[go: up one dir, main page]

KR20240129758A - 아릴아민 화합물, 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 전자 기기 - Google Patents

아릴아민 화합물, 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 전자 기기 Download PDF

Info

Publication number
KR20240129758A
KR20240129758A KR1020230022722A KR20230022722A KR20240129758A KR 20240129758 A KR20240129758 A KR 20240129758A KR 1020230022722 A KR1020230022722 A KR 1020230022722A KR 20230022722 A KR20230022722 A KR 20230022722A KR 20240129758 A KR20240129758 A KR 20240129758A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
unsubstituted
substituted
organic
general formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
KR1020230022722A
Other languages
English (en)
Inventor
고키 가세
재건 임
영태 최
흥섭 신
준이치 이즈미다
슈이치 하야시
Original Assignee
호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 filed Critical 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤
Priority to KR1020230022722A priority Critical patent/KR20240129758A/ko
Priority to TW113105721A priority patent/TW202448858A/zh
Priority to PCT/IB2024/051550 priority patent/WO2024176075A1/ko
Publication of KR20240129758A publication Critical patent/KR20240129758A/ko
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
    • C07D209/86—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to carbon atoms of the ring system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H10K50/181—Electron blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Indole Compounds (AREA)

Abstract

본 발명의 목적은 고효율, 고내구성의 유기 EL 소자용 재료로서, 정공 주입·수송 성능이 우수하며, 전자 저지 능력을 갖고, 박막 상태에서의 안정성이 높은 우수한 특성을 갖는 유기 화합물을 제공하고, 또한 이 화합물을 사용하여, 고효율, 고내구성의 유기 EL 소자를 제공하는 데 있다.
본 발명의 아릴아민 화합물은 내열성이 우수하고, 또한 양호한 정공 수송 능력을 갖는다. 유기 EL 소자의 정공 수송층, 전자 저지층, 발광층 및 정공 주입층에 당해 화합물을 사용한 유기 EL 소자는 양호한 소자 특성을 나타낸다.

Description

아릴아민 화합물, 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 전자 기기{ARYLAMINE COMPOUND, ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT, AND ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 각종 표시 장치에 적합한 자발광 소자인 유기 일렉트로루미네센스 소자(이하, 유기 EL 소자로 약칭한다.)에 적합한 화합물과 소자에 관한 것이고, 상세하게는 아릴아민 화합물과, 해당 화합물을 사용한 유기 EL 소자에 관한 것이다.
유기 EL 소자는 자발광성 소자이기 때문에, 액정 소자에 비해서 밝아 시인 성이 우수하고, 선명한 표시가 가능하므로, 활발한 연구가 이루어져 왔다.
1987년에 이스트만·코닥사의 C.W.Tang 등은, 각종 역할을 각 재료에 분담한 적층 구조 소자를 개발함으로써, 유기 재료를 사용한 유기 EL 소자를 실용적인 것으로 하였다. 그들은 전자를 수송할 수 있는 형광체와 정공을 수송할 수 있는 유기물을 적층하고, 양쪽의 전하를 형광체의 층 안에 주입해서 발광시킴으로써, 10V 이하의 전압으로 1000cd/㎡ 이상의 고휘도를 얻고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조).
현재까지, 유기 EL 소자의 실용화를 위해 많은 개량이 이루어지고, 적층 구조의 각종 역할을 더욱 세분화하여, 기판 상에 순차적으로, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 음극을 마련한 전계 발광 소자에 의해 고효율과 내구성이 달성되게 되어 왔다(예를 들어, 비특허문헌 1 참조).
또한, 발광 효율의 가일층의 향상을 목적으로 하여 삼중항 여기자의 이용이 시도되어, 인광 발광성 화합물의 이용이 검토되고 있다(예를 들어, 비특허문헌 2 참조). 또한, 열 활성화 지연 형광(TADF)에 의한 발광을 이용하는 소자도 개발되고 있고, 2011년에 규슈 대학의 아다치 등은, 열 활성화 지연 형광 재료를 사용한 소자에 의해 5.3%의 외부 양자 효율을 실현시켰다(예를 들어, 비특허문헌 3 참조).
발광층은, 일반적으로 호스트 재료로 칭해지는 전하 수송성의 화합물에, 형광성 화합물이나 인광 발광성 화합물 또는 지연 형광을 방사하는 재료를 도프해서 제작할 수도 있다. 상기 비특허문헌에 기재되어 있는 바와 같이, 유기 EL 소자에 있어서의 유기 재료의 선택은, 그 소자의 효율이나 내구성 등 여러 특성에 큰 영향을 준다(예를 들어, 비특허문헌 1 내지 3 참조).
유기 EL 소자에 있어서는, 양 전극으로부터 주입된 전하가 발광층에서 재결합해서 발광이 얻어지지만, 정공, 전자의 양 전하를 어떻게 효율적으로 발광층에 전달할지가 중요하며, 캐리어 밸런스가 우수한 소자로 할 필요가 있다. 그러므로, 양극으로부터 주입된 정공을 발광층에 공급하는 정공 주입성을 높이고, 음극으로부터 주입된 전자를 블록하는 전자 저지성을 높이는 특성을 갖는 재료를 사용함으로써, 발광층 내에서 정공과 전자가 재결합할 확률을 향상시키고, 나아가서 발광층 내에서 생성한 여기자를 가둠으로써, 고발광 효율을 얻을 수 있다. 그러기 위해서는, 정공 수송 재료가 행하는 역할은 중요하며, 정공 주입성이 높고, 정공의 이동도가 크고, 전자 저지성이 높고, 나아가 전자에 대한 내구성이 높은 정공 수송 재료가 요구되고 있다.
또한, 소자의 수명에 관해서는 재료의 내열성이나 비정질성도 중요하다. 내열성이 낮은 재료에서는, 소자 구동 시에 발생하는 열에 의해, 낮은 온도에서도 열분해가 일어나서, 재료가 열화된다. 비정질성이 낮은 재료에서는, 짧은 시간으로도 박막의 결정화가 일어나서, 소자가 열화되어버린다. 그 때문에, 사용하는 재료에는 내열성이 높고, 비정질성이 양호한 성질이 요구된다.
지금까지 유기 EL 소자에 사용되어 온 정공 수송 재료로서는, N,N'-디페닐-N,N'-디(α-나프틸)벤지딘(NPD)이나 다양한 방향족 아민 유도체가 있다(예를 들어, 특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조). 그러나, NPD는 양호한 정공 수송 능력을 갖고 있지만, 내열성의 지표가 되는 유리 전이점(Tg)이 96℃로 낮고, 고온 조건 하에서는 결정화에 의한 소자 특성의 저하가 일어난다(예를 들어, 비특허문헌 4 참조).
또한, 상기 특허문헌에 기재된 방향족 아민 유도체 중에는, 정공의 이동도가 10-3㎠/Vs 이상으로 우수한 이동도를 갖는 화합물이 있지만(예를 들어, 특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조), 전자 저지성이 불충분하기 때문에, 전자의 일부가 발광층을 빠져 나가버려, 발광 효율의 향상을 기대할 수 없는 등, 가일층의 고효율화를 위해서는, 보다 전자 저지성이 높고, 박막이 보다 안정되고 내열성이 높은 재료가 요구되고 있었다. 또한, 내구성이 높은 방향족 아민 유도체의 보고가 있지만(예를 들어, 특허문헌 3 참조), 전자 사진 감광체에 사용되는 전하 수송 재료로서 사용한 것으로, 유기 EL 소자로서 사용한 예는 없었다.
이 문제점을 해결하기 위해, 내열성이나 정공 주입성 등의 특성을 개량한 화합물로서, 치환 카르바졸 구조나 아릴아민 화합물이 제안되고 있지만(예를 들어, 특허문헌 4 및 특허문헌 5 참조), 이들 화합물을 정공 주입층 또는 정공 수송층에 사용한 소자에서는, 소자 수명이나 발광 효율 등의 개량은 되어 있지만, 아직 충분하다고는 할 수 없고, 가일층의 저구동 전압화나 고발광 효율화 및 소자의 장수명화가 요구되고 있다.
미국 특허 제5792557호 명세서 미국 특허 제5639914호 명세서 미국 특허 제7759030호 명세서 일본 특허공개 제2009-076817호 공보 일본 특허 제6674892호 공보 유럽 특허 제2684932호 명세서 한국 특허 제10-2452568호 명세서 한국 특허 제10-2242490호 명세서
응용 물리학회 제9회 강습회 예고집 55 내지 61페이지(2001) 응용 물리학회 제9회 강습회 예고집 23 내지 31페이지(2001) Appl. Phys. Let., 98, 083302(2011) 유기 EL 토론회 제3회 예회 예고집 13 내지 14페이지(2006)
본 발명의 목적은, 고효율, 고내구성의 유기 EL 소자용 재료로서, (1) 정공의 주입·수송 성능이 우수하고, (2) 전자 저지 능력을 갖고, (3) 박막 상태에서의 안정성이 높고, (4) 내구성이 우수한 유기 EL 소자용의 재료를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 재료를 사용함으로써, (1) 발광 효율 및 전력 효율이 높고, (2) 발광 개시 전압 및 실용 구동 전압이 낮고, (3) 장수명인 유기 EL 소자를 제공하는 것이다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해서, 아릴아민 화합물이, 정공의 주입·수송 능력, 박막의 안정성 및 내구성이 우수한 점에 착안하여, 카르바졸릴기의 치환 위치 및 치환기의 최적화를 추구함으로써, 재료의 특성을 비약적으로 향상시킬 수 있었다. 또한, 유기 EL 소자에 있어서도, 발광 효율 및 전력 효율의 성능이 향상되어, 발광 개시 전압 및 실용 구동 전압의 억제를 가능하게 하여, 종래의 수명을 상회하는 장수명화를 실현시킬 수 있으며, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명에 따르면, 이하의 아릴아민 화합물 및 그것을 사용한 유기 EL 소자와 전자 기기가 제공된다.
1) 하기 일반식 (A)로 표시되는, 아릴아민 화합물.
Figure pat00001
(상기 일반식 (A)에 있어서의, A, B는,
치환 혹은 비치환된 방향족 탄화수소기,
치환 혹은 비치환된 방향족 복소환기,
또는 치환 혹은 비치환된 축합 다환 방향족기를 나타내고,
L1 내지 L4는,
단결합,
치환 혹은 비치환된 2가의 방향족 탄화수소기,
치환 혹은 비치환된 2가의 방향족 복소환기,
또는 치환 혹은 비치환된 2가의 축합 다환 방향족기를 나타내고,
R은 각각, 동일하거나 상이해도 되는,
수소 원자, 중수소 원자,
치환 혹은 비치환된 방향족 탄화수소기,
치환 혹은 비치환된 방향족 복소환기,
또는 치환 혹은 비치환된 축합 다환 방향족기를 나타낸다.
단, R 중, 적어도 하나를 치환 방향족 탄화수소기로 한다.)
2) 상기 일반식 (A) 중의
R 중, 적어도 하나가 중수소 페닐기인 것을 특징으로 하는,
상기 1) 기재의 아릴아민 화합물.
3) 하기 일반식 (B), (C), (D) 또는 (E)인 것을 특징으로 하는, 상기 1) 또는 2) 기재의 아릴아민 화합물.
Figure pat00002
Figure pat00003
Figure pat00004
Figure pat00005
(상기 일반식 (B), (C), (D) 또는 (E)에 있어서의, A, B, R 및 L1 내지 L4는, 상기 일반식 (A)와 동일한 정의로 한다.)
4) 상기 일반식 (B), (C), (D) 또는 (E) 중의,
R이 수소 원자 또는 중수소 원자인
것을 특징으로 하는, 상기 3)에 기재된 아릴아민 화합물.
5) 상기 일반식 (B), (C), (D) 또는 (E) 중의,
L1 내지 L4가
단결합,
치환 혹은 비치환된 페닐렌기,
치환 혹은 비치환된 나프틸렌기,
또는 치환 혹은 비치환된 비페닐렌기인
것을 특징으로 하는, 상기 4)에 기재된 아릴아민 화합물.
6) 상기 일반식 (B), (C), (D) 또는 (E) 중의,
L4가
치환 혹은 비치환된 1,2-페닐렌기,
치환 혹은 비치환된 1,3-페닐렌기,
치환 혹은 비치환된 1,4-페닐렌기,
치환 혹은 비치환된 1,2-나프틸렌기,
치환 혹은 비치환된 1,3-나프틸렌기,
또는 치환 혹은 비치환된 1,4-나프틸렌기인
것을 특징으로 하는, 상기 5)에 기재된 아릴아민 화합물.
7) 상기 일반식 (B), (C), (D) 또는 (E) 중의,
L4가
비치환된 1,2-페닐렌기,
비치환된 1,3-페닐렌기,
비치환된 1,4-페닐렌기,
비치환된 1,2-나프틸렌기,
비치환된 1,3-나프틸렌기,
또는 치환 혹은 비치환된 1,4-나프틸렌기인
것을 특징으로 하는, 상기 6)에 기재된 아릴아민 화합물.
8) 한 쌍의 전극과 그 사이에 끼워진 적어도 1층의 유기층을 갖는 유기 EL 소자에 있어서, 상기 유기층에 상기 1) 또는 2)에 기재된 아릴아민 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.
9) 상기 유기층이 정공 수송층인 것을 특징으로 하는, 상기 8) 기재의 유기 EL 소자.
10) 상기 유기층이 전자 저지층인 것을 특징으로 하는, 상기 8) 기재의 유기 EL 소자.
11) 상기 유기층이 정공 주입층인 것을 특징으로 하는, 상기 8) 기재의 유기 EL 소자.
12) 상기 유기층이 발광층인 것을 특징으로 하는, 상기 8) 기재의 유기 EL 소자.
13) 한 쌍의 전극과 그 사이에 끼워진 적어도 1층의 유기층을 갖는 전자 기기에 있어서, 상기 유기층에 상기 1) 또는 2)에 기재된 아릴아민 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
일반식 (A) 중의 A, B 또는 R로 표현되는
「치환 혹은 비치환된 방향족 탄화수소기」,
「치환 혹은 비치환된 방향족 복소환기」 또는
「치환 혹은 비치환된 축합 다환 방향족기」에 있어서의
「방향족 탄화수소기」,
「방향족 복소환기」 또는
「축합 다환 방향족기」로서는,
구체적으로, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 인데닐기, 피레닐기, 페릴레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 피리딜기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 푸릴기, 피롤릴기, 티에닐기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 벤조푸라닐기, 벤조티에닐기, 인돌릴기, 카르바졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조티아졸릴기, 플루오레닐기, 스피로비플루오레닐기, 아자플루오레닐기, 디아자플루오레닐기, 아자스피로비플루오레닐기, 디아자스피로비플루오레닐기, 퀴녹살리닐기, 벤조이미다졸릴기, 피라졸릴기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티에닐기, 나프티리디닐기, 페난트롤리닐기, 아크리디닐기 및 카르볼리닐기 등을 들 수 있고, 기타, 탄소 원자수 6 내지 30을 포함하는 아릴기, 또는 탄소 원자수 2 내지 20을 포함하는 헤테로아릴기 등에서 선택할 수 있다.
일반식 (A) 중의
A, B 또는 R로 표현되는
「치환 방향족 탄화수소기」,
「치환 방향족 복소환기」 또는
「치환 축합 다환 방향족기」에 있어서의
「치환기」로서는,
구체적으로, 중수소 원자, 시아노기, 니트로기; 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등의 할로겐 원자; 트리메틸실릴기, 트리페닐실릴기 등의 실릴기; 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 탄소 원자수 1 내지 6의 직쇄상 혹은 분지상의 알킬기; 메틸옥시기, 에틸옥시기, 프로필옥시기 등의 탄소 원자수 1 내지 6의 직쇄상 혹은 분지상의 알킬옥시기; 비닐기, 알릴기 등의 알케닐기; 페닐옥시기, 톨릴옥시기 등의 아릴옥시기; 벤질옥시기, 페네틸옥시기 등의 아릴알킬옥시기; 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 스피로비플루오레닐기, 인데닐기, 피레닐기, 페릴레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기 등의 방향족 탄화수소기 혹은 축합 다환 방향족기; 피리딜기, 티에닐기, 푸릴기, 피롤릴기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 벤조푸라닐기, 벤조티에닐기, 인돌릴기, 카르바졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조티아졸릴기, 퀴녹살리닐기, 벤조이미다졸릴기, 피라졸릴기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티에닐기, 카르볼리닐기 등의 방향족 복소환기와 같은 기를 들 수 있고, 이들의 치환기는 또한, 상기 예시한 치환기가 치환하여 있어도 된다. 또한, 이들의 치환기와 해당 치환기로 치환되어 있는 벤젠환이, 또는 동일한 벤젠환에 치환하여 있는 복수개의 치환기끼리가, 단결합, 치환 혹은 비치환된 메틸렌기, 산소 원자 또는 황 원자를 개재해서 서로 결합해서 환을 형성하고 있어도 된다.
일반식 (A) 중의 L1 내지 L4로 표현되는
「치환 혹은 비치환된 방향족 탄화수소의 2가 기」,
「치환 혹은 비치환된 방향족 복소환의 2가 기」,
또는 「치환 혹은 비치환된 축합 다환 방향족의 2가 기」의
「방향족 탄화수소의 2가 기」,
「방향족 복소환의 2가 기」,
또는 「축합 다환 방향족의 2가 기」에 있어서의
「방향족 탄화수소」, 「방향족 복소환」 또는 「축합 다환 방향족」으로서는,
일반식 (A) 중의 A, B 또는 R로 표현되는 「방향족 탄화수소기」, 「방향족 복소환기」 또는 「축합 다환 방향족기」로서 예시한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있고, 나타낸 기로부터 수소 원자를 1개 제외한 기를 2가 기로서 들 수 있다.
일반식 (A) 중의 L1 내지 L4로 표현되는 「치환기를 갖는 방향족 탄화수소의 2가 기」, 「치환기를 갖는 방향족 복소환의 2가 기」 또는 「치환기를 갖는 축합 다환 방향족의 2가 기」에 있어서의 「치환기」로서는, 일반식 (A) 중의 A, B 또는 R로 표현되는 「치환 방향족 탄화수소기」, 「치환 방향족 복소환기」 또는 「치환 축합 다환 방향족기」에 있어서의 「치환기」로서 예시한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있고, 취할 수 있는 양태도, 마찬가지의 것을 들 수 있다.
일반식 (A)에 있어서, L4가 비치환된 1,2-페닐렌기, 비치환된 1,3-페닐렌기 또는 비치환된 1,4-페닐렌기가 바람직하고, 비치환된 1,2-페닐렌기 또는 비치환된 1,3-페닐렌기가 보다 바람직하고, 비치환된 1,2-페닐렌기가 더욱 바람직하다.
일반식 (A)에 있어서, A 및 B의 어느 한쪽 또는 양쪽이, 치환 혹은 비치환된 페닐기, 치환 혹은 비치환된 비페닐기, 치환 혹은 비치환된 나프틸기, 치환 혹은 비치환된 디벤조푸라닐기, 치환 혹은 비치환된 디벤조티에닐기 또는 치환 혹은 비치환된 페난트레닐기인 것이 바람직하고, 치환 혹은 비치환된 페닐기, 치환 혹은 비치환된 비페닐기 또는 치환 혹은 비치환된 나프틸기인 것이 보다 바람직하고, 치환 혹은 비치환된 페닐기, 또는 치환 혹은 비치환된 나프틸기인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 유기 EL 소자에 적합하게 사용되는, 상기 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물은, 유기 EL 소자의 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층 또는 발광층의 구성 재료로서 사용하는 것이 바람직하고, 정공 수송층 또는 전자 저지층의 구성 재료로서 사용하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 발명의 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물은, 한 쌍의 전극과 그 사이에 끼워진 적어도 1층의 유기층을 갖는 전자 기기에 있어서, 상기 유기층의 구성 재료로서 바람직하게 사용된다.
본 발명의 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물은, 종래의 정공 수송 재료보다, (1) 정공의 주입 특성이 좋고, (2) 정공의 이동도가 크고, (3) 전자 저지 능력이 우수하고, (4) 전자 내성이 높고, (5) 박막 상태가 안정되고, (6) 내열성이 우수한, 등의 특성이 있고, 본 발명의 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물을 유기 EL 소자에 사용함으로써, (1) 발광 효율이 높고, (2) 발광 개시 전압이 낮고, (3) 실용 구동 전압이 낮고, (4) 장수명인, 등의 특성이 얻어진다.
본 발명의 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물은, 정공의 주입·수송 성능, 박막의 안정성 및 내구성이 우수하다. 그에 의해, 해당 화합물을 정공 주입 재료 및/또는 정공 수송 재료로서 사용해서 제작된, 정공 주입층 및/또는 정공 수송층을 갖는 유기 EL 소자는, 발광층의 정공 수송 효율이 향상되어, 발광 효율이 향상됨과 함께, 구동 전압이 저하됨으로써 소자의 내구성을 향상시킬 수 있고, 고효율, 저구동 전압, 장수명의 특성을 얻는 것이 가능해진다.
본 발명의 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물은, 전자 저지 능력이 우수하고, 전자 내성이 높으며, 또한 박막 상태에 있어서도 안정되어, 발광층 내에서 생성한 여기자를 가두는 특징을 갖는다. 그에 의해, 해당 화합물을 전자 저지 재료로서 사용해서 제작된 전자 저지층을 갖는 유기 EL 소자는, 정공과 전자가 재결합할 확률이 향상되어 열 실활이 억제되기 때문에, 높은 발광 효율을 갖고, 구동 전압이 저하되어 전류 내성이 개선됨으로써, 최대 발광 휘도가 향상된다.
본 발명의 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물은, 정공 수송성이 우수하고, 또한 밴드 갭이 넓다. 그에 의해, 해당 화합물을 호스트 재료로서 사용해서 제작된 발광층을 갖는 유기 EL 소자는, 도펀트라고 불리는 형광 발광체나 인광 발광체, 지연 형광 발광체를 담지시켜서 발광층을 형성함으로써, 구동 전압이 저하되고, 발광 효율이 개선된다.
따라서, 본 발명의 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물은, 유기 EL 소자의 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층 또는 발광층의 구성 재료로서 유용하며, 종래의 유기 EL 소자의 발광 효율 및 구동 전압, 그리고 내구성을 개량할 수 있다.
기타, 본 발명의 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물은, 유기 EL 소자에의 이용뿐만 아니라, 전자 사진 감광체, 이미지 센서, 광전 변환 소자, 태양 전지 등의 전자 장치 분야에도 사용할 수 있다.
도 1은 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물로서, 화합물 (1) 내지 화합물 (15)의 구조를 도시하는 도면이다.
도 2는 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물로서, 화합물 (16) 내지 화합물 (27)의 구조를 도시하는 도면이다.
도 3은 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물로서, 화합물 (28) 내지 화합물 (39)의 구조를 도시하는 도면이다.
도 4는 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물로서, 화합물 (40) 내지 화합물 (51)의 구조를 도시하는 도면이다.
도 5는 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물로서, 화합물 (52) 내지 화합물 (63)의 구조를 도시하는 도면이다.
도 6은 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물로서, 화합물 (64) 내지 화합물 (78)의 구조를 도시하는 도면이다.
도 7은 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물로서, 화합물 (79) 내지 화합물 (90)의 구조를 도시하는 도면이다.
도 8은 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물로서, 화합물 (91) 내지 화합물 (105)의 구조를 도시하는 도면이다.
도 9는 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물로서, 화합물 (106) 내지 화합물 (118)의 구조를 도시하는 도면이다.
도 10은 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물로서, 화합물 (119) 내지 화합물 (130)의 구조를 도시하는 도면이다.
도 11은 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물로서, 화합물 (131) 내지 화합물 (142)의 구조를 도시하는 도면이다.
도 12는 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물로서, 화합물 (143) 내지 화합물 (154)의 구조를 도시하는 도면이다.
도 13은 실시예 7 내지 10, 비교예 1 내지 2의 유기 EL 소자 구성을 도시한 도면이다.
본 발명의 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물은 신규인 화합물이지만, 이들 화합물은, 그 자체 공지된 방법에 준해서 합성할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자에 적합하게 사용되는, 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물 중에서, 바람직한 화합물의 구체예를 도 1 내지 도 12에 나타내지만, 이들 화합물에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물의 정제는, 칼럼 크로마토그래피 그래프에 의한 정제, 실리카겔, 활성탄, 활성 백토 등에 의한 흡착 정제, 용매에 의한 재결정이나 정석법, 승화 정제법 등의 공지된 방법으로 행할 수 있고, 최종적으로는 승화 정제법에 의한 정제를 행하였다. 화합물의 동정은 NMR 분석에 의해 행하였다. 물성값으로서는, 융점과 유리 전이점(Tg) 및 일함수의 측정을 행하였다. 융점은 증착성의 지표로 되는 것이며, 유리 전이점(Tg)은 박막 상태의 안정성 지표가 되고, 일함수는 정공 주입성이나 정공 수송성 또는 전자 저지성의 지표로 되는 것이다.
기타, 본 발명의 유기 EL 소자에 사용되는 화합물은, 칼럼 크로마토그래피 그래프에 의한 정제, 실리카겔, 활성탄, 활성 백토 등에 의한 흡착 정제, 용매에 의한 재결정이나 정석법 등에 의해 정제를 행한 후, 마지막으로 승화 정제법에 의해 정제한 것을 사용했다.
융점과 유리 전이점(Tg)은, 예를 들어 분체를 사용해서 고감도 시차 주사 열량계(브루커·에이엑스에스제, DSC3100SA)에 의해 측정할 수 있다.
일함수는, 예를 들어 ITO 기판 상에 100㎚의 박막을 제작하여, 이온화 포텐셜 측정 장치(스미또모 주기까이 고교 가부시키가이샤제, PYS-202)에 의해 구할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자의 구조로서는, 기판 상에 순차적으로, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 음극을 포함하는 것, 또한 정공 수송층과 발광층 사이에 전자 저지층을 갖는 것, 발광층과 전자 수송층 사이에 정공 저지층을 갖는 것을 들 수 있다. 이들 다층 구조에 있어서는, 1개의 유기층이 여러 층의 역할을 겸하는 것이 가능하고, 예를 들어 1개의 유기층이, 정공 주입층과 정공 수송층을 겸한 구성으로 하는 것, 전자 주입층과 전자 수송층을 겸한 구성으로 하는 것, 등도 가능하다. 또한, 동일한 기능을 갖는 유기층을 2층 이상 적층한 구성으로 하는 것이 가능하고, 정공 수송층을 2층 적층한 구성, 발광층을 2층 적층한 구성, 전자 수송층을 2층 적층한 구성, 등도 가능하다.
본 발명의 유기 EL 소자의 양극으로서, ITO나 금과 같은 일함수가 큰 전극 재료가 사용된다.
본 발명의 유기 EL 소자의 정공 주입층의 재료로서, 본 발명의 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물 등의, 분자 중에 트리페닐아민 구조를 1개만 갖는 아릴아민 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 구리 프탈로시아닌으로 대표되는 포르피린 화합물, 스타버스트형 트리페닐아민 유도체, 분자 중에 트리페닐아민 구조 또는 카르바졸릴 구조를 2개 이상 갖고, 각각이 단결합 또는 헤테로 원자를 포함하지 않는 2가 기로 연결된 구조를 갖는 아릴아민 화합물, 헥사시아노아자트리페닐렌과 같은 억셉터성의 복소환 화합물 및 도포형의 고분자 재료 등을 사용할 수 있다. 이들 재료는 증착법, 스핀 코트법 및 잉크젯법 등의 공지된 방법에 의해 박막 형성을 행할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자의 정공 주입층 및 정공 수송층의 재료로서, 본 발명의 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물 등의, 분자 중에 트리페닐아민 구조를 1개만 갖는 아릴아민 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, N,N'-디페닐-N,N'-디(m-톨릴)-벤지딘(TPD)이나 N,N'-디페닐-N,N'-디(α-나프틸)-벤지딘(NPD), N,N,N',N'-테트라비페닐일벤지딘(N4,N4,N4',N4'-tetra([1,1'-biphenyl]-4-yl)-benzidine) 등의 벤지딘 유도체, 1,1-비스[(디-4-톨릴아미노)페닐]시클로헥산(TAPC) 및 분자 중에 트리페닐아민 구조 또는 카르바졸릴 구조를 2개 이상 갖고, 각각이 단결합 또는 헤테로 원자를 포함하지 않는 2가 기로 연결된 구조를 갖는 아릴아민 화합물 등을 사용할 수 있다. 이들 재료는, 단독으로 성막해도 되지만, 복수종을 혼합해서 성막할 수도 있고, 각각을 단층으로서 사용할 수 있다. 또한, 이들 재료를 단독으로 성막한 층끼리의 적층 구조, 혼합해서 성막한 층끼리의 적층 구조 또는 이들 재료를 단독으로 성막한 층과 복수종을 혼합해서 성막한 층의 적층 구조로 해도 된다. 또한, 정공의 주입·수송층의 재료로서, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT)/폴리(스티렌술포네이트)(PSS) 등의 도포형의 고분자 재료를 사용할 수 있다. 이들 재료는, 증착법, 스핀 코트법 및 잉크젯법 등의 공지된 방법에 의해 박막 형성을 행할 수 있다.
또한, 정공 주입층 혹은 정공 수송층에 있어서, 이들 층에 통상 사용되는 재료에 대하여, 추가로 트리스브로모페닐아민헥사클로르안티몬(Tris(4-bromophenyl)aminium-hexachloroantimonate), 라디알렌 유도체(예를 들어, 특허문헌 6 참조) 등을 P 도핑한 것이 바람직하다. 또한, TPD 등의 벤지딘 유도체의 구조를 그 부분 구조에 갖는 고분자 화합물 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자의 전자 저지층의 재료로서, 본 발명의 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 4,4',4"-트리(N-카르바졸릴)트리페닐아민(TCTA), 9,9-비스[4-(카르바졸-9-일)페닐]플루오렌, 1,3-비스(카르바졸-9-일)벤젠(mCP), 2,2-비스(4-카르바졸-9-일 페닐)아다만탄(Ad-Cz) 등의 카르바졸 유도체; 9-[4-(카르바졸-9-일)페닐]-9-[4-(트리페닐실릴)페닐]-9H-플루오렌으로 대표되는 트리페닐실릴기와 트리아릴아민 구조를 갖는 화합물, 등의 전자 저지 작용을 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 이들 재료는 정공 수송층의 재료를 겸해도 된다. 이들 재료는, 단독으로 성막해도 되지만, 복수종을 혼합해서 성막할 수도 있고, 각각을 단층으로서 사용할 수 있다. 또한, 이들 재료를 단독으로 성막한 층끼리의 적층 구조, 혼합해서 성막한 층끼리의 적층 구조 또는 이들 재료를 단독으로 성막한 층과 복수종을 혼합해서 성막한 층의 적층 구조로 해도 된다. 이들 재료는, 증착법, 스핀 코트법 및 잉크젯법 등의 공지된 방법에 의해 박막 형성을 행할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자의 발광층 재료로서, 본 발명의 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 기타, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(Alq3)을 비롯한 퀴놀리놀 유도체의 금속 착체, 각종 금속 착체, 안트라센 유도체, 비스스티릴 벤젠 유도체, 피렌 유도체, 옥사졸 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 유도체 등을 사용할 수 있다. 또한, 발광층을 호스트 재료와 도펀트 재료로 구성해도 되고, 호스트 재료로서, 본 발명의 일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물이나 안트라센 유도체가 바람직하게 사용된다. 기타, 상기 재료에 더하여, 인돌 환을 축합환의 부분 구조로서 갖는 복소환 화합물, 카르바졸환을 축합환의 부분 구조로서 갖는 복소환 화합물, 카르바졸 유도체, 티아졸 유도체, 벤즈이미다졸 유도체 및 폴리디알킬플루오렌 유도체 등을 사용할 수 있다. 또한 도펀트 재료로서는, 환 구성 원소로서 S, B, N 등을 갖는 복소환 화합물이 바람직하게 사용된다. 기타, 퀴나크리돈, 쿠마린, 루브렌, 페릴렌 및 그들의 유도체, 벤조피란 유도체, 로다민 유도체 및 아미노 스티릴 유도체 등을 사용할 수 있다. 이들 재료는, 단독으로 성막해도 되지만, 복수종을 혼합해서 성막할 수도 있고, 각각을 단층으로서 사용할 수 있다. 또한, 이들 재료를 단독으로 성막한 층끼리의 적층 구조, 혼합해서 성막한 층끼리의 적층 구조 또는 이들 재료를 단독으로 성막한 층과 복수종을 혼합해서 성막한 층의 적층 구조로 해도 된다. 이들 재료는, 증착법, 스핀 코트법 및 잉크젯법 등의 공지된 방법에 의해 박막 형성을 행할 수 있다.
또한, 발광 재료로서 인광 발광체를 사용하는 것도 가능하다. 인광 발광체로서는, 이리듐이나 백금 등의 금속 착체의 인광 발광체를 사용할 수 있다. 예를 들어, Ir(ppy)3 등의 녹색의 인광 발광체, FIrpic, FIr6 등의 청색의 인광 발광체, Btp2Ir(acac) 등의 적색의 인광 발광체 등을 들 수 있고, 이때의 호스트 재료로서는, 정공 주입·수송성의 호스트 재료로서, 4,4'-디(N-카르바졸릴)비페닐(CBP), TCTA, mCP 등의 카르바졸 유도체 등에 더하여, 본 발명의 아릴아민 화합물을 들 수 있고, 전자 수송성의 호스트 재료로서, p-비스(트리페닐실릴)벤젠(UGH2)이나 2,2',2"-(1,3,5-페닐렌)-트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸)(TPBI) 등을 들 수 있다. 이러한 재료를 사용함으로써 고성능의 유기 EL 소자를 제작할 수 있다.
인광성의 발광 재료의 호스트 재료에의 도프는, 농도 소광을 피하기 위해서, 발광층 전체에 대하여 1 내지 30 중량 퍼센트의 범위에서, 공증착에 의해 행하는 것이 바람직하다.
또한, 발광 재료로서, PIC-TRZ, CC2TA, PXZ-TRZ, 4CzIPN 등의 CDCB 유도체 등의 지연 형광을 방사하는 재료를 사용하는 것도 가능하다(예를 들어, 비특허문헌 3 참조). 이들 재료는, 증착법, 스핀 코트법 및 잉크젯법 등의 공지된 방법에 의해 박막 형성을 행할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자의 정공 저지층의 재료로서, 바소큐프로인(BCP) 등의 페난트롤린 유도체, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)-4-(페닐페놀라토)알루미늄(BAlq) 등의 퀴놀리놀 유도체의 금속 착체, 각종 희토류 착체, 옥사졸 유도체, 트리아졸 유도체 및 트리아진 유도체 등의, 정공 저지 작용을 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 이들 재료는 전자 수송층의 재료를 겸해도 된다. 이들 재료는, 단독으로 성막해도 되지만, 복수종을 혼합해서 성막할 수도 있고, 각각을 단층으로서 사용할 수 있다. 또한, 이들 재료를 단독으로 성막한 층끼리의 적층 구조, 혼합해서 성막한 층끼리의 적층 구조 또는 이들 재료를 단독으로 성막한 층과 복수종을 혼합해서 성막한 층의 적층 구조로 해도 된다. 이들 재료는, 증착법, 스핀 코트법 및 잉크젯법 등의 공지된 방법에 의해 박막 형성을 행할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자의 전자 수송층의 재료로서, 벤즈이미다졸 유도체나 안트라센 유도체, 피리미딘 유도체, 트리아진 유도체를 사용하는 것이 바람직하다. 기타, Alq3, BAlq를 비롯한 퀴놀리놀 유도체의 금속 착체, 각종 금속 착체, 트리아졸 유도체, 옥사디아졸 유도체, 피리딘 유도체, 티아디아졸 유도체, 카르보디이미드 유도체, 퀴녹살린 유도체, 피리드 인돌 유도체, 페난트롤린 유도체 및 실롤 유도체 등을 사용할 수 있다. 이들 재료는, 단독으로 성막해도 되지만, 복수종을 혼합해서 성막할 수도 있고, 각각을 단층으로서 사용할 수 있다. 또한, 이들 재료를 단독으로 성막한 층끼리의 적층 구조, 혼합해서 성막한 층끼리의 적층 구조 또는 이들 재료를 단독으로 성막한 층과 복수종을 혼합해서 성막한 층의 적층 구조로 해도 된다. 이들 재료는, 증착법, 스핀 코트법 및 잉크젯법 등의 공지된 방법에 의해 박막 형성을 행할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자의 전자 주입층의 재료로서, 불화 리튬, 불화 세슘 등의 알칼리 금속염, 불화 마그네슘 등의 알칼리 토류 금속염, 리튬 퀴놀리놀 등의 퀴놀리놀 유도체의 금속 착체, 산화 알루미늄 등의 금속 산화물, 그리고 이테르븀(Yb), 사마륨(Sm), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 및 세슘(Cs) 등의 금속 등을 사용할 수 있다. 전자 주입층은, 전자 수송층과 음극의 바람직한 선택에 의해 생략할 수 있다.
또한, 전자 주입층 및 전자 수송층에는, 이들 층에 통상 사용되는 재료에 대하여 세슘 등의 금속을 N 도핑한 것을 사용할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자의 음극으로서는, 알루미늄과 같은 일함수가 낮은 금속, 그리고 마그네슘 은 합금, 마그네슘 인듐 합금 및 알루미늄 마그네슘 합금과 같은, 보다 일함수가 낮은 합금이 전극 재료로서 사용될 수 있다.
[실시예]
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서, 실시예에 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 초과하지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
<N-(4-나프탈렌-2-일-페닐)-N-{2'-(2-페닐-d5-9H-카르바졸-9-일)-[1,1'-비페닐-4-일]}-페닐아민(화합물: 3)의 합성>
질소 치환한 반응 용기에, 9-(2-브로모페닐)-2-(페닐-d5)-9H-카르바졸: 7.7g, N-(4-나프탈렌-2-일-페닐)-N-{4-(4,4,5,5-테트라메틸-[1,3,2]디옥사보롤란-2-일)페닐}-페닐아민: 9.0g, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0): 0.4g, 탄산칼륨: 5.0g을 첨가하고, 톨루엔/에탄올/물 혼합 용매 중에서 밤새 환류 교반했다. 반응 종료를 확인한 후, 계 내에 메탄올을 첨가해서 고체를 석출시키고, 여과해서 조생성물을 얻었다. 얻어진 조생성물을 아세톤 용매에 의한 재결정 정제를 행함으로써, N-(4-나프탈렌-2-일-페닐)-N-{2'-(2-페닐-d5-9H-카르바졸-9-일)-[1,1'-비페닐-4-일]}-페닐아민(화합물: 3)의 백색 분체: 3.8g(수율: 30.3%)을 얻었다.
Figure pat00006
얻어진 백색 분체에 대해서 NMR을 사용해서 구조를 동정했다.
1H-NMR(CDCl3)로 이하의 31개의 수소 시그널을 검출했다.
δ(ppm)=8.09(2H), 7.89(2H), 7.86(1H), 7.84(1H), 7.74(2H), 7.68-7.52(4H), 7.47(3H), 7.40(2H), 7.33(1H), 7.26(1H), 7.19(1H), 7.17(1H), 7.10(2H), 6.92(1H), 6.86(2H), 6.81(3H), 6.72(2H).
[실시예 2]
<N,N-비스[1,1'-비페닐-4-일]-{2'-(2-페닐-d5-9H-카르바졸-9-일)-[1,1'-비페닐-4-일]}아민(화합물: 24)의 합성>
질소 치환한 반응 용기에, N-[1,1'-비페닐-4-일]-{2'-(2-페닐-d5-9H-카르바졸-9-일)-[1,1'-비페닐-4-일]}아민: 8.0g, 4-브로모-[1,1'-비페닐]: 3.6g, 트리스(디벤질리덴아세톤)팔라듐(0): 0.3g, 트리-tert-부틸포스핀: 0.1g, tert-부톡시나트륨: 2.7g을 첨가하고, 크실렌 용매 중에서 밤새 환류 교반했다. 반응 종료를 확인한 후, 계 내에 메탄올을 첨가해서 고체를 석출시키고, 여과해서 조생성물을 얻었다. 얻어진 조생성물을 테트라히드로푸란/아세톤 혼합 용매에 의해 정석 정제를 행함으로써, N,N-비스[1,1'-비페닐-4-일]-{2'-(2-페닐-d5-9H-카르바졸-9-일)-[1,1'-비페닐-4-일]}아민(화합물: 24)의 백색 분체: 5.6g(수율: 55.2%)을 얻었다.
Figure pat00007
얻어진 백색 분체에 대해서 NMR을 사용해서 구조를 동정했다.
1H-NMR(CDCl3)로 이하의 33개의 수소 시그널을 검출했다.
δ(ppm)=8.10(2H), 7.75(1H), 7.65-7.55(4H), 7.50(5H), 7.41(4H), 7.38-7.27(7H), 7.19(2H), 6.88(2H), 6.82(4H), 6.75(2H).
[실시예 3]
<N-[1,1'-비페닐-4-일]-N-(4-나프탈렌-1-일-페닐)-{2'-(2-페닐-d5-9H-카르바졸-9-일)-[1,1'-비페닐-4-일]}아민(화합물: 25)의 합성>
질소 치환한 반응 용기에, N-[1,1'-비페닐-4-일]-{2'-(2-페닐-d5-9H-카르바졸-9-일)-[1,1'-비페닐-4-일]}아민: 8.0g, 1-(4-브로모페닐)나프탈렌: 4.4g, 트리스(디벤질리덴아세톤)팔라듐(0): 0.3g, 트리-tert-부틸포스핀: 0.1g, tert-부톡시나트륨: 2.7g을 첨가하고, 크실렌 용매 중에서 밤새 환류 교반했다. 반응 종료를 확인한 후, 계 내에 메탄올을 첨가해서 고체를 석출시키고, 여과해서 조생성물을 얻었다. 얻어진 조생성물을 테트라히드로푸란/아세트산에틸 혼합 용매에 의해 정석 정제를 행함으로써, N-[1,1'-비페닐-4-일]-N-(4-나프탈렌-1-일-페닐)-{2'-(2-페닐-d5-9H-카르바졸-9-일)-[1,1'-비페닐-4-일]}아민(화합물: 25)의 백색 분체: 3.0g(수율: 27.7%)을 얻었다.
Figure pat00008
얻어진 백색 분체에 대해서 NMR을 사용해서 구조를 동정했다.
1H-NMR(CDCl3)로 이하의 35개의 수소 시그널을 검출했다.
δ(ppm)=8.11(1H), 8.09(1H), 7.95(1H), 7.90(1H), 7.83(1H), 7.77(1H), 7.67-7.54(3H), 7.54-7.26(14H), 7.23(2H), 7.20(2H), 6.89(6H), 6.81(2H).
[실시예 4]
<N-[1,1'-비페닐-4-일]-N-(4-나프탈렌-2-일-페닐)-{2'-(2-페닐-d5-9H-카르바졸-9-일)-[1,1'-비페닐-4-일]}아민(화합물: 26)의 합성>
질소 치환한 반응 용기에, N-[1,1'-비페닐-4-일]-{2'-(2-페닐-d5-9H-카르바졸-9-일)-[1,1'-비페닐-4-일]}아민: 8.0g, 2-(4-브로모페닐)나프탈렌: 4.4g, 트리스(디벤질리덴아세톤)팔라듐(0): 0.3g, 트리-tert-부틸포스핀: 0.1g, tert-부톡시나트륨: 2.7g을 첨가하고, 크실렌 용매 중에서 밤새 환류 교반했다. 반응 종료를 확인한 후, 계 내에 메탄올을 첨가해서 고체를 석출시키고, 여과해서 조생성물을 얻었다. 얻어진 조생성물을 테트라히드로푸란/아세트산에틸 혼합 용매에 의해 정석 정제를 행함으로써, N-[1,1'-비페닐-4-일]-N-(4-나프탈렌-2-일-페닐)-{2'-(2-페닐-d5-9H-카르바졸-9-일)-[1,1'-비페닐-4-일]}아민(화합물: 26)의 백색 분체: 6.8g(수율: 62.7%)을 얻었다.
Figure pat00009
얻어진 백색 분체에 대해서 NMR을 사용해서 구조를 동정했다.
1H-NMR(CDCl3)로 이하의 35개의 수소 시그널을 검출했다.
δ(ppm)=8.11(2H), 7.93(1H), 7.88(2H), 7.85(1H), 7.77(1H), 7.68-7.55(4H), 7.50(4H), 7.47-7.26(10H), 7.21(1H), 7.19(1H), 6.87(6H), 6.77(2H).
[실시예 5]
일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물에 대해서, 고감도 시차 주사 열량계(브루커·에이엑스에스제, DSC3100SA)에 의해 융점과 유리 전이점을 측정했다. 측정 결과를 표 1에 통합해서 나타냈다.
Figure pat00010
일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물은, 100℃ 이상의 유리 전이점을 갖고 있어, 박막 상태가 안정되는 것을 나타내는 것이다.
[실시예 6]
일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물을 사용하여, ITO 기판 상에 막 두께 100㎚의 증착막을 제작하고, 이온화 포텐셜 측정 장치(스미또모 주기까이 고교 가부시키가이샤제, PYS-202)에 의해 일함수(단위: eV)를 측정했다. 측정 결과를 표 2에 통합해서 나타냈다.
Figure pat00011
일반식 (A)로 표시되는 아릴아민 화합물은, NPD, TPD 등의 일반적인 정공 수송 재료가 갖는 일함수 5.4eV와 비교하여, 적합한 에너지 준위를 나타내고 있고, 양호한 정공 수송 능력을 갖고, 우수한 전자의 저지 능력을 갖는 것을 알 수 있다.
[실시예 7]
유기 EL 소자는, 도 13에 도시한 바와 같이, 유리 기판(1) 상에 투명 양극(2)으로서 반사 ITO 전극을 미리 형성한 것 위에, 정공 주입층(3), 정공 수송층(4), 전자 저지층(5), 발광층(6), 전자 수송층(7), 전자 주입층(8), 음극(9), 캐핑층(10)의 순으로 증착해서 제작했다.
구체적으로는, 유리 기판(1) 상에 투명 양극(2)으로서, 막 두께 50㎚의 ITO, 막 두께 100㎚의 은 합금의 반사막, 막 두께 5㎚의 ITO를 이 순으로 성막하고 이소프로필알코올 중에서 초음파 세정을 20분간 행한 후, 250℃로 가열한 핫 플레이트 상에서 10분간 건조를 행하였다. 그 후, UV 오존 처리를 2분간 행한 후, 이 ITO 구비 유리 기판을 진공 증착기 내에 설치하고, 0.001㎩ 이하까지 감압했다.
계속해서, 투명 양극(2)을 덮도록 정공 주입층(3)으로서, 하기 구조식의 전자 억셉터 (Acceptor-1)과 하기 구조식의 화합물 (HTM-1)을, 증착 속도비가 Acceptor-1:화합물(HTM-1)=3:97이 되는 증착 속도로 이원 증착을 행하여, 막 두께 10㎚가 되도록 형성했다.
이 정공 주입층(3) 상에, 정공 수송층(4)으로서 하기 구조식의 화합물 (HTM-1)을 막 두께 140㎚가 되도록 형성했다.
이 정공 수송층(4) 상에, 전자 저지층(5)으로서 실시예 1의 화합물 (3)을 막 두께 5㎚가 되도록 형성했다.
이 전자 저지층(5) 상에, 발광층(6)으로서 하기 구조식의 화합물 (EMD-1)과 하기 구조식의 화합물 (EMH-1)을, 증착 속도비가 화합물 (EMD-1):화합물 (EMH-1)=5:95가 되는 증착 속도로 이원 증착을 행하여, 막 두께 20㎚가 되도록 형성했다.
이 발광층(6) 상에, 전자 수송층(7)으로서 하기 구조식의 화합물 (ETM-1)과 하기 구조식의 화합물 (ETM-2)를, 증착 속도비가 화합물 (ETM-1):화합물 (ETM-2)=50:50이 되는 증착 속도로 이원 증착을 행하여, 막 두께 30㎚가 되도록 형성했다.
이 전자 수송층(7) 상에, 전자 주입층(8)으로서 불화 리튬을 막 두께 1㎚가 되도록 형성했다.
이 전자 주입층(8) 상에, 음극(9)으로서 마그네슘 은 합금을 막 두께 12㎚가 되도록 형성했다.
마지막으로, 캐핑층(10)으로서 하기 구조식의 화합물 (CPL-1)을 막 두께 60㎚가 되도록 형성했다.
제작한 유기 EL 소자에 대해서, 대기 중, 상온에서 특성 측정을 행하였다.
제작한 유기 EL 소자에 직류 전압을 인가했을 때의, 발광 특성의 측정 결과를 표 3에 통합해서 나타냈다.
Figure pat00012
Figure pat00013
Figure pat00014
[실시예 8 내지 10]
실시예 7에 있어서, 전자 저지층(5)의 재료로서, 실시예 1의 화합물 (3) 대신에 각각 실시예 2 내지 4에서 얻어진 화합물을 사용한 것 이외에는, 마찬가지 조건에서 유기 EL 소자를 제작했다. 제작한 유기 EL 소자에 대해서, 대기 중, 상온에서 특성 측정을 행하였다. 제작한 유기 EL 소자에 직류 전압을 인가했을 때의 발광 특성의 측정 결과를 표 3에 통합해서 나타냈다.
[비교예 1]
비교를 위해서, 실시예 7에 있어서, 전자 저지층(5)의 재료로서, 실시예 1의 화합물 (3) 대신에, 하기 구조식의 화합물 (HTM-2)(예를 들어, 특허문헌 7 참조)를 사용한 것 이외에는, 마찬가지 조건에서 유기 EL 소자를 제작했다. 제작한 유기 EL 소자에 대해서, 대기 중, 상온에서 특성 측정을 행하였다. 제작한 유기 EL 소자에 직류 전압을 인가했을 때의 발광 특성의 측정 결과를 표 3에 통합해서 나타냈다.
Figure pat00015
[비교예 2]
비교를 위해서, 실시예 7에 있어서, 전자 저지층(5)의 재료로서, 실시예 1의 화합물 (3) 대신에, 하기 구조식의 화합물 (HTM-3)(예를 들어, 특허문헌 8 참조)을 사용한 것 이외에는, 마찬가지 조건에서 유기 EL 소자를 제작했다. 제작한 유기 EL 소자에 대해서, 대기 중, 상온에서 특성 측정을 행하였다. 제작한 유기 EL 소자에 직류 전압을 인가했을 때의 발광 특성의 측정 결과를 표 3에 통합해서 나타냈다.
Figure pat00016
실시예 7 내지 10 및 비교예 1 내지 2에서 제작한 유기 EL 소자를 사용하여, 소자 수명을 측정했다. 그 결과를 표 3에 통합해서 나타냈다. 소자 수명은, 발광 개시 시의 발광 휘도(초기 휘도)를 1000cd/㎡로 하여 정전류 구동을 행했을 때, 발광 휘도가 950cd/㎡(초기 휘도를 100%로 했을 때의 95%에 상당: 95% 감쇠)로 감쇠할 때까지의 시간으로서 측정했다.
Figure pat00017
표 3에 나타낸 바와 같이, 전류 밀도 10mA/㎠의 전류를 흘렸을 때의 발광 효율은, 비교예 1, 2의 유기 EL 소자의 8.20 내지 8.58cd/A에 대하여, 실시예 7 내지 10의 유기 EL 소자에서는 8.92 내지 9.48cd/A로 고효율이었다. 또한, 전력 효율에 있어서도, 비교예 1, 2의 유기 EL 소자의 7.77 내지 8.14lm/W에 대하여, 실시예 7 내지 10의 유기 EL 소자에서는 8.45 내지 8.90lm/W로 고효율이었다. 또한, 소자 수명(95% 감쇠)에 있어서는, 비교예 1, 2의 유기 EL 소자의 255 내지 298시간에 대하여, 실시예 7 내지 10의 유기 EL 소자에서는 416 내지 658시간으로 장수명화되어 있는 것을 알 수 있다.
이상의 결과로부터 명백한 바와 같이, 본 발명의 유기 EL 소자는, 정공의 이동도가 크고, 우수한 전자의 저지 능력을 갖는 아릴아민 화합물을 사용하고 있기 때문에, 종래의 유기 EL 소자와 비교하여, 고발광 효율이며, 또한 장수명의 유기 EL 소자를 실현할 수 있는 것을 알 수 있다.
본 발명의 특정의 구조를 갖는 아릴아민 화합물을 사용한 유기 EL 소자는, 발광 효율이 향상됨과 함께, 유기 EL 소자의 내구성을 개선시킬 수 있고, 예를 들어 가정 전화 제품이나 조명의 용도로의 전개가 가능해졌다.
1 : 유리 기판
2 : 투명 양극
3 : 정공 주입층
4 : 정공 수송층
5 : 전자 저지층
6 : 발광층
7 : 전자 수송층
8 : 전자 주입층
9 : 음극
10 : 캐핑층

Claims (13)

  1. 하기 일반식 (A)로 표시되는, 아릴아민 화합물.
    Figure pat00018

    (식 (A)에 있어서의,
    A, B는
    치환 혹은 비치환된 방향족 탄화수소기,
    치환 혹은 비치환된 방향족 복소환기,
    또는 치환 혹은 비치환된 축합 다환 방향족기를 나타내고,
    L1 내지 L4는
    단결합,
    치환 혹은 비치환된 2가의 방향족 탄화수소기,
    치환 혹은 비치환된 2가의 방향족 복소환기,
    또는 치환 혹은 비치환된 2가의 축합 다환 방향족기를 나타내고,
    R은 각각, 동일하거나 상이해도 되는,
    수소 원자, 중수소 원자,
    치환 혹은 비치환된 방향족 탄화수소기,
    치환 혹은 비치환된 방향족 복소환기,
    또는 치환 혹은 비치환된 축합 다환 방향족기를 나타낸다.
    단, R 중, 적어도 하나를 치환 방향족 치환기로 한다.)
  2. 제1항에 있어서, 상기 일반식 (A)에 있어서의
    R 중, 적어도 하나가 중수소 페닐기로 표현되는, 아릴아민 화합물.
  3. 제2항에 있어서, 하기 일반식 (B), (C), (D) 또는 (E)로 표시되는, 아릴아민 화합물.
    Figure pat00019

    Figure pat00020

    Figure pat00021

    Figure pat00022

    (식 (B), (C), (D) 또는 (E)에 있어서의,
    A, B, R 및 L1 내지 L4는 상기 일반식 (A)에서 정의하는 바와 같다.)
  4. 제3항에 있어서, 상기 일반식 (B), (C), (D) 또는 (E)에 있어서의
    R이 수소 원자 또는 중수소 원자로 표현되는, 아릴아민 화합물.
  5. 제4항에 있어서, 상기 일반식 (B), (C), (D) 또는 (E)에 있어서의
    L1 내지 L4가
    단결합,
    치환 혹은 비치환된 페닐렌기
    치환 혹은 비치환된 나프틸렌기,
    또는 치환 혹은 비치환된 비페닐렌기로 표현되는, 아릴아민 화합물.
  6. 제5항에 있어서, 상기 일반식 (B), (C), (D) 또는 (E)에 있어서의
    L4가
    치환 혹은 비치환된 1,2-페닐렌기,
    치환 혹은 비치환된 1,3-페닐렌기,
    치환 혹은 비치환된 1,4-페닐렌기,
    치환 혹은 비치환된 1,2-나프틸렌기,
    치환 혹은 비치환된 1,3-나프틸렌기,
    또는 치환 혹은 비치환된 1,4-나프틸렌기로 표현되는, 아릴아민 화합물.
  7. 제6항에 있어서, 상기 일반식 (B), (C), (D) 또는 (E)에 있어서의
    L4가
    비치환된 1,2-페닐렌기,
    비치환된 1,3-페닐렌기,
    비치환된 1,4-페닐렌기,
    비치환된 1,2-나프틸렌기,
    비치환된 1,3-나프틸렌기,
    또는 비치환된 1,4-나프틸렌기로 표현되는, 아릴아민 화합물.
  8. 한 쌍의 전극과 그 사이에 끼워진 적어도 1층의 유기층을 갖는 유기 EL 소자에 있어서, 상기 유기층에 제1항 또는 제2항에 기재된 아릴아민 화합물을 포함하는, 유기 EL 소자.
  9. 제8항에 있어서, 상기 유기층이 정공 수송층인, 유기 EL 소자.
  10. 제8항에 있어서, 상기 유기층이 전자 저지층인, 유기 EL 소자.
  11. 제8항에 있어서, 상기 유기층이 정공 주입층인, 유기 EL 소자.
  12. 제8항에 있어서, 상기 유기층이 발광층인, 유기 EL 소자.
  13. 한 쌍의 전극과 그 사이에 끼워진 적어도 1층의 유기층을 갖는 전자 기기에 있어서, 상기 유기층에 제1항 또는 제2항에 기재된 아릴아민 화합물을 포함하는, 전자 기기.
KR1020230022722A 2023-02-21 2023-02-21 아릴아민 화합물, 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 전자 기기 Pending KR20240129758A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020230022722A KR20240129758A (ko) 2023-02-21 2023-02-21 아릴아민 화합물, 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 전자 기기
TW113105721A TW202448858A (zh) 2023-02-21 2024-02-19 芳香胺化合物，有機電致發光元件及電子機器
PCT/IB2024/051550 WO2024176075A1 (ko) 2023-02-21 2024-02-19 아릴아민 화합물, 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 전자 기기

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020230022722A KR20240129758A (ko) 2023-02-21 2023-02-21 아릴아민 화합물, 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 전자 기기

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240129758A true KR20240129758A (ko) 2024-08-28

Family

ID=92500308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230022722A Pending KR20240129758A (ko) 2023-02-21 2023-02-21 아릴아민 화합물, 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 전자 기기

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20240129758A (ko)
TW (1) TW202448858A (ko)
WO (1) WO2024176075A1 (ko)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0374892U (ko) 1989-11-27 1991-07-26
US5639914A (en) 1993-11-01 1997-06-17 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Tetraaryl benzidines
US5792557A (en) 1994-02-08 1998-08-11 Tdk Corporation Organic EL element
JP2009076817A (ja) 2007-09-25 2009-04-09 Sony Corp 有機電界発光素子および表示装置
US7759030B2 (en) 2004-05-25 2010-07-20 Hodogaya Chemical Co., Ltd. P-terphenyl compound and photosensitive body for electrophotography using such compound
EP2684932A1 (en) 2012-07-09 2014-01-15 Novaled AG Diarylamino matrix material doped with a mesomeric radialene compound
KR102242490B1 (ko) 2016-01-22 2021-04-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자용 재료 및 이를 사용한 유기 전계 발광 소자
KR102452568B1 (ko) 2019-09-03 2022-10-06 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112300054B (zh) * 2019-07-30 2022-06-03 江苏三月科技股份有限公司 一种含有咔唑为核心化合物的有机电致发光器件及其应用
KR20230038618A (ko) * 2021-09-10 2023-03-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 발광 소자용 다환 화합물
CN115417806B (zh) * 2022-09-30 2024-02-20 长春海谱润斯科技股份有限公司 一种咔唑化合物及其有机电致发光器件
CN115583912A (zh) * 2022-09-30 2023-01-10 长春海谱润斯科技股份有限公司 一种含有咔唑的芳香胺化合物及其有机电致发光器件

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0374892U (ko) 1989-11-27 1991-07-26
US5639914A (en) 1993-11-01 1997-06-17 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Tetraaryl benzidines
US5792557A (en) 1994-02-08 1998-08-11 Tdk Corporation Organic EL element
US7759030B2 (en) 2004-05-25 2010-07-20 Hodogaya Chemical Co., Ltd. P-terphenyl compound and photosensitive body for electrophotography using such compound
JP2009076817A (ja) 2007-09-25 2009-04-09 Sony Corp 有機電界発光素子および表示装置
EP2684932A1 (en) 2012-07-09 2014-01-15 Novaled AG Diarylamino matrix material doped with a mesomeric radialene compound
KR102242490B1 (ko) 2016-01-22 2021-04-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자용 재료 및 이를 사용한 유기 전계 발광 소자
KR102452568B1 (ko) 2019-09-03 2022-10-06 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Appl. Phys. Let., 98, 083302(2011)
유기 EL 토론회 제3회 예회 예고집 13 내지 14페이지(2006)
응용 물리학회 제9회 강습회 예고집 23 내지 31페이지(2001)
응용 물리학회 제9회 강습회 예고집 55 내지 61페이지(2001)

Also Published As

Publication number Publication date
WO2024176075A1 (ko) 2024-08-29
TW202448858A (zh) 2024-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102704734B1 (ko) 유기 일렉트로루미네선스 소자
KR20210024995A (ko) 트리아릴아민 구조를 갖는 화합물 및 유기 일렉트로 루미네선스 소자
KR20160018498A (ko) 유기 일렉트로루미네센스 소자
JP6815320B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2019159919A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR102533036B1 (ko) 유기 일렉트로루미네선스 소자
JP7369714B2 (ja) アザベンゾオキサゾール環構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP7394050B2 (ja) ベンゾイミダゾール環構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子
US20230099897A1 (en) Arylamine compound and electronic apparatus using same
KR20230088341A (ko) 아릴아민 화합물, 유기 일렉트로 루미네선스 소자, 및 전자 기기
KR102747127B1 (ko) 유기 일렉트로루미네선스 소자
JP7065029B2 (ja) アリールジアミン化合物及び有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20240114741A (ko) 아릴아민 화합물, 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 전자 기기
JP7573524B2 (ja) ベンゾトリアゾール環構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP7406500B2 (ja) ピリミジン環構造を有する化合物および有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20220086562A (ko) 유기 일렉트로루미네센스 소자
JP2020136517A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20240129758A (ko) 아릴아민 화합물, 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 전자 기기
WO2024071332A1 (ja) 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器
KR102785437B1 (ko) 유기 일렉트로루미네선스 소자
KR20240022707A (ko) 아릴아민 화합물, 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 전자 기기
KR20240151773A (ko) 아릴아민 화합물, 유기 일렉트로루미네선스 소자, 및 전자 기기
KR20250047744A (ko) 아릴아민 화합물, 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 전자 기기
KR20250017018A (ko) 아릴아민 화합물, 유기 일렉트로루미네선스 소자 및 전자 기기
WO2024204268A1 (ja) アリールアミン化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20230221

PG1501 Laying open of application