KR20240156370A

KR20240156370A - Method for cleaning plasma treatment device

Info

Publication number: KR20240156370A
Application number: KR1020247029545A
Authority: KR
Inventors: 야스타카 하마; 노부아키 신도
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2022-02-02
Filing date: 2022-02-02
Publication date: 2024-10-29
Also published as: WO2023148861A1; CN119013769A

Abstract

플라스마 처리 장치의 클리닝 방법이며, 챔버의 내부에 마련된 적재대에 제품 기판을 적재하고, 상기 제품 기판에 플라스마 처리를 행하는 공정과, 상기 제품 기판보다 작은 직경을 갖는 제1 더미 기판을 상기 적재대에 적재하고, 상기 챔버의 내부에서 플라스마를 생성하고 상기 적재대를 클리닝하는 제1 드라이 클리닝을 행하는 공정을 포함하는, 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법.A cleaning method for a plasma treatment device, comprising: a step of loading a product substrate onto a loading table provided inside a chamber and performing plasma treatment on the product substrate; and a step of loading a first dummy substrate having a smaller diameter than the product substrate onto the loading table and performing a first dry cleaning process of generating plasma inside the chamber and cleaning the loading table.

Description

Method for cleaning plasma treatment device

본 개시는, 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a cleaning method for a plasma treatment device.

특허문헌 1에는, 진공 처리 장치의 진공 처리실의 내부를 드라이 클리닝하는 방법이 개시되어 있다. 이 드라이 클리닝은 진공 처리실의 내부에 있어서 시료대에 더미 웨이퍼를 적재한 상태에서 행해진다.Patent Document 1 discloses a method for dry cleaning the interior of a vacuum processing chamber of a vacuum processing device. This dry cleaning is performed while a dummy wafer is loaded onto a sample stage inside the vacuum processing chamber.

특허문헌 2에는, 플라스마 처리 시스템의 플라스마 처리 챔버의 내부를 드라이 클리닝하는 방법이 개시되어 있다. 이 드라이 클리닝은, 소위 웨이퍼리스 드라이 클리닝이며, 플라스마 처리 챔버의 내부에 있어서 서셉터에 더미 웨이퍼를 적재하지 않고 행해진다.Patent Document 2 discloses a method for dry cleaning the interior of a plasma treatment chamber of a plasma treatment system. This dry cleaning is so-called waferless dry cleaning, and is performed without loading a dummy wafer on a susceptor inside the plasma treatment chamber.

일본 특허 공개 평5-74739호 공보Japanese Patent Publication No. 5-74739 일본 특허 공표 제2019-511843호 공보Japanese Patent Publication No. 2019-511843

본 개시에 관한 기술은, 플라스마 처리 장치의 챔버의 내부에 있어서, 기판을 적재하는 적재대를 적절하게 드라이 클리닝한다.The technology of the present disclosure appropriately dry cleans a loading platform for loading a substrate inside a chamber of a plasma processing device.

본 개시의 일 양태는, 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법이며, 챔버의 내부에 마련된 적재대에 제품 기판을 적재하고, 상기 제품 기판에 플라스마 처리를 행하는 공정과, 상기 제품 기판보다 작은 직경을 갖는 제1 더미 기판을 상기 적재대에 적재하고, 상기 챔버의 내부에서 플라스마를 생성하고 상기 적재대를 클리닝하는 제1 드라이 클리닝을 행하는 공정을 포함한다.One aspect of the present disclosure is a cleaning method of a plasma treatment device, including a step of loading a product substrate onto a loading table provided inside a chamber and performing plasma treatment on the product substrate, and a step of loading a first dummy substrate having a smaller diameter than the product substrate onto the loading table and performing a first dry cleaning process of generating plasma inside the chamber and cleaning the loading table.

본 개시에 따르면, 플라스마 처리 장치의 챔버의 내부에 있어서, 기판을 적재하는 적재대를 적절하게 드라이 클리닝할 수 있다.According to the present disclosure, a loading table for loading a substrate inside a chamber of a plasma processing device can be appropriately dry cleaned.

도 1은 본 실시 형태에 관한 플라스마 처리 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 2는 본 실시 형태에 관한 정전 척 및 에지 링의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 3은 본 실시 형태에 관한 정전 척 및 에지 링의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 4는 더미 웨이퍼를 사용하여 드라이 클리닝을 행하는 모습을 도시하는 설명도이다.
도 5는 제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리의 주된 공정을 도시하는 흐름도이다.
도 6은 제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 웨이퍼를 사용하여 도시하는 설명도이다.
도 7은 제1 실시 형태에 관한 드라이 클리닝에 있어서의 웨이퍼의 위치를 도시하는 설명도이다.
도 8은 제1 실시 형태에 있어서의 제1 위치의 설명도이다.
도 9는 제1 실시 형태에 있어서의 제1 내지 제4 위치의 설명도이다.
도 10은 제1 실시 형태의 변형예에 관한 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 웨이퍼를 사용하여 도시하는 설명도이다.
도 11은 제1 실시 형태의 변형예에 관한 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 웨이퍼를 사용하여 도시하는 설명도이다.
도 12는 제1 실시 형태의 변형예에 관한 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 웨이퍼를 사용하여 도시하는 설명도이다.
도 13은 제1 실시 형태의 변형예에 관한 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 웨이퍼를 사용하여 도시하는 설명도이다.
도 14는 제1 실시 형태의 변형예에 있어서 제1 더미 웨이퍼의 상태를 도시하는 설명도이다.
도 15는 제2 실시 형태에 관한 소경 더미 웨이퍼, 정전 척 및 에지 링의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 16은 제2 실시 형태에 관한 소경 더미 웨이퍼, 정전 척 및 에지 링의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 17은 제2 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 웨이퍼를 사용하여 도시하는 설명도이다.
도 18은 제2 실시 형태의 변형예에 관한 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 웨이퍼를 사용하여 도시하는 설명도이다.
도 19는 제2 실시 형태의 변형예에 관한 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 웨이퍼를 사용하여 도시하는 설명도이다.Fig. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating the configuration of a plasma processing device according to the present embodiment.
Fig. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating the configuration of an electrostatic chuck and an edge ring according to the present embodiment.
FIG. 3 is a plan view schematically illustrating the configuration of an electrostatic chuck and an edge ring according to the present embodiment.
Figure 4 is an explanatory diagram showing a dry cleaning process using a dummy wafer.
Figure 5 is a flow chart showing the main process of wafer processing according to the first embodiment.
Figure 6 is an explanatory diagram illustrating a series of flows of wafer processing according to the first embodiment using a wafer.
Figure 7 is an explanatory drawing showing the position of a wafer in dry cleaning according to the first embodiment.
Figure 8 is an explanatory drawing of the first position in the first embodiment.
Figure 9 is an explanatory drawing of the first to fourth positions in the first embodiment.
Figure 10 is an explanatory diagram illustrating a series of flows of wafer processing according to a modified example of the first embodiment using a wafer.
Figure 11 is an explanatory diagram illustrating a series of flows of wafer processing according to a modified example of the first embodiment using a wafer.
Figure 12 is an explanatory diagram illustrating a series of flows of wafer processing according to a modified example of the first embodiment using a wafer.
Figure 13 is an explanatory diagram illustrating a series of flows of wafer processing according to a modified example of the first embodiment using a wafer.
Fig. 14 is an explanatory diagram showing the state of the first dummy wafer in a modified example of the first embodiment.
Fig. 15 is a cross-sectional view schematically illustrating the configuration of a small-diameter dummy wafer, an electrostatic chuck, and an edge ring according to the second embodiment.
Fig. 16 is a plan view schematically illustrating the configuration of a small-diameter dummy wafer, an electrostatic chuck, and an edge ring according to the second embodiment.
Figure 17 is an explanatory diagram illustrating a series of flows of wafer processing according to the second embodiment using a wafer.
Figure 18 is an explanatory diagram illustrating a series of flows of wafer processing according to a modified example of the second embodiment using a wafer.
Figure 19 is an explanatory diagram illustrating a series of flows of wafer processing according to a modified example of the second embodiment using a wafer.

반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 한다.)에 플라스마 처리가 행해진다. 플라스마 처리에서는, 처리 가스를 여기시킴으로써 플라스마를 생성하고, 당해 플라스마에 의해 웨이퍼를 처리한다.In the manufacturing process of semiconductor devices, plasma treatment is performed on semiconductor wafers (hereinafter referred to as “wafers”). In plasma treatment, plasma is generated by exciting a treatment gas, and the wafer is treated by the plasma.

플라스마 처리는 플라스마 처리 장치에서 행해진다. 플라스마 처리 장치는, 일반적으로, 챔버, 적재대, 고주파(Radio Frequency: RF) 전원을 구비한다. 일례에서는, 고주파 전원은, 제1 고주파 전원과 제2 고주파 전원을 구비한다. 제1 고주파 전원은 챔버 내의 가스의 플라스마를 생성하기 위해, 제1 고주파 전력을 공급한다. 제2 고주파 전원은 웨이퍼에 이온을 끌어당기기 위해, 바이어스용의 제2 고주파 전력을 하부 전극에 공급한다. 챔버는 그 내부 공간을, 플라스마가 생성되는 처리 공간으로서 구획 형성한다. 적재대는 챔버 내에 마련되어 있다. 적재대는 하부 전극 및 정전 척을 갖는다. 정전 척은 하부 전극 상에 마련되어 있다. 정전 척 상에는, 당해 정전 척 상에 적재된 웨이퍼를 둘러싸도록 에지 링이 배치된다. 에지 링은 웨이퍼의 단부 부근의 시스 형상을 제어하고, 웨이퍼에 대한 플라스마 처리의 균일성을 향상시키기 위해 마련된다.The plasma treatment is performed in a plasma treatment device. The plasma treatment device generally comprises a chamber, a loading platform, and a radio frequency (RF) power source. In one example, the RF power source comprises a first RF power source and a second RF power source. The first RF power source supplies a first RF power to generate plasma of a gas in the chamber. The second RF power source supplies a second RF power for bias to a lower electrode to attract ions to the wafer. The chamber defines an internal space thereof as a treatment space in which plasma is generated. A loading platform is provided in the chamber. The loading platform has a lower electrode and an electrostatic chuck. The electrostatic chuck is provided on the lower electrode. An edge ring is arranged on the electrostatic chuck so as to surround a wafer loaded on the electrostatic chuck. The edge ring is provided to control a sheath shape near an end of the wafer and to improve the uniformity of plasma treatment for the wafer.

플라스마 처리에서는 반응 생성물이 생성된다. 반응 생성물은 챔버의 내벽이나 에지 링 등에 부착되고, 퇴적물(이하, 「데포지션」이라고 한다.)로서 퇴적된다. 데포지션은 이물(이하, 「파티클」이라고 한다.) 발생의 원인이고, 제품의 수율 악화나 장치 가동 시간 저하를 야기할 수 있다. 따라서 데포지션을 제거하기 위해, 챔버의 내부에서는 플라스마를 사용한 드라이 클리닝이 행해진다. 즉, 드라이 클리닝에서는 드라이 클리닝 가스를 여기시켜서 플라스마를 생성하고, 당해 플라스마를 사용하여 데포지션을 제거한다. 구체적으로 드라이 클리닝은 라디칼에 의한 화학적 반응 및 이온에 의한 물리적 반응(스퍼터)에 의해 데포지션을 제거한다.In plasma treatment, reaction products are generated. The reaction products are attached to the inner wall or edge ring of the chamber, and are deposited as sediments (hereinafter referred to as “depositions”). Depositions are the cause of foreign matter (hereinafter referred to as “particles”) generation, and may cause deterioration of product yield or reduction in equipment operating time. Therefore, in order to remove the depositions, dry cleaning using plasma is performed inside the chamber. That is, in dry cleaning, plasma is generated by exciting a dry cleaning gas, and the depositions are removed using the plasma. Specifically, dry cleaning removes depositions by chemical reactions using radicals and physical reactions using ions (sputtering).

드라이 클리닝은, 특허문헌 1에 개시된 바와 같이 적재대에 더미 웨이퍼를 적재한 상태에서 행해지는 경우가 있다. 또한, 드라이 클리닝은, 특허문헌 2에 개시된 바와 같이 적재대에 더미 웨이퍼를 적재하지 않는 상태에서 행해지는 경우(웨이퍼리스 드라이 클리닝)도 있다.Dry cleaning is sometimes performed with a dummy wafer loaded on a loading stand, as disclosed in Patent Document 1. In addition, dry cleaning is sometimes performed without a dummy wafer loaded on a loading stand, as disclosed in Patent Document 2 (waferless dry cleaning).

더미 웨이퍼를 사용한 드라이 클리닝에 있어서는, 라디칼 및 이온이 더미 웨이퍼에 차폐되어, 당해 라디칼 및 이온을 공급하기 어려운 영역(라디칼 및 이온이 입사하기 어려운 영역)이 발생한다. 특히, 적재대의 하부 전극에 제2 고주파 전력(바이어스 전력)을 공급하는 경우, 이온은 더미 웨이퍼를 향하여 직진하기 때문에, 더미 웨이퍼에 차폐된 영역에 있어서 이온에 의한 스퍼터의 효율은 현저하게 저하된다. 이 때문에, 라디칼에 의한 화학적 반응에서는 제거하기 어려운 데포지션(예를 들어, Si나 금속을 포함하는 퇴적물)을 충분히 제거할 수 없다.In dry cleaning using a dummy wafer, radicals and ions are shielded by the dummy wafer, and an area where it is difficult to supply the radicals and ions (an area where it is difficult for the radicals and ions to enter) occurs. In particular, when the second high-frequency power (bias power) is supplied to the lower electrode of the loading table, the ions travel straight toward the dummy wafer, so the efficiency of sputtering by the ions in the area shielded by the dummy wafer is significantly reduced. For this reason, it is impossible to sufficiently remove deposits (for example, deposits including Si or metals) that are difficult to remove by chemical reaction by radicals.

또한, 더미 웨이퍼를 사용하지 않는 웨이퍼리스 드라이 클리닝에 있어서는, 더미 웨이퍼가 적재대(정전 척)에 적재되어 있지 않기 때문에, 이온이 적재대 표면에 직접 입사하게 된다. 따라서, 바이어스 전력을 높게 하면, 적재대가 손상되어 버린다. 이 때문에, 바이어스 전력을 낮게 할 필요가 있어, 이온에 의한 스퍼터의 효율은 저하된다. 그리고, 라디칼에 의한 화학적 반응에서는 제거하기 어려운 데포지션(예를 들어, Si나 금속을 포함하는 퇴적물)을 충분히 제거할 수 없다.In addition, in waferless dry cleaning that does not use a dummy wafer, since the dummy wafer is not loaded on the loading table (electrostatic chuck), ions are directly incident on the loading table surface. Therefore, if the bias power is high, the loading table is damaged. Therefore, the bias power needs to be low, and the efficiency of sputtering by ions is reduced. In addition, depositions that are difficult to remove (for example, deposits containing Si or metals) cannot be sufficiently removed by chemical reactions by radicals.

본 개시에 관한 기술은, 플라스마 처리 장치의 챔버의 내부에 있어서, 기판을 적재하는 적재대를 적절하게 드라이 클리닝한다. 이하, 본 실시 형태에 관한 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 장치의 드라이 클리닝 방법에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 있어서는, 동일한 번호를 붙임으로써 중복 설명을 생략한다.The technology of the present disclosure appropriately dry cleans a loading platform for loading a substrate inside a chamber of a plasma processing device. Hereinafter, a plasma processing device and a dry cleaning method of the plasma processing device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. In addition, in the present specification and drawings, elements having substantially the same functional configuration are given the same numbers to omit redundant description.

<플라스마 처리 장치><Plasma treatment device>

우선, 본 실시 형태에 관한 플라스마 처리 장치에 대해서 설명한다. 도 1은 플라스마 처리 장치(1)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다. 플라스마 처리 장치(1)는 용량 결합형의 플라스마 처리 장치이다. 또한 플라스마 처리 장치(1)에서는, 제품 기판으로서의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 플라스마 처리를 행한다. 제품 웨이퍼(W)는, 원하는 플라스마 처리가 행해지는 웨이퍼이며, 예를 들어 표면에 패턴이 형성되어 있는 웨이퍼이다. 제품 웨이퍼(W)는, 예를 들어 직경 300㎜의 실리콘 웨이퍼이다. 또한, 플라스마 처리는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 에칭 처리, 성막 처리, 확산 처리 등이 행해진다.First, the plasma processing device according to the present embodiment will be described. Fig. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating the configuration of the plasma processing device (1). The plasma processing device (1) is a capacity-coupled plasma processing device. In addition, the plasma processing device (1) performs plasma processing on a product wafer (W) as a product substrate. The product wafer (W) is a wafer on which a desired plasma processing is performed, and is, for example, a wafer having a pattern formed on the surface. The product wafer (W) is, for example, a silicon wafer having a diameter of 300 mm. In addition, the plasma processing is not particularly limited, and for example, etching processing, film forming processing, diffusion processing, etc. are performed.

도 1에 도시하는 바와 같이 플라스마 처리 장치(1)는, 대략 원통 형상의 챔버(10)를 갖고 있다. 챔버(10)는 그 내부에 있어서 플라스마가 생성되는 처리 공간(S)을 구획 형성한다. 챔버(10)는, 예를 들어 알루미늄으로 구성되어 있다. 챔버(10)는 접지 전위에 접속되어 있다. 챔버(10)의 내벽면, 즉, 처리 공간(S)을 구획 형성하는 벽면에는, 내플라스마성을 갖는 막이 형성되어 있다. 이 막은 양극 산화 처리에 의해 형성된 막, 또는 산화이트륨으로 형성된 막과 같은 세라믹제의 막일 수 있다.As shown in Fig. 1, the plasma treatment device (1) has a chamber (10) having a substantially cylindrical shape. The chamber (10) defines a treatment space (S) in which plasma is generated within the chamber. The chamber (10) is made of, for example, aluminum. The chamber (10) is connected to ground potential. A film having plasma resistance is formed on the inner wall surface of the chamber (10), that is, the wall surface defining the treatment space (S). This film may be a film formed by anodizing treatment, or a film made of ceramic, such as a film formed of yttrium oxide.

챔버(10)의 내부에는, 제품 웨이퍼(W)를 적재하는 적재대(11)가 수용되어 있다. 적재대(11)는 하부 전극(12), 정전 척(13), 및 에지 링(14)을 갖고 있다. 또한, 하부 전극(12)의 이면측에는, 예를 들어 알루미늄으로 구성되는 전극 플레이트(도시하지 않음)가 마련되어 있어도 된다.Inside the chamber (10), a loading platform (11) for loading a product wafer (W) is accommodated. The loading platform (11) has a lower electrode (12), an electrostatic chuck (13), and an edge ring (14). In addition, an electrode plate (not shown) made of, for example, aluminum may be provided on the back surface of the lower electrode (12).

하부 전극(12)은 도전성의 금속, 예를 들어 알루미늄 등으로 구성되어 있고, 대략 원판 형상을 갖고 있다.The lower electrode (12) is made of a conductive metal, such as aluminum, and has an approximately circular shape.

하부 전극(12)의 내부에는 냉매 유로(15a)가 형성되어 있다. 냉매 유로(15a)에는 챔버(10)의 외부에 마련된 칠러 유닛(도시하지 않음)으로부터 냉매 입구 배관(15b)을 통해 냉매가 공급된다. 냉매 유로(15a)에 공급된 냉매는 냉매 출구 유로(15c)를 통해 칠러 유닛으로 되돌아가도록 되어 있다. 냉매 유로(15a) 중에 냉매, 예를 들어 냉각수 등을 순환시킴으로써, 정전 척(13), 에지 링(14), 및 제품 웨이퍼(W)를 원하는 온도로 냉각할 수 있다.A coolant path (15a) is formed inside the lower electrode (12). A coolant is supplied to the coolant path (15a) from a chiller unit (not shown) provided outside the chamber (10) through a coolant inlet pipe (15b). The coolant supplied to the coolant path (15a) is designed to return to the chiller unit through a coolant outlet path (15c). By circulating a coolant, such as cooling water, in the coolant path (15a), the electrostatic chuck (13), the edge ring (14), and the product wafer (W) can be cooled to a desired temperature.

정전 척(13)은 하부 전극(12) 상에 마련되어 있다. 정전 척(13)은 제품 웨이퍼(W)와 에지 링(14)의 양쪽을 정전력에 의해 흡착 보유 지지 가능하게 구성된 부재이다. 정전 척(13)은 외주부의 표면에 비해 중앙부의 표면이 높게 형성되어 있다. 정전 척(13)의 중앙부의 표면은 제품 웨이퍼(W)가 적재되는 웨이퍼 적재면이 되고, 정전 척(13)의 외주부의 표면은 에지 링(14)이 적재되는 에지 링 적재면이 된다. 또한, 정전 척(13)의 구성의 상세에 대해서는 후술한다.An electrostatic chuck (13) is provided on the lower electrode (12). The electrostatic chuck (13) is a member configured to be able to adsorb and hold both sides of a product wafer (W) and an edge ring (14) by electrostatic force. The electrostatic chuck (13) has a surface at the center formed higher than a surface at the outer periphery. The surface at the center of the electrostatic chuck (13) becomes a wafer loading surface on which a product wafer (W) is loaded, and the surface at the outer periphery of the electrostatic chuck (13) becomes an edge ring loading surface on which an edge ring (14) is loaded. In addition, the details of the configuration of the electrostatic chuck (13) will be described later.

정전 척(13)의 내부에 있어서 중앙부에는 제품 웨이퍼(W)를 흡착 보유 지지하기 위한 제1 전극(16a)이 마련되어 있다. 정전 척(13)의 내부에 있어서 외주부에는 에지 링(14)을 흡착 보유 지지하기 위한 제2 전극(16b)이 마련되어 있다. 정전 척(13)은 절연 재료로 이루어지는 절연재의 사이에 전극(16a, 16b)을 사이에 둔 구성을 갖는다.In the central portion of the electrostatic chuck (13), a first electrode (16a) is provided for adsorbing and supporting a product wafer (W). In the peripheral portion of the electrostatic chuck (13), a second electrode (16b) is provided for adsorbing and supporting an edge ring (14). The electrostatic chuck (13) has a configuration in which the electrodes (16a, 16b) are sandwiched between insulating materials made of an insulating material.

제1 전극(16a)에는 직류 전원(도시하지 않음)으로부터의 직류 전압이 인가된다. 이에 의해 발생하는 정전력에 의해, 정전 척(13)의 중앙부의 표면에 제품 웨이퍼(W)가 흡착 보유 지지된다. 마찬가지로, 제2 전극(16b)에는 직류 전원(도시하지 않음)으로부터의 직류 전압이 인가된다. 이에 의해 발생하는 정전력에 의해, 정전 척(13)의 외주부의 표면에 에지 링(14)이 흡착 보유 지지된다.A DC voltage from a DC power source (not shown) is applied to the first electrode (16a). By the electrostatic force generated thereby, a product wafer (W) is adsorbed and supported on the surface of the central portion of the electrostatic chuck (13). Similarly, a DC voltage from a DC power source (not shown) is applied to the second electrode (16b). By the electrostatic force generated thereby, an edge ring (14) is adsorbed and supported on the surface of the outer portion of the electrostatic chuck (13).

에지 링(14)은 정전 척(13)의 중앙부의 표면에 적재된 제품 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 배치되는 환상 부재이다. 에지 링(14)은 플라스마 처리의 균일성을 향상시키기 위해 마련된다. 이 때문에, 에지 링(14)은 플라스마 처리에 따라서 적절히 선택되는 재료로 구성되어 있고, 예를 들어 석영이나 Si, SiC 등으로 구성될 수 있다. 또한, 이 에지 링(14)의 구성의 상세에 대해서는 후술한다.The edge ring (14) is an annular member arranged to surround a product wafer (W) loaded on the surface of the central portion of the electrostatic chuck (13). The edge ring (14) is provided to improve the uniformity of plasma treatment. For this reason, the edge ring (14) is composed of a material appropriately selected according to the plasma treatment, and may be composed of, for example, quartz, Si, SiC, etc. In addition, the details of the configuration of this edge ring (14) will be described later.

이상과 같이 구성된 적재대(11)는 챔버(10)의 저부에 마련된 대략 원통 형상의 지지 부재(17)에 체결된다. 지지 부재(17)는, 예를 들어 세라믹이나 석영 등의 절연체에 의해 구성된다.The loading platform (11) configured as described above is fastened to a support member (17) of approximately cylindrical shape provided at the bottom of the chamber (10). The support member (17) is configured by an insulator such as ceramic or quartz, for example.

또한, 도시는 생략하지만, 적재대(11)는 정전 척(13), 에지 링(14), 및 제품 웨이퍼(W) 중 적어도 하나를 원하는 온도로 조절하도록 구성되는 온도 조절 모듈을 포함해도 된다. 온도 조절 모듈은 히터, 유로, 또는 이들의 조합을 포함해도 된다. 유로에는 냉매, 전열 가스와 같은 온도 조절 유체가 흐른다.Additionally, although the city is omitted, the loading platform (11) may include a temperature control module configured to control at least one of the electrostatic chuck (13), the edge ring (14), and the product wafer (W) to a desired temperature. The temperature control module may include a heater, a path, or a combination thereof. A temperature control fluid such as a refrigerant or a heating gas flows through the path.

적재대(11)의 하방이며 지지 부재(17)의 내측에는 적재대(11)에 대하여 제품 웨이퍼(W)를 승강시키는 리프터(20)가 마련되어 있다. 리프터(20)는 승강 핀(21), 지지 부재(22), 및 구동부(23)를 갖고 있다.A lifter (20) is provided on the lower side of the loading platform (11) and on the inner side of the support member (17) to elevate the product wafer (W) with respect to the loading platform (11). The lifter (20) has an elevating pin (21), a support member (22), and a driving unit (23).

승강 핀(21)은 정전 척(13)의 중앙부의 표면으로부터 돌출 함몰되도록 승강하는 주상의 부재이고, 예를 들어 세라믹으로 형성된다. 승강 핀(21)은 정전 척(13)의 둘레 방향, 즉, 표면의 둘레 방향을 따라서, 서로 간격을 두고 3개 이상 마련되어 있다. 승강 핀(21)은, 예를 들어 상기 둘레 방향을 따라서 등간격으로 마련되어 있다. 승강 핀(21)은 상하 방향으로 연장되도록 마련된다.The lifting pin (21) is a columnar member that is raised and lowered by protruding from the surface of the central portion of the electrostatic chuck (13), and is formed of, for example, ceramic. The lifting pins (21) are provided in a circumferential direction of the electrostatic chuck (13), that is, along the circumferential direction of the surface, at intervals from each other, in three or more. The lifting pins (21) are provided at equal intervals, for example, along the circumferential direction. The lifting pins (21) are provided so as to extend in the vertical direction.

승강 핀(21)은 정전 척(13)의 중앙부의 표면으로부터 하방으로 연장되어 하부 전극(12)의 저면까지 이르는 관통 구멍(24)에 삽입 관통된다. 즉, 관통 구멍(24)은 정전 척(13)의 중앙부 및 하부 전극(12)을 관통하도록 형성되어 있다.The lifting pin (21) is inserted into a through hole (24) extending downward from the surface of the central portion of the electrostatic chuck (13) to the bottom surface of the lower electrode (12). That is, the through hole (24) is formed to penetrate the central portion of the electrostatic chuck (13) and the lower electrode (12).

지지 부재(22)는, 복수의 승강 핀(21)을 지지한다. 구동부(23)는 지지 부재(22)를 승강시키는 구동력을 발생시키고, 복수의 승강 핀(21)을 승강시킨다. 구동부(23)는 상기 구동력을 발생하는 모터(도시하지 않음)를 갖는다.The support member (22) supports a plurality of lifting pins (21). The driving member (23) generates a driving force to raise and lower the support member (22) and raises and lowers the plurality of lifting pins (21). The driving member (23) has a motor (not shown) that generates the driving force.

플라스마 처리 장치(1)는 제1 고주파(RF: Radio Frequency) 전원(30), 제2 고주파 전원(31), 제1 정합기(32), 및 제2 정합기(33)를 더 갖고 있다. 제1 고주파 전원(30)과 제2 고주파 전원(31)은 각각, 제1 정합기(32) 및 제2 정합기(33)를 통해, 하부 전극(12)에 접속되어 있다.The plasma treatment device (1) further has a first radio frequency (RF) power source (30), a second radio frequency power source (31), a first matcher (32), and a second matcher (33). The first radio frequency power source (30) and the second radio frequency power source (31) are connected to the lower electrode (12) through the first matcher (32) and the second matcher (33), respectively.

제1 고주파 전원(30)은 플라스마 발생용의 고주파 전력을 발생하는 전원이다. 제1 고주파 전원(30)으로부터는 27㎒ 내지 100㎒의 주파수여도 되고, 일례에 있어서는 40㎒의 고주파 전력(HF)이 하부 전극(12)에 공급된다. 제1 정합기(32)는 제1 고주파 전원(30)의 출력 임피던스와 부하측(하부 전극(12)측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖고 있다. 또한, 제1 고주파 전원(30)은 하부 전극(12)에 전기적으로 접속되어 있지 않아도 되고, 제1 정합기(32)를 통해 상부 전극인 샤워 헤드(40)에 접속되어 있어도 된다.The first high-frequency power source (30) is a power source that generates high-frequency power for plasma generation. The first high-frequency power source (30) may have a frequency of 27 MHz to 100 MHz, and in one example, high-frequency power (HF) of 40 MHz is supplied to the lower electrode (12). The first matching device (32) has a circuit for matching the output impedance of the first high-frequency power source (30) and the input impedance of the load side (the lower electrode (12) side). In addition, the first high-frequency power source (30) does not have to be electrically connected to the lower electrode (12), and may be connected to the shower head (40), which is the upper electrode, via the first matching device (32).

제2 고주파 전원(31)은 제품 웨이퍼(W)에 이온을 인입하기 위한 고주파 전력(바이어스 전력)(LF)을 발생하여, 당해 고주파 전력(LF)을 하부 전극(12)에 공급한다. 고주파 전력(LF)의 주파수는 400㎑ 내지 13.56㎒의 범위 내의 주파수여도 되고, 일례에 있어서는 400㎑이다. 제2 정합기(33)는 제2 고주파 전원(31)의 출력 임피던스와 부하측(하부 전극(12)측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖고 있다. 또한, 제2 고주파 전원(31) 대신에, DC(Direct Current) 펄스 생성부를 사용해도 된다.The second high-frequency power source (31) generates high-frequency power (bias power) (LF) for introducing ions into the product wafer (W) and supplies the high-frequency power (LF) to the lower electrode (12). The frequency of the high-frequency power (LF) may be a frequency within a range of 400 kHz to 13.56 MHz, and is 400 kHz in one example. The second matching device (33) has a circuit for matching the output impedance of the second high-frequency power source (31) and the input impedance of the load side (lower electrode (12) side). In addition, a DC (Direct Current) pulse generating unit may be used instead of the second high-frequency power source (31).

적재대(11)의 상방에는 적재대(11)와 대향하도록, 샤워 헤드(40)가 마련되어 있다. 샤워 헤드(40)는 처리 공간(S)을 면하여 배치되는 전극판(41), 및 전극판(41)의 상방에 마련되는 전극 지지체(42)를 갖고 있다. 전극판(41)은 하부 전극(12)과 한 쌍의 상부 전극으로서 기능한다. 후술하는 바와 같이 제1 고주파 전원(30)이 하부 전극(12)에 전기적으로 접속되어 있는 경우에는, 샤워 헤드(40)는 접지 전위에 접속된다. 또한, 샤워 헤드(40)는 절연성 차폐 부재(43)를 통해, 챔버(10)의 상부(천장면)에 지지되어 있다.Above the loading platform (11), a shower head (40) is provided so as to face the loading platform (11). The shower head (40) has an electrode plate (41) arranged to face the processing space (S), and an electrode support (42) provided above the electrode plate (41). The electrode plate (41) functions as a pair of upper electrodes with the lower electrode (12). As described below, when the first high-frequency power source (30) is electrically connected to the lower electrode (12), the shower head (40) is connected to ground potential. In addition, the shower head (40) is supported on the upper portion (ceiling surface) of the chamber (10) via an insulating shielding member (43).

전극판(41)에는, 후술하는 가스 확산실(42a)로부터 보내지는 처리 가스를 처리 공간(S)에 공급하기 위한 복수의 가스 분출구(41a)가 형성되어 있다. 전극판(41)은, 예를 들어 발생하는 줄 열이 적고 낮은 전기 저항률을 갖는 도전체 또는 반도체로 구성된다.A plurality of gas outlets (41a) are formed on the electrode plate (41) to supply the processing gas sent from the gas diffusion room (42a) described later to the processing space (S). The electrode plate (41) is made of, for example, a conductor or semiconductor that generates little Joule heat and has low electrical resistivity.

전극 지지체(42)는 전극판(41)을 착탈 가능하게 지지하는 것이다. 전극 지지체(42)는, 예를 들어 알루미늄 등의 도전성 재료의 표면에 내플라스마성을 갖는 막이 형성된 구성을 갖고 있다. 이 막은 양극 산화 처리에 의해 형성된 막, 또는 산화이트륨으로 형성된 막과 같은 세라믹제의 막일 수 있다. 전극 지지체(42)의 내부에는 가스 확산실(42a)이 형성되어 있다. 가스 확산실(42a)로부터는, 가스 분출구(41a)에 연통하는 복수의 가스류 통과 구멍(42b)이 형성되어 있다. 또한, 가스 확산실(42a)에는, 후술하는 가스 공급관(53)에 접속되는 가스 도입 구멍(42c)이 형성되어 있다.The electrode support (42) detachably supports the electrode plate (41). The electrode support (42) has a configuration in which a film having plasma resistance is formed on the surface of a conductive material such as, for example, aluminum. This film may be a film formed by anodizing treatment, or a ceramic film such as a film formed of yttrium oxide. A gas diffusion chamber (42a) is formed inside the electrode support (42). A plurality of gas flow passage holes (42b) are formed from the gas diffusion chamber (42a) and communicate with the gas outlet (41a). In addition, a gas introduction hole (42c) connected to a gas supply pipe (53) described later is formed in the gas diffusion chamber (42a).

또한, 전극 지지체(42)에는 가스 확산실(42a)에 처리 가스를 공급하는 가스 공급원군(50)이 유량 제어 기기군(51), 밸브군(52), 가스 공급관(53), 가스 도입 구멍(42c)을 통해 접속되어 있다.In addition, a gas supply source group (50) for supplying processing gas to a gas diffusion chamber (42a) is connected to the electrode support (42) through a flow control device group (51), a valve group (52), a gas supply pipe (53), and a gas introduction hole (42c).

가스 공급원군(50)은 플라스마 처리 또는 드라이 클리닝에 필요한 복수종의 가스 공급원을 갖고 있다. 유량 제어 기기군(51)은 복수의 유량 제어기를 포함하고, 밸브군(52)은 복수의 밸브를 포함하고 있다. 유량 제어 기기군(51)의 복수의 유량 제어기의 각각은, 매스 플로 컨트롤러 또는 압력 제어식의 유량 제어기이다. 플라스마 처리 장치(1)에 있어서는, 가스 공급원군(50)으로부터 선택된 1 이상의 가스 공급원으로부터의 처리 가스가, 유량 제어 기기군(51), 밸브군(52), 가스 공급관(53), 가스 도입 구멍(42c)을 통해 가스 확산실(42a)에 공급된다. 그리고, 가스 확산실(42a)에 공급된 처리 가스는 가스류 통과 구멍(42b), 가스 분출구(41a)를 통해, 처리 공간(S) 내에 샤워 형상으로 분산되어 공급된다.The gas supply source group (50) has multiple types of gas supply sources required for plasma treatment or dry cleaning. The flow control device group (51) includes multiple flow controllers, and the valve group (52) includes multiple valves. Each of the multiple flow controllers of the flow control device group (51) is a mass flow controller or a pressure-controlled flow controller. In the plasma treatment device (1), a processing gas from one or more gas supply sources selected from the gas supply source group (50) is supplied to the gas diffusion chamber (42a) through the flow control device group (51), the valve group (52), the gas supply pipe (53), and the gas introduction hole (42c). Then, the processing gas supplied to the gas diffusion chamber (42a) is supplied in a shower shape into the processing space (S) through the gas flow passage hole (42b) and the gas outlet (41a).

플라스마 처리 장치(1)에는 챔버(10)의 내벽을 따라서 데포지션 실드(60)가 착탈 가능하게 마련되어 있다. 데포지션 실드(60)는 챔버(10)의 내벽에 데포지션이 부착되는 것을 억제하는 것이고, 예를 들어 알루미늄재에 산화이트륨 등의 세라믹스를 피복함으로써 구성된다. 또한 마찬가지로, 데포지션 실드(60)에 대향하는 면이며, 지지 부재(17)의 외주면에는 데포지션 실드(61)가 착탈 가능하게 마련되어 있다.In the plasma treatment device (1), a deposition shield (60) is detachably provided along the inner wall of the chamber (10). The deposition shield (60) suppresses deposition from being attached to the inner wall of the chamber (10), and is configured by, for example, coating a ceramic such as yttrium oxide on aluminum. In addition, a deposition shield (61) is detachably provided on the outer surface of the support member (17), which is the surface facing the deposition shield (60).

챔버(10)의 저부이며, 챔버(10)의 내벽과 지지 부재(17) 사이에는, 배플 플레이트(62)가 마련되어 있다. 배플 플레이트(62)는, 예를 들어 알루미늄재에 산화이트륨 등의 세라믹스를 피복함으로써 구성된다. 배플 플레이트(62)에는, 복수의 관통 구멍이 형성되어 있다. 처리 공간(S)은 당해 배플 플레이트(62)를 통해 배기구(63)에 연통되어 있다. 배기구(63)에는 예를 들어 진공 펌프 등의 배기 장치(64)가 접속되고, 당해 배기 장치(64)에 의해 처리 공간(S) 내를 감압 가능하게 구성되어 있다.The bottom of the chamber (10) is provided with a baffle plate (62) between the inner wall of the chamber (10) and the support member (17). The baffle plate (62) is configured by coating, for example, aluminum material with ceramics such as yttrium oxide. A plurality of through holes are formed in the baffle plate (62). The processing space (S) is connected to an exhaust port (63) through the baffle plate (62). An exhaust device (64), such as a vacuum pump, is connected to the exhaust port (63), and the inside of the processing space (S) is configured to be depressurized by the exhaust device (64).

또한, 챔버(10)의 측벽에는 제품 웨이퍼(W)의 반입 출구(65)가 형성되고, 당해 반입 출구(65)는 게이트 밸브(66)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다.In addition, an inlet/outlet (65) for a product wafer (W) is formed on the side wall of the chamber (10), and the inlet/outlet (65) can be opened/closed by a gate valve (66).

또한, 본 실시 형태에 있어서 드라이 클리닝부는, 하부 전극(12), 제2 고주파 전원(31), 가스 공급원군(50) 등을 포함하고, 후술하는 바와 같이 챔버(10)의 내부를 드라이 클리닝하기 위해, 드라이 클리닝 가스를 여기시켜 플라스마를 생성한다.In addition, in the present embodiment, the dry cleaning unit includes a lower electrode (12), a second high-frequency power source (31), a gas supply source group (50), etc., and generates plasma by exciting a dry cleaning gas in order to dry clean the interior of the chamber (10) as described below.

이상의 플라스마 처리 장치(1)에는 제어부(70)가 마련되어 있다. 제어부(70)는, 예를 들어 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터이고, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는 플라스마 처리 장치(1)에 있어서의 플라스마 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 당해 기억 매체로부터 제어부(70)에 인스톨된 것이어도 된다. 제어부(70)는 기판의 반송(리프터(20)에 의한 기판의 상하 이동을 포함함), 기판에 대한 플라스마 처리 및 챔버(10) 내의 드라이 클리닝의 실행을 제어한다.The above plasma treatment device (1) is provided with a control unit (70). The control unit (70) is, for example, a computer equipped with a CPU, a memory, etc., and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for controlling plasma treatment in the plasma treatment device (1). In addition, the program may be recorded in a computer-readable storage medium and installed in the control unit (70) from the storage medium. The control unit (70) controls the conveyance of the substrate (including the up-and-down movement of the substrate by the lifter (20), the plasma treatment for the substrate, and the execution of dry cleaning within the chamber (10).

<플라스마 처리 방법><Plasma treatment method>

다음에, 이상과 같이 구성된 플라스마 처리 장치(1)를 사용하여 행해지는 플라스마 처리에 대해서 설명한다.Next, the plasma treatment performed using the plasma treatment device (1) configured as described above will be described.

우선, 챔버(10)의 내부에 제품 웨이퍼(W)를 반입하고, 정전 척(13) 상에 제품 웨이퍼(W)를 적재한다. 이때, 평면으로 보아 제품 웨이퍼(W)의 중심이 정전 척(13)의 중심과 동일한 위치가 되도록, 제품 웨이퍼(W)가 정전 척(13) 상에 적재된다. 이 제품 웨이퍼(W)의 위치가, 본 개시에 있어서의 처리 위치이다. 그 후, 정전 척(13)의 제1 전극(16a)에 직류 전압을 인가함으로써, 제품 웨이퍼(W)는 쿨롱력에 의해 정전 척(13)에 정전 흡착되어, 보유 지지된다. 또한, 제품 웨이퍼(W)의 반입 후, 배기 장치(64)에 의해 챔버(10)의 내부를 원하는 진공도까지 감압한다.First, a product wafer (W) is introduced into the chamber (10), and the product wafer (W) is loaded onto the electrostatic chuck (13). At this time, the product wafer (W) is loaded onto the electrostatic chuck (13) so that the center of the product wafer (W) is at the same position as the center of the electrostatic chuck (13) when viewed in a flat surface. This position of the product wafer (W) is a processing position in the present disclosure. Thereafter, by applying a DC voltage to the first electrode (16a) of the electrostatic chuck (13), the product wafer (W) is electrostatically attracted to the electrostatic chuck (13) by the Coulomb force, and is held. In addition, after the product wafer (W) is introduced, the inside of the chamber (10) is depressurized to a desired vacuum level by the exhaust device (64).

다음에, 가스 공급원군(50)으로부터 샤워 헤드(40)를 통해 처리 공간(S)에 처리 가스를 공급한다. 또한, 제1 고주파 전원(30)에 의해 플라스마 생성용의 고주파 전력(HF)을 하부 전극(12)에 공급하고, 처리 가스를 여기시켜, 플라스마를 생성한다. 이때, 제2 고주파 전원(31)에 의해 이온 인입용의 고주파 전력(LF)을 공급해도 된다. 그리고, 생성된 플라스마의 작용에 의해, 제품 웨이퍼(W)에 플라스마 처리가 실시된다.Next, a processing gas is supplied to the processing space (S) from the gas supply source group (50) through the shower head (40). In addition, high-frequency power (HF) for plasma generation is supplied to the lower electrode (12) by the first high-frequency power source (30), and the processing gas is excited to generate plasma. At this time, high-frequency power (LF) for ion introduction may be supplied by the second high-frequency power source (31). Then, plasma processing is performed on the product wafer (W) by the action of the generated plasma.

플라스마 처리를 종료할 때에는, 우선, 제1 고주파 전원(30)으로부터의 고주파 전력(HF)의 공급 및 가스 공급원군(50)에 의한 처리 가스의 공급을 정지한다. 또한, 플라스마 처리 중에 고주파 전력(LF)을 공급하고 있던 경우에는, 당해 고주파 전력(LF)의 공급도 정지한다. 이어서, 제품 웨이퍼(W)의 이면에 대한 전열 가스의 공급을 정지하고, 정전 척(13)에 의한 제품 웨이퍼(W)의 흡착 보유 지지를 정지한다.When terminating plasma treatment, first, the supply of high-frequency power (HF) from the first high-frequency power source (30) and the supply of processing gas by the gas supply source group (50) are stopped. In addition, if high-frequency power (LF) was being supplied during plasma treatment, the supply of the high-frequency power (LF) is also stopped. Next, the supply of heat transfer gas to the back surface of the product wafer (W) is stopped, and the adsorption and holding of the product wafer (W) by the electrostatic chuck (13) is stopped.

그 후, 챔버(10)로부터 제품 웨이퍼(W)를 반출하여, 제품 웨이퍼(W)에 대한 일련의 플라스마 처리가 종료된다.After that, the product wafer (W) is taken out from the chamber (10), and a series of plasma treatments on the product wafer (W) are completed.

또한, 플라스마 처리에 있어서는, 제1 고주파 전원(30)으로부터의 고주파 전력(HF)을 사용하지 않고, 제2 고주파 전원(31)으로부터의 고주파 전력(LF)만을 사용하여, 플라스마를 생성하는 경우도 있다.In addition, in plasma treatment, there are cases where plasma is generated using only high frequency power (LF) from the second high frequency power source (31) without using high frequency power (HF) from the first high frequency power source (30).

<정전 척 및 에지 링><Static chuck and edge ring>

다음으로, 상술한 정전 척(13) 및 에지 링(14)의 주된 구성에 대해서 설명한다. 도 2는 정전 척(13) 및 에지 링(14)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다. 도 3은 정전 척(13) 및 에지 링(14)의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.Next, the main configuration of the electrostatic chuck (13) and edge ring (14) described above will be described. Fig. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating the configuration of the electrostatic chuck (13) and the edge ring (14). Fig. 3 is a plan view schematically illustrating the configuration of the electrostatic chuck (13) and the edge ring (14).

도 2에 도시하는 바와 같이 정전 척(13)은 제품 웨이퍼(W)를 적재하는 표면(100a)을 구비한 중앙부(100)와, 에지 링(14)을 적재하는 표면(101a)을 구비한 외주부(101)가 일체로 되어 구성되어 있다. 중앙부(100)는 외주부(101)로부터 돌기하도록 마련되고, 중앙부(100)의 표면(100a)은 외주부(101)의 표면(101a)보다 높다.As shown in Fig. 2, the electrostatic chuck (13) is configured integrally with a central portion (100) having a surface (100a) for loading a product wafer (W) and an outer portion (101) having a surface (101a) for loading an edge ring (14). The central portion (100) is provided to protrude from the outer portion (101), and the surface (100a) of the central portion (100) is higher than the surface (101a) of the outer portion (101).

정전 척(13)의 중앙부(100)는, 예를 들어 제품 웨이퍼(W)의 직경보다도 소경으로 형성되어 있고, 제품 웨이퍼(W)가 표면(100a)에 적재되었을 때, 제품 웨이퍼(W)의 주연부가 정전 척(13)의 중앙부(100)로부터 장출되도록 되어 있다.The central portion (100) of the electrostatic chuck (13) is formed to have a smaller diameter than, for example, the diameter of the product wafer (W), and when the product wafer (W) is loaded on the surface (100a), the peripheral portion of the product wafer (W) is extended from the central portion (100) of the electrostatic chuck (13).

또한, 본 실시 형태의 정전 척(13)은 중앙부(100)와 외주부(101)가 일체로 구성되어 있지만, 이들 중앙부(100)와 외주부(101)는 별체여도 된다. 또한, 본 실시 형태의 정전 척(13)은 중앙부(100)와 외주부(101)를 갖고 있지만, 외주부(101)를 생략해도 된다. 이러한 경우, 에지 링(14)은 정전 척(13)에 적재되지 않고, 다른 지지 부재(도시하지 않음)에 의해 지지된다.In addition, the electrostatic chuck (13) of the present embodiment is configured with a central portion (100) and an outer peripheral portion (101) as one body, but the central portion (100) and the outer peripheral portion (101) may be separate bodies. In addition, the electrostatic chuck (13) of the present embodiment has a central portion (100) and an outer peripheral portion (101), but the outer peripheral portion (101) may be omitted. In this case, the edge ring (14) is not loaded on the electrostatic chuck (13), but is supported by another support member (not shown).

에지 링(14)은 표면(100a)에 적재된 제품 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 마련되어 있다. 에지 링(14)은 환상 형상을 구비한 제1 링부(110)와, 환상 형상을 구비한 제2 링부(111)가 일체로 구성되어 있다. 제1 링부(110)와 제2 링부(111)는 각각 동심원 상에 마련되고, 제2 링부(111)가 제1 링부(110)의 직경 방향 외측에 마련되어 있다.The edge ring (14) is provided to surround the product wafer (W) loaded on the surface (100a). The edge ring (14) is integrally composed of a first ring portion (110) having an annular shape and a second ring portion (111) having an annular shape. The first ring portion (110) and the second ring portion (111) are provided on concentric circles, respectively, and the second ring portion (111) is provided on the diametrically outer side of the first ring portion (110).

제1 링부(110)의 표면(110a)은 표면(100a)보다도 낮다. 제2 링부(111)의 표면(111a)은 표면(100a)보다도 높고, 예를 들어 표면(100a)에 적재된 제품 웨이퍼(W)의 표면(Wa)과 동일한 높이이거나, 혹은 제품 웨이퍼(W)의 표면(Wa)보다도 높다. 또한, 표면(111a)의 내주부는 표면(110a)(직경 방향 내측)을 향하여 경사져 있다.The surface (110a) of the first ring portion (110) is lower than the surface (100a). The surface (111a) of the second ring portion (111) is higher than the surface (100a), for example, is the same height as the surface (Wa) of the product wafer (W) loaded on the surface (100a), or is higher than the surface (Wa) of the product wafer (W). In addition, the inner circumference of the surface (111a) is inclined toward the surface (110a) (inner in the diametric direction).

제1 링부(110)의 내경은 중앙부(100)의 직경보다 크고, 또한 제품 웨이퍼(W)의 직경보다 작다. 제2 링부(111)의 내경은 제품 웨이퍼(W)의 직경보다 크다. 그리고, 제1 링부(110)는 정전 척(13)의 중앙부(100)로부터 장출된 제품 웨이퍼(W)의 주연부의 하방측으로 파고들도록 배치된다. 즉, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 제1 링부(110)의 표면(110a)에는, 평면으로 보아, 제품 웨이퍼(W)와 오버랩되어, 제품 웨이퍼(W)의 그림자가 되는 영역이 형성된다. 이하의 설명에서는, 이 제품 웨이퍼(W)의 그림자가 되는 영역을, 음영 영역(A)이라고 한다.The inner diameter of the first ring portion (110) is larger than the diameter of the central portion (100) and also smaller than the diameter of the product wafer (W). The inner diameter of the second ring portion (111) is larger than the diameter of the product wafer (W). In addition, the first ring portion (110) is positioned so as to dig into the lower side of the peripheral portion of the product wafer (W) extended from the central portion (100) of the electrostatic chuck (13). That is, as shown in FIG. 2 and FIG. 3, an area is formed on the surface (110a) of the first ring portion (110) that overlaps the product wafer (W) when viewed in a plan view, thereby forming a shadow of the product wafer (W). In the following description, this area forming a shadow of the product wafer (W) is referred to as a shaded area (A).

<더미 웨이퍼를 사용한 드라이 클리닝의 특징><Features of dry cleaning using dummy wafers>

플라스마 처리에서는, 상술한 바와 같이 반응 생성물이 생성된다. 반응 생성물은 에지 링(14) 등에 부착되고, 데포지션으로서 퇴적된다. 따라서 데포지션을 제거하기 위해, 챔버(10)의 내부에서는 플라스마를 사용한 드라이 클리닝이 행해진다. 드라이 클리닝은 라디칼에 의한 화학적 반응 및 이온에 의한 물리적 반응(스퍼터)에 의해 데포지션을 제거한다. 라디칼에 의한 화학적 반응에서는, 예를 들어 탄소계의 데포지션을 제거할 수 있다. 또한, 이온에 의한 물리적 반응에서는, 예를 들어 Si나 금속을 포함하는 데포지션을 제거할 수 있다.In plasma treatment, reaction products are generated as described above. The reaction products are attached to the edge ring (14), etc., and are deposited as depositions. Therefore, in order to remove the depositions, dry cleaning using plasma is performed inside the chamber (10). Dry cleaning removes the depositions by chemical reactions using radicals and physical reactions (sputtering) using ions. In the chemical reactions using radicals, for example, carbon-based depositions can be removed. In addition, in the physical reactions using ions, for example, depositions including Si or metals can be removed.

본 실시 형태에서는, 더미 웨이퍼를 사용하여 드라이 클리닝을 행한다. 그러나, 이러한 경우, 라디칼 및 이온이 더미 웨이퍼에 차폐되어, 당해 라디칼 및 이온을 공급하기 어려운 영역(라디칼 및 이온이 입사하기 어려운 영역)이 발생한다. 이하, 이 드라이 클리닝을 행하기 어려운 영역에 대해서, 도 4를 사용하여 설명한다. 도 4는 더미 웨이퍼(D)를 사용하여 드라이 클리닝을 행하는 모습을 도시하는 설명도이다. 도 4에 있어서, 화살표는 이온(N)의 흐름을 도시하고 있다. 또한, 기술의 이해를 용이하게 하기 위해, 도 4에서는 라디칼의 흐름을 생략하고 있다. 또한, 더미 웨이퍼(D)는 제품 웨이퍼(W)와 동일한 직경을 갖는 웨이퍼이다. 또한, 더미 웨이퍼(D)는 패턴이 형성되어 있지 않은 웨이퍼이며, 소위 베어 실리콘 웨이퍼이다.In this embodiment, dry cleaning is performed using a dummy wafer. However, in this case, radicals and ions are shielded by the dummy wafer, and an area where it is difficult to supply the radicals and ions (an area where it is difficult for the radicals and ions to enter) occurs. Hereinafter, the area where it is difficult to perform dry cleaning will be described using FIG. 4. FIG. 4 is an explanatory diagram showing a state where dry cleaning is performed using a dummy wafer (D). In FIG. 4, arrows show the flow of ions (N). In addition, in order to facilitate understanding of the technology, the flow of radicals is omitted in FIG. 4. In addition, the dummy wafer (D) is a wafer having the same diameter as the product wafer (W). In addition, the dummy wafer (D) is a wafer on which no pattern is formed, and is a so-called bare silicon wafer.

도 4에 도시하는 바와 같이 드라이 클리닝을 행할 때, 이온(N)은 에지 링(14)의 표면(110a, 111a)에 공급되고, 당해 표면(110a, 111a)에 부착된 데포지션이 제거된다. 그러나, 평면으로 보아 더미 웨이퍼(D)의 그림자가 되는 음영 영역(A)에는, 이온(N)이 공급되기 어렵다. 하부 전극(12)에 고주파 전력(LF)(바이어스 전력)을 공급하는 경우, 이온(N)은 더미 웨이퍼(D)를 향하여 직진하기 때문에, 더미 웨이퍼(D)에 차폐된 음영 영역(A)에 있어서 이온(N)에 의한 스퍼터의 효율은 현저하게 저하된다. 이 때문에, 라디칼에 의한 화학적 반응에서는 제거하기 어려운 데포지션(예를 들어, Si나 금속을 포함하는 퇴적물)을 충분히 제거할 수 없다. 또한, 라디칼에 대해서도, 더미 웨이퍼(D)의 그림자가 되는 음영 영역(A)에는 공급되기 어려워, 데포지션을 충분히 제거할 수 없다.As shown in Fig. 4, when dry cleaning is performed, ions (N) are supplied to the surface (110a, 111a) of the edge ring (14), and the deposition attached to the surface (110a, 111a) is removed. However, it is difficult for ions (N) to be supplied to the shadow area (A), which is a shadow of the dummy wafer (D) when viewed from the plane. When high-frequency power (LF) (bias power) is supplied to the lower electrode (12), the ions (N) travel straight toward the dummy wafer (D), so the efficiency of sputtering by ions (N) in the shadow area (A) shielded by the dummy wafer (D) is significantly reduced. For this reason, depositions (for example, deposits including Si or metal) that are difficult to remove cannot be sufficiently removed by chemical reaction by radicals. In addition, it is difficult to supply radicals to the shaded area (A) that is the shadow of the dummy wafer (D), and thus the deposition cannot be sufficiently removed.

그래서, 제1 실시 형태의 드라이 클리닝 방법에서는, 적재대(11)(에지 링(14))에 대한 더미 웨이퍼(D)의 위치를 어긋나게 하여, 음영 영역(A)의 더미 클리닝을 행한다. 또한, 제2 실시 형태의 드라이 클리닝 방법에서는, 더미 웨이퍼로서, 제품 웨이퍼(W)보다 작은 직경을 갖는 웨이퍼(이하, 「소경 더미 웨이퍼」라고 한다.)를 사용하여, 음영 영역(A)의 더미 클리닝을 행한다.Therefore, in the dry cleaning method of the first embodiment, the position of the dummy wafer (D) with respect to the loading stand (11) (edge ring (14)) is shifted so as to perform dummy cleaning of the shaded area (A). Furthermore, in the dry cleaning method of the second embodiment, a wafer having a smaller diameter than the product wafer (W) (hereinafter referred to as a “small-diameter dummy wafer”) is used as the dummy wafer so as to perform dummy cleaning of the shaded area (A).

<제1 실시 형태의 드라이 클리닝 방법><Dry cleaning method of the first embodiment>

제1 실시 형태에 관한 드라이 클리닝 방법에 대해서 설명한다. 제1 실시 형태에서는, 제품 웨이퍼(W)에 대한 플라스마 처리와 더미 웨이퍼(D)를 사용한 드라이 클리닝에 대해서 설명한다. 이하의 설명에서는, 이들 플라스마 처리와 드라이 클리닝을 합쳐서, 웨이퍼 처리라고 한다. 도 5는 제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리의 주된 공정을 도시하는 흐름도이다. 도 6은 제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 웨이퍼를 사용하여 도시하는 설명도이다. 도 7은 제1 실시 형태에 관한 드라이 클리닝에 있어서의 웨이퍼의 위치를 도시하는 설명도이다.A dry cleaning method according to the first embodiment will be described. In the first embodiment, plasma treatment for a product wafer (W) and dry cleaning using a dummy wafer (D) will be described. In the following description, these plasma treatments and dry cleaning are collectively referred to as wafer treatment. Fig. 5 is a flow chart illustrating the main processes of wafer treatment according to the first embodiment. Fig. 6 is an explanatory diagram illustrating a series of flows of wafer treatment according to the first embodiment using a wafer. Fig. 7 is an explanatory diagram illustrating the position of a wafer in dry cleaning according to the first embodiment.

또한, 제1 실시 형태에서는, 후술하는 바와 같이 4개의 더미 웨이퍼(D1 내지 D4)를 사용하여 드라이 클리닝을 행하지만, 이들 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(D1 내지 D4)는 제품 웨이퍼(W)와 동일한 직경을 갖는다. 또한, 제1 실시 형태에 있어서, 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(D1 내지 D4)는 각각, 다른 더미 웨이퍼이다. 단, 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(D1 내지 D4)는 각각, 동일한 더미 웨이퍼여도 된다.In addition, in the first embodiment, dry cleaning is performed using four dummy wafers (D1 to D4) as described later, but these first to fourth dummy wafers (D1 to D4) have the same diameter as the product wafer (W). In addition, in the first embodiment, the first to fourth dummy wafers (D1 to D4) are different dummy wafers, respectively. However, the first to fourth dummy wafers (D1 to D4) may each be the same dummy wafer.

(스텝 S11)(Step S11)

스텝 S11에서는, 1로트, 예를 들어 25매의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 연속해서 플라스마 처리를 행한다. 각 제품 웨이퍼(W)에 대한 플라스마 처리 방법은, 상술한 바와 같다.In step S11, plasma treatment is performed continuously on one lot, for example, 25 product wafers (W). The plasma treatment method for each product wafer (W) is as described above.

(스텝 S12)(Step S12)

스텝 S12에서는, 제1 더미 웨이퍼(D1)를 사용하여 제1 드라이 클리닝을 행한다. 구체적으로는 우선, 챔버(10)의 내부에 제1 더미 웨이퍼(D1)를 반입하고, 정전 척(13)의 상방에 제1 더미 웨이퍼(D1)를 배치한다. 이때, 도 7의 (a)에 도시하는 바와 같이, 평면으로 보아 제1 더미 웨이퍼(D1)의 중심(C1)이 정전 척(13)의 중심(C)보다 Y축 정방향측으로 어긋나도록, 제1 더미 웨이퍼(D1)는 배치된다. 이 제1 더미 웨이퍼(D1)의 위치가, 본 개시에 있어서의 제1 위치이다. 이러한 경우, 에지 링(14)의 음영 영역(A) 중, Y축 부방향측의 제1 음영 영역(A1)이, 평면으로 보아 제1 더미 웨이퍼(D1)와 오버랩되지 않고 노출된다.In step S12, the first dry cleaning is performed using the first dummy wafer (D1). Specifically, first, the first dummy wafer (D1) is brought into the chamber (10), and the first dummy wafer (D1) is placed above the electrostatic chuck (13). At this time, as shown in Fig. 7 (a), the first dummy wafer (D1) is placed so that the center (C1) of the first dummy wafer (D1) is misaligned in the positive Y-axis direction from the center (C) of the electrostatic chuck (13) when viewed in a plan view. The position of this first dummy wafer (D1) is the first position in the present disclosure. In this case, among the shaded areas (A) of the edge ring (14), the first shaded area (A1) on the negative Y-axis direction is exposed without overlapping with the first dummy wafer (D1) when viewed in a plan view.

제1 더미 웨이퍼(D1)가 배치되는 제1 위치에 대해서, 보다 상세하게 설명한다. 도 8에 도시하는 바와 같이, 제1 더미 웨이퍼(D1)의 일단부(D1a)는 에지 링(14)의 내주 단부로부터 정전 척(13)의 중앙부(100)의 외주 단부의 사이에 위치한다. 또한, 제1 더미 웨이퍼(D1)의 다른 일단부(D1b)는 에지 링(14)의 내주 단부보다 직경 방향 외측에 위치한다. 그렇게 하면, 에지 링(14)에 있어서 일단부(D1a)측의 음영 영역(A1)이 제1 더미 웨이퍼(D1)와 오버랩되지 않고 노출된다.The first position where the first dummy wafer (D1) is placed will be described in more detail. As shown in Fig. 8, one end (D1a) of the first dummy wafer (D1) is located between the inner end of the edge ring (14) and the outer end of the central portion (100) of the electrostatic chuck (13). In addition, the other end (D1b) of the first dummy wafer (D1) is located diametrically outside the inner end of the edge ring (14). In this way, the shaded area (A1) on the end (D1a) side of the edge ring (14) is exposed without overlapping with the first dummy wafer (D1).

다음에, 제1 더미 웨이퍼(D1)를 지지한 리프터(20)를 하강시켜, 정전 척(13)에 적재한다. 그 후, 정전 척(13)의 제1 전극(16a)에 직류 전압을 인가함으로써, 제1 더미 웨이퍼(D1)는 쿨롱력에 의해 정전 척(13)에 정전 흡착되어, 보유 지지된다. 또한, 제1 더미 웨이퍼(D1)의 반입 후, 배기 장치(64)에 의해 챔버(10)의 내부를 원하는 진공도까지 감압한다.Next, the lifter (20) supporting the first dummy wafer (D1) is lowered and loaded onto the electrostatic chuck (13). Thereafter, by applying a DC voltage to the first electrode (16a) of the electrostatic chuck (13), the first dummy wafer (D1) is electrostatically attracted to the electrostatic chuck (13) by the Coulomb force and is held and supported. In addition, after the first dummy wafer (D1) is loaded, the inside of the chamber (10) is depressurized to a desired vacuum level by the exhaust device (64).

다음에, 가스 공급원군(50)으로부터 샤워 헤드(40)를 통해 처리 공간(S)에 드라이 클리닝 가스를 공급한다. 드라이 클리닝 가스는, 예를 들어 산소, 산소 함유 가스, HCl, F₂, Cl₂, 수소, 질소, 아르곤, SF₆, C₂F₆, NF₃, CF₄ 또는 이들 가스의 2종 이상의 혼합물을 포함할 수 있다. 또한, 제1 고주파 전원(30) 및/또는 제2 고주파 전원(31)에 의해 고주파 전력을 하부 전극(12)에 공급한다. 그리고, 드라이 클리닝 가스를 여기시켜서 플라스마를 생성하고, 라디칼에 의한 화학적 반응 및 이온에 의한 물리적 반응(스퍼터)에 의해, 챔버(10)의 내부의 데포지션을 제거한다. 이때, 제1 더미 웨이퍼(D1)로부터 노출된 제1 음영 영역(A1)에 대해서도 이온이 공급되고, 당해 제1 음영 영역(A1)에 부착된 데포지션도 제거된다. 이와 같이 하여, 제1 드라이 클리닝이 행해진다.Next, a dry cleaning gas is supplied to the processing space (S) through the shower head (40) from the gas supply source group (50). The dry cleaning gas may include, for example, oxygen, an oxygen-containing gas, HCl, F ₂ , Cl ₂ , hydrogen, nitrogen, argon, SF ₆ , C ₂ F ₆ , NF ₃ , CF ₄ , or a mixture of two or more of these gases. In addition, high-frequency power is supplied to the lower electrode (12) by the first high-frequency power source (30) and/or the second high-frequency power source (31). Then, the dry cleaning gas is excited to generate plasma, and the deposition inside the chamber (10) is removed by a chemical reaction by radicals and a physical reaction (sputter) by ions. At this time, ions are also supplied to the first shaded area (A1) exposed from the first dummy wafer (D1), and the deposition attached to the first shaded area (A1) is also removed. In this way, the first dry cleaning is performed.

제1 드라이 클리닝을 종료할 때에는, 우선, 제1 고주파 전원(30) 및/또는 제2 고주파 전원(31)으로부터의 고주파 전력의 공급 및 가스 공급원군(50)에 의한 처리 가스의 공급을 정지한다. 이어서, 정전 척(13)에 의한 제1 더미 웨이퍼(D1)의 흡착 보유 지지를 정지한다.When the first dry cleaning is finished, first, the supply of high-frequency power from the first high-frequency power source (30) and/or the second high-frequency power source (31) and the supply of the processing gas by the gas supply source group (50) are stopped. Then, the suction holding support of the first dummy wafer (D1) by the electrostatic chuck (13) is stopped.

그 후, 챔버(10)로부터 제1 더미 웨이퍼(D1)를 반출하여, 제1 더미 웨이퍼(D1)를 사용한 제1 드라이 클리닝이 종료된다.After that, the first dummy wafer (D1) is taken out from the chamber (10), and the first dry cleaning using the first dummy wafer (D1) is completed.

(스텝 S13)(Step S13)

스텝 S13에서는, 다음의 1로트, 예를 들어 25매의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 연속해서 플라스마 처리를 행한다. 이 스텝 S34는, 스텝 S11과 마찬가지이다.In step S13, plasma treatment is performed continuously on the following lot, for example, 25 product wafers (W). This step S34 is similar to step S11.

(스텝 S14)(Step S14)

스텝 S14에서는, 제2 더미 웨이퍼(D2)를 사용하여 제2 드라이 클리닝을 행한다. 구체적으로는 우선, 정전 척(13)의 상방에 제2 더미 웨이퍼(D2)를 배치한다. 이때, 도 7의 (b)에 도시하는 바와 같이, 평면으로 보아 제2 더미 웨이퍼(D2)의 중심(C2)이 정전 척(13)의 중심(C)보다 X축 정방향측으로 어긋나도록, 제2 더미 웨이퍼(D2)는 배치된다. 이 제2 더미 웨이퍼(D2)의 위치가, 본 개시에 있어서의 제2 위치이다. 이러한 경우, 에지 링(14)의 음영 영역(A) 중, X축 부방향측의 제2 음영 영역(A2)이, 평면으로 보아 제2 더미 웨이퍼(D2)와 오버랩되지 않고 노출된다.In step S14, the second dry cleaning is performed using the second dummy wafer (D2). Specifically, first, the second dummy wafer (D2) is placed above the electrostatic chuck (13). At this time, as shown in Fig. 7 (b), the second dummy wafer (D2) is placed so that the center (C2) of the second dummy wafer (D2) is misaligned in the positive X-axis direction from the center (C) of the electrostatic chuck (13) when viewed in a plan view. The position of this second dummy wafer (D2) is the second position in the present disclosure. In this case, among the shaded areas (A) of the edge ring (14), the second shaded area (A2) on the negative X-axis direction is exposed without overlapping with the second dummy wafer (D2) when viewed in a plan view.

다음에, 제2 더미 웨이퍼(D2)를 정전 척(13)에 적재하고, 또한 정전 척(13)으로 흡착 보유 지지한다. 그 후의 드라이 클리닝 방법은, 스텝 S12의 제1 드라이 클리닝과 동일하다. 즉, 드라이 클리닝 가스를 여기시킨 플라스마(라디칼 및 이온을 포함함)를 사용하여 챔버(10)의 내부의 데포지션을 제거한다. 이때, 제2 더미 웨이퍼(D2)로부터 노출된 제2 음영 영역(A2)에 부착된 데포지션도 제거된다. 이와 같이 하여, 제2 드라이 클리닝이 행해진다.Next, the second dummy wafer (D2) is loaded onto the electrostatic chuck (13) and is also adsorbed and supported by the electrostatic chuck (13). The subsequent dry cleaning method is the same as the first dry cleaning of step S12. That is, the deposition inside the chamber (10) is removed using plasma (including radicals and ions) that has excited the dry cleaning gas. At this time, the deposition attached to the second shaded area (A2) exposed from the second dummy wafer (D2) is also removed. In this way, the second dry cleaning is performed.

(스텝 S15)(Step S15)

스텝 S15에서는, 다음의 1로트, 예를 들어 25매의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 연속해서 플라스마 처리를 행한다. 이 스텝 S34는, 스텝 S11과 마찬가지이다.In step S15, plasma treatment is performed continuously on the following lot, for example, 25 product wafers (W). This step S34 is similar to step S11.

(스텝 S16)(Step S16)

스텝 S16에서는, 제3 더미 웨이퍼(D3)를 사용하여 제3 드라이 클리닝을 행한다. 구체적으로는 우선, 정전 척(13)의 상방에 제3 더미 웨이퍼(D3)를 배치한다. 이때, 도 7의 (c)에 도시하는 바와 같이, 평면으로 보아 제3 더미 웨이퍼(D3)의 중심(C3)이 정전 척(13)의 중심(C)보다 Y축 부방향측으로 어긋나도록, 제3 더미 웨이퍼(D3)는 배치된다. 이 제3 더미 웨이퍼(D3)의 위치가, 본 개시에 있어서의 제3 위치이다. 이러한 경우, 에지 링(14)의 음영 영역(A) 중, Y축 정방향측의 제3 음영 영역(A3)이, 평면으로 보아 제3 더미 웨이퍼(D3)와 오버랩되지 않고 노출된다.In step S16, the third dry cleaning is performed using the third dummy wafer (D3). Specifically, first, the third dummy wafer (D3) is placed above the electrostatic chuck (13). At this time, as shown in Fig. 7 (c), the third dummy wafer (D3) is placed so that the center (C3) of the third dummy wafer (D3) is misaligned in the negative Y-axis direction from the center (C) of the electrostatic chuck (13) when viewed in a plan view. The position of this third dummy wafer (D3) is the third position in the present disclosure. In this case, among the shaded areas (A) of the edge ring (14), the third shaded area (A3) on the positive Y-axis direction side is exposed without overlapping with the third dummy wafer (D3) when viewed in a plan view.

다음에, 제3 더미 웨이퍼(D3)를 정전 척(13)에 적재하고, 또한 정전 척(13)으로 흡착 보유 지지한다. 그 후의 드라이 클리닝 방법은, 스텝 S12의 제1 드라이 클리닝과 동일하다. 즉, 드라이 클리닝 가스를 여기시킨 플라스마(라디칼 및 이온을 포함함)를 사용하여 챔버(10)의 내부의 데포지션을 제거한다. 이때, 제3 더미 웨이퍼(D3)로부터 노출된 제3 음영 영역(A3)에 부착된 데포지션도 제거된다. 이와 같이 하여, 제3 드라이 클리닝이 행해진다.Next, the third dummy wafer (D3) is loaded onto the electrostatic chuck (13) and is also adsorbed and supported by the electrostatic chuck (13). The subsequent dry cleaning method is the same as the first dry cleaning of step S12. That is, the deposition inside the chamber (10) is removed using plasma (including radicals and ions) that has excited the dry cleaning gas. At this time, the deposition attached to the third shaded area (A3) exposed from the third dummy wafer (D3) is also removed. In this way, the third dry cleaning is performed.

(스텝 S17)(Step S17)

스텝 S17에서는, 다음의 1로트, 예를 들어 25매의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 연속해서 플라스마 처리를 행한다. 이 스텝 S34는, 스텝 S11과 마찬가지이다.In step S17, plasma treatment is performed continuously on the following lot, for example, 25 product wafers (W). This step S34 is similar to step S11.

(스텝 S18)(Step S18)

스텝 S18에서는, 제4 더미 웨이퍼(D4)를 사용하여 제4 드라이 클리닝을 행한다. 구체적으로는 우선, 정전 척(13)의 상방에 제4 더미 웨이퍼(D4)를 배치한다. 이때, 도 7의 (d)에 도시하는 바와 같이, 평면으로 보아 제4 더미 웨이퍼(D4)의 중심(C4)이 정전 척(13)의 중심(C)보다 X축 부방향측으로 어긋나도록, 제4 더미 웨이퍼(D4)는 배치된다. 이 제4 더미 웨이퍼(D4)의 위치가, 본 개시에 있어서의 제4 위치이다. 이러한 경우, 에지 링(14)의 음영 영역(A) 중, X축 정방향측의 제4 음영 영역(A4)이, 평면으로 보아 제4 더미 웨이퍼(D4)와 오버랩되지 않고 노출된다.In step S18, the fourth dry cleaning is performed using the fourth dummy wafer (D4). Specifically, first, the fourth dummy wafer (D4) is placed above the electrostatic chuck (13). At this time, as shown in Fig. 7 (d), the fourth dummy wafer (D4) is placed so that the center (C4) of the fourth dummy wafer (D4) is misaligned in the negative X-axis direction from the center (C) of the electrostatic chuck (13) when viewed in a plan view. The position of this fourth dummy wafer (D4) is the fourth position in the present disclosure. In this case, among the shaded areas (A) of the edge ring (14), the fourth shaded area (A4) on the positive X-axis direction side is exposed without overlapping with the fourth dummy wafer (D4) when viewed in a plan view.

다음에, 제4 더미 웨이퍼(D4)를 정전 척(13)에 적재하고, 또한 정전 척(13)으로 흡착 보유 지지한다. 그 후의 드라이 클리닝 방법은, 스텝 S12의 제1 드라이 클리닝과 동일하다. 즉, 드라이 클리닝 가스를 여기시킨 플라스마(라디칼 및 이온을 포함함)를 사용하여 챔버(10)의 내부의 데포지션을 제거한다. 이때, 제4 더미 웨이퍼(D4)로부터 노출된 제4 음영 영역(A4)에 부착된 데포지션도 제거된다. 이와 같이 하여, 제4 드라이 클리닝이 행해진다.Next, the fourth dummy wafer (D4) is loaded onto the electrostatic chuck (13) and is also adsorbed and supported by the electrostatic chuck (13). The subsequent dry cleaning method is the same as the first dry cleaning of step S12. That is, the deposition inside the chamber (10) is removed using plasma (including radicals and ions) that has excited the dry cleaning gas. At this time, the deposition attached to the fourth shaded area (A4) exposed from the fourth dummy wafer (D4) is also removed. In this way, the fourth dry cleaning is performed.

또한, 스텝 S18의 후는, 예를 들어 스텝 S11 내지 S18이 반복해서 행해진다.Additionally, after step S18, for example, steps S11 to S18 are performed repeatedly.

이상과 같이 제1 실시 형태에서는, 제1 내지 제4 드라이 클리닝을 각각 행함으로써, 제1 내지 제4 음영 영역(A1 내지 A4)에 부착된 데포지션을 제거할 수 있다. 따라서, 도 4에 도시한 바와 같이 종래, 더미 웨이퍼(D)의 그늘이 되어 데포지션을 제거할 수 없었던 음영 영역(A)에 있어서도, 데포지션을 적절하게 제거할 수 있다. 또한, 제1 실시 형태에서는, 에지 링(14)의 표면(110a, 111a)에 있어서, 음영 영역(A) 이외의 부분은 노출되어 있고, 이 부분에 부착된 데포지션도 적절하게 제거할 수 있다. 따라서, 에지 링(14)의 표면(110a, 111a)의 전체면에 있어서 데포지션을 제거할 수 있으므로, 파티클의 발생을 억제하여, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 플라스마 처리 장치(1)의 가동 시간도 길게 할 수 있고, 또한 플라스마 처리 장치에 관한 클리닝간 평균 시간(MTBC: Mean Time Between Cleaning)을 연장하는 것도 가능해진다.As described above, in the first embodiment, by performing the first to fourth dry cleanings respectively, the depositions attached to the first to fourth shaded areas (A1 to A4) can be removed. Therefore, as shown in Fig. 4, even in the shaded area (A) where the deposition could not be removed because it was in the shadow of the dummy wafer (D) in the past, the deposition can be appropriately removed. Furthermore, in the first embodiment, in the surface (110a, 111a) of the edge ring (14), a portion other than the shaded area (A) is exposed, and the deposition attached to this portion can also be appropriately removed. Therefore, since the deposition can be removed over the entire surface (110a, 111a) of the edge ring (14), the generation of particles can be suppressed, and the product yield can be improved. In addition, the operating time of the plasma treatment device (1) can be extended, and it also becomes possible to extend the average time between cleanings (MTBC: Mean Time Between Cleaning) for the plasma treatment device.

종래, 더미 웨이퍼를 사용하여 드라이 클리닝을 행할 때에는, 정전 척(13)에 대하여 정확한 위치, 즉, 평면으로 보아 더미 웨이퍼의 중심과 정전 척(13)의 중심이 일치하는 위치에 더미 웨이퍼를 배치하는 것이 요구되고 있었다. 따라서, 제1 실시 형태와 같이, 정전 척(13)에 대하여 위치를 어긋나게 하여 더미 웨이퍼(D1 내지 D4)를 배치하는 것은, 종래의 기술 사상에는 없는 매우 참신한 것이다.Conventionally, when performing dry cleaning using a dummy wafer, it has been required to place the dummy wafer at an accurate position with respect to the electrostatic chuck (13), that is, at a position where the center of the dummy wafer and the center of the electrostatic chuck (13) coincide when viewed in a flat surface. Therefore, as in the first embodiment, placing the dummy wafers (D1 to D4) with their positions misaligned with respect to the electrostatic chuck (13) is a very novel idea that has not been seen in conventional technical ideas.

상술한 바와 같이 제1 실시 형태에서는, 제1 내지 제4 드라이 클리닝은 각각, 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(D1 내지 D4)가 제1 내지 제4 위치에 배치된 상태에서 행해진다. 도 9는 제1 내지 제4 위치를 도시하는 설명도이다. 도 9에 있어서, 제1 선분(L1)은 정전 척(13)의 중심(C)과 제1 더미 웨이퍼(D1)의 중심(C1)을 연결하는 선분이다. 제2 선분(L2)은 정전 척(13)의 중심(C)과 제2 더미 웨이퍼(D2)의 중심(C2)을 연결하는 선분이다. 제3 선분(L3)은 정전 척(13)의 중심(C)과 제3 더미 웨이퍼(D3)의 중심(C3)을 연결하는 선분이다. 제4 선분(L4)은 정전 척(13)의 중심(C)과 제4 더미 웨이퍼(D4)의 중심(C4)을 연결하는 선분이다. 제1 각도(θ1)는 제1 선분(L1)과 제2 선분(L2)이 이루는 각도이다. 제2 각도(θ2)는 제2 선분(L2)과 제3 선분(L3)이 이루는 각도이다. 제3 각도(θ3)는 제3 선분(L3)과 제4 선분(L4)이 이루는 각도이다. 제4 각도(θ4)는 제4 선분(L4)과 제1 선분(L1)이 이루는 각도이다. 그리고, 제1 내지 제4 각도(θ1 내지 θ4)는 각각 동등하고, 90도이다. 환언하면, 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(D1 내지 D4)의 중심(C1 내지 4)은 각각, 동일 원주 상에 등간격으로 배치되어 있다.As described above, in the first embodiment, the first to fourth dry cleanings are performed in a state where the first to fourth dummy wafers (D1 to D4) are arranged at the first to fourth positions, respectively. Fig. 9 is an explanatory diagram showing the first to fourth positions. In Fig. 9, a first line segment (L1) is a line segment connecting the center (C) of the electrostatic chuck (13) and the center (C1) of the first dummy wafer (D1). A second line segment (L2) is a line segment connecting the center (C) of the electrostatic chuck (13) and the center (C2) of the second dummy wafer (D2). A third line segment (L3) is a line segment connecting the center (C) of the electrostatic chuck (13) and the center (C3) of the third dummy wafer (D3). A fourth line segment (L4) is a line segment connecting the center (C) of the electrostatic chuck (13) and the center (C4) of the fourth dummy wafer (D4). The first angle (θ1) is the angle formed by the first line segment (L1) and the second line segment (L2). The second angle (θ2) is the angle formed by the second line segment (L2) and the third line segment (L3). The third angle (θ3) is the angle formed by the third line segment (L3) and the fourth line segment (L4). The fourth angle (θ4) is the angle formed by the fourth line segment (L4) and the first line segment (L1). In addition, the first to fourth angles (θ1 to θ4) are equal and 90 degrees, respectively. In other words, the centers (C1 to 4) of the first to fourth dummy wafers (D1 to D4) are respectively arranged at equal intervals on the same circumference.

이러한 경우, 제1 내지 제4 음영 영역(A1 내지 A4)의 영역을 균일하게 할 수 있다. 그리고 발명자들이 예의 검토한 결과, 이들 제1 내지 제4 음영 영역(A1 내지 A4)이 음영 영역(A)의 전체를 커버할 수 있는 것을 알 수 있었다. 환언하면, 제1 내지 제4 드라이 클리닝을 행하면, 음영 영역(A)의 전체가 노출되어, 당해 음영 영역(A)에 부착된 데포지션을 제거할 수 있다.In this case, the areas of the first to fourth shaded areas (A1 to A4) can be made uniform. And as a result of careful examination by the inventors, it was found that these first to fourth shaded areas (A1 to A4) can cover the entire shaded area (A). In other words, when the first to fourth dry cleaning is performed, the entire shaded area (A) is exposed, and the deposition attached to the shaded area (A) can be removed.

(제1 실시 형태의 변형예)(Modification of the first embodiment)

이상의 제1 실시 형태에 있어서, 1로트의 제품 웨이퍼(W)에 대한 플라스마 처리를 행한 후, 제1 내지 제4 드라이 클리닝을 연속해서 행해도 된다. 도 10은, 본 변형예에 관한 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 웨이퍼를 사용하여 도시하는 설명도이다.In the first embodiment described above, after plasma treatment is performed on a product wafer (W) of one lot, the first to fourth dry cleanings may be performed consecutively. Fig. 10 is an explanatory diagram illustrating a series of wafer processing flows according to the modified example using a wafer.

(스텝 S21)(Step S21)

스텝 S21에서는, 1로트, 예를 들어 25매의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 연속해서 플라스마 처리를 행한다. 이 스텝 S21은, 스텝 S11과 마찬가지이다.In step S21, plasma treatment is performed continuously on one lot, for example, 25 product wafers (W). This step S21 is similar to step S11.

(스텝 S22 내지 S25)(Steps S22 to S25)

스텝 S22에서는, 제1 더미 웨이퍼(D1)를 사용하여 제1 드라이 클리닝을 행한다. 스텝 S23에서는, 제2 더미 웨이퍼(D2)를 사용하여 제2 드라이 클리닝을 행한다. 스텝 S24에서는, 제3 더미 웨이퍼(D3)를 사용하여 제3 드라이 클리닝을 행한다. 스텝 S25에서는, 제4 더미 웨이퍼(D4)를 사용하여 제4 드라이 클리닝을 행한다. 이들 스텝 S22 내지 S25는 연속해서 행해지고, 각각 스텝 S12, S14, S16, S18과 마찬가지이다.In step S22, the first dry cleaning is performed using the first dummy wafer (D1). In step S23, the second dry cleaning is performed using the second dummy wafer (D2). In step S24, the third dry cleaning is performed using the third dummy wafer (D3). In step S25, the fourth dry cleaning is performed using the fourth dummy wafer (D4). These steps S22 to S25 are performed sequentially, and are similar to steps S12, S14, S16, and S18, respectively.

또한, 스텝 S25의 후는, 예를 들어 스텝 S21 내지 S25가 반복해서 행해진다. 또한, 도 11에 도시하는 바와 같이 스텝 S21을 복수회 행하고, 즉 복수 로트의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 플라스마 처리를 행한 후, 스텝 S22 내지 S25를 행해도 된다.In addition, after step S25, for example, steps S21 to S25 are performed repeatedly. In addition, as shown in Fig. 11, step S21 may be performed multiple times, that is, after performing plasma treatment on product wafers (W) of multiple lots, steps S22 to S25 may be performed.

본 변형예에 있어서도, 상기 제1 실시 형태와 마찬가지의 효과를 향수할 수 있다. 즉, 제1 내지 제4 드라이 클리닝을 각각 행함으로써, 제1 내지 제4 음영 영역(A1 내지 A4)에 부착된 데포지션을 제거할 수 있다.In this modified example, the same effect as in the first embodiment can be achieved. That is, by performing the first to fourth dry cleanings, respectively, the deposition attached to the first to fourth shaded areas (A1 to A4) can be removed.

(제1 실시 형태의 변형예)(Modification of the first embodiment)

이상의 제1 실시 형태에 있어서, 제1 내지 제4 드라이 클리닝과는 다른 제5 드라이 클리닝을 행한 후, 제1 내지 제4 드라이 클리닝을 각각, 1로트의 제품 웨이퍼(W)에 대한 플라스마 처리를 행하는 사이에 행해도 된다. 도 12는, 본 변형예에 관한 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 웨이퍼를 사용하여 도시하는 설명도이다.In the first embodiment described above, after the fifth dry cleaning, which is different from the first to fourth dry cleanings, is performed, the first to fourth dry cleanings may be performed between each of the plasma treatments on the product wafers (W) of one lot. Fig. 12 is an explanatory diagram illustrating a series of flows of wafer treatments according to the present modified example using a wafer.

(스텝 S30)(Step S30)

스텝 S30에서는, 1로트, 예를 들어 25매의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 연속해서 플라스마 처리를 행한다. 이 스텝 S30은, 스텝 S11과 마찬가지이다.In step S30, plasma treatment is performed continuously on one lot, for example, 25 product wafers (W). This step S30 is similar to step S11.

(스텝 S31)(Step S31)

스텝 S31에서는, 제5 더미 웨이퍼(D5)를 사용하여 제5 드라이 클리닝을 행한다. 구체적으로는 우선, 정전 척(13)의 상방에 제5 더미 웨이퍼(D5)를 배치한다. 이때, 평면으로 보아 제5 더미 웨이퍼(D5)의 중심이 정전 척(13)의 중심과 동일한 위치가 되도록, 제5 더미 웨이퍼(D5)는 배치된다. 이 제5 더미 웨이퍼(D5)의 위치가, 본 개시에 있어서의 제5 위치이다.In step S31, the fifth dry cleaning is performed using the fifth dummy wafer (D5). Specifically, first, the fifth dummy wafer (D5) is placed above the electrostatic chuck (13). At this time, the fifth dummy wafer (D5) is placed so that the center of the fifth dummy wafer (D5) is at the same position as the center of the electrostatic chuck (13) when viewed in a plan view. The position of this fifth dummy wafer (D5) is the fifth position in the present disclosure.

다음에, 제5 더미 웨이퍼(D5)를 정전 척(13)에 적재하고, 또한 정전 척(13)으로 흡착 보유 지지한다. 그 후의 드라이 클리닝 방법은, 스텝 S12의 제1 드라이 클리닝과 동일하다. 즉, 드라이 클리닝 가스를 여기시킨 플라스마(라디칼 및 이온을 포함함)를 사용하여 챔버(10)의 내부의 데포지션을 제거한다. 이와 같이 하여, 제5 드라이 클리닝이 행해진다.Next, the fifth dummy wafer (D5) is loaded onto the electrostatic chuck (13) and is also adsorbed and supported by the electrostatic chuck (13). The subsequent dry cleaning method is the same as the first dry cleaning of step S12. That is, the deposition inside the chamber (10) is removed using plasma (including radicals and ions) that has excited the dry cleaning gas. In this way, the fifth dry cleaning is performed.

(스텝 S32)(Step S32)

스텝 S32에서는, 1로트, 예를 들어 25매의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 연속해서 플라스마 처리를 행한다. 이 스텝 S32는, 스텝 S11과 마찬가지이다.In step S32, plasma treatment is performed continuously on one lot, for example, 25 product wafers (W). This step S32 is similar to step S11.

(스텝 S33)(Step S33)

스텝 S33에서는, 제1 더미 웨이퍼(D1)를 사용하여 제1 드라이 클리닝을 행한다. 이 스텝 S33은, 스텝 S12와 마찬가지이다.In step S33, a first dry cleaning is performed using a first dummy wafer (D1). This step S33 is similar to step S12.

(스텝 S34)(Step S34)

스텝 S34에서는, 1로트, 예를 들어 25매의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 연속해서 플라스마 처리를 행한다. 이 스텝 S34는, 스텝 S11과 마찬가지이다.In step S34, plasma treatment is performed continuously on one lot, for example, 25 product wafers (W). This step S34 is similar to step S11.

(스텝 S35)(Step S35)

스텝 S35에서는, 제2 더미 웨이퍼(D2)를 사용하여 제2 드라이 클리닝을 행한다. 이 스텝 S35는, 스텝 S14와 마찬가지이다. In step S35, a second dry cleaning is performed using a second dummy wafer (D2). This step S35 is similar to step S14.

(스텝 S36)(Step S36)

스텝 S36에서는, 1로트, 예를 들어 25매의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 연속해서 플라스마 처리를 행한다. 이 스텝 S36은, 스텝 S11과 마찬가지이다.In step S36, plasma treatment is performed continuously on one lot, for example, 25 product wafers (W). This step S36 is similar to step S11.

(스텝 S37)(Step S37)

스텝 S37에서는, 제3 더미 웨이퍼(D3)를 사용하여 제3 드라이 클리닝을 행한다. 이 스텝 S37은, 스텝 S16과 마찬가지이다.In step S37, a third dry cleaning is performed using a third dummy wafer (D3). This step S37 is similar to step S16.

(스텝 S38)(Step S38)

스텝 S38에서는, 1로트, 예를 들어 25매의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 연속해서 플라스마 처리를 행한다. 이 스텝 S38은, 스텝 S11과 마찬가지이다.In step S38, plasma treatment is performed continuously on one lot, for example, 25 product wafers (W). This step S38 is similar to step S11.

(스텝 S39)(Step S39)

스텝 S39에서는, 제4 더미 웨이퍼(D4)를 사용하여 제4 드라이 클리닝을 행한다. 이 스텝 S39는, 스텝 S18과 마찬가지이다.In step S39, a fourth dry cleaning is performed using a fourth dummy wafer (D4). This step S39 is similar to step S18.

또한, 스텝 S39의 후는, 예를 들어 스텝 S30 내지 S39가 반복해서 행해진다.Additionally, after step S39, for example, steps S30 to S39 are performed repeatedly.

또한, 본 변형예의 스텝 S31에서는, 제5 더미 웨이퍼(D5)를 사용하여 제5 드라이 클리닝을 행했지만, 이에 대신하여, 소위 웨이퍼리스 드라이 클리닝을 행해도 된다.In addition, in step S31 of this modified example, the fifth dry cleaning is performed using the fifth dummy wafer (D5), but instead, so-called waferless dry cleaning may be performed.

(제1 실시 형태의 변형예)(Modification of the first embodiment)

이상의 제1 실시 형태에 있어서, 제1 내지 제4 드라이 클리닝과는 다른 제5 드라이 클리닝을 행하고, 또한 1로트의 제품 웨이퍼(W)에 대한 플라스마 처리를 행한 후, 제1 내지 제4 드라이 클리닝을 연속해서 행해도 된다. 도 13은, 본 변형예에 관한 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 웨이퍼를 사용하여 도시하는 설명도이다.In the first embodiment described above, a fifth dry cleaning process different from the first to fourth dry cleaning processes may be performed, and further, after plasma treatment is performed on one lot of product wafers (W), the first to fourth dry cleaning processes may be performed continuously. Fig. 13 is an explanatory diagram illustrating a series of flows of wafer processing according to the present modified example using a wafer.

(스텝 S41)(Step S41)

스텝 S41에서는, 1로트, 예를 들어 25매의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 연속해서 플라스마 처리를 행한다. 이 스텝 S41은, 스텝 S11과 마찬가지이다.In step S41, plasma treatment is performed continuously on one lot, for example, 25 product wafers (W). This step S41 is similar to step S11.

(스텝 S42)(Step S42)

스텝 S42에서는, 제5 더미 웨이퍼(D5)를 사용하여 제5 드라이 클리닝을 행한다. 이 스텝 S42는, 스텝 S31과 마찬가지이다.In step S42, a fifth dry cleaning is performed using a fifth dummy wafer (D5). This step S42 is similar to step S31.

(스텝 S43)(Step S43)

스텝 S43에서는, 1로트, 예를 들어 25매의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 연속해서 플라스마 처리를 행한다. 이 스텝 S43은, 스텝 S11과 마찬가지이다.In step S43, plasma treatment is performed continuously on one lot, for example, 25 product wafers (W). This step S43 is similar to step S11.

(스텝 S44 내지 S47)(Steps S44 to S47)

스텝 S44에서는, 제1 더미 웨이퍼(D1)를 사용하여 제1 드라이 클리닝을 행한다. 스텝 S45에서는, 제2 더미 웨이퍼(D2)를 사용하여 제2 드라이 클리닝을 행한다. 스텝 S46에서는, 제3 더미 웨이퍼(D3)를 사용하여 제3 드라이 클리닝을 행한다. 스텝 S47에서는, 제4 더미 웨이퍼(D4)를 사용하여 제4 드라이 클리닝을 행한다. 이들 스텝 S44 내지 S47은 연속해서 행해지고, 각각 스텝 S12, S14, S16, S18과 마찬가지이다.In step S44, the first dry cleaning is performed using the first dummy wafer (D1). In step S45, the second dry cleaning is performed using the second dummy wafer (D2). In step S46, the third dry cleaning is performed using the third dummy wafer (D3). In step S47, the fourth dry cleaning is performed using the fourth dummy wafer (D4). These steps S44 to S47 are performed sequentially, and are similar to steps S12, S14, S16, and S18, respectively.

또한, 스텝 S47의 후는, 예를 들어 스텝 S41 내지 S47이 반복해서 행해진다.Additionally, after step S47, for example, steps S41 to S47 are performed repeatedly.

또한, 스텝 S42 및 S43을 복수회 행하고, 즉 복수 로트의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 플라스마 처리를 행한 후, 스텝 S44 내지 S47을 행해도 된다. 이러한 경우, 스텝 S42 및 S43을 복수회 행하면, 스텝 S42에서는 제거할 수 없는 음영 영역(A)의 데포지션이 퇴적된다. 그래서, 스텝 S43 내지 S47에 있어서 제1 내지 제4 드라이 클리닝을 행함으로써, 음영 영역(A)의 데포지션을 제거할 수 있다.In addition, steps S42 and S43 may be performed multiple times, that is, after plasma treatment is performed on product wafers (W) of multiple lots, steps S44 to S47 may be performed. In this case, if steps S42 and S43 are performed multiple times, the deposition of the shaded area (A) that cannot be removed in step S42 is deposited. Therefore, by performing the first to fourth dry cleaning in steps S43 to S47, the deposition of the shaded area (A) can be removed.

또한, 본 변형예의 스텝 S42에서는, 제5 더미 웨이퍼(D5)를 사용하여 제5 드라이 클리닝을 행했지만, 이에 대신하여, 소위 웨이퍼리스 드라이 클리닝을 행해도 된다.In addition, in step S42 of this modified example, the fifth dry cleaning is performed using the fifth dummy wafer (D5), but instead, so-called waferless dry cleaning may be performed.

(제1 실시 형태의 변형예)(Modification of the first embodiment)

이상의 제1 실시 형태 및 그 변형예에 있어서, 제1 내지 제4 드라이 클리닝은 각각, 제1 내지 제4 더미 웨이퍼(D1 내지 D4)가 정전 척(13)에 적재된 상태에서 행해졌지만, 정전 척(13)으로부터 이격된 상태에서 행해져도 된다. 이하에서는, 제1 더미 웨이퍼(D1)를 사용한 제1 드라이 클리닝에 대해서 설명하지만, 다른 제2 내지 제4 드라이 클리닝도 마찬가지이다.In the first embodiment and its modifications, the first to fourth dry cleanings are performed while the first to fourth dummy wafers (D1 to D4) are loaded onto the electrostatic chuck (13), respectively, but may be performed away from the electrostatic chuck (13). Hereinafter, the first dry cleaning using the first dummy wafer (D1) will be described, but the other second to fourth dry cleanings are also the same.

예를 들어, 도 14의 (a)에 도시하는 바와 같이 에지 링(14)에 있어서 제1 링부(110)가 직경 방향으로 작은 경우가 있다. 이러한 경우, 제1 드라이 클리닝을 행하기 위해 제1 더미 웨이퍼(D1)를 제1 위치에 배치하였다고 해도, 일단부(D1b)와 정전 척(13)의 중앙부(100)의 외주 단부의 거리(F1)를 충분히 확보할 수 없어, 일단부(D1a)가 에지 링(14)의 상방에 위치한다. 즉, 에지 링(14)에 있어서 일단부(D1a)측의 음영 영역(A1)이, 평면으로 보아 제1 더미 웨이퍼(D1)와 오버랩되어, 완전히 노출되지 않는다.For example, as shown in (a) of Fig. 14, there is a case where the first ring portion (110) of the edge ring (14) is small in the diametric direction. In this case, even if the first dummy wafer (D1) is placed at the first position to perform the first dry cleaning, the distance (F1) between the end portion (D1b) and the outer peripheral end of the central portion (100) of the electrostatic chuck (13) cannot be sufficiently secured, so that the end portion (D1a) is positioned above the edge ring (14). That is, the shaded area (A1) on the end portion (D1a) side of the edge ring (14) overlaps with the first dummy wafer (D1) when viewed in a plan view, and is not completely exposed.

그래서, 도 14의 (b)에 도시하는 바와 같이 제1 더미 웨이퍼(D1)가 리프터(20)에 지지되고, 정전 척(13)으로부터 이격된 상태에서, 제1 드라이 클리닝을 행해도 된다. 이러한 경우, 제1 더미 웨이퍼(D1)의 일단부(D1b)와 정전 척(13)의 중앙부(100)의 외주 단부의 거리(F2)(마진)를 충분히 확보할 수 있고, 일단부(D1a)는 에지 링(14)의 내주 단부로부터 정전 척(13)의 중앙부(100)의 외주 단부 사이에 위치한다. 그렇게 하면, 에지 링(14)에 있어서 일단부(D1a)측의 음영 영역(A1)이 제1 더미 웨이퍼(D1)와 오버랩되지 않고 노출되고, 제1 드라이 클리닝에 있어서 음영 영역(A1)에 부착된 데포지션을 제거할 수 있다. 또한, 본 변형예에서는, 상술한 바와 같이 에지 링(14)에 있어서의 제1 링부(110)의 표면(111a)의 내주부는, 표면(110a)을 향하여 경사져 있다.Therefore, as shown in (b) of Fig. 14, the first dummy wafer (D1) may be supported on the lifter (20) and the first dry cleaning may be performed while being spaced apart from the electrostatic chuck (13). In this case, the distance (F2) (margin) between one end (D1b) of the first dummy wafer (D1) and the outer peripheral end of the central portion (100) of the electrostatic chuck (13) can be sufficiently secured, and the one end (D1a) is located between the inner peripheral end of the edge ring (14) and the outer peripheral end of the central portion (100) of the electrostatic chuck (13). In this way, the shaded area (A1) on the one end (D1a) side of the edge ring (14) is exposed without overlapping with the first dummy wafer (D1), and the deposition attached to the shaded area (A1) can be removed in the first dry cleaning. In addition, in this modified example, as described above, the inner peripheral portion of the surface (111a) of the first ring portion (110) in the edge ring (14) is inclined toward the surface (110a).

발명자들이 예의 검토한 결과, 도 14의 (b)에 도시한 제1 더미 웨이퍼(D1)의 이면(D1c)과 정전 척(13)의 표면의 거리(H)는 2㎜ 이하가 바람직한 것을 알 수 있었다. 즉, 이 거리(H)가 2㎜ 이하이면, 제1 드라이 클리닝에 있어서 플라스마의 상태가 변하지 않고, 제1 더미 웨이퍼(D1)를 정전 척(13)에 적재한 상태와 마찬가지의 클리닝 효과를 얻을 수 있다.As a result of careful examination by the inventors, it was found that the distance (H) between the back surface (D1c) of the first dummy wafer (D1) shown in Fig. 14 (b) and the surface of the electrostatic chuck (13) is preferably 2 mm or less. That is, if this distance (H) is 2 mm or less, the state of the plasma does not change in the first dry cleaning, and the same cleaning effect as when the first dummy wafer (D1) is loaded on the electrostatic chuck (13) can be obtained.

또한, 제2 내지 제4 드라이 클리닝도 마찬가지로, 각각 제2 내지 제4 더미 웨이퍼(D2 내지 D4)가 리프터(20)에 지지되고, 정전 척(13)으로부터 이격된 상태에서 행한다. 그렇게 하면, 음영 영역(A2 내지 A4)이 노출되고, 제2 내지 제4 드라이 클리닝의 각각에 있어서 음영 영역(A2 내지 A4)에 부착된 데포지션을 제거할 수 있다.In addition, the second to fourth dry cleanings are also performed in a state where the second to fourth dummy wafers (D2 to D4) are supported on the lifter (20) and spaced apart from the electrostatic chuck (13), respectively. In this way, the shaded areas (A2 to A4) are exposed, and the deposition attached to the shaded areas (A2 to A4) can be removed in each of the second to fourth dry cleanings.

또한, 이상의 제1 실시 형태 및 그 변형예에서는, 제1 내지 제4 드라이 클리닝을 행하여, 음영 영역(A1 내지 A4)을 노출시켜서 데포지션을 제거하였지만, 드라이 클리닝의 횟수는 이것에 한정되지는 않는다. 드라이 클리닝의 횟수는 적어도 2회 이상이면 된다. 예를 들어 2회의 드라이 클리닝을 행하는 경우는, 상술한 제1 드라이 클리닝과 제3 드라이 클리닝을 행하면 된다.In addition, in the first embodiment and its modifications, the first to fourth dry cleanings were performed to expose the shaded areas (A1 to A4) and remove the deposition, but the number of dry cleanings is not limited to this. The number of dry cleanings may be at least two or more. For example, in the case of performing two dry cleanings, the first dry cleaning and the third dry cleaning described above may be performed.

또한, 이상의 제1 실시 형태 및 그 변형예에 있어서, 플라스마 처리를 실시하는 제품 웨이퍼(W)의 1로트의 수는 25매였지만, 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 1로트는 2매 이상의 복수매여도 되고, 1매여도 된다.In addition, in the first embodiment and its modifications, the number of product wafers (W) subjected to plasma treatment in one lot is 25, but is not limited to this. For example, one lot may be 2 or more wafers, or may be 1 wafer.

<제2 실시 형태의 드라이 클리닝 방법><Dry cleaning method of the second embodiment>

제2 실시 형태에 관한 드라이 클리닝 방법에 대해서 설명한다. 제2 실시 형태에서는, 제품 웨이퍼(W)에 대한 플라스마 처리와 소경 더미 웨이퍼(Ds)를 사용한 드라이 클리닝에 대해서 설명한다.A dry cleaning method according to a second embodiment is described. In the second embodiment, plasma treatment on a product wafer (W) and dry cleaning using a small-diameter dummy wafer (Ds) are described.

또한, 상술한 바와 같이, 제2 실시 형태의 드라이 클리닝에서 사용되는 소경 더미 웨이퍼(Ds)는, 제품 웨이퍼(W)보다 작은 직경을 갖는 웨이퍼이다. 도 15는 소경 더미 웨이퍼(Ds), 정전 척(13) 및 에지 링(14)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다. 도 16은 소경 더미 웨이퍼(Ds), 정전 척(13) 및 에지 링(14)의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.In addition, as described above, the small-diameter dummy wafer (Ds) used in the dry cleaning of the second embodiment is a wafer having a smaller diameter than the product wafer (W). Fig. 15 is a cross-sectional view schematically illustrating the configuration of the small-diameter dummy wafer (Ds), the electrostatic chuck (13), and the edge ring (14). Fig. 16 is a plan view schematically illustrating the configuration of the small-diameter dummy wafer (Ds), the electrostatic chuck (13), and the edge ring (14).

도 15 및 도 16에 도시하는 바와 같이, 소경 더미 웨이퍼(Ds)의 직경은, 에지 링(14)의 내경과 동일하다. 이러한 경우, 음영 영역(A)이, 평면으로 보아 소경 더미 웨이퍼(Ds)와 오버랩되지 않고 노출된다. 또한, 소경 더미 웨이퍼(Ds)의 직경은 도시의 예에 한정되지는 않는다.As shown in FIGS. 15 and 16, the diameter of the small-diameter dummy wafer (Ds) is the same as the inner diameter of the edge ring (14). In this case, the shaded area (A) is exposed without overlapping with the small-diameter dummy wafer (Ds) when viewed in a plan view. In addition, the diameter of the small-diameter dummy wafer (Ds) is not limited to the example shown.

도 17은, 제2 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 웨이퍼를 사용하여 도시하는 설명도이다.Figure 17 is an explanatory diagram illustrating a series of flows of wafer processing according to the second embodiment using a wafer.

(스텝 T11)(Step T11)

스텝 T11에서는, 1로트, 예를 들어 25매의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 연속해서 플라스마 처리를 행한다. 이 스텝 T11은, 스텝 S11과 마찬가지이다.In step T11, plasma treatment is performed continuously on one lot, for example, 25 product wafers (W). This step T11 is similar to step S11.

(스텝 T12)(Step T12)

스텝 T12에서는, 소경 더미 웨이퍼(Ds)를 사용하여 드라이 클리닝을 행한다. 구체적으로는 우선, 정전 척(13)의 상방에 소경 더미 웨이퍼(Ds)를 배치한다. 이때, 평면으로 보아 소경 더미 웨이퍼(Ds)의 중심이 정전 척(13)의 중심과 동일한 위치가 되도록, 소경 더미 웨이퍼(Ds)는 배치된다. 이 소경 더미 웨이퍼(Ds)의 위치가, 본 개시에 있어서의 클리닝 위치이다. 이러한 경우, 에지 링(14)의 음영 영역(A)이, 평면으로 보아 소경 더미 웨이퍼(Ds)와 오버랩되지 않고 노출된다.In step T12, dry cleaning is performed using a small-diameter dummy wafer (Ds). Specifically, first, a small-diameter dummy wafer (Ds) is placed above an electrostatic chuck (13). At this time, the small-diameter dummy wafer (Ds) is placed so that the center of the small-diameter dummy wafer (Ds) is at the same position as the center of the electrostatic chuck (13) when viewed in a plan view. The position of this small-diameter dummy wafer (Ds) is a cleaning position in the present disclosure. In this case, the shaded area (A) of the edge ring (14) is exposed without overlapping with the small-diameter dummy wafer (Ds) when viewed in a plan view.

다음에, 소경 더미 웨이퍼(Ds)를 정전 척(13)에 적재하고, 또한 정전 척(13)으로 흡착 보유 지지한다. 그 후, 소경 더미 웨이퍼(Ds)의 이면에 백사이드 가스를 공급하고, 드라이 클리닝을 실행한다. 드라이 클리닝 방법은, 스텝 S12의 제1 드라이 클리닝과 동일하다. 즉, 드라이 클리닝 가스를 여기시킨 플라스마(라디칼 및 이온을 포함함)를 사용하여 챔버(10)의 내부의 데포지션을 제거한다. 이때, 소경 더미 웨이퍼(Ds)로부터 노출된 음영 영역(A)에 부착된 데포지션도 제거된다. 이와 같이 하여, 드라이 클리닝이 행해진다.Next, the small-diameter dummy wafer (Ds) is loaded onto the electrostatic chuck (13) and is also held and suctioned by the electrostatic chuck (13). Thereafter, backside gas is supplied to the back surface of the small-diameter dummy wafer (Ds), and dry cleaning is performed. The dry cleaning method is the same as the first dry cleaning of step S12. That is, the deposition inside the chamber (10) is removed using plasma (including radicals and ions) excited by the dry cleaning gas. At this time, the deposition attached to the shaded area (A) exposed from the small-diameter dummy wafer (Ds) is also removed. In this way, dry cleaning is performed.

또한, 스텝 T11의 후는, 예를 들어 스텝 T11 및 T12가 반복해서 행해진다. 또한, 도 18에 도시하는 바와 같이 스텝 T11을 복수회 행하고, 즉 복수 로트의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 플라스마 처리를 행한 후, 스텝 T12를 행해도 된다.In addition, after step T11, for example, steps T11 and T12 are performed repeatedly. In addition, as shown in Fig. 18, step T11 may be performed multiple times, that is, step T12 may be performed after performing plasma treatment on product wafers (W) of multiple lots.

이상과 같이 제2 실시 형태에서는, 소경 더미 웨이퍼(Ds)를 사용하여 드라이 클리닝을 행함으로써, 음영 영역(A)에 부착된 데포지션을 제거할 수 있다. 즉, 도 4에 도시한 바와 같이 종래, 더미 웨이퍼(D)의 그늘이 되어 데포지션을 제거할 수 없었던 음영 영역(A)에 있어서도, 데포지션을 적절하게 제거할 수 있다. 또한, 제2 실시 형태에서는 에지 링(14)의 표면(110a, 111a)에 있어서, 음영 영역(A) 이외의 부분은 노출되어 있고, 이 부분에 부착된 데포지션도 적절하게 제거할 수 있다. 따라서, 에지 링(14)의 표면(110a, 111a)의 전체면에 있어서 데포지션을 제거할 수 있으므로, 파티클의 발생을 억제하여, 제품의 수율을 향상시킬 수 있고, 또한 플라스마 처리 장치(1)의 가동 시간도 길게 하는 것이 가능해진다.As described above, in the second embodiment, by performing dry cleaning using a small-diameter dummy wafer (Ds), the deposition attached to the shaded area (A) can be removed. That is, as shown in Fig. 4, even in the shaded area (A) where the deposition could not be removed conventionally because it was in the shadow of the dummy wafer (D), the deposition can be appropriately removed. Furthermore, in the second embodiment, in the surface (110a, 111a) of the edge ring (14), a portion other than the shaded area (A) is exposed, and the deposition attached to this portion can also be appropriately removed. Accordingly, since the deposition can be removed over the entire surface (110a, 111a) of the edge ring (14), the generation of particles can be suppressed, the product yield can be improved, and the operating time of the plasma processing device (1) can also be extended.

본 발명자들이 예의 검토한 결과, 소경 더미 웨이퍼(Ds)의 직경 φA에 대하여 반경이 (φA/2-0.4)㎜보다 외주측에 있어서 데포지션을 적절하게 제거할 수 있어, 드라이 클리닝의 효과를 얻을 수 있는 것이 확인되었다. 여기서, 소경 더미 웨이퍼(Ds)는, 상면 및 하면이 평탄한 내측부(평탄부)와, 내측부의 외주측에 형성되어 상면 및 하면이 모따기된 외측부(베벨부)를 갖는다. 또한, 소경 더미 웨이퍼(Ds)에 있어서, 직경 방향 0.4㎜의 환상 범위는 베벨부(모따기부)와 일치한다. 따라서, 소경 더미 웨이퍼(Ds)의 하방이어도, 베벨부의 하방이면, 클리닝 효과가 얻어질 수 있다고 추측할 수 있다.As a result of careful examination by the present inventors, it was confirmed that deposition can be appropriately removed when the radius is (φA/2-0.4) mm closer to the outer periphery than the diameter φA of the small-diameter dummy wafer (Ds), thereby obtaining a dry cleaning effect. Here, the small-diameter dummy wafer (Ds) has an inner portion (flat portion) whose upper and lower surfaces are flat, and an outer portion (bevel portion) formed on the outer periphery of the inner portion and whose upper and lower surfaces are chamfered. In addition, in the small-diameter dummy wafer (Ds), the annular range of 0.4 mm in the diameter direction coincides with the bevel portion (chamfer portion). Therefore, it can be inferred that a cleaning effect can be obtained even if it is below the small-diameter dummy wafer (Ds), as long as it is below the bevel portion.

소경 더미 웨이퍼(Ds)의 직경 φA의 하한은, 정전 척(13)의 중앙부(100)에 대하여 라디칼 및 이온의 입사의 영향이 미치지 않는 범위, 즉, {(정전 척(13)의 중앙부(100)의 외경)/2}≤(φA/2-베벨 길이)=평탄부의 직경 φB/2인 것이 바람직하다. 또한, 소경 더미 웨이퍼(Ds)의 직경 φA의 상한은, 제품 웨이퍼(W)의 직경보다 작으면 된다. 즉 소경 더미 웨이퍼(Ds)의 직경 φA는, 하기 식 (1)의 범위 내인 것이 바람직하다.The lower limit of the diameter φA of the small-diameter dummy wafer (Ds) is preferably a range in which the central portion (100) of the electrostatic chuck (13) is not affected by the incidence of radicals and ions, that is, {(outer diameter of the central portion (100) of the electrostatic chuck (13))/2}≤(φA/2-bevel length)=diameter of the flat portion φB/2. In addition, the upper limit of the diameter φA of the small-diameter dummy wafer (Ds) is preferably smaller than the diameter of the product wafer (W). That is, the diameter φA of the small-diameter dummy wafer (Ds) is preferably within the range of the following equation (1).

{(정전 척(13)의 중앙부(100)의 외경)/2}≤{(소경 더미 웨이퍼(Ds)의 직경 φA)/2-(베벨 길이)}=평탄부의 직경 φB/2<{(제품 웨이퍼(W)의 직경)/2} … (1){(outer diameter of the center part (100) of the electrostatic chuck (13))/2}≤{(diameter φA of the small-diameter dummy wafer (Ds))/2-(bevel length)}=diameter φB of the flat part/2<{(diameter of the product wafer (W))/2} … (1)

또한, 본 발명자들이 예의 검토한 결과, 도 14의 (b)에 도시한 바와 같이 소경 더미 웨이퍼(Ds)가 리프터(20)에 지지되고, 정전 척(13)으로부터 이격된 상태에서 드라이 클리닝을 행한 경우, 베벨부보다 더욱 내주측에도 드라이 클리닝 효과를 얻을 수 있는 것이 확인되었다. 즉, 이러한 경우, 반경이 (φA/2-X)㎜보다 외주측에 있어서 드라이 클리닝 효과가 얻어진다(단, X는 베벨 길이 0.4㎜보다 길다). 이와 같이, 소경 더미 웨이퍼(Ds)를 리프트 업하지 않는 경우에 비해 드라이 클리닝 효과가 얻어지는 범위가 증가하는 요인은, 소경 더미 웨이퍼(Ds)를 리프트 업하면, 라디칼 및 이온이 입사 가능한 범위가 증가하기 때문이라고 추정된다. 따라서, 소경 더미 웨이퍼(Ds)를 리프트 업한 상태에서 드라이 클리닝(이하 「리프트 업 클리닝」이라고 한다.)을 행해도 된다. 이 경우, 정전 척(13)에 대한 대미지를 저감시키기 위해, 소경 더미 웨이퍼(Ds)를 정전 척(13)에 적재한 상태에서 드라이 클리닝(이하 「적재 클리닝」이라고 한다.)을 행할 때의 조건과는 다른 조건에서 행해도 된다. 구체적으로는, 리프트 업 클리닝에서는, 제1 고주파 전력을, 적재 클리닝에 있어서의 제1 고주파 전력보다 낮게 해도 된다. 제2 고주파 전력도 마찬가지로, 리프트 업 클리닝에서는 적재 클리닝보다도 낮게 해도 된다(또는 제2 고주파 전력을 공급하지 않아도 된다). 또한, 리프트 업 클리닝에서는 적재 클리닝보다도 챔버(10) 내의 압력을 높게 해도 된다.In addition, as a result of careful examination by the present inventors, it was confirmed that when dry cleaning is performed while the small-diameter dummy wafer (Ds) is supported on the lifter (20) and spaced from the electrostatic chuck (13) as shown in Fig. 14 (b), a dry cleaning effect can be obtained even further on the inner side than the bevel portion. That is, in this case, the dry cleaning effect is obtained when the radius is outer side greater than (φA/2-X) mm (however, X is longer than the bevel length of 0.4 mm). It is presumed that the reason why the range over which the dry cleaning effect is obtained increases compared to the case where the small-diameter dummy wafer (Ds) is not lifted up is because when the small-diameter dummy wafer (Ds) is lifted up, the range over which radicals and ions can be incident increases. Therefore, dry cleaning (hereinafter referred to as “lift-up cleaning”) may be performed in a state where the small-diameter dummy wafer (Ds) is lifted up. In this case, in order to reduce damage to the electrostatic chuck (13), dry cleaning (hereinafter referred to as “loading cleaning”) may be performed under conditions different from those for loading a small-diameter dummy wafer (Ds) onto the electrostatic chuck (13). Specifically, in lift-up cleaning, the first high-frequency power may be lower than the first high-frequency power in loading cleaning. Likewise, the second high-frequency power may be lower in lift-up cleaning than in loading cleaning (or the second high-frequency power may not be supplied). In addition, the pressure inside the chamber (10) may be higher in lift-up cleaning than in loading cleaning.

리프트 업 클리닝과, 적재 클리닝을 병용해도 된다. 즉, 적재 클리닝을 행하기 전(또는 행한 후)에, 리프트 업 클리닝을 행해도 된다. 이에 의해, 소경 더미 웨이퍼(Ds)를 정전 척(13)에 적재한 상태에서 행하는 드라이 클리닝에서는 전부 제거할 수 없는 데포지션(예를 들어, 정전 척(13)과 에지 링(14) 사이의 간극에 부착된 데포나, 정전 척(13)의 외주측 적재면에 부착된 데포)을 제거할 수 있다. 리프트 업 클리닝과 적재 클리닝을 다른 조건에서 행하는 경우(즉, 리프트 업 클리닝을 저파워로 행하는 경우)는 적재 클리닝을 행한 후에 리프트 업 클리닝을 행하는 것이 바람직하다.Lift-up cleaning and loading cleaning may be used together. That is, lift-up cleaning may be performed before (or after) loading cleaning. As a result, depositions that cannot be completely removed in dry cleaning performed while a small-diameter dummy wafer (Ds) is loaded on an electrostatic chuck (13) (for example, depositions attached to the gap between the electrostatic chuck (13) and the edge ring (14), or depositions attached to the outer peripheral loading surface of the electrostatic chuck (13)) can be removed. When lift-up cleaning and loading cleaning are performed under different conditions (i.e., when lift-up cleaning is performed at low power), it is preferable to perform lift-up cleaning after loading cleaning.

또한, 스텝 T12에서는 소경 더미 웨이퍼(Ds)의 이면에 백사이드 가스를 공급하여 드라이 클리닝을 행했지만, 백사이드 가스는 공급하지 않아도 된다. 백사이드 가스를 공급하지 않음으로써, 소경 더미 웨이퍼(Ds)가 플라스마에 의해 가열되어, 드라이 클리닝에 의해 제거된 퇴적물이 소경 더미 웨이퍼(Ds)에 부착되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 소경 더미 웨이퍼(Ds)를 세정하는 빈도를 저감시킬 수 있다. 이 경우, 소경 더미 웨이퍼(Ds)의 반출을 위해, 드라이 클리닝의 도중 또는 종료 후에 백사이드 가스를 공급하여, 소경 더미 웨이퍼(Ds)의 냉각을 행해도 된다.In addition, in step T12, the backside gas is supplied to the back surface of the small-diameter dummy wafer (Ds) to perform dry cleaning, but the backside gas does not have to be supplied. By not supplying the backside gas, the small-diameter dummy wafer (Ds) is heated by the plasma, so that the deposits removed by the dry cleaning can be suppressed from attaching to the small-diameter dummy wafer (Ds). As a result, the frequency of cleaning the small-diameter dummy wafer (Ds) can be reduced. In this case, in order to remove the small-diameter dummy wafer (Ds), the backside gas may be supplied during or after the dry cleaning to cool the small-diameter dummy wafer (Ds).

또한, 리프트 업 클리닝을 행하는 경우는, 소경 더미 웨이퍼(Ds)와 정전 척(13)이 이격되기 때문에, 백사이드 가스의 공급은 정지한다. 이 경우에 있어서도, 소경 더미 웨이퍼(Ds)의 반출을 위해, 소경 더미 웨이퍼(Ds)의 냉각을 행해도 된다. 즉, 리프트 업 클리닝 후에 소경 더미 웨이퍼(Ds)를 정전 척(13)에 적재하고, 또한 정전 척(13)으로 흡착 보유 지지한 후에, 소경 더미 웨이퍼(Ds)의 이면에 백사이드 가스를 공급하여 소경 더미 웨이퍼(Ds)의 냉각을 행해도 된다.In addition, when performing lift-up cleaning, since the small-diameter dummy wafer (Ds) and the electrostatic chuck (13) are separated, the supply of backside gas is stopped. In this case as well, cooling of the small-diameter dummy wafer (Ds) may be performed in order to remove the small-diameter dummy wafer (Ds). That is, after the lift-up cleaning, the small-diameter dummy wafer (Ds) is loaded onto the electrostatic chuck (13), and further, after the small-diameter dummy wafer (Ds) is adsorbed and supported by the electrostatic chuck (13), backside gas may be supplied to the back surface of the small-diameter dummy wafer (Ds) to cool the small-diameter dummy wafer (Ds).

(제2 실시 형태의 변형예)(Modification of the second embodiment)

이상의 제2 실시 형태에 있어서, 통상의 드라이 클리닝을 행하고, 또한 1로트의 제품 웨이퍼(W)에 대한 플라스마 처리를 행한 후, 소경 더미 웨이퍼(Ds)를 사용한 드라이 클리닝을 행해도 된다. 도 19는, 본 변형예에 관한 웨이퍼 처리의 일련의 흐름을 웨이퍼를 사용하여 도시하는 설명도이다.In the second embodiment described above, after performing normal dry cleaning and also performing plasma treatment on one lot of product wafers (W), dry cleaning using a small-diameter dummy wafer (Ds) may be performed. Fig. 19 is an explanatory diagram illustrating a series of flows of wafer processing according to this modified example using a wafer.

(스텝 T21)(Step T21)

스텝 T21에서는, 1로트, 예를 들어 25매의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 연속해서 플라스마 처리를 행한다. 이 스텝 T21은, 스텝 S11과 마찬가지이다.In step T21, plasma treatment is performed continuously on one lot, for example, 25 product wafers (W). This step T21 is similar to step S11.

(스텝 T22)(Step T22)

스텝 T22에서는, 제5 더미 웨이퍼(D5)를 사용하여 제5 드라이 클리닝(통상의 드라이 클리닝)을 행한다. 이 스텝 T22는, 스텝 S31과 마찬가지이다.In step T22, a fifth dry cleaning (normal dry cleaning) is performed using a fifth dummy wafer (D5). This step T22 is similar to step S31.

(스텝 T23)(Step T23)

스텝 T23에서는, 1로트, 예를 들어 25매의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 연속해서 플라스마 처리를 행한다. 이 스텝 T23은, 스텝 S11과 마찬가지이다.In step T23, plasma treatment is performed continuously on one lot, for example, 25 product wafers (W). This step T23 is similar to step S11.

(스텝 T24) (Step T24)

스텝 T24에서는, 소경 더미 웨이퍼(Ds)를 사용하여 드라이 클리닝을 행한다. 이 스텝 T24는, 스텝 T12와 마찬가지이다.In step T24, dry cleaning is performed using a small diameter dummy wafer (Ds). This step T24 is similar to step T12.

또한, 스텝 T24의 후는, 예를 들어 스텝 T23 및 T24가 반복해서 행해진다.Additionally, after step T24, for example, steps T23 and T24 are performed repeatedly.

본 변형예에 있어서도, 상기 제2 실시 형태와 마찬가지의 효과를 향수할 수 있다. 즉, 소경 더미 웨이퍼(Ds)를 사용하여 드라이 클리닝을 행함으로써, 음영 영역(A)에 부착된 데포지션을 제거할 수 있다.In this modified example, the same effect as in the second embodiment can be achieved. That is, by performing dry cleaning using a small-diameter dummy wafer (Ds), the deposition attached to the shaded area (A) can be removed.

또한, 스텝 T22 및 T23을 복수회 행하고, 즉 복수 로트의 제품 웨이퍼(W)에 대하여 플라스마 처리를 행한 후, 스텝 T24를 행해도 된다. 이러한 경우, 스텝 T22 및 T23을 복수회 행하면, 스텝 T22에서는 제거할 수 없는 음영 영역(A)의 데포지션이 퇴적된다. 그래서, 스텝 T24에 있어서 소경 더미 웨이퍼(Ds)를 사용하여 드라이 클리닝을 행함으로써, 음영 영역(A)의 데포지션을 제거할 수 있다.In addition, steps T22 and T23 may be performed multiple times, that is, after plasma treatment is performed on product wafers (W) of multiple lots, step T24 may be performed. In this case, if steps T22 and T23 are performed multiple times, the deposition of the shaded area (A) that cannot be removed in step T22 is deposited. Therefore, by performing dry cleaning using a small-diameter dummy wafer (Ds) in step T24, the deposition of the shaded area (A) can be removed.

또한, 본 변형예의 스텝 T22에서는, 제5 더미 웨이퍼(D5)를 사용하여 제5 드라이 클리닝을 행했지만, 이에 대신하여, 소위 웨이퍼리스 드라이 클리닝을 행해도 된다.In addition, in step T22 of this modified example, the fifth dry cleaning was performed using the fifth dummy wafer (D5), but instead, so-called waferless dry cleaning may be performed.

<부기항><Supplemental Port>

[부기항 1][Additional note 1]

플라스마 처리 장치의 클리닝 방법이며,A method for cleaning a plasma treatment device,

챔버의 내부에 있어서 제1 더미 기판을 적재대에 대한 제1 위치에 배치하고, 당해 챔버의 내부에 제1 드라이 클리닝을 행하는 공정과,A process of placing a first dummy substrate at a first position relative to a loading platform inside a chamber and performing a first dry cleaning inside the chamber;

상기 챔버의 내부에 있어서 제2 더미 기판을 상기 적재대에 대한 제2 위치에 배치하고, 당해 챔버의 내부에 제2 드라이 클리닝을 행하는 공정을 포함하고,A process of arranging a second dummy substrate at a second position relative to the loading platform within the chamber and performing a second dry cleaning within the chamber,

상기 제1 위치의 중심과 제2 위치의 중심은 각각, 평면으로 보아 상기 적재대의 중심과 다른 위치이고,The center of the first position and the center of the second position are each different from the center of the loading platform when viewed in a plane.

상기 제1 위치와 상기 제2 위치는, 평면으로 보아 다른 위치인, 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법.A cleaning method for a plasma treatment device, wherein the first position and the second position are different positions when viewed in a plane.

[부기항 2][Additional note 2]

적어도 상기 제1 드라이 클리닝 또는 상기 제2 드라이 클리닝은, 상기 제1 더미 기판 또는 상기 제2 더미 기판이 상기 적재대에 적재된 상태에서 행해지는, 부기항 1에 기재된 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법.A cleaning method for a plasma treatment device as described in Supplementary Item 1, wherein at least the first dry cleaning or the second dry cleaning is performed while the first dummy substrate or the second dummy substrate is loaded on the loading table.

[부기항 3][Additional note 3]

적어도 상기 제1 드라이 클리닝 또는 상기 제2 드라이 클리닝은, 상기 제1 더미 기판 또는 상기 제2 더미 기판이 리프터에 의해 지지되고, 상기 적재대로부터 이격된 상태에서 행해지는, 부기항 1에 기재된 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법.A cleaning method for a plasma treatment device as described in Supplementary Item 1, wherein at least the first dry cleaning or the second dry cleaning is performed while the first dummy substrate or the second dummy substrate is supported by a lifter and spaced apart from the loading platform.

[부기항 4][Additional note 4]

적어도 상기 제1 드라이 클리닝 또는 상기 제2 드라이 클리닝에 있어서, 상기 제1 더미 기판의 이면 또는 상기 제2 더미 기판의 이면과, 상기 적재대의 표면의 거리는 2㎜ 이하인, 부기항 3에 기재된 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법.A cleaning method for a plasma treatment device as described in supplementary item 3, wherein, in at least the first dry cleaning or the second dry cleaning, the distance between the back surface of the first dummy substrate or the back surface of the second dummy substrate and the surface of the loading platform is 2 mm or less.

[부기항 5][Additional note 5]

상기 적재대는,The above loading platform is,

상기 제1 더미 기판 또는 상기 제2 더미 기판을 보유 지지하는 정전 척과,An electrostatic chuck for holding and supporting the first dummy substrate or the second dummy substrate,

상기 정전 척에 적재된 상기 제1 더미 기판 또는 상기 제2 더미 기판을 둘러싸도록 마련되는 에지 링을 구비하고,An edge ring is provided to surround the first dummy substrate or the second dummy substrate loaded on the electrostatic chuck,

적어도 상기 제1 드라이 클리닝 또는 상기 제2 드라이 클리닝에 있어서, 상기 제1 더미 기판 또는 상기 제2 더미 기판은, 평면으로 보아 일단부가 상기 에지 링의 내주 단부로부터 상기 정전 척의 외주 단부의 사이에 위치하고, 타단부가 상기에지 링의 내주 단부보다 외측에 위치하는, 부기항 1 내지 4 중 어느 한 항에 있어서, 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법.A cleaning method for a plasma processing device according to any one of appended claims 1 to 4, wherein, in at least the first dry cleaning or the second dry cleaning, the first dummy substrate or the second dummy substrate has one end positioned between the inner peripheral end of the edge ring and the outer peripheral end of the electrostatic chuck when viewed in a plan view, and the other end positioned outside the inner peripheral end of the edge ring.

[부기항 6][Supplemental note 6]

상기 제1 더미 기판과 상기 제2 더미 기판은 동일한 더미 기판인, 부기항 1 내지 5 중 어느 한 항에 있어서, 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법.A cleaning method for a plasma treatment device according to any one of claims 1 to 5, wherein the first dummy substrate and the second dummy substrate are the same dummy substrate.

[부기항 7][Supplemental note 7]

상기 제1 더미 기판과 상기 제2 더미 기판은 다른 더미 기판인, 부기항 1 내지 5 중 어느 한 항에 있어서, 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법.A cleaning method for a plasma treatment device according to any one of claims 1 to 5, wherein the first dummy substrate and the second dummy substrate are different dummy substrates.

[부기항 8][Supplemental note 8]

상기 제1 드라이 클리닝과 상기 제2 드라이 클리닝 사이에 있어서, 제품 기판에 대한 플라스마 처리를 행하고,Between the first dry cleaning and the second dry cleaning, plasma treatment is performed on the product substrate,

상기 플라스마 처리는, 상기 제품 기판의 중심과 상기 적재대의 중심이 평면으로 보아 동일한 위치가 되도록, 상기 제품 기판이 상기 적재대에 적재된 상태에서 행해지는, 부기항 1 내지 7 중 어느 한 항에 있어서, 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법.A cleaning method for a plasma treatment device according to any one of appendix 1 to 7, wherein the plasma treatment is performed in a state where the product substrate is loaded on the loading platform so that the center of the product substrate and the center of the loading platform are at the same position when viewed in a plane.

[부기항 9][Supplemental note 9]

상기 제1 드라이 클리닝과 상기 제2 드라이 클리닝 사이에 있어서, 상기 플라스마 처리는 복수회 행해지는, 부기항 8에 기재된 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법.A cleaning method of a plasma treatment device described in supplementary item 8, wherein the plasma treatment is performed multiple times between the first dry cleaning and the second dry cleaning.

[부기항 10][Supplemental note 10]

상기 제1 드라이 클리닝과 상기 제2 드라이 클리닝은 연속해서 행해지는, 부기항 1 내지 7 중 어느 한 항에 있어서, 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법.A cleaning method for a plasma treatment device according to any one of claims 1 to 7, wherein the first dry cleaning and the second dry cleaning are performed sequentially.

[부기항 11][Supplemental Note 11]

적어도 상기 제1 드라이 클리닝 또는 상기 제2 드라이 클리닝은, 상기 적재대에 고주파 전력을 공급한 상태에서 행해지는, 부기항 1 내지 10 중 어느 한 항에 있어서, 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법.A cleaning method for a plasma treatment device according to any one of subparagraphs 1 to 10, wherein at least the first dry cleaning or the second dry cleaning is performed while supplying high-frequency power to the loading platform.

[부기항 12][Supplemental Note 12]

상기 챔버의 내부에 있어서 제3 더미 기판을 상기 적재대에 대한 제3 위치에 배치하고, 당해 챔버의 내부에 제3 드라이 클리닝을 행하는 공정을 더 포함하고,Further comprising a process of arranging a third dummy substrate at a third position relative to the loading platform within the chamber and performing a third dry cleaning within the chamber.

상기 제3 위치의 중심은, 평면으로 보아 상기 적재대의 중심과 다른 위치이고,The center of the above third position is a different location from the center of the loading platform when viewed on a plane,

상기 제3 위치는, 평면으로 보아 상기 제1 위치 및 상기 제2 위치와 다른 위치인, 부기항 1 내지 11 중 어느 한 항에 있어서, 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법.A cleaning method for a plasma treatment device according to any one of subparagraphs 1 to 11, wherein the third position is a different position from the first position and the second position when viewed in a plane.

[부기항 13][Supplemental Note 13]

상기 챔버의 내부에 있어서 제4 더미 기판을 상기 적재대에 대한 제4 위치에 배치하고, 당해 챔버의 내부에 제4 드라이 클리닝을 행하는 공정을 더 포함하고,Further comprising a process of arranging a fourth dummy substrate at a fourth position relative to the loading platform within the chamber and performing a fourth dry cleaning within the chamber.

상기 제4 위치의 중심은, 평면으로 보아 상기 적재대의 중심과 다른 위치이고,The center of the above fourth position is a different location from the center of the loading platform when viewed on a plane,

상기 제4 위치는, 평면으로 보아 상기 제1 위치, 상기 제2 위치 및 상기 제3 위치와 다른 위치인, 부기항 12에 기재된 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법.A cleaning method for a plasma treatment device as described in appendix 12, wherein the fourth position is a position different from the first position, the second position, and the third position when viewed in a plane.

[부기항 14][Supplemental Note 14]

상기 적재대의 중심과 상기 제1 위치의 중심을 연결하는 제1 선분과, 상기 적재대의 중심과 상기 제2 위치의 중심을 연결하는 제2 선분이 이루는 제1 각도와,A first angle formed by a first line segment connecting the center of the loading platform and the center of the first position, and a second line segment connecting the center of the loading platform and the center of the second position,

상기 제2 선분과, 상기 적재대의 중심과 상기 제3 위치의 중심을 연결하는 제3 선분이 이루는 제2 각도와,The second angle formed by the second line segment and the third line segment connecting the center of the loading platform and the center of the third location,

상기 제3 선분과, 상기 적재대의 중심과 상기 제4 위치의 중심을 연결하는 제4 선분이 이루는 제3 각도와,The third angle formed by the third line segment and the fourth line segment connecting the center of the loading platform and the center of the fourth location,

상기 제4 선분과, 상기 제1 선분이 이루는 제4 각도가 각각 동등한, 부기항 13에 기재된 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법.A cleaning method for a plasma treatment device described in Supplementary Item 13, wherein the fourth angle formed by the fourth line segment and the first line segment are each equal.

[부기항 15][Supplemental note 15]

상기 챔버의 내부에 있어서 제5 더미 기판을 상기 적재대에 대한 제5 위치에 배치하고, 당해 챔버의 내부에 제5 드라이 클리닝을 행하는 공정과,A process of placing a fifth dummy substrate at a fifth position relative to the loading platform inside the chamber and performing a fifth dry cleaning inside the chamber;

상기 제5 드라이 클리닝을 행한 후, 제품 기판에 대하여 플라스마 처리를 행하는 공정을 더 포함하고,After performing the fifth dry cleaning, a process of performing plasma treatment on the product substrate is further included.

상기 제5 위치의 중심은, 평면으로 보아 상기 적재대의 중심과 동일한 위치이고,The center of the above fifth position is the same as the center of the loading platform when viewed on a plane,

상기 플라스마 처리는, 상기 제품 기판의 중심과 상기 적재대의 중심이 평면으로 보아 동일한 위치가 되도록, 상기 제품 기판이 상기 적재대에 적재된 상태에서 행해지고,The above plasma treatment is performed while the product substrate is loaded on the loading platform so that the center of the product substrate and the center of the loading platform are at the same position when viewed in a plane.

상기 제1 드라이 클리닝, 상기 제2 드라이 클리닝, 상기 제3 드라이 클리닝 및 상기 제4 드라이 클리닝은 각각, 상기 플라스마 처리를 행한 후에 행해지는, 부기항 13 또는 14에 기재된 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법.A cleaning method of a plasma treatment device according to Supplementary Item 13 or 14, wherein the first dry cleaning, the second dry cleaning, the third dry cleaning and the fourth dry cleaning are each performed after the plasma treatment.

[부기항 16][Supplemental note 16]

상기 플라스마 처리를 행한 후, 상기 제1 드라이 클리닝, 상기 제2 드라이 클리닝, 상기 제3 드라이 클리닝 및 상기 제4 드라이 클리닝이 연속해서 행해지는, 부기항 13 또는 14에 기재된 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법.A cleaning method of a plasma treatment device as described in Supplementary Item 13 or 14, wherein after performing the plasma treatment, the first dry cleaning, the second dry cleaning, the third dry cleaning, and the fourth dry cleaning are performed sequentially.

[부기항 17][Supplemental Note 17]

플라스마 처리 장치이며,It is a plasma treatment device,

챔버와,Chamber and,

상기 챔버의 내부에 마련되고, 제1 더미 기판 또는 제2 더미 기판을 적재하는 적재대와,A loading platform provided inside the chamber and for loading a first dummy substrate or a second dummy substrate,

상기 챔버의 내부를 드라이 클리닝하는 드라이 클리닝부와,A dry cleaning unit for dry cleaning the interior of the chamber,

상기 드라이 클리닝부를 제어하는 제어부를 구비하고,Equipped with a control unit for controlling the above dry cleaning unit,

상기 제어부는,The above control unit,

상기 챔버의 내부에 있어서 제1 더미 기판을 상기 적재대에 대한 제1 위치에 배치하고, 당해 챔버의 내부에 제1 드라이 클리닝을 행하는 공정과,A process of placing a first dummy substrate at a first position relative to the loading platform inside the chamber and performing a first dry cleaning inside the chamber;

상기 챔버의 내부에 있어서 제2 더미 기판을 상기 적재대에 대한 제2 위치에 배치하고, 당해 챔버의 내부에 제2 드라이 클리닝을 행하는 공정을 실행하도록 상기 드라이 클리닝부를 제어하고,Controlling the dry cleaning unit to execute a process of placing a second dummy substrate at a second position relative to the loading platform inside the chamber and performing a second dry cleaning inside the chamber;

상기 제1 위치와 상기 제2 위치는, 평면으로 보아 다른 위치인, 플라스마 처리 장치.A plasma processing device wherein the first position and the second position are different positions when viewed in a plane.

[부기항 18][Supplemental note 18]

챔버의 내부에 있어서 제품 기판을 적재대에 대한 처리 위치에 적재하고, 당해 제품 기판에 플라스마 처리를 행하는 공정과,A process of loading a product substrate into a processing position on a loading platform inside a chamber and performing plasma treatment on the product substrate;

상기 챔버의 내부에 있어서, 상기 제품 기판보다 작은 직경을 갖는 더미 기판을, 상기 적재대에 대한 클리닝 위치에 배치하고, 당해 챔버의 내부에 드라이 클리닝을 행하는 공정을 포함하고,A process of placing a dummy substrate having a smaller diameter than the product substrate in a cleaning position for the loading table inside the chamber and performing dry cleaning inside the chamber is included.

상기 처리 위치의 중심과 상기 클리닝 위치의 중심은 각각, 평면으로 보아 상기 적재대의 중심과 동일한 위치인, 플라스마 처리 장치의 클리닝 방법.A cleaning method for a plasma treatment device, wherein the center of the above treatment position and the center of the above cleaning position are each the same position as the center of the loading platform when viewed in a plane.

이상의 실시 형태의 플라스마 처리 장치(1)는 용량 결합형의 플라스마 처리 장치였지만, 본 개시가 적용되는 플라스마 처리 장치는 이것에 한정되지는 않는다. 예를 들어 플라스마 처리 장치는 유도 결합형의 플라스마 처리 장치여도 된다.Although the plasma processing device (1) of the above embodiment is a capacity-coupled plasma processing device, the plasma processing device to which the present disclosure is applied is not limited to this. For example, the plasma processing device may be an inductively coupled plasma processing device.

금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.It should be understood that the disclosed embodiments are in all respects illustrative and not restrictive. The above embodiments may be omitted, substituted, or modified in various ways without departing from the scope of the appended claims and their gist.

1: 플라스마 처리 장치
10: 챔버
11: 적재대
12: 하부 전극
31: 제2 고주파 전원
50: 가스 공급원군
70: 제어부
D1: 제1 더미 웨이퍼
D2: 제2 더미 웨이퍼1: Plasma treatment device
10: Chamber
11: Loading platform
12: Lower electrode
31: Second high frequency power supply
50: Gas supply group
70: Control Unit
D1: 1st dummy wafer
D2: 2nd dummy wafer

Claims

A method for cleaning a plasma treatment device,
(a) a process of loading a product substrate onto a loading platform provided inside a chamber and performing plasma treatment on the product substrate;
(b) A cleaning method of a plasma treatment device, comprising a process of loading a first dummy substrate having a smaller diameter than the product substrate on the loading table, generating plasma inside the chamber, and performing a first dry cleaning to clean the loading table.

In the first paragraph,
A method for cleaning a plasma treatment device, wherein the process (a) is performed multiple times, and then the process (b) is performed.

In the first paragraph,
(c) A cleaning method for a plasma treatment device, further comprising a process of loading a second dummy substrate having a diameter equivalent to the diameter of the product substrate onto the loading table, and performing a second dry cleaning process of generating plasma inside the chamber and cleaning the loading table.

In the third paragraph,
A first sequence in which the above process (a) is performed multiple times, and then the above process (c) is performed;
After performing the above process (a) multiple times, a second sequence is included in which the above process (b) is performed,
A cleaning method for a plasma treatment device, wherein the second sequence is performed after the first sequence is performed multiple times.

In the first paragraph,
(d) A cleaning method of a plasma treatment device, further comprising a process of generating plasma inside the chamber and performing a second dry cleaning without loading a dummy substrate on the loading table.

In paragraph 5,
A first sequence of performing the above process (a) multiple times, and then performing the above process (d);
After performing the above process (a) multiple times, a second sequence is included in which the above process (b) is performed,
A cleaning method for a plasma treatment device, wherein the second sequence is performed after the first sequence is performed multiple times.

In any one of claims 1 to 6,
(e) A cleaning method of a plasma treatment device, further comprising a process of performing a third dry cleaning, which generates plasma inside the chamber and cleans the loading table while the first dummy substrate is spaced apart from the loading table.

In Article 7,
A method for cleaning a plasma treatment device that performs process (e) after performing process (b) above.

In Article 7,
The above plasma treatment device has a first power source that generates plasma,
A cleaning method of a plasma treatment device, wherein the power supplied from the first power source in the third dry cleaning is lower than the power supplied from the first power source in the first dry cleaning.

In Article 7,
The above plasma treatment device has a second power source that supplies bias power to the loading platform,
A cleaning method of a plasma treatment device, wherein the power supplied from the second power source in the third dry cleaning is lower than the power supplied from the second power source in the first dry cleaning.

In Article 7,
The above plasma treatment device has a second power source that supplies bias power to the loading platform,
A cleaning method of a plasma treatment device, wherein the bias power is supplied from the second power source in the first dry cleaning, and the bias power is not supplied from the second power source in the third dry cleaning.

In any one of claims 1 to 6,
The above loading platform is equipped with an electrostatic chuck that holds and supports the product substrate,
A cleaning method for a plasma processing device, wherein the diameter of the first dummy substrate is larger than the diameter of a portion of the electrostatic chuck that loads and supports the product substrate, and smaller than the diameter of the product substrate.

In Article 12,
The above first dummy substrate has an inner side having a flat upper surface and a flat lower surface, and an outer side formed on the outer periphery of the inner side and having a chamfered upper surface and a flat lower surface.
A cleaning method for a plasma processing device, wherein the diameter of the inner portion is larger than the diameter of the portion that loads and supports the product substrate in the electrostatic chuck, and smaller than the diameter of the product substrate.

In Article 13,
A cleaning method for a plasma treatment device, wherein the diameter of the inner portion is equal to the diameter of the portion that loads and supports the product substrate in the electrostatic chuck.

A method for cleaning a plasma treatment device,
(a) a process of loading a product substrate onto a loading platform provided inside a chamber and performing plasma treatment on the product substrate;
(b) A cleaning method of a plasma treatment device, comprising a process of performing a first dry cleaning, which generates plasma inside the chamber and cleans the loading table while a first dummy substrate having a smaller diameter than the product substrate is spaced apart from the loading table.

A method for cleaning a plasma treatment device,
A process of placing a first dummy substrate at a first position relative to a loading platform inside a chamber and performing a first dry cleaning inside the chamber;
A process of arranging a second dummy substrate at a second position relative to the loading platform within the chamber and performing a second dry cleaning within the chamber,
The center of the first position and the center of the second position are each different from the center of the loading platform when viewed in a plane.
A cleaning method for a plasma treatment device, wherein the first position and the second position are different positions when viewed in a plane.