was transferred to the first resin layer (21) by performing the same manner as Example 1.
이와 같이 하여, 비교예 1의 보호 테이프를 얻었다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 비교예 1의 보호 테이프의 「테이프 전체에서의 영률」을 측정했다.In this way, the protective tape of Comparative Example 1 was obtained. In addition, the “Young’s modulus of the entire tape” of the protective tape of Comparative Example 1 was measured in the same manner as Example 1.
[비교예 2][Comparative Example 2]
먼저, 상기 HDPE와 상기 수지 E를 각각 다른 압출기에 넣어, 공압출 가공을 행함으로써, 상기 HDPE로 이루어지고 두께 100㎛의 제2 수지층(22)의 위에, 상기 수지 E로 이루어지고 두께 300㎛의 제1 수지층(21)이 형성된 기재(2)를 제작했다.First, the HDPE and the resin E were each placed in different extruders and co-extrusion was performed to produce a substrate (2) in which a first resin layer (21) made of the resin E and having a thickness of 300 ㎛ was formed on top of a second resin layer (22) made of the HDPE and having a thickness of 100 ㎛.
다음으로, 제1 수지층(21)의 상면(제2 수지층(22)과는 반대측의 면)에 코로나 처리를 실시했다.Next, corona treatment was performed on the upper surface of the first resin layer (21) (the surface opposite to the second resin layer (22)).
다음으로, 실시예 1과 동일한 방법으로 얻은 점착제층(3) 부착 세퍼레이터(4)를, 기재(2)의 제1 수지층(21)에 점착제층(3)을 향하여 접합하여, 실시예 1과 동일한 방법을 실시함으로써, 점착제층(3)을 제1 수지층(21)에 전사시켰다.Next, the adhesive layer (3) attached separator (4) obtained in the same manner as Example 1 was bonded to the first resin layer (21) of the substrate (2) toward the adhesive layer (3), and the adhesive layer (3) was transferred to the first resin layer (21) by performing the same manner as Example 1.
이와 같이 하여, 비교예 2의 보호 테이프를 얻었다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 비교예 2의 보호 테이프의 「테이프 전체에서의 영률」을 측정했다.In this way, the protective tape of Comparative Example 2 was obtained. In addition, the “Young’s modulus of the entire tape” of the protective tape of Comparative Example 2 was measured in the same manner as Example 1.
[비교예 3][Comparative Example 3]
먼저, 상기 EVA와 상기 수지 C를 각각 다른 압출기에 넣어, 공압출 가공을 행함으로써, 상기 EVA로 이루어지고 두께 100㎛의 제2 수지층(22)의 위에, 상기 수지 C로 이루어지고 두께 300㎛의 제1 수지층(21)이 형성된 기재(2)를 제작했다.First, the EVA and the resin C were each placed in different extruders and co-extrusion was performed to produce a substrate (2) in which a first resin layer (21) made of the resin C and having a thickness of 300 ㎛ was formed on top of a second resin layer (22) made of the EVA and having a thickness of 100 ㎛.
다음으로, 제1 수지층(21)의 상면(제2 수지층(22)과는 반대측의 면)에 코로나 처리를 실시했다.Next, corona treatment was performed on the upper surface of the first resin layer (21) (the surface opposite to the second resin layer (22)).
다음으로, 실시예 1과 동일한 방법으로 얻은 점착제층(3) 부착 세퍼레이터(4)를, 기재(2)의 제1 수지층(21)에 점착제층(3)을 향하여 접합하여, 실시예 1과 동일한 방법을 실시함으로써, 점착제층(3)을 제1 수지층(21)에 전사시켰다.Next, the adhesive layer (3) attached separator (4) obtained in the same manner as Example 1 was bonded to the first resin layer (21) of the substrate (2) toward the adhesive layer (3), and the adhesive layer (3) was transferred to the first resin layer (21) by performing the same manner as Example 1.
이와 같이 하여, 비교예 3의 보호 테이프를 얻었다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 비교예 3의 보호 테이프의 「테이프 전체에서의 영률」을 측정했다.In this way, the protective tape of Comparative Example 3 was obtained. In addition, the “Young’s modulus of the entire tape” of the protective tape of Comparative Example 3 was measured in the same manner as in Example 1.
[비교예 4][Comparative Example 4]
먼저, 상기 COC와 상기 수지 C를 각각 다른 압출기에 넣어, 공압출 가공을 행함으로써, 상기 COC로 이루어지고 두께 100㎛의 제2 수지층(22)의 위에, 상기 수지 C로 이루어지고 두께 300㎛의 제1 수지층(21)이 형성된 기재(2)를 제작했다.First, the COC and the resin C were each placed in different extruders and co-extrusion was performed to produce a substrate (2) in which a first resin layer (21) made of the resin C and having a thickness of 300 ㎛ was formed on top of a second resin layer (22) made of the COC and having a thickness of 100 ㎛.
다음으로, 제1 수지층(21)의 상면(제2 수지층(22)과는 반대측의 면)에 코로나 처리를 실시했다.Next, corona treatment was performed on the upper surface of the first resin layer (21) (the surface opposite to the second resin layer (22)).
다음으로, 실시예 1과 동일한 방법으로 얻은 점착제층(3) 부착 세퍼레이터(4)를, 기재(2)의 제1 수지층(21)에 점착제층(3)을 향하여 접합하여, 실시예 1과 동일한 방법을 실시함으로써, 점착제층(3)을 제1 수지층(21)에 전사시켰다.Next, the adhesive layer (3) attached separator (4) obtained in the same manner as Example 1 was bonded to the first resin layer (21) of the substrate (2) toward the adhesive layer (3), and the adhesive layer (3) was transferred to the first resin layer (21) by performing the same manner as Example 1.
이와 같이 하여, 비교예 4의 보호 테이프를 얻었다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 비교예 4의 보호 테이프의 「테이프 전체에서의 영률」을 측정했다.In this way, the protective tape of Comparative Example 4 was obtained. In addition, the “Young’s modulus of the entire tape” of the protective tape of Comparative Example 4 was measured in the same manner as in Example 1.
[비교예 5][Comparative Example 5]
먼저, 두께 50㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 상에, 상기 수지 C를 두께 300㎛가 되도록 압출 라미네이트를 행했다. 이에 따라, PET로 이루어지는 제2 수지층(22)에, 상기 수지 C로 이루어지고 두께 300㎛의 제1 수지층(21)이 형성된 기재(2)를 제작했다.First, extrusion lamination of the resin C to a thickness of 300 μm was performed on a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 50 μm. Accordingly, a substrate (2) was produced in which a first resin layer (21) made of the resin C and having a thickness of 300 μm was formed on a second resin layer (22) made of PET.
다음으로, 제1 수지층(21)의 상면(제2 수지층(22)과는 반대측의 면)에 코로나 처리를 실시했다.Next, corona treatment was performed on the upper surface of the first resin layer (21) (the surface opposite to the second resin layer (22)).
다음으로, 실시예 1과 동일한 방법으로 얻은 점착제층(3) 부착 세퍼레이터(4)를, 기재(2)의 제1 수지층(21)에 점착제층(3)을 향하여 접합하여, 실시예 1과 동일한 방법을 실시함으로써, 점착제층(3)을 제1 수지층(21)에 전사시켰다.Next, the adhesive layer (3) attached separator (4) obtained in the same manner as Example 1 was bonded to the first resin layer (21) of the substrate (2) toward the adhesive layer (3), and the adhesive layer (3) was transferred to the first resin layer (21) by performing the same manner as Example 1.
이와 같이 하여, 비교예 5의 보호 테이프를 얻었다. 또한, 실시예 1과 동일한 방법으로 비교예 5의 보호 테이프의 「테이프 전체에서의 영률」을 측정했다.In this way, the protective tape of Comparative Example 5 was obtained. In addition, the “Young’s modulus of the entire tape” of the protective tape of Comparative Example 5 was measured in the same manner as in Example 1.
〔성능 평가〕〔Performance Evaluation〕
얻어진 실시예 1∼4 및 비교예 1∼5의 보호 테이프의 성능을, 이하와 같이 하여 조사했다.The performance of the protective tapes of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 5 obtained was investigated as follows.
<진공 마운트 성능><Vacuum Mount Performance>
반도체 웨이퍼로서, 직경이 200㎜(8인치)이고, 표면에, 높이 200㎛, 피치 400㎛의 범프를 갖고, 스크라이브 폭이 100㎛로, 5㎜각의 반도체 칩이 형성된 것을 준비했다.A semiconductor wafer having a diameter of 200 mm (8 inches) and having bumps on its surface with a height of 200 μm and a pitch of 400 μm, a scribe width of 100 μm, and a semiconductor chip of 5 mm square was prepared.
이 반도체 웨이퍼를 진공 라미네이터(오미야코교 가부시키가이샤 제조, 상품명 OVM-1200MSH)의 70℃로 가열한 테이블 상에 얹고, 그 위에, 링 프레임에 각 보호 테이프를 접착한 것을 세트하여, 진공 라미네이터에 의해, 반도체 웨이퍼의 소자 형성면에 진공 상태로 접착할 수 있는지 어떤지 조사했다. 접착할 수 있었던 경우는, 진공 마운트 성능이 양호하다고 하여 「○」, 할 수 없었던 경우는 진공 마운트 성능이 불량이라고 하여 「×」로 평가했다.This semiconductor wafer was placed on a table heated to 70℃ of a vacuum laminator (manufactured by Omiya Kogyo Co., Ltd., product name OVM-1200MSH), and then each protective tape attached to a ring frame was set on top of it to examine whether or not it could be bonded under vacuum to the element formation surface of the semiconductor wafer using the vacuum laminator. If bonding was possible, the vacuum mount performance was evaluated as good (○), and if it was not possible, the vacuum mount performance was evaluated as poor (×).
<추종성><Followability>
상기 시험에 의해 진공 상태로 접착할 수 있었던 것에 대해서, 22시간 경과 후에, 보호 테이프의 반도체 웨이퍼에 대한 추종성을 육안으로 관찰했다.Regarding the adhesion of the protective tape to the semiconductor wafer that was able to be bonded under vacuum by the above test, after 22 hours, the adhesion of the protective tape to the semiconductor wafer was visually observed.
반도체 웨이퍼의 접합면으로부터 범프 부분에서의 부유가 확인된 것은 불량품으로서 「×」, 스크라이브 부분만의 부유가 확인된 것은 허용품으로서 「○」, 부유가 확인되지 않았던 것은 양품으로서 「◎」로 평가했다.Products in which floating was confirmed in the bump portion from the bonding surface of the semiconductor wafer were evaluated as defective products with an "×"; products in which floating was confirmed only in the scribe portion were evaluated as acceptable products with an "○"; and products in which no floating was confirmed were evaluated as good products with an "◎".
<익스팬드성><Expandability>
먼저, 직경이 150㎜(6인치)인 베어 웨이퍼로서, 두께가 350㎛로 되어 있는 것과, 이 베어 웨이퍼에 대응하는 사이즈의 링 프레임을 준비했다. 다음으로, 이 베어 웨이퍼를, 각 보호 테이프를 사용하여 링 프레임에 접착하여, 각 링 프레임 부착 테이프를 얻었다. 얻어진 각 링 프레임 부착 테이프를, 다이스 픽커(캐논 머시너리 가부시키가이샤 제조, 상품명 CAP-3000Ⅱ)에 세트했다.First, a bare wafer having a diameter of 150 mm (6 inches) and a thickness of 350 μm and a ring frame having a size corresponding to the bare wafer were prepared. Next, the bare wafer was adhered to the ring frame using each protective tape, thereby obtaining each ring frame attachment tape. Each obtained ring frame attachment tape was set on a die picker (manufactured by Canon Machinery Co., Ltd., product name CAP-3000Ⅱ).
세트한 링 프레임 부착 테이프의 외주 부분을 고정한 상태로, 중앙 부분(웨이퍼 부분)의 테이블을 밀어 올림으로써, 익스팬드량 2㎜로 확장했다. 확장했을 때에, 테이프가 벗겨지는 일이 없으면 익스팬드성이 양호하다고 하여 「○」, 보호 테이프가 링 프레임으로부터 벗겨진 경우는 익스팬드성이 불량이라고 하여 「×」로 평가했다.By fixing the outer portion of the set ring frame attachment tape and pushing up the table in the central portion (wafer portion), the expansion amount was expanded to 2 mm. When the tape did not peel off during expansion, the expandability was evaluated as good (○), and if the protective tape peeled off from the ring frame, the expandability was evaluated as poor (×).
<안정성><Stability>
적층 상태로 수송할 때에 적층 방향으로 서로 이웃하는 보호 테이프끼리가 접착하거나, 사용하는 장치 내의 온도가 높은 경우에 보호 테이프가 용융하여 장치 내에 접착하거나 할 우려가 있는 경우는 「×」, 그러한 우려가 없는 경우는 「○」로 평가했다.When transported in a laminated state, if there is a concern that the protective tapes adjacent to each other in the laminated direction may adhere to each other, or that the protective tape may melt and adhere to the device when the temperature inside the device is high, it was evaluated as “×”, and if there is no such concern, it was evaluated as “○”.
<종합 평가><Comprehensive Evaluation>
모든 성능이 「○」 또는 「◎」의 경우는, 종합 평가가 양호하다고 하여 「○」, 어느 성능이 ×인 경우는 종합 평가가 불량이라고 하여 「×」로 평가했다.When all performances are “○” or “◎”, the overall evaluation is considered good and is evaluated as “○”. When any performance is ×, the overall evaluation is considered poor and is evaluated as “×”.
이들 결과를 각 보호 테이프의 구성과 함께 하기의 표 1에 나타낸다.These results are shown in Table 1 below along with the composition of each protective tape.
또한, 안정성에 대해서는, 비교예 1과 비교예 3이 불량이라고 평가되어 있는데, 그 이유는 이하와 같다.In addition, with regard to stability, Comparative Examples 1 and 3 were evaluated as poor, and the reasons are as follows.
비교예 1의 보호 테이프는, 제1 수지층의 저장 탄성률이 1.0KPa 미만이기 때문에, 적층 상태로 수송할 때에 제1 수지층의 비어져나옴이 생겨 적층 방향으로 서로 이웃하는 보호 테이프끼리가 접합 상태가 될 우려가 있다. 비교예 3의 보호 테이프는, 제2 수지층의 융점이 75℃이기 때문에, 사용하는 장치 내의 온도가 75℃ 이상이 되는 경우는, 사용 시에 용융하여 장치 내에 접착할 우려가 있다.In the protective tape of Comparative Example 1, since the storage elastic modulus of the first resin layer is less than 1.0 KPa, there is a risk that the first resin layer may bulge out when transported in a laminated state, and the protective tapes adjacent to each other in the laminated direction may become bonded. In the protective tape of Comparative Example 3, since the melting point of the second resin layer is 75°C, there is a risk that the protective tape melts during use and adheres to the inside of the device when the temperature inside the device in which it is used becomes 75°C or higher.
표 1의 결과로부터, 실시예 1∼4의 보호 테이프는, 제1 수지층(21)의 70℃에 있어서의 저장 탄성률이 40KPa 이상 160KPa 이하이고, 제2 수지층(22)의 DSC법으로 측정된 융점이 83℃ 이상 128℃ 이하이고, 사용 시의 테이프 전체에서의 영률이 35㎫ 이상 950㎫ 이하이고, 제1 수지층(21)의 두께가, 반도체 웨이퍼 표면의 요철의 고저차의 최대값(200㎛)의 1.5배(300㎛)임으로써, 진공 마운트 성능, 추종성, 익스팬드성, 안정성의 모두에 있어서 우수한 것이 되는 것을 알 수 있다.From the results in Table 1, it can be seen that the protective tapes of Examples 1 to 4 have a storage elastic modulus of the first resin layer (21) at 70°C of 40 KPa or more and 160 KPa or less, a melting point of the second resin layer (22) measured by the DSC method of 83°C or more and 128°C or less, a Young's modulus of the entire tape during use of 35 MPa or more and 950 MPa or less, and a thickness of the first resin layer (21) that is 1.5 times (300 μm) the maximum value (200 μm) of the height difference of the unevenness of the semiconductor wafer surface, thereby being excellent in all of vacuum mount performance, followability, expandability, and stability.
이에 대하여, 비교예 1의 보호 테이프는, 진공 마운트 성능, 추종성, 익스팬드성은 우수했지만, 제1 수지층의 70℃에 있어서의 저장 탄성률이 1.000KPa 미만이기 때문에, 전술과 같이 안정성이 불량이었다.In this regard, the protective tape of Comparative Example 1 had excellent vacuum mount performance, followability, and expandability, but because the storage elastic modulus of the first resin layer at 70°C was less than 1.000 KPa, the stability was poor as described above.
비교예 2의 보호 테이프는, 진공 마운트 성능, 익스팬드성, 안정성은 우수했지만, 제1 수지층의 70℃에 있어서의 저장 탄성률이 200KPa 초과이기 때문에, 추종성이 불량이었다.The protective tape of Comparative Example 2 had excellent vacuum mount performance, expandability, and stability, but had poor followability because the storage elastic modulus of the first resin layer at 70°C exceeded 200 KPa.
비교예 3의 보호 테이프는, 제2 수지층의 DSC법으로 측정된 융점이 80℃ 미만이기 때문에, 전술과 같이 안정성이 불량임과 함께, 사용 시의 테이프 전체에서의 영률이 30㎫ 미만이기 때문에, 진공 라미네이터로 접착을 행할 때에 신장이 완료되어, 접착할 수 없었다. 또한, 익스팬드성도 불량이었다.The protective tape of Comparative Example 3 had poor stability as described above because the melting point of the second resin layer measured by the DSC method was less than 80°C, and the Young's modulus of the entire tape during use was less than 30 MPa, so that when bonding was performed using a vacuum laminator, elongation was completed and bonding was impossible. In addition, the expandability was also poor.
비교예 4의 보호 테이프는, 진공 마운트 성능, 추종성, 안정성은 우수했지만, 사용 시의 테이프 전체에서의 영률이 1000㎫ 초과이기 때문에, 익스팬드성이 불량이었다.The protective tape of Comparative Example 4 had excellent vacuum mount performance, followability, and stability, but had poor expandability because the Young's modulus of the entire tape during use exceeded 1000 MPa.
비교예 5의 보호 테이프는, 제2 수지층의 DSC법으로 측정된 융점이 230℃ 초과임으로써, 사용 시의 테이프 전체에서의 영률이 3650㎫이 되어, 1000㎫을 대폭으로 초과하고 있었기 때문에, 진공 라미네이터로 접착을 행할 때에 변형할 수 없어, 접착할 수 없었다. 또한, 익스팬드성도 불량이었다.The protective tape of Comparative Example 5 had a melting point of over 230℃ as measured by the DSC method of the second resin layer, and thus the Young's modulus of the entire tape when used was 3650 MPa, which significantly exceeded 1000 MPa. Therefore, it could not be deformed and bonded when bonding was performed using a vacuum laminator. In addition, the expandability was also poor.
1 : 보호 테이프
2 : 기재
3 : 점착제층
4 : 세퍼레이터
21 : 제1 수지층
22 : 제2 수지층1: Protective tape
2 : Description
3: Adhesive layer
4: Separator
21: 1st resin layer
22: Second resin layer
Claims (7)
상기 기재는, 상기 점착제층측의 면에 형성된 제1 수지층과, 상기 제1 수지층의 상기 점착제층과는 반대의 면에 형성된 제2 수지층을 구비하고,
상기 제1 수지층은, 50℃ 이상 90℃ 이하의 범위의 어느 온도에서의 저장 탄성률이 1.000KPa 이상 200KPa 이하이고,
상기 제2 수지층은, DSC법으로 측정된 융점이 80℃ 이상 230℃ 이하이고,
사용 시의 테이프 전체에서의 영률이 1000㎫ 이하인 보호 테이프.A protective tape having a base material and an adhesive layer and used for bonding to a semiconductor wafer.
The above-mentioned description comprises a first resin layer formed on a surface of the adhesive layer side, and a second resin layer formed on a surface of the first resin layer opposite to the adhesive layer.
The above first resin layer has a storage elastic modulus of 1.000 KPa or more and 200 KPa or less at any temperature in the range of 50°C or more and 90°C or less,
The above second resin layer has a melting point measured by the DSC method of 80°C or more and 230°C or less,
Protective tape having a Young's modulus of 1000 MPa or less throughout the entire tape when used.
사용 시의 테이프 전체에서의 영률이 30㎫ 이상 1000㎫ 이하인 보호 테이프.In the first paragraph,
Protective tape having a Young's modulus of 30 MPa or more and 1000 MPa or less throughout the entire tape when used.
상기 제1 수지층과 상기 제2 수지층이 접촉하고 있는 보호 테이프.In the first paragraph,
A protective tape in which the first resin layer and the second resin layer are in contact.
반도체 웨이퍼의 요철을 갖는 면에 접착하여 사용되고, 상기 요철의 고저차의 최대값이 10㎛ 이상 300㎛ 이하인 보호 테이프.In the first paragraph,
A protective tape used by adhering to a surface having irregularities of a semiconductor wafer, the maximum difference in height of the irregularities being 10 ㎛ or more and 300 ㎛ or less.
상기 제1 수지층의 두께는, 상기 요철의 고저차의 최대값과 동일한 값 이상 10배의 값 이하의 범위의 치수인 보호 테이프.In paragraph 4,
A protective tape having a thickness of the first resin layer that is equal to or greater than the maximum value of the height difference of the unevenness and less than or equal to 10 times the maximum value.
상기 제2 수지층을 구성하는 수지는, EVA(에틸렌아세트산 비닐 공중합체), α올레핀 수지, LDPE(저밀도 폴리에틸렌), HDPE(고밀도 폴리에틸렌), PP(폴리프로필렌), PP/SEPS(폴리프로필렌/스티렌-수소 첨가 이소프렌-스티렌 블록 공중합체) 및, COC(환상 올레핀·코폴리머)의 어느 것인 보호 테이프.In the first paragraph,
A protective tape wherein the resin constituting the second resin layer is any one of EVA (ethylene vinyl acetate copolymer), α-olefin resin, LDPE (low density polyethylene), HDPE (high density polyethylene), PP (polypropylene), PP/SEPS (polypropylene/styrene-hydrogenated isoprene-styrene block copolymer), and COC (cyclic olefin copolymer).
상기 보호 테이프측으로부터 절단선을 따라 상기 반도체 웨이퍼에 절목을 넣어, 상기 반도체 웨이퍼를 복수의 반도체 칩으로 절단하는 공정과,
상기 보호 테이프와는 반대측으로부터 상기 반도체 웨이퍼를 눌러, 상기 복수의 반도체 칩을 취출하는 공정
을 갖는 반도체 칩의 제조 방법.A process of bonding a protective tape as described in any one of claims 1 to 6 to a semiconductor wafer and a frame that is arranged on the outside of the semiconductor wafer and supports the semiconductor wafer,
A process of cutting the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips by cutting the semiconductor wafer along a cutting line from the protective tape side,
A process of pressing the semiconductor wafer from the side opposite to the protective tape to extract the plurality of semiconductor chips.
A method for manufacturing a semiconductor chip having a .
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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