KR20240147152A - Display device using light emitting device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 디스플레이 장치 관련 기술 분야에 적용 가능하며, 예를 들어 마이크로 LED(Light Emitting Diode)를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 배선 기판; 단위 서브픽셀 영역을 정의하고 상기 배선 기판 상에 배열되어 단위 서브픽셀을 이루는 단위 금속 패드; 반도체층 상에 위치한 제1 형 전극이 상기 단위 금속 패드 상에 제1 전도성 입자들에 의하여 전기적으로 연결되는 발광 소자; 및 상기 배선 기판과 상기 단위 금속 패드 사이에 위치하고, 상기 제1 전도성 입자에 의하여 가해지는 압력에 의하여 상기 금속 패드와 상기 제1 전도성 입자 사이의 접촉 면적을 증가시키는 제1 압력 수용층을 포함하여 구성될 수 있다.The present invention is applicable to a technical field related to a display device, and relates to, for example, a display device using a micro LED (Light Emitting Diode). The present invention may be configured to include: a wiring substrate; a unit metal pad defining a unit subpixel area and arranged on the wiring substrate to form a unit subpixel; a light emitting element in which a first type electrode positioned on a semiconductor layer is electrically connected to the unit metal pad by first conductive particles; and a first pressure receiving layer positioned between the wiring substrate and the unit metal pad and increasing a contact area between the metal pad and the first conductive particle by pressure applied by the first conductive particle.
Description
본 발명은 디스플레이 장치 관련 기술 분야에 적용 가능하며, 예를 들어 마이크로 LED(Light Emitting Diode)를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention is applicable to the technical field related to display devices, and relates to, for example, a display device using a micro LED (Light Emitting Diode).
최근에는 디스플레이 기술 분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liquid Crystal Display)와 OLED(Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.Recently, display devices with excellent characteristics such as thinness and flexibility are being developed in the field of display technology. The major displays currently commercialized are represented by LCD (Liquid Crystal Display) and OLED (Organic Light Emitting Diodes).
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 것으로 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다.Meanwhile, a light-emitting diode (LED) is a semiconductor light-emitting device that is well known for converting electric current into light. Starting with the commercialization of a red LED using GaAsP compound semiconductors in 1962, it has been used as a light source for display images in electronic devices, including information and communication devices, along with green LEDs of the GaP:N series.
최근, 이러한 발광 다이오드(LED)는 점차 소형화되어 마이크로미터 크기의 LED로 제작되어 디스플레이 장치의 화소로 이용되고 있다.Recently, these light-emitting diodes (LEDs) have been gradually miniaturized and manufactured into micrometer-sized LEDs, which are used as pixels in display devices.
고휘도 소자인 LED는 조명 뿐 아니라 사이니지 디스플레이 장치에서 화소로 채택되어 사용되고 있다. 디스플레이 장치에서 LED를 PCB에 실장하는 방법의 일례로 솔더링(soldering)을 활용하고 있다.LEDs, which are high-brightness elements, are being used not only for lighting but also as pixels in signage display devices. One example of a method for mounting LEDs on PCBs in display devices is using soldering.
솔더링 방법은 스크린 인쇄를 통해 쉽게 패턴 가능하며 전기적 접합에 대한 환경 신뢰성이 좋은 부분이 장점이다. 반면에 스크린 인쇄에 따른 정밀 인쇄가 어려운 점과 LED 전극 패드와 배선 기판의 전극 패드의 간격이 좁아질 경우 전기적 단락(short) 발생 가능성이 높아져 보통 패드 사이의 최소 간격이 50 ㎛ 이상인 경우에 사용되고 있다.The soldering method has the advantage of being easy to pattern through screen printing and having good environmental reliability for electrical bonding. On the other hand, it is difficult to print precisely using screen printing, and if the gap between the LED electrode pad and the electrode pad of the wiring board becomes narrow, the possibility of an electrical short circuit increases, so it is usually used when the minimum gap between the pads is 50 ㎛ or more.
이에 따라 ACP(anistropic conductive paste) 등 전도성 입자를 포함한 액상 소재를 인쇄하여 전기 접속 방법이 이용되고 있다. 이 방법은 패드 사이의 간격이 좁은 경우에도 큰 문제 없이 전기적 연결이 가능하다.Accordingly, an electrical connection method is being used by printing a liquid material containing conductive particles such as anistropic conductive paste (ACP). This method enables electrical connection without major problems even when the gap between pads is narrow.
마이크로 LED와 같이 소자가 50 ㎛ 이하의 크기를 가지는 경우 ACP와 같이 랜덤성에 기인한 전기적 접촉이 어렵고 ICP(immovable conductive paste) 등 전도성 입자를 일정 영역에 고정 배치시키는 방법을 이용할 수 있다.In cases where the device has a size of 50 ㎛ or less, such as a micro LED, electrical contact due to randomness, such as with ACP, is difficult, and a method of fixing conductive particles, such as ICP (immovable conductive paste), to a certain area can be used.
전도성 입자를 이용하여 전기적 접속을 가하는 경우, 전도성 입자가 폴리머 레진에 의해 고정되는 구조를 가지고 있어, 이후에 이루어지는 고열 공정에 따른 수축, 팽창에 따라 서로 다른 물질의 계면 간의 박리가 발생할 수 있다.When electrical connection is made using conductive particles, since the conductive particles have a structure in which they are fixed by polymer resin, peeling between the interfaces of different materials may occur due to shrinkage and expansion during the subsequent high-temperature process.
따라서, 전도성 입자를 이용하여 전기적 접속을 이룬 후에 대략 260도 정도의 온도로 열처리 과정이 수행되는 경우, 전도성 입자가 전극 패드로부터 분리되는 상황이 발생할 수 있다.Therefore, when a heat treatment process is performed at a temperature of approximately 260 degrees after an electrical connection is made using conductive particles, a situation may occur in which the conductive particles are separated from the electrode pad.
따라서, 이러한 문제점을 해결하기 위한 방안이 요구된다.Therefore, a solution to solve these problems is required.
본 발명의 해결하고자 하는 기술적 과제는, 전도성 입자를 이용하여 발광 소자와 전극 패드 사이에 전기적 연결을 형성한 이후 고온 열충격 등에 의한 신뢰성을 향상시킬 수 있는 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 제공하고자 한다.The technical problem to be solved by the present invention is to provide a display device using a light-emitting element capable of improving reliability against high-temperature thermal shock, etc., after forming an electrical connection between the light-emitting element and the electrode pad using conductive particles.
구체적으로, 전도성 입자를 이용하여 전기적 접속을 이룬 후에 열처리 과정이 수행되는 경우에도 전도성 입자가 전극 패드로부터 분리되는 상황이 발생하지 않고, 신뢰성 높은 안정적인 전기적 연결을 이룰 수 있는 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치를 제공하고자 한다.Specifically, the present invention aims to provide a display device using a light-emitting element capable of forming a reliable and stable electrical connection without causing the conductive particles to become separated from the electrode pad even when a heat treatment process is performed after forming an electrical connection using conductive particles.
나아가, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 여기에서 언급하지 않은 추가적인 기술적 과제들도 있을 수 있음을 당업자는 명세서 및 도면의 전 취지를 통해 이해할 수 있을 것이다.Furthermore, those skilled in the art will understand from the entire scope of the specification and drawings that according to other embodiments of the present invention, there may be additional technical problems not mentioned herein.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 제1관점으로서, 본 발명은, 배선 기판; 단위 서브픽셀 영역을 정의하고 상기 배선 기판 상에 배열되어 단위 서브픽셀을 이루는 단위 금속 패드; 반도체층 상에 위치한 제1 형 전극이 상기 단위 금속 패드 상에 제1 전도성 입자들에 의하여 전기적으로 연결되는 발광 소자; 및 상기 배선 기판과 상기 단위 금속 패드 사이에 위치하고, 상기 제1 전도성 입자에 의하여 가해지는 압력에 의하여 상기 금속 패드와 상기 제1 전도성 입자 사이의 접촉 면적을 증가시키는 제1 압력 수용층을 포함하여 구성될 수 있다.As a first viewpoint for achieving the above technical task, the present invention may be configured to include: a wiring board; a unit metal pad defining a unit subpixel area and arranged on the wiring board to form a unit subpixel; a light emitting element in which a first type electrode positioned on a semiconductor layer is electrically connected to the unit metal pad by first conductive particles; and a first pressure receiving layer positioned between the wiring board and the unit metal pad and increasing a contact area between the metal pad and the first conductive particle by pressure applied by the first conductive particle.
예시적인 실시예로서, 상기 제1 압력 수용층은 상기 금속 패드 및 상기 배선 기판 중 적어도 어느 하나보다 영률이 작을 수 있다.As an exemplary embodiment, the first pressure-bearing layer may have a modulus lower than at least one of the metal pad and the wiring substrate.
예시적인 실시예로서, 상기 제1 압력 수용층은 상기 제1 전도성 입자보다 크기가 작은 제2 전도성 입자를 포함할 수 있다.As an exemplary embodiment, the first pressure-bearing layer may include second conductive particles having a smaller size than the first conductive particles.
예시적인 실시예로서, 상기 제1 압력 수용층은 상기 개별 제1 전도성 입자 사이에 위치하는 돌기 형상을 가질 수 있다.As an exemplary embodiment, the first pressure-bearing layer may have a protrusion shape positioned between the individual first conductive particles.
예시적인 실시예로서, 상기 발광 소자의 반도체층과 제1 형 전극 사이에는 제2 압력 수용층이 위치할 수 있다.As an exemplary embodiment, a second pressure-receiving layer may be positioned between the semiconductor layer of the light-emitting element and the first type electrode.
예시적인 실시예로서, 상기 제2 압력 수용층은 상기 제1 형 전극에 의하여 덮일 수 있다.As an exemplary embodiment, the second pressure-bearing layer may be covered by the first type electrode.
예시적인 실시예로서, 상기 제2 압력 수용층은 상기 제1 전도성 입자보다 크기가 작은 제3 전도성 입자를 포함할 수 있다.As an exemplary embodiment, the second pressure-bearing layer may include third conductive particles that are smaller in size than the first conductive particles.
예시적인 실시예로서, 상기 제2 압력 수용층은 개별 전도성 입자 사이에 위치하는 돌기 형상을 가질 수 있다.As an exemplary embodiment, the second pressure-bearing layer may have a protrusion shape positioned between individual conductive particles.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 제2관점으로서, 본 발명은, 배선 기판; 상기 배선 기판 상에 배열되는 단위 금속 패드; 및 상기 단위 금속 패드와 제1 전도성 입자에 의하여 전기적으로 연결되는 단위 패키지를 포함하고, 상기 단위 패키지는, 적어도 하나 이상의 전극 패드; 상기 전극 패드 상에 위치하는 압력 수용층; 상기 압력 수용층 상에 위치하는 소자 구조; 및 상기 압력 수용층을 관통하여 상기 전극 패드와 상기 소자 구조와 연결되는 관통 전극을 포함하고, 상기 압력 수용층은 상기 제1 전도성 입자에 의하여 가해지는 압력에 의하여 상기 전극 패드와 상기 제1 전도성 입자 사이의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다.As a second viewpoint for achieving the above technical task, the present invention comprises: a wiring board; unit metal pads arranged on the wiring board; and a unit package electrically connected to the unit metal pads by first conductive particles, wherein the unit package comprises: at least one electrode pad; a pressure-receiving layer positioned on the electrode pad; a device structure positioned on the pressure-receiving layer; and a through electrode penetrating the pressure-receiving layer and connected to the electrode pads and the device structure, wherein the pressure-receiving layer can increase a contact area between the electrode pads and the first conductive particles by pressure applied by the first conductive particles.
예시적인 실시예로서, 상기 소자 구조는, 상기 관통 전극과 연결되는 연결 패드; 및 상기 연결 패드에 연결되는 발광 소자를 포함할 수 있다.As an exemplary embodiment, the element structure may include a connection pad connected to the through-hole electrode; and a light-emitting element connected to the connection pad.
예시적인 실시예로서, 상기 발광 소자의 전극은 상기 연결 패드와 제2 전도성 입자에 의하여 연결될 수 있다.As an exemplary embodiment, the electrode of the light-emitting element may be connected to the connecting pad by a second conductive particle.
예시적인 실시예로서, 상기 소자 구조는 상기 관통 전극에 연결되는 집적 회로 칩을 포함할 수 있다.As an exemplary embodiment, the device structure may include an integrated circuit chip connected to the through-hole electrode.
예시적인 실시예로서, 상기 압력 수용층은 상기 전극 패드 및 상기 배선 기판 중 적어도 어느 하나보다 영률이 작을 수 있다.As an exemplary embodiment, the pressure-receiving layer may have a Young's modulus lower than at least one of the electrode pad and the wiring substrate.
먼저, 본 발명의 실시예에 의하면, 전도성 입자를 이용하여 발광 소자와 전극 패드 사이에 전기적 연결을 형성한 이후 고온 열충격 등에 의한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.First, according to an embodiment of the present invention, by forming an electrical connection between a light-emitting element and an electrode pad using conductive particles, reliability against high-temperature thermal shock, etc. can be improved.
즉, 발광 소자와 전극 패드 사이에 신뢰성 높은 안정적인 전기적 연결을 확보할 수 있다.That is, a reliable and stable electrical connection can be secured between the light-emitting element and the electrode pad.
구체적으로, 전도성 입자를 이용하여 전기적 접속을 이룬 후에 대략 260도 정도의 온도로 열처리 과정이 수행되는 경우에도 전도성 입자가 전극 패드로부터 분리되는 상황이 발생하지 않고, 신뢰성 높은 안정적인 전기적 연결을 이룰 수 있다.Specifically, even when a heat treatment process is performed at a temperature of approximately 260 degrees after an electrical connection is made using conductive particles, the conductive particles do not become separated from the electrode pad, and a reliable and stable electrical connection can be made.
나아가, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 여기에서 언급하지 않은 추가적인 기술적 효과들도 있다. 당업자는 명세서 및 도면의 전취지를 통해 이해할 수 있다.Furthermore, according to another embodiment of the present invention, there are additional technical effects not mentioned herein. Those skilled in the art can understand this through the entire purpose of the specification and drawings.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 단위 픽셀을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 A 부분의 확대도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 단위 서브픽셀을 나타내는 확대도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 단위 서브픽셀을 나타내는 확대도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 제2 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 단위 픽셀을 나타내는 단면도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 제3 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 단위 픽셀을 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제4 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 단위 픽셀을 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제1 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 단위 픽셀을 나타내는 사진이다.FIG. 1 is a cross-sectional view showing a unit pixel of a display device using a light-emitting element according to the first embodiment of the present invention.
Figure 2 is an enlarged view of part A of Figure 1.
FIG. 3 is an enlarged view showing a unit subpixel of a display device using a light-emitting element according to one embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an enlarged view showing a unit subpixel of a display device using a light-emitting element according to another embodiment of the present invention.
FIGS. 5 and 6 are cross-sectional views showing unit pixels of a display device using a light-emitting element according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 7 and FIG. 8 are cross-sectional views showing unit pixels of a display device using a light-emitting element according to a third embodiment of the present invention.
Fig. 9 is a cross-sectional view showing a unit pixel of a display device using a light-emitting element according to the fourth embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a photograph showing a unit pixel of a display device using a light-emitting element according to the first embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.Hereinafter, embodiments disclosed in this specification will be described in detail with reference to the attached drawings. Regardless of the drawing symbols, identical or similar components will be given the same reference numerals and redundant descriptions thereof will be omitted. The suffixes "module" and "part" used for components in the following description are assigned or used interchangeably only for the convenience of writing the specification, and do not have distinct meanings or roles in themselves. In addition, when describing the embodiments disclosed in this specification, if it is determined that a specific description of a related known technology may obscure the gist of the embodiments disclosed in this specification, a detailed description thereof will be omitted. In addition, it should be noted that the attached drawings are only intended to facilitate easy understanding of the embodiments disclosed in this specification, and that the technical ideas disclosed in this specification should not be construed as being limited by the attached drawings.
나아가, 설명의 편의를 위해 각각의 도면에 대해 설명하고 있으나, 당업자가 적어도 2개 이상의 도면을 결합하여 다른 실시예를 구현하는 것도 본 발명의 권리범위에 속한다.Furthermore, although each drawing is described for convenience of explanation, it is also within the scope of the present invention for a person skilled in the art to implement another embodiment by combining at least two or more drawings.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. Additionally, when an element such as a layer, region or substrate is referred to as existing "on" another element, it will be understood that this may be directly on the other element, or that there may be intermediate elements in between.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치는 단위 화소 또는 단위 화소의 집합으로 정보를 표시하는 모든 디스플레이 장치를 포함하는 개념이다. 따라서 완성품에 한정하지 않고 부품에도 적용될 수 있다. 예를 들어 디지털 TV의 일 부품에 해당하는 패널도 독자적으로 본 명세서 상의 디스플레이 장치에 해당한다. 완성품으로는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크 탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. The display device described in this specification is a concept that includes all display devices that display information as a unit pixel or a set of unit pixels. Therefore, it can be applied not only to finished products but also to components. For example, a panel corresponding to a component of a digital TV also independently corresponds to a display device in this specification. Finished products can include mobile phones, smart phones, laptop computers, digital broadcasting terminals, personal digital assistants (PDAs), portable multimedia players (PMPs), navigation, slate PCs, tablet PCs, Ultra Books, digital TVs, desktop computers, etc.
그러나, 본 명세서에 기재된 실시예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품 형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술 분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.However, those skilled in the art will readily recognize that the configuration according to the embodiments described herein may be applied to devices capable of displaying, even if they are new product types developed in the future.
또한, 당해 명세서에서 언급된 반도체 발광 소자는 LED, 마이크로 LED 등을 포함하는 개념이며, 혼용되어 사용될 수 있다.In addition, the semiconductor light-emitting device mentioned in the specification is a concept that includes LED, micro LED, etc., and can be used interchangeably.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 단위 픽셀을 나타내는 단면도이다. 또한, 도 2는 도 1의 A 부분의 확대도이다.Fig. 1 is a cross-sectional view showing a unit pixel of a display device using a light-emitting element according to the first embodiment of the present invention. In addition, Fig. 2 is an enlarged view of part A of Fig. 1.
도 1을 참조하면, 배선 기판(100) 상에 단위 픽셀(300)을 이루는 발광 소자(310, 320, 330)들이 설치된 디스플레이 장치(10)를 도시하고 있다. 일례로, 단위 픽셀(300)을 이루는 발광 소자(310, 320, 330)는 제1 발광 소자(310), 제2 발광 소자(320) 및 제3 발광 소자(330)를 포함할 수 있다. 일례로, 제1 발광 소자(310)는 적색 광을 발광하는 적색 발광 소자(310)일 수 있고, 제2 발광 소자(320)는 녹색 광을 발광하는 녹색 발광 소자(320)일 수 있고, 또한, 제3 발광 소자(330)는 청색 광을 발광하는 청색 발광 소자(330)일 수 있다. 이러한 발광 소자 사이에는 평탄화를 위한 절연층(400)이 위치할 수 있다.Referring to FIG. 1, a display device (10) is illustrated in which light-emitting elements (310, 320, 330) forming a unit pixel (300) are installed on a wiring board (100). For example, the light-emitting elements (310, 320, 330) forming a unit pixel (300) may include a first light-emitting element (310), a second light-emitting element (320), and a third light-emitting element (330). For example, the first light-emitting element (310) may be a red light-emitting element (310) that emits red light, the second light-emitting element (320) may be a green light-emitting element (320) that emits green light, and further, the third light-emitting element (330) may be a blue light-emitting element (330) that emits blue light. An insulating layer (400) for planarization may be positioned between these light-emitting elements.
배선 기판(100)은 기판(110) 상에 다수의 배선 전극(도시되지 않음) 들이 구획되어 위치할 수 있다. 여기서 배선 전극은 데이터 전극(픽셀 전극)과 스캔 전극(공통 전극)을 포함할 수 있다. 이러한 배선 선극은 금속 패드(121, 122)와 각각 연결될 수 있다. 따라서, 금속 패드(121, 122)와 배선 전극(121, 122)은 동일한 도면 부호를 이용하여 설명할 수 있다.The wiring board (100) may have a plurality of wiring electrodes (not shown) positioned on the board (110). Here, the wiring electrodes may include data electrodes (pixel electrodes) and scan electrodes (common electrodes). These wiring electrodes may be connected to metal pads (121, 122), respectively. Accordingly, the metal pads (121, 122) and the wiring electrodes (121, 122) may be described using the same drawing symbols.
위에서 설명한 바와 같이, 세 개의 발광 소자(310, 320, 330)가 단위 픽셀(300)을 이룰 수 있다. 도 1에서는 하나의 단위 픽셀(300)을 나타내고 있으나, 이러한 단위 픽셀(300)은 배선 기판(100) 상에 반복되어 구비될 수 있다. 이때, 하나의 발광 소자는 단위 서브픽셀을 이룰 수 있다. 도 1에서는 발광 소자(310, 320, 330)들이 플립칩 본딩되어 설치된 상태를 도시하고 있다.As described above, three light-emitting elements (310, 320, 330) can form a unit pixel (300). Although FIG. 1 shows one unit pixel (300), such unit pixels (300) can be repeatedly provided on a wiring board (100). At this time, one light-emitting element can form a unit sub-pixel. FIG. 1 shows a state in which light-emitting elements (310, 320, 330) are installed by flip-chip bonding.
기판(110) 상에는 배선 전극에 연결된 금속 패드(120; 121, 122)가 쌍을 이루어 위치할 수 있다. 도 1에서 금속 패드(120; 121, 122)의 형상은 단순화되어 도시되어 있을 수 있다. 이러한 금속 패드(121, 122) 상에는 발광 소자(310, 320, 330)의 제1 형 전극(332; 도 2 참조)이 전도성 입자(500; 이하, 제1 전도성 입자)에 의하여 전기적으로 접속될 수 있다.On the substrate (110), metal pads (120; 121, 122) connected to the wiring electrodes may be positioned in pairs. In Fig. 1, the shapes of the metal pads (120; 121, 122) may be illustrated in a simplified manner. On these metal pads (121, 122), a first type electrode (332; see Fig. 2) of a light-emitting element (310, 320, 330) may be electrically connected by conductive particles (500; hereinafter, first conductive particles).
이때, 단위 금속 패드(120)는 단위 서브픽셀 영역을 정의하고, 배선 기판(100) 상에 배열되어 단위 서브픽셀을 정의할 수 있다.At this time, the unit metal pad (120) defines a unit subpixel area and can be arranged on the wiring board (100) to define a unit subpixel.
여기서, 제1 전도성 입자(500)는 마이크로미터(㎛) 단위의 크기를 가질 수 있다. 따라서, 제1 전도성 입자(500)는 마이크로 전도성 입자 또는 도전볼이라고 칭할 수도 있다. 이러한 제1 전도성 입자(500)는 금속 패드(121, 122)와 발광 소자(310, 320, 330) 사이에 전기적인 접속부를 이룰 수 있다. 일례로, 전도성 입자(500)는 접속부를 이루기 전에 금속 패드(121, 122)와 발광 소자(310, 320, 330) 사이에 도포되고, 이후 금속 패드(121, 122)와 발광 소자(310, 320, 330)의 합착 과정에 의하여 변형되어 접속부(B, C)를 이루게 된다. 즉, 전도성 입자(500)는 금속 패드(121, 122)와 발광 소자(310, 320, 330)의 합착 과정에 의하여 변형되어 금속 패드(121, 122)와 발광 소자(310, 320, 330) 사이를 전기적으로 연결할 수 있다.Here, the first conductive particle (500) may have a size in the unit of micrometers (㎛). Therefore, the first conductive particle (500) may also be called a micro conductive particle or a conductive ball. The first conductive particle (500) may form an electrical connection between the metal pad (121, 122) and the light-emitting element (310, 320, 330). For example, the conductive particle (500) is applied between the metal pad (121, 122) and the light-emitting element (310, 320, 330) before forming the connection, and is then deformed by the bonding process of the metal pad (121, 122) and the light-emitting element (310, 320, 330) to form the connection (B, C). That is, the conductive particles (500) are deformed by the bonding process of the metal pads (121, 122) and the light-emitting elements (310, 320, 330) and can electrically connect the metal pads (121, 122) and the light-emitting elements (310, 320, 330).
도 2를 참조하면, 이와 같이, 전도성을 가지지 않는 상태로 제1 전도성 입자(500)가 금속 패드(120; 121, 122) 상에 도포되고 발광 소자(일례로, 제3 발광 소자; 330)가 위치한 상태에서 압력이 가해져서 제1 전도성 입자(500)가 변형되어 전도성을 가지게 되면서 접속부(B, C)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 2, in this way, when the first conductive particle (500) is applied on a metal pad (120; 121, 122) while not being conductive and a light-emitting element (for example, a third light-emitting element; 330) is positioned, pressure is applied so that the first conductive particle (500) is deformed and becomes conductive, thereby forming a connection portion (B, C).
이때, 배선 기판(100, 또는 기판(110))과 단위 금속 패드(120; 121, 122) 사이에는 제1 전도성 입자(500)에 의하여 가해지는 압력에 의하여 금속 패드(120; 121, 122)와 제1 전도성 입자(500) 사이의 접촉 면적을 증가시키는 제1 압력 수용층(200)이 위치할 수 있다.At this time, a first pressure-receiving layer (200) that increases the contact area between the metal pad (120; 121, 122) and the first conductive particle (500) by the pressure applied by the first conductive particle (500) may be positioned between the wiring board (100, or board (110)) and the unit metal pad (120; 121, 122).
한편, 예시적인 실시예로서, 발광 소자(310, 320, 330)의 반도체층과 제1 형 전극(332) 사이에는 제2 압력 수용층(331)이 위치할 수 있다.Meanwhile, as an exemplary embodiment, a second pressure receiving layer (331) may be positioned between the semiconductor layer of the light emitting element (310, 320, 330) and the first type electrode (332).
이러한 제2 압력 수용층(331)은 적어도 두 개소로 분리되어 구비될 수 있다. 이러한 분리된 제2 압력 수용층(331)의 위치는 제1 전도성 입자(500)의 위치에 대응될 수 있다.This second pressure-receiving layer (331) may be provided in at least two separate locations. The location of this separated second pressure-receiving layer (331) may correspond to the location of the first conductive particle (500).
제2 압력 수용층(331)은 제1 형 전극(332)에 의하여 덮인 상태로 위치할 수 있다. 구체적으로, 제2 압력 수용층(331)은 반도체층(330)에 접촉하여 위치할 수 있고, 제1 형 전극(332)이 이러한 제2 압력 수용층(331)을 덮으면서 반도체층(330; 제3 발광 소자)과 접촉하여 위치할 수 있다.The second pressure-receiving layer (331) may be positioned in a state in which it is covered by the first type electrode (332). Specifically, the second pressure-receiving layer (331) may be positioned in contact with the semiconductor layer (330), and the first type electrode (332) may be positioned in contact with the semiconductor layer (330; third light-emitting element) while covering the second pressure-receiving layer (331).
도 2를 참조하면, 기판(110)과 금속 패드(122) 사이에 제1 압력 수용층(200)이 위치하고, 이러한 금속 패드(122)와 제3 발광 소자(330)의 제1 형 전극(332) 사이에 제1 전도성 입자(500)가 변형되어 전도성을 가지는 상태로 위치하는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 2, it can be seen that a first pressure-receiving layer (200) is positioned between a substrate (110) and a metal pad (122), and a first conductive particle (500) is positioned between the metal pad (122) and a first type electrode (332) of a third light-emitting element (330) in a state of being deformed and having conductivity.
또한, 반도체층(330; 제3 발광 소자)의 하면 상에 제2 압력 수용층(331)이 위치하고, 이러한 제2 압력 수용층(331)을 덮는 제1 형 전극(332)과 금속 패드(122) 사이에 제1 전도성 입자(500)가 변형되어 전도성을 가지는 상태로 위치하는 것을 알 수 있다.In addition, it can be seen that a second pressure-receiving layer (331) is positioned on the lower surface of the semiconductor layer (330; third light-emitting element), and that the first conductive particle (500) is positioned in a state of being deformed and having conductivity between the first type electrode (332) covering the second pressure-receiving layer (331) and the metal pad (122).
이러한 제1 압력 수용층(200) 및 제2 압력 수용층(331)은 금속 패드(120; 121, 122) 및 배선 기판(100, 또는 기판(110)) 중 적어도 어느 하나보다 영률이 작을 수 있다.The first pressure-bearing layer (200) and the second pressure-bearing layer (331) may have a lower Young's modulus than at least one of the metal pad (120; 121, 122) and the wiring board (100, or board (110)).
한편, 금속 패드(120; 121, 122)는 열적 변형이 상대적으로 작은 특성을 가지며 대략 5 ㎛ 이하의 두께(t)를 가질 수 있다. 이러한 얇은 두께로 인해 압력에 의하여 형태가 변형될 수 있다. 또한, 제1 압력 수용층(200)의 존재에 의하여 형태가 더 크게 변화하여 제1 전도성 입자(500)와 접촉하는 면적이 증가할 수 있다(접속부; C).Meanwhile, the metal pad (120; 121, 122) has a characteristic of relatively small thermal deformation and may have a thickness (t) of approximately 5 ㎛ or less. Due to this thin thickness, the shape may be deformed by pressure. In addition, due to the presence of the first pressure-receiving layer (200), the shape may change more significantly, thereby increasing the area in contact with the first conductive particle (500) (connection portion; C).
또한, 제2 압력 수용층(331)의 존재에 의하여 제1 형 전극(332)와 제1 전도성 입자(500) 사이에서 접촉하는 면적이 증가할 수 있다(접속부; B).Additionally, the contact area between the first type electrode (332) and the first conductive particle (500) can increase due to the presence of the second pressure-receiving layer (331) (connection portion; B).
이와 같이, 도 2를 참조하면, 이러한 제2 압력 수용층(331)은 제1 형 전극(332)에 의하여 덮일 수 있다. 또한, 제2 압력 수용층(331)은 제1 전도성 입자(500)와 대응하는 형상(접속부; B)을 가질 수 있다.As such, referring to FIG. 2, the second pressure-receiving layer (331) may be covered by the first type electrode (332). In addition, the second pressure-receiving layer (331) may have a shape (connection portion; B) corresponding to the first conductive particle (500).
이와 같이, 제1 압력 수용층(200)은 제1 전도성 입자(500)를 이용한 전기적 접속 과정에서 인가되는 압력을 수용하여 금속 패드(120)의 형상이 제1 전도성 입자(500) 사이의 접촉 면적을 증가하도록 변형될 수 있다. 또한, 제2 압력 수용층(331)은 제1 전도성 입자(500)를 이용한 전기적 접속 과정에서 인가되는 압력을 수용하여 제1 형 전극(332)의 형상이 제1 전도성 입자(500) 사이의 접촉 면적을 증가하도록 변형될 수 있다. In this way, the first pressure-receiving layer (200) can receive the pressure applied during the electrical connection process using the first conductive particles (500) and the shape of the metal pad (120) can be deformed to increase the contact area between the first conductive particles (500). In addition, the second pressure-receiving layer (331) can receive the pressure applied during the electrical connection process using the first conductive particles (500) and the shape of the first type electrode (332) can be deformed to increase the contact area between the first conductive particles (500).
따라서, 제1 압력 수용층(200) 및 제2 압력 수용층(331)은 압력 완화층이라고 칭할 수도 있다. 이하, 압력 수용층은 압력 완화층과 혼용되어 설명될 수 있다.Accordingly, the first pressure-receiving layer (200) and the second pressure-receiving layer (331) may also be referred to as pressure relief layers. Hereinafter, the pressure-receiving layer may be described interchangeably with the pressure relief layer.
이러한 제1 압력 수용층(200) 및 제2 압력 수용층(331) 중 적어도 어느 하나는 300 nm 이상의 두께를 가질 수 있다. 또한, 제1 압력 수용층(200) 및 제2 압력 수용층(331)은 금속 대비 압력과 열팽창에 의한 변화가 큰 에폭시(epoxy), 아크릴(acryl), PI(poly imide) 등의 폴리머 계열의 소재를 포함할 수 있다. 일례로, 제1 압력 수용층(200) 및 제2 압력 수용층(331)은 위와 같은 폴리머 계열의 소재로 형성될 수 있다. 이때, 이러한 폴리머 계열 소재의 영률(Young's modulus)은 1000 kg/cm2 이하 수준일 수 있다.At least one of the first pressure-receiving layer (200) and the second pressure-receiving layer (331) may have a thickness of 300 nm or more. In addition, the first pressure-receiving layer (200) and the second pressure-receiving layer (331) may include a polymer-based material, such as epoxy, acryl, or PI (poly imide), which exhibits a large change due to pressure and thermal expansion compared to metal. For example, the first pressure-receiving layer (200) and the second pressure-receiving layer (331) may be formed of the polymer-based material as described above. In this case, the Young's modulus of the polymer-based material may be 1000 kg/cm 2 or less.
제1 압력 수용층(200) 및 제2 압력 수용층(331)의 영률(응력 대비 형태 변형비)은 금속 패드(120; 121, 122) 또는 제1 형 전극(332) 대비 10배 이상 차이가 있을 수 있다. 즉, 제1 압력 수용층(200)의 영률은 금속 패드(120; 121, 122) 대비 1/10 배 또는 그보다 작을 수 있다. 또한, 제2 압력 수용층(331)의 영률은 제1 형 전극(332) 대비 1/10 배 또는 그보다 작을 수 있다. The Young's modulus (stress-to-shape deformation ratio) of the first pressure-receiving layer (200) and the second pressure-receiving layer (331) may differ by at least 10 times compared to the metal pad (120; 121, 122) or the first type electrode (332). That is, the Young's modulus of the first pressure-receiving layer (200) may be 1/10 times or smaller than that of the metal pad (120; 121, 122). In addition, the Young's modulus of the second pressure-receiving layer (331) may be 1/10 times or smaller than that of the first type electrode (332).
이러한 압력 수용층(200, 331)의 구체적인 예와 효과에 대해서는 자세히 후술한다.Specific examples and effects of these pressure-bearing layers (200, 331) will be described in detail later.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 단위 서브픽셀을 나타내는 확대도이다. FIG. 3 is an enlarged view showing a unit subpixel of a display device using a light-emitting element according to one embodiment of the present invention.
도 3은 도 2에 대응되는 부분을 나타내고, 본 발명의 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 단위 픽셀 내부의 서브 픽셀을 나타내고 있다.FIG. 3 shows a portion corresponding to FIG. 2, and shows a sub-pixel inside a unit pixel of a display device using a light-emitting element according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 이와 같이, 전도성을 가지지 않는 상태로 제1 전도성 입자(500)가 금속 패드(122) 상에 도포되고 발광 소자(일례로, 제3 발광 소자; 330)가 위치한 상태에서 압력이 가해져서 제1 전도성 입자(500)가 변형되어 전도성을 가지게 되면서 접속부(B, C)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 3, in this way, when the first conductive particle (500) is applied on the metal pad (122) in a non-conductive state and a light-emitting element (e.g., a third light-emitting element; 330) is positioned, pressure is applied so that the first conductive particle (500) is deformed and becomes conductive, thereby forming a connection portion (B, C).
이때, 배선 기판(100, 또는 기판(110))과 단위 금속 패드(122) 사이에는 제1 전도성 입자(500)에 의하여 가해지는 압력에 의하여 금속 패드(122)와 제1 전도성 입자(500) 사이의 접촉 면적을 증가시키는 제1 압력 수용층(210)이 위치할 수 있다.At this time, a first pressure-receiving layer (210) that increases the contact area between the metal pad (122) and the first conductive particle (500) by the pressure applied by the first conductive particle (500) may be positioned between the wiring board (100, or board (110)) and the unit metal pad (122).
예시적인 실시예로서, 제1 압력 수용층(210)은 제1 전도성 입자(500)보다 크기가 작은 제2 전도성 입자(211)를 포함할 수 있다. 이러한 제2 전도성 입자(211)는 금속 입자 또는 전도성 폴리머 패턴 중 적어도 어느 하나를 이용할 수 있다. 이와 같은 제2 전도성 입자(211)를 포함하는 제1 압력 수용층(210)으로 인하여 제1 전도성 입자(500)에 의한 전기적 접속 확률을 더 증가시킬 수 있다.As an exemplary embodiment, the first pressure-receiving layer (210) may include second conductive particles (211) smaller in size than the first conductive particles (500). The second conductive particles (211) may utilize at least one of metal particles or conductive polymer patterns. The first pressure-receiving layer (210) including the second conductive particles (211) may further increase the probability of electrical connection by the first conductive particles (500).
한편, 예시적인 실시예로서, 발광 소자(310, 320, 330)의 반도체층과 제1 형 전극(332) 사이에는 제2 압력 수용층(333)이 위치할 수 있다.Meanwhile, as an exemplary embodiment, a second pressure receiving layer (333) may be positioned between the semiconductor layer of the light emitting element (310, 320, 330) and the first type electrode (332).
이러한 제2 압력 수용층(333)은 제1 형 전극(334)에 의하여 덮인 상태로 위치할 수 있다. 구체적으로, 제2 압력 수용층(333)은 반도체층(330)에 접촉하여 위치할 수 있고, 제1 형 전극(334)이 이러한 제2 압력 수용층(333)을 덮도록 위치할 수 있다.This second pressure-receiving layer (333) may be positioned so as to be covered by the first type electrode (334). Specifically, the second pressure-receiving layer (333) may be positioned in contact with the semiconductor layer (330), and the first type electrode (334) may be positioned so as to cover this second pressure-receiving layer (333).
본 실시예에 의하면, 제2 압력 수용층(333은 제1 전도성 입자(500)보다 크기가 작은 제3 전도성 입자(333a)를 포함할 수 있다. 이러한 제3 전도성 입자(333a)는 금속 입자 또는 전도성 폴리머 패턴 중 적어도 어느 하나를 이용할 수 있다. 이와 같은 제3 전도성 입자(333a)를 포함하는 제2 압력 수용층(333)으로 인하여 제1 전도성 입자(500)에 의한 전기적 접속 확률을 더 증가시킬 수 있다.According to the present embodiment, the second pressure-receiving layer (333) may include third conductive particles (333a) smaller in size than the first conductive particles (500). The third conductive particles (333a) may utilize at least one of metal particles or conductive polymer patterns. Due to the second pressure-receiving layer (333) including the third conductive particles (333a), the probability of electrical connection by the first conductive particles (500) may be further increased.
도 3을 참조하면, 기판(110)과 금속 패드(122) 사이에 제1 압력 수용층(210)이 위치하고, 이러한 금속 패드(122)와 제3 발광 소자(330)의 제1 형 전극(334) 사이에 제1 전도성 입자(500)가 변형되어 전도성을 가지는 상태로 위치하는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 3, it can be seen that a first pressure-receiving layer (210) is positioned between a substrate (110) and a metal pad (122), and a first conductive particle (500) is positioned between the metal pad (122) and a first type electrode (334) of a third light-emitting element (330) in a state of being deformed and having conductivity.
또한, 반도체층(330; 제3 발광 소자)의 하면 상에 제2 압력 수용층(333)이 위치하고, 이러한 제2 압력 수용층(333)을 덮는 제1 형 전극(334)과 금속 패드(122) 사이에 제1 전도성 입자(500)가 변형되어 전도성을 가지는 상태로 위치하는 것을 알 수 있다.In addition, it can be seen that a second pressure-receiving layer (333) is positioned on the lower surface of the semiconductor layer (330; third light-emitting element), and that the first conductive particle (500) is positioned in a state of being deformed and having conductivity between the first type electrode (334) covering the second pressure-receiving layer (333) and the metal pad (122).
그 외의 사항은 위에서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 사항과 동일할 수 있으며, 따라서 중복되는 설명은 생략한다.Other details may be the same as those described above with reference to Figures 1 and 2, and therefore, redundant descriptions are omitted.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 단위 서브픽셀을 나타내는 확대도이다.FIG. 4 is an enlarged view showing a unit subpixel of a display device using a light-emitting element according to another embodiment of the present invention.
도 4는 도 2에 대응되는 부분을 나타내고, 본 발명의 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 단위 픽셀 내부의 서브 픽셀을 나타내고 있다.FIG. 4 shows a portion corresponding to FIG. 2, and shows a sub-pixel inside a unit pixel of a display device using a light-emitting element according to an embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 이와 같이, 전도성을 가지지 않는 상태로 제1 전도성 입자(500)가 금속 패드(123) 상에 도포되고 발광 소자(일례로, 제3 발광 소자; 330)가 위치한 상태에서 압력이 가해져서 제1 전도성 입자(500)가 변형되어 전도성을 가지게 되면서 접속부(D, E)를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 4, in this way, when the first conductive particle (500) is applied on the metal pad (123) in a non-conductive state and a light-emitting element (e.g., a third light-emitting element; 330) is positioned, pressure is applied so that the first conductive particle (500) is deformed and becomes conductive, thereby forming a connection portion (D, E).
이때, 배선 기판(100, 또는 기판(110))과 단위 금속 패드(123) 사이에는 제1 전도성 입자(500)에 의하여 가해지는 압력에 의하여 금속 패드(123)와 제1 전도성 입자(500) 사이의 접촉 면적을 증가시키는 제1 압력 수용층(220)이 위치할 수 있다.At this time, a first pressure-receiving layer (220) that increases the contact area between the metal pad (123) and the first conductive particle (500) by the pressure applied by the first conductive particle (500) may be positioned between the wiring board (100, or board (110)) and the unit metal pad (123).
예시적인 실시예로서, 제1 압력 수용층(220)은 개별 전도성 입자(500) 사이에 위치하는 돌기 형상을 가질 수 있다. 이와 같이, 돌기 형상을 가지는 제1 압력 수용층(220)이 분할되어 기판(110) 상에 위치할 수 있다. 이러한 상태에서 압력이 가해지면 이러한 돌기 형상을 가지는 제1 압력 수용층(220) 사이로 제1 전도성 입자(500)가 위치할 수 있다. 이에 따라 접속부(E) 형상이 형성될 수 있다.As an exemplary embodiment, the first pressure-receiving layer (220) may have a protrusion shape positioned between individual conductive particles (500). In this way, the first pressure-receiving layer (220) having the protrusion shape may be divided and positioned on the substrate (110). When pressure is applied in this state, the first conductive particles (500) may be positioned between the first pressure-receiving layers (220) having the protrusion shape. Accordingly, a connection portion (E) shape may be formed.
한편, 예시적인 실시예로서, 발광 소자(310, 320, 330)의 반도체층과 제1 형 전극(332) 사이에는 제2 압력 수용층(335)이 위치할 수 있다.Meanwhile, as an exemplary embodiment, a second pressure receiving layer (335) may be positioned between the semiconductor layer of the light emitting element (310, 320, 330) and the first type electrode (332).
이러한 제2 압력 수용층(335)은 제1 형 전극(336)에 의하여 덮인 상태로 위치할 수 있다. 구체적으로, 제2 압력 수용층(335)은 반도체층(330)에 접촉하여 위치할 수 있고, 제1 형 전극(336)이 이러한 제2 압력 수용층(335)을 덮으면서 반도체층(330)에 접촉하도록 위치할 수 있다.This second pressure-receiving layer (335) may be positioned so as to be covered by the first type electrode (336). Specifically, the second pressure-receiving layer (335) may be positioned so as to be in contact with the semiconductor layer (330), and the first type electrode (336) may be positioned so as to be in contact with the semiconductor layer (330) while covering the second pressure-receiving layer (335).
본 실시예에 의하면, 제2 압력 수용층(335)은 개별 전도성 입자(500) 사이에 위치하는 돌기 형상을 가질 수 있다. 이와 같이, 돌기 형상을 가지는 제2 압력 수용층(335)이 분할되어 위치할 수 있다. 이러한 상태에서 압력이 가해지면 이러한 돌기 형상을 가지는 제2 압력 수용층(335) 사이로 제1 전도성 입자(500)가 위치할 수 있다. 이에 따라 접속부(D) 형상이 형성될 수 있다.According to the present embodiment, the second pressure-receiving layer (335) may have a protrusion shape positioned between individual conductive particles (500). In this way, the second pressure-receiving layer (335) having the protrusion shape may be positioned in a divided manner. When pressure is applied in this state, the first conductive particle (500) may be positioned between the second pressure-receiving layers (335) having the protrusion shape. Accordingly, a connection portion (D) shape may be formed.
이러한 제2 압력 수용층(335)의 돌기 형상은 제1 압력 수용층(220)의 돌기 형상과 대응되는 위치에 위치할 수 있다. 이에 따라, 제1 전도성 입자(500)의 위치가 정의될 수 있다.The protrusion shape of the second pressure-receiving layer (335) can be positioned at a position corresponding to the protrusion shape of the first pressure-receiving layer (220). Accordingly, the position of the first conductive particle (500) can be defined.
그 외의 사항은 위에서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 사항과 동일할 수 있으며, 따라서 중복되는 설명은 생략한다.Other details may be the same as those described above with reference to Figures 1 and 2, and therefore, redundant descriptions are omitted.
고휘도 소자인 LED는 조명 뿐 아니라 사이니지 디스플레이 장치에서 화소로 채택되어 사용되고 있다. 디스플레이 장치에서 LED를 PCB에 실장하는 방법의 일례로 솔더링(soldering)을 활용하고 있다.LEDs, which are high-brightness elements, are being used not only for lighting but also as pixels in signage display devices. One example of a method for mounting LEDs on PCBs in display devices is using soldering.
솔더링 방법은 스크린 인쇄를 통해 쉽게 패턴 가능하며 전기적 접합에 대한 환경 신뢰성이 좋은 부분이 장점이다. 반면에 스크린 인쇄에 따른 정밀 인쇄가 어려운 점과 LED 전극 패드와 배선 기판의 전극 패드의 간격이 좁아질 경우 전기적 단락(short) 발생 가능성이 높아져 보통 패드 사이의 최소 간격이 50 ㎛ 이상인 경우에 사용되고 있다.The soldering method has the advantage of being easy to pattern through screen printing and having good environmental reliability for electrical bonding. On the other hand, it is difficult to print precisely using screen printing, and if the gap between the LED electrode pad and the electrode pad of the wiring board becomes narrow, the possibility of an electrical short circuit increases, so it is usually used when the minimum gap between the pads is 50 ㎛ or more.
이에 따라 ACP(anistropic conductive paste) 등 전도성 입자를 포함한 액상 소재를 인쇄하여 전기 접속 방법이 이용되고 있다. 이 방법은 패드 사이의 간격이 좁은 경우에도 큰 문제 없이 전기적 연결이 가능하다.Accordingly, an electrical connection method is being used by printing a liquid material containing conductive particles such as ACP (anistropic conductive paste). This method enables electrical connection without major problems even when the gap between pads is narrow.
마이크로 LED와 같이 소자가 50 ㎛ 이하의 크기를 가지는 경우 ACP와 같이 랜덤성에 기인한 전기적 접촉이 어렵고 ICP(immovable conductive paste) 등 전도성 입자를 일정 영역에 고정 배치시키는 방법을 이용할 수 있다.In cases where the device has a size of 50 ㎛ or less, such as a micro LED, electrical contact due to randomness, such as with ACP, is difficult, and a method of fixing conductive particles, such as ICP (immovable conductive paste), to a certain area can be used.
전도성 입자를 이용하여 전기적 접속을 가하는 경우, 전도성 입자가 폴리머 레진에 의해 고정되는 구조를 가지고 있어, 이후에 이루어지는 고열 공정에 따른 수축, 팽창에 따라 서로 다른 물질의 계면 간의 박리가 발생할 수 있다.When electrical connection is made using conductive particles, since the conductive particles have a structure in which they are fixed by polymer resin, peeling between the interfaces of different materials may occur due to shrinkage and expansion during the subsequent high-temperature process.
따라서, 전도성 입자를 이용하여 전기적 접속을 이룬 후에 대략 260도 정도의 온도로 열처리 과정이 수행되는 경우, 전도성 입자가 전극 패드로부터 분리되는 상황이 발생할 수 있다.Therefore, when a heat treatment process is performed at a temperature of approximately 260 degrees after an electrical connection is made using conductive particles, a situation may occur in which the conductive particles are separated from the electrode pad.
그러나 위에서 설명한 바와 같은 본 발명의 실시예에 의하면, 전도성 입자를 이용하여 발광 소자와 전극 패드 사이에 전기적 연결을 형성한 이후 고온 열충격 등에 의한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.However, according to the embodiment of the present invention as described above, reliability against high-temperature thermal shock, etc. can be improved after forming an electrical connection between the light-emitting element and the electrode pad using conductive particles.
즉, 발광 소자와 전극 패드 사이에 신뢰성 높은 안정적인 전기적 연결을 확보할 수 있다.That is, a reliable and stable electrical connection can be secured between the light-emitting element and the electrode pad.
구체적으로, 전도성 입자를 이용하여 전기적 접속을 이룬 후에 대략 260도 정도의 온도로 열처리 과정이 수행되는 경우에도 전도성 입자가 전극 패드로부터 분리되는 상황이 발생하지 않고, 신뢰성 높은 안정적인 전기적 연결을 이룰 수 있다.Specifically, even when a heat treatment process is performed at a temperature of approximately 260 degrees after an electrical connection is made using conductive particles, the conductive particles do not become separated from the electrode pad, and a reliable and stable electrical connection can be made.
또한, 이러한 본 발명의 실시예는 마이크로 LED와 같은 50 ㎛ 이하의 크기를 가지는 경우, 패드 사이의 간격이 50 ㎛ 이하의 크기를 가지는 경우에 효과적으로 이용될 수 있다.In addition, this embodiment of the present invention can be effectively used in cases where the size of a micro LED is 50 ㎛ or less, and where the spacing between pads is 50 ㎛ or less.
도 5 및 도 6은 본 발명의 제2 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 단위 픽셀을 나타내는 단면도이다.FIGS. 5 and 6 are cross-sectional views showing unit pixels of a display device using a light-emitting element according to the second embodiment of the present invention.
도 5은 단위 픽셀을 구현할 수 있는 단위 패키지(301)의 일례를 나타내고 있다. 이러한 단위 패키지(301)는 위에서 설명한 제1 발광 소자(310), 제2 발광 소자(320) 및 제3 발광 소자(330)가 하나의 칩으로 구현된 단위 패키지(301)에 해당할 수 있다.Fig. 5 shows an example of a unit package (301) capable of implementing a unit pixel. This unit package (301) may correspond to a unit package (301) in which the first light-emitting element (310), the second light-emitting element (320), and the third light-emitting element (330) described above are implemented as a single chip.
이러한 단위 패키지(301)는, 적어도 하나 이상의 전극 패드(350, 351), 이 전극 패드(350, 351) 상에 위치하는 압력 수용층(337), 압력 수용층(337) 상에 위치하는 소자 구조(341, 342, 310, 320, 330) 및 압력 수용층(337)을 관통하여 전극 패드(350, 351)와 소자 구조(341, 342, 310, 320, 330)와 연결되는 관통 전극(343)을 포함할 수 있다.Such a unit package (301) may include at least one electrode pad (350, 351), a pressure-receiving layer (337) positioned on the electrode pad (350, 351), a device structure (341, 342, 310, 320, 330) positioned on the pressure-receiving layer (337), and a through-electrode (343) penetrating the pressure-receiving layer (337) and connected to the electrode pad (350, 351) and the device structure (341, 342, 310, 320, 330).
이때, 소자 구조는 관통 전극(343)과 연결되는 연결 패드(341, 342) 및 이 연결 패드(341, 342)에 연결되는 발광 소자(310, 320, 330)를 포함할 수 있다.At this time, the element structure may include a connection pad (341, 342) connected to a through electrode (343) and a light-emitting element (310, 320, 330) connected to the connection pad (341, 342).
예시적인 실시예로서, 발광 소자(310, 320, 330)의 전극은 제2 전도성 입자(510)에 의하여 연결 패드(341, 342)와 연결될 수 있다.As an exemplary embodiment, the electrodes of the light emitting elements (310, 320, 330) can be connected to the connection pads (341, 342) by the second conductive particles (510).
또한, 소자 구조는 발광 소자(310, 320, 330) 상에 투명 커버층(370)을 더 포함할 수 있다.Additionally, the device structure may further include a transparent cover layer (370) on the light-emitting device (310, 320, 330).
도 6을 참조하면, 이와 같은 구조를 가지는 단위 패키지(301)는 단위 금속 패드(124, 125)를 구비하는 기판(110)을 포함하는 배선 기판(100) 상에 제1 전도성 입자(500)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 단위 패키지(301)와 배선 기판(100) 사이에는 절연층(410)이 구비될 수 있다.Referring to FIG. 6, a unit package (301) having such a structure can be electrically connected to a wiring board (100) including a substrate (110) having unit metal pads (124, 125) by first conductive particles (500). An insulating layer (410) can be provided between the unit package (301) and the wiring board (100).
이때, 압력 수용층(337)은 제1 전도성 입자(500)에 의하여 가해지는 압력에 의하여 전극 패드(350, 351)와 제1 전도성 입자(500) 사이의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다.At this time, the pressure-receiving layer (337) can increase the contact area between the electrode pad (350, 351) and the first conductive particle (500) by the pressure applied by the first conductive particle (500).
이와 같은 압력 수용층(337)에 의하여 전극 패드(350, 351)와 제1 전도성 입자(500) 사이에 위에서 도 2에서 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한 접속부(B, C, D, E)의 형상이 형성될 수 있으나, 도 6에서는 생략되어 있다.By means of such a pressure-receiving layer (337), the shape of the connection portion (B, C, D, E) described above with reference to FIGS. 2 to 4 can be formed between the electrode pad (350, 351) and the first conductive particle (500), but is omitted in FIG. 6.
도 7 및 도 8은 본 발명의 제3 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 단위 픽셀을 나타내는 단면도이다.FIG. 7 and FIG. 8 are cross-sectional views showing unit pixels of a display device using a light-emitting element according to a third embodiment of the present invention.
도 7은 단위 픽셀을 구현할 수 있는 단위 패키지(301)의 다른 예를 나타내고 있다. 이러한 단위 패키지(301)는 위에서 설명한 제1 발광 소자(310), 제2 발광 소자(320) 및 제3 발광 소자(330)가 하나의 칩으로 구현된 단위 패키지(301)에 해당할 수 있다.Fig. 7 shows another example of a unit package (301) capable of implementing a unit pixel. This unit package (301) may correspond to a unit package (301) in which the first light-emitting element (310), the second light-emitting element (320), and the third light-emitting element (330) described above are implemented as one chip.
이러한 단위 패키지(301)는, 적어도 하나 이상의 전극 패드(350, 351), 이 전극 패드(350, 351) 상에 위치하는 압력 수용층(337), 압력 수용층(337) 상에 위치하는 소자 구조(341, 342, 310, 320, 330) 및 압력 수용층(337)을 관통하여 전극 패드(350, 351)와 소자 구조(341, 342, 310, 320, 330)와 연결되는 관통 전극(343)을 포함할 수 있다.Such a unit package (301) may include at least one electrode pad (350, 351), a pressure-receiving layer (337) positioned on the electrode pad (350, 351), a device structure (341, 342, 310, 320, 330) positioned on the pressure-receiving layer (337), and a through-electrode (343) penetrating the pressure-receiving layer (337) and connected to the electrode pad (350, 351) and the device structure (341, 342, 310, 320, 330).
이때, 소자 구조는 관통 전극(343)과 연결되는 연결 패드(341, 342) 및 이 연결 패드(341, 342)에 연결되는 발광 소자(310, 320, 330)를 포함할 수 있다.At this time, the element structure may include a connection pad (341, 342) connected to a through electrode (343) and a light-emitting element (310, 320, 330) connected to the connection pad (341, 342).
예시적인 실시예로서, 발광 소자(310, 320, 330)의 전극은 솔더링에 의하여 연결 패드(341, 342)와 연결될 수 있다.As an exemplary embodiment, the electrodes of the light emitting elements (310, 320, 330) can be connected to the connection pads (341, 342) by soldering.
도 8을 참조하면, 이와 같은 구조를 가지는 단위 패키지(301)는 단위 금속 패드(124, 125)를 구비하는 기판(110)을 포함하는 배선 기판(100) 상에 제1 전도성 입자(500)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 8, a unit package (301) having such a structure can be electrically connected to a wiring board (100) including a substrate (110) having unit metal pads (124, 125) by first conductive particles (500).
그 외에 설명되지 않은 부분은 위에서 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 실시예의 부분과 동일할 수 있다. 따라서 중복되는 설명은 생략한다.Any parts not described above may be identical to those of the embodiment described above with reference to FIGS. 5 and 6. Therefore, any duplicate description is omitted.
도 9는 본 발명의 제4 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 단위 픽셀을 나타내는 단면도이다.Fig. 9 is a cross-sectional view showing a unit pixel of a display device using a light-emitting element according to the fourth embodiment of the present invention.
도 9는 단위 픽셀을 구현할 수 있는 단위 패키지(302)의 또 다른 예를 나타내고 있다. 이러한 단위 패키지(302)는 집적 회로 칩(IC)(380)이 구현된 단위 패키지(302)에 해당할 수 있다. 일례로, 이러한 집적 회로 칩(380)은 위에서 설명한 발광 소자(310, 320, 330) 또는 다른 단위 패키지(301)를 구동하는 구동칩에 해당할 수 있다.Fig. 9 illustrates another example of a unit package (302) capable of implementing a unit pixel. This unit package (302) may correspond to a unit package (302) in which an integrated circuit chip (IC) (380) is implemented. For example, this integrated circuit chip (380) may correspond to a driving chip that drives the light-emitting element (310, 320, 330) described above or another unit package (301).
이러한 단위 패키지(302)는, 적어도 하나 이상의 전극 패드(344), 이 전극 패드(344) 상에 위치하는 압력 수용층(338), 압력 수용층(338) 상에 위치하는 소자 구조(380) 및 압력 수용층(338)을 관통하여 전극 패드(344)와 소자 구조(380)와 연결되는 관통 전극(345)을 포함할 수 있다.Such a unit package (302) may include at least one electrode pad (344), a pressure-receiving layer (338) positioned on the electrode pad (344), a device structure (380) positioned on the pressure-receiving layer (338), and a through-electrode (345) penetrating the pressure-receiving layer (338) and connected to the electrode pad (344) and the device structure (380).
즉, 소자 구조는 관통 전극(345)에 연결되는 집적 회로 칩(380)을 포함할 수 있다.That is, the device structure may include an integrated circuit chip (380) connected to a through electrode (345).
도 9를 참조하면, 이와 같은 구조를 가지는 단위 패키지(302)는 단위 금속 패드(126)를 구비하는 기판(110)을 포함하는 배선 기판(100) 상에 제1 전도성 입자(500)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 9, a unit package (302) having such a structure can be electrically connected to a wiring board (100) including a substrate (110) having a unit metal pad (126) by first conductive particles (500).
그 외에 설명되지 않은 부분은 위에서 도 5 내지 도 8을 참조하여 설명한 실시예의 부분과 동일할 수 있다. 따라서 중복되는 설명은 생략한다.Any parts not described above may be identical to those of the embodiments described above with reference to FIGS. 5 to 8. Therefore, any duplicate description is omitted.
도 10은 본 발명의 제1 실시예에 의한 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 단위 픽셀을 나타내는 사진이다.FIG. 10 is a photograph showing a unit pixel of a display device using a light-emitting element according to the first embodiment of the present invention.
도 10을 참조하면, 제1 압력 수용층(200)의 존재에 의하여 형태가 더 크게 변화하여 제1 전도성 입자(500)와 금속 패드(122) 사이에 접촉하는 면적이 증가하여 굴곡진 접속부(C)가 형성됨을 알 수 있다.Referring to FIG. 10, it can be seen that the shape changes more significantly due to the presence of the first pressure-receiving layer (200), so that the contact area between the first conductive particle (500) and the metal pad (122) increases, thereby forming a curved connection portion (C).
도 10은 이와 같은 전기적 접속이 이루어진 이후 260도 정도의 온도로 열처리 과정이 수행된 이후의 상태를 나타내는 것으로, 고온의 열처리 이후에도 전기적 접속 상태에 변화가 없음을 확인할 수 있다.Figure 10 shows the state after a heat treatment process is performed at a temperature of about 260 degrees after such electrical connection is made, and it can be confirmed that there is no change in the electrical connection state even after the high-temperature heat treatment.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.The above description is merely an example of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art will appreciate that various modifications and variations may be made without departing from the essential characteristics of the present invention.
따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다.Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to explain it, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments.
본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The scope of protection of the present invention should be interpreted by the claims below, and all technical ideas within a scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the rights of the present invention.
100: 배선 기판
110: 기판
120, 121, 122: 금속 패드
200, 210, 220: 제1 압력 수용층
300: 단위 픽셀
310, 320, 330: 발광 소자
331, 333, 335, 337: 제2 압력 수용층100: Wiring board 110: Board
120, 121, 122:
300:
331, 333, 335, 337: Second pressure receiving layer
Claims (13)
단위 서브픽셀 영역을 정의하고 상기 배선 기판 상에 배열되어 단위 서브픽셀을 이루는 단위 금속 패드;
반도체층 상에 위치한 제1 형 전극이 상기 단위 금속 패드 상에 제1 전도성 입자들에 의하여 전기적으로 연결되는 발광 소자; 및
상기 배선 기판과 상기 단위 금속 패드 사이에 위치하고, 상기 제1 전도성 입자에 의하여 가해지는 압력에 의하여 상기 금속 패드와 상기 제1 전도성 입자 사이의 접촉 면적을 증가시키는 제1 압력 수용층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.wiring board;
A unit metal pad defining a unit subpixel area and arranged on the wiring board to form a unit subpixel;
A light emitting element in which a first type electrode positioned on a semiconductor layer is electrically connected to the unit metal pad by first conductive particles; and
A display device using a light-emitting element, characterized in that it comprises a first pressure-receiving layer positioned between the wiring board and the unit metal pad, and which increases a contact area between the metal pad and the first conductive particle by pressure applied by the first conductive particle.
상기 배선 기판 상에 배열되는 단위 금속 패드; 및
상기 단위 금속 패드와 제1 전도성 입자에 의하여 전기적으로 연결되는 단위 패키지를 포함하고,
상기 단위 패키지는,
적어도 하나 이상의 전극 패드;
상기 전극 패드 상에 위치하는 압력 수용층;
상기 압력 수용층 상에 위치하는 소자 구조; 및
상기 압력 수용층을 관통하여 상기 전극 패드와 상기 소자 구조와 연결되는 관통 전극을 포함하고,
상기 압력 수용층은 상기 제1 전도성 입자에 의하여 가해지는 압력에 의하여 상기 전극 패드와 상기 제1 전도성 입자 사이의 접촉 면적을 증가시키는 것을 특징으로 하는 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.wiring board;
Unit metal pads arranged on the above wiring board; and
A unit package comprising a unit metal pad and a first conductive particle electrically connected thereto;
The above unit package is,
At least one electrode pad;
A pressure-receiving layer positioned on the above electrode pad;
A device structure positioned on the pressure-receiving layer; and
A penetrating electrode is included that penetrates the pressure-receiving layer and is connected to the electrode pad and the element structure.
A display device using a light-emitting element, characterized in that the pressure-receiving layer increases the contact area between the electrode pad and the first conductive particle by the pressure applied by the first conductive particle.
상기 관통 전극과 연결되는 연결 패드; 및
상기 연결 패드에 연결되는 발광 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치.In the 9th paragraph, the element structure is,
a connection pad connected to the above penetrating electrode; and
A display device using a light-emitting element, characterized by including a light-emitting element connected to the above-mentioned connection pad.
A display device using a light-emitting element, characterized in that in claim 9, the pressure-receiving layer has a Young's modulus smaller than at least one of the electrode pad and the wiring substrate.
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