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KR20240129826A - A apparatus for supplying the radiofrequency power by multi-channel - Google Patents

A apparatus for supplying the radiofrequency power by multi-channel Download PDF

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KR20240129826A
KR20240129826A KR1020230022864A KR20230022864A KR20240129826A KR 20240129826 A KR20240129826 A KR 20240129826A KR 1020230022864 A KR1020230022864 A KR 1020230022864A KR 20230022864 A KR20230022864 A KR 20230022864A KR 20240129826 A KR20240129826 A KR 20240129826A
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KR
South Korea
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phase
signal
electrodes
units
signal generation
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Pending
Application number
KR1020230022864A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이혁수
Original Assignee
(주)에이에스이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)에이에스이 filed Critical (주)에이에스이
Priority to KR1020230022864A priority Critical patent/KR20240129826A/en
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Abstract

본 발명은 하나의 챔버 내에서 다수개의 전극에 대하여 프로세스 진행시 위상 제어부에서 내보낸 다수개의 RF 신호가 각각의 RF 신호 발생부를 거쳐 매칭 박스 출력단에서 보았을 때 원하는 위상의 신호인가를 확인하여 차이가 발생한 경우 자동으로 위상 차이를 보정해주는 위상 보정 RF 전원 공급장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 위상 보정 RF 전원 공급장치는, 하나의 챔버 내에 설치되는 다수개의 전극; 상기 다수개의 전극과 동일한 개수로 설치되며, 미리 정해진 주파수와 위상을 가지는 RF(Radio Frequency) 신호를 발생시키는 다수개의 RF 신호 발생부; 상기 다수개의 RF 신호 발생부와 다수개의 전극을 일대일로 연결하여, 상기 다수개의 전극에 대하여 각각 상기 RF 신호를 인가하는 다수개의 RF 신호 인가부;상기 다수개의 RF 신호 인가부에 각각 설치되며, 상기 전극에서 전달되는 반사파를 센싱하고 상기 반사파가 "0" 이 되도록 자동으로 임피던스 매칭 기능을 수행하는 다수개의 매칭 박스; 상기 다수개의 매칭 박스 마다 설치되며, 상기 RF 신호 발생부에서 인가되는 RF 신호의 위상을 감지하는 다수개의 위상 감지부; 상기 다수개의 RF 신호 발생부에 각각 연결되도록 설치되며, 상기 다수개의 위상 감지부에 의하여 감지된 RF 신호의 위상 차이를 반영하여 상기 다수개의 RF 신호 발생부에 대하여 발생되는 RF 신호를 보정하는 위상 보정부;를 포함한다. The present invention relates to a phase correction RF power supply device which checks whether a plurality of RF signals output from a phase control unit, when a process is performed on a plurality of electrodes in a single chamber, are signals of a desired phase when viewed at a matching box output terminal through each RF signal generator, and automatically corrects the phase difference if a difference occurs. The phase correction RF power supply device according to the present invention comprises: a plurality of electrodes installed in a single chamber; a plurality of RF signal generators which are installed in the same number as the plurality of electrodes and generate RF (Radio Frequency) signals having a predetermined frequency and phase; a plurality of RF signal application units which connect the plurality of RF signal generation units and the plurality of electrodes one-to-one and apply the RF signals to the plurality of electrodes respectively; a plurality of matching boxes which are respectively installed in the plurality of RF signal application units and sense a reflected wave transmitted from the electrodes and automatically perform an impedance matching function so that the reflected wave becomes "0"; a plurality of phase detection units which are installed in each of the plurality of matching boxes and detect the phase of the RF signal applied from the RF signal generation units; It includes a phase correction unit that is installed to be respectively connected to the plurality of RF signal generation units and corrects the RF signal generated for the plurality of RF signal generation units by reflecting the phase difference of the RF signal detected by the plurality of phase detection units.

Figure P1020230022864
Figure P1020230022864

Description

위상 보정 RF 전원 공급장치{A APPARATUS FOR SUPPLYING THE RADIOFREQUENCY POWER BY MULTI-CHANNEL}{A APPARATUS FOR SUPPLYING THE RADIOFREQUENCY POWER BY MULTI-CHANNEL}

본 발명은 위상 보정 RF 전원 공급장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 하나의 챔버 내에서 다수개의 전극에 대한 프로세스 진행시 위상 제어부에서 내보낸 다수개의 RF 신호가 각각의 RF 신호 발생부를 거쳐 매칭 박스 출력단에서 보았을 때 원하는 위상의 신호인가를 확인하여 차이가 발생한 경우 자동으로 위상 차이를 보정해주는 위상 보정 RF 전원 공급장치에 관한 것이다. The present invention relates to a phase correction RF power supply, and more specifically, to a phase correction RF power supply which, when a process is performed on a plurality of electrodes in a single chamber, checks whether a plurality of RF signals sent from a phase control unit are signals of a desired phase when viewed at a matching box output terminal through each RF signal generation unit, and automatically corrects the phase difference if a difference occurs.

플라즈마(Plasma)는 같은 수의 양이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 플라즈마 방전은 이온, 자유 래디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 집적 회로 장치, 액정 디스플레이, 태양 전지 등과 같은 장치를 제조하기 위한 여러 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각(etching), 증착(deposition), 세정(cleaning), 에싱(ashing) 등에 다양하게 사용된다.Plasma is a highly ionized gas containing an equal number of positive ions and electrons. Plasma discharge is used here to generate an activated gas containing ions, free radicals, atoms, and molecules. Active gases are widely used in various fields and are used in various semiconductor manufacturing processes such as etching, deposition, cleaning, and ashing to manufacture devices such as integrated circuit devices, liquid crystal displays, and solar cells.

플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 소스는 여러 가지가 있는데 무선 주파수(radio frequency)를 사용한 용량 결합 플라즈마(capacitive coupled plasma)와 유도 결합 플라즈마(inductive coupled plasma)가 그 대표적인 예이다. There are several plasma sources for generating plasma, representative examples of which are capacitive coupled plasma and inductive coupled plasma using radio frequency.

일반적으로, 이러한 플라즈마 처리 장치(1)는 도 1에 도시된 바와 같이, 진공 챔버로서 구성되는 플라즈마 챔버(3) 내에 상부 전극(5)과 하부 전극(7)을 평행하게 배치하고, 하부 전극(7) 상에 피처리 기판(2)(반도체 웨이퍼, 유리 기판 등)을 탑재한다. In general, such a plasma processing device (1) places an upper electrode (5) and a lower electrode (7) in parallel within a plasma chamber (3) configured as a vacuum chamber, as shown in Fig. 1, and mounts a substrate (2) to be processed (semiconductor wafer, glass substrate, etc.) on the lower electrode (7).

상부 전극(5)은 전원 공급원(10)과 임피던스 정합기(12)가 연결되어 전원 공급원(10)으로부터 고주파가 인가된다. 그러면, 양 전극의 사이에서 고주파 전계에 의해서 가속된 전자, 전극으로부터 방출된 2차 전자, 혹은 가열된 전자가 처리 가스의 분자와 전리 충돌을 일으켜, 처리 가스의 플라즈마가 발생하고, 플라즈마 중의 래디컬이나 이온에 의해서 기판 표면에 원하는 미세가공 예를 들면 에칭 가공이 실시된다.The upper electrode (5) is connected to a power supply source (10) and an impedance matcher (12), and a high frequency is applied from the power supply source (10). Then, electrons accelerated by the high frequency electric field between the two electrodes, secondary electrons emitted from the electrode, or heated electrons cause ionizing collisions with molecules of the processing gas, thereby generating plasma of the processing gas, and desired microprocessing, such as etching processing, is performed on the substrate surface by radicals or ions in the plasma.

그런데, 반도체 프로세스 기술에 있어서의 디바이스의 미세화·고집적화에 수반하여, 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치에 있어서는 더욱 고효율·고밀도·저바이어스의 플라즈마 프로세스가 요구되고 있고, 그를 위해서는 플라즈마 생성에 이용하는 고주파의 주파수를 가능한 한 높게 하는 것이 오늘날의 트렌드이다. 한편, 피처리 기판 사이즈의 대면적화, 기판의 대구경화에 수반하여, 더욱 큰 구경의 플라즈마가 요구되고 있으며, 챔버(처리 용기)가 점점 대형화되고 있다.However, with the miniaturization and high integration of devices in semiconductor process technology, a plasma process with higher efficiency, higher density, and lower bias is required in capacitively coupled plasma processing devices, and to this end, the current trend is to increase the frequency of the high frequency used for plasma generation as much as possible. On the other hand, with the enlargement of the size of the substrate to be processed and the enlargement of the substrate diameter, a plasma with a larger diameter is required, and the chamber (processing container) is becoming larger and larger.

여기서 문제로 되는 것은 챔버 처리공간 내에서 플라즈마 밀도를 균일하게 하는 것이 매우 어렵다는 것이다. 즉, 방전용의 RF 주파수가 높아지면, 챔버 내에 정재파가 형성되는 파장 효과나 전극 표면에서 고주파가 중심부에 집중하는 표피 효과 등에 의해서, 대략 기판 상에서 중심부가 극대하게 되고 에지부가 가장 낮아져 플라즈마의 밀도가 불균일하게 된다.The problem here is that it is very difficult to make the plasma density uniform within the chamber processing space. That is, when the RF frequency for discharge increases, the center becomes the maximum on the substrate and the edge becomes the lowest due to the wave effect that forms standing waves within the chamber or the skin effect that concentrates high frequencies at the center on the electrode surface, so the plasma density becomes uneven.

이러한 문제점을 해결하기 위해 상부 전극(5)을 다중으로 분할함으로써 플라즈마 밀도를 균일하게 하는 기술이 개시되고 있다. 또한 크린룸 건설에 막대한 비용이 소요되므로 좁은 면적에서 많은 수의 피처리 기판(반도체 웨이퍼, 유리 기판 등)을 빠르게 처리하여 생산성 증가에 따른 원가 절감의 필요성이 대두되고 있다. 따라서 하나의 챔버 내에 다수개의 리액터를 설치하여 많은 수의 피처리 기판을 동시에 처리할 수 있도록 하는 기술이 필요하다. In order to solve these problems, a technology is disclosed to make the plasma density uniform by dividing the upper electrode (5) into multiple parts. In addition, since the construction of a clean room requires a huge cost, there is a growing need to reduce costs by quickly processing a large number of substrates to be processed (semiconductor wafers, glass substrates, etc.) in a small area and thereby increase productivity. Therefore, a technology is required to install multiple reactors in one chamber so that a large number of substrates to be processed can be processed simultaneously.

이렇게 하나의 챔버 내에서 다수개의 전극을 사용하면, 동일한 위상의 다수개의 RF 신호가 출력되어도 각 RF 전원 발생부와 매칭 박스를 거치며 발생하는 딜레이(Delay)에 의해서 각 RF 신호에 미세한 위상 차이가 발생하고 그 위상차에 따라 서로에게 미치는 영향이 발생하여 결과적으로 플라즈마 공정에 영향을 미치는 심각한 문제점이 발생한다.When multiple electrodes are used in a single chamber, even if multiple RF signals of the same phase are output, a slight phase difference occurs in each RF signal due to the delay that occurs as they pass through each RF power generator and matching box, and depending on the phase difference, they affect each other, resulting in a serious problem that affects the plasma process.

본 발명의 해결하고자 하는 기술적 과제는 하나의 챔버 내에서 다수개의 전극을 사용하여 프로세스 진행시 위상 제어부에서 내보낸 다수개의 RF 신호가 각각의 RF 신호 발생부를 거쳐 매칭 박스 출력단에서 보았을 때 원하는 위상의 신호인가를 확인하여 차이가 발생한 경우 자동으로 위상 차이를 보정해주는 위상 보정 RF 전원 공급장치를 제공하는 것이다. The technical problem to be solved by the present invention is to provide a phase correction RF power supply device that checks whether a plurality of RF signals sent from a phase control unit are signals of a desired phase when viewed at the output terminal of a matching box through each RF signal generation unit when a process is performed using a plurality of electrodes in one chamber, and automatically corrects the phase difference if a difference occurs.

전술한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 위상 보정 RF 전원 공급장치는, 하나의 챔버 내에 설치되는 다수개의 전극; 상기 다수개의 전극과 동일한 개수로 설치되며, 미리 정해진 주파수와 위상을 가지는 RF(Radio Frequency) 신호를 발생시키는 다수개의 RF 신호 발생부; 상기 다수개의 RF 신호 발생부와 다수개의 전극을 일대일로 연결하여, 상기 다수개의 전극에 대하여 각각 상기 RF 신호를 인가하는 다수개의 RF 신호 인가부;상기 다수개의 RF 신호 인가부에 각각 설치되며, 상기 전극에서 전달되는 반사파를 센싱하고 상기 반사파가 "0" 이 되도록 자동으로 임피던스 매칭 기능을 수행하는 다수개의 매칭 박스; 상기 다수개의 매칭 박스 마다 설치되며, 상기 RF 신호 발생부에서 인가되는 RF 신호의 위상을 감지하는 다수개의 위상 감지부; 상기 다수개의 RF 신호 발생부에 각각 연결되도록 설치되며, 상기 다수개의 위상 감지부에 의하여 감지된 RF 신호의 위상 차이를 반영하여 상기 다수개의 RF 신호 발생부에 대하여 발생되는 RF 신호를 보정하는 위상 보정부;를 포함한다. In order to solve the above-described technical problem, the phase correction RF power supply device according to the present invention comprises: a plurality of electrodes installed in one chamber; a plurality of RF signal generators installed in the same number as the plurality of electrodes and generating an RF (Radio Frequency) signal having a predetermined frequency and phase; a plurality of RF signal application units connecting the plurality of RF signal generators and the plurality of electrodes one-to-one and applying the RF signal to each of the plurality of electrodes; a plurality of matching boxes installed respectively in the plurality of RF signal application units and sensing a reflected wave transmitted from the electrodes and automatically performing an impedance matching function so that the reflected wave becomes "0"; a plurality of phase detection units installed in each of the plurality of matching boxes and detecting a phase of an RF signal applied from the RF signal generation units; and a phase correction unit installed so as to be respectively connected to the plurality of RF signal generation units and correcting an RF signal generated for the plurality of RF signal generation units by reflecting a phase difference of an RF signal detected by the plurality of phase detection units.

그리고 본 발명에서 상기 위상 보정부는, 상기 다수개의 위상 감지부에 의하여 감지된 위상 정보에 차이가 발생하는 경우 그 위상 차이를 보정하여 동일한 위상의 RF 신호가 상기 다수개의 RF 신호 발생부에서 인가되도록 하는 것이 바람직하다. And in the present invention, it is preferable that the phase correction unit corrects the phase difference when a difference occurs in the phase information detected by the plurality of phase detection units so that an RF signal of the same phase is applied from the plurality of RF signal generation units.

또한 본 발명에서 상기 위상 보정부는, 상기 다수개의 위상 감지부에 의하여 감지된 위상 정보에 따라 각 RF 신호 발생부에서 미세한 위상 차이가 발생하도록 상기 RF 신호 발생부를 제어하는 것이 바람직하다. In addition, in the present invention, it is preferable that the phase correction unit controls the RF signal generation unit so that a minute phase difference occurs in each RF signal generation unit according to the phase information detected by the plurality of phase detection units.

본 발명의 위상 보정 RF 전원 공급장치에 따르면 하나의 챔버 내에 설치되는 다수개의 전극에 공급되는 각 RF 신호의 위상을 동일하게 유지할 수 있어서 하나의 챔버 내에 설치되는 다수개의 전극에 의하여 균일한 플라즈마 공정을 구현할 수 있는 장점이 있다. According to the phase correction RF power supply of the present invention, the phase of each RF signal supplied to a plurality of electrodes installed in one chamber can be maintained identically, so that a uniform plasma process can be implemented by a plurality of electrodes installed in one chamber.

도 1은 일반적인 플라즈마 처리장치의 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 보정 RF 전원 공급장치의 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다.
Figure 1 is a drawing schematically illustrating the configuration of a typical plasma processing device.
FIG. 2 is a diagram schematically illustrating the configuration of a phase-compensated RF power supply according to one embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

본 실시예에 따른 위상 보정 RF 전원 공급장치(100)는 도 2에 도시된 바와 같이, 다수개의 전극(110), 다수개의 RF 신호 발생부(120), 다수개의 매칭 박스(140), 다수개의 위상 감지부(150) 및 위상 보정부(160)을 포함하여 구성할 수 있다. The phase correction RF power supply (100) according to the present embodiment may be configured to include a plurality of electrodes (110), a plurality of RF signal generators (120), a plurality of matching boxes (140), a plurality of phase detection units (150), and a phase correction unit (160), as shown in FIG. 2.

먼저 전극(110)은 도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 챔버(101) 내에 다수개가 서로 이격된 상태로 나란히 설치되어, 동일한 RF 전원이 인가되는 구성요소이다. First, as shown in Fig. 2, the electrodes (110) are components that are installed side by side in a spaced manner within one chamber (101) and to which the same RF power is applied.

다음으로 상기 다수개의 RF 신호 발생부(120)는 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 다수개의 전극(110)과 동일한 개수로 설치되며, 미리 정해진 주파수와 위상을 가지는 RF(Radio Frequency) 신호를 발생시키는 구성요소이다. 이러한 RF 신호 발생부(120)는 일반적으로 알려진 RF 제너레이터(generator)를 채용할 수 있으며, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다. Next, the above-described multiple RF signal generating units (120) are installed in the same number as the above-described multiple electrodes (110), as shown in FIG. 2, and are components that generate RF (Radio Frequency) signals having a predetermined frequency and phase. The RF signal generating units (120) can employ a generally known RF generator, and a detailed description thereof is omitted.

다음으로 상기 RF 신호 인가부(130)는 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 다수개의 RF 신호 발생부(120)와 다수개의 전극(110)을 일대일로 연결하여, 상기 다수개의 전극(110)에 대하여 각각 동일한 RF 신호를 인가하는 구성요소이다. 상기 다수개의 RF 신호 인가부(130)들은 연결 도선 길이 등 상기 RF 신호 발생부(120)와의 연결 조건이 모두 동일하게 설치되는 것이 동일한 RF 신호 인가에 적합하므로 바람직하다. Next, as shown in Fig. 2, the RF signal application unit (130) is a component that connects the plurality of RF signal generation units (120) and the plurality of electrodes (110) one-to-one and applies the same RF signal to each of the plurality of electrodes (110). It is preferable that the plurality of RF signal application units (130) be installed so that the connection conditions with the RF signal generation unit (120), such as the length of the connecting wire, are all the same, as this is suitable for applying the same RF signal.

다음으로 상기 매칭 박스(140)는 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 다수개의 RF 신호 인가부(130)에 각각 설치되며, 상기 전극(110)에서 전달되는 반사파를 센싱하고 상기 반사파가 "0" 이 되도록 자동으로 임피던스 매칭(matching) 기능을 수행하는 구성요소이다. Next, the matching box (140) is installed in each of the plurality of RF signal application units (130), as shown in FIG. 2, and is a component that senses the reflected wave transmitted from the electrode (110) and automatically performs an impedance matching function so that the reflected wave becomes “0”.

상기 매칭 박스(140)도 상기 전극(110)과 동일한 개수로 각각 설치되며, 상기 RF 신호 발생부(120)의 출력에 대응하여 상기 전극(110)에서 반사되어 전달되는 반사파를 센싱하고 가변 네트워크를 이용하여 상기 반사파가 "0" 이 되도록 자동으로 임피던스 매칭 기능을 수행할 수 있는 다양한 구조를 가질 수 있다. The above matching boxes (140) are also installed in the same number as the electrodes (110), and can have various structures capable of sensing the reflected wave reflected and transmitted from the electrodes (110) in response to the output of the RF signal generating unit (120) and automatically performing an impedance matching function using a variable network so that the reflected wave becomes “0”.

다음으로 상기 위상 감지부(150)는 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 다수개의 매칭 박스(140)의 출력단 마다 설치되며, 상기 RF 신호 발생부(120)에서 인가되는 RF 신호의 위상을 실시간으로 감지하는 구성요소이다. 즉, 상기 다수개의 위상 감지부(150)는 상기 다수개의 매칭 박스(140) 출력단에서 보았을 때, 원하는 위상(Phase)의 RF 신호인가를 확인하고 그 감지 정보를 상기 위상 보정부(160)에 제공하는 것이다. Next, the phase detection unit (150) is installed at each output terminal of the plurality of matching boxes (140), as illustrated in FIG. 2, and is a component that detects the phase of the RF signal applied from the RF signal generation unit (120) in real time. That is, the plurality of phase detection units (150) confirm whether the RF signal is of a desired phase when viewed from the output terminal of the plurality of matching boxes (140) and provides the detection information to the phase correction unit (160).

본 실시예에서 상기 위상 감지부(150)는 일반적인 Phase Detection Sensor로 구성될 수 있다. In this embodiment, the phase detection unit (150) may be configured as a general phase detection sensor.

다음으로 상기 위상 보정부(160)는 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 다수개의 RF 신호 발생부(120)에 각각 연결되도록 설치되며, 상기 다수개의 위상 감지부(150)에 의하여 감지된 RF 신호의 위상 차이를 반영하여 상기 다수개의 RF 신호 발생부(120)에 대하여 발생되는 RF 신호를 보정하는 구성요소이다. Next, the phase correction unit (160) is installed so as to be connected to each of the plurality of RF signal generation units (120), as illustrated in FIG. 2, and is a component that corrects RF signals generated for the plurality of RF signal generation units (120) by reflecting the phase difference of RF signals detected by the plurality of phase detection units (150).

즉, 상기 위상 보정부(160)는 상기 다수개의 위상 감지부(150)에 의하여 감지된 각 RF 신호에서 위상 정보에 차이가 발생하는 것으로 감지되는 경우 각 출력 간의 위상 차이를 계산하여 그 차이 만큼 출력을 보정하여 동일한 위상의 RF 신호가 상기 다수개의 RF 신호 발생부(120)에서 인가되도록 하는 것이다. That is, when the phase correction unit (160) detects that there is a difference in phase information in each RF signal detected by the plurality of phase detection units (150), it calculates the phase difference between each output and corrects the output by that difference so that RF signals of the same phase are applied from the plurality of RF signal generation units (120).

이렇게 되면 챔버(101) 내의 다수개의 전극(110)에 공급되는 각 RF 신호의 위상을 동일하게 유지할 수 있어서 하나의 챔버(10) 내에 설치되는 다수개의 전극(110)에 의하여 균일한 플라즈마 공정을 구현할 수 있는 장점이 있다. In this way, the phase of each RF signal supplied to a plurality of electrodes (110) within the chamber (101) can be maintained identically, so there is an advantage in that a uniform plasma process can be implemented by a plurality of electrodes (110) installed within one chamber (10).

한편 본 실시예에 따른 상기 위상 보정부(160)는 모든 출력단에서 동일한 위상의 RF 신호가 인가되도록 위상을 조정하는 것이 아니라, 상기 다수개의 위상 감지부(150)에 의하여 감지된 위상 정보에 따라 각 RF 신호 발생부(120)에서 미세한 위상 차이가 발생하도록 상기 RF 신호 발생부(120)를 제어할 수도 있다. Meanwhile, the phase correction unit (160) according to the present embodiment may not adjust the phase so that RF signals of the same phase are applied to all output terminals, but may control the RF signal generation unit (120) so that a slight phase difference occurs in each RF signal generation unit (120) according to phase information detected by the plurality of phase detection units (150).

다수개의 전극(110)에서 이루어지는 플라즈마 공정에서 각 전극별로 위상 차이가 발생하도록 RF 신호를 제어할 공정상의 필요성이 있는 경우, 필요한 위상차 만큼 치이가 발생하도록 상기 위상 보정부(160)가 각 RF 신호의 위상을 미세하게 제어하는 것이다. In a plasma process performed on a plurality of electrodes (110), if there is a process-related need to control RF signals so that a phase difference occurs for each electrode, the phase correction unit (160) finely controls the phase of each RF signal so that a difference equal to the required phase difference occurs.

100 : 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 보정 RF 전원 공급장치
110 : 다수개의 전극 120 : 다수개의 RF 신호 발생부
130 : 다수개의 RF 신호인가부 140 : 다수개의 매칭 박스
150 : 다수개의 위상 감지부 160 : 위상 보정부
100: Phase-compensated RF power supply according to one embodiment of the present invention
110: Multiple electrodes 120: Multiple RF signal generators
130: Multiple RF signal input section 140: Multiple matching boxes
150: Multiple phase detection units 160: Phase correction unit

Claims (3)

하나의 챔버 내에 설치되는 다수개의 전극;
상기 다수개의 전극과 동일한 개수로 설치되며, 미리 정해진 주파수와 위상을 가지는 RF(Radio Frequency) 신호를 발생시키는 다수개의 RF 신호 발생부;
상기 다수개의 RF 신호 발생부와 다수개의 전극을 일대일로 연결하여, 상기 다수개의 전극에 대하여 각각 상기 RF 신호를 인가하는 다수개의 RF 신호 인가부;상기 다수개의 RF 신호 인가부에 각각 설치되며, 상기 전극에서 전달되는 반사파를 센싱하고 상기 반사파가 "0" 이 되도록 자동으로 임피던스 매칭 기능을 수행하는 다수개의 매칭 박스;
상기 다수개의 매칭 박스 마다 설치되며, 상기 RF 신호 발생부에서 인가되는 RF 신호의 위상을 감지하는 다수개의 위상 감지부;
상기 다수개의 RF 신호 발생부에 각각 연결되도록 설치되며, 상기 다수개의 위상 감지부에 의하여 감지된 RF 신호의 위상 차이를 반영하여 상기 다수개의 RF 신호 발생부에 대하여 발생되는 RF 신호를 보정하는 위상 보정부;를 포함하는 위상 보정 RF 전원 공급장치.
Multiple electrodes installed within one chamber;
A plurality of RF signal generators installed in the same number as the above plurality of electrodes and generating RF (Radio Frequency) signals having a predetermined frequency and phase;
A plurality of RF signal applying units that connect the plurality of RF signal generating units and the plurality of electrodes one-to-one and apply the RF signals to the plurality of electrodes respectively; A plurality of matching boxes that are respectively installed in the plurality of RF signal applying units and sense the reflected waves transmitted from the electrodes and automatically perform an impedance matching function so that the reflected waves become "0";
A plurality of phase detection units installed in each of the above plurality of matching boxes and detecting the phase of an RF signal applied from the RF signal generation unit;
A phase correction RF power supply device including a phase correction unit that is installed to be respectively connected to the plurality of RF signal generation units and corrects RF signals generated for the plurality of RF signal generation units by reflecting the phase difference of RF signals detected by the plurality of phase detection units.
제1항에 있어서, 상기 위상 보정부는,
상기 다수개의 위상 감지부에 의하여 감지된 위상 정보에 차이가 발생하는 경우 그 위상 차이를 보정하여 동일한 위상의 RF 신호가 상기 다수개의 RF 신호 발생부에서 인가되도록 하는 것을 특징으로 하는 위상 보정 RF 전원 공급장치.
In the first paragraph, the phase correction unit,
A phase correction RF power supply device characterized in that, when a difference occurs in the phase information detected by the plurality of phase detection units, the phase difference is corrected so that an RF signal of the same phase is applied from the plurality of RF signal generation units.
제2항에 있어서, 상기 위상 보정부는,
상기 다수개의 위상 감지부에 의하여 감지된 위상 정보에 따라 각 RF 신호 발생부에서 미세한 위상 차이가 발생하도록 상기 RF 신호 발생부를 제어하는 것을 특징으로 하는 다중 채널 펄스 RF 전원 공급 장치.
In the second paragraph, the phase correction unit,
A multi-channel pulse RF power supply device characterized in that the RF signal generation unit is controlled so that a minute phase difference is generated in each RF signal generation unit according to the phase information detected by the plurality of phase detection units.
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