KR20240139006A - Chemically amplified positive-type photosensitive composition, method for manufacturing substrate with template, and method for manufacturing plated article - Google Patents
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Abstract
[과제] 표면에 금속층을 구비하는 기판 상에 도금 조형물을 작성하는 프로세스의 주형이 되는 패턴을 형성하는 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물로서, 저온에서도 큰 언더컷이 형성된 단면 형상을 갖고 또한 기판에의 밀착성이 뛰어난 레지스트 패턴을 형성하기 쉬운 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물을 제공하는 것.
[해결 수단] 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 산 발생제(A)와 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 수지(B)와 기판의 금속층에 대해서 배위할 수 있는 황 원자를 포함하는 함황 화합물(E)과 산 확산 억제제(F)와 유기 용제(S)를 포함하고, 함황 화합물(E)이, 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물, 또는 그의 호변이성체를 포함하는 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물로서, 특정의 공정 1)~4)에 의해서 구해지는 산 발생제(A)의 분해율(%)이 10 초과인 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물을 이용한다.[Task] To provide a chemically amplified positive photosensitive composition that forms a pattern that serves as a mold for a process of forming a plated structure on a substrate having a metal layer on its surface, the chemically amplified positive photosensitive composition having a cross-sectional shape in which a large undercut is formed even at low temperatures and which is easy to form a resist pattern having excellent adhesion to the substrate.
[Solution] A chemically amplified positive type photosensitive composition comprising an acid generator (A) which generates an acid when irradiated with active light or radiation, a resin (B) whose solubility in alkali increases by the action of the acid, a sulfur-containing compound (E) containing a sulfur atom capable of coordinating to a metal layer of a substrate, an acid diffusion inhibitor (F), and an organic solvent (S), wherein the sulfur-containing compound (E) contains a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group, or a tautomer thereof, wherein a decomposition rate (%) of the acid generator (A) obtained by specific steps 1) to 4) exceeds 10, is used.
Description
본 발명은, 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물과, 당해 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물을 이용하는 주형 부착 기판의 제조 방법과, 당해 주형 부착 기판을 이용하는 도금 조형물의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a chemically amplified positive photosensitive composition, a method for producing a mold-attached substrate using the chemically amplified positive photosensitive composition, and a method for producing a plated article using the mold-attached substrate.
현재, 포토 패브리케이션이 정밀 미세 가공 기술의 주류가 되고 있다. 포토 패브리케이션이란, 포토레지스트 조성물을 피가공물 표면에 도포하여 포토레지스트층을 형성하고, 포토리소그래피 기술에 의해서 포토레지스트층을 패터닝하고, 패터닝된 포토레지스트층(포토레지스트 패턴)을 마스크로서 화학 에칭, 전해 에칭, 또는 전기 도금을 주체로 하는 일렉트로포밍 등을 수행하여, 반도체 패키지 등의 각종 정밀 부품을 제조하는 기술의 총칭이다.Currently, photofabrication is becoming the mainstream of precision microfabrication technology. Photofabrication is a general term for a technology for manufacturing various precision parts such as semiconductor packages by applying a photoresist composition to the surface of a workpiece to form a photoresist layer, patterning the photoresist layer using photolithography technology, and performing electroforming, mainly chemical etching, electrolytic etching, or electroplating, using the patterned photoresist layer (photoresist pattern) as a mask.
또한, 근래, 전자기기의 다운사이징에 수반하여, 반도체 패키지의 고밀도 실장 기술이 진행되어, 패키지의 다핀 박막 실장화, 패키지 사이즈의 소형화, 플립 칩 방식에 의한 2차원 실장 기술, 3차원 실장 기술에 근거한 실장 밀도의 향상이 도모되고 있다. 이러한 고밀도 실장 기술에 있어서는, 접속 단자로서, 예를 들면, 패키지 상에 돌출한 범프 등의 돌기 전극(실장 단자)이나, 웨이퍼 상의 페리퍼럴 단자로부터 연장되는 재배선과 실장 단자를 접속하는 메탈 포스트 등이 기판 상에 고-정밀도(高精度)로 배치된다.In addition, in recent years, with the downsizing of electronic devices, high-density mounting technology for semiconductor packages has been progressing, and efforts are being made to improve mounting density based on multi-pin thin-film mounting of packages, miniaturization of package size, two-dimensional mounting technology using the flip chip method, and three-dimensional mounting technology. In such high-density mounting technology, as connection terminals, for example, protruding electrodes (mounting terminals) such as bumps protruding on the package, or metal posts that connect rewiring extended from peripheral terminals on the wafer to mounting terminals, are arranged with high precision on the substrate.
상기와 같은 포토 패브리케이션에는 포토레지스트 조성물이 사용된다. 포토레지스트 조성물로서는, 산 발생제를 포함하는 화학 증폭형 포토레지스트 조성물이 알려져 있다(특허문헌 1, 2 등을 참조). 화학 증폭형 포토레지스트 조성물은, 방사선 조사(노광)에 의해 산 발생제로부터 산이 발생한다. 노광 후의 가열 처리에 의해, 발생한 산의 확산이 촉진된다. 그 결과, 조성물 중의 베이스 수지 등에 대하여 산 촉매 반응이 일어나고, 조성물의 알칼리 용해성이 변화한다.In the photofabrication as described above, a photoresist composition is used. As a photoresist composition, a chemically amplified photoresist composition containing an acid generator is known (see Patent Documents 1, 2, etc.). In a chemically amplified photoresist composition, acid is generated from an acid generator by radiation irradiation (exposure). Diffusion of the generated acid is promoted by heat treatment after exposure. As a result, an acid catalytic reaction occurs for a base resin, etc. in the composition, and the alkali solubility of the composition changes.
이러한 화학 증폭형 포토레지스트 조성물은, 패턴화된 절연막이나, 에칭용 마스크의 형성의 외, 예를 들면 도금 공정에 의한 범프, 메탈 포스트, 및 Cu 재배선과 같은 도금 조형물의 형성 등에 이용되고 있다. 구체적으로는, 우선, 화학 증폭형 포토레지스트 조성물을 이용하고, 금속 기판(표면에 금속층을 구비하는 기판)과 같은 지지체 상에 소정의 막 두께의 포토레지스트층이 형성된다. 그 다음에, 포토레지스트층이, 소정의 마스크 패턴을 통해서 노광된다. 노광된 포토레지스트층이 현상되고, 도금에 의해 구리 등이 충전되는 부분이 선택적으로 제거(박리)된다. 이와 같이 하여, 도금 조형물 형성용의 주형으로서 사용되는 포토레지스트 패턴이 형성된다. 주형 중의, 현상에 의해 제거된 부분(비(非)-레지스트부)에 동등의 도체를 도금에 의해서 매립한 후, 그 주위의 포토레지스트 패턴을 제거하는 것에 의해, 범프, 메탈 포스트, 및 Cu 재배선을 형성할 수 있다.This chemically amplified photoresist composition is used, in addition to forming a patterned insulating film or an etching mask, for example, in forming plating structures such as bumps, metal posts, and Cu rewiring by a plating process. Specifically, first, using the chemically amplified photoresist composition, a photoresist layer having a predetermined film thickness is formed on a support such as a metal substrate (a substrate having a metal layer on its surface). Next, the photoresist layer is exposed through a predetermined mask pattern. The exposed photoresist layer is developed, and a portion filled with copper, etc. by plating is selectively removed (peeled). In this way, a photoresist pattern used as a mold for forming a plating structure is formed. After filling an equivalent conductor in the portion of the mold removed by development (non-resist portion) by plating, the photoresist pattern around it is removed, thereby forming a bump, a metal post, and Cu rewiring.
범프, 메탈 포스트, 배선 등의 도금 조형물을 형성한 후, 기판 표면을 린스액으로 린스하거나, 건조의 목적 등으로 기판 표면에 가스가 분무되거나, 에칭 등의 화학적인 처리가 이루어지거나, 기판 상에 다른 부재를 마련하는 목적으로 다른 부재를 형성하기 위한 재료가 기판 상에 도포나 충전되거나 한다. 이 경우, 기판 상의 도금 조형물에, 여러 가지의 힘 등의 부하가 걸린다. 특히 미세한 도금 조형물에 부하가 걸리면, 도금 조형물이 쓰러져 버릴 우려가 있다. 이 때문에, 도금 조형물에 걸리는 부하가 변동해도, 도금 조형물이 쓰러지기 어려운 것이 바람직하다. 즉, 도괴 마진이 뛰어난 도금 조형물이 바람직하다.After forming a plated structure such as a bump, a metal post, or a wiring, the substrate surface is rinsed with a rinse solution, gas is sprayed onto the substrate surface for the purpose of drying, chemical treatment such as etching is performed, or a material for forming another member is applied or filled onto the substrate for the purpose of providing another member on the substrate. In this case, various loads such as forces are applied to the plated structure on the substrate. In particular, if a load is applied to a fine plated structure, there is a risk that the plated structure may collapse. Therefore, it is desirable that the plated structure is unlikely to collapse even if the load applied to the plated structure fluctuates. In other words, a plated structure having an excellent destruction margin is desirable.
도괴 마진이 뛰어난 도금 조형물을 형성하기 위해서는, 도금 조형물이 풋팅 형상을 갖도록 함으로써, 도금 조형물을 쓰러지기 어렵게 하는 것을 생각할 수 있다. 「도금 조형물이 풋팅 형상을 가진다」란, 도금 조형물과 기판의 접촉면측에 있어서, 도금 조형물이, 도금 조형물이 형성되어 있지 않은 영역 측에 장출(張出)하는 것이다. 도금 조형물의 단면 형상이 풋팅 형상인 경우, 예를 들면, 도금 조형물의 기판과의 접촉면측(보텀)의 폭이, 기판과의 접촉면측과는 반대측(탑)의 폭보다도 넓다. 그리고, 이러한, 도금 조형물에 있어서의 도금 조형물이 형성되어 있지 않은 영역측으로의 장출이 크면, 즉, 도금 조형물의 풋팅이 크면, 도금 조형물은, 보다 쓰러지기 어렵다고 생각할 수 있다. In order to form a plated sculpture with an excellent collapse margin, it can be considered to make it difficult for the plated sculpture to fall over by making the plated sculpture have a footed shape. "The plated sculpture has a footed shape" means that, on the contact surface side of the plated sculpture and the substrate, the plated sculpture protrudes toward the area where the plated sculpture is not formed. When the cross-sectional shape of the plated sculpture has a footed shape, for example, the width of the plated sculpture on the contact surface side (bottom) of the substrate is wider than the width of the side opposite to the contact surface side with the substrate (top). And, if the protrusion of the plated sculpture toward the area where the plated sculpture is not formed is large, that is, if the footing of the plated sculpture is large, it can be considered that the plated sculpture is less likely to fall over.
도금 조형물이 풋팅 형상을 가지기 위해서는, 도금 조형물의 주형이 되는 레지스트 패턴(레지스트부(2) 및 비-레지스트부(3))은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 언더컷 형상을 가지는 것이 바람직하다. 「레지스트 패턴이 언더컷 형상을 가진다」란, 레지스트 패턴의 비-레지스트부(3)가, 기판(1) 표면측에 있어서 레지스트부(2)의 내측으로 침식하고 있는 것이다. 레지스트 패턴의 단면 형상이 언더컷 형상인 경우, 예를 들면, 레지스트 패턴의 레지스트부(2)의 기판(1)과의 접촉면측(보텀)의 폭이, 기판(1)과의 접촉면측과는 반대측(탑)의 폭보다도 좁다. 그리고, 이와 같이, 기판 표면 근방에 있어서 비-레지스트부의 레지스트부의 내측으로의 침식을 크게 함으로써, 도금 조형물의 풋팅을 크게 하여, 도금 조형물을, 보다 쓰러지기 어렵게 할 수 있다고 생각할 수 있다. 덧붙여, 도 1은, 레지스트 패턴의 기판의 두께 방향과 평행한 단면을 모식적으로 나타내는 도면이다.In order for the plated structure to have a footed shape, the resist pattern (resist portion (2) and non-resist portion (3)) which serves as the mold of the plated structure preferably has an undercut shape, as shown in Fig. 1. "The resist pattern has an undercut shape" means that the non-resist portion (3) of the resist pattern is eroded toward the inside of the resist portion (2) on the surface side of the substrate (1). When the cross-sectional shape of the resist pattern is an undercut shape, for example, the width of the resist portion (2) of the resist pattern on the side (bottom) of the contact surface with the substrate (1) is narrower than the width on the side (top) opposite to the side of the contact surface with the substrate (1). And, by making the erosion of the resist portion of the non-resist portion toward the inside near the surface of the substrate larger in this way, it is thought that the footing of the plated structure can be increased, making the plated structure more difficult to fall over. In addition, Fig. 1 is a drawing schematically showing a cross-section parallel to the thickness direction of the substrate of the resist pattern.
따라서, 여러 가지의 힘이 더해져도 쓰러지기 어려운, 도괴 마진이 뛰어난 도금 조형물을 형성하기 위해서는, 도금 조형물의 주형이 되는 레지스트 패턴의 단면 형상에 있어서, 큰 언더컷이 형성되는 것이 바람직하다.Therefore, in order to form a plated shape with an excellent destruction margin that is difficult to collapse even when various forces are applied, it is desirable for a large undercut to be formed in the cross-sectional shape of the resist pattern that serves as the mold for the plated shape.
또한, 레지스트 패턴이 형성되는 기판에의 밀착성이 뛰어난 것이 바람직하다. 기판에의 밀착성이 뛰어난 것에 의해, 현상시나 도금시의 레지스트 패턴의 벗겨짐이 억제되어, 소망의 형상의 도금 조형물을 제조할 수 있다.In addition, it is desirable that the adhesiveness to the substrate on which the resist pattern is formed be excellent. By having excellent adhesiveness to the substrate, peeling of the resist pattern during development or plating is suppressed, and a plated shape having a desired shape can be manufactured.
추가로, 레지스트 패턴을 형성하는 기판 등에의 악영향을 피하기 위해, 저온에서 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 것이 바람직하다.Additionally, in order to avoid adverse effects on the substrate on which the resist pattern is formed, it is desirable to be able to form the resist pattern at a low temperature.
그러나, 특허문헌 1, 2 등에 개시되는 바와 같은, 종래부터 알려진 화학 증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물을 이용했을 경우, 저온에서, 큰 언더컷이 형성된 단면 형상을 갖고 또한 기판에의 밀착성이 뛰어난 레지스트 패턴을, 종종 형성하기 어렵다.However, when using a conventionally known chemically amplified positive photoresist composition, such as disclosed in Patent Documents 1 and 2, it is often difficult to form a resist pattern having a cross-sectional shape with a large undercut at low temperatures and excellent adhesion to a substrate.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 표면에 금속층을 구비하는 기판 상에 도금 조형물을 작성하는 프로세스의 주형이 되는 패턴을 형성하는 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물로서, 저온에서도, 큰 언더컷이 형성된 단면 형상을 갖고 또한 기판에의 밀착성이 뛰어난 레지스트 패턴을 형성하기 쉬운 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물과, 당해 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물을 이용하는 주형 부착 기판의 제조 방법과, 당해 주형 부착 기판을 이용하는 도금 조형물의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a chemically amplified positive photosensitive composition which forms a pattern to serve as a mold for a process of forming a plated structure on a substrate having a metal layer on its surface, wherein even at low temperatures, the chemically amplified positive photosensitive composition has a cross-sectional shape with a large undercut and is easy to form a resist pattern having excellent adhesion to a substrate, a method for producing a mold-attached substrate using the chemically amplified positive photosensitive composition, and a method for producing a plated structure using the mold-attached substrate.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해 열심히 연구를 거듭한 결과, 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 산 발생제(A)와, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 수지(B)와, 기판의 금속층에 대해서 배위할 수 있는 황 원자를 포함하는 함황 화합물(E)과, 산 확산 억제제(F)와, 유기 용제(S)를 포함하고, 함황 화합물(E)이, 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물, 또는 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물의 호변이성체를 포함하는 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물로서, 이하의 [요건 1]을 만족시키는 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물에 의해, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 구체적으로는, 본 발명은 이하와 같은 것을 제공한다.The present inventors, as a result of intensive research to achieve the above object, have found that the above problem can be solved by a chemically amplified positive type photosensitive composition comprising an acid generator (A) which generates an acid by irradiation with active light or radiation, a resin (B) whose solubility in alkali increases by the action of the acid, a sulfur-containing compound (E) containing a sulfur atom capable of coordinating to a metal layer of a substrate, an acid diffusion inhibitor (F), and an organic solvent (S), wherein the sulfur-containing compound (E) contains a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group or a tautomer of the nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group, and which satisfies the following [requirement 1], thereby completing the present invention. Specifically, the present invention provides the following.
[1] 표면에 금속층을 구비하는 기판 상에 도금 조형물을 작성하는 프로세스의 주형이 되는 패턴을 형성하는 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물로서,[1] A chemically amplified positive photosensitive composition that forms a pattern that serves as a mold for a process of forming a plating structure on a substrate having a metal layer on the surface.
활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 산 발생제(A)와, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 수지(B)와, 상기 금속층에 대해서 배위할 수 있는 황 원자를 포함하는, 함황 화합물(E)과, 산 확산 억제제(F)와, 유기 용제(S)를 포함하고,An acid generator (A) that generates an acid by irradiation with active light or radiation, a resin (B) whose solubility in alkali increases by the action of the acid, a sulfur-containing compound (E) containing a sulfur atom capable of coordinating to the metal layer, an acid diffusion inhibitor (F), and an organic solvent (S).
상기 함황 화합물(E)이, 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물, 또는 상기 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물의 호변이성체를 포함하고,The above sulfur-containing compound (E) comprises a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group, or a tautomer of the nitrogen-containing heterocyclic compound having the mercapto group,
이하의 [요건 1]을 만족시키는, 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물. A chemically amplified positive photosensitive composition satisfying the following [requirement 1].
[요건 1][Requirement 1]
이하의 공정 1)~4)에 의해서 구해지는, 산 발생제(A)의 분해율(%)이, 10 초과이다.The decomposition rate (%) of the acid generator (A) obtained by the following processes 1) to 4) is greater than 10.
1) 상기 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물을, 표면에 스퍼터링법에 의해 형성된 구리층을 가지는 기판에 도포함으로써, 두께 8.5μm의 수지막을 형성한다.1) By applying the chemically amplified positive photosensitive composition to a substrate having a copper layer formed on the surface by a sputtering method, a resin film having a thickness of 8.5 μm is formed.
2) 상기 수지막이 형성된 상기 기판을, 140℃에서 300초간 가열한다.2) The substrate on which the resin film is formed is heated at 140°C for 300 seconds.
3) 상기 가열 후의 상기 수지막의 일부를 깎아내고, 깎아낸 수지막을, 고형분 농도가 20 질량%가 되도록 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트에 용해시킨 후, 깎아낸 수지막의 질량의 15배의 질량의 아세토니트릴을 더하고, 침전물을 제외한 액을, 시험액으로 한다.3) After the heating, a portion of the resin film is shaved off, the shaved resin film is dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate so that the solid concentration becomes 20 mass%, and then acetonitrile in a mass 15 times the mass of the shaved resin film is added, and the liquid obtained by excluding the precipitate is used as a test solution.
4) 상기 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물을 고형분 농도가 20 질량%가 되도록 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트로 희석한 후, 상기 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물의 고형분의 질량의 15배의 질량의 아세토니트릴을 더하고, 침전물을 제외한 액과, 상기 시험액을, 각각 액체 크로마토그래피로 분석하는 것에 의해, 하기 식(a)로 나타내는 산 발생제(A)의 분해율(%)을 구한다.4) After diluting the chemically amplified positive type photosensitive composition with propylene glycol monomethyl ether acetate so that the solid content concentration becomes 20 mass%, adding acetonitrile in a mass 15 times the mass of the solid content of the chemically amplified positive type photosensitive composition, analyzing the liquid from which the precipitate is removed and the test solution, respectively, by liquid chromatography, the decomposition rate (%) of the acid generator (A) represented by the following formula (a) is obtained.
산 발생제(A)의 분해율(%) = (1-(x/y))Х100 ···(a)Decomposition rate (%) of acid generator (A) = (1-(x/y))Х100 ···(a)
(식(a) 중, x는, 수지막 중의 산 발생제(A)의 함유량(질량%)이며,(In formula (a), x is the content (mass%) of the acid generator (A) in the resin film,
y는, 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물의 고형분 중의 산 발생제(A)의 함유량(질량%)이다.)y is the content (mass%) of the acid generator (A) in the solid content of the chemically amplified positive photosensitive composition.)
[2] 상기 산 발생제(A)가, 치환기를 가지고 있어도 되는 쿠마린 골격에, -CO-NRa1-OSO2-Ra2(Ra1은 수소 원자 또는 탄화수소기를 나타내고, Ra2는 유기기를 나타낸다)가 결합한 쿠마린계 화합물을 포함하는, 상기 [1]에 기재된 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물.[2] A chemically amplified positive-type photosensitive composition as described in [1], wherein the acid generator (A) comprises a coumarin compound in which -CO-NR a1 -OSO 2 -R a2 (R a1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, and R a2 represents an organic group) is bonded to a coumarin skeleton which may have a substituent.
[3] 상기 공정 1)~4)에 의해서 구해지는, 산 발생제(A)의 분해율(%)이, 25 이상인, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물. [3] A chemically amplified positive photosensitive composition according to [1] or [2], wherein the decomposition rate (%) of the acid generator (A) obtained by the above processes 1) to 4) is 25 or more.
[4] 상기 수지(B)는, 폴리히드록시스티렌 수지(B2)를 포함하는, 상기 [1]~[3]의 어느 하나에 기재된 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물. [4] The resin (B) is a chemically amplified positive photosensitive composition according to any one of [1] to [3], comprising a polyhydroxystyrene resin (B2).
[5] 표면에 금속층을 구비하는 기판 상에, 상기 [1]~[4]의 어느 하나에 기재된 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물로 이루어지는 감광성층을 적층하는 공정과,[5] A process for laminating a photosensitive layer made of a chemically amplified positive photosensitive composition described in any one of [1] to [4] on a substrate having a metal layer on the surface,
상기 감광성층을, 60℃ 이상 130℃ 이하로 가열하는 공정과,A process of heating the above photosensitive layer to a temperature of 60℃ or higher and 130℃ or lower,
상기 가열 후의 상기 감광성층에, 활성 광선 또는 방사선을 위치 선택적으로 조사하는 공정과,A process of selectively irradiating the photosensitive layer with active light or radiation after the heating,
상기 조사 후의 상기 감광성층을 현상하여, 패턴 형상을 가지는, 도금 조형물을 형성하기 위한 주형을 작성하는 공정을 포함하는, 주형 부착 기판의 제조 방법.A method for manufacturing a mold-attached substrate, comprising a step of developing the photosensitive layer after the above investigation to create a mold for forming a plated structure having a pattern shape.
[6] 상기 [5]에 기재된 방법에 의해 제조되는 상기 주형 부착 기판에 도금을 가하여, 상기 주형 내에 도금 조형물을 형성하는 공정을 포함하는, 도금 조형물의 제조 방법.[6] A method for manufacturing a plated article, comprising a step of forming a plated article within the mold by applying plating to the mold attachment substrate manufactured by the method described in [5] above.
본 발명에 의하면, 표면에 금속층을 구비하는 기판 상에 도금 조형물을 작성하는 프로세스의 주형이 되는 패턴을 형성하는 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물로서, 저온에서도, 큰 언더컷이 형성된 단면 형상을 갖고 또한 기판에의 밀착성이 뛰어난 레지스트 패턴을 형성하기 쉬운 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물과, 당해 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물을 이용하는 주형 부착 기판의 제조 방법과, 당해 주형 부착 기판을 이용하는 도금 조형물의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, there can be provided a chemically amplified positive photosensitive composition which forms a pattern to serve as a mold for a process of forming a plated structure on a substrate having a metal layer on its surface, wherein the chemically amplified positive photosensitive composition has a cross-sectional shape with a large undercut even at a low temperature and is easy to form a resist pattern having excellent adhesion to the substrate, a method for producing a mold-attached substrate using the chemically amplified positive photosensitive composition, and a method for producing a plated structure using the mold-attached substrate.
[도 1] 레지스트 패턴의 기판의 두께 방향과 평행한 단면을 모식적으로 나타내는 도면이다.
[도 2] 실시예 및 비교예에 있어서 언더컷을 주사형 전자현미경에 의해 관찰한 레지스트 패턴의, 기판의 두께 방향과 평행한 단면을, 모식적으로 나타내는 도면이다.[Figure 1] This is a drawing schematically showing a cross-section parallel to the thickness direction of the substrate of the resist pattern.
[Figure 2] This is a drawing schematically showing a cross-section of a resist pattern parallel to the thickness direction of a substrate, in which an undercut is observed using a scanning electron microscope in examples and comparative examples.
≪화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물≫≪Chemically amplified positive photosensitive composition≫
화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물(이하, 감광성 조성물이라고도 적는다.)은, 표면에 금속층을 구비하는 기판 상에 도금 조형물을 작성하는 프로세스의 주형이 되는 패턴을 형성하는 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물이다. 당해 감광성 조성물은, 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 산 발생제(A)(이하 산 발생제(A)라고도 적는다.)와, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 수지(B)(이하 수지(B)라고도 적는다.)와, 기판의 금속층에 대해서 배위할 수 있는 황 원자를 포함하는 함황 화합물(E)(이하 함황 화합물(E)이라고도 적는다.)과, 산 확산 억제제(F)와, 유기 용제(S)를 포함한다.A chemically amplified positive type photosensitive composition (hereinafter also referred to as the photosensitive composition) is a chemically amplified positive type photosensitive composition that forms a pattern that serves as a mold for a process of forming a plating structure on a substrate having a metal layer on the surface. The photosensitive composition contains an acid generator (A) (hereinafter also referred to as the acid generator (A)) that generates an acid when irradiated with actinic light or radiation, a resin (B) (hereinafter also referred to as the resin (B)) whose solubility in an alkali increases by the action of an acid, a sulfur-containing compound (E) (hereinafter also referred to as the sulfur-containing compound (E)) containing a sulfur atom capable of coordinating to a metal layer of the substrate, an acid diffusion inhibitor (F), and an organic solvent (S).
함황 화합물(E)은, 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물, 또는 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물의 호변이성체를 포함한다.The sulfur-containing compound (E) includes a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group, or a tautomer of a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group.
또한, 감광성 조성물은, 이하의 [요건 1]을 만족시킨다.In addition, the photosensitive composition satisfies the following [requirement 1].
[요건 1][Requirement 1]
이하의 공정 1)~4)에 의해서 구해지는, 산 발생제(A)의 분해율(%)이, 10 초과이다.The decomposition rate (%) of the acid generator (A) obtained by the following processes 1) to 4) is greater than 10.
1) 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물을, 표면에 스퍼터링법에 의해 형성된 구리층을 가지는 기판에 도포함으로써, 두께 8.5μm의 수지막을 형성한다.1) By applying a chemically amplified positive photosensitive composition to a substrate having a copper layer formed on the surface by a sputtering method, a resin film having a thickness of 8.5 μm is formed.
2) 수지막이 형성된 기판을, 140℃에서 300초간 가열한다.2) Heat the substrate on which the resin film has been formed at 140°C for 300 seconds.
3) 가열 후의 수지막의 일부를 깎아내고, 깎아낸 수지막을, 고형분 농도가 20 질량%가 되도록 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트에 용해시킨 후, 깎아낸 수지막의 질량의 15배의 질량의 아세토니트릴을 더하고, 침전물을 제외한 액을, 시험액으로 한다.3) After heating, a portion of the resin film is shaved off, the shaved resin film is dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate so that the solid concentration becomes 20 mass%, then acetonitrile is added in a mass 15 times that of the mass of the shaved resin film, and the liquid from which the precipitate is removed is used as the test solution.
4) 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물을 고형분 농도가 20 질량%가 되도록 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트로 희석한 후, 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물의 고형분의 질량의 15배의 질량의 아세토니트릴을 더하고, 침전물을 제외한 액과, 시험액을, 각각 액체 크로마토그래피로 분석하는 것에 의해, 하기 식(a)로 나타내는 산 발생제(A)의 분해율(%)을 구한다.4) After diluting the chemically amplified positive type photosensitive composition with propylene glycol monomethyl ether acetate so that the solid content concentration becomes 20 mass%, adding acetonitrile in a mass 15 times the mass of the solid content of the chemically amplified positive type photosensitive composition, analyzing the liquid from which the precipitate is removed and the test liquid, respectively, by liquid chromatography, the decomposition rate (%) of the acid generator (A) represented by the following formula (a) is obtained.
산 발생제(A)의 분해율(%) = (1-(x/y))Х100 ···(a)Decomposition rate (%) of acid generator (A) = (1-(x/y))Х100 ···(a)
(식(a) 중, x는, 수지막 중의 산 발생제(A)의 함유량(질량%)이며,(In formula (a), x is the content (mass%) of the acid generator (A) in the resin film,
y는, 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물의 고형분 중의 산 발생제(A)의 함유량(질량%)이다.)y is the content (mass%) of the acid generator (A) in the solid content of the chemically amplified positive photosensitive composition.)
이러한 감광성 조성물을 이용하는 것에 의해, 후술하는 실시예에 나타내는 바와 같이, 표면에 금속층을 구비하는 기판 상에, 저온에서도, 큰 언더컷이 형성된 단면 형상을 갖고 또한 기판에의 밀착성이 뛰어난 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.By using such a photosensitive composition, as shown in the examples described below, a resist pattern having a cross-sectional shape with a large undercut and excellent adhesion to the substrate can be formed even at low temperatures on a substrate having a metal layer on the surface.
표면에 금속층을 구비하는 기판 상에, 저온에서도, 큰 언더컷이 형성된 단면 형상을 갖고 또한 기판에의 밀착성이 뛰어난 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 이유는 불분명하지만, 이하와 같이 추측된다.The reason why a resist pattern having a cross-sectional shape with a large undercut and excellent adhesion to the substrate can be formed even at a low temperature on a substrate having a metal layer on the surface is unclear, but it is assumed as follows.
표면에 금속층을 구비하는 기판 상에 상술의 성분을 갖고 또한 [요건 1]을 만족시키는 상술의 감광성 조성물을 이용하여 형성된 감광성층을 가열하면, 가열 온도가 저온(예를 들면 60℃ 이상 130℃ 이하)에서도, 산 발생제(A)가 기판 표면에서 일부 분해하여 산이 발생한다. 이 반응이 생기는 것에 의해, 기판 표면 근방의 영역에 있어서, 수지(B)는, 알칼리에 대한 용해성이 증대한다. 그 후, 노광에 의해 산 발생제(A)가 분해하여 산을 발생하는 것에 의해, 노광부에 있어서 수지(B)는, 알칼리에 대한 용해성이 증대한다. 이 때문에, 그 후의 현상에 의해 형성되는 레지스트 패턴은, 비-레지스트부가 기판 표면측에 있어서 레지스트부의 내측으로 크게 침식한 언더컷량이 증가하여, 언더컷이 커진다.When a photosensitive layer formed using the photosensitive composition having the above-described components and satisfying [requirement 1] on a substrate having a metal layer on its surface is heated, even at a low heating temperature (for example, 60°C or more and 130°C or less), the acid generator (A) partially decomposes on the substrate surface to generate acid. Due to this reaction, the solubility of the resin (B) in an alkali increases in an area near the substrate surface. Thereafter, the acid generator (A) decomposes by exposure to generate acid, so that the solubility of the resin (B) in an alkali increases in the exposed portion. For this reason, in a resist pattern formed by subsequent development, the amount of undercut in which the non-resist portion is greatly eroded from the substrate surface side to the inside of the resist portion increases, and the undercut becomes large.
또한, 상기 [요건 1]을 만족시키는 감광성 조성물이, 수지(B)와 함께, 기판의 금속층에 대해서 배위할 수 있는 황 원자를 포함하는 함황 화합물(E)로서 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물, 또는 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물의 호변이성체를 포함하고 있는 것에 의해, 큰 언더컷을 가지면서 기판에의 밀착성이 뛰어난 레지스트 패턴이 된다.In addition, the photosensitive composition satisfying the above [requirement 1] contains, together with the resin (B), a sulfur-containing compound (E) containing a sulfur atom capable of coordinating to the metal layer of the substrate, a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group, or a tautomer of a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group, thereby forming a resist pattern having a large undercut and excellent adhesion to the substrate.
한편, [요건 1]을 만족시키지 않는 감광성 조성물을 이용했을 경우, 저온에서, 큰 언더컷이 형성된 단면 형상을 갖고 또한 기판에의 밀착성이 뛰어난 레지스트 패턴을 형성하기 어렵다. 구체적으로는, [요건 1]의 산 발생제(A)의 분해율(%)이 10 이하인 감광성 조성물이나, 함황 화합물(E)로서의, 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물, 또는 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물의 호변이성체를 포함하지 않는 감광성 조성물을 이용했을 경우이다.On the other hand, when a photosensitive composition that does not satisfy [Requirement 1] is used, it is difficult to form a resist pattern having a cross-sectional shape with a large undercut at a low temperature and excellent adhesion to a substrate. Specifically, this applies when a photosensitive composition having a decomposition rate (%) of the acid generator (A) of [Requirement 1] is used, or a photosensitive composition that does not include a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group or a tautomer of a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group as the sulfur-containing compound (E).
예를 들면, 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물, 또는 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물의 호변이성체를 포함하지 않는 감광성 조성물을 이용하면, 형성되는 레지스트 패턴은, 기판에의 밀착성이 뒤떨어져, 기판으로부터의 벗겨짐이 생기기 쉽다. [요건 1]의 산 발생제(A)의 분해율(%)이 10 이하인 감광성 조성물을 이용하면, 언더컷 형상이 되기 어렵다.For example, if a photosensitive composition is used that does not contain a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group or a tautomer of a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group, the resist pattern formed has poor adhesion to a substrate and is likely to peel off from the substrate. If a photosensitive composition in which the decomposition rate (%) of the acid generator (A) of [Requirement 1] is 10 or less is used, it is difficult to form an undercut shape.
여기서, 상기 [요건 1]을 만족시키는 감광성 조성물은, 함유 성분(특히는, 산 발생제(A), 산 확산 억제제(F))의 종류나 배합량을 조정함으로써, 제조할 수 있다. 덧붙여, 상기 [요건 1]의 산 발생제(A)의 분해율(%)은, 감광성 조성물이 포함하는 산 발생제(A)에만 의존하는 것이 아니고, 산 확산 억제제(F) 등의, 감광성 조성물이 포함하는 성분에도 의존할 수 있다.Here, the photosensitive composition satisfying the above [requirement 1] can be manufactured by adjusting the types or blending amounts of the components (particularly, the acid generator (A) and the acid diffusion inhibitor (F)). In addition, the decomposition rate (%) of the acid generator (A) of the above [requirement 1] does not depend only on the acid generator (A) included in the photosensitive composition, but may also depend on components included in the photosensitive composition, such as the acid diffusion inhibitor (F).
[요건 1]의 산 발생제(A)의 분해율(%)은, 10 초과이면 되지만, 하한치에 대해서, 15 이상인 것이 바람직하고, 20 이상인 것이 보다 바람직하고, 25 이상인 것이 더욱 바람직하고, 30 이상이어도 된다. [요건 1]의 산 발생제(A)의 분해율(%)의 상한치에 대해서, 40 이하인 것이 바람직하고, 35 이하인 것이 보다 바람직하다.The decomposition rate (%) of the acid generator (A) of [Requirement 1] may be greater than 10, but with respect to the lower limit, it is preferably 15 or more, more preferably 20 or more, still more preferably 25 or more, and may also be 30 or more. With respect to the upper limit of the decomposition rate (%) of the acid generator (A) of [Requirement 1], it is preferably 40 or less, and more preferably 35 or less.
감광성 조성물을 이용하여 형성되는 레지스트 패턴의 막 두께는 특별히 한정되지 않는다. 감광성 조성물을 이용하여 형성되는 레지스트 패턴의 막 두께는, 구체적으로는, 0.5μm 이상이 바람직하고, 0.5μm 이상 300μm 이하가 보다 바람직하고, 0.5μm 이상 200μm 이하가 보다 더욱 바람직하고, 0.5μm 이상 150μm 이하가 특히 바람직하다.The film thickness of the resist pattern formed using the photosensitive composition is not particularly limited. Specifically, the film thickness of the resist pattern formed using the photosensitive composition is preferably 0.5 μm or more, more preferably 0.5 μm or more and 300 μm or less, still more preferably 0.5 μm or more and 200 μm or less, and particularly preferably 0.5 μm or more and 150 μm or less.
막 두께의 상한치는, 예를 들면, 100μm 이하이어도 된다. 막 두께의 하한치는, 예를 들면, 1μm 이상이어도 되고, 3μm 이상이어도 된다.The upper limit of the film thickness may be, for example, 100 μm or less. The lower limit of the film thickness may be, for example, 1 μm or more or 3 μm or more.
예를 들면, 감광성 조성물을 이용하여 라인 앤드 스페이스 패턴이 형성되는 경우, 라인 앤드 스페이스 패턴의 레지스트부(라인부)의 폭은 특별히 한정되지 않는다. 레지스트부의 폭은, 레지스트부의 기판과 접하고 있는 면과 반대의 면의 폭이다. 감광성 조성물을 이용하여 형성되는 라인 앤드 스페이스 패턴의 레지스트부의 폭은, 구체적으로는, 0.05μm 이상 20μm 이하가 바람직하고, 0.5μm 이상 10μm 이하가 보다 바람직하고, 1.0μm 이상 4.0μm 이하가 더욱 바람직하다.For example, when a line-and-space pattern is formed using a photosensitive composition, the width of the resist portion (line portion) of the line-and-space pattern is not particularly limited. The width of the resist portion is the width of the surface opposite to the surface of the resist portion in contact with the substrate. Specifically, the width of the resist portion of the line-and-space pattern formed using the photosensitive composition is preferably 0.05 μm or more and 20 μm or less, more preferably 0.5 μm or more and 10 μm or less, and still more preferably 1.0 μm or more and 4.0 μm or less.
이하, 감광성 조성물이 포함하는, 필수 또는 임의의 성분과, 감광성 조성물의 제조 방법에 대해서 설명한다.Hereinafter, essential or optional components included in the photosensitive composition and a method for producing the photosensitive composition are described.
<산 발생제(A)><Acid generator (A)>
산 발생제(A)는, 감광성 조성물이 전술의 [요건 1]을 만족시키는 한 특별히 한정되지 않는다. 산 발생제(A)는, 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물이며, 광에 의해 직접 또는 간접적으로 산을 발생하는 화합물이다.The acid generator (A) is not particularly limited as long as the photosensitive composition satisfies [requirement 1] described above. The acid generator (A) is a compound that generates an acid upon irradiation with active light or radiation, and is a compound that directly or indirectly generates an acid by light.
산 발생제(A)로서는, -CO-NRa1-OSO2-Ra2(Ra1은 수소 원자 또는 탄화수소기를 나타내고, Ra2는 유기기를 나타낸다)로 나타내는 기를 가지는 방향족 화합물, 또는 옥심설포네이트기를 가지는 화합물이 바람직하고, 방향환을 포함하고, 치환기를 가져도 되는 축합환에 -CO-NRa1-OSO2-Ra2로 나타내는 기가 결합한 방향족 화합물이 보다 바람직하고, 치환기를 가지고 있어도 되는 나프탈렌 골격에 -CO-NRa1-OSO2-Ra2로 나타내는 기가 결합한 나프탈렌계 화합물, 및 치환기를 가지고 있어도 되는 쿠마린 골격에 -CO-NRa1-OSO2-Ra2로 나타내는 기가 결합한 쿠마린계 화합물이 더욱 바람직하고, 치환기를 가지고 있어도 되는 쿠마린 골격에 -CO-NRa1-OSO2-Ra2로 나타내는 기가 결합한 쿠마린계 화합물이 특히 바람직하다.As the acid generator (A), an aromatic compound having a group represented by -CO-NR a1 -OSO 2 -R a2 (R a1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, and R a2 represents an organic group), or a compound having an oxime sulfonate group is preferable, an aromatic compound in which a group represented by -CO-NR a1 -OSO 2 -R a2 is bonded to a condensed ring which contains an aromatic ring and which may have a substituent, is more preferable, a naphthalene-based compound in which a group represented by -CO-NR a1 -OSO 2 -R a2 is bonded to a naphthalene skeleton which may have a substituent, and a coumarin-based compound in which a group represented by -CO-NR a1 -OSO 2 -R a2 is bonded to a coumarin skeleton which may have a substituent are still more preferable, and a coumarin-based compound in which a group represented by -CO-NR a1 -OSO 2 -R a2 is bonded to a coumarin skeleton which may have a substituent is particularly preferable.
치환기를 가지고 있어도 되는 쿠마린 골격에, -CO-NRa1-OSO2-Ra2 (Ra1은 수소 원자 또는 탄화수소기를 나타내고, Ra2는 유기기를 나타낸다)로 나타내는 기가 결합한 쿠마린계 화합물로서는, 하기 식(i)로 나타내는 화합물을 들 수 있다.As a coumarin compound in which a group represented by -CO-NR a1 -OSO 2 -R a2 (R a1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, and R a2 represents an organic group) is bonded to a coumarin skeleton which may have a substituent, a compound represented by the following formula (i) can be exemplified.
상기 식(i) 중, Ra1은 수소 원자 또는 탄화수소기를 나타내고, Ra2는 유기기를 나타내고, Ra3은 알킬기, 시클로알킬기, 플루오로알킬기, 히드록시기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아릴 티오카르보닐기, 아실옥시기, 아릴티오기, 알킬티오기, 아릴기, 복소환기, 아릴옥시기, 알킬설피닐기, 아릴설피닐기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기 또는 할로겐 원자를 나타내고, n1은 0 이상 4 이하의 정수를 나타낸다.)In the above formula (i), R a1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, R a2 represents an organic group, R a3 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, a fluoroalkyl group, a hydroxy group, an alkoxy group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl group, an alkoxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an arylthiocarbonyl group, an acyloxy group, an arylthio group, an alkylthio group, an aryl group, a heterocyclic group, an aryloxy group, an alkylsulfinyl group, an arylsulfinyl group, an alkylsulfonyl group, an arylsulfonyl group, or a halogen atom, and n1 represents an integer of 0 to 4.)
Ra1로서의 탄화수소기로서는, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 및 이들의 조합을 들 수 있다.As hydrocarbon groups as R a1 , alkyl groups, cycloalkyl groups, alkenyl groups, alkynyl groups, aryl groups, and combinations thereof can be mentioned.
알킬기는, 직쇄상이어도, 분기상이어도 된다. 알킬기의 탄소 원자수는, 1 이상 18 이하가 바람직하다. 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 이소헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, n-테트라데실기, n-헥사데실기, n-옥타데실기, 이소옥타데실기를 들 수 있다.The alkyl group may be linear or branched. The number of carbon atoms in the alkyl group is preferably 1 to 18. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, a tert-pentyl group, an isohexyl group, an n-octyl group, an n-decyl group, an n-dodecyl group, an n-tetradecyl group, an n-hexadecyl group, an n-octadecyl group, and an isooctadecyl group.
시클로알킬기의 탄소 원자수는, 3 이상 18 이하가 바람직하다. 시클로알킬기의 구체예로서는, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기를 들 수 있다.The number of carbon atoms in the cycloalkyl group is preferably 3 or more and 18 or less. Specific examples of the cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group.
알케닐기는, 직쇄상이어도, 분기상이어도 된다. 알케닐기의 탄소 원자수는, 2 이상 18 이하가 바람직하다. 알케닐기의 구체예로서는, 비닐기, 알릴기, 1-프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1-메틸-1-프로페닐기, 1-메틸-2-프로페닐기, 2-메틸-1-프로페닐기, 2-메틸-2-프로페닐기, 1-펜테닐기, 2-펜테닐기, 3-펜테닐기, 4-펜테닐기, 1-메틸-1-부테닐기, 2-메틸-2-부테닐기, 3-메틸-2-부테닐기, 1,2-디메틸-1-프로페닐기, 1-데세닐기, 2-데세닐기, 8-데세닐기, 1-도데세닐기, 2-도데세닐기, 10-도데세닐기를 들 수 있다.The alkenyl group may be linear or branched. The number of carbon atoms in the alkenyl group is preferably 2 or more and 18 or less. Specific examples of the alkenyl group include a vinyl group, an allyl group, a 1-propenyl group, an isopropenyl group, a 1-butenyl group, a 2-butenyl group, a 3-butenyl group, a 1-methyl-1-propenyl group, a 1-methyl-2-propenyl group, a 2-methyl-1-propenyl group, a 2-methyl-2-propenyl group, a 1-pentenyl group, a 2-pentenyl group, a 3-pentenyl group, a 4-pentenyl group, a 1-methyl-1-butenyl group, a 2-methyl-2-butenyl group, a 3-methyl-2-butenyl group, a 1,2-dimethyl-1-propenyl group, a 1-decenyl group, a 2-decenyl group, an 8-decenyl group, a 1-dodecenyl group, a 2-dodecenyl group, and a 10-dodecenyl group.
알키닐기는, 직쇄상이어도, 분기상이어도 된다. 알키닐기의 탄소 원자수는, 2 이상 18 이하가 바람직하다. 알키닐기의 구체예로서는, 에티닐기, 1-프로피닐기, 2-프로피닐기, 1-부티닐기, 2-부티닐기, 3-부티닐기, 1-메틸-2-프로피닐기, 1-펜티닐기, 2-펜티닐기, 3-펜티닐기, 4-펜티닐기, 1-메틸-2-부티닐기, 1,2-디메틸-2-프로피닐기, 1-데시닐기, 2-데시닐기, 8-데시닐기, 1-도데시닐기, 2-도데시닐기, 10-도데시닐기를 들 수 있다.The alkynyl group may be linear or branched. The number of carbon atoms in the alkynyl group is preferably 2 to 18. Specific examples of the alkynyl group include an ethynyl group, a 1-propynyl group, a 2-propynyl group, a 1-butynyl group, a 2-butynyl group, a 3-butynyl group, a 1-methyl-2-propynyl group, a 1-pentynyl group, a 2-pentynyl group, a 3-pentynyl group, a 4-pentynyl group, a 1-methyl-2-butynyl group, a 1,2-dimethyl-2-propynyl group, a 1-decynyl group, a 2-decynyl group, an 8-decynyl group, a 1-dodecynyl group, a 2-dodecynyl group, and a 10-dodecynyl group.
아릴기의 탄소 원자수는, 6 이상 18 이하가 바람직하다. 아릴기의 구체예로서는, 페닐기, 톨릴기, 나프틸기, 안트라세닐기, 비페닐기를 들 수 있다.The number of carbon atoms in the aryl group is preferably 6 or more and 18 or less. Specific examples of the aryl group include a phenyl group, a tolyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, and a biphenyl group.
Ra1로서는, 수소 원자, 탄소 원자수 1 이상 4 이하의 알킬기가 바람직하다.As R a1 , a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms are preferable.
Ra2로서의 유기기는, O, N, S, P, 할로겐 원자 등의 헤테로 원자를 가지고 있어도 되고, 치환기를 가지고 있어도 된다. 유기기는, 직쇄상이어도 분기쇄이어도 환상이어도, 이들의 조합이어도 된다.The organic group as R a2 may have a heteroatom such as O, N, S, P, or a halogen atom, and may have a substituent. The organic group may be linear, branched, cyclic, or a combination thereof.
Ra2로서의 유기기로서는, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 복소환기, 및 이들의 조합을 들 수 있다.As the organic group as R a2 , an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, a heterocyclic group, and a combination thereof can be mentioned.
알킬기는, 직쇄상이어도, 분기상이어도 된다. 알킬기의 탄소 원자수는, 1 이상 18 이하가 바람직하다. 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 이소헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, n-테트라데실기, n-헥사데실기, n-옥타데실기, 이소옥타데실기를 들 수 있다.The alkyl group may be linear or branched. The number of carbon atoms in the alkyl group is preferably 1 to 18. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, a tert-pentyl group, an isohexyl group, an n-octyl group, an n-decyl group, an n-dodecyl group, an n-tetradecyl group, an n-hexadecyl group, an n-octadecyl group, and an isooctadecyl group.
시클로알킬기의 탄소 원자수는, 3 이상 18 이하가 바람직하다. 시클로알킬기의 구체예로서는, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 10-캄퍼일기를 들 수 있다.The number of carbon atoms in the cycloalkyl group is preferably 3 or more and 18 or less. Specific examples of the cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a 10-camphoryl group.
아릴기의 탄소 원자수는, 6 이상 18 이하가 바람직하다. 아릴기의 구체예로서는, 페닐기, 톨릴기, 나프틸기, 안트라세닐기, 비페닐기를 들 수 있다.The number of carbon atoms in the aryl group is preferably 6 or more and 18 or less. Specific examples of the aryl group include a phenyl group, a tolyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, and a biphenyl group.
복소환기의 탄소 원자수는, 4 이상 20 이하가 바람직하다. 복소환기의 구체예로서는, 티에닐기, 퓨라닐기, 피라닐기, 피로릴기, 옥사졸일기, 티아졸일기, 피리딜기, 피리미딜기, 피라지닐기, 인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티에닐기, 퀴놀일기, 이소퀴놀일기, 퀴녹사리닐기, 퀴나졸일기, 카르바졸일기, 아크리딘일기, 페노티아딘일기, 페나딘일기, 크산테닐기, 티안트레닐기, 페녹사딘일기, 페녹사티이닐기, 크로마닐기, 이소크로마닐기, 디벤조티에닐기, 크산톤일기, 티오크산톤일기, 디벤조퓨라닐기를 들 수 있다.The number of carbon atoms of the heterocyclic group is preferably 4 or more and 20 or less. Specific examples of the heterocyclic group include a thienyl group, a furanyl group, a pyranyl group, a pyrrolyl group, an oxazolyl group, a thiazolyl group, a pyridyl group, a pyrimidyl group, a pyrazinyl group, an indolyl group, a benzofuranyl group, a benzothienyl group, a quinolyl group, an isoquinolyl group, a quinoxalinyl group, a quinazolyl group, a carbazolyl group, an acridinyl group, a phenothiadinyl group, a phenodinyl group, a phenodinyl group, a xanthenyl group, a thianthrenyl group, a phenoxadinyl group, a phenoxathiinyl group, a chromanyl group, an isochromanyl group, a dibenzothienyl group, a xanthonyl group, a thioxanthonyl group, and a dibenzofuranyl group.
Ra2로서의 유기기가 가지고 있어도 되는 치환기로서는, 알킬기, 시클로알킬기, 플루오로알킬기, 히드록시기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아릴티오카르보닐기, 아실옥시기, 아릴티오기, 알킬티오기, 아릴기, 복소환기, 아릴옥시기, 알킬설피닐기, 아릴설피닐기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 할로겐 원자를 들 수 있다.As a substituent that the organic group as R a2 may have, there may be mentioned an alkyl group, a cycloalkyl group, a fluoroalkyl group, a hydroxy group, an alkoxy group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl group, an alkoxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an arylthiocarbonyl group, an acyloxy group, an arylthio group, an alkylthio group, an aryl group, a heterocyclic group, an aryloxy group, an alkylsulfinyl group, an arylsulfinyl group, an alkylsulfonyl group, an arylsulfonyl group, and a halogen atom.
치환기로서의 알킬기는, 직쇄상이어도, 분기상이어도 된다. 알킬기의 탄소 원자수는, 1 이상 18 이하가 바람직하다. 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 이소헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, n-테트라데실기, n-헥사데실기, n-옥타데실기, 이소옥타데실기를 들 수 있다.The alkyl group as a substituent may be linear or branched. The number of carbon atoms of the alkyl group is preferably 1 to 18. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, a tert-pentyl group, an isohexyl group, an n-octyl group, an n-decyl group, an n-dodecyl group, an n-tetradecyl group, an n-hexadecyl group, an n-octadecyl group, and an isooctadecyl group.
치환기로서의 시클로알킬기의 탄소 원자수는, 3 이상 18 이하가 바람직하다. 시클로알킬기의 구체예로서는, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기를 들 수 있다.The number of carbon atoms of the cycloalkyl group as a substituent is preferably 3 or more and 18 or less. Specific examples of the cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group.
치환기로서의 플루오로알킬기로서는, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로 에틸기, 헵타플루오로프로필기, 헵타플루오로부틸기를 들 수 있다.As fluoroalkyl groups as substituents, examples include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a heptafluoropropyl group, and a heptafluorobutyl group.
치환기로서의 알콕시기는, 직쇄상이어도, 분기상이어도 된다. 알콕시기의 탄소 원자수는, 1 이상 18 이하가 바람직하다. 알콕시기의 구체예로서는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기, 이소부톡시기, sec-부톡시기, tert-부톡시기, 헥실옥시기, 데실옥시기, 도데실옥시기, 옥타데실옥시기를 들 수 있다.The alkoxy group as a substituent may be linear or branched. The number of carbon atoms of the alkoxy group is preferably 1 to 18. Specific examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, a butoxy group, an isobutoxy group, a sec-butoxy group, a tert-butoxy group, a hexyloxy group, a decyloxy group, a dodecyloxy group, and an octadecyloxy group.
치환기로서의 알킬카르보닐기는, 직쇄상이어도, 분기상이어도 된다. 알킬카르보닐기의 탄소 원자수는, 2 이상 18 이하가 바람직하다. 알킬카르보닐기의 구체예로서는, 아세틸기, 프로피오닐기, 부타노일기, 2-메틸프로피오닐기, 헵타노일기, 2-메틸부타노일기, 3-메틸부타노일기, 옥타노일기, 데카노일기, 도데카노일기, 옥타데카노일기를 들 수 있다.The alkylcarbonyl group as a substituent may be linear or branched. The number of carbon atoms of the alkylcarbonyl group is preferably 2 to 18. Specific examples of the alkylcarbonyl group include an acetyl group, a propionyl group, a butanoyl group, a 2-methylpropionyl group, a heptanoyl group, a 2-methylbutanoyl group, a 3-methylbutanoyl group, an octanoyl group, a decanoyl group, a dodecanoyl group, and an octadecanoyl group.
치환기로서의 아릴카르보닐기의 탄소 원자수는, 7 이상 11 이하가 바람직하다. 아릴카르보닐기의 구체예로서는, 벤조일기, 나프토일기를 들 수 있다.The number of carbon atoms of the arylcarbonyl group as a substituent is preferably 7 or more and 11 or less. Specific examples of the arylcarbonyl group include a benzoyl group and a naphthoyl group.
치환기로서의 알콕시카르보닐기는, 직쇄상이어도, 분기상이어도 된다. 알콕시카르보닐기의 탄소 원자수는, 2 이상 19 이하가 바람직하다. 알콕시카르보닐기의 구체예로서는, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 프로폭시카르보닐기, 이소프로폭시카르보닐기, 부톡시카르보닐기, 이소부톡시카르보닐기, sec-부톡시카르보닐기, tert-부톡시카르보닐기, 옥틸옥시카르보닐기, 테트라데실옥시카르보닐기, 옥타데실옥시카르보닐기를 들 수 있다.The alkoxycarbonyl group as a substituent may be linear or branched. The number of carbon atoms in the alkoxycarbonyl group is preferably 2 to 19. Specific examples of the alkoxycarbonyl group include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, a propoxycarbonyl group, an isopropoxycarbonyl group, a butoxycarbonyl group, an isobutoxycarbonyl group, a sec-butoxycarbonyl group, a tert-butoxycarbonyl group, an octyloxycarbonyl group, a tetradecyloxycarbonyl group, and an octadecyloxycarbonyl group.
치환기로서의 아릴옥시카르보닐기의 탄소 원자수는, 7 이상 11 이하가 바람직하다. 아릴옥시카르보닐기의 구체예로서는, 페녹시카르보닐기, 나프톡시카르보닐기를 들 수 있다.The number of carbon atoms of the aryloxycarbonyl group as a substituent is preferably 7 or more and 11 or less. Specific examples of the aryloxycarbonyl group include a phenoxycarbonyl group and a naphthoxycarbonyl group.
치환기로서의 아릴티오카르보닐기의 탄소 원자수는, 7 이상 11 이하가 바람직하다. 아릴티오카르보닐기의 구체예로서는, 페닐티오카르보닐기, 나프톡시티오카르보닐기를 들 수 있다.The number of carbon atoms of the arylthiocarbonyl group as a substituent is preferably 7 or more and 11 or less. Specific examples of the arylthiocarbonyl group include a phenylthiocarbonyl group and a naphthoxythiocarbonyl group.
치환기로서의 아실옥시기는, 직쇄상이어도, 분기상이어도 된다. 아실옥시기의 탄소 원자수는, 2 이상 19하가 바람직하다. 아실옥시기의 구체예로서는, 아세톡시기, 에틸카르보닐옥시기, 프로필카르보닐옥시기, 이소프로필카르보닐옥시기, 부틸카르보닐옥시기, 이소부틸카르보닐옥시기, sec-부틸카르보닐옥시기, tert-부틸카르보닐옥시기, 옥틸카르보닐옥시기, 테트라데실카르보닐옥시기, 옥타데실카르보닐옥시기를 들 수 있다.The acyloxy group as a substituent may be linear or branched. The number of carbon atoms of the acyloxy group is preferably 2 to 19. Specific examples of the acyloxy group include an acetoxy group, an ethylcarbonyloxy group, a propylcarbonyloxy group, an isopropylcarbonyloxy group, a butylcarbonyloxy group, an isobutylcarbonyloxy group, a sec-butylcarbonyloxy group, a tert-butylcarbonyloxy group, an octylcarbonyloxy group, a tetradecylcarbonyloxy group, and an octadecylcarbonyloxy group.
치환기로서의 아릴티오기의 탄소 원자수는, 6 이상 20 이하가 바람직하다. 아릴티오기의 구체예로서는, 페닐티오기, 2-메틸 페닐티오기, 3-메틸 페닐티오기, 4-메틸 페닐티오기, 2-클로로페닐티오기, 3-클로로페닐티오기, 4-클로로페닐티오기, 2-브로모페닐티오기, 3-브로모페닐티오기, 4-브로모페닐티오기, 2-플루오로페닐티오기, 3-플루오로페닐티오기, 4-플루오로페닐티오기, 2-히드록시페닐티오기, 4-히드록시페닐티오기, 2-메톡시 페닐티오기, 4-메톡시 페닐티오기, 1-나프틸티오기, 2-나프틸티오기, 4-[4-(페닐티오) 벤조일]페닐티오기, 4-[4-(페닐티오) 페녹시]페닐티오기, 4-[4-(페닐티오) 페닐]페닐티오기, 4-(페닐티오) 페닐티오기, 4-벤조일 페닐티오기, 4-벤조일-2-클로로페닐티오기, 4-벤조일-3-클로로페닐티오기, 4-벤조일-3-메틸티오 페닐티오기, 4-벤조일-2-메틸티오 페닐티오기, 4-(4-메틸티오 벤조일) 페닐티오기, 4-(2-메틸티오 벤조일) 페닐티오기, 4-(p-메틸 벤조일) 페닐티오기, 4-(p-에틸 벤조일) 페닐티오 4-(p-이소프로필 벤조일) 페닐티오기, 4-(p-tert-부틸 벤조일) 페닐티오기를 들 수 있다.The number of carbon atoms of the arylthio group as a substituent is preferably 6 or more and 20 or less. Specific examples of the arylthio group include a phenylthio group, a 2-methyl phenylthio group, a 3-methyl phenylthio group, a 4-methyl phenylthio group, a 2-chlorophenylthio group, a 3-chlorophenylthio group, a 4-chlorophenylthio group, a 2-bromophenylthio group, a 3-bromophenylthio group, a 4-bromophenylthio group, a 2-fluorophenylthio group, a 3-fluorophenylthio group, a 4-fluorophenylthio group, a 2-hydroxyphenylthio group, a 4-hydroxyphenylthio group, a 2-methoxy phenylthio group, a 4-methoxy phenylthio group, a 1-naphthylthio group, a 2-naphthylthio group, a 4-[4-(phenylthio)benzoyl]phenylthio group, a 4-[4-(phenylthio) Examples thereof include 4-[4-(phenylthio)phenyl]phenylthio, 4-(phenylthio)phenylthio, 4-benzoyl phenylthio, 4-benzoyl-2-chlorophenylthio, 4-benzoyl-3-chlorophenylthio, 4-benzoyl-3-methylthio phenylthio, 4-benzoyl-2-methylthio phenylthio, 4-(4-methylthio benzoyl) phenylthio, 4-(2-methylthio benzoyl) phenylthio, 4-(p-methyl benzoyl) phenylthio, 4-(p-ethyl benzoyl) phenylthio, 4-(p-isopropyl benzoyl) phenylthio, and 4-(p-tert-butyl benzoyl) phenylthio.
치환기로서의 알킬티오기는, 직쇄상이어도, 분기상이어도 된다. 알킬티오기의 탄소 원자수는, 1 이상 18 이하가 바람직하다. 알킬티오기의 구체예로서는, 메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 이소프로필티오기, 부틸티오기, 이소부틸티오기, sec-부틸티오기, tert-부틸티오기, 펜틸티오기, 이소펜틸티오기, 네오펜틸티오기, tert-펜틸티오기, 옥틸티오기, 데실티오기, 도데실티오기, 이소옥타데실티오기를 들 수 있다.The alkylthio group as a substituent may be linear or branched. The number of carbon atoms of the alkylthio group is preferably 1 to 18. Specific examples of the alkylthio group include methylthio, ethylthio, propylthio, isopropylthio, butylthio, isobutylthio, sec-butylthio, tert-butylthio, pentylthio, isopentylthio, neopentylthio, tert-pentylthio, octylthio, decylthio, dodecylthio, and isooctadecylthio.
치환기로서의 아릴기의 탄소 원자수는, 6 이상 10 이하가 바람직하다. 아릴기의 구체예로서는, 페닐기, 톨릴기, 디메틸 페닐기, 나프틸기를 들 수 있다.The number of carbon atoms of the aryl group as a substituent is preferably 6 or more and 10 or less. Specific examples of the aryl group include a phenyl group, a tolyl group, a dimethylphenyl group, and a naphthyl group.
치환기로서의 복소환기의 탄소 원자수는, 4 이상 20 이하가 바람직하다. 복소환기의 구체예로서는, 티에닐기, 퓨라닐기, 피라닐기, 피로릴기, 옥사졸일기, 티아졸일기, 피리딜기, 피리미딜기, 피라딘일기, 인돌일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티에닐기, 퀴놀일기, 이소퀴놀일기, 퀴녹사리닐기, 퀴나졸일기, 카르바졸일기, 아크리딘일기, 페노티아딘일기, 페나딘일기, 크산테닐기, 티안트레닐기, 페녹사딘일기, 페녹사티이닐기, 크로마닐기, 이소크로마닐기, 디벤조티에닐기, 크산톤일기, 티오크산톤일기, 디벤조퓨라닐기를 들 수 있다.The number of carbon atoms of the heterocyclic group as a substituent is preferably 4 or more and 20 or less. Specific examples of the heterocyclic group include a thienyl group, a furanyl group, a pyranyl group, a pyrrolyl group, an oxazolyl group, a thiazolyl group, a pyridyl group, a pyrimidyl group, a pyridinyl group, an indolyl group, a benzofuranyl group, a benzothienyl group, a quinolyl group, an isoquinolyl group, a quinoxalinyl group, a quinazolyl group, a carbazolyl group, an acridinyl group, a phenothiadinyl group, a phenodinyl group, a phenadienyl group, a xanthenyl group, a thianthrenyl group, a phenoxadinyl group, a phenoxathiinyl group, a chromanyl group, an isochromanyl group, a dibenzothienyl group, a xanthonyl group, a thioxanthonyl group, and a dibenzofuranyl group.
치환기로서의 아릴옥시기의 탄소 원자수는, 6 이상 10 이하가 바람직하다. 아릴옥시기의 구체예로서는, 페녹시기, 나프틸옥시기 등을 들 수 있다.The number of carbon atoms of the aryloxy group as a substituent is preferably 6 or more and 10 or less. Specific examples of the aryloxy group include a phenoxy group, a naphthyloxy group, and the like.
치환기로서의 알킬설피닐기는, 직쇄상이어도, 분기상이어도 된다. 알킬설피닐기의 탄소 원자수는, 1 이상 18 이하가 바람직하다. 알킬설피닐기의 구체예로서는, 메틸설피닐기, 에틸설피닐기, 프로필설피닐기, 이소프로필설피닐기, 부틸설피닐기, 이소부틸설피닐기, sec-부틸설피닐기, tert-부틸설피닐기, 펜틸설피닐기, 이소펜틸설피닐기, 네오펜틸설피닐기, tert-펜틸설피닐기, 옥틸설피닐기, 이소옥타데실설피닐기를 들 수 있다.The alkylsulfinyl group as a substituent may be linear or branched. The number of carbon atoms of the alkylsulfinyl group is preferably 1 to 18. Specific examples of the alkylsulfinyl group include a methylsulfinyl group, an ethylsulfinyl group, a propylsulfinyl group, an isopropylsulfinyl group, a butylsulfinyl group, an isobutylsulfinyl group, a sec-butylsulfinyl group, a tert-butylsulfinyl group, a pentylsulfinyl group, an isopentylsulfinyl group, a neopentylsulfinyl group, a tert-pentylsulfinyl group, an octylsulfinyl group, and an isooctadecylsulfinyl group.
치환기로서의 아릴설피닐기의 탄소 원자수는, 6 이상 10 이하가 바람직하다. 아릴설피닐기의 구체예로서는, 페닐설피닐기, 톨릴설피닐기, 나프틸설피닐기를 들 수 있다.The number of carbon atoms of the arylsulfinyl group as a substituent is preferably 6 or more and 10 or less. Specific examples of the arylsulfinyl group include a phenylsulfinyl group, a tolylsulfinyl group, and a naphthylsulfinyl group.
치환기로서의 알킬설포닐기는, 직쇄상이어도, 분기상이어도 된다. 알킬설포닐기의 탄소 원자수는, 1 이상 18 이하가 바람직하다. 알킬설포닐기의 구체예로서는, 메틸설포닐기, 에틸설포닐기, 프로필설포닐기, 이소프로필설포닐기, 부틸설포닐기, 이소부틸설포닐기, sec-부틸설포닐기, tert-부틸설포닐기, 펜틸설포닐기, 이소펜틸설포닐기, 네오펜틸설포닐기, tert-펜틸설포닐기, 옥틸설포닐기, 옥타데실설포닐기를 들 수 있다.The alkylsulfonyl group as a substituent may be linear or branched. The number of carbon atoms of the alkylsulfonyl group is preferably 1 to 18. Specific examples of the alkylsulfonyl group include a methylsulfonyl group, an ethylsulfonyl group, a propylsulfonyl group, an isopropylsulfonyl group, a butylsulfonyl group, an isobutylsulfonyl group, a sec-butylsulfonyl group, a tert-butylsulfonyl group, a pentylsulfonyl group, an isopentylsulfonyl group, a neopentylsulfonyl group, a tert-pentylsulfonyl group, an octylsulfonyl group, and an octadecylsulfonyl group.
치환기로서의 아릴설포닐기의 탄소 원자수는, 6 이상 10 이하가 바람직하다. 아릴설포닐기의 구체예로서는, 페닐설포닐기, 톨릴설포닐기(토실기), 나프틸설포닐기를 들 수 있다.The number of carbon atoms of the arylsulfonyl group as a substituent is preferably 6 or more and 10 or less. Specific examples of the arylsulfonyl group include a phenylsulfonyl group, a tolylsulfonyl group (tosyl group), and a naphthylsulfonyl group.
치환기로서의 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.Halogen atoms that act as substituents include fluorine atoms, chlorine atoms, bromine atoms, and iodine atoms.
Ra2로서는, 탄소 원자수 6 이상 10 이하의 알킬기, 10-캄퍼일기, 치환기를 가지고 있어도 되는 페닐기가 바람직하다.As R a2 , an alkyl group having 6 to 10 carbon atoms, a 10-camphoryl group, or a phenyl group which may have a substituent is preferable.
Ra3으로서의 알킬기, 시클로알킬기, 플루오로알킬기, 히드록시기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아릴티오카르보닐기, 아실옥시기, 아릴티오기, 알킬티오기, 아릴기, 복소환기, 아릴옥시기, 알킬설피닐기, 아릴설피닐기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기, 할로겐 원자에 대해서는, 각각, Ra2로서의 유기기가 가지고 있어도 되는 치환기로서 설명한 각 기와 같다.With respect to the alkyl group, cycloalkyl group , fluoroalkyl group, hydroxy group, alkoxy group, alkylcarbonyl group, arylcarbonyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, arylthiocarbonyl group, acyloxy group, arylthio group, alkylthio group, aryl group, heterocyclic group, aryloxy group, alkylsulfinyl group, arylsulfinyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, and halogen atom as R a3, they are each the same as the groups explained as the substituents which the organic group as R a2 may have.
Ra3으로서는, 탄소 원자수 1 이상 4 이하의 알킬기, 탄소 원자수 1 이상 4 이하의 알콕시기가 바람직하다.As R a3 , an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferable.
n1은 1인 것이 바람직하다.It is desirable that n1 be 1.
식(i)에 있어서, 쿠마린 골격에 있어서의, -CO-NRa1-OSO2-Ra2로 나타내는 기의 위치는 특별히 한정되지 않는다. 식(i)에 있어서, -CO-NRa1-OSO2-Ra2로 나타내는 기는, 쿠마린 골격이 가지는 카르보닐기에 인접하는 탄소 원자에 결합하는 것이 바람직하다.In formula (i), the position of the group represented by -CO-NR a1 -OSO 2 -R a2 in the coumarin skeleton is not particularly limited. In formula (i), the group represented by -CO-NR a1 -OSO 2 -R a2 is preferably bonded to a carbon atom adjacent to the carbonyl group of the coumarin skeleton.
식(i)로 나타내는 화합물의 구체예로서는, 하기 화합물을 들 수 있다. 하기 식에 있어서, Bu는 부틸기를 나타내고, iPR은 이소프로필기를 나타낸다. 식(i)로 나타내는 화합물의 구체예로서, 하기 화합물에 있어서의 Bu가, 메틸기, 에틸기, 또는 프로필기로 치환된 화합물, 하기 화합물에 있어서의 iPr가, 메틸기, 에틸기, 또는 부틸기로 치환된 화합물이나, 하기 화합물에 있어서의 -C8H17이, -C6H13, -C7H15, -C9H19, 또는 -C10H21로 치환된 기도, 들 수 있다.Specific examples of the compound represented by formula (i) include the following compounds. In the formula below, Bu represents a butyl group and iPR represents an isopropyl group. Specific examples of the compound represented by formula (i) include compounds in which Bu in the following compound is substituted with a methyl group, an ethyl group, or a propyl group, compounds in which iPr in the following compound is substituted with a methyl group, an ethyl group, or a butyl group, and compounds in which -C 8 H 17 in the following compound is substituted with -C 6 H 13 , -C 7 H 15 , -C 9 H 19 , or -C 10 H 21 .
치환기를 가지고 있어도 되는 나프탈렌 골격에, -CO-NRa1-OSO2-Ra2(Ra1은 수소 원자 또는 탄화수소기를 나타내고, Ra2는 유기기를 나타낸다)가 결합한 나프탈렌계 화합물로서는, 하기 식(ii)로 나타내는 화합물을 들 수 있다.As a naphthalene compound in which -CO-NR a1 -OSO 2 -R a2 (R a1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, and R a2 represents an organic group) is bonded to a naphthalene skeleton which may have a substituent, a compound represented by the following formula (ii) can be exemplified.
상기 식(ii) 중, Ra1은 수소 원자 또는 탄화수소기를 나타내고, Ra2는 유기기를 나타내고, Ra3 및 Ra4는, 각각 독립적으로, 알킬기, 시클로알킬기, 플루오로알킬기, 히드록시기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아릴티오카르보닐기, 아실옥시기, 아릴티오기, 알킬티오기, 아릴기, 복소환기, 아릴옥시기, 알킬설피닐기, 아릴설피닐기, 알킬설포닐기, 아릴설포닐기 또는 할로겐 원자를 나타내고, n2는 0 이상 4 이하의 정수를 나타내고, n3은 0 이상 3 이하의 정수를 나타낸다.)In the above formula (ii), R a1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, R a2 represents an organic group, R a3 and R a4 each independently represent an alkyl group, a cycloalkyl group, a fluoroalkyl group, a hydroxy group, an alkoxy group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl group, an alkoxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an arylthiocarbonyl group, an acyloxy group, an arylthio group, an alkylthio group, an aryl group, a heterocyclic group, an aryloxy group, an alkylsulfinyl group, an arylsulfinyl group, an alkylsulfonyl group, an arylsulfonyl group or a halogen atom, n2 represents an integer of 0 to 4, and n3 represents an integer of 0 to 3.)
식(ii)에 있어서의 Ra1은, 식(i)에 있어서의 Ra1과 같다.R a1 in formula (ii) is the same as R a1 in formula (i).
식(ii)에 있어서의 Ra2는, 식(i)에 있어서의 Ra2와 같다.R a2 in formula (ii) is the same as R a2 in formula (i).
식(ii)에 있어서의 Ra3 및 Ra4는, 식(i)에 있어서의 Ra3과 같다.R a3 and R a4 in formula (ii) are the same as R a3 in formula (i).
Ra1로서는, 수소 원자, 탄소 원자수 1 이상 4 이하의 알킬기가 바람직하다.As R a1 , a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms are preferable.
Ra2로서는, 탄소 원자수 6 이상 10 이하의 알킬기, 10-캄퍼일기가 바람직하다.As R a2 , an alkyl group having 6 to 10 carbon atoms or a 10-camphoryl group is preferable.
Ra3 및 Ra4로서는, 탄소 원자수 1 이상 4 이하의 알콕시기가 바람직하다.As R a3 and R a4 , an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferable.
n2는, 1인 것이 바람직하다.It is desirable that n2 be 1.
n3은, 1인 것이 바람직하다.It is desirable that n3 be 1.
식(ii)로 나타내는 화합물의 구체예로서는, 하기 화합물을 들 수 있다. 하기 식에 있어서, Ph는 페닐기를 나타낸다. 식(ii)로 나타내는 화합물의 구체예로서, 하기 화합물에 있어서의 -C8H17이, -C6H13, -C7H15, -C9H19, 또는 -C10H21로 치환된 기도, 들 수 있다Specific examples of compounds represented by formula (ii) include the following compounds. In the formula below, Ph represents a phenyl group. Specific examples of compounds represented by formula (ii) include compounds in which -C 8 H 17 in the following compounds is substituted with -C 6 H 13 , -C 7 H 15 , -C 9 H 19 , or -C 10 H 21 .
옥심설포네이트기를 가지는 화합물이 가지는 옥심설포네이트기로서는, 하기 식(iii)로 나타내는 기를 들 수 있다.As the oxime sulfonate group possessed by a compound having an oxime sulfonate group, a group represented by the following formula (iii) can be exemplified.
상기 식(iii) 중, Ra8은, 치환기를 가지고 있어도 되는 유기기이다. In the above formula (iii), R a8 is an organic group which may have a substituent.
Ra8로서의 유기기는, Ra2로서의 유기기와 같다.The organic group as R a8 is the same as the organic group as R a2 .
Ra8로서의 유기기가 가지고 있어도 되는 치환기는, Ra2로서의 유기기가 가지고 있어도 되는 치환기와 같다.The substituents that the organic group as R a8 may have are the same as the substituents that the organic group as R a2 may have.
옥심설포네이트기를 가지는 화합물로서는, 하기 식(iv)~식(vi)로 나타내는 화합물을 들 수 있다.As compounds having an oxime sulfonate group, compounds represented by the following formulae (iv) to (vi) can be mentioned.
상기 식(iv) 중, Ra8은, 식(iii)에 있어서의 Ra8와 같고, Ra9는, 1가, 2가, 또는 3가의 유기기를 나타내고, n4는, 괄호 내의 구조의 반복 단위수를 나타내고, 1 이상 3 이하의 정수이다.In the above formula (iv), R a8 is the same as R a8 in formula (iii), R a9 represents a monovalent, divalent, or trivalent organic group, and n4 represents the number of repeating units of the structure in parentheses and is an integer greater than or equal to 1 and less than or equal to 3.
상기 식(iv)로 나타내는 산 발생제로서는, n4=1일 때, Ra9가 페닐기, 메틸페닐기, 메톡시페닐기의 어느 하나이고, Ra9가 메틸기인 화합물이 바람직하다. 이러한 화합물의 구체예로서는, α-(메틸설포닐옥시이미노)-1-페닐아세토니트릴, α-(메틸설포닐옥시이미노)-1-(p-메틸페닐) 아세토니트릴, α-(메틸설포닐옥시이미노)-1-(p-메톡시페닐) 아세토니트릴, [2-(프로필설포닐옥시이미노)-2,3-디히드록시티오펜-3-일리덴](o-톨릴) 아세토니트릴 등을 들 수 있다. n4=2일 때, 상기 식(iv)로 나타내는 산 발생제로서는, 구체적으로는 하기 식으로 나타내는 산 발생제를 들 수 있다.As the acid generator represented by the above formula (iv), a compound in which, when n4 = 1, R a9 is any one of a phenyl group, a methylphenyl group, and a methoxyphenyl group, and R a9 is a methyl group is preferable. Specific examples of such compounds include α-(methylsulfonyloxyimino)-1-phenylacetonitrile, α-(methylsulfonyloxyimino)-1-(p-methylphenyl) acetonitrile, α-(methylsulfonyloxyimino)-1-(p-methoxyphenyl) acetonitrile, [2-(propylsulfonyloxyimino)-2,3-dihydroxythiophene-3-ylidene](o-tolyl) acetonitrile, and the like. When n4 = 2, specific examples of the acid generator represented by the above formula (iv) include an acid generator represented by the following formula.
상기 식(v) 및 (vi) 중, m은 0 또는 1이며,In the above formulas (v) and (vi), m is 0 or 1,
n5는, 1 또는 2이며,n5 is 1 or 2,
Ra10은, m이 1인 경우, 탄소 원자수 1 이상 12 이하의 알킬기가 치환하고 있어도 되는 페닐기, 헤테로아릴기이며, 또는, m이 0인 경우, 탄소 원자수 1 이상 12 이하의 알킬기를 가지고 있어도 되는 페닐기, 헤테로아릴기, 탄소 원자수 2 이상 6 이하의 알콕시카르보닐기, 페녹시카르보닐기, 또는 CN이며,R a10 , when m is 1, is a phenyl group or a heteroaryl group which may be substituted by an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or, when m is 0, is a phenyl group or a heteroaryl group which may have an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 6 carbon atoms, a phenoxycarbonyl group, or CN,
Ra11은, m이 1인 경우, 탄소 원자수 1 이상 12 이하의 알킬기가 치환하고 있어도 되는 페닐기, 헤테로아릴기이며, m이 0인 경우, 탄소 원자수 1 이상 12 이하의 알킬기가 치환하고 있어도 되는 페닐기, 헤테로아릴기, 탄소 원자수 2 이상 6 이하의 알콕시카르보닐기, 페녹시카르보닐기, CN이며,R a11 , when m is 1, is a phenyl group or a heteroaryl group which may be substituted by an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and when m is 0, is a phenyl group or a heteroaryl group which may be substituted by an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 6 carbon atoms, a phenoxycarbonyl group, or CN.
Ra12는, n5가 1인 경우, 탄소 원자수 1 이상 18 이하의 알킬기이며, n5가 2인 경우, 탄소 원자수 2 이상 12 이하의 알킬렌기, 페닐렌기이며,R a12 , when n5 is 1, is an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, and when n5 is 2, is an alkylene group or phenylene group having 2 to 12 carbon atoms,
Ra13 및 Ra14는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐, 탄소 원자수 1 이상 6 이하의 알킬이며,R a13 and R a14 are, each independently, a hydrogen atom, a halogen, an alkyl having 1 to 6 carbon atoms,
Ra15는, 탄소 원자수 1 이상 18 이하의 알킬기이며,R a15 is an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms,
A는, S, O, 또는, -NR17이며,A is S, O, or -NR 17 ,
R17은, 수소 원자, 또는 페닐기이며,R 17 is a hydrogen atom or a phenyl group,
Ra16은, 탄소 원자수 2 이상 12 이하의 알킬렌기이다.R a16 is an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms.
m은 0인 것이 바람직하다.It is desirable that m be 0.
n5는, 1인 것이 바람직하다.It is desirable that n5 be 1.
Ra10은, 탄소 원자수 1 이상 4 이하의 알킬기를 가지고 있어도 되는 페닐기인 것이 바람직하다.It is preferable that R a10 is a phenyl group which may have an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
Ra11은, CN인 것이 바람직하다.It is preferable that R a11 is CN.
Ra12는, 탄소 원자수 1 이상 4 이하의 알킬기인 것이 바람직하다.It is preferable that R a12 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
Ra13 및 Ra14는, 수소 원자인 것이 바람직하다.It is preferred that R a13 and R a14 are hydrogen atoms.
Ra15는, 탄소 원자수 1 이상 4 이하의 알킬기인 것이 바람직하다.It is preferable that R a15 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
A는, S인 것이 바람직하다.It is desirable that A be S.
전술의 [요건 1]을 만족시키는 감광성 조성물을 얻기 쉬운 점으로부터, 산 발생제(A)는, 상기의 쿠마린계 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 상기 식(i)로 나타내는 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.From the point of view that it is easy to obtain a photosensitive composition satisfying [requirement 1] of the above, it is preferable that the acid generator (A) contains the above coumarin-based compound, and it is preferable that it contains the compound represented by the above formula (i).
이 산 발생제(A)는 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 또한, 산 발생제(A)의 함유량은, 감광성 조성물의 전체 고형분 양에 대하여, 0.1 질량% 이상 10 질량% 이하로 하는 것이 바람직하고, 0.2 질량% 이상 6 질량% 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 0.5 질량% 이상 3 질량% 이하로 하는 것이 특히 바람직하다. 산 발생제(A)의 사용량을 상기의 범위로 하는 것에 의해, 양호한 감도를 구비하고, 균일한 용액으로서, 보존 안정성이 뛰어난 감광성 조성물을 조제하기 쉽다.This acid generator (A) may be used alone, or two or more types may be used in combination. In addition, the content of the acid generator (A) is preferably 0.1 mass% or more and 10 mass% or less, more preferably 0.2 mass% or more and 6 mass% or less, and particularly preferably 0.5 mass% or more and 3 mass% or less, based on the total solid content of the photosensitive composition. By setting the amount of the acid generator (A) to be used within the above range, it is easy to prepare a photosensitive composition having good sensitivity, as a uniform solution, and excellent storage stability.
덧붙여, 본 명세서에 있어서, 고형분이란, 용제 이외의 성분이다.In addition, in this specification, the solid content refers to a component other than a solvent.
<수지(B)><Suji (B)>
산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 수지(B)로서는, 특별히 한정되지 않고, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 임의의 수지를 이용할 수 있다. 수지(B)로서, 노볼락 수지(B1), 폴리히드록시스티렌 수지(B2), 아크릴 수지(B3)를 들 수 있다. 수지(B)는, 폴리히드록시스티렌 수지(B2)나 아크릴 수지(B3)를 포함하는 것이 바람직하고, 폴리히드록시스티렌 수지(B2)를 포함하는 것이 보다 바람직하다.As the resin (B) whose solubility in an alkali increases by the action of an acid, there is no particular limitation, and any resin whose solubility in an alkali increases by the action of an acid can be used. As the resin (B), a novolac resin (B1), a polyhydroxystyrene resin (B2), or an acrylic resin (B3) can be mentioned. The resin (B) preferably contains a polyhydroxystyrene resin (B2) or an acrylic resin (B3), and more preferably contains a polyhydroxystyrene resin (B2).
[노볼락 수지(B1)][Novolac Resin (B1)]
노볼락 수지(B1)로서는, 하기 식(b1)로 나타내는 구성 단위를 포함하는 수지를 사용할 수 있다.As the novolac resin (B1), a resin containing a constituent unit represented by the following formula (b1) can be used.
상기 식(b1) 중, R1b는, 산 해리성 용해 억제기를 나타내고, R2b, R3b는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 이상 6 이하의 알킬기를 나타낸다. In the above formula (b1), R 1b represents an acid-dissociable, dissolution-inhibiting group, and R 2b and R 3b each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
상기 R1b로 나타내는 산 해리성 용해 억제기로서는, 하기 식(b2), (b3)로 나타내는 기, 탄소 원자수 1 이상 6 이하의 직쇄상, 분기상, 혹은 환상의 알킬기, 비닐옥시 에틸기, 테트라히드로피란일기, 테트라히드로퓨란일기, 또는 트리알킬실릴기인 것이 바람직하다.As the acid dissociation dissolution inhibiting group represented by the above R 1b , it is preferable that it is a group represented by the following formulas (b2) and (b3), a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a vinyloxyethyl group, a tetrahydropyranyl group, a tetrahydrofuranyl group, or a trialkylsilyl group.
상기 식(b2), (b3) 중, R4b, R5b는, 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 탄소 원자수 1 이상 6 이하의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬기를 나타내고, R6b는, 탄소 원자수 1 이상 10 이하의 직쇄상, 분기상, 또는 환상의 알킬기를 나타내고, R7b는, 탄소 원자수 1 이상 6 이하의 직쇄상, 분기상, 또는 환상의 알킬기를 나타내고, o는 0 또는 1을 나타낸다.In the above formulas (b2) and (b3), R 4b and R 5b each independently represent a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R 6b represents a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, R 7b represents a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and o represents 0 or 1.
상기 직쇄상 또는 분기상의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 환상의 알킬기로서는, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다.Examples of the linear or branched alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, and the like. In addition, examples of the cyclic alkyl group include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and the like.
여기서, 상기 식(b2)로 나타내는 산 해리성 용해 억제기로서, 구체적으로는, 메톡시 에틸기, 에톡시 에틸기, n-프로폭시 에틸기, 이소프로폭시 에틸기, n-부톡시 에틸기, 이소부톡시 에틸기, tert-부톡시 에틸기, 시클로헥실옥시 에틸기, 메톡시 프로필기, 에톡시 프로필기, 1-메톡시-1-메틸-에틸기, 1-에톡시-1-메틸 에틸기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 식(b3)로 나타내는 산 해리성 용해 억제기로서, 구체적으로는, tert-부톡시 카르보닐기, tert-부톡시 카르보닐 메틸기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 트리알킬 실릴기로서는, 트리메틸 실릴기, 트리-tert-부틸 디메틸 실릴기 등의 각 알킬기의 탄소 원자수가 1 이상 6 이하의 기를 들 수 있다. Here, specific examples of the acid dissociable, dissolution inhibiting group represented by the above formula (b2) include a methoxyethyl group, an ethoxyethyl group, an n-propoxyethyl group, an isopropoxyethyl group, an n-butoxyethyl group, an isobutoxyethyl group, a tert-butoxyethyl group, a cyclohexyloxyethyl group, a methoxypropyl group, an ethoxypropyl group, a 1-methoxy-1-methyl-ethyl group, a 1-ethoxy-1-methyl ethyl group, and the like. In addition, specific examples of the acid dissociable, dissolution inhibiting group represented by the above formula (b3) include a tert-butoxycarbonyl group, a tert-butoxycarbonyl methyl group, and the like. In addition, examples of the above trialkylsilyl group include groups in which each alkyl group has 1 to 6 carbon atoms, such as a trimethylsilyl group and a tri-tert-butyldimethylsilyl group.
[폴리히드록시스티렌 수지(B2)][Polyhydroxystyrene resin (B2)]
폴리히드록시스티렌 수지(B2)로서는, 하기 식(b4)로 나타내는 구성 단위를 포함하는 수지를 사용할 수 있다.As the polyhydroxystyrene resin (B2), a resin containing a structural unit represented by the following formula (b4) can be used.
폴리히드록시스티렌 수지(B2)에 있어서의 하기 식(b4)로 나타내는 구성 단위의 함유 비율(복수종 함유시키는 경우에는, 합계의 함유 비율)로서는, 20 질량% 이상 80 질량% 이하가 바람직하고, 30 질량% 이상 70 질량% 이하가 보다 바람직하고, 40 질량% 이상 60 질량% 이하가 특히 바람직하다.The content ratio of the constituent unit represented by the following formula (b4) in the polyhydroxystyrene resin (B2) (the total content ratio in the case of containing multiple types) is preferably 20 mass% or more and 80 mass% or less, more preferably 30 mass% or more and 70 mass% or less, and particularly preferably 40 mass% or more and 60 mass% or less.
상기 식(b4) 중, R8b는, 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 이상 6 이하의 알킬기를 나타내고, R9b는, 산 해리성 용해 억제기를 나타낸다. In the above formula (b4), R 8b represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R 9b represents an acid-dissociable, dissolution-inhibiting group.
상기 탄소 원자수 1 이상 6 이하의 알킬기는, 예를 들면 탄소 원자수 1 이상 6 이하의 직쇄상, 분기상, 또는 환상의 알킬기이다. 직쇄상 또는 분기상의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있고, 환상의 알킬기로서는, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is, for example, a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Examples of linear or branched alkyl groups include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, and the like, and examples of cyclic alkyl groups include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and the like.
상기 R9b로 나타내는 산 해리성 용해 억제기로서는, 상기 식(b2), (b3)에 예시한 것과 마찬가지의 산 해리성 용해 억제기나, tert-부틸기, 시클로헥실 에틸기, 시클로펜틸 에틸기, 시클로헥실 프로필기, 시클로펜틸 프로필기 등을 이용할 수 있다. As the acid dissociable dissolution inhibiting group represented by the above R 9b , acid dissociable dissolution inhibiting groups similar to those exemplified in the above formulas (b2) and (b3), a tert-butyl group, a cyclohexyl ethyl group, a cyclopentyl ethyl group, a cyclohexyl propyl group, a cyclopentyl propyl group, etc. can be used.
추가로, 폴리히드록시스티렌 수지(B2)는, 물리적, 화학적 특성을 적당히 컨트롤하는 목적으로 다른 중합성 화합물을 구성 단위로서 포함할 수 있다. 이러한 중합성 화합물로서는, 공지의 라디칼 중합성 화합물이나, 음이온 중합성 화합물을 들 수 있다. 또한, 이러한 중합성 화합물로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복시산류; 말레인산, 프말산, 이타콘산 등의 디카르복시산류; 2-메타크릴로일옥시에틸 숙신산, 2-메타크릴로일옥시에틸 말레인산, 2-메타크릴로일옥시에틸 프탈산, 2-메타크릴로일옥시에틸 헥사히드로프탈산 등의 카르복시기 및 에스테르 결합을 가지는 메타크릴산 유도체류; 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 알킬 에스테르류; 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 히드록시알킬 에스테르류; 페닐 (메타)아크릴레이트, 벤질 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 아릴 에스테르류; 말레인산 디에틸, 프말산 디부틸 등의 디카르복시산 디에스테르류; 스티렌, α-메틸스티렌, 클로로스티렌, 클로로메틸스티렌, 비닐톨루엔, 히드록시스티렌, α-메틸히드록시스티렌, α-에틸히드록시스티렌 등의 비닐기 함유 방향족 화합물류; 아세트산 비닐 등의 비닐기 함유 지방족 화합물류; 부타디엔, 이소프렌 등의 공역 디올레핀류; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 니트릴기 함유 중합성 화합물류; 염화 비닐, 염화 비닐리덴 등의 염소 함유 중합성 화합물; 아크릴 아미드, 메타크릴 아미드 등의 아미드 결합 함유 중합성 화합물류; 등을 들 수 있다.In addition, the polyhydroxystyrene resin (B2) can contain other polymerizable compounds as constituent units for the purpose of appropriately controlling physical and chemical properties. Examples of such polymerizable compounds include known radical polymerizable compounds and anion polymerizable compounds. In addition, examples of such polymerizable compounds include monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid; dicarboxylic acids such as maleic acid, formic acid, and itaconic acid; methacrylic acid derivatives having a carboxyl group and an ester bond such as 2-methacryloyloxyethyl succinic acid, 2-methacryloyloxyethyl maleic acid, 2-methacryloyloxyethyl phthalic acid, and 2-methacryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid; (meth)acrylic acid alkyl esters such as methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, and n-butyl (meth)acrylate; (Meth)acrylic acid hydroxyalkyl esters such as 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, etc.; (Meth)acrylic acid aryl esters such as phenyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, etc.; dicarboxylic acid diesters such as diethyl maleate, dibutyl formate, etc.; vinyl group-containing aromatic compounds such as styrene, α-methylstyrene, chlorostyrene, chloromethylstyrene, vinyltoluene, hydroxystyrene, α-methylhydroxystyrene, α-ethylhydroxystyrene, etc.; vinyl group-containing aliphatic compounds such as vinyl acetate; conjugated diolefins such as butadiene, isoprene, etc.; nitrile group-containing polymerizable compounds such as acrylonitrile, methacrylonitrile, etc.; chlorine-containing polymerizable compounds such as vinyl chloride, vinylidene chloride, etc. Examples thereof include polymerizable compounds containing amide bonds, such as acrylamide and methacrylamide;
[아크릴 수지(B3)][Acrylic Resin (B3)]
아크릴 수지(B3)로서는, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 아크릴 수지로서, 종래부터, 여러 가지의 감광성 조성물에 배합되고 있는 아크릴 수지이면, 특별히 한정되지 않는다.As for the acrylic resin (B3), it is an acrylic resin whose solubility in alkali increases by the action of an acid, and is not particularly limited as long as it is an acrylic resin that has been conventionally mixed in various photosensitive compositions.
아크릴 수지(B3)는, 예를 들면, -SO2- 함유 환식기, 또는 락톤 함유 환식기를 포함하는 아크릴산 에스테르로부터 유도되는 구성 단위(b-3)를 함유하고 있어도 된다.The acrylic resin (B3) may contain a structural unit (b-3) derived from an acrylic acid ester containing, for example, a -SO 2 - containing cyclic group or a lactone containing cyclic group.
(-SO2- 함유 환식기) (-SO 2 - containing cyclic group)
여기서, 「-SO2- 함유 환식기」란, 그 환 골격 중에 -SO2-를 포함하는 환을 함유하는 환식기를 나타내고, 구체적으로는, -SO2-에 있어서의 황 원자(S)가 환식기의 환 골격의 일부를 형성하는 환식기이다. 그 환 골격 중에 -SO2-를 포함하는 환을 첫번째의 환으로서 세고, 당해 환만인 경우는 단환식기, 추가로 다른 환구조를 가지는 경우는, 그 구조에 상관없이 다환식기라고 칭한다. -SO2- 함유 환식기는, 단환식이어도 되고, 다환식이어도 된다. Here, the "-SO 2 -containing cyclic group" refers to a cyclic group containing a ring containing -SO 2 - in its ring skeleton, and specifically, a cyclic group in which the sulfur atom (S) in -SO 2 - forms a part of the ring skeleton of the cyclic group. The ring containing -SO 2 - in the ring skeleton is counted as the first ring, and if it is the only ring, it is called a monocyclic group, and if it further has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of the structure. The -SO 2 -containing cyclic group may be monocyclic or polycyclic.
-SO2- 함유 환식기는, 특히, 그 환 골격 중에 -SO2-를 포함하는 환식기, 즉 -SO2- 중의 -O-S-가 환 골격의 일부를 형성하는 설톤(sultone) 환을 함유하는 환식기인 것이 바람직하다. -SO 2 - containing cyclic group is preferably a cyclic group containing -SO 2 - in its ring skeleton, i.e., a cyclic group containing a sultone ring in which -OS- of -SO 2 - forms part of the ring skeleton.
-SO2- 함유 환식기의 탄소 원자수는, 3 이상 30 이하가 바람직하고, 4 이상 20 이하가 보다 바람직하고, 4 이상 15 이하가 더욱 바람직하고, 4 이상 12 이하가 특히 바람직하다. 당해 탄소 원자수는 환 골격을 구성하는 탄소 원자의 수이며, 치환기에 있어서 탄소 원자수를 포함하지 않는 것으로 한다. -The number of carbon atoms in the SO 2 - containing cyclic group is preferably 3 to 30, more preferably 4 to 20, still more preferably 4 to 15, and particularly preferably 4 to 12. The number of carbon atoms is the number of carbon atoms constituting the ring skeleton and does not include the number of carbon atoms in the substituent.
-SO2- 함유 환식기는, -SO2- 함유 지방족 환식기이어도 되고, -SO2- 함유 방향족 환식기이어도 된다. 바람직하게는 -SO2- 함유 지방족 환식기이다. The -SO 2 - containing cyclic group may be a -SO 2 - containing aliphatic cyclic group or a -SO 2 - containing aromatic cyclic group. Preferably, it is a -SO 2 - containing aliphatic cyclic group.
-SO2- 함유 지방족 환식기로서는, 그 환 골격을 구성하는 탄소 원자의 일부가 -SO2-, 또는 -SO2-로 치환된 지방족 탄화수소환으로부터 수소 원자를 적어도 1개 제외한 기를 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 그 환 골격을 구성하는 -CH2-가 -SO2-로 치환된 지방족 탄화수소환으로부터 수소 원자를 적어도 1개 제외한 기, 그 환을 구성하는 -CH2-CH2-가 -SO2-로 치환된 지방족 탄화수소환으로부터 수소 원자를 적어도 1개 제외한 기 등을 들 수 있다. - As the aliphatic cyclic group containing -SO 2 -, a group can be exemplified which has at least one hydrogen atom removed from an aliphatic hydrocarbon ring in which some of the carbon atoms constituting the ring skeleton are substituted with -SO 2 - or -SO 2 -. More specifically, a group can be exemplified which has at least one hydrogen atom removed from an aliphatic hydrocarbon ring in which -CH 2 - constituting the ring skeleton is substituted with -SO 2 -, a group in which at least one hydrogen atom is removed from an aliphatic hydrocarbon ring in which -CH 2 -CH 2 - constituting the ring is substituted with -SO 2 -, and the like.
당해 지환식 탄화수소환의 탄소 원자수는, 3 이상 20 이하가 바람직하고, 3 이상 12 이하가 보다 바람직하다. 당해 지환식 탄화수소환은, 다환식이어도 되고, 단환식이어도 된다. 단환식의 지환식 탄화수소기로서는, 탄소 원자수 3 이상 6 이하의 모노시클로알칸으로부터 2개의 수소 원자를 제외한 기가 바람직하다. 당해 모노시클로알칸으로서는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 예시할 수 있다. 다환식의 지환식 탄화수소환으로서는, 탄소 원자수 7 이상 12 이하의 폴리시클로알칸으로부터 2개의 수소 원자를 제외한 기가 바람직하고, 당해 폴리시클로알칸으로서 구체적으로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.The number of carbon atoms of the alicyclic hydrocarbon ring is preferably 3 to 20, more preferably 3 to 12. The alicyclic hydrocarbon ring may be polycyclic or monocyclic. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane having 3 to 6 carbon atoms is preferable. Examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. As the polycyclic alicyclic hydrocarbon ring, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms is preferable, and specific examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.
-SO2- 함유 환식기는, 치환기를 가지고 있어도 된다. 당해 치환기로서는, 예를 들면 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 산소 원자(=O), -COOR", -OC(=O)R", 히드록시알킬기, 시아노기 등을 들 수 있다.-SO 2 - containing cyclic groups may have substituents. Examples of such substituents include alkyl groups, alkoxy groups, halogen atoms, halogenated alkyl groups, hydroxyl groups, oxygen atoms (=O), -COOR", -OC(=O)R", hydroxyalkyl groups, cyano groups, etc.
해당 치환기로서의 알킬기로서는, 탄소 원자수 1 이상 6 이하의 알킬기가 바람직하다. 당해 알킬기는, 직쇄상 또는 분기쇄상인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 메틸기, 또는 에틸기가 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다. As the alkyl group as the substituent, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferable. The alkyl group is preferably linear or branched. Specifically, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, an n-hexyl group, and the like can be mentioned. Among these, a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is particularly preferable.
당해 치환기로서의 알콕시기로서는, 탄소 원자수 1 이상 6 이하의 알콕시기가 바람직하다. 당해 알콕시기는, 직쇄상 또는 분기상인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 전술의 치환기로서의 알킬기로서 열거한 알킬기가 산소 원자(-O-)에 결합한 기를 들 수 있다. As the alkoxy group as the substituent, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms is preferable. The alkoxy group is preferably linear or branched. Specifically, a group in which an alkyl group listed as the above-mentioned substituent is bonded to an oxygen atom (-O-) can be mentioned.
당해 치환기로서의 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다. As the halogen atom as the substituent, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. can be mentioned, and a fluorine atom is preferable.
당해 치환기의 할로겐화 알킬기로서는, 전술의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 전술의 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. As the halogenated alkyl group of the substituent in question, a group in which some or all of the hydrogen atoms of the above-mentioned alkyl group are replaced with the above-mentioned halogen atoms can be exemplified.
당해 치환기로서의 할로겐화 알킬기로서는, 전술의 치환기로서의 알킬기로서 열거한 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 전술의 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 당해 할로겐화 알킬기로서는 불소화 알킬기가 바람직하고, 특히 퍼플루오로알킬기가 바람직하다. As the halogenated alkyl group as the substituent, a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group listed as the above-mentioned substituent are replaced with the above-mentioned halogen atoms can be exemplified. As the halogenated alkyl group, a fluorinated alkyl group is preferable, and a perfluoroalkyl group is particularly preferable.
전술의 -COOR", -OC(=O)R"에 있어서의 R"는, 모두, 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 이상 15 이하의 직쇄상, 분기쇄상 혹은 환상의 알킬기이다. In the above-mentioned -COOR", -OC(=O)R", R" is all a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms.
R"가 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬기인 경우, 당해 쇄상의 알킬기의 탄소 원자수는, 1 이상 10 이하가 바람직하고, 1 이상 5 이하가 보다 바람직하고, 1 또는 2가 특히 바람직하다. When "R" is a straight-chain or branched-chain alkyl group, the number of carbon atoms of the chain alkyl group is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 5, and particularly preferably 1 or 2.
R"가 환상의 알킬기인 경우, 당해 환상의 알킬기의 탄소 원자수는 3 이상 15 이하가 바람직하고, 4 이상 12 이하가 보다 바람직하고, 5 이상 10 이하가 특히 바람직하다. 구체적으로는, 불소 원자, 또는 불소화 알킬기로 치환되어 있어도 되고, 되어 있지 않아도 되는 모노시클로알칸이나, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기 등을 예시할 수 있다. 보다 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 모노시클로알칸이나, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기 등을 들 수 있다.When "R" is a cyclic alkyl group, the number of carbon atoms of the cyclic alkyl group is preferably 3 to 15, more preferably 4 to 12, and particularly preferably 5 to 10. Specifically, examples thereof include groups in which one or more hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane, a bicycloalkane, a tricycloalkane, a tetracycloalkane, or the like, which may or may not be substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group. More specifically, examples thereof include groups in which one or more hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane, such as cyclopentane or cyclohexane, or a polycycloalkane, such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane.
당해 치환기로서의 히드록시알킬기로서는, 탄소 원자수 1 이상 6 이하의 히드록시알킬기가 바람직하다. 구체적으로는, 전술의 치환기로서의 알킬기로서 열거한 알킬기의 수소 원자의 적어도 1개가 수산기로 치환된 기를 들 수 있다.As the hydroxyalkyl group as the substituent, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferable. Specifically, a group in which at least one hydrogen atom of the alkyl group listed as the above-mentioned substituent is replaced with a hydroxyl group can be mentioned.
-SO2- 함유 환식기로서, 보다 구체적으로는, 하기 식(3-1)~(3-4)로 나타내는 기를 들 수 있다.As a -SO2- containing cyclic group, more specifically, groups represented by the following formulas (3-1) to (3-4) can be mentioned.
(식 중, A'는 산소 원자 혹은 황 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이며, z는 0 이상 2 이하의 정수이며, R10b는 알킬기, 알콕시기, 할로겐화 알킬기, 수산기, -COOR", -OC(=O)R", 히드록시알킬기, 또는 시아노기이며, R"는 수소 원자, 또는 알킬기이다.)(In the formula, A' is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may include an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom, z is an integer of 0 to 2, R 10b is an alkyl group, an alkoxy group, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR", -OC(=O)R", a hydroxyalkyl group, or a cyano group, and R" is a hydrogen atom or an alkyl group.)
상기 식(3-1)~(3-4) 중, A'는, 산소 원자(-O-) 혹은 황 원자(-S-)를 포함하고 있어도 되는 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬렌기, 산소 원자, 또는 황 원자이다. A'에 있어서의 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬렌기로서는, 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬렌기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, 이소프로필렌기 등을 들 수 있다.In the above formulas (3-1) to (3-4), A' is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may include an oxygen atom (-O-) or a sulfur atom (-S-), an oxygen atom, or a sulfur atom. As the alkylene group having 1 to 5 carbon atoms in A', a linear or branched alkylene group is preferable, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, and an isopropylene group.
당해 알킬렌기가 산소 원자 또는 황 원자를 포함하는 경우, 그 구체예로서는, 전술의 알킬렌기의 말단 또는 탄소 원자간에 -O-, 또는 -S-가 개재하는 기를 들 수 있고, 예를 들면 -O-CH2-, -CH2-O-CH2-, -S-CH2-, -CH2-S-CH2- 등을 들 수 있다. A'로서는, 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬렌기, 또는 -O-가 바람직하고, 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 메틸렌기가 가장 바람직하다.When the alkylene group in question contains an oxygen atom or a sulfur atom, specific examples thereof include groups in which -O- or -S- is present at the terminal or between carbon atoms of the above-mentioned alkylene group, and examples thereof include -O-CH 2 -, -CH 2 -O-CH 2 -, -S-CH 2 -, -CH 2 -S-CH 2 -, etc. As A', an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, or -O- is preferable, an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable, and a methylene group is most preferable.
z는 0, 1, 및 2의 어느 하나이어도 되고, 0이 가장 바람직하다. z가 2인 경우, 복수의 R10b는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.z may be any one of 0, 1, and 2, with 0 being most preferred. When z is 2, the plurality of R 10b may be the same or different.
R10b에 있어서의 알킬기, 알콕시기, 할로겐화 알킬기, -COOR", -OC(=O)R", 히드록시알킬기로서는, 각각, -SO2- 함유 환식기가 가지고 있어도 되는 치환기로서 열거한 알킬기, 알콕시기, 할로겐화 알킬기, -COOR", -OC(=O)R", 및 히드록시알킬기에 대하여, 상기에서 설명한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다. As the alkyl group, alkoxy group, halogenated alkyl group, -COOR", -OC(=O)R", and hydroxyalkyl group in R 10b , the alkyl group, alkoxy group, halogenated alkyl group, -COOR", -OC(=O)R", and hydroxyalkyl group listed as substituents that the -SO 2 -containing cyclic group may have are the same as those described above.
이하에, 전술의 식(3-1)~(3-4)로 나타내는 구체적인 환식기를 예시한다. 덧붙여, 식 중의 「Ac」는 아세틸기를 나타낸다. Below, specific cyclic groups represented by the aforementioned formulas (3-1) to (3-4) are exemplified. In addition, “Ac” in the formulas represents an acetyl group.
-SO2- 함유 환식기로서는, 상기 중에서는, 전술의 식(3-1)로 나타내는 기가 바람직하고, 전술의 화학식(3-1-1), (3-1-18), (3-3-1), 및 (3-4-1)의 어느 하나로 나타내는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 보다 바람직하고, 전술의 화학식(3-1-1)로 나타내는 기가 가장 바람직하다.- As the -SO 2 - containing cyclic group, among the above, a group represented by the above-mentioned formula (3-1) is preferable, and at least one selected from the group consisting of a group represented by any one of the above-mentioned chemical formulas (3-1-1), (3-1-18), (3-3-1), and (3-4-1) is more preferable, and a group represented by the above-mentioned chemical formula (3-1-1) is most preferable.
(락톤 함유 환식기)(Lactone-containing cyclic group)
「락톤 함유 환식기」란, 그 환 골격 중에 -O-C(=O)-를 포함하는 환(락톤환)을 함유하는 환식기를 나타낸다. 락톤환을 첫번째의 환으로서 세고, 락톤환만인 경우는 단환식기, 추가로 다른 환구조를 가지는 경우는, 그 구조에 상관없이 다환식기라고 칭한다. 락톤 함유 환식기는, 단환식기이어도 되고, 다환식기이어도 된다. "Lactone-containing cyclic group" refers to a cyclic group containing a ring (lactone ring) containing -O-C(=O)- in its ring skeleton. The lactone ring is counted as the first ring, and if it is only a lactone ring, it is called a monocyclic group, and if it additionally has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of the structure. The lactone-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.
구성 단위(b-3)에 있어서의 락톤 함유 환식기로서는, 특별히 한정되는 것 없이 임의의 것이 사용 가능하다. 구체적으로는, 락톤 함유 단환식기로서는, 4~6원환 락톤으로부터 수소 원자를 1개 제외한 기, 예를 들면 β-프로피오노락톤으로부터 수소 원자를 1개 제외한 기, γ-부티로락톤으로부터 수소 원자 1개를 제외한 기, δ-발레로락톤으로부터 수소 원자를 1개 제외한 기 등을 들 수 있다. 또한, 락톤 함유 다환식기로서는, 락톤환을 가지는 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸으로부터 수소 원자 1개를 제외한 기를 들 수 있다. As the lactone-containing cyclic group in the constituent unit (b-3), any one can be used without particular limitation. Specifically, examples of the lactone-containing monocyclic group include a group in which one hydrogen atom is removed from a 4-6 membered ring lactone, for example, a group in which one hydrogen atom is removed from β-propionolactone, a group in which one hydrogen atom is removed from γ-butyrolactone, a group in which one hydrogen atom is removed from δ-valerolactone, and the like. Furthermore, examples of the lactone-containing polycyclic group include a group in which one hydrogen atom is removed from a bicycloalkane, a tricycloalkane, or a tetracycloalkane having a lactone ring.
구성 단위(b-3)로서는, -SO2- 함유 환식기, 또는 락톤 함유 환식기를 가지는 것이면 다른 부분의 구조는 특별히 한정되지 않지만, α위(位)의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산 에스테르로부터 유도되는 구성 단위로서 -SO2- 함유 환식기를 포함하는 구성 단위(b-3-S), 및 α위의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 아크릴산 에스테르로부터 유도되는 구성 단위로서 락톤 함유 환식기를 포함하는 구성 단위(b-3-L)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 구성 단위가 바람직하다.As the structural unit (b-3), the structure of the other portion is not particularly limited as long as it has a -SO 2 - containing cyclic group or a lactone-containing cyclic group, but at least one structural unit selected from the group consisting of a structural unit (b-3-S) including a -SO 2 - containing cyclic group as a structural unit derived from an acrylic acid ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and a structural unit (b-3-L) including a lactone-containing cyclic group as a structural unit derived from an acrylic acid ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent is preferable.
[구성 단위(b-3-S)][Composition unit (b-3-S)]
구성 단위(b-3-S)의 예로서, 보다 구체적으로는, 하기 식(b-S1)로 나타내는 구성 단위를 들 수 있다.As an example of a constituent unit (b-3-S), more specifically, a constituent unit represented by the following formula (b-S1) can be mentioned.
(식 중, R은 수소 원자, 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬기, 또는 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 할로겐화 알킬기이며, R11b는 -SO2- 함유 환식기이며, R12b는 단결합, 또는 2가의 연결기이다.)(In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R 11b is a -SO 2 - containing cyclic group, and R 12b is a single bond or a divalent linking group.)
식(b-S1) 중, R은 상기와 같다.In formula (b-S1), R is as above.
R11b는, 상기에서 열거한 -SO2- 함유 환식기와 같다.R 11b is the same as the -SO 2 - containing cyclic groups listed above.
R12b는, 단결합, 2가의 연결기의 어느 하나이어도 된다. 본 발명의 효과가 뛰어난 것으로부터, 2가의 연결기인 것이 바람직하다.R 12b may be either a single bond or a divalent linking group. Since the effect of the present invention is excellent, it is preferably a divalent linking group.
R12b에 있어서의 2가의 연결기로서는, 특별히 한정되지 않지만, 치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2가의 연결기 등이 적합한 것으로서 들 수 있다.As the divalent linking group for R 12b , there is no particular limitation, but a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, a divalent linking group containing a hetero atom, etc. are suitable examples.
·치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기·A divalent hydrocarbon group that may have a substituent
2가의 연결기로서의 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기이어도 되고, 방향족 탄화수소기이어도 된다. 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 가지지 않는 탄화수소기를 의미한다. 당해 지방족 탄화수소기는, 포화이어도 되고, 불포화이어도 된다. 통상은 포화 탄화 수소기가 바람직하다. 당해 지방족 탄화수소기로서, 보다 구체적으로는, 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기, 구조 중에 환을 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다. The hydrocarbon group as the two-valent linking group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group that does not have aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated. Usually, a saturated hydrocarbon group is preferable. More specifically, as the aliphatic hydrocarbon group, a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group including a ring in the structure, etc. can be mentioned.
상기 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기의 탄소 원자수는, 1 이상 10 이하가 바람직하고, 1 이상 8 이하가 보다 바람직하고, 1 이상 5 이하가 더욱 바람직하다. The number of carbon atoms in the linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 8, and still more preferably 1 to 5.
직쇄상의 지방족 탄화수소기로서는, 직쇄상의 알킬렌기가 바람직하다. 구체적으로는, 메틸렌기[-CH2-], 에틸렌기[-(CH2)2-], 트리메틸렌기[-(CH2)3-], 테트라메틸렌기[-(CH2)4-], 펜타메틸렌기[-(CH2)5-] 등을 들 수 있다. As the straight-chain aliphatic hydrocarbon group, a straight-chain alkylene group is preferable. Specifically, a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [-(CH 2 ) 2 -], a trimethylene group [-(CH 2 ) 3 -], a tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], a pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -], etc. can be mentioned.
분기쇄상의 지방족 탄화수소기로서는, 분기쇄상의 알킬렌기가 바람직하다. 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3) 2- 등의 알킬 메틸렌기; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬 에틸렌기; -CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬 트리메틸렌기; -CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬 테트라메틸렌기 등의 알킬 알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬 알킬렌기에 있어서의 알킬기로서는, 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 직쇄상의 알킬기가 바람직하다. As the branched-chain aliphatic hydrocarbon group, a branched-chain alkylene group is preferable. Specifically, alkyl methylene groups such as -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, -C(CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 CH 2 CH 3 )-, -C(CH 2 CH 3 ) 2-; alkyl ethylene groups such as -CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 )CH 2 -, -C(CH 2 CH 3 ) 2 -CH 2 -; -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -, etc.; Alkyl alkylene groups such as alkyl tetramethylene groups such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, etc. are exemplified. As the alkyl group in the alkyl alkylene group, a straight-chain alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable.
상기의 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기는, 수소 원자를 치환하는 치환기(수소 원자 이외의 기 또는 원자)를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 당해 치환기로서는, 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 불소화 알킬기, 옥소기(=O) 등을 들 수 있다. The above linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent (a group or atom other than a hydrogen atom) that substitutes a hydrogen atom. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, an oxo group (=O), etc.
상기의 구조 중에 환을 포함하는 지방족 탄화수소기로서는, 환구조 중에 헤테로 원자를 포함하는 치환기를 포함해도 되는 환상의 지방족 탄화수소기(지방족 탄화수소환으로부터 수소 원자를 2개 제외한 기), 당해 환상의 지방족 탄화수소기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 당해 환상의 지방족 탄화수소기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다. 상기의 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기로서는 전술과 마찬가지의 것을 들 수 있다. Among the above structures, examples of the aliphatic hydrocarbon group including a ring include a cyclic aliphatic hydrocarbon group (a group in which two hydrogen atoms are removed from the aliphatic hydrocarbon ring) that may include a substituent including a hetero atom in the ring structure, a group in which the cyclic aliphatic hydrocarbon group is bonded to the terminal of a straight-chain or branched-chain aliphatic hydrocarbon group, a group in which the cyclic aliphatic hydrocarbon group is interposed in the middle of a straight-chain or branched-chain aliphatic hydrocarbon group, and the like. Examples of the above-mentioned straight-chain or branched-chain aliphatic hydrocarbon group include those similar to those described above.
환상의 지방족 탄화수소기의 탄소 원자수는, 3 이상 20 이하가 바람직하고, 3 이상 12 이하가 보다 바람직하다. The number of carbon atoms in the aliphatic hydrocarbon group of the fantasy is preferably 3 to 20, more preferably 3 to 12.
환상의 지방족 탄화수소기는, 다환식이어도 되고, 단환식이어도 된다. 단환식의 지방족 탄화수소기로서는, 모노시클로알칸으로부터 2개의 수소 원자를 제외한 기가 바람직하다. 당해 모노시클로알칸의 탄소 원자수는, 3 이상 6 이하가 바람직하다. 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다환식의 지방족 탄화수소기로서는, 폴리시클로알칸으로부터 2개의 수소 원자를 제외한 기가 바람직하다. 당해 폴리시클로알칸의 탄소 원자수는, 7 이상 12 이하가 바람직하다. 구체적으로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다. The aliphatic hydrocarbon group of the ring may be polycyclic or monocyclic. As the monocyclic aliphatic hydrocarbon group, a group having two hydrogen atoms removed from a monocycloalkane is preferable. The number of carbon atoms of the monocycloalkane is preferably 3 or more and 6 or less. Specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. As the polycyclic aliphatic hydrocarbon group, a group having two hydrogen atoms removed from a polycycloalkane is preferable. The number of carbon atoms of the polycycloalkane is preferably 7 or more and 12 or less. Specific examples thereof include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.
환상의 지방족 탄화수소기는, 수소 원자를 치환하는 치환기(수소 원자 이외의 기 또는 원자)를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 당해 치환기로서는, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 옥소기(=O) 등을 들 수 있다. The aliphatic hydrocarbon group of the fantasy may or may not have a substituent (a group or atom other than a hydrogen atom) that replaces a hydrogen atom. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, an oxo group (=O), and the like.
상기의 치환기로서의 알킬기로서는, 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, 및 tert-부틸기가 보다 바람직하다. As the alkyl group as the above substituent, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group are more preferable.
상기의 치환기로서의 알콕시기로서는, 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, 및 tert-부톡시기가 보다 바람직하고, 메톡시기, 및 에톡시기가 특히 바람직하다. As the alkoxy group as the above substituent, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, and a tert-butoxy group are more preferable, and a methoxy group and an ethoxy group are particularly preferable.
상기의 치환기로서의 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 및 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다. As the halogen atom as the above substituent, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom can be mentioned, and a fluorine atom is preferable.
상기의 치환기로서의 할로겐화 알킬기로서는, 전술의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기의 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. As the halogenated alkyl group as the above substituent, a group in which some or all of the hydrogen atoms of the above-mentioned alkyl group are replaced with the above-mentioned halogen atoms can be exemplified.
환상의 지방족 탄화수소기는, 그 환구조를 구성하는 탄소 원자의 일부가 -O-, 또는 -S-로 치환되어도 된다. 상기 헤테로 원자를 포함하는 치환기로서는, -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-가 바람직하다. The aliphatic hydrocarbon group of the ring structure may have some of the carbon atoms constituting it substituted with -O- or -S-. As the substituent containing the hetero atom, -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O) 2 -, -S(=O) 2 -O- are preferable.
2가의 탄화수소기로서의 방향족 탄화수소기는, 방향환을 적어도 1개 가지는 2가의 탄화수소기이며, 치환기를 가지고 있어도 된다. 방향환은, 4n+2개의 π전자를 가지는 환상 공역계이면 특별히 한정되지 않고, 단환식이어도 다환식이어도 된다. 방향환의 탄소 원자수는, 5 이상 30 이하가 바람직하고, 5 이상 20 이하가 보다 바람직하고, 6 이상 15 이하가 더욱 바람직하고, 6 이상 12 이하가 특히 바람직하다. 다만, 당해 탄소 원자수에는, 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않는 것으로 한다. An aromatic hydrocarbon group as a divalent hydrocarbon group is a divalent hydrocarbon group having at least one aromatic ring, and may have a substituent. The aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n+2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms in the aromatic ring is preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, still more preferably 6 to 15, and particularly preferably 6 to 12. However, the number of carbon atoms does not include the number of carbon atoms of the substituent.
방향환으로서 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 및 페난트렌 등의 방향족 탄화수소환; 상기 방향족 탄화수소환을 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소환; 등을 들 수 있다. 방향족 복소환에 있어서의 헤테로 원자로서는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소환으로서 구체적으로는, 피리딘환, 티오펜환 등을 들 수 있다. Specific examples of aromatic rings include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; aromatic heterocycles in which some of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring are replaced with heteroatoms; and the like. Examples of heteroatoms in the aromatic heterocycle include oxygen atoms, sulfur atoms, nitrogen atoms, and the like. Specific examples of the aromatic heterocycle include a pyridine ring, a thiophene ring, and the like.
2가의 탄화수소기로서의 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기의 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환으로부터 수소 원자를 2개 제외한 기(아릴렌기, 또는 헤테로아릴렌기); 2 이상의 방향환을 포함하는 방향족 화합물(예를 들면, 비페닐, 플루오렌 등)로부터 수소 원자를 2개 제외한 기; 상기의 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환으로부터 수소 원자를 1개 제외한 기(아릴기, 또는 헤테로아릴기)의 수소 원자의 1개가 알킬렌기로 치환된 기(예를 들면, 벤딜기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴 알킬기에 있어서의 아릴기로부터 수소 원자를 추가로 1개 제외한 기); 등을 들 수 있다. As an aromatic hydrocarbon group as a divalent hydrocarbon group, specific examples thereof include a group having two hydrogen atoms removed from the above-mentioned aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (arylene group or heteroarylene group); a group having two hydrogen atoms removed from an aromatic compound containing two or more aromatic rings (for example, biphenyl, fluorene, etc.); a group having one hydrogen atom removed from the above-mentioned aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (aryl group or heteroaryl group) replaced with an alkylene group (for example, a group having one additional hydrogen atom removed from the aryl group in an arylalkyl group such as a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, a 2-naphthylethyl group, etc.); etc.
상기의 아릴기, 또는 헤테로아릴기에 결합하는 알킬렌기의 탄소 원자수는, 1 이상 4 이하가 바람직하고, 1 이상 2 이하가 보다 바람직하고, 1이 특히 바람직하다. The number of carbon atoms of the alkylene group bonded to the above aryl group or heteroaryl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.
상기의 방향족 탄화수소기는, 당해 방향족 탄화수소기가 가지는 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 예를 들면, 당해 방향족 탄화수소기 중의 방향환에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 당해 치환기로서는, 예를 들면, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 옥소기(=O) 등을 들 수 있다. The above-mentioned aromatic hydrocarbon group may have a hydrogen atom of the aromatic hydrocarbon group replaced by a substituent. For example, a hydrogen atom bonded to an aromatic ring in the aromatic hydrocarbon group may be replaced by a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, an oxo group (=O), and the like.
상기의 치환기로서의 알킬기로서는, 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, 및 tert-부틸기가 보다 바람직하다. As the alkyl group as the above substituent, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group are more preferable.
상기의 치환기로서의 알콕시기로서는, 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, 및 tert-부톡시기가 바람직하고, 메톡시기, 및 에톡시기가 보다 바람직하다. As the alkoxy group as the above substituent, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, and a tert-butoxy group are preferable, and a methoxy group and an ethoxy group are more preferable.
상기의 치환기로서의 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다. As the halogen atom as the above substituent, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. can be mentioned, and a fluorine atom is preferable.
상기의 치환기로서의 할로겐화 알킬기로서는, 전술의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.As the halogenated alkyl group as the above substituent, a group in which some or all of the hydrogen atoms of the above-mentioned alkyl group are replaced with the above-mentioned halogen atoms can be exemplified.
·헤테로 원자를 포함하는 2가의 연결기·Divalent linking group containing heteroatom
헤테로 원자를 포함하는 2가의 연결기에 있어서 헤테로 원자란, 탄소 원자 및 수소 원자 이외의 원자이며, 예를 들면, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 및 할로겐 원자 등을 들 수 있다.In a divalent linking group containing a hetero atom, a hetero atom is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and examples thereof include an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, and a halogen atom.
헤테로 원자를 포함하는 2가의 연결기로서, 구체적으로는, -O-, -C(=O)-, -C(=O)-O-, -O-C(=O)-O-, -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-, -NH-, -NH-C(=O)-, -NH-C(=NH)-, =N- 등의 비탄화수소계 연결기, 이들 비탄화수소계 연결기의 적어도 1종과 2가의 탄화수소기의 조합 등을 들 수 있다. 당해 2가의 탄화수소기로서는, 상술한 치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기와 마찬가지의 것을 들 수 있고, 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기가 바람직하다. As a divalent linking group containing a hetero atom, specific examples thereof include non-hydrocarbon linking groups such as -O-, -C(=O)-, -C(=O)-O-, -OC(=O)-O-, -S-, -S(=O) 2 -, -S(=O) 2 -O-, -NH-, -NH-C(=O)-, -NH-C(=NH)-, =N-, combinations of at least one of these non-hydrocarbon linking groups and a divalent hydrocarbon group, and the like. As the divalent hydrocarbon group, examples thereof include the same divalent hydrocarbon groups which may have a substituent described above, and a straight-chain or branched-chain aliphatic hydrocarbon group is preferable.
상기 가운데, -C(=O)-NH- 중의 -NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- 중의 H는, 각각, 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다. 당해 치환기의 탄소 원자수는, 1 이상 10 이하가 바람직하고, 1 이상 8 이하가 보다 바람직하고, 1 이상 5 이하가 특히 바람직하다.Among the above, -NH-, -NH-, -NH-C(=NH)- in -C(=O)-NH- may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group. The number of carbon atoms of the substituent is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 8, and particularly preferably 1 to 5.
R12b에 있어서의 2가의 연결기로서는, 특히, 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬렌기, 환상의 지방족 탄화수소기, 또는 헤테로 원자를 포함하는 2가의 연결기가 바람직하다.As the divalent linking group for R 12b , a linear or branched alkylene group, a cyclic aliphatic hydrocarbon group, or a divalent linking group containing a hetero atom is particularly preferable.
R12b에 있어서의 2가의 연결기가 직쇄상 또는 분기쇄상 알킬렌기인 경우, 상기 알킬렌기의 탄소 원자수는, 1 이상 10 이하가 바람직하고, 1 이상 6 이하가 보다 바람직하고, 1 이상 4 이하가 특히 바람직하고, 1 이상 3 이하가 가장 바람직하다. 구체적으로는, 전술의 2가의 연결기로서의 「치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기」의 설명중, 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기로서 열거한 직쇄상의 알킬렌기, 분기쇄상의 알킬렌기와 마찬가지의 것을 들 수 있다.When the divalent linking group in R 12b is a straight-chain or branched-chain alkylene group, the number of carbon atoms of the alkylene group is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 6, particularly preferably 1 to 4, and most preferably 1 to 3. Specifically, among the description of the "divalent hydrocarbon group which may have a substituent" as the divalent linking group mentioned above, examples thereof include the same linear alkylene groups and branched alkylene groups as those listed as linear or branched aliphatic hydrocarbon groups.
R12b에 있어서의 2가의 연결기가 환상의 지방족 탄화수소기인 경우, 당해 환상의 지방족 탄화수소기로서는, 전술의 2가의 연결기로서의 「치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기」의 설명중, 「구조 중에 환을 포함하는 지방족 탄화수소기」로서 열거한 환상의 지방족 탄화수소기와 마찬가지의 것을 들 수 있다.In the case where the divalent linking group in R 12b is a cyclic aliphatic hydrocarbon group, examples of the cyclic aliphatic hydrocarbon group include those similar to the cyclic aliphatic hydrocarbon groups listed as “aliphatic hydrocarbon groups containing a ring in the structure” in the description of “divalent hydrocarbon groups which may have a substituent” as the above-mentioned divalent linking group.
당해 환상의 지방족 탄화수소기로서는, 시클로펜탄, 시클로헥산, 노르보르난, 이소보르난, 아다만탄, 트리시클로데칸, 또는 테트라시클로도데칸으로부터 수소 원자가 2개 이상 제외된 기가 특히 바람직하다.As the aliphatic hydrocarbon group of the present invention, a group having two or more hydrogen atoms removed from cyclopentane, cyclohexane, norbornane, isobornane, adamantane, tricyclodecane, or tetracyclododecane is particularly preferable.
R12b에 있어서의 2가의 연결기가, 헤테로 원자를 포함하는 2가의 연결기인 경우, 당해 연결기로서 바람직한 것으로서, -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH-(H는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다.), -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-, 일반식 -Y1-O-Y2-, -[Y1-C(=O)-O]m'-Y2-, 또는 -Y1-O-C(=O)-Y2-로 나타내는 기[식 중, Y1, 및 Y2는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기이며, O는 산소 원자이며, m'는 0 이상 3 이하의 정수이다.] 등을 들 수 있다.In the case where the divalent linking group in R 12b is a divalent linking group containing a hetero atom, preferable examples of the linking group include -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -OC(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH- (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group), -S-, -S(=O) 2 -, -S(=O) 2 -O-, a group represented by the general formula -Y 1 -OY 2 -, -[Y 1 -C(=O)-O] m' -Y 2 -, or -Y 1 -OC(=O)-Y 2 - [wherein Y 1 and Y 2 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, O is an oxygen atom, and m' is an integer of 0 to 3.], etc. You can hear it.
R12b에 있어서의 2가의 연결기가 -NH-인 경우, -NH- 중의 수소 원자는 알킬기, 아실 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다. 당해 치환기(알킬기, 아실기 등)의 탄소 원자수는, 1 이상 10 이하가 바람직하고, 1 이상 8 이하가 보다 바람직하고, 1 이상 5 이하가 특히 바람직하다. When the divalent linking group in R 12b is -NH-, the hydrogen atom in -NH- may be substituted with a substituent such as an alkyl group or acyl group. The number of carbon atoms in the substituent (alkyl group, acyl group, etc.) is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 8, and particularly preferably 1 to 5.
식 -Y1-O-Y2-, -[Y1-C(=O)-O]m'-Y2-, 또는 -Y1-O-C(=O)-Y2- 중, Y1, 및 Y2는, 각각 독립적으로, 치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기이다. 당해 2가의 탄화수소기로서는, 상기 2가의 연결기로서의 설명에서 열거한 「치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기」와 마찬가지의 것을 들 수 있다. In the formulas -Y 1 -OY 2 -, -[Y 1 -C(=O)-O] m' -Y 2 -, or -Y 1 -OC(=O)-Y 2 -, Y 1 and Y 2 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. Examples of the divalent hydrocarbon group include those similar to the "divalent hydrocarbon group which may have a substituent" listed in the description of the divalent connecting group.
Y1로서는, 직쇄상의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 직쇄상의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 직쇄상의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 메틸렌기, 및 에틸렌기가 특히 바람직하다. As Y 1 , a straight-chain aliphatic hydrocarbon group is preferable, a straight-chain alkylene group is more preferable, a straight-chain alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable, and a methylene group and an ethylene group are particularly preferable.
Y2로서는, 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기, 및 알킬 메틸렌기가 보다 바람직하다. 당해 알킬 메틸렌기에 있어서의 알킬기는, 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 직쇄상의 알킬기가 바람직하고, 탄소 원자수 1 이상 3 이하의 직쇄상의 알킬기가 보다 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다. As Y 2 , a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferable, and a methylene group, an ethylene group, and an alkyl methylene group are more preferable. The alkyl group in the alkyl methylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and a methyl group is particularly preferable.
식 -[Y1-C(=O)-O]m'-Y2-로 나타내는기에 있어서, m'는 0 이상 3 이하의 정수이며, 0 이상 2 이하의 정수가 바람직하고, 0 또는 1이 보다 바람직하고, 1이 특히 바람직하다. 즉, 식 -[Y1-C(=O)-O]m'-Y2-로 나타내는 기로서는, 식 -Y1-C(=O)-O-Y2-로 나타내는 기가 특히 바람직하다. 그 중에서도, 식 -(CH2)a'-C(=O)-O-(CH2)b'-로 나타내는 기가 바람직하다. 당해 식 중, a'는, 1 이상 10 이하의 정수이며, 1 이상 8 이하의 정수가 바람직하고, 1 이상 5 이하의 정수가 보다 바람직하고, 1, 또는 2가 더욱 바람직하고, 1이 가장 바람직하다. b'는, 1 이상 10 이하의 정수이며, 1 이상 8 이하의 정수가 바람직하고, 1 이상 5 이하의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2가 더욱 바람직하고, 1이 가장 바람직하다. In the group represented by the formula -[Y 1 -C(=O)-O] m' -Y 2 -, m' is an integer of 0 or more and 3 or less, preferably an integer of 0 or more and 2 or less, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 1. That is, as the group represented by the formula -[Y 1 -C(=O)-O] m' -Y 2 -, a group represented by the formula -Y 1 -C(=O)-OY 2 - is particularly preferable. Among them, a group represented by the formula -(CH 2 ) a' -C(=O)-O-(CH 2 ) b' - is preferable. In the formula, a' is an integer of 1 or more and 10 or less, preferably an integer of 1 or more and 8 or less, more preferably an integer of 1 or more and 5 or less, 1 or 2 is still more preferable, and 1 is most preferable. b' is an integer greater than or equal to 1 and less than or equal to 10, preferably an integer greater than or equal to 1 and less than or equal to 8, more preferably an integer greater than or equal to 1 and less than or equal to 5, still more preferably 1 or 2, and most preferably 1.
R12b에 있어서의 2가의 연결기에 대하여, 헤테로 원자를 포함하는 2가의 연결기로서는, 적어도 1종의 비탄화수소기와 2가의 탄화수소기의 조합으로 이루어지는 유기기가 바람직하다. 그 중에서도, 헤테로 원자로서 산소 원자를 가지는 직쇄상의 기, 예를 들면 에테르 결합, 또는 에스테르 결합을 포함하는 기가 바람직하고, 전술의 식 -Y1-O-Y2-, -[Y1-C(=O)-O]m'-Y2-, 또는 -Y1-O-C(=O)-Y2-로 나타내는 기가 보다 바람직하고, 전술의 식 -[Y1-C(=O)-O]m'-Y2-, 또는 -Y1-O-C(=O)-Y2-로 나타내는 기가 특히 바람직하다.For the divalent linking group in R 12b , an organic group composed of a combination of at least one non-hydrocarbon group and a divalent hydrocarbon group is preferable as the divalent linking group containing a hetero atom. Among these, a straight-chain group having an oxygen atom as the hetero atom, for example, a group containing an ether bond or an ester bond, is preferable, and a group represented by the above-mentioned formula -Y 1 -OY 2 -, -[Y 1 -C(=O)-O] m' -Y 2 -, or -Y 1 -OC(=O)-Y 2 - is more preferable, and a group represented by the above-mentioned formula -[Y 1 -C(=O)-O] m' -Y 2 -, or -Y 1 -OC(=O)-Y 2 - is particularly preferable.
R12b에 있어서의 2가의 연결기로서는, 알킬렌기, 또는 에스테르 결합(-C(=O)-O-)를 포함하는 것이 바람직하다.As the divalent linking group in R 12b , it is preferable to include an alkylene group or an ester bond (-C(=O)-O-).
당해 알킬렌기는, 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬렌기가 바람직하다. 당해 직쇄상의 지방족 탄화수소기의 적합한 예로서는, 메틸렌기[-CH2-], 에틸렌기[-(CH2)2-], 트리메틸렌기[-(CH2)3-], 테트라메틸렌기[-(CH2)4-], 및 펜타메틸렌기[-(CH2)5-] 등을 들 수 있다. 당 분기쇄상의 알킬렌기의 적합한 예로서는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬 메틸렌기; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬 에틸렌기; -CH(CH3)CH2CH2-, - CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬 트리메틸렌기; -CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬 테트라메틸렌기 등의 알킬 알킬렌기 등을 들 수 있다.The alkylene group is preferably a linear or branched alkylene group. Suitable examples of the linear aliphatic hydrocarbon group include a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [-(CH 2 ) 2 -], a trimethylene group [-(CH 2 ) 3 -], a tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], and a pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -]. Suitable examples of the branched alkylene group include alkyl methylene groups such as -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, -C(CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 CH 2 CH 3 )-, and -C(CH 2 CH 3 ) 2 -; -CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 )CH 2 -, -C(CH 2 CH 3 ) 2 -CH 2 -; alkyl trimethylene groups such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -; alkyl alkylene groups such as alkyl tetramethylene groups such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, etc.
에스테르 결합을 포함하는 2가의 연결기로서는, 특히, 식: -R13b-C(=O)-O-[식 중, R13b 는 2가의 연결기이다. ]로 나타내는 기가 바람직하다. 즉, 구성 단위(b-3-S)는, 하기 식(b-S1-1)로 나타내는 구성 단위인 것이 바람직하다.As a divalent linking group including an ester bond, a group represented by the formula: -R 13b -C(=O)-O- [wherein R 13b is a divalent linking group] is particularly preferable. That is, the structural unit (b-3-S) is preferably a structural unit represented by the following formula (b-S1-1).
(식 중, R, 및 R11b는 각각 상기와 동일하고, R13b는 2가의 연결기이다.)(In the formula, R and R 11b are each the same as above, and R 13b is a divalent linking group.)
R13b로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 전술의 R12b에 있어서의 2가의 연결기와 마찬가지의 것을 들 수 있다. As for R 13b , there is no particular limitation, and for example, the same two-valent linker as in the aforementioned R 12b can be mentioned.
R13b의 2가의 연결기로서는, 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬렌기, 구조 중에 환을 포함하는 지방족 탄화수소기, 또는 헤테로 원자를 포함하는 2가의 연결기가 바람직하고, 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬렌기, 또는 헤테로 원자로서 산소 원자를 포함하는 2가의 연결기가 바람직하다. As the divalent linking group of R 13b , a straight-chain or branched-chain alkylene group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, or a divalent linking group containing a hetero atom is preferable, and a straight-chain or branched-chain alkylene group, or a divalent linking group containing an oxygen atom as a hetero atom is preferable.
직쇄상의 알킬렌기로서는, 메틸렌기, 또는 에틸렌기가 바람직하고, 메틸렌기가 특히 바람직하다. 분기쇄상의 알킬렌기로서는, 알킬 메틸렌기, 또는 알킬 에틸렌기가 바람직하고, -CH(CH3)-, -C(CH3)2-, 또는 -C(CH3)2CH2-가 특히 바람직하다. As the straight-chain alkylene group, a methylene group or an ethylene group is preferable, and a methylene group is particularly preferable. As the branched-chain alkylene group, an alkyl methylene group or an alkyl ethylene group is preferable, and -CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, or -C(CH 3 ) 2 CH 2 - is particularly preferable.
산소 원자를 포함하는 2가의 연결기로서는, 에테르 결합, 또는 에스테르 결합을 포함하는 2가의 연결기가 바람직하고, 전술한, -Y1-O-Y2-, -[Y1-C(=O)-O]m'-Y2-, 또는 -Y1-O-C(=O)-Y2-가 보다 바람직하다. Y1, 및 Y2는, 각각 독립적으로, 치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기이며, m'는 0 이상 3 이하의 정수이다. 그 중에서도, -Y1-O-C(=O)-Y2-가 바람직하고, -(CH2)c-O-C(=O)-(CH2)d-로 나타내는 기가 특히 바람직하다. c는 1 이상 5 이하의 정수이며, 1 또는 2가 바람직하다. d는 1 이상 5 이하의 정수이며, 1 또는 2가 바람직하다. As a divalent linking group containing an oxygen atom, a divalent linking group containing an ether bond or an ester bond is preferable, and the above-mentioned -Y 1 -OY 2 -, -[Y 1 -C(=O)-O] m' -Y 2 -, or -Y 1 -OC(=O)-Y 2 - are more preferable. Y 1 and Y 2 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and m' is an integer of 0 to 3. Among them, -Y 1 -OC(=O)-Y 2 - is preferable, and a group represented by -(CH 2 ) c -OC(=O)-(CH 2 ) d - is particularly preferable. c is an integer of 1 to 5, preferably 1 or 2. d is an integer of 1 to 5, preferably 1 or 2.
구성 단위(b-3-S)로서는, 특히, 하기 식(b-S1-11), 또는 (b-S1-12)로 나타내는 구성 단위가 바람직하고, 식(b-S1-12)로 나타내는 구성 단위가 보다 바람직하다.As the constituent unit (b-3-S), in particular, a constituent unit represented by the following formula (b-S1-11) or (b-S1-12) is preferable, and a constituent unit represented by the formula (b-S1-12) is more preferable.
(식 중, R, A', R10b, z, 및 R13b는 각각 상기와 같다.)(In the formula, R, A', R 10b , z, and R 13b are each as above.)
식(b-S1-11) 중, A'는 메틸렌기, 산소 원자(-O-), 또는 황 원자(-S-)인 것이 바람직하다.In the formula (b-S1-11), it is preferable that A' is a methylene group, an oxygen atom (-O-), or a sulfur atom (-S-).
R13b로서는, 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬렌기, 또는 산소 원자를 포함하는 2가의 연결기가 바람직하다. R13b에 있어서의 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬렌기, 산소 원자를 포함하는 2가의 연결기로서는, 각각, 전술의 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬렌기, 산소 원자를 포함하는 2가의 연결기와 마찬가지의 것을 들 수 있다.As R 13b , a linear or branched alkylene group, or a divalent linking group containing an oxygen atom is preferable. As the linear or branched alkylene group and the divalent linking group containing an oxygen atom for R 13b , examples thereof include the same groups as the linear or branched alkylene group and the divalent linking group containing an oxygen atom described above, respectively.
식(b-S1-12)로 나타내는 구성 단위로서는, 특히, 하기 식(b-S1-12a), 또는 (b-S1-12b)로 나타내는 구성 단위가 바람직하다.As a constituent unit represented by the formula (b-S1-12), in particular, a constituent unit represented by the following formula (b-S1-12a) or (b-S1-12b) is preferable.
(식 중, R, 및 A'는 각각 상기와 동일하고, c~e는 각각 독립적으로 1 이상 3 이하의 정수이다.)(In the formula, R and A' are each the same as above, and c to e are each independently an integer greater than or equal to 1 and less than or equal to 3.)
[구성 단위(b-3-L)][Composition unit (b-3-L)]
구성 단위(b-3-L)의 예로서는, 예를 들면 전술의 식(b-S1) 중의 R11b를 락톤 함유 환식기로 치환한 것을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 하기 식(b-L1)~(b-L5)로 나타내는 구성 단위를 들 수 있다.Examples of the structural unit (b-3-L) include, for example, those in which R 11b in the above-mentioned formula (b-S1) is substituted with a lactone-containing cyclic group, and more specifically, structural units represented by the following formulas (b-L1) to (b-L5) can be exemplified.
(식 중, R은 수소 원자, 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬기, 또는 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 할로겐화 알킬기이며; R'는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐화 알킬기, 수산기, -COOR", -OC(=O)R", 히드록시알킬기, 또는 시아노기이며, R"는 수소 원자, 또는 알킬기이며; R12b는 단결합, 또는 2가의 연결기이며, s"는 0 이상 2 이하의 정수이며; A"는 산소 원자 혹은 황 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬렌기, 산소 원자, 또는 황 원자이며; r은 0 또는 1이다.)(In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; R' is each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR", -OC(=O)R", a hydroxyalkyl group, or a cyano group; R" is a hydrogen atom or an alkyl group; R 12b is a single bond or a divalent linking group; s" is an integer of 0 to 2; A" is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may include an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom, or a sulfur atom; and r is 0 or 1.)
식(b-L1)~(b-L5)에 있어서의 R은, 전술과 같다.R in equations (b-L1) to (b-L5) is as described above.
R'에 있어서의 알킬기, 알콕시기, 할로겐화 알킬기, -COOR", -OC(=O)R", 히드록시알킬기로서는, 각각, -SO2- 함유 환식기가 가지고 있어도 되는 치환기로서 열거한 알킬기, 알콕시기, 할로겐화 알킬기, -COOR", -OC(=O)R", 히드록시알킬기에 대하여 전술한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다. As the alkyl group, alkoxy group, halogenated alkyl group, -COOR", -OC(=O)R", and hydroxyalkyl group for R', the same ones as those described above for the alkyl group, alkoxy group, halogenated alkyl group, -COOR", -OC(=O)R", and hydroxyalkyl group listed as substituents that the -SO 2 - containing cyclic group may have can be exemplified.
R'는, 공업상 입수가 용이한 것 등을 고려하면, 수소 원자가 바람직하다. Considering that R' is easily obtainable industrially, a hydrogen atom is preferable.
R"에 있어서의 알킬기는, 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 하나이어도 된다. The alkyl group in "R" may be linear, branched, or cyclic.
R"가 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기인 경우는, 탄소 원자수 1 이상 10 이하인 것이 바람직하고, 탄소 원자수 1 이상 5 이하인 것이 더욱 바람직하다. When "R" is a straight-chain or branched-chain alkyl group, it is preferable that it has 1 to 10 carbon atoms, and more preferably that it has 1 to 5 carbon atoms.
R"가 환상의 알킬기인 경우는, 탄소 원자수 3 이상 15 이하인 것이 바람직하고, 탄소 원자수 4 이상 12 이하인 것이 더욱 바람직하고, 탄소 원자수 5 이상 10 이하가 가장 바람직하다. 구체적으로는, 불소 원자 또는 불소화 알킬기로 치환되어 있어도 되고, 되어 있지 않아도 되는 모노시클로알칸, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기 등을 예시할 수 있다. 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 모노시클로알칸이나, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기 등을 들 수 있다.When "R" is a cyclic alkyl group, it is preferably one having 3 to 15 carbon atoms, more preferably one having 4 to 12 carbon atoms, and most preferably one having 5 to 10 carbon atoms. Specifically, examples thereof include groups in which one or more hydrogen atoms are removed from a polycycloalkane such as a monocycloalkane, a bicycloalkane, a tricycloalkane, or a tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group. Specifically, examples thereof include groups in which one or more hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane, or a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane.
A"로서는, 전술의 식(3-1) 중의 A'와 마찬가지의 것을 들 수 있다. A"는, 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬렌기, 산소 원자(-O-) 또는 황 원자(-S-)인 것이 바람직하고, 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬렌기, 또는 -O-가 보다 바람직하다. 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 알킬렌기로서는, 메틸렌기, 또는 디메틸 메틸렌기가 보다 바람직하고, 메틸렌기가 가장 바람직하다. As A", the same ones as A' in the aforementioned formula (3-1) can be mentioned. A" is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, an oxygen atom (-O-), or a sulfur atom (-S-), and more preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, or -O-. As the alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, a methylene group or a dimethyl methylene group is more preferable, and a methylene group is most preferable.
R12b는, 전술의 식(b-S1) 중의 R12b와 같다.R 12b is the same as R 12b in the tactic formula (b-S1).
식(b-L1) 중, s"는 1 또는 2인 것이 바람직하다.In formula (b-L1), it is preferable that s" is 1 or 2.
이하에, 전술의 식(b-L1)~(b-L3)로 나타내는 구성 단위의 구체예를 예시한다. 이하의 각 식 중, Rα는, 수소 원자, 메틸기, 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.Below, specific examples of the constituent units represented by the aforementioned formulas (b-L1) to (b-L3) are given. In each of the formulas below, R α represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.
구성 단위(b-3-L)로서는, 전술의 식(b-L1)~(b-L5)로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 바람직하고, 식(b-L1)~(b-L3)로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 보다 바람직하고, 전술의 식(b-L1), 또는 (b-L3)으로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 특히 바람직하다. As the constituent unit (b-3-L), at least one selected from the group consisting of constituent units represented by the aforementioned formulae (b-L1) to (b-L5) is preferable, at least one selected from the group consisting of constituent units represented by the aforementioned formulae (b-L1) to (b-L3) is more preferable, and at least one selected from the group consisting of constituent units represented by the aforementioned formulae (b-L1) or (b-L3) is particularly preferable.
그 중에서도, 전술의 식(b-L1-1), (b-L1-2), (b-L2-1), (b-L2-7), (b-L2-12), (b-L2-14), (b-L3-1), 및 (b-L3-5)로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 바람직하다. Among them, at least one selected from the group consisting of the constituent units represented by the tactic formulas (b-L1-1), (b-L1-2), (b-L2-1), (b-L2-7), (b-L2-12), (b-L2-14), (b-L3-1), and (b-L3-5) is preferable.
또한, 구성 단위(b-3-L)로서는, 하기 식(b-L6)~(b-L7)로 나타내는 구성 단위도 바람직하다.In addition, as a constituent unit (b-3-L), a constituent unit represented by the following formulas (b-L6) to (b-L7) is also preferable.
식(b-L6) 및 (b-L7) 중, R 및 R12b는 전술과 같다. In formulas (b-L6) and (b-L7), R and R 12b are as described above.
또한, 아크릴 수지(B3)는, 산의 작용에 의해 아크릴 수지(B3)의 알칼리에 대한 용해성을 높이는 구성 단위로서, 산 해리성 기를 가지는 하기 식(b5)~(b7)로 나타내는 구성 단위를 포함한다. In addition, the acrylic resin (B3) includes a structural unit represented by the following formulae (b5) to (b7) having an acid-dissociable group as a structural unit that increases the solubility of the acrylic resin (B3) in alkali by the action of an acid.
상기 식(b5)~(b7) 중, R14b, 및 R18b~R23b는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 1 이상 6 이하의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬기, 불소 원자, 또는 탄소 원자수 1 이상 6 이하의 직쇄상 혹은 분기상의 불소화 알킬기를 나타내고, R15b~R17b는, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 이상 6 이하의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬기, 탄소 원자수 1 이상 6 이하의 직쇄상 혹은 분기상의 불소화 알킬기, 또는 탄소 원자수 5 이상 20 이하의 지방족 환식기를 나타내고, R16b 및 R17b는 서로 결합하고, 양자가 결합하고 있는 탄소 원자와 함께 탄소 원자수 5 이상 20 이하의 탄화수소환을 형성해도 되고, Yb는, 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 환식기 또는 알킬기를 나타내고, p는 0 이상 4 이하의 정수를 나타내고, q는 0 또는 1을 나타낸다. In the above formulas (b5) to (b7), R 14b and R 18b to R 23b each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a fluorine atom, or a linear or branched fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, R 15b to R 17b each independently represent a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a linear or branched fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an aliphatic cyclic group having 5 to 20 carbon atoms, R 16b and R 17b may be bonded to each other and form a hydrocarbon ring having 5 to 20 carbon atoms together with the carbon atom to which they are bonded, Y b represents an aliphatic cyclic group or alkyl group which may have a substituent, p represents an integer of 0 to 4, q represents 0 or 1.
덧붙여, 상기 직쇄상 또는 분기상의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 또한, 불소화 알킬기란, 상기 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자에 의해 치환된 것이다. In addition, examples of the linear or branched alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, and the like. In addition, a fluorinated alkyl group is one in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are replaced with fluorine atoms.
지방족 환식기의 구체예로서는, 모노시클로알칸, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기를 들 수 있다. 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄 등의 모노시클로알칸이나, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1개의 수소 원자를 제외한 기를 들 수 있다. 특히, 시클로헥산, 아다만탄으로부터 1개의 수소 원자를 제외한 기(추가로 치환기를 가지고 있어도 된다)가 바람직하다. Specific examples of the aliphatic cyclic group include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as a monocycloalkane, a bicycloalkane, a tricycloalkane, or a tetracycloalkane. Specifically, groups in which one hydrogen atom has been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, or cyclooctane, or a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane are mentioned. In particular, groups in which one hydrogen atom has been removed from cyclohexane or adamantane (which may additionally have a substituent) are preferable.
상기 R16b 및 R17b가 서로 결합하여 탄화수소환을 형성하지 않는 경우, 상기 R15b, R16b 및 R17b로서는, 고-콘트라스트이고, 해상도, 초점 심도폭 등이 양호한 점으로부터, 탄소 원자수 2 이상 4 이하의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기인 것이 바람직하다. 상기 R19b, R20b, R22b, R23b로서는, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하다.When the above R 16b and R 17b do not combine with each other to form a hydrocarbon ring, the above R 15b , R 16b and R 17b are preferably linear or branched alkyl groups having 2 to 4 carbon atoms, from the viewpoint of high contrast and good resolution, depth of focus, etc. The above R 19b , R 20b , R 22b and R 23b are preferably hydrogen atoms or methyl groups.
상기 R16b 및 R17b는, 양자가 결합하고 있는 탄소 원자와 함께 탄소 원자수 5 이상 20 이하의 지방족 환식기를 형성해도 된다. 이러한 지방족 환식기의 구체예로서는, 모노시클로알칸, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기를 들 수 있다. 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄 등의 모노시클로알칸이나, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기를 들 수 있다. 특히, 시클로헥산, 아다만탄으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기(추가로 치환기를 가지고 있어도 된다)가 바람직하다.The above R 16b and R 17b may form an aliphatic cyclic group having 5 to 20 carbon atoms together with the carbon atoms to which they are bonded. Specific examples of such an aliphatic cyclic group include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as a monocycloalkane, a bicycloalkane, a tricycloalkane, and a tetracycloalkane. Specifically, groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane, or a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane are mentioned. In particular, groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from cyclohexane and adamantane (which may additionally have a substituent) are preferable.
추가로, 상기 R16b 및 R17b가 형성하는 지방족 환식기가, 그 환 골격 상에 치환기를 가지는 경우, 당해 치환기의 예로서는, 수산기, 카르복시기, 시아노기, 산소 원자(=O) 등의 극성기나, 탄소 원자수 1 이상 4 이하의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기를 들 수 있다. 극성기로서는 특히 산소 원자(=O)가 바람직하다. In addition, when the aliphatic cyclic group formed by R 16b and R 17b has a substituent on its ring skeleton, examples of the substituent include polar groups such as a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, an oxygen atom (=O), and the like, and a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. As the polar group, an oxygen atom (=O) is particularly preferable.
상기 Yb는, 지방족 환식기 또는 알킬기이며, 모노시클로알칸, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄 등의 모노시클로알칸이나, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기 등을 들 수 있다. 특히, 아다만탄으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기(추가로 치환기를 가지고 있어도 된다)가 바람직하다. The above Y b is an aliphatic cyclic group or an alkyl group, and examples thereof include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as a monocycloalkane, a bicycloalkane, a tricycloalkane, or a tetracycloalkane. Specifically, examples thereof include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, or cyclooctane, or groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane. In particular, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from adamantane (which may additionally have a substituent) is preferable.
추가로, 상기 Yb의 지방족 환식기가, 그 환 골격 상에 치환기를 가지는 경우, 당해 치환기의 예로서는, 수산기, 카르복시기, 시아노기, 산소 원자(=O) 등의 극성기나, 탄소 원자수 1 이상 4 이하의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기를 들 수 있다. 극성기로서는 특히 산소 원자(=O)가 바람직하다. In addition, when the aliphatic cyclic group of the above Y b has a substituent on its ring skeleton, examples of the substituent include polar groups such as a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, an oxygen atom (=O), and the like, and a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. As the polar group, an oxygen atom (=O) is particularly preferable.
또한, Yb가 알킬기인 경우, 탄소 원자수 1 이상 20 이하, 바람직하게는 6 이상 15 이하의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기인 것이 바람직하다. 이러한 알킬기는, 특히 알콕시 알킬기인 것이 바람직하고, 이러한 알콕시 알킬기로서는, 1-메톡시에틸기, 1-에톡시에틸기, 1-n-프로폭시에틸기, 1-이소프로폭시에틸기, 1-n-부톡시에틸기, 1-이소부톡시에틸기, 1-tert-부톡시에틸기, 1-메톡시프로필기, 1-에톡시프로필기, 1-메톡시-1-메틸-에틸기, 1-에톡시-1-메틸에틸기 등을 들 수 있다. In addition, when Y b is an alkyl group, it is preferable that it is a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 6 to 15 carbon atoms. This alkyl group is particularly preferably an alkoxy alkyl group, and examples of this alkoxy alkyl group include a 1-methoxyethyl group, a 1-ethoxyethyl group, a 1-n-propoxyethyl group, a 1-isopropoxyethyl group, a 1-n-butoxyethyl group, a 1-isobutoxyethyl group, a 1-tert-butoxyethyl group, a 1-methoxypropyl group, a 1-ethoxypropyl group, a 1-methoxy-1-methyl-ethyl group, a 1-ethoxy-1-methylethyl group, and the like.
상기 식(b5)로 나타내는 구성 단위의 바람직한 구체예로서는, 하기 식(b5-1)~(b5-33)로 나타내는 것을 들 수 있다. Preferred specific examples of the constituent unit represented by the above formula (b5) include those represented by the following formulas (b5-1) to (b5-33).
상기 식(b5-1)~(b5-33) 중, R24b는, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. In the above formulas (b5-1) to (b5-33), R 24b represents a hydrogen atom or a methyl group.
상기 식(b6)로 나타내는 구성 단위의 바람직한 구체예로서는, 하기 식(b6-1)~(b6-26)로 나타내는 것을 들 수 있다. Preferred specific examples of the constituent unit represented by the above formula (b6) include those represented by the following formulas (b6-1) to (b6-26).
상기 식(b6-1)~(b6-26) 중, R24b는, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. In the above formulas (b6-1) to (b6-26), R 24b represents a hydrogen atom or a methyl group.
상기 식(b7)로 나타내는 구성 단위의 바람직한 구체예로서는, 하기 식(b7-1)~(b7-15)로 나타내는 것을 들 수 있다. Preferred specific examples of the constituent unit represented by the above formula (b7) include those represented by the following formulas (b7-1) to (b7-15).
상기 식(b7-1)~(b7-15) 중, R24b는, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. In the above formulas (b7-1) to (b7-15), R 24b represents a hydrogen atom or a methyl group.
이상 설명한 식(b5)~(b7)로 나타내는 구성 단위 중에서는, 합성이 용이하고 또한 비교적 고감도화하기 쉬운 점으로부터, 식(b6)로 나타내는 구성 단위가 바람직하다. 또한, 식(b6)로 나타내는 구성 단위 중에서는, Yb가 알킬기인 구성 단위가 바람직하고, R19b 및 R20b의 한쪽 또는 쌍방이 알킬기인 구성 단위가 바람직하다.Among the structural units represented by the formulas (b5) to (b7) described above, the structural unit represented by the formula (b6) is preferable because it is easy to synthesize and is also relatively easy to increase sensitivity. Furthermore, among the structural units represented by the formula (b6), the structural unit in which Y b is an alkyl group is preferable, and the structural unit in which one or both of R 19b and R 20b are alkyl groups is preferable.
아크릴 수지(B3)에 있어서의 산 해리성기를 가지는 상기 구성 단위의 함유 비율(복수종 함유시키는 경우에는, 합계의 함유 비율)로서는, 5 질량% 이상 60 질량% 이하가 바람직하고, 10 질량% 이상 55 질량% 이하가 보다 바람직하고, 15 질량% 이상 50 질량% 이하가 특히 바람직하다.The content ratio of the above-mentioned structural unit having an acid-dissociable group in the acrylic resin (B3) (the total content ratio in the case of containing multiple types) is preferably 5 mass% or more and 60 mass% or less, more preferably 10 mass% or more and 55 mass% or less, and particularly preferably 15 mass% or more and 50 mass% or less.
아크릴 수지(B3)는, 상기 식(b5)~(b7)로 나타내는 구성 단위와 함께, 에테르 결합을 가지는 중합성 화합물로부터 유도된 구성 단위를 포함하는 공중합체로 이루어지는 수지인 것이 바람직하다. Acrylic resin (B3) is preferably a resin composed of a copolymer including a structural unit derived from a polymerizable compound having an ether bond, together with the structural units represented by the above formulas (b5) to (b7).
상기 에테르 결합을 가지는 중합성 화합물로서는, 에테르 결합 및 에스테르 결합을 가지는 (메타)아크릴산 유도체 등의 라디칼 중합성 화합물을 예시할 수 있고, 구체예로서는, 2-메톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-에톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 메톡시 트리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 3-메톡시부틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 갈비톨 (메타)아크릴레이트, 페녹시 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 메톡시 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 메톡시 폴리프로필렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 테트라히드로퍼퓨릴 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 상기 에테르 결합을 가지는 중합성 화합물은, 바람직하게는, 2-메톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-에톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 메톡시 트리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트이다. 이들 중합성 화합물은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. As the polymerizable compound having the above ether bond, examples thereof include radical polymerizable compounds such as (meth)acrylic acid derivatives having an ether bond and an ester bond, and specific examples thereof include 2-methoxyethyl (meth)acrylate, 2-ethoxyethyl (meth)acrylate, methoxy triethylene glycol (meth)acrylate, 3-methoxybutyl (meth)acrylate, ethyl galbitol (meth)acrylate, phenoxy polyethylene glycol (meth)acrylate, methoxy polyethylene glycol (meth)acrylate, methoxy polypropylene glycol (meth)acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth)acrylate, and the like. In addition, the polymerizable compound having the ether bond is preferably 2-methoxyethyl (meth)acrylate, 2-ethoxyethyl (meth)acrylate, or methoxy triethylene glycol (meth)acrylate. These polymerizable compounds may be used alone or in combination of two or more.
추가로, 아크릴 수지(B3)에는, 물리적, 화학적 특성을 적당히 컨트롤 하는 목적으로 다른 중합성 화합물을 구성 단위로서 포함할 수 있다. 이러한 중합성 화합물로서는, 공지의 라디칼 중합성 화합물이나, 음이온 중합성 화합물을 들 수 있다. Additionally, the acrylic resin (B3) may contain other polymerizable compounds as constituent units for the purpose of appropriately controlling physical and chemical properties. Examples of such polymerizable compounds include known radical polymerizable compounds and anion polymerizable compounds.
이러한 중합성 화합물로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복시산류; 말레인산, 프말산, 이타콘산 등의 디카르복시산류; 2-메타크릴로일옥시에틸 숙신산, 2-메타크릴로일옥시에틸 말레인산, 2-메타크릴로일옥시에틸 프탈산, 2-메타크릴로일옥시에틸 헥사히드로프탈산 등의 카르복시기 및 에스테르 결합을 가지는 메타크릴산 유도체류; 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 부틸 (메타)아크릴레이트, 시클로헥실 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 알킬 에스테르류; 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 히드록시알킬 에스테르류; 페닐 (메타)아크릴레이트, 벤질 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 아릴 에스테르류; 말레인산 디에틸, 프말산 디부틸 등의 디카르복시산 디에스테르류; 스티렌, α-메틸스티렌, 클로로스티렌, 클로로메틸스티렌, 비닐톨루엔, 히드록시스티렌, α-메틸히드록시스티렌, α-에틸히드록시스티렌 등의 비닐기 함유 방향족 화합물류; 아세트산 비닐 등의 비닐기 함유 지방족 화합물류; 부타디엔, 이소프렌 등의 공역 디올레핀류; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 니트릴기 함유 중합성 화합물류; 염화 비닐, 염화 비닐리덴 등의 염소 함유 중합성 화합물; 아크릴 아미드, 메타크릴 아미드 등의 아미드 결합 함유 중합성 화합물류; 등을 들 수 있다.Examples of such polymerizable compounds include monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid; dicarboxylic acids such as maleic acid, formic acid, and itaconic acid; methacrylic acid derivatives having a carboxy group and an ester bond such as 2-methacryloyloxyethyl succinic acid, 2-methacryloyloxyethyl maleic acid, 2-methacryloyloxyethyl phthalic acid, and 2-methacryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid; (meth)acrylic acid alkyl esters such as methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, and cyclohexyl (meth)acrylate; (meth)acrylic acid hydroxyalkyl esters such as 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, and 2-hydroxypropyl (meth)acrylate. Examples thereof include (meth)acrylic acid aryl esters such as phenyl (meth)acrylate and benzyl (meth)acrylate; dicarboxylic acid diesters such as diethyl maleate and dibutyl formate; vinyl group-containing aromatic compounds such as styrene, α-methylstyrene, chlorostyrene, chloromethylstyrene, vinyltoluene, hydroxystyrene, α-methylhydroxystyrene, and α-ethylhydroxystyrene; vinyl group-containing aliphatic compounds such as vinyl acetate; conjugated diolefins such as butadiene and isoprene; nitrile group-containing polymerizable compounds such as acrylonitrile and methacrylonitrile; chlorine-containing polymerizable compounds such as vinyl chloride and vinylidene chloride; amide bond-containing polymerizable compounds such as acrylamide and methacrylamide; etc.
상기와 같이, 아크릴 수지(B3)는, 상기의 모노카르복시산류나 디카르복시산류와 같은 카르복시기를 가지는 중합성 화합물에 유래하는 구성 단위를 포함하고 있어도 되고, 특히, (메타)아크릴산에 유래하는 구성 단위를 포함하고 있는 것이 바람직하다. 아크릴 수지(B3) 중의, (메타)아크릴산에 유래하는 구성 단위의 비율은, 5 질량% 이상 20 질량% 이하가 바람직하다. 5 질량% 이상이면 언더컷 형상이 되기 쉽고, 20 질량% 이하이면 단면 형상이 양호한 직사각형인 레지스트 패턴을 형성하기 쉬운 경향이 있다.As described above, the acrylic resin (B3) may contain a structural unit derived from a polymerizable compound having a carboxyl group, such as the monocarboxylic acid or dicarboxylic acid described above, and in particular, it is preferable that it contains a structural unit derived from (meth)acrylic acid. The proportion of the structural unit derived from (meth)acrylic acid in the acrylic resin (B3) is preferably 5 mass% or more and 20 mass% or less. When it is 5 mass% or more, an undercut shape tends to occur easily, and when it is 20 mass% or less, a resist pattern having a good rectangular cross-sectional shape tends to be formed easily.
또한, 중합성 화합물로서는, 산 비해리성의 지방족 다환식기를 가지는 (메타)아크릴산 에스테르류, 비닐기 함유 방향족 화합물류 등을 들 수 있다. 산 비해리성의 지방족 다환식기로서는, 특히 트리시클로데카닐기, 아다만틸기, 테트라시클로도데카닐기, 이소보닐기, 노르보르닐기 등이, 공업상 입수하기 쉬운 등의 점에서 바람직하다. 이들 지방족 다환식기는, 탄소 원자수 1 이상 5 이하의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기를 치환기로서 가지고 있어도 된다.In addition, as polymerizable compounds, (meth)acrylic acid esters having an acid-nondissociable aliphatic polycyclic group, vinyl group-containing aromatic compounds, etc. can be mentioned. As the acid-nondissociable aliphatic polycyclic group, a tricyclodecanyl group, an adamantyl group, a tetracyclododecanyl group, an isobornyl group, a norbornyl group, etc. are particularly preferable from the viewpoint of ease of industrial acquisition. These aliphatic polycyclic groups may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent.
산 비해리성의 지방족 다환식기를 가지는 (메타)아크릴산 에스테르류에 유래하는 구성 단위로서는, 구체적으로는, 하기 식(b8-1)~(b8-5)의 구조의 것을 예시할 수 있다.As a structural unit derived from (meth)acrylic acid esters having a non-dissociable aliphatic polycyclic group, specific examples thereof include those having structures represented by the following formulae (b8-1) to (b8-5).
상기 식(b8-1)~(b8-5) 중, R25b는, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.In the above formulas (b8-1) to (b8-5), R 25b represents a hydrogen atom or a methyl group.
아크릴 수지(B3)가, -SO2- 함유 환식기, 또는 락톤 함유 환식기를 포함하는 구성 단위(b-3)를 포함하는 경우, 아크릴 수지(B3) 중의 구성 단위(b-3)의 함유량은, 5 질량% 이상이 바람직하고, 10 질량% 이상이 보다 바람직하고, 10 질량% 이상 50 질량% 이하가 특히 바람직하고, 10 질량% 이상 30 질량% 이하가 가장 바람직하다. 감광성 수지 조성물이, 상기의 범위 내의 양의 구성 단위(b-3)를 포함하는 경우, 양호한 현상성과, 양호한 패턴 형상을 양립하기 쉽다.When the acrylic resin (B3) contains a structural unit (b-3) containing a -SO 2 - containing cyclic group or a lactone containing cyclic group, the content of the structural unit (b-3) in the acrylic resin (B3) is preferably 5 mass% or more, more preferably 10 mass% or more, particularly preferably 10 mass% or more and 50 mass% or less, and most preferably 10 mass% or more and 30 mass% or less. When the photosensitive resin composition contains the structural unit (b-3) in an amount within the above range, it is easy to achieve both good developability and good pattern shape.
또한, 아크릴 수지(B3)는, 전술의 식(b5)~(b7)로 나타내는 구성 단위를, 5 질량% 이상 포함하는 것이 바람직하고, 10 질량% 이상 포함하는 것이 보다 바람직하고, 10 질량% 이상 50 질량% 이하 포함하는 것이 특히 바람직하다.In addition, it is preferable that the acrylic resin (B3) contains 5 mass% or more of the constituent units represented by the aforementioned formulae (b5) to (b7), more preferably 10 mass% or more, and particularly preferably 10 mass% or more and 50 mass% or less.
아크릴 수지(B3)는, 상기의 에테르 결합을 가지는 중합성 화합물에 유래하는 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 아크릴 수지(B3) 중의, 에테르 결합을 가지는 중합성 화합물에 유래하는 구성 단위의 함유량은, 0 질량% 이상 50 질량% 이하가 바람직하고, 5 질량% 이상 35 질량% 이하가 보다 바람직하다.It is preferable that the acrylic resin (B3) contains a structural unit derived from the polymerizable compound having the above-mentioned ether bond. The content of the structural unit derived from the polymerizable compound having the ether bond in the acrylic resin (B3) is preferably 0 mass% or more and 50 mass% or less, and more preferably 5 mass% or more and 35 mass% or less.
아크릴 수지(B3)는, 상기의 산 비해리성의 지방족 다환식기를 가지는 (메타)아크릴산 에스테르류에 유래하는 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 아크릴 수지(B3) 중의, 산 비해리성의 지방족 다환식기를 가지는 (메타)아크릴산 에스테르류에 유래하는 구성 단위의 함유량은, 0 질량% 이상 50 질량% 이하가 바람직하고, 5 질량% 이상 30 질량% 이하가 보다 바람직하다.It is preferable that the acrylic resin (B3) contains a structural unit derived from a (meth)acrylic acid ester having the above-mentioned acid non-dissociable aliphatic polycyclic group. The content of the structural unit derived from a (meth)acrylic acid ester having the acid non-dissociable aliphatic polycyclic group in the acrylic resin (B3) is preferably 0 mass% or more and 50 mass% or less, and more preferably 5 mass% or more and 30 mass% or less.
이상 설명한 수지(B)의 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량은, 바람직하게는 10000 이상 600000 이하이며, 보다 바람직하게는 20000 이상 400000 이하이며, 더욱 바람직하게는 30000 이상 300000 이하이다. 이러한 질량 평균 분자량으로 하는 것에 의해, 기판으로부터의 박리성을 저하시키지 않고 감광성층의 충분한 강도를 유지할 수 있고, 추가로는 도금시의 프로파일의 부풀음이나, 크랙의 발생을 막을 수 있다.The polystyrene-converted mass average molecular weight of the resin (B) described above is preferably 10,000 or more and 600,000 or less, more preferably 20,000 or more and 400,000 or less, and even more preferably 30,000 or more and 300,000 or less. By setting it to such a mass average molecular weight, sufficient strength of the photosensitive layer can be maintained without lowering the peelability from the substrate, and furthermore, swelling of the profile or occurrence of cracks during plating can be prevented.
또한, 수지(B)의 분산도는 1.05 이상이 바람직하다. 여기서, 분산도란, 질량 평균 분자량을 수평균 분자량으로 나눈 값이다. 이러한 분산도로 하는 것에 의해, 소망으로 하는 도금에 대한 응력 내성이나, 도금 처리에 의해 얻어지는 금속층이 부풀어 오르기 쉬워진다고 하는 문제를 회피할 수 있다.In addition, the dispersion of the resin (B) is preferably 1.05 or higher. Here, the dispersion is a value obtained by dividing the mass average molecular weight by the number average molecular weight. By setting the dispersion to this degree, it is possible to avoid problems such as stress resistance for desired plating or the metal layer obtained by plating being prone to swelling.
수지(B)의 함유량은, 감광성 조성물의 전 고형분량에 대해서 5 질량% 이상 98 질량% 이하로 하는 것이 바람직하고, 10 질량% 이상 97 질량% 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 20 질량% 이상 96 질량% 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 25 질량% 이상 60 질량% 이하로 하는 것이 특히 바람직하다.The content of the resin (B) is preferably 5 mass% or more and 98 mass% or less, more preferably 10 mass% or more and 97 mass% or less, more preferably 20 mass% or more and 96 mass% or less, and particularly preferably 25 mass% or more and 60 mass% or less, based on the total solid content of the photosensitive composition.
<루이스 산성 화합물(C)><Lewis Acid Compound (C)>
감광성 조성물은, 루이스 산성 화합물(C)을 함유하고 있어도, 하고 있지 않아도 된다.The photosensitive composition may or may not contain a Lewis acid compound (C).
감광성 조성물이, 루이스 산성 화합물(C)을 포함하는 것에 의해서, 고감도의 감광성 조성물을 얻기 쉽다.By containing a Lewis acid compound (C), it is easy to obtain a highly sensitive photosensitive composition.
또한, 감광성 조성물을 이용하여 패턴을 형성하는 경우, 패턴 형성시의 각 공정의 소요 시간이나, 각 공정간의 소요 시간이 긴 경우에, 소망하는 형상이나 치수의 패턴을 형성하기 어렵거나, 현상성이 악화되거나 하는 악영향이 생기는 경우가 있다. 그러나, 감광성 조성물에 루이스 산성 화합물(C)을 배합하는 것에 의해서, 이러한 패턴 형상이나 현상성에의 악영향을 완화할 수 있고, 프로세스 마진을 넓게 할 수 있다.In addition, when forming a pattern using a photosensitive composition, if the time required for each process for pattern formation or the time required between each process is long, there are cases where adverse effects such as difficulty in forming a pattern of a desired shape or size or deterioration of developability occur. However, by mixing a Lewis acid compound (C) into the photosensitive composition, such adverse effects on the pattern shape or developability can be alleviated, and the process margin can be widened.
여기서, 루이스 산성 화합물(C)이란, 「적어도 1개의 전자쌍을 받을 수 있는 공(空)궤도를 가지는, 전자쌍 수용체로서의 작용을 나타내는 화합물」을 의미한다.Here, the Lewis acidic compound (C) means "a compound that exhibits the function of an electron pair acceptor and has an empty orbital that can accept at least one electron pair."
루이스 산성 화합물(C)로서는, 상기의 정의에 해당하고, 당업자에 있어서 루이스 산성 화합물이라고 인식되는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다. 루이스 산성 화합물(C)로서는, 브렌스테드 산(프로톤산)에 해당하지 않는 화합물이 바람직하게 이용된다. As the Lewis acidic compound (C), there is no particular limitation as long as it is a compound that falls under the above definition and is recognized as a Lewis acidic compound by those skilled in the art. As the Lewis acidic compound (C), a compound that does not correspond to a Bronsted acid (protonic acid) is preferably used.
루이스 산성 화합물(C)의 구체예로서는, 플루오르화 붕소, 플루오르화 붕소의 에테르 착체(예를 들면, BF3·Et2O, BF3·Me2O, BF3·THF 등. Et는 에틸기이며, Me는 메틸기이며, THF는 테트라히드로퓨란이다.), 유기 붕소 화합물(예를 들면, 붕산 트리n-옥틸, 붕산 트리n-부틸, 붕산 트리페닐, 및 트리페닐 붕소 등), 염화 티탄, 염화 알루미늄, 브롬화 알루미늄, 염화 갈륨, 브롬화 갈륨, 염화 인듐, 트리플루오로아세트산 탈륨, 염화 주석, 염화 아연, 브롬화 아연, 요오드화 아연, 트리플루오로메탄 설폰산 아연, 아세트산 아연, 질산 아연, 테트라플루오로붕산 아연, 염화 망간, 브롬화 망간, 염화 니켈, 브롬화 니켈, 시안화 니켈, 니켈아세틸아세트네이트, 염화 카드뮴, 브롬화 카드뮴, 염화 제1 주석, 브롬화 제1 주석, 황산 제1 주석, 및 주석산 제1 주석 등을 들 수 있다.Specific examples of Lewis acid compounds (C) include boron fluoride, ether complexes of boron fluoride (e.g., BF 3 ·Et 2 O, BF 3 ·Me 2 O, BF 3 ·THF, etc., where Et is an ethyl group, Me is a methyl group, and THF is tetrahydrofuran), organoboron compounds (e.g., trin-octyl borate, trin-butyl borate, triphenyl borate, and triphenyl boron, etc.), titanium chloride, aluminum chloride, aluminum bromide, gallium chloride, gallium bromide, indium chloride, thallium trifluoroacetate, tin chloride, zinc chloride, zinc bromide, zinc iodide, zinc trifluoromethane sulfonate, zinc acetate, zinc nitrate, zinc tetrafluoroborate, manganese chloride, manganese bromide, nickel chloride, nickel bromide, cyanide. Examples include nickel, nickel acetylacetonate, cadmium chloride, cadmium bromide, stannous chloride, stannous bromide, stannous sulfate, and stannous tartrate.
또한, 루이스 산성 화합물(C)의 다른 구체예로서는, 희토류 금속 원소의, 클로리드, 브로미드, 설페이트, 니트레이트, 카르복실레이트, 또는 트리플루오로메탄설포네이트와, 염화 코발트, 염화 제1철, 및 염화 이트륨 등을 들 수 있다. In addition, other specific examples of Lewis acid compounds (C) include chloride, bromide, sulfate, nitrate, carboxylate, or trifluoromethanesulfonate of rare earth metal elements, cobalt chloride, ferrous chloride, and yttrium chloride.
여기서, 희토류 금속 원소로서는, 예를 들면 란탄, 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르늄, 디스프로슘, 홀뮴, 에르븀, 튤륨, 이테르븀, 및 루테튬 등이다.Here, rare earth metal elements include, for example, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, ternium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, and lutetium.
입수가 용이한 것이나, 그 첨가에 의한 효과가 양호한 것으로부터, 루이스 산성 화합물(C)이, 주기율표 제13족 원소를 포함하는 루이스 산성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. Because it is easy to obtain and has a good effect upon addition, it is preferable that the Lewis acidic compound (C) contains a Lewis acidic compound containing an element of Group 13 of the periodic table.
여기서, 주기율표 제13족 원소로서는, 붕소, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 및 탈륨을 들 수 있다. Here, elements in Group 13 of the periodic table include boron, aluminum, gallium, indium, and thallium.
상기의 주기율표 제13족 원소 중에서는, 루이스 산성 화합물(C)의 입수의 용이성이나, 첨가 효과가 특별히 뛰어난 것으로부터, 붕소가 바람직하다. 즉, 루이스 산성 화합물(C)이, 붕소를 포함하는 루이스 산성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.Among the elements of Group 13 of the periodic table mentioned above, boron is preferable because of the ease of obtaining the Lewis acid compound (C) and the particularly excellent addition effect. That is, it is preferable that the Lewis acid compound (C) contains a Lewis acid compound containing boron.
붕소를 포함하는 루이스 산성 화합물로서는, 예를 들면, 플루오르화 붕소, 플루오르화 붕소의 에테르 착체, 염화 붕소, 및 브롬화 붕소 등의 할로겐화 붕소류나, 여러 가지의 유기 붕소 화합물을 들 수 있다. 붕소를 포함하는 루이스 산성 화합물로서는, 루이스 산성 화합물 중의 할로겐 원자의 함유 비율이 적고, 감광성 조성물을 저할로겐 함유량이 요구되는 용도에도 적용하기 쉬운 것으로부터, 유기 붕소 화합물이 바람직하다.As the Lewis acidic compound containing boron, examples thereof include boron halides such as boron fluoride, ether complexes of boron fluoride, boron chloride, and boron bromide, and various organoboron compounds. As the Lewis acidic compound containing boron, an organoboron compound is preferable because the content ratio of halogen atoms in the Lewis acidic compound is low, and the photosensitive composition is easy to apply to applications requiring a low halogen content.
유기 붕소 화합물의 바람직한 예로서는, 하기 식(c1): A preferred example of an organoboron compound is the following formula (c1):
B(Rc1)n1(ORc2)(3-n1)···(c1)B(R c1 ) n1 (OR c2 ) (3-n1) ···(c1)
(식(c1) 중, Rc1 및 Rc2는, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 이상 20 이하의 탄화수소기이며, 상기 탄화수소기는 1 이상의 치환기를 가지고 있어도 되고, n1은 0 이상 3 이하의 정수이며, Rc1이 복수 존재하는 경우, 복수의 Rc1 가운데 2개가 서로 결합하여 환을 형성해도 되고, ORc2가 복수 존재하는 경우, 복수의 ORc2 가운데 2개가 서로 결합하여 환을 형성해도 된다.)(In formula (c1), R c1 and R c2 are each independently a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, the hydrocarbon group may have 1 or more substituents, n1 is an integer of 0 to 3, and when there are plural R c1s , two of the plural R c1s may be combined with each other to form a ring, and when there are plural OR c2s , two of the plural OR c2s may be combined with each other to form a ring.)
로 나타내는 붕소 화합물을 들 수 있다. 감광성 조성물은, 루이스 산성 화합물(C)로서 상기 식(c1)로 나타내는 붕소 화합물의 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.A boron compound represented by the formula (c1) may be mentioned. It is preferable that the photosensitive composition contains at least one boron compound represented by the formula (c1) as a Lewis acid compound (C).
식(c1)에 있어서 Rc1 및 Rc2가 탄화수소기인 경우, 당해 탄화수소기의 탄소 원자수는 1 이상 20 이하이다. 탄소 원자수 1 이상 20 이하의 탄화수소기로서는, 지방족 탄화수소기이어도, 방향족 탄화수소기이어도, 지방족기와 방향족기의 조합으로 이루어지는 탄화수소기이어도 된다. In formula (c1), when R c1 and R c2 are hydrocarbon groups, the number of carbon atoms in the hydrocarbon group is 1 to 20. The hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms may be an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or a hydrocarbon group formed by a combination of an aliphatic group and an aromatic group.
탄소 원자수 1 이상 20 이하의 탄화수소기로서는, 포화 지방족 탄화수소기, 또는 방향족 탄화수소기가 바람직하다. Rc1 및 Rc2로서의 탄화수소기의 탄소 원자수는, 1 이상 10 이하가 바람직하다. 탄화수소기가 지방족 탄화수소기인 경우, 그 탄소 원자수는, 1 이상 6 이하가 보다 바람직하고, 1 이상 4 이하가 특히 바람직하다. As the hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a saturated aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group is preferable. The number of carbon atoms of the hydrocarbon group as R c1 and R c2 is preferably 1 to 10. When the hydrocarbon group is an aliphatic hydrocarbon group, the number of carbon atoms is more preferably 1 to 6, and particularly preferably 1 to 4.
Rc1 및 Rc2로서의 탄화수소기는, 포화 탄화 수소기이어도, 불포화 탄화수소기이어도 되고, 포화 탄화 수소기인 것이 바람직하다. The hydrocarbon group as R c1 and R c2 may be a saturated hydrocarbon group or an unsaturated hydrocarbon group, and is preferably a saturated hydrocarbon group.
Rc1 및 Rc2로서의 탄화수소기가 지방족 탄화수소기인 경우, 당해 지방족 탄화수소기는, 직쇄상이어도, 분기쇄상이어도, 환상이어도, 이들 구조의 조합이어도 된다.When the hydrocarbon groups as R c1 and R c2 are aliphatic hydrocarbon groups, the aliphatic hydrocarbon groups may be linear, branched, cyclic, or a combination of these structures.
방향족 탄화수소기의 적합한 구체예로서는, 페닐기, 나프탈렌-1-일기, 나프탈렌-2-일기, 4-페닐 페닐기, 3-페닐 페닐기, 및 2-페닐 페닐기를 들 수 있다. 이들 중에서는, 페닐기가 바람직하다. Suitable specific examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group, a naphthalen-1-yl group, a naphthalen-2-yl group, a 4-phenyl phenyl group, a 3-phenyl phenyl group, and a 2-phenyl phenyl group. Among these, a phenyl group is preferable.
포화 지방족 탄화수소기로서는 알킬기가 바람직하다. 알킬기의 적합한 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸 헥실기, n-노닐기, 및 n-데실기를 들 수 있다. As the saturated aliphatic hydrocarbon group, an alkyl group is preferable. Suitable specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, an n-hexyl group, an n-heptyl group, an n-octyl group, a 2-ethylhexyl group, an n-nonyl group, and an n-decyl group.
Rc1 및 Rc2로서의 탄화수소기는, 1 이상의 치환기를 가져도 된다. 치환기의 예로서는, 할로겐 원자, 수산기, 알킬기, 아랄킬기, 알콕시기, 시클로알킬옥시기, 아릴옥시기, 아랄킬옥시기, 알킬티오기, 시클로알킬티오기, 아릴티오기, 아랄킬티오기, 아실기, 아실옥시기, 아실티오기, 알콕시카르보닐기, 시클로알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노기, N-모노치환 아미노기, N,N-디치환 아미노기, 카르바모일기(-CO-NH2), N-모노치환 카르바모일기, N,N-디치환 카르바모일기, 니트로기, 및 시아노기 등을 들 수 있다.The hydrocarbon groups as R c1 and R c2 may have one or more substituents. Examples of the substituents include a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, an aralkyl group, an alkoxy group, a cycloalkyloxy group, an aryloxy group, an aralkyloxy group, an alkylthio group, a cycloalkylthio group, an arylthio group, an aralkylthio group, an acyl group, an acyloxy group, an acylthio group, an alkoxycarbonyl group, a cycloalkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an amino group, an N-monosubstituted amino group, an N,N-disubstituted amino group, a carbamoyl group (-CO-NH 2 ), an N-monosubstituted carbamoyl group, an N,N-disubstituted carbamoyl group, a nitro group, and a cyano group.
치환기의 탄소 원자수는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않지만, 1 이상 10 이하가 바람직하고, 1 이상 6 이하가 보다 바람직하다. The number of carbon atoms in the substituent is not particularly limited as long as it does not hinder the purpose of the present invention, but is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 6.
상기 식(c1)로 나타내는 유기 붕소 화합물의 적합한 구체예로서는, 하기의 화합물을 들 수 있다. 덧붙여, 하기 식 중, Pen은 펜틸기를 나타내고, Hex는 헥실기를 나타내고, Hep는 헵틸기를 나타내고, Oct는 옥틸기를 나타내고, Non은 노닐기를 나타내고, Dec는 데실기를 나타낸다. Suitable specific examples of the organoboron compound represented by the above formula (c1) include the following compounds. In addition, in the formula below, Pen represents a pentyl group, Hex represents a hexyl group, Hep represents a heptyl group, Oct represents an octyl group, Non represents a nonyl group, and Dec represents a decyl group.
루이스 산성 화합물(C)은, 상기 수지(B) 및 후술하는 알칼리 가용성 수지(D)의 합계 질량 100 질량부에 대해서, 바람직하게는 0.01 질량부 이상 5 질량부 이하의 범위에서 이용되고, 보다 바람직하게는 0.01 질량부 이상 3 질량부 이하의 범위에서 이용되고, 더욱 바람직하게는 0.05 질량부 이상 2 질량부 이하의 범위에서 이용된다.The Lewis acidic compound (C) is preferably used in an amount of 0.01 to 5 parts by mass, more preferably 0.01 to 3 parts by mass, and even more preferably 0.05 to 2 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total mass of the resin (B) and the alkali-soluble resin (D) described below.
<알칼리 가용성 수지(D)><Alkali soluble resin (D)>
감광성 조성물은, 크랙 내성을 향상시키기 위해, 추가로 알칼리 가용성 수지(D)를 함유하는 것이 바람직하다. 여기서, 알칼리 가용성 수지란, 수지 농도 20 질량%의 수지 용액(용매: 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트)에 의해, 막 두께 1μm의 수지막을 기판 상에 형성하고, 2.38 질량%의 TMAH 수용액에 1분간 침지했을 때, 0.01μm 이상 용해하는 것을 말한다. 알칼리 가용성 수지(D)로서는, 노볼락 수지(D1), 폴리히드록시스티렌 수지(D2), 및 아크릴 수지(D3)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 수지인 것이 바람직하다.The photosensitive composition preferably further contains an alkali-soluble resin (D) in order to improve crack resistance. Here, the alkali-soluble resin means a resin film having a thickness of 1 μm formed on a substrate by a resin solution having a resin concentration of 20 mass% (solvent: propylene glycol monomethyl ether acetate), and which dissolves by 0.01 μm or more when immersed in a 2.38 mass% TMAH aqueous solution for 1 minute. The alkali-soluble resin (D) is preferably at least one resin selected from the group consisting of a novolac resin (D1), a polyhydroxystyrene resin (D2), and an acrylic resin (D3).
[노볼락 수지(D1)][Novolac Resin (D1)]
노볼락 수지는, 예를 들면 페놀성 수산기를 가지는 방향족 화합물(이하, 간단하게 「페놀류」라고 한다.)과 알데히드류를 산 촉매하에서 부가 축합 시키는 것에 의해 얻을 수 있다. Novolac resins can be obtained, for example, by addition condensation of an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group (hereinafter simply referred to as “phenols”) and an aldehyde in the presence of an acid catalyst.
상기 페놀류로서는, 예를 들면, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, o-에틸 페놀, m-에틸 페놀, p-에틸 페놀, o-부틸 페놀, m-부틸 페놀, p-부틸 페놀, 2,3-크실레놀, 2,4-크실레놀, 2,5-크실레놀, 2,6-크실레놀, 3,4-크실레놀, 3,5-크실레놀, 2,3,5-트리메틸 페놀, 3,4,5-트리메틸 페놀, p-페닐 페놀, 레졸시놀, 히드로퀴논, 히드로퀴논 모노메틸 에테르, 피로가롤, 플로로글리시놀, 히드록시디페닐, 비스페놀A, 갈산, 갈산 에스테르, α-나프톨, β-나프톨 등을 들 수 있다.Examples of the above phenols include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethyl phenol, m-ethyl phenol, p-ethyl phenol, o-butyl phenol, m-butyl phenol, p-butyl phenol, 2,3-xylenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, 2,6-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xylenol, 2,3,5-trimethyl phenol, 3,4,5-trimethyl phenol, p-phenyl phenol, resorcinol, hydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, pyrogallol, phloroglycinol, hydroxydiphenyl, bisphenol A, gallic acid, gallic acid ester, α-naphthol, β-naphthol, and the like.
상기 알데히드류로서는, 예를 들면, 포름알데히드, 퍼퓨랄, 벤즈 알데히드, 니트로 벤즈 알데히드, 아세토알데히드 등을 들 수 있다.Examples of the above aldehydes include formaldehyde, furfural, benzaldehyde, nitrobenzaldehyde, acetaldehyde, etc.
부가 축합 반응시의 촉매는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 산촉매에서는, 염산, 질산, 황산, 포름산, 옥살산, 아세트산 등이 사용된다. The catalyst used in the addition condensation reaction is not particularly limited, but for example, in acid catalysts, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, formic acid, oxalic acid, acetic acid, etc. are used.
덧붙여, o-크레졸을 사용하는 것, 수지 중의 수산기의 수소 원자를 다른 치환기로 치환하는 것, 혹은 부피 큰 알데히드류를 사용하는 것에 의해, 노볼락 수지의 유연성을 한층 향상시키는 것이 가능하다.In addition, it is possible to further improve the flexibility of the novolac resin by using o-cresol, replacing the hydrogen atoms of the hydroxyl groups in the resin with other substituents, or using bulky aldehydes.
노볼락 수지(D1)의 중량 평균 분자량은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않지만, 1000 이상 50000 이하인 것이 바람직하다.The weight average molecular weight of the novolac resin (D1) is not particularly limited as long as it does not hinder the purpose of the present invention, but is preferably 1,000 or more and 50,000 or less.
[폴리 히드록시스티렌 수지(D2)][Polyhydroxystyrene resin (D2)]
폴리히드록시스티렌 수지(D2)를 구성하는 히드록시스티렌계 화합물로서는, p-히드록시스티렌, α-메틸 히드록시스티렌, α-에틸 히드록시스티렌 등을 들 수 있다. 폴리히드록시스티렌 수지(D2)는, 히드록시스티렌계 화합물의 단독 중합체이어도, 2종 이상의 히드록시스티렌계 화합물의 공중합체이어도 된다.As hydroxystyrene compounds constituting the polyhydroxystyrene resin (D2), p-hydroxystyrene, α-methyl hydroxystyrene, α-ethyl hydroxystyrene, etc. can be mentioned. The polyhydroxystyrene resin (D2) may be a homopolymer of a hydroxystyrene compound, or a copolymer of two or more types of hydroxystyrene compounds.
추가로, 폴리히드록시스티렌 수지(D2)는, 히드록시스티렌계 화합물과 스틸렌계 화합물의 공중합체이어도 된다. 스티렌계 화합물로서는, 스티렌, 클로로스티렌, 클로로메틸스티렌, 비닐톨루엔, α-메틸스티렌 등을 들 수 있다.Additionally, the polyhydroxystyrene resin (D2) may be a copolymer of a hydroxystyrene compound and a styrene compound. Examples of the styrene compound include styrene, chlorostyrene, chloromethylstyrene, vinyltoluene, and α-methylstyrene.
폴리히드록시스티렌 수지(D2)의 중량 평균 분자량은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않지만, 1000 이상 50000 이하인 것이 바람직하다.The weight average molecular weight of the polyhydroxystyrene resin (D2) is not particularly limited as long as it does not hinder the purpose of the present invention, but is preferably 1,000 or more and 50,000 or less.
[아크릴 수지(D3)][Acrylic Resin (D3)]
아크릴 수지(D3)로서는, 에테르 결합을 가지는 중합성 화합물로부터 유도된 구성 단위, 및 카르복시기를 가지는 중합성 화합물로부터 유도된 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다. As the acrylic resin (D3), it is preferable to include a structural unit derived from a polymerizable compound having an ether bond and a structural unit derived from a polymerizable compound having a carboxyl group.
상기 에테르 결합을 가지는 중합성 화합물로서는, 2-메톡시 에틸 (메타)아크릴레이트, 메톡시 트리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 3-메톡시 부틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 갈비톨 (메타)아크릴레이트, 페녹시 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 메톡시 폴리프로필렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 테트라히드로퍼퓨릴 (메타)아크릴레이트 등의 에테르 결합 및 에스테르 결합을 가지는 (메타)아크릴산 유도체 등을 예시할 수 있다. 상기 에테르 결합을 가지는 중합성 화합물은, 바람직하게는, 2-메톡시 에틸 아크릴레이트, 메톡시 트리에틸렌글리콜 아크릴레이트이다. 이들 중합성 화합물은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. As the polymerizable compound having the above ether bond, examples thereof include (meth)acrylic acid derivatives having ether bonds and ester bonds, such as 2-methoxy ethyl (meth)acrylate, methoxy triethylene glycol (meth)acrylate, 3-methoxy butyl (meth)acrylate, ethyl galbitol (meth)acrylate, phenoxy polyethylene glycol (meth)acrylate, methoxy polypropylene glycol (meth)acrylate, and tetrahydrofurfuryl (meth)acrylate. The polymerizable compound having the above ether bond is preferably 2-methoxy ethyl acrylate and methoxy triethylene glycol acrylate. These polymerizable compounds may be used alone or in combination of two or more.
상기 카르복시기를 가지는 중합성 화합물로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복시산류; 말레인산, 프말산, 이타콘산 등의 디카르복시산류; 2-메타크릴로일옥시에틸 숙신산, 2-메타크릴로일옥시에틸 말레인산, 2-메타크릴로일옥시에틸 프탈산, 2-메타크릴로일옥시에틸 헥사히드로프탈산 등의 카르복시기 및 에스테르 결합을 가지는 화합물; 등을 예시할 수 있다. 상기 카르복시기를 가지는 중합성 화합물은, 바람직하게는, 아크릴산, 메타크릴산이다. 이들 중합성 화합물은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. As the polymerizable compound having the above carboxyl group, examples thereof include monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid; dicarboxylic acids such as maleic acid, formalic acid, and itaconic acid; compounds having a carboxyl group and an ester bond such as 2-methacryloyloxyethyl succinic acid, 2-methacryloyloxyethyl maleic acid, 2-methacryloyloxyethyl phthalic acid, and 2-methacryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid; and the like. The polymerizable compound having the above carboxyl group is preferably acrylic acid or methacrylic acid. These polymerizable compounds may be used alone or in combination of two or more.
아크릴 수지(D3)의 중량 평균 분자량은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않지만, 50000 이상 800000 이하인 것이 바람직하다. The weight average molecular weight of the acrylic resin (D3) is not particularly limited as long as it does not hinder the purpose of the present invention, but is preferably 50,000 or more and 800,000 or less.
알칼리 가용성 수지(D)의 함유량은, 상기 수지(B)와 알칼리 가용성 수지(D)의 합계를 100 질량부로 했을 경우, 0 질량부 이상 80 질량부 이하가 바람직하고, 0 질량부 이상 60 질량부 이하가 보다 바람직하다. 알칼리 가용성 수지(D)의 함유량을 상기의 범위로 하는 것에 의해 크랙 내성을 향상시켜, 현상시의 막 감소를 막을 수 있는 경향이 있다.The content of the alkali-soluble resin (D) is preferably 0 parts by mass or more and 80 parts by mass or less, and more preferably 0 parts by mass or more and 60 parts by mass or less, when the total of the resin (B) and the alkali-soluble resin (D) is 100 parts by mass. By setting the content of the alkali-soluble resin (D) within the above range, crack resistance tends to be improved and film reduction during development can be prevented.
<함황 화합물(E)><Sulfur compound (E)>
감광성 조성물은, 함황 화합물(E)을 포함한다.The photosensitive composition contains a sulfur-containing compound (E).
함황 화합물(E)은, 패턴을 형성하는 기판의 표면의 금속층에 대해서 배위할 수 있는 황 원자를 포함하는 화합물이다.The sulfur compound (E) is a compound containing a sulfur atom that can be coordinated to a metal layer on the surface of a substrate forming a pattern.
함황 화합물(E)은, 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물, 또는 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물의 호변이성체를 포함한다.The sulfur-containing compound (E) includes a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group, or a tautomer of a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group.
함황 화합물(E)로서의, 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물 또는 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물의 호변이성체의 바람직한 예로서는, 하기 식(e1-1) 또는 (e1-2)로 나타내는 화합물 및 그의 호변이성체를 들 수 있다.As a preferable example of a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group as a sulfur-containing compound (E) or a tautomer of a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group, a compound represented by the following formula (e1-1) or (e1-2) and a tautomer thereof can be mentioned.
(식(e1-1) 및 (e1-2) 중,(Among equations (e1-1) and (e1-2),
환 Ae는, 환 구성 원자수가 4 이상 8 이하인 단환이거나, 또는 환 구성 원자수가 5 이상 20 이하인 다환이며,Ring A e is a monocyclic ring having 4 to 8 ring atoms, or a polycyclic ring having 5 to 20 ring atoms,
X1e는, -CR11eR12e-, -NR13e-, -O-, -S-, -Se-, -Te-, =CR14e-, 또는 =N-이며,X 1e is -CR 11e R 12e -, -NR 13e -, -O-, -S-, -Se-, -Te-, =CR 14e -, or =N-,
X2e는, -CR11e=, 또는 -N=이며,X 2e is -CR 11e =, or -N=,
R11e, R12e, R13e, 및 R14e는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 1 이상 8 이하의 알킬기, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 1 이상 8 이하의 알케닐기, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 1 이상 8 이하의 알키닐기, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 4 이상 20 이하의 방향족기, 또는 카르복시기이다.)R 11e , R 12e , R 13e , and R 14e are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent, an alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent, an alkynyl group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent, an aromatic group having 4 to 20 carbon atoms which may have a substituent, or a carboxyl group.
상기 식(e1-1)로 나타내는 화합물의 호변이성체는, 예를 들면 하기 식(e1-1')로 나타내는 화합물이다. 상기 식(e1-2)로 나타내는 화합물의 호변이성체는, 예를 들면 하기 식(e1-2')로 나타내는 화합물이다.A tautomer of a compound represented by the above formula (e1-1) is, for example, a compound represented by the following formula (e1-1'). A tautomer of a compound represented by the above formula (e1-2) is, for example, a compound represented by the following formula (e1-2').
(식(e1-1') 및 (e1-2') 중, 환 Ae, X1e, R11e, R12e, R13e, 및 R14e는, 각각 식(e1-1) 및 (e1-2)와 같고, X3eH는, -CR11eH-, 또는 -NH-이다.)(In formulas (e1-1') and (e1-2'), ring A e , X 1e , R 11e , R 12e , R 13e , and R 14e are as in formulas (e1-1) and (e1-2), respectively, and X 3e H is -CR 11e H-, or -NH-.)
환 Ae는, 방향족 복소환이어도, 지방족 복소환이어도 된다.Ring A e may be either an aromatic heterocycle or an aliphatic heterocycle.
환 Ae가 단환인 경우, 환 구성 원자수는, 5 이상 7 이하인 것이 바람직하고, 5 또는 6인 것이 보다 바람직하다.When ring A e is monocyclic, the number of ring constituent atoms is preferably 5 or more and 7 or less, and more preferably 5 or 6.
단환인 환 Ae의 구체예로서는, 피롤환, 이미다졸린환, 이미다졸환, 트리아졸환, 피리딘환, 피리미딘환, 피리다진환, 피라진환, 트리아진환, 티아디아졸환을 들 수 있다.Specific examples of the monocyclic ring A e include a pyrrole ring, an imidazoline ring, an imidazole ring, a triazole ring, a pyridine ring, a pyrimidine ring, a pyridazine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, and a thiadiazole ring.
환 Ae가 다환인 경우, 다환을 구성하는 단환의 수는, 1 이상 3 이하가 바람직하고, 1 또는 2가 보다 바람직하다.When ring A e is polycyclic, the number of monocyclic rings constituting the polycyclic ring is preferably 1 or more and 3 or less, and more preferably 1 or 2.
다환인 환 Ae의 구체예로서는, 인돌환, 벤조이미다졸환, 퓨린환, 퀴놀린환, 이소퀴놀린환, 퀴나졸린환, 나프티리딘환, 프테리딘환 등을 들 수 있다.Specific examples of polycyclic rings A e include an indole ring, a benzimidazole ring, a purine ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinazoline ring, a naphthyridine ring, and a pteridine ring.
환 Ae는, 치환기를 가지고 있어도 된다. 환 Ae가 가지고 있어도 되는 치환기로서는, 히드록시기, 머캅토기, 아미노기, 아미드기, 이미드기, 카르복시기, 알콕시기, 카르복시산 에스테르기, 할로겐 원자, 포화 또는 불포화의 탄화수소기, 히드록시기 등의 치환기를 가지고 있어도 되는 방향족기 등을 들 수 있다.Ring A e may have a substituent. Examples of the substituent that ring A e may have include a hydroxy group, a mercapto group, an amino group, an amide group, an imide group, a carboxyl group, an alkoxy group, a carboxylic acid ester group, a halogen atom, a saturated or unsaturated hydrocarbon group, an aromatic group that may have a substituent such as a hydroxy group, etc.
R11e, R12e, R13e, 및 R14e로서의, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 1 이상 8 이하의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다.As the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent as R 11e , R 12e , R 13e , and R 14e , examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group.
R11e, R12e, R13e, 및 R14e로서의, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 1 이상 8 이하의 알케닐기로서는, 3-부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 헵테닐기, 옥테닐기 등을 들 수 있다.As the alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent as R 11e , R 12e , R 13e , and R 14e , examples thereof include a 3-butenyl group, a pentenyl group, a hexenyl group, a heptenyl group, and an octenyl group.
R11e, R12e, R13e, 및 R14e로서의, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 1 이상 8 이하의 알키닐기로서는, 펜티닐기, 헥시닐기, 헵티닐기, 옥티닐기 등을 들 수 있다.As the alkynyl group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent as R 11e , R 12e , R 13e , and R 14e , examples thereof include a pentynyl group, a hexynyl group, a heptynyl group, and an octynyl group.
R11e, R12e, R13e, 및 R14e로서의, 치환기를 가져도 되는 탄소 원자수 4 이상 20 이하의 방향족기로서는, 페닐기, 나프틸기 등의 아릴기나, 프릴기, 티에닐기 등의 헤테로아릴기를 들 수 있다.As aromatic groups having 4 to 20 carbon atoms which may have a substituent as R 11e , R 12e , R 13e , and R 14e , examples thereof include aryl groups such as a phenyl group and a naphthyl group, and heteroaryl groups such as a prolyl group and a thienyl group.
R11e, R12e, R13e, 및 R14e로서의, 탄소 원자수 1 이상 8 이하의 알킬기, 탄소 원자수 1 이상 8 이하의 알케닐기, 탄소 원자수 1 이상 8 이하의 알키닐기나, 탄소 원자수 4 이상 20 이하의 방향족기가 가지고 있어도 되는 치환기로서는, 할로겐 원자, 시아노기, 옥소알콕시기, 히드록시기, 아미노기, 니트로기, 아릴기, 할로겐 원자로 치환된 알킬기를 들 수 있다.As the substituents that may be present in R 11e , R 12e , R 13e , and R 14e , an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkynyl group having 1 to 8 carbon atoms, or an aromatic group having 4 to 20 carbon atoms, include a halogen atom, a cyano group, an oxoalkoxy group, a hydroxy group, an amino group, a nitro group, an aryl group, and an alkyl group substituted with a halogen atom.
식(e1-1) 중, X1e는-NR13e- 또는 =N-인 것이 바람직하다.In formula (e1-1), it is preferable that X 1e is -NR 13e - or =N-.
식(e1-1) 또는 (e1-2)로 나타내는 화합물로서는, 각각 치환되어 있어도 되는, 머캅토 피리딘, 머캅토 피리미딘, 머캅토 피리다진, 머캅토 피라진, 머캅토 트리아진, 머캅토 이미다졸, 머캅토 인다졸, 머캅토 트리아졸, 머캅토 티아디아졸, 머캅토 벤조이미다졸 등을 들 수 있다.Compounds represented by formula (e1-1) or (e1-2) include mercapto pyridine, mercapto pyrimidine, mercapto pyridazine, mercapto pyrazine, mercapto triazine, mercapto imidazole, mercapto indazole, mercapto triazole, mercapto thiadiazole, mercapto benzimidazole, etc., each of which may be substituted.
식(e1-1) 또는 (e1-2)로 나타내는 화합물의 구체예로서는, 2-머캅토 피리딘, 2-머캅토 니코틴산, 2-머캅토 피리미딘, 4-머캅토 피리미딘, 3-머캅토 피리다진, 2-머캅토 피라진, 2-머캅토-1,3,5-트리아진, 3-머캅토-1,2,4-트리아진, 2-머캅토 이미다졸, 2-머캅토-1,3,4-티아디아졸, 2-머캅토 벤조이미다졸 등이나, 하기 식으로 나타내는 화합물을 들 수 있다.Specific examples of compounds represented by formula (e1-1) or (e1-2) include 2-mercapto pyridine, 2-mercapto nicotinic acid, 2-mercapto pyrimidine, 4-mercapto pyrimidine, 3-mercapto pyridazine, 2-mercapto pyrazine, 2-mercapto-1,3,5-triazine, 3-mercapto-1,2,4-triazine, 2-mercapto imidazole, 2-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 2-mercapto benzimidazole, and the like, as well as compounds represented by the following formulas.
식(e1-1') 또는 (e1-2')로 나타내는 화합물로서는, 2-티오우라실, 5-메틸-2-티오우라실, 5,6-디메틸-2-티오우라실, 6-에틸-5-메틸-2-티오우라실, 6-메틸-5-n-프로필-2-티오우라실, 5-에틸-2-티오라실, 5-n-프로필-2-티오우라실, 5-n-부틸-2-티오우라실, 5-n-헥실-2-티오우라실, 5-n-부틸-6-에틸-2-티오우라실, 5-히드록시-2-티오우라실, 5,6-디히드록시-2-티오우라실, 5-히드록시-6-n-프로필-2-티오우라실, 5-메톡시-2-티오우라실, 5-n-부톡시-2-티오우라실, 5-메톡시-6-n-프로필-2-티오우라실, 5-브로모-2-티오우라실, 5-클로로-2-티오우라실, 5-플루오로-2-티오우라실, 5-아미노-2-티오우라실, 5-아미노-6-메틸-2-티오우라실, 5-아미노-6-페닐-2-티오우라실, 5,6-디아미노-2-티오우라실, 5-아릴-2-티오우라실, 5-아릴-3-에틸-2-티오우라실, 5-아릴-6-페닐-2-티오우라실, 5-벤질-2-티오우라실, 5-벤질-6-메틸-2-티오우라실, 5-아세트아미도-2-티오우라실, 6-메틸-5-니트로-2-티오우라실, 6-아미노-2-티오우라실, 6-아미노-5-메틸-2-티오우라실, 6-아미노-5-n-프로필-2-티오우라실, 6-브로모-2-티오우라실, 6-클로로-2-티오우라실, 6-플루오로-2-티오우라실, 6-브로모-5-메틸-2-티오우라실, 6-히드록시-2-티오우라실, 6-아세트아미도-2-티오우라실, 6-n-옥틸-2-티오우라실, 6-도데실-2-티오우라실, 6-테트라도데실-2-티오우라실, 6-헥사데실-2-티오우라실, 6-(2-히드록시에틸)-2-티오우라실, 6-(3-이소프로필옥틸)-5-메틸-2-티오우라실, 6-(m-니트로페닐)-2-티오우라실, 6-(m-니트로페닐)-5-n-프로필-2-티오우라실, 6-α-나프틸-2-티오우라실, 6-α-나프틸-5-t-부틸-2-티오우라실, 6-(p-클로로페닐)-2-티오우라실, 6-(p-클로로페닐)-2-에틸-2-티오우라실, 5-에틸-6-에이코실-2-티오우라실, 6-아세트아미도-5-에틸-2-티오우라실, 6-에이코실-5-아릴-2-티오우라실, 5-아미노-6-페닐-2-티오우라실, 5-아미노-6-(p-클로로페닐)-2-티오우라실, 5-메톡시-6-페닐-2-티오우라실, 5-에틸-6-(3,3-디메틸옥틸)-2-티오우라실, 6-(2-브로모에틸)-2-티오우라실 등의 티오우라실 유도체를 들 수 있다.Compounds represented by the formula (e1-1') or (e1-2') include 2-thiouracil, 5-methyl-2-thiouracil, 5,6-dimethyl-2-thiouracil, 6-ethyl-5-methyl-2-thiouracil, 6-methyl-5-n-propyl-2-thiouracil, 5-ethyl-2-thiouracil, 5-n-propyl-2-thiouracil, 5-n-butyl-2-thiouracil, 5-n-hexyl-2-thiouracil, 5-n-butyl-6-ethyl-2-thiouracil, 5-hydroxy-2-thiouracil, 5,6-dihydroxy-2-thiouracil, 5-hydroxy-6-n-propyl-2-thiouracil, 5-Methoxy-2-thiouracil, 5-n-butoxy-2-thiouracil, 5-methoxy-6-n-propyl-2-thiouracil, 5-bromo-2-thiouracil, 5-chloro-2-thiouracil, 5-fluoro-2-thiouracil, 5-amino-2-thiouracil, 5-amino-6-methyl-2-thiouracil, 5-amino-6-phenyl-2-thiouracil, 5,6-diamino-2-thiouracil, 5-aryl-2-thiouracil, 5-aryl-3-ethyl-2-thiouracil, 5-aryl-6-phenyl-2-thiouracil, 5-benzyl-2-thiouracil, 5-benzyl-6-methyl-2-thiouracil, 5-Acetamido-2-thiouracil, 6-methyl-5-nitro-2-thiouracil, 6-amino-2-thiouracil, 6-amino-5-methyl-2-thiouracil, 6-amino-5-n-propyl-2-thiouracil, 6-bromo-2-thiouracil, 6-chloro-2-thiouracil, 6-fluoro-2-thiouracil, 6-bromo-5-methyl-2-thiouracil, 6-hydroxy-2-thiouracil, 6-acetamido-2-thiouracil, 6-n-octyl-2-thiouracil, 6-dodecyl-2-thiouracil, 6-tetradodecyl-2-thiouracil, 6-hexadecyl-2-thiouracil, 6-(2-Hydroxyethyl)-2-thiouracil, 6-(3-isopropyloctyl)-5-methyl-2-thiouracil, 6-(m-nitrophenyl)-2-thiouracil, 6-(m-nitrophenyl)-5-n-propyl-2-thiouracil, 6-α-naphthyl-2-thiouracil, 6-α-naphthyl-5-t-butyl-2-thiouracil, 6-(p-chlorophenyl)-2-thiouracil, 6-(p-chlorophenyl)-2-ethyl-2-thiouracil, 5-ethyl-6-eicosyl-2-thiouracil, 6-acetamido-5-ethyl-2-thiouracil, 6-eicosyl-5-aryl-2-thiouracil, Examples of thiouracil derivatives include 5-amino-6-phenyl-2-thiouracil, 5-amino-6-(p-chlorophenyl)-2-thiouracil, 5-methoxy-6-phenyl-2-thiouracil, 5-ethyl-6-(3,3-dimethyloctyl)-2-thiouracil, and 6-(2-bromoethyl)-2-thiouracil.
함황 화합물(E)의 사용량은, 상기 수지(B) 및 알칼리 가용성 수지(D)의 합계 질량 100 질량부에 대해서, 0.01 질량부 이상 5 질량부 이하가 바람직하고, 0.02 질량부 이상 3 질량부 이하가 보다 바람직하고, 0.05 질량부 이상 2 질량부 이하가 특히 바람직하다.The amount of the sulfur compound (E) to be used is preferably 0.01 parts by mass or more and 5 parts by mass or less, more preferably 0.02 parts by mass or more and 3 parts by mass or less, and particularly preferably 0.05 parts by mass or more and 2 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the total mass of the resin (B) and the alkali-soluble resin (D).
<산 확산 제어제(F)><Mountain diffusion control agent (F)>
감광성 조성물은, 산 확산 억제제(F)를 포함한다. 산 확산 억제제(F)는, 감광성 조성물이 전술의 [요건 1]을 만족시키는 한 특별히 한정되지 않는다. 산 확산 억제제(F)는, 주형으로서 사용되는 레지스트 패턴의 형상이나, 감광성 조성물 막의 보관(引置) 안정성 등을 향상할 수 있다. 산 확산 제어제(F)로서는, 함질소 화합물(F1)이 바람직하고, 추가로 필요에 따라서, 유기 카르복시산, 또는 인의 옥소산 혹은 그의 유도체(F2)를 함유시킬 수 있다.The photosensitive composition contains an acid diffusion inhibitor (F). The acid diffusion inhibitor (F) is not particularly limited as long as the photosensitive composition satisfies the above-mentioned [requirement 1]. The acid diffusion inhibitor (F) can improve the shape of a resist pattern used as a template, the storage stability of a photosensitive composition film, etc. As the acid diffusion control agent (F), a nitrogen-containing compound (F1) is preferable, and additionally, an organic carboxylic acid, a phosphorus oxo acid, or a derivative thereof (F2) can be contained, if necessary.
[함질소 화합물(F1)][Nitrogen compound (F1)]
함질소 화합물(F1)로서는, 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 트리-n-펜틸아민(트리아밀아민), 트리벤질아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, n-헥실아민, n-헵틸아민, n-옥틸아민, n-노닐아민, 에틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민, 테트라메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노디페닐아민, 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 프로피온아미드, 벤즈아미드, 피롤리돈, N-메틸피롤리돈, 메틸우레아, 1,1-디메틸우레아, 1,3-디메틸우레아, 1,1,3,3-테트라메틸우레아, 1,3-디페닐우레아, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 8-옥시퀴놀린, 아크리딘, 퓨린, 피롤리딘, 피페리딘, 4-히드록시펜타메틸피페리딘, 2,4,6-트리(2-피리딜)-S-트리아진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, 피페라진, 1,4-디메틸 피페라진, 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄, 피리딘 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.Nitrogen-containing compounds (F1) include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, tri-n-pentylamine (triamylamine), tribenzylamine, diethanolamine, triethanolamine, n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, ethylenediamine, N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylamine, formamide, N-methylformamide, N,N-dimethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N,N-dimethylacetamide, propionamide, benzamide, Examples thereof include pyrrolidone, N-methylpyrrolidone, methylurea, 1,1-dimethylurea, 1,3-dimethylurea, 1,1,3,3-tetramethylurea, 1,3-diphenylurea, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 8-oxyquinoline, acridine, purine, pyrrolidine, piperidine, 4-hydroxypentamethylpiperidine, 2,4,6-tri(2-pyridyl)-S-triazine, morpholine, 4-methylmorpholine, piperazine, 1,4-dimethyl piperazine, 1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane, pyridine, etc. These may be used alone or in combination of two or more.
또한, 아데카스타브 LA-52, 아데카스타브 LA-57, 아데카스타브 LA-63 P, 아데카스타브 LA-68, 아데카스타브 LA-72, 아데카스타브 LA-77 Y, 아데카스타브 LA-77 G, 아데카스타브 LA-81, 아데카스타브 LA-82, 및 아데카스타브 LA-87(모두, ADEKA사 제) 등의 시판의 힌더드아민 화합물을 함질소 화합물(F1)로서 이용할 수도 있다.In addition, commercially available hindered amine compounds such as Adekastab LA-52, Adekastab LA-57, Adekastab LA-63 P, Adekastab LA-68, Adekastab LA-72, Adekastab LA-77 Y, Adekastab LA-77 G, Adekastab LA-81, Adekastab LA-82, and Adekastab LA-87 (all manufactured by ADEKA) can also be used as the nitrogen-containing compound (F1).
전술의 [요건 1]을 만족시키는 감광성 조성물을 얻기 쉬운 점으로부터, 감광성 조성물은, 함질소 화합물(F1)로서, 트리알킬아민 등의 지방족 제3급 아민을 포함하는 것이 바람직하고, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민이나, 트리부틸아민을 포함하는 것이 바람직하다.From the point that it is easy to obtain a photosensitive composition satisfying [requirement 1] of the foregoing, the photosensitive composition preferably contains, as the nitrogen-containing compound (F1), an aliphatic tertiary amine such as a trialkylamine, and preferably contains trimethylamine, triethylamine, tripropylamine or tributylamine.
함질소 화합물(F1)은, 상기 수지(B) 및 상기 알칼리 가용성 수지(D)의 합계 질량 100 질량부에 대해서, 0.01 질량부 이상 3 질량부 이하의 범위로 이용되는 것이 바람직하고, 0.05 질량부 이상 1 질량부 이하의 범위로 이용되는 것이 특히 바람직하다.The nitrogen compound (F1) is preferably used in an amount of 0.01 to 3 parts by mass, and particularly preferably used in an amount of 0.05 to 1 part by mass, relative to 100 parts by mass of the total mass of the resin (B) and the alkali-soluble resin (D).
[유기 카르복시산, 또는 인의 옥소산 혹은 그의 유도체(F2)][Organic carboxylic acid, or phosphorus oxo acid or its derivative (F2)]
유기 카르복시산, 또는 인의 옥소산 혹은 그 유도체(F2) 가운데, 유기 카르복시산으로서는, 구체적으로는, 말론산, 구연산, 사과산, 숙신산, 벤조산, 살리실산 등이 적합하고, 특히 살리실산이 바람직하다.Among organic carboxylic acids, or phosphorus oxo acids or derivatives thereof (F2), specifically, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid, etc. are suitable as organic carboxylic acids, and salicylic acid is particularly preferable.
인의 옥소산 또는 그 유도체로서는, 인산, 인산 디-n-부틸 에스테르, 인산 디페닐 에스테르 등의 인산 및 그들의 에스테르와 같은 유도체; 포스폰산, 포스폰산 디메틸 에스테르, 포스폰산 디-n-부틸 에스테르, 페닐 포스폰산, 포스폰산 디페닐 에스테르, 포스폰산 디벤질 에스테르 등의 포스폰산 및 그들의 에스테르와 같은 유도체; 포스핀산, 페닐 포스핀산 등의 포스핀산 및 그들의 에스테르와 같은 유도체; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 특히 포스폰산이 바람직하다. 이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. Examples of the oxo acids of phosphorus or derivatives thereof include derivatives such as phosphoric acid, phosphoric acid di-n-butyl ester, and phosphoric acid diphenyl ester and their esters; derivatives such as phosphonic acid, phosphonic acid dimethyl ester, phosphonic acid di-n-butyl ester, phenyl phosphonic acid, phosphonic acid diphenyl ester, and phosphonic acid dibenzyl ester and their esters; derivatives such as phosphinic acid, phenyl phosphinic acid and their esters; and the like. Of these, phosphonic acid is particularly preferable. These may be used alone or in combination of two or more.
유기 카르복시산, 또는 인의 옥소산 혹은 그 유도체(F2)는, 상기 수지(B) 및 상기 알칼리 가용성 수지(D)의 합계 질량 100 질량부에 대해서, 통상 0 질량부 이상 5 질량부 이하의 범위에서 이용되고, 0 질량부 이상 3 질량부 이하의 범위에서 이용되는 것이 특히 바람직하다.The organic carboxylic acid, or phosphorus oxo acid or derivative thereof (F2) is usually used in a range of 0 to 5 parts by mass, and particularly preferably used in a range of 0 to 3 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the total mass of the resin (B) and the alkali-soluble resin (D).
또한, 염을 형성시켜 안정시키기 위해서, 유기 카르복시산, 또는 인의 옥소산 혹은 그 유도체(F2)는, 상기 함질소 화합물(F1)과 동등량을 이용하는 것이 바람직하다.In addition, in order to form and stabilize a salt, it is preferable to use an organic carboxylic acid, or an oxo acid of phosphorus or a derivative thereof (F2) in an amount equivalent to that of the nitrogen-containing compound (F1).
<유기 용제(S)><Organic solvent (S)>
감광성 조성물은, 유기 용제(S)를 함유한다. 유기 용제(S)의 종류는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않고, 종래부터 포지티브형의 감광성 조성물에 사용되고 있는 유기 용제로부터 적절히 선택하여 사용할 수 있다.The photosensitive composition contains an organic solvent (S). The type of the organic solvent (S) is not particularly limited as long as it does not hinder the purpose of the present invention, and can be appropriately selected and used from organic solvents that have been conventionally used in positive-type photosensitive compositions.
유기 용제(S)의 구체예로서는, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 시클로헥산온, 메틸 이소아밀 케톤, 2-헵탄온 등의 케톤류; 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜 모노아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 모노아세테이트, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜 모노아세테이트, 디프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 모노아세테이트의 모노메틸 에테르, 모노에틸 에테르, 모노프로필 에테르, 모노부틸 에테르, 모노페닐 에테르 등의 다가 알코올류 및 그의 유도체; 디옥산 등의 환식 에테르류; 포름산 에틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 피르빈산 메틸, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 피르빈산 에틸, 에톡시 아세트산 에틸, 메톡시 프로피온산 메틸, 에톡시 프로피온산 에틸, 2-히드록시프로피온산 메틸, 2-히드록시프로피온산 에틸, 2-히드록시-2-메틸 프로피온산 에틸, 2-히드록시-3-메틸 부탄산 메틸, 3-메톡시 부틸 아세테이트, 3-메틸-3-메톡시 부틸 아세테이트 등의 에스테르류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 이용해도 된다.Specific examples of the organic solvent (S) include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl isoamyl ketone, and 2-heptanone; polyhydric alcohols and derivatives thereof such as ethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol, monomethyl ether of dipropylene glycol monoacetate, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether, and monophenyl ether; cyclic ethers such as dioxane; Esters such as ethyl formate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethyl pyruvate, ethyl ethoxyacetate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methyl propionate, methyl 2-hydroxy-3-methyl butanoate, 3-methoxy butyl acetate, and 3-methyl-3-methoxy butyl acetate; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; etc. These may be used alone or as a mixture of two or more.
유기 용제(S)의 함유량은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 감광성 조성물을, 스핀 코트법 등에 의해 얻어지는 감광성층의 막 두께가 5μm 이상이 되는 바와 같은 두꺼운 막 용도로 이용하는 경우, 감광성 조성물의 고형분 농도가 20 질량% 이상 55 질량% 이하가 되는 범위에서, 유기 용제(S)를 이용하는 것이 바람직하다.The content of the organic solvent (S) is not particularly limited as long as it does not hinder the purpose of the present invention. When the photosensitive composition is used for a thick film application where the film thickness of the photosensitive layer obtained by a spin coating method or the like is 5 μm or more, it is preferable to use the organic solvent (S) in a range where the solid content concentration of the photosensitive composition is 20 mass% or more and 55 mass% or less.
<그 외의 성분><Other ingredients>
감광성 조성물은, 가역성을 향상시키기 위해, 추가로 폴리비닐 수지를 함유하고 있어도 된다. 폴리비닐 수지의 구체예로서는, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리히드록시스티렌, 폴리아세트산 비닐, 폴리비닐 벤조산, 폴리비닐 메틸 에테르, 폴리비닐 에틸 에테르, 폴리비닐 알코올, 폴리비닐 피롤리돈, 폴리비닐 페놀, 및 이들의 공중합체 등을 들 수 있다. 폴리비닐 수지는, 유리 전이점이 낮은 점으로부터, 바람직하게는 폴리비닐 메틸 에테르이다.The photosensitive composition may additionally contain a polyvinyl resin in order to improve reversibility. Specific examples of the polyvinyl resin include polyvinyl chloride, polystyrene, polyhydroxystyrene, polyvinyl acetate, polyvinyl benzoic acid, polyvinyl methyl ether, polyvinyl ethyl ether, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl phenol, and copolymers thereof. The polyvinyl resin is preferably polyvinyl methyl ether because of its low glass transition point.
또한, 감광성 조성물은, 감광성 조성물을 이용하여 형성되는 주형과 금속 기판의 접착성을 향상시키기 위해, 추가로 접착조제를 함유하고 있어도 된다.In addition, the photosensitive composition may additionally contain an adhesive agent to improve the adhesion between a mold formed using the photosensitive composition and a metal substrate.
또한, 감광성 조성물은, 도포성, 소포성, 레벨링성 등을 향상시키기 위해, 추가로 계면활성제를 함유하고 있어도 된다. 계면활성제로서는, 예를 들면, 불소계 계면활성제나 실리콘계 계면활성제가 바람직하게 이용된다.In addition, the photosensitive composition may additionally contain a surfactant in order to improve the coating properties, foaming properties, leveling properties, etc. As the surfactant, for example, a fluorine-based surfactant or a silicone-based surfactant is preferably used.
불소계 계면활성제의 구체예로서는, BM-1000, BM-1100(모두 BM케미사 제), 메가팩 R-40, 메가팩 F142D, 메가팩 F172, 메가팩 F173, 메가팩 F183(모두 DIC사 제), 플루오라드 FC-135, 플루오라드 FC-170C, 플루오라드 FC-430, 플루오라드 FC-431(모두 스미토모 3M사 제), 서프론 S-112, 서프론 S-113, 서프론 S-131, 서프론 S-141, 서프론 S-145(모두 아사히글라스사 제), SH-28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428(모두 토레이 실리콘사 제) 등의 시판의 불소계 계면활성제를 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.Specific examples of fluorine-based surfactants include commercially available fluorine-based surfactants such as BM-1000, BM-1100 (all manufactured by BM Chemistry), Megapak R-40, Megapak F142D, Megapak F172, Megapak F173, Megapak F183 (all manufactured by DIC), Fluorad FC-135, Fluorad FC-170C, Fluorad FC-430, Fluorad FC-431 (all manufactured by Sumitomo 3M), Surfron S-112, Surfron S-113, Surfron S-131, Surfron S-141, Surfron S-145 (all manufactured by Asahi Glass), SH-28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, and SF-8428 (all manufactured by Toray Silicone). Surfactants include, but are not limited to, these.
실리콘계 계면활성제로서는, 미변성 실리콘계 계면활성제, 폴리에테르 변성 실리콘계 계면활성제, 폴리에스테르 변성 실리콘계 계면활성제, 알킬 변성 실리콘계 계면활성제, 아랄킬 변성 실리콘계 계면활성제, 및 반응성 실리콘계 계면활성제 등을 바람직하게 이용할 수 있다.As silicone surfactants, unmodified silicone surfactants, polyether-modified silicone surfactants, polyester-modified silicone surfactants, alkyl-modified silicone surfactants, aralkyl-modified silicone surfactants, and reactive silicone surfactants can be preferably used.
실리콘계 계면활성제로서는, 시판의 실리콘계 계면활성제를 이용할 수 있다. 시판의 실리콘계 계면활성제의 구체예로서는, 페인타드 M(토레이·다우코닝사 제), 토피카 K1000, 토피카 K2000, 토피카 K5000(모두 타카치호 산교사 제), XL-121(폴리에테르 변성 실리콘계 계면활성제, 클라리언트사 제), BYK-310(폴리에스테르 변성 실리콘계 계면활성제, 빅케미사 제) 등을 들 수 있다.As the silicone surfactant, a commercially available silicone surfactant can be used. Specific examples of commercially available silicone surfactants include Painted M (manufactured by Toray/Dow Corning), Topeka K1000, Topeka K2000, and Topeka K5000 (all manufactured by Takachiho Sangyo), XL-121 (polyether-modified silicone surfactant, manufactured by Clariant), and BYK-310 (polyester-modified silicone surfactant, manufactured by Big Chemie).
또한, 감광성 조성물은, 현상액에 대한 용해성의 미조정(微調整)을 수행하기 위해, 산, 산무수물, 또는 고비점 용매를 추가로 함유하고 있어도 된다.In addition, the photosensitive composition may additionally contain an acid, an acid anhydride, or a high-boiling-point solvent to perform fine adjustment of solubility in a developer.
산 및 산무수물의 구체예로서는, 아세트산, 프로피온산, n-부티르산, 이소부티르산, n-발레르산, 이소발레르산, 벤조산, 신남산 등의 모노카르복시산류; 락트산, 2-히드록시부티르산, 3-히드록시부티르산, 살리실산, m-히드록시벤조산, p-히드록시벤조산, 2-히드록시신남산, 3-히드록시신남산, 4-히드록시신남산, 5-히드록시이소프탈산, 시링산 등의 히드록시모노 카르복시산류; 옥살산, 숙신산, 글루타르산, 아디핀산, 말레인산, 이타콘산, 헥사히드로프탈산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 1,2-시클로헥산디카르복시산, 1,2,4-시클로헥산트리카르복시산, 부탄 테트라카르복시산, 트리멜리트산, 피로멜리트산, 시클로펜탄 테트라카르복시산, 부탄 테트라카르복시산, 1,2,5,8-나프탈렌 테트라카르복시산 등의 다가 카르복시산류; 무수 이타콘산, 무수 숙신산, 무수 시트라콘산, 무수 도데세닐 숙신산, 무수 트리카르바닐산, 무수 말레산, 무수 헥사히드로프탈산, 무수 메틸 테트라히드로프탈산, 무수 하이믹산, 1,2,3,4-부탄 테트라카르복시산 무수물, 시클로펜탄 테트라카르복시산-2 무수물, 무수 프탈산, 무수 피로멜리트산, 무수 트리멜리트산, 무수 벤조페논테트라카르복시산, 에틸렌글리콜 비스 무수 트리멜리타트, 글리세린 트리스 무수 트리멜리타트 등의 산무수물; 등을 들 수 있다.Specific examples of acids and acid anhydrides include monocarboxylic acids such as acetic acid, propionic acid, n-butyric acid, isobutyric acid, n-valeric acid, isovaleric acid, benzoic acid, and cinnamic acid; hydroxymonocarboxylic acids such as lactic acid, 2-hydroxybutyric acid, 3-hydroxybutyric acid, salicylic acid, m-hydroxybenzoic acid, p-hydroxybenzoic acid, 2-hydroxycinnamic acid, 3-hydroxycinnamic acid, 4-hydroxycinnamic acid, 5-hydroxyisophthalic acid, and syringic acid; Polyhydric carboxylic acids such as oxalic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, maleic acid, itaconic acid, hexahydrophthalic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,2,4-cyclohexanetricarboxylic acid, butanetetracarboxylic acid, trimellitic acid, pyromellitic acid, cyclopentanetetracarboxylic acid, butanetetracarboxylic acid, and 1,2,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid; Acid anhydrides such as itaconic anhydride, succinic anhydride, citraconic anhydride, dodecenyl succinic anhydride, tricarbanilic anhydride, maleic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyl tetrahydrophthalic anhydride, himic anhydride, 1,2,3,4-butane tetracarboxylic acid anhydride, cyclopentane tetracarboxylic acid-2 anhydride, phthalic anhydride, pyromellitic anhydride, trimellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic acid anhydride, ethylene glycol bis trimellitate anhydride, and glycerin tris trimellitate anhydride; etc.
또한, 고비점 용매의 구체예로서는, N-메틸 포름아미드, N,N-디메틸 포름아미드, N-메틸 포름아닐리드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸 피롤리돈, 디메틸설폭시드, 벤질 에틸 에테르, 디헥실에테르, 아세토닐 아세톤, 이소포론, 카프론산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레인산 디에틸, γ-부티로락톤, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 페닐 셀로솔브 아세테이트 등을 들 수 있다.In addition, specific examples of high boiling point solvents include N-methyl formamide, N,N-dimethyl formamide, N-methyl formanilide, N-methylacetamide, N,N-dimethylacetamide, N-methyl pyrrolidone, dimethyl sulfoxide, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, acetonyl acetone, isophorone, capronic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, phenyl cellosolve acetate, and the like.
또한, 감광성 조성물은, 감도를 향상시키기 위해, 증감제(增感劑)를 추가로 함유하고 있어도 된다. Additionally, the photosensitive composition may additionally contain a sensitizer to improve sensitivity.
<화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물의 조제 방법><Method for preparing chemically amplified positive photosensitive composition>
화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물은, 상기의 각 성분을 통상의 방법으로 혼합, 교반하여 조제된다. 상기의 각 성분을, 혼합, 교반할 때에 사용할 수 있는 장치로서는, 디졸버, 호모지나이저, 3본 롤 밀 등을 들 수 있다. 상기의 각 성분을 균일하게 혼합한 후에, 얻어진 혼합물을, 추가로 메쉬, 멤브레인 필터 등을 이용하여 여과해도 된다.The chemically amplified positive photosensitive composition is prepared by mixing and stirring the above components in a conventional manner. Devices that can be used when mixing and stirring the above components include a dissolver, a homogenizer, a three-roll mill, etc. After the above components are uniformly mixed, the obtained mixture may be further filtered using a mesh, membrane filter, etc.
≪감광성 드라이 필름≫≪Photosensitive dry film≫
감광성 드라이 필름은, 기재 필름과, 상기 기재 필름의 표면에 형성된 감광성층을 갖고, 감광성층이 전술의 감광성 조성물로 이루어지는 것이다.A photosensitive dry film has a base film and a photosensitive layer formed on the surface of the base film, and the photosensitive layer is made of the above-mentioned photosensitive composition.
기재 필름으로서는, 광 투과성을 가지는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리프로필렌(PP) 필름, 폴리에틸렌(PE) 필름 등을 들 수 있지만, 광 투과성 및 파단 강도의 밸런스가 뛰어난 점에서 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름이 바람직하다.As the base film, one having light transmittance is preferable. Specifically, polyethylene terephthalate (PET) film, polypropylene (PP) film, polyethylene (PE) film, etc. can be mentioned, but polyethylene terephthalate (PET) film is preferable because it has an excellent balance of light transmittance and breaking strength.
기재 필름 상에, 전술의 감광성 조성물을 도포하여 감광성층을 형성하는 것에 의해, 감광성 드라이 필름이 제조된다. A photosensitive dry film is manufactured by forming a photosensitive layer by applying the aforementioned photosensitive composition onto a substrate film.
기재 필름 상에 감광성층을 형성하는데 있어서는, 어플리케이터, 바 코터, 와이어 바 코터, 롤코터, 커텐 플로우 코터 등을 이용하고, 기재 필름 상에 건조 후의 막 두께가 바람직하게는 0.5μm 이상 300μm 이하, 보다 바람직하게는 1μm 이상 300μm 이하, 특히 바람직하게는 3μm 이상 100μm 이하가 되도록 감광성 조성물을 도포하고, 건조시킨다. In forming a photosensitive layer on a substrate film, an applicator, a bar coater, a wire bar coater, a roll coater, a curtain flow coater, or the like is used, and a photosensitive composition is applied onto the substrate film and dried so that the film thickness after drying is preferably 0.5 μm or more and 300 μm or less, more preferably 1 μm or more and 300 μm or less, and particularly preferably 3 μm or more and 100 μm or less.
감광성 드라이 필름은, 감광성층 상에 추가로 보호 필름을 가지고 있어도 된다. 이 보호 필름으로서는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리프로필렌(PP) 필름, 폴리에틸렌(PE) 필름 등을 들 수 있다.The photosensitive dry film may additionally have a protective film on the photosensitive layer. Examples of the protective film include polyethylene terephthalate (PET) film, polypropylene (PP) film, and polyethylene (PE) film.
≪주형 부착 기판의 제조 방법≫≪Method for manufacturing a mold-attached substrate≫
상기 설명한 감광성 조성물을 이용하고, 기판 상에, 패턴화된 레지스트막을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 이러한 패턴화된 레지스트막은, 절연막, 에칭 마스크, 및 도금 조형물을 형성하기 위한 주형 등으로서 적합하게 이용된다.The method for forming a patterned resist film on a substrate using the photosensitive composition described above is not particularly limited. This patterned resist film is suitably used as a mold for forming an insulating film, an etching mask, and a plating structure.
이러한 주형 부착 기판의 적합한 제조 방법으로서는,A suitable method for manufacturing such a mold-attached substrate is as follows:
표면에 금속층을 구비하는 기판 상에, 상술의 감광성 조성물로 이루어지는 감광성층을 적층하는 공정과,A process for laminating a photosensitive layer made of the above-described photosensitive composition on a substrate having a metal layer on the surface,
감광성층을, 60℃ 이상 130℃ 이하로 가열하는 공정과,A process of heating the photosensitive layer to a temperature of 60℃ or higher and 130℃ or lower,
가열 후의 감광성층에, 활성 광선 또는 방사선을 위치 선택적으로 조사하는 공정과,A process of selectively irradiating active light or radiation to a photosensitive layer after heating,
조사 후의 감광성층을 현상하여, 패턴 형상을 가지는, 도금 조형물을 형성하기 위한 주형을 작성하는 공정A process of developing a photosensitive layer after irradiation to create a mold for forming a plated object having a pattern shape.
을 포함하는 방법을 들 수 있다.A method including:
각 공정에 대해서, 이하에 설명한다. 표면에 금속층을 구비하는 기판 상에, 상술의 감광성 조성물로 이루어지는 감광성층을 적층하는 공정을 「적층 공정」이라고도 적는다. 감광성층을 가열하는 공정을 「가열 공정」이라고도 적는다. 가열 후의 감광성층에, 활성 광선 또는 방사선을 위치 선택적으로 조사하는 공정을 「노광 공정」이라고도 적는다. 조사 후의 감광성층을 현상하여, 패턴 형상을 가지는, 도금 조형물을 형성하기 위한 주형을 작성하는 공정을 「현상 공정」이라고도 적는다. Each process is described below. The process of laminating a photosensitive layer made of the above-described photosensitive composition on a substrate having a metal layer on the surface is also referred to as a “lamination process.” The process of heating the photosensitive layer is also referred to as a “heating process.” The process of selectively irradiating the heated photosensitive layer with active light or radiation is also referred to as an “exposure process.” The process of developing the irradiated photosensitive layer to create a mold for forming a plated shape having a pattern shape is also referred to as a “development process.”
<적층 공정><Lamination process>
적층 공정에서는, 표면에 금속층을 구비하는 기판 상에, 상술의 감광성 조성물로 이루어지는 감광성층을 적층한다. In the lamination process, a photosensitive layer made of the above-described photosensitive composition is laminated on a substrate having a metal layer on its surface.
도금 조형물을 형성하기 위한 주형을 구비하는 주형 부착 기판을 제조하는 경우, 기판으로서는, 표면에 금속층을 구비하는 기판(금속 표면을 가지는 기판)이 이용된다. 금속층을 구성하는 금속종으로서는, 구리, 금, 알루미늄이 바람직하고, 구리가 보다 바람직하다.When manufacturing a mold-attached substrate having a mold for forming a plated shape, a substrate having a metal layer on its surface (a substrate having a metal surface) is used as the substrate. As the metal species constituting the metal layer, copper, gold, and aluminum are preferable, and copper is more preferable.
감광성층은, 예를 들면, 액상의 감광성 조성물을 기판 표면의 금속층 상에 도포하는 것에 의해서, 표면에 금속층을 구비하는 기판 상에 적층된다. 또한, 전술의 감광성 드라이 필름을 이용하여 기판 상에 감광성층을 적층해도 된다.The photosensitive layer is laminated on a substrate having a metal layer on its surface, for example, by applying a liquid photosensitive composition onto the metal layer on the surface of the substrate. Additionally, the photosensitive layer may be laminated on the substrate using the above-described photosensitive dry film.
감광성층의 두께는, 주형이 되는 레지스트 패턴을 소망의 막 두께로 형성할 수 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 0.5μm 이상이 바람직하고, 0.5μm 이상 300μm 이하가 보다 바람직하고, 1μm 이상 150μm 이하가 특히 바람직하고, 3μm 이상 100μm 이하가 가장 바람직하다.The thickness of the photosensitive layer is not particularly limited as long as the resist pattern to be used as the mold can be formed to a desired film thickness, but is preferably 0.5 μm or more, more preferably 0.5 μm or more and 300 μm or less, particularly preferably 1 μm or more and 150 μm or less, and most preferably 3 μm or more and 100 μm or less.
기판 상에의 감광성 조성물의 도포 방법으로서는, 스핀 코트법, 슬릿 코트법, 롤 코트법, 스크린 인쇄법, 어플리케이터법 등의 방법을 채용할 수 있다.As a method for applying the photosensitive composition onto a substrate, a spin coating method, a slit coating method, a roll coating method, a screen printing method, an applicator method, or the like can be adopted.
<가열 공정(프리베이크)><Heating process (pre-bake)>
가열 공정에서는, 감광성층을 60℃ 이상 130℃ 이하로 가열한다. 이와 같이, 가열 온도가 낮기 때문에, 가열에 의한 기판에의 악영향이 억제된다.In the heating process, the photosensitive layer is heated to a temperature of 60°C or higher and 130°C or lower. In this way, since the heating temperature is low, adverse effects on the substrate due to heating are suppressed.
가열하는 것에 의해, 용매(유기 용제(S))가 제거된다.By heating, the solvent (organic solvent (S)) is removed.
가열 온도는, 60℃ 이상 130℃ 이하이며, 80℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 105℃ 이상 125℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.The heating temperature is 60℃ or higher and 130℃ or lower, preferably 80℃ or higher and 130℃ or lower, and more preferably 105℃ or higher and 125℃ or lower.
가열 시간은, 60초간 이상 550초간 이하인 것이 바람직하고, 90초간 이상 240초간 이하인 것이 보다 바람직하다.The heating time is preferably 60 seconds or more and 550 seconds or less, and more preferably 90 seconds or more and 240 seconds or less.
가열 공정에서는, 용매가 제거되면서, 산 발생제(A)가 기판 표면의 금속층과 반응함으로써 일부 분해하여 산을 발생하고, 또한, 이 반응이 산 확산 억제제(F)에 의해 촉진된다. 이것에 의해, 감광성층의 기판 표면 근방의 영역에 있어서, 수지(B)는, 알칼리에 대한 용해성이 증대한다.In the heating process, as the solvent is removed, the acid generator (A) partially decomposes and generates acid by reacting with the metal layer on the substrate surface, and furthermore, this reaction is promoted by the acid diffusion inhibitor (F). As a result, in the region near the substrate surface of the photosensitive layer, the solubility of the resin (B) in alkali increases.
<노광 공정><Exposure process>
노광 공정에서는, 가열 후의 감광성층에, 활성 광선 또는 방사선을 위치 선택적으로 조사한다. 위치 선택적인 노광은, 도금 조형물을 형성하는 개소가 현상에 의해 제거되도록, 수행된다.In the exposure process, the photosensitive layer after heating is selectively irradiated with active light or radiation. The selective exposure is performed so that the location where the plated structure is formed is removed by development.
구체적으로는, 가열 후의 감광성층에 대해서, 소정의 패턴의 마스크를 통해서, 활성 광선 또는 방사선, 예를 들면 파장이 300 nm 이상 500 nm 이하의 자외선 또는 가시광선이 선택적으로 조사(노광)된다. 활성 광선 또는 방사선이 선택적으로 조사(노광)되는 것에 의해, 노광부에 있어서, 산 발생제(A)가 분해하여 산을 발생하고, 수지(B)의 알칼리에 대한 용해성이 증대한다.Specifically, for the photosensitive layer after heating, active light or radiation, for example, ultraviolet light or visible light having a wavelength of 300 nm or more and 500 nm or less, is selectively irradiated (exposed) through a mask of a predetermined pattern. By selectively irradiating (exposing) with active light or radiation, the acid generator (A) decomposes to generate acid in the exposed portion, and the solubility of the resin (B) in alkali increases.
방사선의 선원으로서는, 저압 수은등(燈), 고압 수은등, 초고압 수은등, 메탈 할라이드 램프, 아르곤 가스 레이저 등을 이용할 수 있다. 또한, 방사선에는, 마이크로파, 적외선, 가시광선, 자외선, X선, γ선, 전자선, 양자선, 중성자선, 이온선 등이 포함된다. 방사선 조사량은, 감광성 조성물의 조성이나 감광성층의 막 두께 등에 따라서 다르지만, 예를 들면 초고압 수은 등 사용의 경우, 100 mJ/cm2 이상 10000 mJ/cm2 이하이다. 또한, 방사선에는, 산을 발생시키기 위해서, 산 발생제(A)를 활성화시키는 광선이 포함된다.As a source of radiation, a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, a metal halide lamp, an argon gas laser, etc. can be used. In addition, radiation includes microwaves, infrared rays, visible light, ultraviolet rays, X-rays, γ-rays, electron rays, proton rays, neutron rays, ion rays, etc. The dose of radiation varies depending on the composition of the photosensitive composition or the film thickness of the photosensitive layer, but, for example, in the case of using an ultra-high-pressure mercury lamp, it is 100 mJ/cm 2 or more and 10,000 mJ/cm 2 or less. In addition, radiation includes light rays that activate an acid generator (A) in order to generate acid.
노광 후는, 공지의 방법을 이용하여 감광성층을 가열(PEB)하는 것에 의해 산의 확산을 촉진시켜, 감광성층 중의 노광된 부분에 있어서, 감광성층의 알칼리 용해성을 변화시킨다.After exposure, the photosensitive layer is heated (PEB) using a known method to promote acid diffusion, thereby changing the alkaline solubility of the photosensitive layer in the exposed portion of the photosensitive layer.
노광 후의 가열(PEB) 조건은 특별히 한정되지 않는다. 가열 온도는, 60℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 80℃ 이상 120℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 가열 시간은, 30초간 이상 240초간 이하인 것이 바람직하고, 60초간 이상 180초간 이하인 것이 보다 바람직하다.The post-exposure heating (PEB) conditions are not particularly limited. The heating temperature is preferably 60°C or more and 130°C or less, and more preferably 80°C or more and 120°C or less. The heating time is preferably 30 seconds or more and 240 seconds or less, and more preferably 60 seconds or more and 180 seconds or less.
<현상 공정><Phenomena Process>
현상 공정에서는, 조사 후의 감광성층을 현상하여, 패턴 형상을 가지는, 도금 조형물을 형성하기 위한 주형을 작성한다.In the development process, the photosensitive layer after irradiation is developed to create a mold for forming a plated shape having a pattern shape.
현상에 의해서, 불필요한 부분을 용해, 제거하는 것에 의해, 패턴 형상을 가지는, 도금 조형물을 형성하기 위한 주형이 되는 레지스트 패턴이 형성된다. 이 때, 현상액으로서는, 알칼리성 수용액이 사용된다.By dissolving and removing unnecessary parts through the development, a resist pattern that serves as a mold for forming a plated structure having a pattern shape is formed. At this time, an alkaline aqueous solution is used as the developing solution.
현상액으로서는, 예를 들면, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨, 암모니아수, 에틸아민, n-프로필아민, 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리에틸아민, 메틸 디에틸아민, 디메틸 에탄올아민, 트리에탄올아민, 테트라메틸 암모늄 히드록시드, 테트라에틸 암모늄 히드록시드, 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자비시클로[5,4,0]-7-운데센, 1,5-디아자비시클로[4,3,0]-5-노난 등의 알칼리류의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매나 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다. As the developer, for example, an aqueous solution of an alkali such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia water, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-propylamine, triethylamine, methyl diethylamine, dimethyl ethanolamine, triethanolamine, tetramethyl ammonium hydroxide, tetraethyl ammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo[5,4,0]-7-undecene, 1,5-diazabicyclo[4,3,0]-5-nonane can be used. In addition, an aqueous solution obtained by adding an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol, or a surfactant to the aqueous solution of the above alkali can also be used as the developer.
현상 시간은, 감광성 조성물의 조성이나 감광성층의 막 두께 등에 따라서 다르지만, 통상 1분 이상 30분 이하의 사이이다. 현상 방법은, 액담금법, 디핑법, 퍼들법, 스프레이 현상법 등의 어느 하나이어도 된다.The developing time varies depending on the composition of the photosensitive composition, the film thickness of the photosensitive layer, etc., but is usually between 1 minute and 30 minutes. The developing method may be any of the liquid immersion method, dipping method, puddle method, and spray developing method.
현상 후에는, 유수 세정을 30초 이상 90초 이하의 사이 수행하고, 에어 암이나, 오븐 등을 이용하여 건조시킨다.After development, perform water washing for 30 to 90 seconds, and dry using an air arm or oven.
이와 같이 하여 형성된 레지스트 패턴은, 상술의 감광성 조성물을 이용하고 있기 때문에, 큰 언더컷이 형성된 단면 형상을 갖고, 또한 기판에의 밀착성이 뛰어나다.The resist pattern formed in this way has a cross-sectional shape with a large undercut because it uses the photosensitive composition described above, and also has excellent adhesion to the substrate.
≪도금 조형물의 제조 방법≫≪Method for manufacturing plated sculptures≫
도금 조형물의 제조 방법은, 상술의 방법에 의해 형성된 주형 부착 기판에 도금을 가하여, 주형 내에 도금 조형물을 형성하는 공정을 포함한다. A method for manufacturing a plated shape includes a process of forming a plated shape within a mold by applying plating to a mold-attached substrate formed by the above-described method.
구체적으로는, 상술의 의해 형성된 주형 부착 기판의 주형 중의 비-레지스트부(현상액으로 제거된 부분)에, 도금에 의해 금속 등의 도체를 매립하는 것에 의해, 예를 들면, 범프 및 메탈 포스트 등의 접속 단자나, Cu 재배선과 같은 도금 조형물을 형성할 수 있다. 덧붙여, 도금 처리 방법은 특별히 제한되지 않고, 종래부터 공지의 각종 방법을 채용할 수 있다. 도금액으로서는, 특히 핸더 도금, 구리 도금, 금 도금, 니켈 도금액이 적합하게 이용된다. 남아 있는 주형은, 최후로, 상법에 따라서 박리액 등을 이용하여 제거된다.Specifically, by plating a conductor such as a metal into a non-resist portion (a portion removed by a developer) of a mold of a mold-attached substrate formed by the above-mentioned method, for example, a connection terminal such as a bump or a metal post, or a plated structure such as a Cu rewiring can be formed. In addition, the plating treatment method is not particularly limited, and various methods known in the art can be adopted. As the plating solution, a hand plating solution, a copper plating solution, a gold plating solution, or a nickel plating solution is particularly suitably used. Finally, the remaining mold is removed using a stripping solution or the like according to a commercial method.
도금 조형물을 제조할 때, 도금 조형물 형성용의 주형이 되는 레지스트 패턴의 비-레지스트부에 대해서 앳싱 처리를 수행하는 것이 바람직하다. 상기의 앳싱 처리를 수행하면, 금속 표면에, 보다 양호하게 밀착한 도금 조형물을 형성하기 쉽다.When manufacturing a plated shape, it is preferable to perform an ashing treatment on the non-resist portion of the resist pattern that serves as a mold for forming the plated shape. If the above ashing treatment is performed, it is easy to form a plated shape that adheres better to the metal surface.
앳싱 처리는, 도금 조형물 형성용의 주형이 되는 레지스트 패턴에, 소망하는 형상의 도금 조형물을 형성할 수 없는 정도의 데미지를 주지 않는 방법이면 특별히 한정되지 않는다.The ashing treatment is not particularly limited as long as it does not cause damage to the resist pattern that serves as a mold for forming a plated shape to the extent that a plated shape of the desired shape cannot be formed.
바람직한 앳싱 처리 방법으로서는 산소 플라스마를 이용하는 방법을 들 수 있다. 기판 상의 금속 표면을, 산소 플라스마를 이용하여 앳싱하기 위해서는, 공지의 산소 플라스마 발생 장치를 이용하여 산소 플라스마를 발생시키고, 당해 산소 플라스마를 기판 상의 금속 표면에 대해서 조사하면 된다.A preferred ashing treatment method is a method using oxygen plasma. In order to ashing a metal surface on a substrate using oxygen plasma, a known oxygen plasma generator is used to generate oxygen plasma, and the oxygen plasma is irradiated onto the metal surface on the substrate.
산소 플라스마의 발생에 이용되는 가스로는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 종래, 산소와 함께 플라스마 처리에 이용되고 있는 여러 가지의 가스를 혼합할 수 있다. 이러한 가스로서는, 예를 들면, 질소 가스, 수소 가스, 및 CF4 가스 등을 들 수 있다. As the gas used for generating oxygen plasma, various gases that have been conventionally used for plasma treatment together with oxygen can be mixed within a range that does not hinder the purpose of the present invention. Examples of such gases include nitrogen gas, hydrogen gas, and CF 4 gas.
산소 플라스마를 이용하는 앳싱 조건은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않지만, 처리 시간은, 예를 들면 10초 이상 20분 이하의 범위이며, 바람직하게는 20초 이상 18분 이하의 범위이며, 보다 바람직하게는 30초 이상 15분 이하의 범위이다.The processing conditions using oxygen plasma are not particularly limited as long as they do not impede the purpose of the present invention, but the processing time is, for example, in a range of 10 seconds to 20 minutes, preferably in a range of 20 seconds to 18 minutes, and more preferably in a range of 30 seconds to 15 minutes.
산소 플라스마에 의한 처리 시간을 상기의 범위로 설정함으로써, 레지스트 패턴의 형상의 변화를 가져오지 않고, 도금 조형물의 밀착성 개량의 효과를 이루기 쉬워진다.By setting the treatment time by oxygen plasma within the above range, it becomes easy to achieve the effect of improving the adhesion of the plated structure without causing a change in the shape of the resist pattern.
상기의 방법에 의하면, 큰 언더컷이 형성된 단면 형상을 갖고 또한 기판에의 밀착성이 뛰어난 레지스트 패턴을, 도금 조형물 형성용의 주형으로서 이용할 수 있다.According to the above method, a resist pattern having a cross-sectional shape with a large undercut and excellent adhesion to a substrate can be used as a mold for forming a plated shape.
레지스트 패턴이 큰 언더컷이 형성된 단면 형상을 가지기 때문에, 풋팅이 큰 도금 조형물을 형성할 수 있다. 이 때문에, 도금 조형물이 쓰러지기 어려워져, 도괴 마진이 뛰어난 도금 조형물을 형성할 수 있다. 따라서, 예를 들면, 범프, 메탈 포스트, 배선 등의 도금 조형물을 형성한 후, 기판 표면을 린스액으로 린스하거나, 건조의 목적 등으로 기판 표면에 가스가 분무되거나, 에칭 등의 화학적인 처리가 이루어지거나, 기판 상에 다른 부재를 마련하는 목적으로 다른 부재를 형성하기 위한 재료가 기판 상에 도포나 충전되어도, 도금 조형물이 쓰러지기 어렵다.Since the resist pattern has a cross-sectional shape in which a large undercut is formed, a plated structure with a large footing can be formed. For this reason, the plated structure is unlikely to collapse, and a plated structure with an excellent destruction margin can be formed. Therefore, for example, after forming a plated structure such as a bump, a metal post, or a wiring, even if the substrate surface is rinsed with a rinse solution, gas is sprayed on the substrate surface for the purpose of drying, or a chemical treatment such as etching is performed, or a material for forming another member is applied or filled on the substrate for the purpose of providing another member on the substrate, the plated structure is unlikely to collapse.
또한, 기판에의 밀착성이 뛰어나기 때문에, 현상시나 도금시의 레지스트 패턴이 벗겨짐이 억제되어, 소망의 형상의 도금 조형물을 제조할 수 있다.In addition, since the adhesion to the substrate is excellent, peeling of the resist pattern during development or plating is suppressed, and a plated shape of a desired shape can be manufactured.
[실시예][Example]
이하, 본 발명을 실시예에 의해 추가로 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in further detail by examples, but the present invention is not limited to these examples.
[실시예 1~65, 및 비교예 1~6][Examples 1 to 65 and Comparative Examples 1 to 6]
실시예 1~65, 및 비교예 1~6에서는, 산 발생제(A)로서 하기 식의 화합물 A1~A13을 이용했다. 하기 식 중, Bu는 부틸기를 나타내고, iPR은 이소프로필기를 나타낸다.In Examples 1 to 65 and Comparative Examples 1 to 6, compounds A1 to A13 of the following formula were used as acid generators (A). In the formula below, Bu represents a butyl group and iPR represents an isopropyl group.
실시예 1~65, 및 비교예 1~6에서는, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 수지(수지(B))로서, 이하의 수지 B1~B10을 이용했다. 하기 구조식에 있어서의 각 구성 단위 중의 괄호의 오른쪽 아래의 숫자는, 각 수지 중의 구성 단위의 함유량(질량%)을 나타낸다. 수지 B1의 질량 평균 분자량(Mw)은 20000이다. 수지 B2 및 수지 B3의 질량 평균 분자량(Mw)은 10000이다. 수지 B4의 질량 평균 분자량(Mw)은 40000이며, 수지 B4의 분산도(Mw/Mn)는, 12이다. 수지 B5의 질량 평균 분자량(Mw)은 40000이며, 수지 B5의 분산도(Mw/Mn)는, 12이다. 수지 B6의 질량 평균 분자량(Mw)은 40000이며, 수지 B6의 분산도(Mw/Mn)는, 12이다. 수지 B7의 질량 평균 분자량(Mw)은 40000이며, 수지 B7의 분산도(Mw/Mn)는, 12이다. 수지 B8의 질량 평균 분자량(Mw)은 10000이며, 수지 B8의 분산도(Mw/Mn)는, 2이다. 수지 B9의 질량 평균 분자량(Mw)은 10000이며, 수지 B9의 분산도(Mw/Mn)는, 2이다. 수지 B10의 질량 평균 분자량(Mw)은 10000이며, 수지 B10의 분산도(Mw/Mn)는, 2이다. In Examples 1 to 65 and Comparative Examples 1 to 6, the following Resins B1 to B10 were used as the resin (Resin (B)) whose solubility in alkali increases by the action of an acid. The number on the lower right of the parentheses in each structural unit in the structural formula below represents the content (mass%) of the structural unit in each resin. The mass average molecular weight (Mw) of Resin B1 is 20000. The mass average molecular weights (Mw) of Resin B2 and Resin B3 are 10000. The mass average molecular weight (Mw) of Resin B4 is 40000, and the dispersity (Mw/Mn) of Resin B4 is 12. The mass average molecular weight (Mw) of Resin B5 is 40000, and the dispersity (Mw/Mn) of Resin B5 is 12. The mass average molecular weight (Mw) of Resin B6 is 40000, and the polydispersity (Mw/Mn) of Resin B6 is 12. The mass average molecular weight (Mw) of Resin B7 is 40000, and the polydispersity (Mw/Mn) of Resin B7 is 12. The mass average molecular weight (Mw) of Resin B8 is 10000, and the polydispersity (Mw/Mn) of Resin B8 is 2. The mass average molecular weight (Mw) of Resin B9 is 10000, and the polydispersity (Mw/Mn) of Resin B9 is 2. The mass average molecular weight (Mw) of Resin B10 is 10000, and the polydispersity (Mw/Mn) of Resin B10 is 2.
알칼리 가용성 수지(D)로서는, 이하의 수지 D1~D3을 이용했다. D1(노볼락 수지)의 질량 평균 분자량(Mw)은 16000이며, 수지 D1의 분산도(Mw/Mn)는, 18이다. D2(노볼락 수지)의 질량 평균 분자량(Mw)은 5000이며, 수지 D2의 분산도(Mw/Mn)는, 6이다. D3(폴리히드록시스티렌 수지)의 질량 평균 분자량(Mw)은 2500이며, 수지 D3의 분산도(Mw/Mn)는, 2이다.As the alkali-soluble resin (D), the following resins D1 to D3 were used. The mass average molecular weight (Mw) of D1 (novolac resin) is 16000, and the dispersity (Mw/Mn) of resin D1 is 18. The mass average molecular weight (Mw) of D2 (novolac resin) is 5000, and the dispersity (Mw/Mn) of resin D2 is 6. The mass average molecular weight (Mw) of D3 (polyhydroxystyrene resin) is 2500, and the dispersity (Mw/Mn) of resin D3 is 2.
함황 화합물(E)로서, 하기 화합물인 E1~E8을 이용했다.As sulfur compounds (E), the following compounds E1 to E8 were used.
산 확산 억제제(F)로서, 하기 F1을 이용했다.As a acid diffusion inhibitor (F), the following F1 was used.
F1: 트리부틸아민F1: Tributylamine
각각 표 1~4에 기재된 종류 및 양(질량부)의, 산 발생제(A)와, 수지(B)와, 알칼리 가용성 수지(D)와, 함황 화합물(E)과, F1(산 확산 억제제(F)) 0.20 질량부와, 계면활성제(메가팩 R-40, DIC사 제) 0.04 질량부를, 고형분 농도가 30 질량%가 되도록, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트에 용해시켜, 각 실시예 및 비교예의 감광성 조성물을 얻었다.The types and amounts (mass parts) of the acid generator (A), the resin (B), the alkali-soluble resin (D), the sulfur-containing compound (E), 0.20 mass parts of F1 (acid diffusion inhibitor (F)), and 0.04 mass parts of the surfactant (Megapack R-40, manufactured by DIC Corporation) described in Tables 1 to 4 were dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate so that the solid concentration became 30 mass%, thereby obtaining the photosensitive compositions of each example and comparative example.
각 실시예, 및 각 비교예의 감광성 조성물에 대해서, 전술의 [요건 1]을 충족하는지 아닌지를, 확인했다. 구체적인 처방을 이하에 적는다.For each example and each comparative example, it was confirmed whether the photosensitive composition satisfied the above-mentioned [Requirement 1] or not. The specific prescription is written below.
우선, 감광성 조성물(화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물)을, 표면에 스퍼터링법에 의해 형성된 구리층을 가지는 기판(구리 기판)에 도포함으로써, 두께 8.5μm의 수지막을 형성했다(공정 1).First, a photosensitive composition (chemically amplified positive photosensitive composition) was applied to a substrate (copper substrate) having a copper layer formed on the surface by a sputtering method, thereby forming a resin film having a thickness of 8.5 μm (process 1).
수지막이 형성된 기판을, 140℃에서 300초간 가열했다(공정 2).The substrate on which the resin film was formed was heated at 140°C for 300 seconds (process 2).
가열 후의 수지막의 일부를 깎아내고, 깎아낸 수지막을, 고형분 농도가 20 질량%가 되도록 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트에 용해시킨 후, 깎아낸 수지막의 질량의 15배의 질량의 아세토니트릴을 더하고, 침전물을 제외한 액을, 시험액 1로 했다(공정 3).After heating, a portion of the resin film was shaved off, the shaved resin film was dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate so that the solid concentration became 20 mass%, and then acetonitrile in a mass 15 times the mass of the shaved resin film was added, and the liquid from which the sediment was removed was used as test solution 1 (process 3).
또한, 감광성 조성물(화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물)을 고형분 농도가 20 질량%가 되도록 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트로 희석한 후, 감광성 조성물(화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물)의 고형분의 질량의 15배의 질량의 아세토니트릴을 더하고, 침전물을 제외한 액을 시험액 2로 했다. 이 시험액 2와 공정 3에서 얻어진 시험액 1을, 각각 액체 크로마토그래피로 분석하는 것에 의해, 하기 식(a)로 나타내는 산 발생제(A)의 분해율(%)을 구했다(공정 4). 덧붙여, 액체 크로마토그래피에 의한 산 발생제(A)의 정량은, 각 감광성 조성물 중의 산 발생제(A)를 표준 물질로 한 외부 표준법을 이용했다.In addition, the photosensitive composition (chemically amplified positive type photosensitive composition) was diluted with propylene glycol monomethyl ether acetate so that the solid content concentration became 20 mass%, and then acetonitrile was added in an amount 15 times the mass of the solid content of the photosensitive composition (chemically amplified positive type photosensitive composition), and the liquid after excluding the precipitate was used as test solution 2. This test solution 2 and the test solution 1 obtained in step 3 were each analyzed by liquid chromatography, thereby obtaining the decomposition rate (%) of the acid generator (A) represented by the following formula (a) (step 4). In addition, the quantification of the acid generator (A) by liquid chromatography used an external standard method using the acid generator (A) in each photosensitive composition as a standard substance.
산 발생제(A)의 분해율(%) = (1-(x/y))Х100 ···(a)Decomposition rate (%) of acid generator (A) = (1-(x/y))Х100 ···(a)
(식(a) 중, x는, 수지막 중의 산 발생제(A)의 함유량(질량%)이며, 시험액 1의 분석 결과로부터 구할 수 있다. 또한, y는, 감광성 조성물(화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물)의 고형분 중의 산 발생제(A)의 함유량(질량%)이며, 시험액 2의 분석 결과로부터 구할 수 있다)(In formula (a), x is the content (mass%) of the acid generator (A) in the resin film, and can be obtained from the analysis results of test solution 1. In addition, y is the content (mass%) of the acid generator (A) in the solid content of the photosensitive composition (chemically amplified positive type photosensitive composition), and can be obtained from the analysis results of test solution 2.)
구한 식(a)로 나타내는 산 발생제(A)의 분해율(%)을, 표 1~4의 「산 발생제 분해율(%)」란에 적는다.The decomposition rate (%) of the acid generator (A) represented by the obtained formula (a) is written in the “Acid generator decomposition rate (%)” column of Tables 1 to 4.
[레지스트 패턴의 형성][Formation of the registration pattern]
<라인폭 1.0μm 스페이스폭 1.0μm의 라인 앤드 스페이스 패턴의 형성><Formation of a line and space pattern with a line width of 1.0 μm and a space width of 1.0 μm>
실시예, 및 비교예의 감광성 조성물을, 직경 8 인치의 구리 기판(표면에 스퍼터링법에 의해 형성된 구리층을 가지는 기판) 상에 도포하여, 막 두께 5.0μm의 감광성층을 형성했다. 그 다음에, 감광성층을 120℃에서 180초간 프리베이크했다. 프리베이크 후, 라인폭 1.0μm 스페이스폭 1.0μm의 라인 앤드 스페이스 패턴의 마스크와 노광 장치 FPA-5510 iV(캐논 가부시키가이샤 제)를 이용하여, i선(파장: 365 nm)으로 패턴 노광했다. 노광량은, 레지스트 패턴 단면의, 기판의 두께 방향 중간부의 패턴폭(레지스트부의 폭)(Wm)이 1.0μm가 되는 노광량으로 했다. 그 다음에, 기판을 핫 플레이트 상에 재치하고 90℃에서 90초간의 노광 후 가열(PEB)을 수행했다. 그 후, 테트라메틸 암모늄 히드록시드의 2.38 중량% 수용액(현상액, NMD-3, 토쿄 오카 코교 가부시키가이샤 제)을 노광된 감광성층에 적하한 후에 23℃에서 30초간 정치하는 조작을, 합계 3회 반복해서 수행했다. 그 후, 레지스트 패턴 표면을 유수 세정한 후에, 질소 블로우하여 레지스트 패턴을 얻었다.The photosensitive compositions of the examples and comparative examples were applied onto a copper substrate having a diameter of 8 inches (a substrate having a copper layer formed on the surface by a sputtering method) to form a photosensitive layer having a film thickness of 5.0 μm. Next, the photosensitive layer was prebaked at 120°C for 180 seconds. After the prebaking, a mask having a line-and-space pattern with a line width of 1.0 μm and a space width of 1.0 μm and an exposure device FPA-5510 iV (manufactured by Canon Inc.) were used to perform pattern exposure with the i-line (wavelength: 365 nm). The exposure dose was set to an exposure dose such that the pattern width (width of the resist portion) (Wm) of the middle part of the thickness direction of the substrate of the resist pattern cross-section became 1.0 μm. Next, the substrate was placed on a hot plate and post-exposure baking (PEB) was performed at 90°C for 90 seconds. Thereafter, a 2.38 wt% aqueous solution of tetramethyl ammonium hydroxide (developer, NMD-3, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was dropped onto the exposed photosensitive layer, followed by incubation at 23°C for 30 seconds. This operation was repeated a total of three times. Thereafter, the resist pattern surface was washed with running water, and then nitrogen was blown to obtain a resist pattern.
<라인폭 2.0μm 스페이스폭 2.0μm의 라인 앤드 스페이스 패턴의 형성><Formation of a line and space pattern with a line width of 2.0 μm and a space width of 2.0 μm>
마스크로서, 라인폭 2.0μm 스페이스폭 2.0μm의 라인 앤드 스페이스 패턴의 마스크를 이용하고, 노광량을, 레지스트 패턴 단면의, 기판의 두께 방향 중간부의 패턴폭(레지스트부의 폭)(Wm)이 2.0μm가 되는 노광량으로 한 것 외는, 상기 <라인폭 1.0μm 스페이스폭 1.0μm의 라인 앤드 스페이스 패턴의 형성>과 같게 하여, 레지스트 패턴을 얻었다.As a mask, a mask having a line-and-space pattern with a line width of 2.0 μm and a space width of 2.0 μm was used, and the exposure dose was set to such that the pattern width (width of the resist portion) (Wm) of the middle part of the thickness direction of the substrate of the resist pattern cross-section was 2.0 μm, and a resist pattern was obtained in the same manner as in the above <Formation of a line-and-space pattern with a line width of 1.0 μm and a space width of 1.0 μm>.
<라인폭 4.0μm 스페이스폭 4.0μm의 라인 앤드 스페이스 패턴의 형성><Formation of a line and space pattern with a line width of 4.0 μm and a space width of 4.0 μm>
마스크로서, 라인폭 4.0μm 스페이스폭 4.0μm의 라인 앤드 스페이스 패턴의 마스크를 이용하고, 노광량을, 레지스트 패턴 단면의, 기판의 두께 방향 중간부의 패턴폭(레지스트부의 폭)(Wm)이 4.0μm가 되는 노광량으로 한 것 외는, 상기 <라인폭 1.0μm 스페이스폭 1.0μm의 라인 앤드 스페이스 패턴의 형성>과 같게 하여, 레지스트 패턴을 얻었다.As a mask, a mask having a line-and-space pattern with a line width of 4.0 μm and a space width of 4.0 μm was used, and the exposure dose was set to an exposure dose such that the pattern width (width of the resist portion) (Wm) of the middle part of the thickness direction of the substrate of the resist pattern cross-section was 4.0 μm, and a resist pattern was obtained in the same manner as in the above <Formation of a line-and-space pattern with a line width of 1.0 μm and a space width of 1.0 μm>.
[레지스트 패턴의 기판에의 밀착성(기판으로부터의 벗겨짐)의 평가][Evaluation of the adhesion of the resist pattern to the substrate (peeling from the substrate)]
얻어진 레지스트 패턴에 대해서, 주사형 전자현미경에 의해 관찰하고, 1.0μm~4.0μm 모두에서 벗겨짐이 관찰되지 않았던 경우를 ◎로 판정하고, 1.0μm에서는 벗겨짐이 관찰되었지만, 2.0μm 및 4.0μm에서는 벗겨짐이 관찰되지 않았던 경우를 ○로 판정하고, 1.0μm~4.0μm 모두에서 벗겨짐이 관찰되었을 경우를 Х로 판정했다. 결과를 표 1~4에 나타낸다.The obtained resist pattern was observed with a scanning electron microscope, and a case in which no peeling was observed at all between 1.0 μm and 4.0 μm was judged as ◎, a case in which peeling was observed at 1.0 μm but not at 2.0 μm and 4.0 μm was judged as ○, and a case in which peeling was observed at all between 1.0 μm and 4.0 μm was judged as Х. The results are shown in Tables 1 to 4.
[형상의 평가] 레지스트 패턴 단면의 언더컷의 평가[Evaluation of shape] Evaluation of undercut in the cross section of the resist pattern
얻어진 레지스트 패턴에 대해서, 단면 형상을 주사형 전자현미경에 의해 관찰하고, 언더컷량을 이하와 같이 하여 측정했다. 도 2는, 실시예 및 비교예에 있어서 언더컷을 주사형 전자현미경에 의해 관찰한 레지스트 패턴의, 기판의 두께 방향과 평행한 단면을, 모식적으로 나타내는 도면이다.For the obtained resist pattern, the cross-sectional shape was observed by a scanning electron microscope, and the amount of undercut was measured as follows. Fig. 2 is a diagram schematically showing a cross-section parallel to the thickness direction of the substrate of the resist pattern in which the undercut was observed by a scanning electron microscope in the examples and comparative examples.
도 2 중에서, 기판(11) 상에 레지스트부(12)와 비-레지스트부(13)를 구비하는 레지스트 패턴이 형성되어 있다. 우선, 레지스트부(12)와 비-레지스트부(13)의 계면인 측벽(14) 상에 있어서, 측벽(14) 상에서의 언더컷이 개시하는 개소인 변곡점(15)을 정했다. 변곡점(15)으로부터 기판(11)의 표면을 향해서 수선(16)을 내리고, 수선(16)과 기판(11)의 표면과의 교점을 언더컷 시점(17)으로 했다. 또한, 측벽(14)의 곡선과 기판(11)의 표면과의 교점을 언더컷 종점(18)으로 했다. 이와 같이 정한, 언더컷 시점(17)과 언더컷 종점(18)과의 사이의 폭(Wu)을 언더컷량으로 했다. 구해진 언더컷량의 값으로부터, 이하의 기준에 따라서, 언더컷의 정도를 평가했다.In Fig. 2, a resist pattern having a resist portion (12) and a non-resist portion (13) is formed on a substrate (11). First, on a side wall (14), which is an interface between the resist portion (12) and the non-resist portion (13), an inflection point (15), which is a location where undercutting on the side wall (14) begins, is determined. A perpendicular line (16) is drawn from the inflection point (15) toward the surface of the substrate (11), and the intersection of the perpendicular line (16) and the surface of the substrate (11) is set as the undercut starting point (17). In addition, the intersection of the curve of the side wall (14) and the surface of the substrate (11) is set as the undercut ending point (18). The width (Wu) between the undercut starting point (17) and the undercut ending point (18) determined in this manner is set as the undercut amount. From the obtained undercut amount value, the degree of undercut was evaluated according to the following criteria.
덧붙여, 어느 하나의 실시예 및 비교예도, <라인폭 1.0μm 스페이스폭 1.0μm의 라인 앤드 스페이스 패턴의 형성>, <라인폭 2.0μm 스페이스폭 2.0μm의 라인 앤드 스페이스 패턴의 형성> 및 <라인폭 4.0μm 스페이스폭 4.0μm의 라인 앤드 스페이스 패턴의 형성>에 있어서, 언더컷량은 동일했다.In addition, in any one of the embodiments and comparative examples, <Formation of a line-and-space pattern with a line width of 1.0 μm and a space width of 1.0 μm>, <Formation of a line-and-space pattern with a line width of 2.0 μm and a space width of 2.0 μm>, and <Formation of a line-and-space pattern with a line width of 4.0 μm and a space width of 4.0 μm>, the amount of undercut was the same.
<평가 기준><Evaluation criteria>
언더컷량(Wu)(기판 표면측에서의 레지스트 패턴의 침식량)이, 0.25μm 초과인 경우를 ◎로 판정하고, 0.20μm 이상 0.25μm 이하인 경우를 ○로 판정하고, 0.20μm 미만인 경우를 Х로 판정했다. 결과를 표 1~4에 나타낸다.When the undercut amount (Wu) (the amount of erosion of the resist pattern on the substrate surface side) exceeded 0.25 μm, it was judged as ◎, when it was 0.20 μm or more and 0.25 μm or less, it was judged as ○, and when it was less than 0.20 μm, it was judged as Х. The results are shown in Tables 1 to 4.
A2/0.75A1/0.75
A2/0.75
A3/0.75A2/0.75
A3/0.75
A4/0.75A3/0.75
A4/0.75
A2/0.75A1/0.75
A2/0.75
E2/0.05E1/0.05
E2/0.05
A3/0.75A2/0.75
A3/0.75
A4/0.75A3/0.75
A4/0.75
D3/40D1/20
D3/40
B4/20B1/40
B4/20
B4/20B1/80
B4/20
B5/20B1/80
B5/20
B6/20B1/80
B6/20
B7/20B1/80
B7/20
B10/20B1/80
B10/20
B4/20B1/40
B4/20
B4/20B1/80
B4/20
B5/20B1/80
B5/20
B6/20B1/80
B6/20
B7/20B1/80
B7/20
B8/20B1/80
B8/20
B9/20B1/80
B9/20
B10/20B1/80
B10/20
실시예 1~65에 의하면, 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 산 발생제(A)와, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 수지(B)와, 기판의 금속층에 대해서 배위할 수 있는 황 원자를 포함하는 함황 화합물(E)과, 산 확산 억제제(F)와, 유기 용제(S)를 포함하고, 함황 화합물(E)이, 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물을 포함하고, 또한, 상기 [요건 1]을 만족시키는(즉, 공정 1~공정 4에 의해 구해지는 산 발생제(A)의 분해율(%)이, 10 초과이다) 감광성 조성물은, 저온에서도, 표면에 금속층을 구비하는 기판 상에, 큰 언더컷이 형성된 단면 형상을 갖고, 또한, 기판에의 밀착성이 뛰어나서 기판으로부터의 벗겨짐이 억제된 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 것을 알 수 있었다.한편, 비교예 1~6에 의하면, 상기 [요건 1]을 만족시키지 않는 감광성 조성물이나, 함황 화합물(E)로서, 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물이나 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물의 호변이성체를 포함하지 않는 감광성 조성물은, 큰 언더컷이 형성된 단면 형상을 갖고 또한 기판에의 밀착성이 뛰어난 레지스트 패턴을 형성할 수 없는 것을 알 수 있었다.According to Examples 1 to 65, it was found that a photosensitive composition comprising an acid generator (A) that generates an acid by irradiation with active light or radiation, a resin (B) whose solubility in alkali increases by the action of the acid, a sulfur-containing compound (E) containing a sulfur atom capable of coordinating to a metal layer of a substrate, an acid diffusion inhibitor (F), and an organic solvent (S), wherein the sulfur-containing compound (E) contains a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group, and further satisfying the above [requirement 1] (i.e., the decomposition rate (%) of the acid generator (A) obtained by Steps 1 to 4 is more than 10), can form a resist pattern having a cross-sectional shape in which a large undercut is formed on a substrate having a metal layer on the surface even at a low temperature, and further having excellent adhesion to the substrate so that peeling from the substrate is suppressed. On the other hand, according to Comparative Examples 1 to 6, a photosensitive composition that does not satisfy the above [requirement 1] or a sulfur-containing It was found that a photosensitive composition that does not contain a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group or a tautomer of a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group as a compound (E) has a cross-sectional shape with a large undercut and cannot form a resist pattern having excellent adhesion to a substrate.
Claims (6)
활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 산 발생제(A)와, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대하는 수지(B)와, 상기 금속층에 대해서 배위할 수 있는 황 원자를 포함하는, 함황 화합물(E)과, 산 확산 억제제(F)와, 유기 용제(S)를 포함하고,
상기 함황 화합물(E)이, 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물, 또는 상기 머캅토기를 가지는 함질소 복소환 화합물의 호변이성체를 포함하고,
이하의 [요건 1]을 만족시키는, 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물.
[요건 1]
이하의 공정 1)~4)에 의해서 구해지는, 산 발생제(A)의 분해율(%)이, 10 초과이다.
1) 상기 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물을, 표면에 스퍼터링법에 의해 형성된 구리층을 가지는 기판에 도포함으로써, 두께 8.5μm의 수지막을 형성한다.
2) 상기 수지막이 형성된 상기 기판을, 140℃에서 300초간 가열한다.
3) 상기 가열 후의 상기 수지막의 일부를 깎아내고, 깎아낸 수지막을, 고형분 농도가 20 질량%가 되도록 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트에 용해시킨 후, 깎아낸 수지막의 질량의 15배의 질량의 아세토니트릴을 더하고, 침전물을 제외한 액을, 시험액으로 한다.
4) 상기 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물을 고형분 농도가 20 질량%가 되도록 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트로 희석한 후, 상기 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물의 고형분의 질량의 15배의 질량의 아세토니트릴을 더하고, 침전물을 제외한 액과, 상기 시험액을, 각각 액체 크로마토그래피로 분석하는 것에 의해, 하기 식(a)로 나타내는 산 발생제(A)의 분해율(%)을 구한다.
산 발생제(A)의 분해율(%) = (1-(x/y))Х100 ···(a)
(식(a) 중, x는, 수지막 중의 산 발생제(A)의 함유량(질량%)이며,
y는, 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물의 고형분 중의 산 발생제(A)의 함유량(질량%)이다.)A chemically amplified positive photosensitive composition that forms a pattern that serves as a mold for a process of forming a plated structure on a substrate having a metal layer on the surface,
An acid generator (A) that generates an acid by irradiation with active light or radiation, a resin (B) whose solubility in alkali increases by the action of the acid, a sulfur-containing compound (E) containing a sulfur atom capable of coordinating to the metal layer, an acid diffusion inhibitor (F), and an organic solvent (S).
The above sulfur-containing compound (E) comprises a nitrogen-containing heterocyclic compound having a mercapto group, or a tautomer of the nitrogen-containing heterocyclic compound having the mercapto group,
A chemically amplified positive photosensitive composition satisfying the following [requirement 1].
[Requirement 1]
The decomposition rate (%) of the acid generator (A) obtained by the following processes 1) to 4) is greater than 10.
1) By applying the chemically amplified positive photosensitive composition to a substrate having a copper layer formed on the surface by a sputtering method, a resin film having a thickness of 8.5 μm is formed.
2) The substrate on which the resin film is formed is heated at 140°C for 300 seconds.
3) After the heating, a portion of the resin film is shaved off, the shaved resin film is dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate so that the solid concentration becomes 20 mass%, and then acetonitrile in a mass 15 times the mass of the shaved resin film is added, and the liquid obtained by excluding the precipitate is used as a test solution.
4) After diluting the chemically amplified positive type photosensitive composition with propylene glycol monomethyl ether acetate so that the solid content concentration becomes 20 mass%, adding acetonitrile in a mass 15 times the mass of the solid content of the chemically amplified positive type photosensitive composition, analyzing the liquid from which the precipitate is removed and the test solution, respectively, by liquid chromatography, the decomposition rate (%) of the acid generator (A) represented by the following formula (a) is obtained.
Decomposition rate (%) of acid generator (A) = (1-(x/y))Х100 ···(a)
(In formula (a), x is the content (mass%) of the acid generator (A) in the resin film,
y is the content (mass%) of the acid generator (A) in the solid content of the chemically amplified positive photosensitive composition.)
상기 산 발생제(A)가, 치환기를 가지고 있어도 되는 쿠마린 골격에, -CO-NRa1-OSO2-Ra2(Ra1은 수소 원자 또는 탄화수소기를 나타내고, Ra2는 유기기를 나타낸다)가 결합한 쿠마린계 화합물을 포함하는, 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물. In claim 1,
A chemically amplified positive-type photosensitive composition, wherein the acid generator (A) comprises a coumarin compound in which a coumarin skeleton, which may have a substituent, is bonded with -CO-NR a1 -OSO 2 -R a2 (R a1 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group, and R a2 represents an organic group).
상기 공정 1)~4)에 의해서 구해지는, 산 발생제(A)의 분해율(%)이, 25 이상인, 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물. In claim 1,
A chemically amplified positive photosensitive composition having a decomposition rate (%) of an acid generator (A) of 25 or more, obtained by the above processes 1) to 4).
상기 수지(B)는, 폴리히드록시스티렌 수지(B2)를 포함하는, 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물. In claim 1,
The above resin (B) is a chemically amplified positive photosensitive composition containing a polyhydroxystyrene resin (B2).
상기 감광성층을, 60℃ 이상 130℃ 이하로 가열하는 공정과,
상기 가열 후의 상기 감광성층에, 활성 광선 또는 방사선을 위치 선택적으로 조사하는 공정과,
상기 조사 후의 상기 감광성층을 현상하여, 패턴 형상을 가지는, 도금 조형물을 형성하기 위한 주형을 작성하는 공정을 포함하는, 주형 부착 기판의 제조 방법. A process for laminating a photosensitive layer comprising a chemically amplified positive photosensitive composition according to any one of claims 1 to 4 on a substrate having a metal layer on the surface,
A process of heating the above photosensitive layer to a temperature of 60℃ or higher and 130℃ or lower,
A process of selectively irradiating the photosensitive layer with active light or radiation after the heating,
A method for manufacturing a mold-attached substrate, comprising a step of developing the photosensitive layer after the above investigation to create a mold for forming a plated structure having a pattern shape.
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PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20240311 |
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PG1501 | Laying open of application |